JP4949013B2 - 温度感知装置を備えた半導体メモリ素子及びその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体設計技術に関し、特に、温度感知装置を備えた半導体メモリ素子に関する。

通常、半導体メモリ素子は、データを保存するセルとしてスイッチの役割を果すトランジスタ及び電荷（データ）を保存するキャパシタを備える。データの保存は、キャパシタに電荷が蓄積されていることを意味するため、原理的には電力消費がない。しかし、ＭＯＳトランジスタのＰＮ結合などにおいて漏れ電流があり、保存された初期の電荷量が消滅されるためにデータが消失され得る。これを防止するためにデータを失う前にメモリセル内のデータを読み出し、その読み出した情報に合わせて再び初期の電荷量に再充電しなければならない。

この動作を周期的に反復しなければデータの記憶を維持することができない。このようなセル電荷の再充電過程をリフレッシュ（ｒｅｆｒｅｓｈ）動作と称し、リフレッシュ制御は、ＤＲＡＭコントローラで行われる。そのようなリフレッシュ動作を必要とするため、ＤＲＡＭではリフレッシュ電力が消費される。より低電力が求められるバッテリーオペレイトシステム（ｂａｔｔｅｒｙ ｏｐｅｒａｔｅｄ ｓｙｓｔｅｍ）において、電力消費を低減させることは非常に重要、かつ、クリティカル（ｃｒｉｔｉｃａｌ）な課題である。

リフレッシュに必要な電力消費を低減させるための方法の１つは、リフレッシュ周期を温度に応じて変化させることである。ＤＲＡＭにおけるデータ保持時間は、温度が低くなるほど長くなる。したがって、温度領域を様々な領域に分割しておき、低い温度領域ではリフレッシュクロックの周波数を相対的に低くすれば、電力の消費は低減されるはずである。ここで、リフレッシュクロックとは、リフレッシュ動作の際、イネーブルされる信号である。したがって、ＤＲＡＭ内の温度を正確に感知し、感知した温度の情報を出力することのできる装置が必要である。

また、半導体メモリ装置は、その集積レベル及び動作速度が増加するにつれて、半導体メモリ装置自体から多くの熱を発生する。このように発生した熱は、半導体メモリ装置の内部温度を上昇させ、正常な動作を妨げ、ややもすれば半導体メモリ装置の不良をもたらしたり、半導体メモリ装置自体を破損させる原因として作用する。したがって、半導体メモリ装置の温度を正確に感知し、感知した温度の情報を出力することのできる装置が必要である。

図１は、従来技術に係る半導体メモリ素子内の温度感知装置を示すブロック構成図である。

同図に示すように、従来技術に係る温度感知装置は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮに応答して温度を感知する温度感知部１０、温度感知部１０の出力値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］を保存し、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答して保存された値を出力するＭＰＲレジスタ２０、及びＭＰＲレジスタ２０の出力値ＭＰＲ［０：Ｎ］を温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］としてドライブする出力ドライバー３０を備える。

図２は、図１のＭＰＲレジスタ２０の内部を示す回路図である。

図２に示すように、ＭＰＲレジスタ２０は、温度感知部１０の出力値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］を各ビット単位で保存する複数の保存素子を備える。ここで、複数の保存素子は、同じ回路にて実現可能なため、そのうち１つを例として説明する。

第１保存素子は、温度感知部１０の出力信号ＴＭ＿ＶＡＬ［０］をラッチするラッチ素子２２、及び出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答してラッチ素子２２の出力データを伝達するトランスファーゲートＴＧ１を備える。

前述したＭＰＲレジスタ２０は、温度感知部１０の出力値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］を各ビット単位で保存し、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答して保存したデータＭＰＲ［０：Ｎ］を出力する。

図３は、図１〜図２に示す温度感知装置の動作タイミングチャートであって、同図を参照して駆動及び問題点を説明する。参考に、ＴＥＭＰは、半導体メモリ素子の温度変化を示す。

まず、Ｎ番目に印加された駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮ［Ｎ］がアクティブになると、温度感知部１０がこれに応答して現在の温度「Ｔ」を感知する。

続いて、ＭＰＲレジスタ２０は、Ｎ番目の温度値［Ｎ］ｔｈ ＯＤＴＳ Ｄａｔａとして温度感知部１０の出力値「Ｔ」を保存する。ここで、ＭＰＲレジスタ２０は、温度感知部１０による新たに値が印加されるまで、前の駆動による温度値［Ｎ−１］ｔｈ ＯＤＴＳ Ｄａｔａを持続的に保存して維持していることが分かる。

その後、Ｎ番目の駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮ［Ｎ］の印加から一定時間が過ぎた後、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳが印加される。したがって、ＭＰＲレジスタ２０は、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答して保存された値ＭＰＲ［０：Ｎ］を出力し、出力ドライバー３０は、これを温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］「Ｔ」にドライブする。

一方、温度感知装置は、温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］として「Ｔ」を出力するが、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳが印加された時点で、半導体メモリ素子の現在の温度は、図示したように「Ｔ＋２」である。

すなわち、前述したように、温度感知装置は、現在の温度を反映していない。

具体的に、ＪＥＤＥＣスペックによれば、素子の温度が８５℃未満の場合は、６４ｍｓ周期でリフレッシュを行わなければならず、８５℃以上の場合は、３２ｍｓ周期でリフレッシュを行わなければならない。

しかし、Ｎ番目の温度感知部１０の駆動によってＭＰＲレジスタに８３℃が保存され、現在の温度が８５℃以上に上昇したと仮定する。この場合、チップセット（ｃｈｉｐｓｅｔ）は、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳを介して温度感知装置から８３℃という温度情報を得した後、６４ｍｓ周期でリフレッシュを行わなければならない。しかし、実際の温度は８５℃以上で、３４ｍｓ周期でリフレッシュを行わなければならない。このように、有効でない温度値によってリフレッシュを適切に行うことができなければ、データが削除される可能性がある。

上述したように、従来技術に係る温度感知装置は、実際には、半導体メモリ素子の温度変動を反映させることができない。これは、温度感知装置がＭＰＲレジスタに保存された温度値を新たに駆動信号が印加されるまで維持するからであり、チップセットは、温度感知装置の温度値が有効か否かを確認することができない。
特開２００５−１９６９３４

本発明は、前記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、保存された温度値が有効か否かを知らせる半導体メモリ素子の温度感知装置を提供することにある。

上記の技術的課題を達成するための本発明の半導体メモリ素子の温度感知装置は、駆動信号に応答して温度を感知する温度感知手段と、該温度感知手段の出力を保存した後、これを温度値として出力する保存手段と、前記駆動信号がアクティブになってから周期的に前記保存手段に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御手段とを備える。

本発明の他の側面に係る半導体メモリ素子の駆動方法は、温度感知回路を備えた半導体メモリ装置の駆動方法において、外部から駆動信号の印加を受けて前記温度感知回路を駆動する第１ステップと、該第１ステップの駆動時間後、周期的に前記温度感知回路を初期化する第２ステップと、前記温度感知装置の保存値を外部に出力する第３ステップとを含む。

より具体的には、（１）本発明は、駆動信号に応答して温度を感知する温度感知手段と、該温度感知手段の出力を保存した後、これを温度値として出力する保存手段と、前記駆動信号がアクティブになってから周期的に前記保存手段に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（２）本発明は、前記初期化制御手段が、前記駆動信号に応答して自体の出力信号をセットし、リセット信号に応答して前記自体の出力信号をリセットするラッチと、該ラッチの出力信号がアクティブになっている間、周期信号を生成する周期信号生成部と、該周期信号のアクティブ回数をカウントするカウンタと、該カウンタの出力信号に応答して初期化信号及び前記リセット信号をアクティブにする初期化信号生成部とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（３）本発明は、前記ラッチが、前記駆動信号を反転させる第１インバータと、該第１インバータの出力信号を１入力とする第１ＮＡＮＤゲートと、前記リセット信号を１入力とする第２ＮＡＮＤゲートとがクロスカップリングされて実現されることを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（４）本発明は、前記周期信号生成部が、前記ラッチの出力信号と前記周期信号とを入力とする第３ＮＡＮＤゲートと、該第３ＮＡＮＤゲートの出力信号を遅延させて前記周期信号として出力する第１インバータチェーンとを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（５）本発明は、前記初期化信号生成部が、前記カウンタの複数の出力信号を入力とする第４ＮＡＮＤゲートと、該第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を反転させ、前記初期化信号として出力する第２インバータと、前記第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を反転させる第３インバータと、前記第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を遅延させる第２インバータチェーンと、前記第３インバータ及び前記第２インバータチェーンの出力信号を入力として前記リセット信号を出力する第５ＮＡＮＤゲートとを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（６）本発明は、前記カウンタが、前記周期信号のアクティブ回数をカウントして該当出力信号をアクティブにし、反転された前記リセット信号に応答して前記該当出力信号を初期化させることを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（７）本発明は、前記保存手段が、前記温度感知部の出力値を保存して出力アクティブ信号に応答して保存した値を出力し、前記初期化制御手段の初期化信号に応答して前記保存された値を初期化させるレジスタと、該レジスタの出力値を前記温度値にドライブする出力ドライバーとを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（８）本発明は、前記レジスタが、前記温度感知手段の出力値を各ビット単位で保存する複数のラッチ部を備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（９）本発明は、前記ラッチ部が、前記温度感知手段の該当出力信号をラッチし、前記初期化信号に応答してリセットするラッチ素子と、前記出力アクティブ信号に応答して前記ラッチ素子の出力データを伝達するトランスファーゲートとを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（１０）本発明は、前記温度感知手段が、前記駆動信号に応答して温度を感知する温度センサと、上限電圧値及び下限電圧値を供給する電圧供給部と、前記駆動信号に応答して前記温度センサのアナログ出力値を前記上限電圧値及び前記下限電圧値を基準としてデジタル値に変換して出力するアナログ−デジタル変換部とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。また、（１１）本発明は、前記アナログ−デジタル変換部が、ループを介して１ビット単位で前記温度センサの出力値をトラッキングして前記デジタル値に変換するトラッキングＡＤＣを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置を提供する。

さらに、（１２）本発明は、温度感知回路を備えた半導体メモリ装置の駆動方法において、外部から駆動信号の印加を受けて前記温度を感知する第１ステップと、該第１ステップの感知した温度値を保存する第２ステップと、該感知した温度値を出力アクティブ信号に応答して出力する第３ステップと、駆動信号がアクティブになった後、周期的に前記感知した温度値を初期化する第４ステップとを含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法を提供する。また、（１３）本発明は、温度感知回路を備えた半導体メモリ装置の駆動方法において、外部から駆動信号の印加を受けて前記温度感知回路を駆動する第１ステップと、該第１ステップの駆動時間後、周期的に前記温度感知回路を初期化する第２ステップと、前記温度感知装置の保存値を外部に出力する第３ステップとを含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法を提供する。

さらに、（１４）本発明は、駆動信号に応答して温度を感知して保存する温度感知手段と、前記駆動信号がアクティブになってから一定の時間がすぎた後、前記温度感知装置に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子を提供する。また、（１５）本発明は、前記温度感知装置が、駆動信号に応答して温度を感知して保存する温度感知手段と、該温度感知手段の出力を保存した後、これを温度値として出力する保存手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子を提供する。

本発明に係る温度感知装置は、駆動してから一定時間が過ぎると、温度値の代わりに再駆動要請信号を出力し、現在の温度が反映されていないことを伝える。言い換えれば、温度感知装置は、一定時間後、ＭＰＲレジスタ値を初期化する初期化制御部をさらに備え、温度値を初期化し、これを再駆動要請信号として出力する。

したがって、本発明に係る温度感知装置から現在の温度が反映された温度値の印加を受けた半導体メモリ素子は、リフレッシュなどのように温度に関する駆動を安定的に行うため、素子の信頼性が向上する。

以下、本発明の最も好ましい実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。

図４は、本発明の実施形態に係る温度感知装置のブロック構成図である。

同図に示すように、本発明に係る温度感知装置は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮに応答して温度を感知する温度感知部１００、温度感知部１００の出力ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］を保存した後、これを温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］として出力する保存部２００、３００、及び駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮがアクティブになってから一定時間後、保存部２００、３００に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御部４００を備える。

そして、保存部２００、３００は、温度感知部１００の出力値ＯＤＳＴ＿ＥＮを保存して出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答して出力し、初期化制御部４００の初期化信号ＲＳＴに応答して保存された値を初期化させるＭＰＲレジスタ２００、及びＭＰＲレジスタ２００の出力値ＭＰＲ［０：Ｎ］を温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］にドライブする出力ドライバー３００を備える。

したがって、本発明に係る温度感知装置は、初期化制御部４００をさらに備えることにより、温度感知部１００の駆動のための駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮがアクティブになってから一定時間が経過すれば、保存された温度値が初期化されるようにする。このように、初期化された温度値を介して、チップセットに現在の温度が反映されていないことを伝え、新たな駆動信号を印加することができるようにする。言い換えれば、温度感知装置は、初期化された値を介してチップセットに再駆動を要請する。

次に各ブロックの回路的実現を説明する。

図５は、図４の温度感知部１００の内部を示す回路図である。

同図に示すように、温度感知部１００は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮに応答して温度を感知する温度センサ１２０、上限電圧値ＶＵ＿ＬＭＴ及び下限電圧値ＶＬ＿ＬＭＴを供給する電圧供給部１４０、及び、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮに応答して温度センサ１２０のアナログ出力値Ｖｔｍｐを上限電圧値ＶＵ＿ＬＭＴ及び下限電圧値ＶＬ＿ＬＭＴを基準としてデジタル値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］に変換して出力するアナログ−デジタル変換部１６０を備える。

ここで、アナログ−デジタル変換部１６０は、ループを介して１ビット単位に温度センサ１２０の出力値Ｖｔｍｐをトラッキングしてデジタル値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］に変換するトラッキングＡＤＣを備える。

動作を簡略に説明すれば、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮのアクティブ化に応答して温度センサ１２０が現在の温度を感知する。続いて、アナログ−デジタル変換部１６０は、温度センサ１２０の出力値Ｖｔｍｐをデジタル値に変換し、上限電圧値ＶＵ＿ＬＭＴ及び下限電圧値ＶＬ＿ＬＭＴは、変換時の基準として用いられる。

図６は、図４の初期化制御部４００の内部を示す回路図である。

同図に示すように、初期化制御部４００は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮに応答して出力信号Ａをセットして、リセット信号Ｅに応答して出力信号Ａをリセットするラッチ４２０、ラッチ４２０の出力信号Ａがアクティブになっている間に周期信号Ｂを生成する周期信号生成部４４０、周期信号Ｂのアクティブ回数をカウントするカウンタ４６０、及びカウンタ４６０の出力信号Ｃ［０：Ｎ］に応答して初期化信号ＲＳＴ及びリセット信号Ｅをアクティブにする初期化信号生成部４８０を備える。

そして、ラッチ４２０は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮを反転させるインバータＩ２、インバータＩ２の出力信号を１入力とする第１ＮＡＮＤゲートＮＤ１、リセット信号Ｅを１入力とする第２ＮＡＮＤゲートＮＤ２がクロスカップリングされて実現される。

周期信号生成部４４０は、ラッチ４２０の出力信号Ａ及び周期信号Ｂを入力とするＮＡＮＤゲートＮＤ３、並びにＮＡＮＤゲートＮＤ３の出力信号を遅延させて周期信号Ｂとして出力するインバータチェーン４４２を備える。

カウンタ４６０は、周期信号Ｂのアクティブ回数をカウントして当該出力信号Ｃ［０：Ｎ］をアクティブにして、インバータＩ１によって反転されたリセット信号に応答して出力信号Ｃ［０：Ｎ］を初期化する。

初期化信号生成部４８０は、カウンタ４６０の複数の出力信号Ｃ［０：Ｎ］を入力とするＮＡＮＤゲートＮＤ４、ＮＡＮＤゲートＮＤ４の出力信号Ｄを反転させて初期化信号ＲＳＴとして出力するインバータＩ３、ＮＡＮＤゲートＮＤ４の出力信号Ｄを反転させるインバータＩ４、ＮＡＮＤゲートＮＤ４の出力信号Ｄを遅延させるインバータチェーン４８２、並びに、インバータＩ４及びインバータチェーン４８２の出力信号を入力としてリセット信号Ｅとして出力するＮＡＮＤゲートＮＤ５を備える。

図７は、図６に示した初期化制御部４００の動作タイミングチャートであって、同図を参照して動作を説明する。

まず、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮがアクティブになると、これをセット信号として受信するラッチ４２０が出力信号Ａをアクティブにする。

続いて、周期信号生成部４４０は、ラッチ４２０の出力信号Ａがアクティブになっている間に一定周期を有する周期信号Ｂを生成する。このとき、カウンタ４６０は、周期信号Ｂのアクティブ回数をカウントして当該出力信号Ｃ［０：Ｎ］をアクティブにする。そして、初期化信号生成部４８０内のＮＡＮＤゲートＮＤ４は、カウンタ４６０の全ての出力信号Ｃ［０：Ｎ］を入力として有するため、カウンタ４６０の出力信号Ｃ［０：Ｎ］が全てアクティブになるとき、自体の出力信号Ｄをアクティブにし、インバータＩ２は、これを反転させて初期化信号ＲＳＴをアクティブにする。また、ＮＡＮＤゲートＮＤ４の出力信号がアクティブになった時点からインバータチェーン４８２が有する遅延時間後、リセット信号Ｅがアクティブになる。

続いて、ラッチ４２０がリセット信号Ｅに応答して自体の出力信号Ａを非アクティブにさせるため、周期信号生成部４４０の駆動が終了する。また、カウンタ４６０は、反転されたリセット信号に応答して初期化される。

参考に、カウンタ４６０のＮ番目の出力信号Ｃ［Ｎ］がアクティブになるとき、初期化信号ＲＳＴがアクティブになるが、これは、カウンタ４６０内に設定された最大カウント回数を意味するものである。したがって、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮがアクティブになってから初期化信号ＲＳＴがアクティブになるまでの時間間隔は、周期信号Ｂの周期及びカウンタ４６０の最大カウント回数の設定を利用して調節することができる。

図８は、図４のＭＰＲレジスタ２００の内部を示した回路図である。

同図に示すように、ＭＰＲレジスタ２００は、温度感知部１００の出力値ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］を各ビット単位で保存する複数のラッチ部２１０〜２５０を備える。ここで、ラッチ部２１０〜２５０は、同じ回路にて実現可能なため、１つだけを例として説明する。

ラッチ部２１０は、温度感知部１００の出力信号ＴＭ＿ＶＡＬ［０］をラッチし、初期化信号ＲＳＴに応答してリセットするラッチ素子２１２及び、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答してラッチ素子２１２の出力データを伝達するトランスファーゲートＴＧ２を備える。

すなわち、ＭＰＲレジスタ２００は、温度感知部１００の出力信号ＴＭ＿ＶＡＬ［０：Ｎ］をラッチし、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答してラッチされた値ＭＰＲ［０：Ｎ］を出力する。また、初期化信号ＲＳＴがアクティブになる際にＭＰＲレジスタ２００内の全てのラッチ部２１０〜２５０は、保存された値をリセットする。

図９は、図４〜図８に示した温度感知装置の動作タイミングチャートであって、同図を参照して動作を説明する。

まず、Ｎ番目に印加された駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮ［Ｎ］がアクティブになると、温度感知部１００が、これに応答して現在の温度「Ｔ」を感知する。
続いて、ＭＰＲレジスタ２００は、Ｎ番目の温度値［Ｎ］ｔｈ ＯＤＴＳ Ｄａｔａとして温度感知部１００の出力値「Ｔ」を保存する。

また、初期化制御部４００は、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮから一定時間後に初期化信号ＲＳＴ／ＳＴをアクティブにし、ＭＰＲレジスタ２００が初期化するようにする。したがって、データの有効区間は、ＭＰＲレジスタ２００が新たな温度値を保存した時点から初期化信号ＲＳＴ／ＳＴがアクティブになるまでとなる。

その後、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳが印加されると、ＭＰＲレジスタ２００及び出力ドライバー３００は、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳに応答して温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］として初期化された値、すなわち、再駆動要請信号を出力する。

したがって、温度値ＯＤＴＳ＿ＤＴ［０：Ｎ］でない再駆動要請信号が印加されたチップセットは、駆動信号ＯＤＴＳ＿ＥＮを再び印加することによって、温度感知装置が再駆動されてＭＰＲレジスタ２００に新たな温度値を保存する。その後、出力アクティブ信号ＲＤ＿ＯＤＴＳを印加して現在の温度が反映された新たな温度値が印加される。

上述のように、本発明に係る温度感知装置は、駆動してから一定時間が過ぎると、温度値の代わりに再駆動要請信号を出力し、現在の温度が反映されていないことを伝える。言い換えれば、温度感知装置は、一定時間後、ＭＰＲレジスタ値を初期化する初期化制御部をさらに備え、温度値を初期化し、これを再駆動要請信号として出力する。

したがって、本発明に係る温度感知装置から現在の温度が反映された温度値の印加を受けた半導体メモリ素子は、リフレッシュなどのように温度に関する駆動を安定的に行うため、素子の信頼性が向上する。

一方、上述の本発明では、ＭＰＲレジスタが出力アクティブ信号に応答して保存された値を出力する場合を例に挙げたが、出力ドライバーが出力アクティブ信号に応答してアクティブとなって、ＭＰＲレジスタに保存された値を温度値としてドライブすることもできるので、このため、本発明は上記実施形態に限定されない。

また、上述の本発明の初期化制御部は、駆動信号がアクティブになる時点を基準に初期化信号をアクティブにするが、駆動信号ばかりでなく、温度感知部駆動の開始又は終了時点を基準として一定時間後、初期化信号をアクティブにすることもでき、このため、本発明は上記実施形態に限定されない。

上述の本発明は、所定時間の経過後は、温度値の代わりに初期化した値を介して再駆動要請信号を出力することによって、現在の温度が反映されないことを防止し、素子の信頼性を向上させる効果がある。

尚、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想の範囲内から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。

従来技術に係る温度感知装置を示すブロック構成図である。 図１のＭＰＲレジスタの内部を示す回路図である。 図１に示した温度感知装置の動作タイミングチャートである。 本発明の実施形態に係る温度感知装置のブロック構成図である。 図４の温度感知部の内部を示す回路図である。 図４の初期化制御部の内部を示す回路図。 図６に示した初期化制御部の動作タイミングチャートである。 図４のＭＰＲレジスタの内部を示す回路図である。 図４〜図８に示した温度感知装置の動作タイミングチャートである。

符号の説明

１００ 温度感知部
２００ ＭＰＲレジスタ
３００ 出力ドライバー
４００ 初期化制御部

Claims (15)

1. 駆動信号に応答して温度を感知する温度感知手段と、
   該温度感知手段の出力を保存した後、これを温度値として出力する保存手段と、
   前記駆動信号がアクティブになってから一定時間後に前記保存手段に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御手段と
   を備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の温度感知装置。
2. 前記初期化制御手段が、
   前記駆動信号に応答して自体の出力信号をセットし、リセット信号に応答して前記自体の出力信号をリセットするラッチと、
   該ラッチの出力信号がアクティブになっている間、周期信号を生成する周期信号生成部と、
   該周期信号のアクティブ回数をカウントするカウンタと、
   該カウンタの出力信号に応答して初期化信号及び前記リセット信号をアクティブにする初期化信号生成部と
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
3. 前記ラッチが、
   前記駆動信号を反転させる第１インバータと、
   該第１インバータの出力信号を１入力とする第１ＮＡＮＤゲートと、前記リセット信号を１入力とする第２ＮＡＮＤゲートとがクロスカップリングされて実現されることを特徴とする請求項２に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
4. 前記周期信号生成部が、
   前記ラッチの出力信号と前記周期信号とを入力とする第３ＮＡＮＤゲートと、
   該第３ＮＡＮＤゲートの出力信号を遅延させて前記周期信号として出力する第１インバータチェーンと
   を備えたことを特徴とする請求項３に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
5. 前記初期化信号生成部が、
   前記カウンタの複数の出力信号を入力とする第４ＮＡＮＤゲートと、
   該第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を反転させ、前記初期化信号として出力する第２インバータと、
   前記第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を反転させる第３インバータと、
   前記第４ＮＡＮＤゲートの出力信号を遅延させる第２インバータチェーンと、
   前記第３インバータ及び前記第２インバータチェーンの出力信号を入力として前記リセット信号を出力する第５ＮＡＮＤゲートと
   を備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
6. 前記カウンタが、前記周期信号のアクティブ回数をカウントして該当出力信号をアクティブにし、反転された前記リセット信号に応答して前記該当出力信号を初期化させることを特徴とする請求項５に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
7. 前記保存手段が、
   前記温度感知手段の出力値を保存して出力アクティブ信号に応答して保存した値を出力し、前記初期化制御手段の初期化信号に応答して前記保存された値を初期化させるレジスタと、
   該レジスタの出力値を前記温度値にドライブする出力ドライバーと
   を備えたことを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
8. 前記レジスタが、前記温度感知手段の出力値を各ビット単位で保存する複数のラッチ部を備えたことを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
9. 前記ラッチ部が、
   前記温度感知手段の該当出力信号をラッチし、前記初期化信号に応答してリセットするラッチ素子と、
   前記出力アクティブ信号に応答して前記ラッチ素子の出力データを伝達するトランスファーゲートと
   を備えたことを特徴とする請求項８に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
10. 前記温度感知手段が、
    前記駆動信号に応答して温度を感知する温度センサと、
    上限電圧値及び下限電圧値を供給する電圧供給部と、
    前記駆動信号に応答して前記温度センサのアナログ出力値を前記上限電圧値及び前記下限電圧値を基準としてデジタル値に変換して出力するアナログ−デジタル変換部と
    を備えたことを特徴とする請求項９に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
11. 前記アナログ−デジタル変換部が、
    ループを介して１ビット単位で前記温度センサの出力値をトラッキングして前記デジタル値に変換するトラッキングＡＤＣを備えたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体メモリ素子の温度感知装置。
12. 温度感知回路を備えた半導体メモリ装置の駆動方法において、
    外部から駆動信号の印加を受けて前記温度を感知する第１ステップと、
    該第１ステップの感知した温度値を保存する第２ステップと、
    該感知した温度値を出力アクティブ信号に応答して出力する第３ステップと、
    駆動信号がアクティブになった後、一定時間後に前記感知した温度値を初期化する第４ステップと
    を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。
13. 温度感知回路を備えた半導体メモリ装置の駆動方法において、
    外部から駆動信号の印加を受けて前記温度感知回路を駆動する第１ステップと、
    該第１ステップの駆動時間後、一定時間後に前記温度感知回路を初期化する第２ステップと、
    前記温度感知回路の保存値を外部に出力する第３ステップと
    を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。
14. 駆動信号に応答して温度を感知して保存する温度感知装置と、
    前記駆動信号がアクティブになってから一定の時間がすぎた後、前記温度感知装置に保存された値が初期化されるように制御する初期化制御手段と
    を備えたことを特徴とする半導体メモリ素子。
15. 前記温度感知装置が、
    駆動信号に応答して温度を感知する温度感知手段と、
    該温度感知手段の出力を保存した後、これを温度値として出力する保存手段と
    を備えたことを特徴とする請求項１４に記載の半導体メモリ素子。

Images