JP2008258429A - 絶縁フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 - Google Patents

Abstract

【課題】常温での取扱性に優れ、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合に、被着体の表面を均一に被覆することができる絶縁フィルム、並びに該絶縁フィルムを用いた電子部品装置及びその電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物（ａ）と、硬化剤（ｂ）と、高分子量ポリマー（ｃ）と、無機フィラー（ｅ）とを含有し、硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にあり、３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にあり、かつ貯蔵弾性率（Ｅ１）と最低貯蔵弾性率（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）が２〜５００の範囲にある絶縁フィルム、及び該絶縁フィルムの硬化物からなる絶縁層４を有する電子部品装置１、及びその電子部品装置１の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に半導体素子などの電子部品素子を実装してなる電子部品装置の絶縁部分を形成するのに適した絶縁フィルムに関し、より詳細には、常温での取扱性に優れ、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合に、被着体の表面を均一に被覆することができる絶縁フィルム、並びに該絶縁フィルムを用いた電子部品装置の製造方法及び電子部品装置に関する。

基板上に半導体素子を実装することにより構成された半導体装置の高性能化及び小型化を図るために、ボンディングワイヤーを用いない面実装技術が用いられてきている。この種の実装技術の一例は、例えば下記の特許文献１に開示されている。面実装技術を用いる場合、基板上に半導体素子を接合したり、あるいは電極間の絶縁を図るために、様々な絶縁材料が用いられている。

半導体装置に用いられる絶縁材料では、用途によっては、大きな電気容量に耐え得ることが求められている。また、上記面実装技術などの実装プロセスに適していることも求められている。

また、大電流用途では、特に耐熱性に優れていること、具体的には、高温で放置されたり、冷熱サイクルが与えられた際に劣化が生じ難いことが強く求められている。特に、このような環境下で、電力損失の原因となるクラックの発生が生じ難いことが強く求められている。

従来、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁材料が開発されてきている。この種の絶縁材料は下記の特許文献２，３に開示されている。しかしながら、特許文献２，３に記載の絶縁材料は、常温での取扱性に劣りがちであった。また、これらの絶縁材料がフィルム状とされ、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合には、被着体の表面を均一に被覆することができないことがあった。
特開平８−１１５９５３号公報 特開２００１−３２３２２４号公報 特開２００２−１２９１２５号公報

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、常温での取扱性に優れ、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合に、被着体の表面を均一に被覆することができる絶縁フィルム、並びに該絶縁フィルムを用いた電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供することにある。

本発明に係る絶縁フィルムは、硬化性化合物（ａ）と、硬化剤（ｂ）と、高分子量ポリマー（ｃ）と、無機フィラー（ｅ）とを含有し、硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にあり、３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にあり、かつ前記貯蔵弾性率（Ｅ１）と前記最低貯蔵弾性率（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）が２〜５００の範囲にあることを特徴とする。

本発明に係る絶縁フィルムのある特定の局面では、前記硬化性化合物（ａ）が、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ少なくとも主鎖の一部に多環式炭化水素骨格を有する。

本発明の他の特定の局面では、絶縁フィルムはゴム成分（ｆ）をさらに含む。ゴム成分（ｆ）は、好ましくはゴム微粒子である。

本発明に係る絶縁フィルムの他の特定の局面では、絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量％中、前記高分子量ポリマー（ｃ）が５〜６０重量％の割合で含まれている。

本発明に係る絶縁フィルムのさらに他の特定の局面では、前記無機フィラー（ｅ）は球状シリカであり、絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量部に対して、球状シリカが１００〜６００重量部の割合で含まれている。

本発明に係る絶縁フィルムの他の特定の局面では、電子部品装置が半導体素子を電子部品素子として用いた半導体装置であり、絶縁フィルムは半導体装置用の絶縁フィルムである。

本発明に係る絶縁フィルムのさらに他の特定の局面では、半導体素子は電力用デバイス素子である。

本発明に係る電子部品装置の製造方法は、本発明に従って構成された絶縁フィルムを用いて電子部品装置を製造する方法であって、電子部品素子が実装された基板の電子部品素子の周囲の少なくとも一部を絶縁フィルムで被覆して絶縁層を形成する工程と、絶縁層に高密度エネルギー線を照射し、絶縁層に配線用の孔を形成する工程と、孔に配線材料を充填する工程と、孔に充填された配線材料と電気的に接続される配線パターンを絶縁層の表面に形成する工程とを備えることを特徴とする。

本発明に係る電子部品装置の製造方法のある特定の局面では、電子部品素子として半導体素子が用いられ、電子部品装置として半導体装置が製造される。

本発明に係る電子部品装置は、本発明に従って構成された絶縁フィルムの硬化物からなる絶縁層を有する電子部品装置であって、基板と、基板上に実装された電子部品素子と、本発明に従って構成された絶縁フィルムの硬化物により形成されており、電子部品素子の周囲の少なくとも一部を被覆するように設けられており、かつ表面に連なる孔が形成されている絶縁層と、絶縁層の孔に充填された配線材料と、絶縁層表面に形成されており、配線材料に電気的に接続されるように設けられた配線パターンとを備えることを特徴とする。

本発明に係る電子部品装置のある特定の局面では、電子部品素子が半導体素子であり、電子部品装置として半導体装置が形成されている。

本発明に係る絶縁フィルムでは、硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にあり、３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にあり、かつ（Ｅ１）／（Ｅ２）が２〜５００の範囲にあるため、常温での取扱性に優れている。また、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合に、被着体の表面を均一に被覆することができる。

本発明に係る電子部品装置の製造方法では、本発明の絶縁フィルムを用いて基板に実装された電子部品素子の周囲の少なくとも一部を被覆し、硬化させて絶縁層を形成し、該絶縁層に高密度エネルギー線を照射し、絶縁層に配線用の孔を形成し、孔に配線材料を充填し、さらに絶縁層表面に配線パターンを形成する各工程を備えるため、本発明に従って、表面を均一に被覆した絶縁層が設けられた電子部品装置を提供することができる。

以下、本発明の詳細を説明する。

本発明に係る絶縁フィルムは、硬化性化合物（ａ）と、硬化剤（ｂ）と、高分子量ポリマー（ｃ）と、無機フィラー（ｅ）とを含有する。

本発明では、例えば硬化性化合物（ａ）、高分子量ポリマー（ｃ）及び無機フィラー（ｅ）の種類及び配合量を適宜調整することにより、軟化開始点前後での貯蔵弾性率の挙動、すなわち貯蔵弾性率（Ｅ１）及び最低貯蔵弾性率（Ｅ２）を上記範囲に容易に制御することができる。また、無機フィラー（ｅ）以外の樹脂成分の種類及び配合量を適宜調整することにより、貯蔵弾性率（Ｅ１）／最低貯蔵弾性率（Ｅ２）を上記範囲に容易に制御することができる。

硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）は、１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にある。貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４Ｐａ未満であると、絶縁フィルムが柔らかすぎて取扱性に劣り、１×１０^６Ｐａを超えると、絶縁フィルムが硬すぎて絶縁フィルムの破損が生じ易くなる。貯蔵弾性率（Ｅ１）は、より好ましくは、１×１０^４〜１×１０^５Ｐａの範囲である。

硬化前の絶縁フィルムの３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）は、１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にある。最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２Ｐａ未満であると、絶縁フィルムが柔らかすぎて、ラミネート時に絶縁フィルムが流動する。よって、例えば半導体素子などの被覆に用いた場合に、半導体素子のエッジ部分において、絶縁フィルムの膜厚が極端に薄くなり易い。最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が３×１０^４Ｐａを超えると、絶縁フィルムが硬すぎてラミネート時に被着体表面の凹凸に追従できなかったり、裂けなどが生じ易くなる。最低貯蔵弾性率（Ｅ２）は、より好ましくは、１×１０^３〜２×１０^４Ｐａの範囲である。

また、絶縁フィルムの上記貯蔵弾性率（Ｅ１）と上記最低貯蔵弾性率（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）は２〜５００の範囲にある。（Ｅ１）／（Ｅ２）が２未満であると、ラミネート時に絶縁フィルムが十分に伸びず、被着体表面の凹凸に追従できなかったり、裂けなどが生じ易くなる。（Ｅ１）／（Ｅ２）が５００を超えると、ラミネート時に絶縁フィルムが急激に柔らかくなるために絶縁フィルムの膜厚が全体、または部分的に薄くなり易い。（Ｅ１）／（Ｅ２）は、より好ましくは３〜１００、さらに好ましくは５〜５０の範囲である。

上記貯蔵弾性率（Ｅ１）及び最低貯蔵弾性率（Ｅ２）は、例えば厚み２００μｍ、直径２０ｍｍの円盤状の絶縁フィルムについて、レオメーター／ＶＡＲ−１００（レオロジカ・インスツルメンツ社製）を用いて、周波数：１Ｈｚ、歪み：１％、昇温速度３０℃／分の条件で測定される。

絶縁フィルムは硬化性化合物（ａ）を含む。硬化性化合物（ａ）を含むことにより、耐熱性が高められる。

上記硬化性化合物（ａ）としては特に限定されないが、例えば、尿素樹脂、メラミン樹脂などのアミノ系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性ウレタン系樹脂、上記ペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂以外のエポキシ系樹脂、熱硬化性ポリイミド系樹脂、アミノアルキド系樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。

上記硬化性化合物（ａ）としては、耐熱性が高められるので、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ少なくとも主鎖の一部に多環式炭化水素骨格を有するエポキシ樹脂が好ましい。上記多環式炭化水素骨格とは、２以上の環状骨格が結合して形成された炭化水素骨格を意味する。

このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂などのジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリシジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、１，３−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）アダマンテン、２，２−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）アダマンテン等のアダマンテン骨格を有するエポキシ樹脂、９，９−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−クロロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−ブロモフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−フルオロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−メトキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジクロロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジブロモフェニル）フルオレン等のフルオレン骨格を有するエポキシ樹脂、１，１’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，１’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，１’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，２’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，２’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，２’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン等のバイ（グリシジルオキシフェニル）メタン骨格を有するエポキシ樹脂、１，３，４，５，６，８−ヘキサメチル−２，７−ビス−オキシラニルメトキシ−９−フェニル−９Ｈ−キサンテン等のキサンテン骨格を有するエポキシ樹脂、アントラセン骨格やピレン骨格を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種のみが用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。

上記硬化性化合物（ａ）として、フルオレン骨格を有するエポキシ樹脂及び／又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が好適に用いられる。

上記硬化性化合物（ａ）の配合量としては、絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量％中、４０〜９５重量％が好ましい。より好ましくは５０〜９０重量％である。硬化性化合物（ａ）が少なすぎると、硬化後の絶縁フィルムのＴｇが低い、熱線膨張率が高いなど耐熱性が不十分となることがあり、多すぎると、相対的に高分子量ポリマー（ｃ）の量が少なくなるために硬化前の絶縁フィルムの強度が不十分で取扱い性に劣ることがある。

絶縁フィルムは、フィルム形成成分としての高分子量ポリマー（ｃ）を含む。

上記高分子量ポリマー（ｃ）としては特に限定はされないが、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有するポリマーが好適に用いられる。例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有（メタ）アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂などが挙げられる。なかでも、硬化後の機械的強度や耐熱性がより一層高められるので、エポキシ基を有するエポキシ基含有（メタ）アクリル樹脂が好ましい。また、エポキシ基含有量はさほど多くないが、樹脂自体が機械的強度や耐熱性に優れているので、フェノキシ樹脂も好ましい。高分子量ポリマー（ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が用いられてもよい。

上記エポキシ基含有（メタ）アクリル樹脂は、モノマーを熱や光等のトリガーを利用してラジカル重合させて得られる他、該モノマーを多環式炭化水素骨格を主鎖に有する樹脂に混合した後、熱や光等のトリガーを利用してラジカル重合させて得ることもできる。

上記高分子量ポリマー（ｃ）の重量平均分子量は、１万以上が好ましい。より好ましくは５万以上、更に好ましくは１０万以上である。重量平均分子量が小さすぎると、絶縁フィルムを実装デバイスに被覆する際のハンドリング性に劣ることがある。

上記高分子量ポリマー（ｃ）の配合量としては、絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量％中、５〜６０重量％が好ましい。より好ましくは１０〜５０重量％である。高分子量ポリマー（ｃ）が少なすぎると、絶縁フィルムの強度が不十分で取扱性に劣ることがあり、多すぎると、絶縁フィルムのタック性が低く、接着性に劣ることがある。

絶縁フィルムは硬化剤（ｂ）を含む。硬化剤（ｂ）としては限定されないが、例えば加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミドなどの潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤などが挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されても良い。

上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸などの酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、耐水性が高められるので、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。

上記フェノール系硬化剤の代表的なものとしては、例えば、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾール、ポリパラビニルフェノール、ビスフェノールＡ型ノボラック、キシリレン変性ノボラック、デカリン変性ノボラック、ポリ（ジ−ｏ−ヒドロキシフェニル）メタン、ポリ（ジ−ｍ−ヒドロキシフェニル）メタン、ポリ（ジ−ｐ−ヒドロキシフェニル）メタンなどが挙げられる。これらのフェノール系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。

硬化速度や硬化物の物性などを調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を併用しても良い。

上記硬化促進剤としては特に限定されないが、例えば、ベンジルジメチルアミン、ピコリン、ＤＢＵ、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン等の３級アミン、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類；２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシ−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシ−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等のトリアジン類、トリフェニルホスフィン、トリパラトリルホスフィン、トリメタトリルホスフィン、トリオルトトリルホスフィン、トリス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、テトラエチルホスホニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムベンゾトリアゾール、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等から選ばれる有機リン系化合物；テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の４級ホスホニウム塩類；１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７等や、その有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類；オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫やアルミニウムアセチルアセトン錯体等の有機金属化合物類；テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩類；三ふっ化ホウ素、トリフェニルボレート等のホウ素化合物、塩化亜鉛、塩化第二錫等の金属ハロゲン化物が挙げられる。

上記硬化促進剤としては、さらに高融点イミダゾール化合物、ジシアンジアミド又はアミンをエポキシ樹脂等に付加したアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性促進剤、イミダゾール系、リン系又はホスフィン系の促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性促進剤、アミン塩型潜在性硬化促進剤、ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型で熱カチオン重合型の潜在性硬化促進剤等に代表される潜在性硬化促進剤も使用することができる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性などの調整をするための反応系の制御をしやすいことから、高融点イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。取扱性に優れているので、硬化促進剤の融点は１００℃以上が好ましい。

硬化促進剤を用いる場合には、硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。

絶縁フィルムは無機フィラー（ｅ）を含む。無機フィラー（ｅ）としては特に限定されないが、シリカ、アルミナ、窒化珪素、ハイドロタルサイト、カオリンなどが挙げられる。これらは単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。なかでも、球状シリカが好ましい。絶縁フィルムが球状シリカを含むと、例えば球状シリカを高充填した場合でも、絶縁フィルムの流動性の低下を低く抑えることができる。

上記無機フィラー（ｅ）として、平均粒子径０．１〜１５μｍの球状シリカ、球状アルミナ、球状窒化珪素、球状珪酸アルミが好適に用いられる。平均粒子径が０．１μｍ未満であると、高充填が困難なことがあり、１５μｍを超えると、ろ過メッシュを通らないことがある。

上記無機フィラー（ｅ）の配合量としては、絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量部に対して、１００〜６００重量部が好ましい。より好ましくは、２００〜５００重量部である。無機フィラー（ｅ）が少なすぎると、硬化後の絶縁フィルムのＣＴＥが高くなり、耐熱性に劣ることがあり、多すぎると、バインダーである樹脂成分の量が少ないために接着力やフィルム強度が劣ることがある。

また、絶縁フィルムからなる層に孔を形成する工程を有する製造工程に絶縁フィルムを用いる場合には、無機フィラー（ｅ）の平均粒子径は、更に好ましくは０．１〜６μｍである。無機フィラーの平均粒子径が６μｍを超えると、所望の形状の孔を形成することが困難なことがある。

また、上記無機フィラー（ｅ）の平均粒子径が０．１〜６μｍである場合に、最大粒子径は１０μｍ以下が好ましい。最大粒子径が１０μｍを超えると、所望の形状の孔を形成することが困難なことがある。

絶縁フィルムは、好ましくはゴム成分（ｆ）を含む。ゴム成分（ｆ）としては特に限定されないが、例えば、アクリルゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、スチレンイソプレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、天然ゴム等を性状を問わず用いることができる。ゴム成分（ｆ）として、硬化物のガラス転移温度を高く維持できるので、ゴム微粒子が好ましく用いられる。

ゴム成分（ｆ）と無機フィラー（ｅ）とを併用することで、絶縁フィルムが低い線熱膨張率と同時に応力緩和能を有し、高温下や冷熱サイクル条件下での剥離やクラック等の発生を抑制することができる。

上記ゴム成分（ｆ）の配合割合としては、絶縁フィルム１００重量％中、０．１〜４０重量％が好ましく、より好ましくは０．３〜２０重量％である。ゴム成分（ｆ）が少なすぎると、硬化物の応力緩和性が十分に発現しないことがあり、多すぎると、接着性に劣ることがある。

上記ゴム成分（ｆ）として、上記ゴム微粒子をコア（芯材）として用いた２層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子がより好適に用いられる。３層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子である場合、シェルは最外殻を意味する。

上記コアシェル構造ゴム微粒子のシェルは、エポキシ樹脂中のエポキシ基と反応する官能基を有していても良い。エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定されるものではないが、例えばアミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等が挙げられ、なかでも、常温ではエポキシ基と反応せず、絶縁フィルムの濡れ性の低下や貯蔵安定性の低下を来たさないことから、水酸基やエポキシ基が好適である。上記シェルは、これらのエポキシ基と反応する官能基を単独で有しても良いし、２種類以上有していても良い。

上記ゴム成分（ｆ）の平均粒子径は、３０μｍ以下が好ましい。ゴム微粒子の平均粒子径が３０μｍを超えると、硬化物の応力緩和性が十分に発現しないことがある。ゴム成分（ｆ）の更に好ましい平均粒子径は、０．１〜５μｍである。

上記ゴム微粒子（ｆ）としては、好ましくは、シロキサン骨格を主骨格とし、シリル基に有機置換基を有する化合物（ｆ１）、またはフッ素化合物（ｆ２）が用いられる。

上記シロキサン結合を主骨格とし、シリル基に有機置換基を有する化合物（ｆ１）としては、ポリメチルシルセスキオキサン、メチルシリコーンが好適に用いられる。また、これらゴム微粒子をコア（芯材）として用いた２層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子がより好適に用いられる。

上記フッ素化合物（ｆ２）は、特に限定はされるものではないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、エチルテトラフルオロエチレン、ポリクロロテトラフルオロエチレン、ポリビニルフルオレン、ポリフルオロアクリレート、ポリフルオロアセテートポリビニルジフルオレン等が挙げられる。また、これらゴム微粒子をコア（芯材）として用いた２層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子が好適に用いられる。

絶縁フィルムは、必要に応じて熱可塑性樹脂を含有していても良い。

上記熱可塑性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、酢酸ビニル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル系共重合体、アクリル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール系樹脂、スチレン系樹脂、飽和ポリエステル系樹脂、熱可塑性ウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、ケトン系樹脂、ノルボルネン系樹脂、スチレン−ブタジエン系ブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。

絶縁フィルムは、必要に応じて、チキソ性付与剤、分散剤、難燃剤、着色剤を含有していても良い。

上記チキソ性付与剤としては、特に限定されないが、ポリアマイド樹脂、脂肪酸アマイド樹脂、ポリアミド樹脂、フタル酸ジオクチル樹脂などが挙げられる。

上記分散剤としては、脂肪酸せっけん、アルキルサルフェート、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、等のアニオン性分散剤、デシルアミン酢酸塩、トリメチルアンモニウムクロライド、ジメチル（ベンジル）アンモニウムクロライド等のカチオン性分散剤、ポリエチレングリコールエーテル、ポリエチレングリコールエステル、ソルビタンエステル、ソルビタンエステルエーテル、モノグリセライド、ポリグリセリンアルキルエステル、脂肪酸ジエタノールアミド、アルキルポリエーテルアミン、アミンオキサイド、エチレングリコールジステアレート等のノニオン性分散剤等が挙げられる。

上記難燃剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ドーソナイト、アルミン酸化カルシウム、２水和石こう、水酸化カルシウムなどの金属水酸化物、赤りんやポリリン酸アンモニウム、トリフェニルホスフェート、トリシクロヘキシルホスフェート、リン等のリン酸エステル、リン含有エポキシ樹脂、リン含有フェノキシ樹脂、リン含有ビニル化合物などのリン含有樹脂などのリン系化合物、メラミン、メラミンシアヌレート、メラミンイソシアヌレート、リン酸メラミン及びこれらに表面処理が施されたメラミン誘導体などの窒素系化合物、ハイドロタルサイトなどの層状複水和物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどのアンチモン系化合物、デカブロモジフェニルエーテル、トリアリルイソシアヌレート６臭化物などの臭素系化合物、テトラブロモビスフェノールＡなどの臭素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、金属水酸化物及びメラミン誘導体が好適に用いられる。

上記着色剤としては、例えばカーボンブラック、黒鉛、フラーレン、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニンなどの顔料および染料を用いることができる。

絶縁フィルムはフィルム状の形状を有する。上述した材料をフィルム状に加工する方法としては特に限定はされないが、例えば、溶剤キャスト法、押し出し成膜等の方法が好適である。フィルム状に加工する際に、脱泡することが好ましい。

上記フィルムの膜厚としては特に限定はされないが、５０〜３００μｍが好ましい。より好ましくは、１００〜２００μｍである。膜厚が薄すぎると、絶縁性に劣ることがあり、厚すぎると、電極間の導通プロセスが煩雑になることがある。

絶縁フィルムの初期接着力は、４００Ｎ／２５ｍｍ^２以上が好ましい。初期接着力とは、１ｍｍ×３０ｍｍ×１００ｍｍ角銅板の先端に３０ｍｍ×５０ｍｍ角に切り取った絶縁フィルムを貼り、離形ＰＥＴフィルムを剥離した上から絶縁フィルムの先端とは反対側の縁に合わせてシートを挟むかたちで同サイズの銅板を重ね、２００℃オーブンで１時間加熱硬化して、２枚の銅板のシートとは反対側の先端に治具を取り付け、５ｍｍ／分の引張速度で上下に引っ張り、最大破断強度（Ｎ／２５ｍｍ^２）を求めた場合に得られる値を意味する。

絶縁フィルムの高温放置試験後接着力としては、３５０Ｎ／２５ｍｍ^２以上が好ましく、初期接着力からの高温放置試験後接着力の変化量としては、１００Ｎ／２５ｍｍ^２未満が好ましく、より好ましくは５０Ｎ／２５ｍｍ^２未満である。高温放置試験後接着力とは、銅基板の上にシリコンチップを半田付けした上から基板全体を絶縁フィルムを真空ラミネーター（ＭＶＬＰ−５００、メイキ製作所製）にて４０℃の条件下でラミネートし、２００℃オーブンで１時間加熱硬化して作製したテストサンプルを２００℃オーブンに５００時間放置した後、初期接着力と同様の方法で接着力を測定した場合に得られる値を意味する。

本発明の絶縁フィルムは、硬化前の状態において特定温度領域での弾性率挙動が制御されているため、被覆追従性に極めて優れており、例えば基板に電子部品が搭載され、基板表面が凹凸を有する場合にも、ラミネート性に極めて優れている。そのため、特に、面実装用途や半導体の封止用途に好適に用いることができる。例えば半導体素子が搭載された基板において、基板と半導体素子とを一括で被覆する絶縁フィルムとして、あるいは実装タイプの半導体用の被覆絶縁フィルムとして特に好適に用いることができる。

本発明の絶縁フィルムは、電子部品装置用の絶縁フィルムであり、このような電子部品装置としては、半導体装置が挙げられる。すなわち、基板上に半導体素子が実装されている半導体装置に好適に用いることができる。この場合、半導体素子は基板上に面実装されているものであることが硬化を進める上で好ましいが、ボンディングワイヤーにより半導体素子が基板に実装されている半導体装置にも、本発明の絶縁フィルムを用いることができる。さらに、絶縁フィルムは、半導体素子以外の電子部品素子が、基板上に搭載されている電子部品装置にも用いることができる。

電子部品装置の中でも、半導体素子が大電流用の電力用デバイス素子である場合に、特に優位性を発揮することができ、好ましい。また、電子部品装置の構造としては、面実装タイプが優位性を発揮することができ、好ましい。

本発明の電子部品装置の製造方法は、本発明の絶縁フィルムを用いることを特徴とする。この場合、半導体素子などの電子部品素子が実装された基板の電子部品素子の周囲の少なくとも一部を上記絶縁フィルムで被覆し、次に硬化させて絶縁層を形成する。上記被覆は、例えば真空ラミネーター等を用いて行うことができる。

次に、絶縁層に高密度エネルギー線を照射することにより、配線用の孔を形成する。そして、この孔に配線材料として金属材料を充填する。しかる後、絶縁層の表面に、上記配線材料と電気的に接続される配線パターンを形成する。この配線パターンについても、配線材料と同様に、適宜の金属材料を用いることができる。

図１に、本発明に従って製造された電子部品装置の一例としての半導体装置を略図的正面断面図で示す。

図１に示す半導体装置１は、基板２を有し、基板２上に半導体素子３が実装されている。半導体素子３の少なくとも一部を覆うように、本発明の絶縁フィルムにより構成された絶縁層４が設けられている。そして絶縁層４に、上述した方法に従って、孔４ａ，４ｂが形成されている。孔４ａ，４ｂに配線材料５ａ，５ｂが充填され、かつ配線材料５ａ，５ｂに電気的に接続されるように、絶縁層４の表面に配線パターン６が形成されている。

なお、半導体素子３に代えて、他の電子部品素子を用いた場合には、半導体装置以外の電子部品装置を提供することができる。

上記半導体装置１では、絶縁層４が、本発明の絶縁フィルムの硬化物で形成されているので、前述した通り、耐高温放置性及び耐冷熱サイクル性に優れており、従って、半導体装置１の耐熱性を高めることができる。

上記半導体装置１の変形例としての半導体装置１１を図２に示す。上記半導体装置に同様に構成されているところは同一の符号を付してその説明を省略する。

図２に示すように、基板２上には半導体チップ３が実装されており、本発明の絶縁フィルムにより構成された絶縁層１２は凹凸表面に形成されている。半導体装置１１では、平坦部分と角部分との絶縁層１２の厚み、すなわち図２に示すａ、ｃ、ｄとｂとがほぼ等しくされている。上記貯蔵弾性率が上記特定の範囲にある絶縁フィルムを用いて絶縁層１２が形成されているため、凹凸表面に対する絶縁層１２の追従性が高められており、凹凸の角付近においても絶縁層１２の厚みが十分に厚くされている。凹凸表面に対する絶縁層１２の追従性が高く、凹凸の角付近において絶縁層１２の厚みが十分に厚いので、半導体装置１１の耐熱性を高めることができる。

このように、絶縁フィルムを用いて構成された絶縁層の厚みは、どの部分においてもほぼ等しく、特に角部分厚み（ｂ）の平坦部分厚み（ａ、ｃ、ｄ）に対する比（角部分厚み／平坦部分厚み）が０．６〜１．０の範囲にあることが好まく、より好ましくは０．８〜１．０である。２０℃から軟化点までの温度範囲における上記貯蔵弾性率、及び絶縁層を形成する際の温度における上記貯蔵弾性率が上記特定の範囲にある絶縁フィルムを用いて絶縁層を構成することで、角部分厚みの平坦部分厚みに対する比を容易に上記範囲にすることができる。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。

（硬化性化合物（ａ））
（１）ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＥＸＡ−７２００ＨＨ）
（２）キサンテン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名ＥＸＡ−７３３６）
（３）フルオレン型エポキシ樹脂（オンファイン社製、商品名：ＥＸ−１０１０）
（４）ナフタレン型液状エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＨＰ−４０３２Ｄ）
（５）ジナフタレン骨格エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＨＰ−４７００）
（６）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、商品名：エピコート８２８、単環構造）
（７）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：Ｎ−６６５、単環構造）
（８）３官能グリシジルジアミン型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、商品名：エピコート６３０、グリシジルアミン骨格）
（９）シクロヘキサンジメタノール型液状エポキシ樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名：ＥＸ２１６−Ｌ）
（１０）ヘキサヒドロフタル酸型液状エポキシ樹脂（日本化薬社製、商品名：ＡＫ−６０１）
（１１）ジシクロペンタジエン型液状エポキシ樹脂（アデカ社製、ＥＰ４０８８）
（高分子量ポリマー（ｃ））
（１）フルオレン型フェノキシ樹脂（東都化成社製、商品名：ＦＸ２９３、重量平均分子量４３，７００）
（２）ビフェニル型フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、商品名：ＹＸ８１００、重量平均分子量３８，０００）
（３）エポキシ基含有アクリル樹脂（日本油脂社製、商品名：マープルーフＧ０２５０Ｓ、重量平均分子量２００，０００）
（硬化剤（ｂ））
（１）酸無水物硬化剤（新日本理化社製、商品名：ＭＨ−７００）
（２）フェノール系硬化剤（住友化学社製、商品名：ＥＰ４１５）
（３）イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール（イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製、商品名：２ＭＺＡ−ＰＷ）
（無機フィラー（ｅ））
（１）表面疎水化ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、商品名：ＭＴ−１０、平均粒径１５ｎｍ）
（２）球状シリカ（トクヤマ社製、商品名：ＳＥ−５、平均粒径５μｍ）
（３）層状珪酸塩（コープケミカル社製、商品名：ＳＴＮ６５ｍｅｑ−ｗ１）
（４）窒化珪素（デンカ社製、商品名：ＳＮ−７、平均粒径４４μｍ）
（５）アルミナ（デンカ社製、商品名：ＤＡＭ−１０、平均粒径１０μｍ）
（ゴム成分（ｆ））
（１）コアシェル型ゴム微粒子（ｆ）（三菱レーヨン社製、商品名：ＫＷ４４２６、メチルメタクリレートからなるシェルと、ブチルアクリレートからなるコアとを有するゴム微粒子、平均粒径５μｍ）
（２）シリコンゴム微粒子（ｆ１）（東レ・ダウコーニング社製、商品名：トレフィルＥ６０１、平均粒径２μｍ）
（３）フッ素ゴム微粒子（ｆ２）（ダイキン工業社製、商品名：ルブロンＬ２０、平均粒径２μｍ）
（添加剤）
（１）エポキシシランカップリング剤（信越化学社製、商品名：ＫＢＭ３０３）
（溶剤）
（１）メチルエチルケトン
（２）ジメチルホルムアミド
（３）メチルイソブチルケトン
（実施例１）
ホモディスパー型攪拌機を用い、下記表１に示す割合で各材料を配合し、溶剤と共に均一に混練し、絶縁材料を調製した。

５０μｍ厚の離型ＰＥＴシートに、上記絶縁材料を２００μｍ厚に塗工し、７０℃オーブンにて１時間乾燥し、２００μｍ厚の絶縁フィルムを作製した。

（実施例２〜２６及び比較例１〜５）
使用した材料の種類及び配合量を下記の表１〜３に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして絶縁フィルムを調製した。

（実施例及び比較例の絶縁フィルムの評価）
各絶縁フィルムを以下の要領で、（１）未硬化の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）、及び３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）、（２）ラミネート後の絶縁フィルムの均一被覆性、（３）未硬化の絶縁フィルムの取扱性、（４）ガラス転移温度（Ｔｇ／℃）（５）線膨張係数（ＣＴＥ／ｐｐｍ）、（６）冷熱サイクル試験後のクラック又は剥離の発生状況、及び（７）高温放置試験後のクラック又は剥離の発生状況について評価した。

（１）未硬化の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）、及び３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）
２００μｍ厚の絶縁フィルムを直径２０ｍｍの円盤状に切り出し、レオメーター／ＶＡＲ−１００（レオロジカ・インスツルメンツ社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、歪み１％、昇温速度３０℃／分の条件で測定した。３０℃における貯蔵弾性率を（Ｅ１）、３０℃以上における最低貯蔵弾性率を（Ｅ２）を求め、更に貯蔵弾性率を（Ｅ１）と最低貯蔵弾性率を（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）を算出した。

（２）ラミネート後の絶縁フィルムの均一被覆性
絶縁フィルムを１０ｍｍ×１０ｍｍの厚み３００μｍのシリコンチップを搭載したセラミック基板に対し、真空ラミネーター（ＭＶＬＰ−５００、メイキ製作所製）にて４０℃の条件下でラミネートし、２００℃オーブンで１時間加熱硬化してテストサンプルを作製した。作製したテストサンプルの断面を光学顕微鏡（ＴＲＡＮＳＦＯＲＭＥＲ−ＸＮ、Ｎｉｋｏｎ社製）にて観察し、均一被覆性を下記評価基準で評価した。

均一被覆性の評価基準
〇：ラミネート後の絶縁フィルムのシリコンチップ上の最も厚い部分と比較して、シリコンチップエッジ部分における最も薄い部分の厚みが９０％以上である
△：ラミネート後の絶縁フィルムの最も厚い部分と比較して、シリコンチップエッジ部分における最も薄い部分の厚みが８５％以上、９０％未満である
×：ラミネート後の絶縁フィルムの最も厚い部分と比較して、シリコンチップエッジ部分における最も薄い部分の厚みが８５％未満である

（３）未硬化の絶縁フィルムの取扱性
絶縁フィルムをＡ４サイズにカットし、離形ＰＥＴから剥離する際の取扱性を下記評価基準で評価した。
取扱性の評価基準
〇：絶縁フィルムの変形がなく、容易に剥離可能
△：絶縁フィルムとして剥離できるが、フィルム伸びや破断が発生する
×：絶縁フィルムとして剥離できない

（４）ガラス転移温度
絶縁フィルムを５ｍｍ×５０ｍｍ角に切り出したものを２００℃オーブンで１時間硬化し、テストサンプルを作製した。これをＤＭＡ装置（ＤＶＡ−２００、アイティー計測制御社製）にて引っ張りモード、チャック間距離２４ｍｍ、昇温速度５℃毎分、測定周波数１０Ｈｚ、１％歪みで−６０〜３２０℃まで昇温した時の温度―貯蔵弾性率（Ｅ’）、温度−損失弾性率（Ｅ”）、温度−Ｅ”／Ｅ’（ｔａｎδ）の傾きを測定し、ｔａｎδの最大ピーク温度をガラス転移温度として算出した。絶縁フィルムのガラス転移温度としては、１７０℃以上が好ましく、より好ましくは１８０℃以上、更に好ましくは２００℃以上である。

（５）線膨張係数
絶縁フィルムを３ｍｍ×２５ｍｍ角に切り出したものを２００℃オーブンで１時間硬化し、テストサンプルを作製した。これをＴＭＡ装置（ＴＭＡ／ＳＳ６０００、セイコーインストロメント社製）にて１０℃毎分で３２０℃まで１回昇温したのち−４５℃から１３０℃まで１０℃毎分で昇温した時の温度―ＴＭＡ直線の傾きを測定し、その逆数を線膨張係数として算出した。絶縁フィルムの線膨張係数としては、４０ｐｐｍ以下が好ましく、より好ましくは３０ｐｐｍ以下が好ましい。

（６）冷熱サイクル試験後のクラック又は剥離の有無
銅基板の上にシリコンチップを半田付けした上から基板全体を絶縁フィルムを真空ラミネーター（ＭＶＬＰ−５００、メイキ製作所製）にて４０℃の条件下でラミネートし、２００℃オーブンで１時間加熱硬化し、テストサンプルを作製した。これを１チャンバー式冷熱サイクル試験機（ＷＩＮＴＥＣＨ ＮＴ５１０、ＥＴＡＣＨ社製）にて−４０℃、２０分及び１２５℃２０分を１サイクルとして１０００サイクル行った。試験後の硬化物表面のクラックの有無を光学顕微鏡（ＴＲＡＮＳＦＯＲＭＥＲ−ＸＮ、Ｎｉｋｏｎ社製）、剥離の有無を超音波探傷装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ、日立建機ファインテック社製）にて観察した。テストサンプル１０検体中のクラック又は剥離が発生したテストサンプルの数を数え、下記の基準により評価した。
冷熱サイクル試験後のクラック又は剥離の有無の評価基準
〇：クラック又は剥離の発生したテストサンプルが１０検体中、２検体以下
△：クラック又は剥離が発生したテストサンプルが１０検体中、３〜４検体
×：クラック又は剥離が発生したテストサンプルが１０検体中、５検体以上

（７）高温放置試験後のクラック又は剥離の有無
銅基板の上にシリコンチップを半田付けした上から基板全体に絶縁フィルムを真空ラミネーター（ＭＶＬＰ−５００、メイキ製作所製）にて４０℃の条件下でラミネートし、２００℃オーブンで１時間加熱硬化し、テストサンプルを作製した。これを２００℃オーブンに１０００時間放置した。試験後の硬化物表面のクラックの有無を光学顕微鏡（ＴＲＡＮＳＦＯＲＭＥＲ−ＸＮ、Ｎｉｋｏｎ社製）、剥離の有無を超音波探傷装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ、日立建機ファインテック社製）にて観察した。テストサンプル１０検体中のクラック又は剥離が発生したテストサンプルの数を数え、下記の基準により評価した。

高温放置試験後のクラック又は剥離の有無の評価基準
〇：クラック又は剥離の発生したテストサンプルが１０検体中、２検体以下
△：クラック又は剥離が発生したテストサンプルが１０検体中、３〜４検体
×：クラック又は剥離が発生したテストサンプルが１０検体中、５検体以上
結果を下記の表１〜３に示す。

本発明の電子部品装置の一実施形態としての半導体装置を説明するための略図的正面断面図。 本発明の電子部品装置の一実施形態としての半導体装置の変形例を示す略図的正面断面図。

符号の説明

１…半導体装置
２…基板
３…半導体素子
４…絶縁層
４ａ，４ｂ…孔
５ａ，５ｂ…配線材料
６…配線パターン
１１…半導体装置
１２…絶縁層

Claims (12)

1. 硬化性化合物（ａ）と、硬化剤（ｂ）と、高分子量ポリマー（ｃ）と、無機フィラー（ｅ）とを含有し、
   硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にあり、３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にあり、かつ前記貯蔵弾性率（Ｅ１）と前記最低貯蔵弾性率（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）が２〜５００の範囲にあることを特徴とする、絶縁フィルム。
2. 前記硬化性化合物（ａ）が、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ少なくとも主鎖の一部に多環式炭化水素骨格を有する、請求項１に記載の絶縁フィルム。
3. 更に、ゴム成分（ｆ）を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の絶縁フィルム。
4. 前記ゴム成分（ｆ）がゴム微粒子である、請求項３に記載の絶縁フィルム。
5. 絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量％中、前記高分子量ポリマー（ｃ）を５〜６０重量％の割合で含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁フィルム。
6. 前記無機フィラー（ｅ）が球状シリカであり、
   絶縁フィルム中の全樹脂分１００重量部に対して、前記球状シリカを１００〜６００重量部の割合で含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁フィルム。
7. 前記電子部品装置が半導体素子を電子部品素子として用いた半導体装置であり、半導体装置用の絶縁フィルムであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁フィルム。
8. 前記半導体素子が電力用デバイス素子である、請求項７に記載の絶縁フィルム。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の絶縁フィルムを用いて電子部品装置を製造する方法であって、
   電子部品素子が実装された基板の電子部品素子の周囲の少なくとも一部を前記絶縁フィルムで被覆して絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層に高密度エネルギー線を照射し、前記絶縁層に配線用の孔を形成する工程と、
   前記孔に配線材料を充填する工程と、
   前記孔に充填された配線材料と電気的に接続される配線パターンを前記絶縁層の表面に形成する工程とを備えることを特徴とする、電子部品装置の製造方法。
10. 前記電子部品素子として半導体素子を用い、前記電子部品装置として半導体装置を製造することを特徴とする、請求項９に記載の電子部品装置の製造方法。
11. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の絶縁フィルムの硬化物からなる絶縁層を有する電子部品装置であって、
    基板と、
    前記基板上に実装された電子部品素子と、
    前記絶縁フィルムの硬化物により形成されており、前記電子部品素子の周囲の少なくとも一部を被覆するように設けられており、かつ表面に連なる孔が形成されている絶縁層と、
    前記絶縁層の孔に充填された配線材料と、
    前記絶縁層表面に形成されており、前記配線材料に電気的に接続されるように設けられた配線パターンとを備えることを特徴とする、電子部品装置。
12. 前記電子部品素子が半導体素子であり、前記電子部品装置として半導体装置が形成されている、請求項１１に記載の電子部品装置。
    

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