CN113707203B - 温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 - Google Patents
温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113707203B CN113707203B CN202110924238.3A CN202110924238A CN113707203B CN 113707203 B CN113707203 B CN 113707203B CN 202110924238 A CN202110924238 A CN 202110924238A CN 113707203 B CN113707203 B CN 113707203B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- signal
- value output
- data signal
- temperature value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 101100113692 Caenorhabditis elegans clk-2 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/30—Monitoring
- G06F11/3003—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored
- G06F11/3037—Monitoring arrangements specially adapted to the computing system or computing system component being monitored where the computing system component is a memory, e.g. virtual memory, cache
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/30—Monitoring
- G06F11/3058—Monitoring arrangements for monitoring environmental properties or parameters of the computing system or of the computing system component, e.g. monitoring of power, currents, temperature, humidity, position, vibrations
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
本发明提供了一种温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统,该温度值输出控制电路设置于存储器管芯的外围电路中,包括:温度值输出模块,其被配置为接收温度传感器所输出的温度数据信号;以及,控制模块,其被配置为响应于接收到来自存储器管芯外部的请求获取温度信号,而生成用于驱动温度值输出模块输出温度数据信号的控制信号,本发明提供的温度值输出控制电路,无需因为要获得稳定的温度数据信号,而在输出温度数据信号前,执行主机发出的阵列操作,从而有效减少了输出温度数据信号时所需的操作时间。
Description
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统。
背景技术
在NAND闪存存储器中,设置有一个用于检测NAND闪存存储器温度的温度传感器,通过该温度传感器检测出的温度,NAND闪存存储器可以对其存储单元的临界电压以及时序等参数进行相应的温度补偿,以使存储单元被更好地控制,主机也可以根据检测出的温度进行主机的相关配置。
但是,在现有技术下,当主机需要获取NAND闪存存储器的温度值时,主机需要先向NAND闪存存储器发出一个阵列操作(如编程/读取/擦除),当该阵列操作输出的温度值是稳定值之后,NAND闪存存储器的温度值才会被输出至主机,这将导致主机在获取NAND闪存存储器的温度值时,会等待较长时间。
发明内容
为了解决现有技术问题的一个或多个,本发明提供了一种温度值输出控制电路,设置于存储器管芯的外围电路中,所述温度值输出控制电路包括:
温度值输出模块,其被配置为接收温度传感器所输出的温度数据信号;以及,
控制模块,其被配置为响应于接收到来自所述存储器管芯外部的请求获取温度信号,而生成用于驱动所述温度值输出模块输出所述温度数据信号的控制信号。
进一步优选的,所述控制模块进一步被配置为:
在没有接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,能够生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号;和/或
在接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,能够生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号。
进一步优选的,所述控制模块进一步被配置为:
根据接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值。
进一步优选的,所述控制模块进一步被配置为:
若接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号处于一稳定值,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态有效的温度状态信号,并输出所述稳定值作为所述温度数据信号的温度值;和/或
若接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号在动态变化,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态无效的温度状态信号,直到所述温度数据信号处于一稳定值,将所述表示当前温度状态无效的温度状态信号转换为所述表示当前温度状态有效的温度状态信号。
进一步优选的,所述控制模块进一步被配置为:
响应于所述请求获取温度信号以及所述表示当前温度状态有效的温度状态信号,生成所述控制信号。
进一步优选的,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述控制模块进一步包括:
温度状态信号处理单元,其被配置为:对接收到的所述温度状态信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的温度状态信号。
进一步优选的,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述控制模块进一步包括:
请求获取温度信号处理单元,被配置为:对接收到的所述请求获取温度信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的请求获取温度信号。
进一步优选的,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述温度值输出控制电路进一步包括:
同步模块,被配置为:对所述温度值输出模块输出的所述温度数据信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的温度数据信号。
进一步优选的,所述存储器管芯为三维NAND闪存存储器。
另一方面,本发明还提供了一种温度值输出控制方法,包括:
获取来自存储器管芯外部的请求获取温度信号;
响应于所述请求获取温度信号,生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号。
进一步优选的,在所述生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号的步骤之前,还包括:
根据获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值。
进一步优选的,所述根据获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值的步骤,具体包括:
若获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号处于一稳定值,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态有效的温度状态信号,并输出所述稳定值作为所述温度数据信号的温度值;和/或
若获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号在动态变化,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态无效的温度状态信号,直到所述温度数据信号处于一稳定值,将所述表示当前温度状态无效的温度状态信号转换为所述表示当前温度状态无效的温度状态信号。
进一步优选的,所述生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号的步骤,具体包括:
响应于所述请求获取温度信号以及所述表示当前温度状态有效的温度状态信号,生成所述控制信号。
进一步优选的,所述温度值输出控制方法还包括:
对接收到的所述温度状态信号基于所述存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,从而获得经所述系统时钟信号同步后的温度状态信号。
进一步优选的,所述温度值输出控制方法还包括:
对所述温度数据信号基于所述存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,从而获得经所述系统时钟信号同步后的温度数据信号。
进一步优选的,在生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号的步骤中:
在没有接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号;或
在接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号。
另一方面,本发明还提供了一种电子系统,包括:
用于存储数据的存储器管芯;
与所述存储器管芯耦接的存储器控制器或主机;
其中,所述存储器管芯的外围电路中设置有上述任一项所述的温度值输出控制电路;
所述存储器控制器或主机中设置有用于生成上述任一项所述的请求获取温度信号的部件。
本发明实施例的有益效果为:本公开提供的温度值输出控制电路,存储器管芯(die)无需因为要获得稳定的温度数据信号而在输出温度数据信号前执行主机发出的阵列操作(如编程/读取/擦除),从而有效减少了输出温度数据信号时所需的操作时间,且由于无需执行主机发出的阵列操作,可以有效减少不必要的编程/读取/擦除等操作,也有利于避免主机因此被干扰。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对根据本发明而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路的结构示意图。
图2是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路的细部结构示意图。
图3是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路的时序关系图。
图4是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制方法的流程示意图。
图5是根据本发明一实施例所提供的电子系统的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有技术下,主机在获取NAND闪存存储器的温度值时,等待时间较长的问题,根据本发明而成的实施例用以解决该问题。
请参阅图1,图1示出了根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路100的结构示意图,从图中可以很直观地体现根据本发明一实施例的温度值输出控制电路100的各组成部分,以及各组成部分的相对位置关系。
如图1所示,该温度值输出控制电路100设置于存储器管芯的外围电路中,且包括温度值输出模块110以及控制模块120,其中:
温度值输出模块110被配置为接收温度传感器200所输出的温度数据信号Data;
控制模块120被配置为响应于接收到来自存储器管芯外部的请求获取温度信号Request,而生成用于驱动温度值输出模块110输出温度数据信号Data的控制信号Control。
进一步地,在现有技术下,主机300通过向存储器发出一个阵列操作(如编程/读取/擦除),当该阵列操作输出的温度值是稳定值之后,存储器的温度值被输出至主机300。而在本实施例中,不管存储器是否接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令,都会根据来自主机300的请求获取温度信号Request生成驱动温度值输出模块110的控制信号Control,进而使温度值输出模块110输出温度数据信号Data,例如,控制模块120进一步被配置为:
在没有接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机300的请求获取温度信号Request的情况下,能够生成用于驱动温度值输出模块110的控制信号Control;和/或
在接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机300的请求获取温度信号Request的情况下,能够生成用于驱动温度值输出模块110的控制信号Control。
具体地,上述请求获取温度信号Request可以来自主机300,也可以来自存储器管芯的存储控制器。
需要说明的是,当温度数据信号Data在由上一温度值向当前温度值进行转变的过程中,温度数据信号Data是处于数据变更状态,在这种状态下,温度数据信号Data所代表的温度值并不是一个稳定的值。由于在接收到请求获取温度信号Request时,温度数据信号Data可能处于数据变更状态,也可能处于一稳定值,因此,控制模块120进一步被配置为:根据接收到请求获取温度信号Request时温度数据信号Data的变化确定用于输出温度数据信号Data的温度值。
具体来说,请参阅图2以及图3,图2是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路100的细部结构示意图,图3是根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路100的时序关系图,如图中所示:
若控制模块120接收到请求获取温度信号Request时,温度数据信号Data处于一稳定值,温度传感器200生成对应温度数据信号Data的表示当前温度状态有效的温度状态信号State,并输出上述稳定值作为温度数据信号Data的温度值;和/或
若控制模块120接收到请求获取温度信号Request时,温度数据信号Data在动态变化,温度传感器200生成对应温度数据信号的表示当前温度状态无效的温度状态信号State,直到温度数据信号Data处于一稳定值,温度传感器200才将表示当前温度状态无效的温度状态信号State转换为表示当前温度状态有效的温度状态信号State。
需要说明的是,如图3所示,在一个实施例中,温度传感器具有第二时钟CLK_2,在温度数据信号Data动态变化之前,温度状态信号State已持续至少三个第二时钟CLK_2的时长来表示当前温度状态无效,当温度数据信号Data处于一稳定值并持续至少一个第二时钟CLK_2的时长时,温度传感器200才将表示当前温度状态无效的温度状态信号State转换为表示当前温度状态有效的温度状态信号State。
进一步地,控制模块120中具有第二逻辑单元123,该第二逻辑单元123会响应于请求获取温度信号Request以及表示当前温度状态有效的温度状态信号State,而生成控制信号Control。具体地,在一个实施例中,第二逻辑单元123可以为与门,或其他可以响应于上述操作的逻辑元件。
进一步地,温度值输出控制电路100设置于外围电路的微控制器中,并且,控制模块120进一步包括请求获取温度信号处理单元121以及温度状态信号处理单元122,温度值输出控制电路100进一步包括同步模块130,其中:
请求获取温度信号处理单元121被配置为:对接收到的请求获取温度信号Request基于微控制器的系统时钟信号CLK_mcu进行时钟同步处理,以获得经系统时钟信号CLK_mcu同步后的请求获取温度信号Request_Sync;
温度状态信号处理单元122被配置为:对接收到的温度状态信号State基于微控制器的系统时钟信号CLK_mcu进行时钟同步处理,以获得经系统时钟信号CLK_mcu同步后的温度状态信号State_Sync;
同步模块130被配置为:对温度值输出模块110输出的温度数据信号Data基于微控制器的系统时钟信号CLK_mcu进行时钟同步处理,以获得经系统时钟信号CLK_mcu同步后的温度数据信号Data_Sync。
在一个实施例中,温度值输出控制电路100会基于系统时钟信号CLK_mcu对接收到的请求获取温度信号Request进行两级时钟同步处理,且温度值输出控制电路100会基于系统时钟信号CLK_mcu对接收到的温度状态信号State进行两级时钟同步处理。
进一步地,温度值输出模块110具有第一逻辑单元111,第一逻辑单元111会响应于控制信号Control而输出温度数据信号Data。具体地,在一个实施例中,第一逻辑单元111可以为二选一数据选择器,或其他可以响应于上述操作的逻辑元件。
进一步地,在一个实施例中,存储器管芯可以为三维NAND闪存存储器。
区别于现有技术,本发明提供了一种温度值输出控制电路100,设置于存储器管芯的外围电路中,温度值输出控制电路100包括:温度值输出模块110,其被配置为接收温度传感器200所输出的温度数据信号Data;以及,控制模块120,其被配置为响应于接收到来自存储器管芯外部的请求获取温度信号Request,而生成用于驱动温度值输出模块110输出温度数据信号Data的控制信号Control,本发明提供的温度值输出控制电路100,无需因为要获得稳定的温度数据信号Data,而在输出温度数据信号Data前,执行主机300发出的阵列操作(如编程/读取/擦除),从而有效减少了输出温度数据信号Data时所需的操作时间,且由于无需执行主机300发出的阵列操作,可以有效减少不必要的编程/读取/擦除等操作,从而有效避免了主机300被干扰。
请参阅图4,图4是根据本发明而成的实施例所提供的温度值输出控制方法的流程示意图,并请参阅图2所示出的根据本发明一实施例所提供的温度值输出控制电路100的细部结构示意图,该温度值输出控制方法的具体流程可以如下:
获取步骤S101:获取来自存储器管芯外部的请求获取温度信号Request;
生成步骤S102:响应于请求获取温度信号Request,生成用以输出来自温度传感器200的温度数据信号Data的控制信号Control。
需要说明的是,由于在接收到请求获取温度信号Request时,温度数据信号Data可能处于一稳定值,也可能在由上一温度值向当前温度值进行转变的数据变更状态而使其所代表的温度值并不是一个稳定的值,所以,在上述生成步骤S102之前,还包括:
确定步骤:根据获取到请求获取温度信号Request时温度传感器200的温度数据信号Data的变化确定用于输出温度数据信号Data的温度值。
具体地,上述确定步骤可以包括:
第一输出步骤:若获取到请求获取温度信号Request时,温度传感器200的温度数据信号Data处于一稳定值,生成对应温度数据信号Data的表示当前温度状态有效的温度状态信号State,并输出稳定值作为温度数据信号Data的温度值;和/或,
第二输出步骤:若获取到请求获取温度信号Request时,温度传感器200的温度数据信号Data在动态变化,生成对应温度数据信号Data的表示当前温度状态无效的温度状态信号State,直到温度数据信号Data处于一稳定值,将表示当前温度状态无效的温度状态信号State转换为表示当前温度状态无效的温度状态信号State。
进一步地,上述生成步骤S102具体包括:
响应于请求获取温度信号Request以及表示当前温度状态有效的温度状态信号State,生成控制信号Control。
进一步地,在接收到温度状态信号State以及温度数据信号Data后,需要对上述信号进行基于存储器管芯的系统时钟信号CLK_mcu做同步处理,以使上述信号与存储器管芯的系统时钟信号CLK_mcu相一致,例如,上述温度值输出控制方法可以包括:
第一同步步骤:对接收到的温度状态信号State基于存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号CLK_mcu进行时钟同步处理,从而获得经系统时钟信号CLK_mcu同步后的温度状态信号State_Sync;以及,
第二同步步骤:对温度数据信号Data基于存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号CLK_mcu进行时钟同步处理,从而获得经系统时钟信号CLK_mcu同步后的温度数据信号Data_Sync。
进一步地,在现有技术下,主机300通过向存储器发出一个阵列操作(如编程/读取/擦除),当该阵列操作输出的温度值是稳定值之后,存储器的温度值被输出至主机300。而在本实施例中,不管存储器是否接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令,都会根据来自主机300的请求获取温度信号Request生成驱动温度值输出模块110的控制信号Control,进而使温度值输出模块110输出温度数据信号Data,例如,上述生成步骤S102具体包括:
在没有接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机300的请求获取温度信号Request的情况下,能够生成用于驱动温度值输出模块110的控制信号Control;和/或,
在接收到来自存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机300的请求获取温度信号Request的情况下,能够生成用于驱动温度值输出模块110的控制信号Control。
区别于现有技术,本发明提供了一种温度值输出控制方法,包括:获取来自存储器管芯外部的请求获取温度信号Request,之后,响应于请求获取温度信号Request,生成用以输出来自温度传感器200的温度数据信号Data的控制信号Control,本发明提供的温度值输出控制方法,无需因为要获得稳定的温度数据信号Data,而在输出温度数据信号Data前,执行主机300发出的阵列操作(如编程/读取/擦除),从而有效减少了输出温度数据信号Data时所需的操作时间,且由于无需执行主机300发出的阵列操作,可以有效减少不必要的编程/读取/擦除等操作,从而有效避免了主机300被干扰。
请参阅图5,图5是根据本发明一实施例所提供的电子系统400的结构示意图,从图中可以很直观地体现根据本发明一实施例的电子系统400的各组成部分及各组成部分的相对位置关系。
如图5所示,该电子系统400包括存储装置500以及上述主机300,其中,存储装置500包括:用于存储数据的存储器管芯501以及存储器控制器502,存储器管芯501与存储器控制器502以及主机300耦接,存储器控制器502或主机300中设置有用于生成上述请求获取温度信号Request的部件。
进一步地,存储器管芯501包括:外围电路5011以及存储阵列5012,上文所述的温度传感器200以及温度值输出控制电路100设置于外围电路5011中。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效替换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。
综上所述,虽然本发明已将优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (11)
1.一种温度值输出控制电路,设置于存储器管芯的外围电路中,其特征在于,所述温度值输出控制电路包括:
温度值输出模块,其被配置为接收温度传感器所输出的温度数据信号;以及,
控制模块,其被配置为响应于接收到来自所述存储器管芯外部的请求获取温度信号以及所述温度传感器根据所述温度数据信号生成的温度状态信号,而生成用于驱动所述温度值输出模块输出所述温度数据信号的控制信号;
所述控制模块进一步被配置为:
在没有接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,能够生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号;和/或
在接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,能够生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号;
所述控制模块进一步被配置为:
根据接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值。
2.如权利要求1所述的温度值输出控制电路,其特征在于,所述控制模块进一步被配置为:
若接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号处于一稳定值,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态有效的温度状态信号,并输出所述稳定值作为所述温度数据信号的温度值;和/或
若接收到所述请求获取温度信号时所述温度数据信号在动态变化,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态无效的温度状态信号,直到所述温度数据信号处于一稳定值,将所述表示当前温度状态无效的温度状态信号转换为所述表示当前温度状态有效的温度状态信号。
3.如权利要求1所述的温度值输出控制电路,其特征在于,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述控制模块进一步包括:
温度状态信号处理单元,其被配置为:对接收到的所述温度状态信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的温度状态信号。
4.如权利要求1所述的温度值输出控制电路,其特征在于,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述控制模块进一步包括:
请求获取温度信号处理单元,被配置为:对接收到的所述请求获取温度信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的请求获取温度信号。
5.如权利要求1所述的温度值输出控制电路,其特征在于,所述温度值输出控制电路设置于所述外围电路的微控制器中,并且,所述温度值输出控制电路进一步包括:
同步模块,被配置为:对所述温度值输出模块输出的所述温度数据信号基于所述微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,以获得经所述系统时钟信号同步后的温度数据信号。
6.如权利要求1所述的温度值输出控制电路,其特征在于,所述存储器管芯为三维NAND闪存存储器。
7.一种温度值输出控制方法,其特征在于,包括:
获取来自存储器管芯外部的请求获取温度信号;
响应于所述请求获取温度信号以及温度传感器根据温度数据信号生成的温度状态信号,生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号;
在所述生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号的步骤之前,还包括:
根据获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值;
在生成用以输出来自温度传感器的温度数据信号的控制信号的步骤中:
在没有接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令但在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号;或
在接收到来自所述存储器管芯外部的对存储阵列进行操作的指令且在接收到来自主机的请求获取温度信号的情况下,生成用于驱动所述温度值输出模块的所述控制信号。
8.如权利要求7所述的温度值输出控制方法,其特征在于,所述根据获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号的变化确定用于输出所述温度数据信号的温度值的步骤,具体包括:
若获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号处于一稳定值,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态有效的温度状态信号,并输出所述稳定值作为所述温度数据信号的温度值;和/或
若获取到所述请求获取温度信号时温度传感器的温度数据信号在动态变化,生成对应所述温度数据信号的表示当前温度状态无效的温度状态信号,直到所述温度数据信号处于一稳定值,将所述表示当前温度状态无效的温度状态信号转换为所述表示当前温度状态无效的温度状态信号。
9.如权利要求7所述的温度值输出控制方法,其特征在于,所述温度值输出控制方法还包括:
对接收到的所述温度状态信号基于所述存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,从而获得经所述系统时钟信号同步后的温度状态信号。
10.如权利要求7所述的温度值输出控制方法,其特征在于,所述温度值输出控制方法还包括:
对所述温度数据信号基于所述存储器管芯的外围电路的微控制器的系统时钟信号进行时钟同步处理,从而获得经所述系统时钟信号同步后的温度数据信号。
11.一种电子系统,其特征在于,包括:
用于存储数据的存储器管芯;
与所述存储器管芯耦接的存储器控制器或主机;
其中,所述存储器管芯的外围电路中设置有如权利要求1至6任一项所述的温度值输出控制电路;
所述存储器控制器或主机中设置有用于生成如权利要求1至6任一项所述的请求获取温度信号的部件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110924238.3A CN113707203B (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110924238.3A CN113707203B (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113707203A CN113707203A (zh) | 2021-11-26 |
CN113707203B true CN113707203B (zh) | 2024-08-02 |
Family
ID=78652446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110924238.3A Active CN113707203B (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113707203B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109298833A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 三星电子株式会社 | 存储设备及对包括其的电子设备的温度控制 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5875142A (en) * | 1997-06-17 | 1999-02-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit with temperature detector |
KR100655076B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로 |
JP4949013B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-06-06 | ハイニックス セミコンダクター インク | 温度感知装置を備えた半導体メモリ素子及びその駆動方法 |
KR100816690B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지장치를 구비하는 반도체메모리소자 |
KR101594124B1 (ko) * | 2009-04-09 | 2016-02-16 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 램, 이를 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브, 및 이를 포함하는 컴퓨터 시스템 |
US9653156B2 (en) * | 2015-02-20 | 2017-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, nonvolatile semiconductor memory device and memory system |
CN105045922A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-11 | 山东鲁能软件技术有限公司 | 一种电力设备监控方法及监控装置 |
KR102621467B1 (ko) * | 2016-09-05 | 2024-01-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 온도 조절 방법 |
US10354737B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-07-16 | Western Digital Technologies, Inc. | Non-volatile memory sub-block erasure disturb management scheme |
KR102431238B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2022-08-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
-
2021
- 2021-08-12 CN CN202110924238.3A patent/CN113707203B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109298833A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 三星电子株式会社 | 存储设备及对包括其的电子设备的温度控制 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113707203A (zh) | 2021-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101061548B (zh) | 电子系统、刷新dram单元的方法、集成电路晶片 | |
US7827468B2 (en) | Memory system including nonvolatile memory and volatile memory and operating method of same | |
US9355720B2 (en) | Write driver, variable resistance memory apparatus including the same, and operation method | |
JP2007199841A (ja) | 電子機器のコントローラ、バス制御装置 | |
CN105264505A (zh) | 用于具有可变等待时间的存储器操作的设备及方法 | |
US20110093647A1 (en) | System And Method For Controlling Flash Memory | |
CN105339916A (zh) | 用于具有可变等待时间的存储器操作的设备及方法 | |
CN100543678C (zh) | 电子设备及其引导方法 | |
US20010014934A1 (en) | Memory access circuit and memory access control circuit | |
CN107562369A (zh) | 存储器控制器、存储缓冲器芯片和存储系统 | |
JP2000105725A (ja) | チップイネーブル信号生成回路及びメモリ装置 | |
CN113707203B (zh) | 温度值输出控制电路、温度值输出控制方法以及电子系统 | |
US20100153622A1 (en) | Data Access Controller and Data Accessing Method | |
WO2002069127A1 (fr) | Procede de commande d'un support de stockage, commande du support de stockage, et adaptateur de support de stockage | |
CN101047029B (zh) | 半导体存储器件和数据发送/接收系统 | |
JP3800164B2 (ja) | 情報処理装置、情報記憶装置、情報処理方法、及び情報処理プログラム | |
WO2002093580A1 (en) | Method and apparatus for asynchronously controlling a dram array in an sram environment | |
US8120983B2 (en) | Semiconductor device having plurality of operation modes | |
WO2001015436A1 (en) | Universal two dimensional timing generator | |
CN111556994B (zh) | 命令控制系统、车辆、命令控制方法及非瞬态计算机可读介质 | |
US10509754B2 (en) | Information processing apparatus, control method for information processing apparatus, and storage medium | |
US20240330039A1 (en) | Controlling read and write operations of inter-integrated circuits | |
US5301307A (en) | Microprocessor having waiting function | |
CN116501268B (zh) | 应用于ddr phy的数据读取方法 | |
EP4273707A1 (en) | Memory device including address table and operating method for memory controller |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |