JP5014714B2 - スイッチングレギュレータ及びスイッチングレギュレータの制御回路 - Google Patents
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Description
小型の電子機器に使用される高効率の電源回路としては、インダクタを用いた非絶縁型のスイッチングレギュレータが広く用いられている。スイッチングレギュレータの制御方法には、大きく3つの方法が知られている。
このようなことから、従来は、負荷条件に応じて、PWM制御とPFM制御、又はPWM制御とVFM制御を切り換えて制御することにより、軽負荷から重負荷まで電源効率を高めるようにしていた。
入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって前記入力電圧による充電が行われるインダクタと、
前記スイッチングトランジスタと該インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はPFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記PFM制御を行うものである。
入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって前記入力電圧による充電が行われるインダクタと、
前記スイッチングトランジスタと該インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はVFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記VFM制御を行うものである。
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号、及び前記電圧比較回路部の出力信号が対応する入力端にそれぞれ入力されたイクスクルシブオア回路と、
該イクスクルシブオア回路の出力信号を積分して出力する積分回路と、
該積分回路の出力信号を2値化して前記制御回路部に出力する2値化回路と、
を備えるようにした。
一端が前記イクスクルシブオア回路の出力端に接続された抵抗と、
該抵抗の他端に接続され、該抵抗を介して充放電されるコンデンサと、
で構成されるようにした。
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって、入力端子に入力された入力電圧による充電が行われるインダクタと、
を備え、
出力端子から出力される出力電圧が所定の定電圧になるように前記スイッチングトランジスタに対するスイッチング制御を行い、前記入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力電圧として出力するスイッチングレギュレータの制御回路において、
前記スイッチングトランジスタと前記インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はPFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記PFM制御を行うものである。
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって、入力端子に入力された入力電圧による充電が行われるインダクタと、
を備え、
出力端子から出力される出力電圧が所定の定電圧になるように前記スイッチングトランジスタに対するスイッチング制御を行い、前記入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力電圧として出力するスイッチングレギュレータの制御回路において、
前記スイッチングトランジスタと前記インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はVFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記VFM制御を行うものである。
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号、及び前記電圧比較回路部の出力信号が対応する入力端にそれぞれ入力されたイクスクルシブオア回路と、
該イクスクルシブオア回路の出力信号を積分して出力する積分回路と、
該積分回路の出力信号を2値化して前記制御回路部に出力する2値化回路と、
を備えるようにした。
一端が前記イクスクルシブオア回路の出力端に接続された抵抗と、
該抵抗の他端に接続され、該抵抗を介して充放電されるコンデンサと、
で構成されるようにした。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態におけるスイッチングレギュレータの構成例を示した図である。
図1において、スイッチングレギュレータ1は、入力電圧として入力端子INに入力された入力電圧Vinを所定の定電圧に変換し、出力電圧Voutとして出力端子OUTから負荷10に出力する、インダクタを使用した非絶縁型のスイッチングレギュレータである。
スイッチングレギュレータ1は、入力電圧Vinの出力制御を行うためのスイッチング動作を行うPMOSトランジスタからなるスイッチングトランジスタM1と、NMOSトランジスタからなる同期整流用トランジスタM2とを備えている。
スイッチングトランジスタM1と同期整流用トランジスタM2の各ゲートはPFM/PWM制御回路2にそれぞれ接続されている。PFM/PWM制御回路2は、インバータ5から入力された切換信号Scに応じてPFM制御又はPWM制御のいずれか一方を選択し、選択した制御方法にしたがってスイッチングトランジスタM1のゲートに制御信号PHSIDEを、同期整流用トランジスタM2のゲートに制御信号NLSIDEをそれぞれ出力する。
連続モードは、出力端子OUTから負荷10に出力される負荷電流が大きく、スイッチングトランジスタM1がオンしているときにインダクタL1に大きな電流が流れ、インダクタL1に蓄えられるエネルギーが大きいことから、スイッチングトランジスタM1がオフしている間は、インダクタL1から負荷10に電流を供給し続けることができる。
図2において、まず連続モード時の動作について説明する。
連続モード時では、制御信号PHSIDEと制御信号NLSIDEは同相の信号であることから、スイッチングトランジスタM1がオンしている場合は、同期整流用トランジスタM2はオフしており、スイッチングトランジスタM1がオフしている場合は、同期整流用トランジスタM2はオンしている。スイッチングトランジスタM1がオンしているときは、接続部Lxの電圧はハイレベルとなり、スイッチングトランジスタM1がオフするとインダクタL1の逆起電力によって接続部Lxの電圧は負電圧まで低下する。しかし、同期整流用トランジスタM2がオンするため、接続部Lxの電圧は、接地電圧GNDを少し下回った電圧でクランプされる。このような状態では、次にスイッチングトランジスタM1がオンするまで、インダクタL1に蓄えられたエネルギーが接地電圧GNDからインダクタL1を介して出力端子OUTに供給され、インダクタL1からの電流が連続的に流れる。
負荷電流が小さくなるとインダクタL1に流れる電流も小さくなるため、インダクタL1に蓄えられるエネルギーも少なくなる。このため、スイッチングトランジスタM1がオフしてから次にオンする前に、インダクタL1に蓄えられたエネルギーをすべて放出してしまう。このようなことから、出力端子OUTに接続されているコンデンサC1の電荷がインダクタL1と同期整流用トランジスタM2を介して接地電圧GNDに放電される状態が発生するため、極端に効率が低下してしまう。
接続部Lxが正電圧になってから、次にスイッチングトランジスタM1がオンするまでの期間をアイドル期間とすると、不連続モード時の1フレームの動作は、スイッチングトランジスタM1のオン期間+同期整流トランジスタM2のオン期間+アイドル期間で構成される。
このように不連続モードが始まる時点は負荷電流によって決まり、アイドル期間の長さは負荷電流に応じて変化する。
アイドル期間は、スイッチングトランジスタM1と同期整流用トランジスタM2が共にオフしている期間であることから、制御信号PHSIDEと制御信号NLSIDEの位相差を検出することによりアイドル期間を調べることができる。しかし、図2から分かるように、不連続モードでは、制御信号NLSIDEとコンパレータ3の出力信号CMPoutは同相であるが、制御信号NLSIDEはPFM/PWM制御回路2が処理を行う時間だけ位相が遅れる。このため、スイッチングレギュレータ1では、制御信号PHSIDEとコンパレータ3の出力信号CMPoutとの位相差を検出するようにしている。
連続モード時は、図2で示すように、制御信号PHSIDEと出力信号CMPoutが同相の信号になることから、イクスクルシブオア回路4の出力信号EXoutはローレベルのままである。該出力信号EXoutは、抵抗R1とコンデンサC2の積分回路を介してインバータ5に入力され、インバータ5で信号レベルが反転された後、ハイレベルの切換信号ScとしてPFM/PWM制御回路2に入力される。
図2のBとCの場合は、アイドル期間が更に長くなり、イクスクルシブオア回路4の出力信号EXoutがハイレベルになっている期間が長いため、入力電圧INVinはインバータ5のしきい値電圧Vthを超えるため、切換信号Scにローレベルのパルスが発生する。PFM/PWM制御回路2は、切換信号Scがローレベルになると該信号を少なくとも1フレームの間ラッチして制御モードをPWM制御からPFM制御に切り換える。
図3は、本発明の第2の実施の形態におけるスイッチングレギュレータの構成例を示した図である。なお、図3では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図1との相違点のみ説明する。
図3における図1との相違点は、接続部Lxとコンパレータ3の反転入力端との間にNMOSトランジシタM3を挿入し、該NMOSトランジスタM3の動作制御を行うバイアス制御回路7を追加し、図1の遅延回路6がコンパレータ8と所定の基準電圧Vsを生成する基準電圧発生回路9に置き換えられ、更に抵抗R1を可変抵抗にしたことにある。これに伴って、図1のスイッチングレギュレータ1をスイッチングレギュレータ1aにした。
スイッチングレギュレータ1aは、スイッチングトランジスタM1と、同期整流用トランジスタM2と、PFM/PWM制御回路2、コンパレータ3,8、イクスクルシブオア回路4、インバータ5、バイアス制御回路7、基準電圧発生回路9、NMOSトランジスタM3、抵抗R1,R2、コンデンサC1,C2及びインダクタL1を備えている。なお、NMOSトランジスタM3は可変抵抗素子を、バイアス制御回路7は抵抗制御回路をそれぞれなす。また、スイッチングレギュレータ1aにおいて、インダクタL1及びコンデンサC1を除く各回路を1つのICに集積するようにしてもよく、場合によっては、スイッチングトランジスタM1、同期整流用トランジスタM2、インダクタL1及びコンデンサC1を除く各回路を1つのICに集積するようにしてもよい。
バイアス制御回路7は、接続部Lxの電圧が上昇して接続部Lxの電圧が所定値を超えたことを示す信号がコンパレータ3から出力されると、NMOSトランジスタM3のオン抵抗値が大きくなるようにNMOSトランジスタM3へのゲート電圧を制御する。NMOSトランジスタM3のオン抵抗が大きくなるため、コンパレータ3の反転入力端の電圧は、プルアップ抵抗R2によって急速に上昇する。このとき、コンパレータ3の出力信号CMPoutによってバイアス制御回路7の出力電圧を低下させることにより正帰還がかかり、コンパレータ3の出力信号CMPoutは急速に低下することができ、応答速度を速めることができる。
積分回路を構成している抵抗R1は、レーザートリミングによって抵抗値を任意に設定することができ、抵抗R1とコンデンサC2からなる積分回路の時定数を任意に設定することができ、PWM制御からPFM制御への切換判定基準となる負荷電流値を任意に設定することができる。
また、前記第1及び第2の各実施の形態では、PFM/PWM制御回路2が、PFM制御とPWM制御の切り換えを行う場合を例にして示したが、PFM制御の代わりにVFM制御を行うようにしてもよい。
図4において、図1ではプルアップ抵抗をなしていた抵抗R2はプルダウン抵抗になり、コンパレータ3の非反転入力端には、接地電圧GNDに代わって入力電圧Vinが入力されており、遅延回路6を介してイクスクルシブオア回路4の対応する入力端に入力される信号は、制御信号PHSIDEから制御信号NLSIDEに変更されている。図1のスイッチングトランジスタM1が図4のNMOSトランジスタからなるスイッチングトランジスタM10に相当し、図1の同期整流用トランジスタM2が図4のダイオードD1に相当する。なお、図4のスイッチングレギュレータは、図1の場合の降圧動作を行う代わりに昇圧動作を行うようにした以外は図1と同様であることからその説明を省略する。
2 PFM/PWM制御回路
3,8 コンパレータ
4 イクスクルシブオア回路
5 インバータ
6 遅延回路
7 バイアス制御回路
9 基準電圧発生回路
M1,M10 スイッチングトランジスタ
M2 同期整流用トランジスタ
M3 NMOSトランジスタ
L1 インダクタ
C1,C2 コンデンサ
R1,R2 抵抗
D1 ダイオード
Claims (20)
- 入力端子に入力された入力電圧を、所定の定電圧に変換して出力端子から出力するスイッチングレギュレータにおいて、
入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって前記入力電圧による充電が行われるインダクタと、
前記スイッチングトランジスタと該インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はPFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記PFM制御を行うことを特徴とするスイッチングレギュレータ。 - 入力端子に入力された入力電圧を、所定の定電圧に変換して出力端子から出力するスイッチングレギュレータにおいて、
入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって前記入力電圧による充電が行われるインダクタと、
前記スイッチングトランジスタと該インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はVFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記VFM制御を行うことを特徴とするスイッチングレギュレータ。 - 前記位相比較回路部は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相のずれが所定値未満のときは同位相と判定することを特徴とする請求項1又は2記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記位相比較回路部は、前記所定値の大きさが任意に設定可能であることを特徴とする請求項3記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記位相比較回路部は、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号、及び前記電圧比較回路部の出力信号が対応する入力端にそれぞれ入力されたイクスクルシブオア回路と、
該イクスクルシブオア回路の出力信号を積分して出力する積分回路と、
該積分回路の出力信号を2値化して前記制御回路部に出力する2値化回路と、
を備えることを特徴とする請求項3又は4記載のスイッチングレギュレータ。 - 前記位相比較回路部は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号を遅延させて前記イクスクルシブオア回路の対応する入力端に出力する遅延回路を備えることを特徴とする請求項5記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記遅延回路は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と所定の参照電圧との電圧比較を行うコンパレータで構成され、該コンパレータは、前記電圧比較回路部を構成するコンパレータと同一であることを特徴とする請求項6記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記可変抵抗素子は、制御電極に入力される前記抵抗制御回路からの制御信号に応じてオン抵抗が可変するトランジスタであること特徴とする請求項1又は2記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記積分回路は、
一端が前記イクスクルシブオア回路の出力端に接続された抵抗と、
該抵抗の他端に接続され、該抵抗を介して充放電されるコンデンサと、
で構成されることを特徴とする請求項5、6又は7記載のスイッチングレギュレータ。 - 前記抵抗は、トリミングにより任意の抵抗値に設定可能であることを特徴とする請求項9記載のスイッチングレギュレータ。
- 入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって、入力端子に入力された入力電圧による充電が行われるインダクタと、
を備え、
出力端子から出力される出力電圧が所定の定電圧になるように前記スイッチングトランジスタに対するスイッチング制御を行い、前記入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力電圧として出力するスイッチングレギュレータの制御回路において、
前記スイッチングトランジスタと前記インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はPFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記PFM制御を行うことを特徴とするスイッチングレギュレータの制御回路。 - 入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタのスイッチングによって、入力端子に入力された入力電圧による充電が行われるインダクタと、
を備え、
出力端子から出力される出力電圧が所定の定電圧になるように前記スイッチングトランジスタに対するスイッチング制御を行い、前記入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力電圧として出力するスイッチングレギュレータの制御回路において、
前記スイッチングトランジスタと前記インダクタとの接続部の電圧と所定の電圧との電圧比較を行い該比較結果を示す2値の信号を生成して出力する、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が入力される入力端がプルアップ又はプルダウンされた電圧比較回路部と、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相比較を行い、該比較結果を示す信号を生成して出力する位相比較回路部と、
前記出力端子から出力される出力電圧が前記所定の定電圧になるように、前記スイッチングトランジスタに対して、前記位相比較回路部の出力信号に応じてPWM制御又はVFM制御のいずれかを行う制御回路部と、
前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部と、該接続部の電圧が入力される前記電圧比較回路部の入力端との間に接続され、入力された制御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗素子と、
前記電圧比較回路部の出力信号に応じて該可変抵抗素子の抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路は、前記スイッチングトランジスタとインダクタとの接続部の電圧が所定値を超えたことを示す信号が前記電圧比較回路部から出力されると、前記可変抵抗素子の抵抗値を大きくし、
前記制御回路部は、前記位相比較回路部が同位相であることを示す信号を出力すると前記PWM制御を行い、前記位相比較回路部が異なる位相であることを示す信号を出力すると前記VFM制御を行うことを特徴とするスイッチングレギュレータの制御回路。 - 前記位相比較回路部は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と、前記電圧比較回路部の出力信号との位相のずれが所定値未満のときは同位相と判定することを特徴とする請求項11又は12記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
- 前記位相比較回路部は、前記所定値の大きさが任意に設定可能であることを特徴とする請求項13記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
- 前記位相比較回路部は、
前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号、及び前記電圧比較回路部の出力信号が対応する入力端にそれぞれ入力されたイクスクルシブオア回路と、
該イクスクルシブオア回路の出力信号を積分して出力する積分回路と、
該積分回路の出力信号を2値化して前記制御回路部に出力する2値化回路と、
を備えることを特徴とする請求項13又は14記載のスイッチングレギュレータの制御回路。 - 前記位相比較回路部は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号を遅延させて前記イクスクルシブオア回路の対応する入力端に出力する遅延回路を備えることを特徴とする請求項15記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
- 前記遅延回路は、前記スイッチングトランジスタの制御電極に入力される制御信号と所定の参照電圧との電圧比較を行うコンパレータで構成され、該コンパレータは、前記電圧比較回路部を構成するコンパレータと同一であることを特徴とする請求項16記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
- 前記可変抵抗素子は、制御電極に入力される前記抵抗制御回路からの制御信号に応じてオン抵抗が可変するトランジスタであること特徴とする請求項11又は12記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
- 前記積分回路は、
一端が前記イクスクルシブオア回路の出力端に接続された抵抗と、
該抵抗の他端に接続され、該抵抗を介して充放電されるコンデンサと、
で構成されることを特徴とする請求項15、16又は17記載のスイッチングレギュレータの制御回路。 - 前記抵抗は、トリミングにより任意の抵抗値に設定可能であることを特徴とする請求項19記載のスイッチングレギュレータの制御回路。
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