JP5281739B2 - 陽極接合装置 - Google Patents

Description

本発明は、陽極接合装置に関し、さらに詳細には、減圧可能に設けられた容器内で上下方向に積層されて加熱された導電性基板とガラス基板との積層体を、導電性基板を陽極とし且つガラス基板を陰極とするように、上電極と下電極との間に挟んで直流電圧を印加し、導電性基板とガラス基板とを接合する陽極接合装置に関する。

陽極接合は、接着剤やはんだ等を用いないで接合対象物を直接接触させて接合する技術であり、シリコンウェハ等の導電性基板とガラス基板との接合に広く適用されている。特に、機械的特性や加工性等に優れたシリコンと、熱膨張係数がシリコンとほぼ同じであるホウ珪酸ガラスとの組み合わせに適用されることが最も多く、半導体センサや半導体アクチュエータ等の半導体デバイスの重要な製造技術となっている。シリコンとホウ珪酸ガラスの組み合わせの場合には、接合対象基板を積層して３００〜４００℃程度に加熱安定させた後、ガラス基板を陰電位に、シリコンウェハを陽電位にして５００〜６００ボルト程度の直流電圧を印加することによって、両基板を接合させる方法が一般的である。

このように陽極接合により製造される半導体デバイスは精密機器に使用される場合が大半であることから、とりわけ製品としての信頼性が要求される。しかしながら、陽極接合においては、従来から未接合部（ボイド）の発生が起こりやすいという問題があり、ボイドが含まれる製品は不良品として機器の信頼性低下を招くため、いかにボイドを発生させないようにするかが大きな課題となっていた。

シリコンウェハ等の導電性基板とガラス基板とを陽極接合する際に、ボイド発生を抑制することができる従来の陽極接合装置として、特許文献１に記載されたものであって、図４（ａ）に示す陽極接合装置１０１が提案されている。
この従来例は、円筒電極１１１は、図４（ｂ）に示すアーム１１６、１１６′に回転自在に装着されネジリコイルバネ１２２で常にガラス基板１０９に押圧され、円筒電極１１１をモータ１１０の駆動によりシリコンウェハ１０８とガラス基板１０９が重ね合わさった端部から平行移動させることにより、順次接合部を広げていくものである。

しかしながら、この従来例では、陽極接合を大気中で行なうため、ボイド発生の要因の一つである空気が接合面に入りやすいという問題があった。

一方、本願に係る出願人が、従来より実施していた形態として、図５に示す陽極接合装置５１がある。
この陽極接合装置５１は、容器５２内を真空にし、容器５２内に設けられた上電極６１と下電極６０とにより、導電性基板５３とガラス基板５４に電位を生じさせて真空中で陽極接合を行なうため、ボイドの原因となる空気を排除しうる点で非常に有効である。
さらに、上電極６１の当接板６２の中央部に突出させた小電極７２を設けて、まず導電性基板５３とガラス基板５４との積層体の中央部で当接させて、その領域を接合させた後、上電極６１をさらに降下させて、基板全面の接合を行なうため、基板の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、接合を進めていくことが可能となっている。

特開平８−３３０２００号公報

しかしながら、図５に示す従来の陽極接合装置５１を用いた陽極接合は、当接板６２と基板５４とを高精度で平行に設定しなければ、当接板６２が基板５４に片当たりしてしまうという問題が生じる。片当たりは、基板５４の破損を招き、また、ボイド発生の要因ともなり得るため、そのような片当たりの防止が課題となっていた。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、減圧可能に設けられた容器内で上下方向に積層されて加熱された導電性基板とガラス基板との積層体を、導電性基板を陽極とし且つガラス基板を陰極とするように、上電極と下電極との間に挟んで直流電圧を印加し、導電性基板とガラス基板とを接合する陽極接合の際に、空気の混入によるボイドの発生を防止し、上電極の片当たりによる接合対象基板の破損およびボイドの発生を防止する陽極接合装置を提供することを目的とする。

本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

本発明に係る陽極接合装置は、減圧可能に設けられた容器内で上下方向に積層されて加熱された導電性基板とガラス基板との積層体を、前記導電性基板を陽極とし且つ前記ガラス基板を陰極とするように、上電極と下電極との間に挟んで直流電圧を印加し、前記導電性基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合装置において、前記容器内に設けられ、前記積層体に接離可能なように上下方向に移動可能に構成された上電極は、その本体部と前記積層体に当接する導電性金属薄板との間に流体が給排される空間部が設けられ、前記導電性金属薄板が前記空間部と前記容器内との圧力差に基づいて変形するダイヤフラム構造に形成され、前記導電性金属薄板は、前記空間部が前記容器内よりも高圧となったとき、前記積層体の方向に凸状に膨出するように、前記本体部に位置決めされており、前記導電性金属薄板を加熱するための熱源が前記上電極に組み込まれており、前記熱源による加熱は、前記導電性金属薄板を前記本体部に支持させる支持部を介した伝熱によって、または直接照射によって行われ、加熱された前記導電性金属薄板を当接させることによって前記積層体の加熱が行われることを特徴とする。

また、導電性金属薄板は、積層体の方向に凸状に膨出したとき、膨出の先端が積層体の中心部近傍と対応するように、本体部に位置決めされていることを特徴とする。

また、空間部に流体が給排される経路の途中に気圧調整器が設けられていることを特徴とする。

ここで、導電性金属薄板をステンレス合金薄板により構成することが効果的である。

本発明に係る陽極接合装置は、減圧可能に設けられた容器内で上下方向に積層されて加熱された導電性基板とガラス基板との積層体を、前記導電性基板を陽極とし且つ前記ガラス基板を陰極とするように、上電極と下電極との間に挟んで直流電圧を印加し、前記導電性基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合装置において、前記容器内に設けられ、前記積層体に接離可能なように上下方向に移動可能に構成された上電極は、前記積層体の方向に開口部が形成された本体部と、前記本体部内に収容された当接板と、前記本体部と前記当接板との間に設けられた付勢部材とから構成され、前記付勢部材は、前記当接板の中央部から外縁部にかけて複数個が配設されており、前記当接板の前記積層体側の中央部には、前記積層体に当接したときに前記本体部内の方向に引き込み可能に前記積層体方向に突出している小電極が設けられており、前記当接板を加熱するための熱源が該当接板自体に、もしくは前記上電極に組み込まれており、前記上電極に組み込まれた熱源による加熱は、前記当接板を前記本体部に係止させる当接板係止部もしくは前記付勢部材または当接板係止部および前記付勢部材の両方を介した伝熱によって、または直接照射によって行われ、加熱された前記当接板を当接させることによって前記積層体の加熱が行われることを特徴とする。

本発明の一実施形態によれば、導電性基板とガラス基板との積層体の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、無段階的に陽極接合を進めていくことが可能となる。
また、上電極の片当たりを解消することができ、その結果、基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。

また、導電性金属薄板の凸状に膨出した先端を、導電性基板とガラス基板との積層体の中央部に対応させることによって、中央部から外縁に向けて同心円状にボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、陽極接合を進めていくことが可能となる。

また、気圧調整器の減圧調整により、上電極の空間部の圧力を減圧させることができる。
また、気圧調整器の加圧調整により、上電極の空間部に大気圧をかけるだけでは導電性金属薄板が略球面状に変形しない場合等に上電極の空間部の圧力を大気圧以上に加圧して導電性金属薄板を所望の形状に変形させることができる。
また、容器内の圧力と上電極の空間部の圧力との間の圧力差をコントロールする事により積層体への押付け圧をコントロールすることが可能となる。

また、導電性金属薄板は、上電極を弾性変形が可能なダイヤフラム構造に構成するものであって、かつ、導電性が必要とされるものであることから、ステンレス合金の薄板を採用することが効果的である。

本発明の一実施形態によれば、導電性基板とガラス基板との積層体の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、段階的に陽極接合を進めていくことが可能となる。
また、上電極の片当たりを解消することができ、その結果、基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の第一の実施の形態に係る陽極接合装置１の例を示す概略図である。図２は、本発明の第二の実施の形態に係る陽極接合装置１ｂの例を示す概略図である。図３は、本発明の第三の実施の形態に係る陽極接合装置１ａの例を示す概略図である。

図１に示すように、陽極接合装置１は、容器２内に上電極１１と下電極１０とが設けられる。上電極１１と下電極１０とにより、導電性基板３とガラス基板４に電位を生じさせる。

導電性基板３とガラス基板４とを上下方向に積層させて、下電極１０の上に設置する。一例として、下電極１０側を導電性基板３とし、上電極１１側をガラス基板４とする。その場合、下電極１０を陽電位とし、上電極１１を陰電位として、それぞれの基板にそれぞれの電位を生じさせる。
なお、下電極１０側をガラス基板４、上電極１１側を導電性基板３とし、下電極１０を陰電位、上電極１１を陽電位としてもよいことはもちろんである。

上電極１１は、駆動機構２３に接続され、容器２内で垂直方向に移動可能に設けられる。駆動機構２３により上電極１１を移動させるための駆動力が生じる。駆動機構２３には、一例として、ボールネジが用いられる。
その作用として、上電極１１を垂直に降下させて、ガラス基板４に当接させることができる。また、その移動量は無段階に調整可能である。
なお、上電極１１に代えて、もしくは上電極１１とともに、下電極１０を容器２内で垂直方向に移動可能に設けてもよい。

上電極１１には、ガラス基板４に当接させる導電性金属薄板１２が下部に設けられる。通常、基板は円形なので、一例として、導電性金属薄板１２も同様に円形とする。通常、導電性金属薄板１２の大きさは陽極接合をする導電性基板３およびガラス基板４よりも大きな外径とする。ただし、当接する面積よりも広い領域の接合が可能であるため、接合条件によっては、導電性基板３およびガラス基板４よりも小さな外径であってもよい。

導電性金属薄板１２はその外周を支持部１４に全周溶接される。支持部１４は本体部１３に接合される。その結果、上電極１１は図１のようなダイヤフラム構造に構成される。
ここで、導電性金属薄板１２は弾性変形が可能で導電性の材料である必要がある。一例として、厚さ０．５ｍｍ程度もしくはそれよりも厚いステンレス合金の薄板を採用する。厚さには特に限定はないが、薄すぎると容器２内を真空にしたときに圧力差によって破断する可能性が生じ、また、厚すぎると、容器２内を真空にしても導電性金属薄板１２が略球面状に変形することができないため、本発明の効果を奏するような適切な厚さに設定する。
また、導電性金属薄板１２の材質はステンレス合金としたが、他の金属、例えば、アルミニウム合金等であっても構わない。ただし、鉄鋼材を用いると、真空下では炭素が分離析出してしまうため、容器２内を真空にして接合を行なう場合にあっては、導電性金属薄板１２の材質として鉄鋼材は不向きである。

本体部１３には流体給排経路２１が接続される。流体給排経路２１は容器２内の密閉状態を損なうことなく、上電極１１の空間部１５を容器外に連通させる。流体給排経路２１は経路の全部もしくは一部に蛇腹構造２２を採用する。これにより上電極１１が垂直方向に移動する場合にも、流体が給排される経路を確保することが可能となる。なお、当該経路確保の機構は、蛇腹構造２２に限定されず、フレキシブルパイプを用いる構成等でも構わない。
流体給排経路２１を備え、ダイヤフラム構造に構成された上電極１１の作用として、容器２内の気圧を減圧させていくにつれて、容器外の大気と連通する上電極１１の空間部１５の気圧が高くなり、その内圧によって、導電性金属薄板１２は図１のように中央部が最もガラス基板４に近づく状態で略球面状に変形する。

本発明に係る陽極接合装置１を上記の構成とした上で、導電性基板３およびガラス基板４とを陽極接合する。まず容器２内を減圧させて真空にする。ここでいう真空は完全な真空状態に限定されるものではない。容器２内の減圧によって導電性金属薄板１２の下面中央部が最もガラス基板４に近づく状態で略球面状に変形した上電極１１を降下させると、点接触によりガラス基板４の中央部に当接が開始される。当接によって、上電極１１がガラス基板４に陰電位を生じさせ、下電極１０によって導電性基板３に陽電位を生じさせ、導電性基板３およびガラス基板４の接合が開始される。印加電圧は、一例として、直流６００ボルトである。

このとき、導電性金属薄板１２は、積層体の方向に凸状に膨出したとき、膨出の先端が積層体の中心部近傍と対応するように、本体部に位置決めをしておく。それにより、導電性基板３とガラス基板４との接合を、基板中心から基板の外縁方向に向けて同心円状に空気を追い出しながら進めていくことが可能となる。

陽極接合では、通常、接触領域よりも少し広い範囲が接合され、接合が完了すると印加電流が減少する。したがって、印加電流の減少に応じて、接触面積を徐々に多くしていくことで、ボイドの発生を防止して、全面の均等接合が可能となる。接触面積調整を無段階的に行なえることも本発明に係る装置の利点である。

このように、容器２内を減圧して、真空にすることは、ボイド発生の原因となる空気を容器２外に排出することができる効果が生じるとともに、ダイヤフラム構造となっている上電極１１の空間部１５内の圧力が相対的に高まって導電性金属薄板１２を略球面状に変形させることができる効果が生じる。

基板同士の接合部におけるボイド発生を避けるためには、基板の中央部を接合させて、徐々に基板の外縁に向けて接合を進めていくことが理想的である。それにより、ボイドの原因となりうる空気を追い出すことが可能となるからである。
その点、導電性金属薄板１２は中央部を突出させた略球面状となっているため、中央部で当接し、その領域を接合させて、さらに、上電極１１を降下させると、当接範囲が拡大し、その範囲で接合が行なわれ、さらに、上電極１１を降下させていくという繰り返しにより、基板の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、徐々に接合を進めていくことが可能となる。このようにして、最終的に全面の接合を完了させることができる。
このとき、ダイヤフラム構造となっている上電極１１の空間部１５内の空気は、導電性金属薄板１２と積層体との当接により圧縮されることによって、自動的に、流体給排経路２１を通じて、その一部が容器外へ排出される。
上記作用による効果として、圧力差により面全体に均等な押付け圧を加えることができ、かつ容器２内の減圧量等で圧力差をコントロールする事により押付け圧をコントロールできる。その結果、電極の片当たりによる基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。

また、陽極接合を行なう際には導電性基板３およびガラス基板４を加熱する必要がある。これについては、上電極１１の本体部１３に熱源（図示しない）が組み込まれ、支持部１４を介して、導電性金属薄板１２を加熱する。加熱された導電性金属薄板１２がガラス基板４に当接することによって、ガラス基板４が加熱される。加熱方法は特に限定されないが、例えば、組み込む熱源を抵抗線ヒータとする方法がある。なお、本体部１３の下面にランプヒータを設置し、導電性金属薄板１２の上面を照射して加熱する方法でも構わない。
一方、下電極１０にも熱源（図示しない）が組み込まれる。その熱源は、例えば抵抗線ヒータ等である。下電極１０を加熱することで、導電性基板３が加熱される。
以上のようにして、導電性基板３およびガラス基板４を加熱させることができる。一例として、導電性基板３およびガラス基板４が３００℃となるようにする。

以上、本発明に係る陽極接合装置１により、ボイドの発生原因となる空気を減少させた減圧容器内において、さらに基板の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、無段階的に陽極接合を進めていくことが可能となる。
また、上電極１１の片当たりを解消することができ、その結果、基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。
また、接合する基板の面全体に均等な押付け圧を加える事ができ、さらに、容器２内の減圧量設定や導電性金属薄板１２の厚さ設定等を変えることによって押付け圧をコントロールできる。

本発明の第二の実施の形態として、流体給排経路２１の経路途中に、気圧調整器２５を具備した陽極接合装置１ｂを図２に示す。
気圧調整器２５に減圧機能を備えさせることにより、例えば、導電性金属薄板１２に薄い板材を使用することにより容器２内を真空にして、上電極１１内に大気圧をかけてしまうと、導電性金属薄板１２が圧力差によって破断する恐れがある場合等において、上電極１１の空間部１５内の圧力を減圧させて破断を防止する等の効果を生じさせることができる。

一方、気圧調整器２５に加圧機能を備えさせることにより、例えば、導電性金属薄板１２に厚い板材を使用することにより容器２内を真空にしても、上電極１１内に大気圧をかけるだけでは導電性金属薄板１２が略球面状に変形しない場合等において、上電極１１内の圧力を大気圧以上に加圧して導電性金属薄板１２を所望の形状に変形させる効果を生じさせることができる。
さらに、ダイヤフラム構造の上電極１１の空間部１５内部を加圧し、導電性金属薄板１２を略球面状に変形させることができることによって、容器２を真空にする必要がなくなれば、容器２を備えない簡易な装置構成とすることも考えられる。また、容器２を省略しないまでも、真空にする必要がなくなれば、容器２を単なるクリーンルームの状態に保つだけでもボイド発生を抑制する効果を生じる。

気圧調整器２５は、接合する基板の面全体に均等な押付け圧を加えることができ、かつ圧力差をコントロールする事により押付け圧をコントロールできる等の効果を生じさせる。
なお、本実施例においては、気圧調整器２５による調整対象を空気としているが、例えば油圧機構のように、液体を用いて圧力調整を行うものであってもよい。

本発明の第三の実施の形態に係る陽極接合装置１ａを図３に示す。
陽極接合装置１ａは、容器２内に上電極１１ａと下電極１０とが設けられる。上電極１１ａと下電極１０とにより、導電性基板３とガラス基板４に電位を生じさせる。

導電性基板３とガラス基板４とを当接させて、下電極１０の上に設置する。一例として、下電極１０側を導電性基板３とし、上電極１１ａ側をガラス基板４とする。その場合、上電極１１ａを陰電位とし、下電極１０を陽電位とする。
なお、下電極１０側をガラス基板４、上電極１１ａ側を導電性基板３とし、下電極１０を陰電位、上電極１１ａを陽電位としてもよいことはもちろんである。

上電極１１ａは、駆動機構２３に接続され、容器２内で垂直方向に移動可能に設けられる。駆動機構２３により上電極１１ａを移動させるための駆動力が生じる。駆動機構２３には、一例として、ボールネジが用いられる。
その作用として、上電極１１ａを垂直に降下させて、ガラス基板４に当接させることができる。また、その移動量は無段階に調整可能である。
なお、上電極１１ａに代えて、もしくは上電極１１ａとともに、下電極１０を容器２内で垂直方向に移動可能に設けてもよい。

上電極１１ａの構成は、ガラス基板４に当接させる当接板３１を下部に設ける。通常、基板は円形なので、一例として、当接板３１も同様に円形とする。通常、当接板３１の大きさは陽極接合をする導電性基板３およびガラス基板４と同程度の大きさの外形とする。当接板３１が大きすぎると、当接板３１と下電極１０との間で放電が生じる可能性がある。なお、当接する面積よりも広い領域の接合が可能であるため、接合条件によっては、当接板３１の大きさは導電性基板３およびガラス基板４よりも小さな外径であってもよい。

前記当接板３１と前記本体部１３ａとの間に付勢部材３３が設けられる。当接板外縁部３５は付勢部材３３の作用によって当接板係止部３４に押しつけられた状態で係止される。当接板係止部３４は本体部１３ａに接合される。

当接板３１の下面中央部分に小電極３２が設けられる。接合が開始される前の状態において、小電極３２は当接板３１の下面から突出した状態で保持される。小電極３２は、基板との当接により上方向に押圧されることによって、当接板３１内に引き込まれるように構成される。
ここで、当接板３１および小電極３２の材質は、一例として、カーボン、ステンレス合金等が用いられるが、他の金属、例えば、アルミニウム合金等であっても構わない。ただし、鉄鋼材を用いると、真空下では炭素が分離析出してしまうため、容器２内を真空にして接合を行なう場合にあっては、当接板３１および小電極３２の材質として鉄鋼材は不向きである。

陽極接合装置１ａを上記の構成とした上で、導電性基板３およびガラス基板４とを陽極接合する。まず容器２内を減圧させて真空にする。ここでいう真空は完全な真空状態に限定されるものではない。続いて、上電極１１ａを降下させる。このとき、上電極１１ａの当接板３１の下面中央部に突出して設けられた小電極３２が最初にガラス基板に当接する。当接によって、上電極１１ａがガラス基板４に陰電位を生じさせ、下電極１０によって導電性基板３に陽電位を生じさせ、導電性基板３およびガラス基板４の接合が開始される。印加電圧は、一例として、直流６００ボルトである。
容器２内を減圧して、真空にしていくことによって、ボイド発生の原因となる空気を容器外に排出することができる効果が生じる。陽極接合では、通常、接触領域よりも少し広い範囲が接合され、接合が完了すると印加電流が減少する。したがって、印加電流の減少によって小電極３２の当接による接合が完了されたと判断した後、当接板３１をガラス基板４に当接させて、全面の接合を行なう。この手順により、ボイドの発生を防止して、全面の均等接合が可能となる。

基板同士の接合部におけるボイド発生を避けるためには、基板の中央部を接合させて、徐々に基板の外縁に向けて接合を進めていくことが理想的である。それにより、ボイドの原因となりうる空気を追い出すことが可能となるからである。
その点、当接板３１は中央部に突出させた小電極３２を設けているため、中央部で当接し、その領域を接合させた後、さらに、上電極１１ａを降下させると、当接板３１全体が当接して、残りの基板面で接合が行なわれるため、基板の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、段階的に接合を進めていくことが可能となる。このようにして、最終的に基板全面の接合を完了させることができる。
また、上電極１１ａは、本体部１３ａと当接板３１との間に付勢部材３３が設けられているため、仮に、当接板３１とガラス基板４とが平行でなかったとしても、付勢部材３３の作用により、上電極１１ａ（当接板３１）の片当たりを解消することができ、その結果、基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。

陽極接合を行う際には導電性基板３およびガラス基板４を加熱する必要がある。これについては、上電極１１ａの本体部１３ａに熱源（図示しない）が組み込まれ、付勢部材３３もしくは当接板係止部３４または付勢部材３３および当接板係止部３４の両方を介して、当接板３１を加熱する。加熱された当接板３１がガラス基板４に当接することによって、ガラス基板４が加熱される。加熱方法は特に限定されないが、例えば、組み込む熱源を抵抗線ヒータとする方法がある。なお、本体部１３ａの下面にランプヒータを設置し、当接板３１の上面を照射して加熱する方法でも構わない。または、当接板３１内に抵抗線ヒータ等の熱源を組み込む構成としてもよい。
一方、下電極１０にも熱源（図示しない）が組み込まれる。その熱源は例えば抵抗線ヒータ等である。下電極１０を加熱することで、導電性基板３が加熱される。
以上の結果、導電性基板３およびガラス基板４を加熱させることができる。一例として、導電性基板３およびガラス基板４が３００℃となるようにする。

以上、本発明に係る陽極接合装置１ａにより、ボイドの発生原因となる空気を減少させた減圧容器内において、さらに基板の中央部から外縁に向けてボイドの原因となりうる空気を追い出しながら、段階的に接合を進めていくことが可能となる。
また、上電極１１ａ（当接板３１）の片当たりを解消することができ、その結果、基板の破損やボイドの発生等の問題を解消することが可能となる。

本発明の第一の実施の形態に係る陽極接合装置の例を示す概略図である。 本発明の第二の実施の形態に係る陽極接合装置の例を示す概略図である。 本発明の第三の実施の形態に係る陽極接合装置の例を示す概略図である。 従来の実施形態に係る陽極接合装置の一例を示す概略図である。 従来の実施形態に係る陽極接合装置の他の例を示す概略図である。

符号の説明

１、１ａ、１ｂ 陽極接合装置
２ 容器
３ 導電性基板
４ ガラス基板
１０ 下電極
１１、１１ａ 上電極
１２ 導電性金属薄板
１３、１３ａ 本体部
１４ 支持部
１５ 空間部
２１ 流体給排経路
２２ 蛇腹構造
２３ 駆動機構
２５ 気圧調整器
３１ 当接板
３２ 小電極
３３ 付勢部材
３４ 当接板係止部
３５ 当接板外縁部

Claims (1)

1. 減圧可能に設けられた容器内で上下方向に積層されて加熱された導電性基板とガラス基板との積層体を、前記導電性基板を陽極とし且つ前記ガラス基板を陰極とするように、上電極と下電極との間に挟んで直流電圧を印加し、前記導電性基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合装置において、
   前記容器内に設けられ、前記積層体に接離可能なように上下方向に移動可能に構成された上電極は、前記積層体の方向に開口部が形成された本体部と、前記本体部内に収容された当接板と、前記本体部と前記当接板との間に設けられた付勢部材とから構成され、
   前記付勢部材は、前記当接板の中央部から外縁部にかけて複数個が配設されており、
   前記当接板の前記積層体側の中央部には、前記積層体に当接したときに前記本体部内の方向に引き込み可能に前記積層体方向に突出している小電極が設けられており、
   前記当接板を加熱するための熱源が該当接板自体に、もしくは前記上電極に組み込まれており、
   前記上電極に組み込まれた熱源による加熱は、前記当接板を前記本体部に係止させる当接板係止部もしくは前記付勢部材または当接板係止部および前記付勢部材の両方を介した伝熱によって、または直接照射によって行われ、
   加熱された前記当接板を当接させることによって前記積層体の加熱が行われること
   を特徴とする陽極接合装置。