JP5030742B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5030742B2 JP5030742B2 JP2007299480A JP2007299480A JP5030742B2 JP 5030742 B2 JP5030742 B2 JP 5030742B2 JP 2007299480 A JP2007299480 A JP 2007299480A JP 2007299480 A JP2007299480 A JP 2007299480A JP 5030742 B2 JP5030742 B2 JP 5030742B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- emitting layer
- emitting
- emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
Chishio Hosokawa、外7名、SID 01 DIGEST、31.3(p.522−p.525)(2001)
J.Kido、外2名、サイエンス、vol.267、1332−1334(1995) J.Kido、外2名、アプライド フィジクス レターズ、Vol.67(16)、2281−2283(1995)
まず、積層した発光素子の構成の一例について図1(A)に説明する。基板100上に第2の発光素子110と第1の発光素子120を直列に積層する。第1の発光素子120は、第1の陽極121と第1の陰極123の間に第1の発光層122を有する構造である。
図2(A)に素子構成を示した。図2(A)は、基板300上に第1の発光素子320と第2の発光素子310が直列に積層された、本発明の発光素子の構成例である。第1の発光素子320は、第1の陽極321と第1の陰極323の間に第1の発光層322−1及び第2の発光層322−2を有する構造である。また、第2の発光素子310は、第2の陽極311と第2の陰極313の間に第3の発光層312−1及び第4の発光層312−2を有する構造である。
次に、以下では、本発明の発光素子の構成、図1(A)における第1の発光素子120と第2の発光素子110、または図2(A)における第1の発光素子320と第2の発光素子310に関し、用いることのできる材料や素子構造を説明する。図1(A)において、第2の陽極111と第2の発光層112−1との間、および第1の陽極121と第1の発光層122との間には、ホール注入層および/またはホール輸送層を挿入していても良い。また、図1(A)において、第2の陰極113と第3の発光層112−2との間、および第1の陰極123と第1の発光層122との間には、電子注入層および/または電子輸送層を挿入していても良い。図2(A)において、第2の陽極311と第3の発光層312−1との間、および第1の陽極321と第1の発光層322−1との間には、ホール注入層および/またはホール輸送層を挿入していても良い。また、図2(A)において、第2の陰極313と第4の発光層312−2との間、および第1の陰極323と第2の発光層322−2との間には、電子注入層および/または電子輸送層を挿入していても良い。
110:第2の発光素子
111:第2の陽極
112−1:第2の発光層
112−2:第3の発光層
113:第2の陰極
120:第1の発光素子
121:第1の陽極
122:第1の発光層
123:第1の陰極
130:第2の発光素子の発光スペクトル
140:第1の発光素子の発光スペクトル
300 基板
310 第2の発光素子
311 第2の陽極
312−1 第3の発光層
312−2 第4の発光層
313 第2の陰極
320 第1の発光素子
321 第1の陽極
322−1 第1の発光層
322−2 第2の発光層
323 第1の陰極
330 第1の発光素子の発光スペクトル
340 第2の発光素子の発光スペクトル
701 ソース側駆動回路
702 画素部
703 ゲート側駆動回路
704 封止基板
705 シール材
707 空間
709 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
710 素子基板
711 スイッチング用TFT
712 電流制御用TFT
713 陽極
714 絶縁物
715 発光素子
716 陰極
723 nチャネル型TFT
724 pチャネル型TFT
8001 筐体
8002 支持台
8003 表示部
8004 スピーカー部
8005 ビデオ入力端子
8101 本体
8102 筐体
8103 表示部
8104 キーボード
8105 外部接続ポート
8201 本体
8202 表示部
8203 筐体
8204 外部接続ポート
8205 リモコン受信部
8206 受像部
8207 バッテリー
8208 音声入力部
8209 操作キー
8301 照明部
8302 傘
8303 可変アーム
8304 支柱
8305 台
8306 電源
8401 本体
8402 筐体
8403 表示部
8404 音声入力部
8405 音声出力部
8406 操作キー
8407 外部接続ポート
8408 アンテナ
Claims (5)
- 透光性を有する基板上に、第1の陽極と第1の陰極との間に発光性の有機化合物を含む第1の発光層を有する第1の発光素子と、第2陽極と第2陰極との間に発光性の有機化合物を含む第2の発光層及び第3の発光層を有する第2の発光素子とが直列に積層された発光素子であり、
前記第1の陰極と前記第2の陽極は接しており、
前記第1の発光素子は、赤色の波長領域にピークを有する第1の発光スペクトルを示し、
前記第2の発光素子は、青色の波長領域、及び緑色の波長領域の両方にピークを有する第2の発光スペクトルを示し、
前記第1の発光素子の発光及び前記第2の発光素子の発光によって白色発光を示し、
前記第1の発光層は、4H−ピラン誘導体をゲスト材料とし、金属錯体とテトラセン誘導体とを混合したホスト材料とし、
前記第2の発光層は、2位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体をゲスト材料とし、ホール輸送性の芳香族アミン化合物をホスト材料とし、
前記第3の発光層は、スチリルアミン誘導体をゲスト材料とし、電子輸送性のアントラセン誘導体をホスト材料とすることを特徴とする発光素子。 - 透光性を有する基板上に、第1の陽極と第1の陰極との間に発光性の有機化合物を含む第1の発光層を有する第1の発光素子と、第2陽極と第2陰極との間に発光性の有機化合物を含む第2の発光層及び第3の発光層を有する第2の発光素子とが直列に積層された発光素子であり、
前記第1の陰極と前記第2の陽極は接しており、
前記第1の発光素子の発光及び前記第2の発光素子の発光によって白色発光を示し、
前記第1の発光層は、4H−ピラン誘導体、金属錯体及びテトラセン誘導体を有し、前記4H−ピラン誘導体が発光し、
前記第2の発光層は、2位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体及び芳香族アミン化合物を有し、前記2位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体が発光し、
前記第3の発光層は、スチリルアミン誘導体及びアントラセン誘導体を有し、前記スチリルアミン誘導体が発光することを特徴とする発光素子。 - 前記第1の発光層は、{2−イソプロピル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル、或いは{2,6−ビス[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリルをゲスト材料とし、
トリス(8−キノリノラト)アルミニウムとルブレンとを混合したホスト材料とする請求項1又は2に記載の発光素子。 - 前記第2の発光層は、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミンをゲスト材料とし、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルをホスト材料とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の発光素子。 - 前記第3の発光層は、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミンをゲスト材料とし、
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾールをホスト材料とすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007299480A JP5030742B2 (ja) | 2006-11-30 | 2007-11-19 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006324226 | 2006-11-30 | ||
JP2006324226 | 2006-11-30 | ||
JP2007299480A JP5030742B2 (ja) | 2006-11-30 | 2007-11-19 | 発光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012141671A Division JP5560303B2 (ja) | 2006-11-30 | 2012-06-25 | 発光素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159577A JP2008159577A (ja) | 2008-07-10 |
JP2008159577A5 JP2008159577A5 (ja) | 2010-12-24 |
JP5030742B2 true JP5030742B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=39475477
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007299480A Expired - Fee Related JP5030742B2 (ja) | 2006-11-30 | 2007-11-19 | 発光素子 |
JP2012141671A Expired - Fee Related JP5560303B2 (ja) | 2006-11-30 | 2012-06-25 | 発光素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012141671A Expired - Fee Related JP5560303B2 (ja) | 2006-11-30 | 2012-06-25 | 発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7919783B2 (ja) |
JP (2) | JP5030742B2 (ja) |
KR (2) | KR101547157B1 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007083918A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Lg Chem. Ltd. | Oled having stacked organic light-emitting units |
KR101415018B1 (ko) | 2006-04-28 | 2014-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 안트라센 유도체, 및 안트라센 유도체를 사용하는 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기 |
DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
TWI437075B (zh) * | 2006-12-28 | 2014-05-11 | Semiconductor Energy Lab | 蒽衍生物及使用該蒽衍生物之發光裝置 |
EP2444470B1 (en) | 2007-08-31 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
TWI479710B (zh) * | 2007-10-19 | 2015-04-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光裝置 |
US20120037886A1 (en) | 2007-11-13 | 2012-02-16 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
JP5102666B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
KR101553691B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2015-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
TWI609604B (zh) * | 2008-12-01 | 2017-12-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置 |
EP2200407B1 (en) | 2008-12-17 | 2017-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device |
US20110248244A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-10-13 | Emagin Corporation | Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same |
US8569793B2 (en) * | 2010-04-01 | 2013-10-29 | National Tsing Hua University | Organic light-emitting diode with high color rendering |
US8564015B2 (en) * | 2010-06-09 | 2013-10-22 | National Tsing Hua University | Organic light-emitting diode with high color rendering |
JP5167380B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2013-03-21 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5180338B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN103477714A (zh) * | 2011-03-24 | 2013-12-25 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件 |
JP6076153B2 (ja) | 2012-04-20 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
WO2014038006A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
US20150279909A1 (en) * | 2012-10-31 | 2015-10-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and illumination device |
JP2013069702A (ja) * | 2012-12-14 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5879526B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2016-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5870304B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2016-02-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5544040B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN111244141B (zh) | 2014-05-30 | 2023-10-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、显示装置及电子设备 |
JPWO2016132460A1 (ja) * | 2015-02-17 | 2017-11-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
GB2542568B (en) * | 2015-09-22 | 2018-05-30 | Cambridge Display Tech Ltd | An organic light emitting device which emits white light |
KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
US10622342B2 (en) * | 2017-11-08 | 2020-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Stacked LED structure and associated manufacturing method |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US12100696B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-09-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
CN112219452A (zh) | 2018-06-06 | 2021-01-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、显示装置及电子设备 |
CN113412438A (zh) | 2019-02-06 | 2021-09-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置 |
US11839093B2 (en) * | 2019-05-14 | 2023-12-05 | Kopin Corporation | Image rendering in organic light emitting diode (OLED) displays, apparatuses, systems, and methods |
KR20210056259A (ko) | 2019-11-08 | 2021-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3366401B2 (ja) | 1992-11-20 | 2003-01-14 | 出光興産株式会社 | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4255610B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2009-04-15 | 出光興産株式会社 | 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002260859A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置 |
JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2011-01-12 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
TW519852B (en) * | 2001-10-18 | 2003-02-01 | Opto Tech Corp | Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method |
JP2003264085A (ja) | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
SG176316A1 (en) * | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4025111B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | 新規アントラセン化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4211291B2 (ja) | 2002-06-03 | 2009-01-21 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI363573B (en) * | 2003-04-07 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Lab | Electronic apparatus |
JP4477400B2 (ja) | 2003-04-07 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
JP4578846B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 白色発光素子および発光装置 |
US7862906B2 (en) * | 2003-04-09 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent element and light-emitting device |
US6936961B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
US7563748B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-07-21 | Cognis Ip Management Gmbh | Alcohol alkoxylate carriers for pesticide active ingredients |
KR100627867B1 (ko) * | 2003-09-18 | 2006-09-25 | 학교법인 인하학원 | 고효율 3파장 백색 유기 전기 발광소자의 구조 및 제조방법 |
JP2005150078A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-06-09 | Pentax Corp | 白色有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP4431379B2 (ja) | 2003-12-19 | 2010-03-10 | 東北パイオニア株式会社 | 有機el素子及びその形成方法 |
JP4408382B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-02-03 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
US7192659B2 (en) * | 2004-04-14 | 2007-03-20 | Eastman Kodak Company | OLED device using reduced drive voltage |
US7663140B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
KR101152935B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2012-06-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 발광장치 |
JP2006210746A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006282533A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sony Corp | ビアントラセン誘導体、有機電界発光素子、および表示装置 |
US8017252B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
CN101583691B (zh) * | 2007-01-18 | 2012-11-14 | 株式会社芳珂 | 抗氧化剂 |
-
2007
- 2007-11-19 JP JP2007299480A patent/JP5030742B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-26 US US11/986,753 patent/US7919783B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-30 KR KR1020070123429A patent/KR101547157B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-31 US US13/077,057 patent/US8436346B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-25 JP JP2012141671A patent/JP5560303B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-30 KR KR1020120138063A patent/KR101547164B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080049677A (ko) | 2008-06-04 |
US7919783B2 (en) | 2011-04-05 |
KR101547157B1 (ko) | 2015-08-25 |
JP5560303B2 (ja) | 2014-07-23 |
JP2008159577A (ja) | 2008-07-10 |
KR101547164B1 (ko) | 2015-08-25 |
US20080130278A1 (en) | 2008-06-05 |
US8436346B2 (en) | 2013-05-07 |
KR20130007514A (ko) | 2013-01-18 |
US20110175076A1 (en) | 2011-07-21 |
JP2012209264A (ja) | 2012-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5030742B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6719603B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101215287B1 (ko) | 조명 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5030742 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |