JP4903361B2 - 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 - Google Patents
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Description
(1)放送に使用される伝送路はBS(放送衛星)デジタルとする(地上波アナログ、地上波デジタル等にも応用は可能)。
(2)放送されるコンテンツはBML(ブロードキャストマークアップ言語)で記述されるものとし、放送コンテンツと呼称し、ユニークな識別子を有する。またこの識別子は情報コンテンツデータベース220(後述)内のデータと同期しているものとする。
(3)放送受信機はTCP/IP、HTTPのプロトコルスタックが使用可能とする。(回線のみ、無手順であっても可能)
(4)移動体端末についてはi−mode(エヌ・ティー・ティー移動体通信網株式会社の商標)端末を事例に使用する。
(5)放送を視聴する放送受信機はテレビ受像機と呼称する。
(6)「個人識別情報または端末識別情報」を単に識別情報と呼称する。
(7)マークとは番組情報を取得するために指定する行為とする。
20 クリッピングセンタ
60 受信設備
70 通信回線
80 回線網
100 放送信号送出装置
110 外部記憶装置
120 編成装置
121 コンテンツ生成装置
122 番組編成登録装置
200 クリッピングサーバ
201 コマンド受付部
202 端末調査部
203 コンテンツ変換部
204 メニュー作成部
220 情報コンテンツデータベース
230 ユーザ情報データベース
240 ユーザコンテンツサーバ
300 携帯電話機
301 「マーク」ボタン
302 「情報」ボタン
400 カーナビゲーションシステム
600 テレビ受像機
610 リモコン
611 「マーク」ボタン
Claims (14)
- コンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツをストアするコンテンツ提供装置であって、さらにユーザ特定情報の元でコンテンツ特定情報を記録するデータベースを具備して通信ネットワークを介して情報アクセス装置から送られてくるユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を受け取って当該ユーザ特定情報の元で上記データベースに記録されているコンテンツ特定情報により特定される上記放送コンテンツを取り出して上記通信ネットワークを介して上記情報アクセス装置に送信する上記コンテンツ提供装置に、上記通信ネットワークを介して接続される、上記情報アクセス装置において、
放送信号を受信する手段と、
受信した放送信号に含まれる放送コンテンツを再生する手段と、
ユーザ特定情報と、上記放送信号の放送チャネル識別子とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに、上記コンテンツ特定情報を記憶するよう要求する関係付け要求を、上記コンテンツ提供装置に送信する手段と、
ユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を上記コンテンツ提供装置に送信して、上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツの送信を要求する手段とを有することを特徴とする情報アクセス装置。 - コンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツをストアするコンテンツ提供装置であって、さらにユーザ特定情報の元でコンテンツ特定情報を記録するデータベースを具備して通信ネットワークを介して情報アクセス装置から送られてくるユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を受け取って当該ユーザ特定情報の元で上記データベースに記録されているコンテンツ特定情報により特定される上記放送コンテンツを取り出して上記通信ネットワークを介して上記情報アクセス装置に送信する上記コンテンツ提供装置に、上記通信ネットワークを介して接続される、上記情報アクセス装置において、
放送信号を受信する放送信号受信装置から上記放送信号の放送チャネル識別子を取得する手段と、
ユーザ特定情報と、上記放送信号受信装置から取得した上記放送信号の放送チャネル識別子とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに、上記コンテンツ特定情報を記憶するよう要求する関係付け要求を、上記コンテンツ提供装置に送信する手段と、
ユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を上記コンテンツ提供装置に送信して、上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに記憶されている上記コンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツの送信を要求する手段とを有することを特徴とする情報アクセス装置。 - コンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツをストアするコンテンツ提供装置であって、さらにユーザ特定情報の元でコンテンツ特定情報を記録するデータベースを具備して通信ネットワークを介して情報アクセス装置から送られてくるユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を受け取って当該ユーザ特定情報の元で上記データベースに記録されているコンテンツ特定情報により特定される上記放送コンテンツを取り出して上記通信ネットワークを介して上記情報アクセス装置に送信する上記コンテンツ提供装置に、上記通信ネットワークを介して接続される、コンテンツ関連付け要求装置において、
放送信号を受信する放送信号受信装置から上記放送信号の放送チャネル識別子を取得する手段と、
ユーザ特定情報と、上記放送信号受信装置から取得した上記放送信号の放送チャネル識別子とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに、上記コンテンツ特定情報を記憶するよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ関連付け要求装置。 - 上記放送信号受信装置を遠隔制御する機能を有する請求項3記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 上記放送信号受信装置に通信機能を設け、上記通信機能に対して上記関連づけ要求の送信を指示する請求項4記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 放送信号を送信する手段と、
上記放送信号に含まれる放送コンテンツを上記放送信号の放送チャネル識別子および放送時刻情報に関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
関連付け要求用ユーザ装置から送信されてくる関連付け要求であって、ユーザ特定情報および上記放送信号の放送チャネル識別子を含み、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツのコンテンツ特定情報を関係付けるよう要求する関係付け要求を、受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて、上記関連付け要求に含まれる上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに、上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を記憶するデータベースと、
コンテンツ送信要求用ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて、上記データベースにおいて上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報を取り出し当該コンテンツ特定情報で特定される放送コンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ提供装置。 - 上記放送時刻情報は上記ユーザ装置で管理される時刻情報である請求項6記載のコンテンツ提供装置。
- 上記放送時刻情報は上記情報提供装置本体で管理される時刻情報である請求項7記載のコンテンツ提供装置。
- 上記放送チャネル識別子は放送信号を選択するチューナ装置から取得される請求項8記載のコンテンツ提供装置。
- 放送信号に含まれる放送コンテンツを上記放送信号の放送チャネル識別子および放送時刻情報に関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
関連付け要求用ユーザ装置から送信されてくる関連付け要求であって、ユーザ特定情報および放送チャネル識別子を含み、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を関係付けるよう要求する関係付け要求を、受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて、上記関連付け要求に含まれるユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を記憶するデータベースと、
コンテンツ送信要求用ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて、上記データベースにおいて上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報を取り出して当該コンテンツ特定情報で特定される放送コンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ提供装置。 - 放送信号に含まれる放送コンテンツを上記放送信号の放送チャネル識別子および放送時刻情報に関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
関連付け要求用ユーザ装置から送信されてくる関連付け要求であって、ユーザ特定情報および放送チャネル識別子を含み、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を関係付けるよう要求する関係付け要求を、受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を記憶するデータベースと、
コンテンツ送信要求用ユーザ装置の種別を判別する手段と、
上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて、上記データベースにおいて上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報を取り出して当該コンテンツ特定情報で特定され、上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置の種別に対応するフォーマットで準備されたコンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ提供装置。 - 放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを、上記放送信号の放送チャネル識別子および放送時刻情報に関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
関連付け要求用ユーザ装置から送信されてくる関連付け要求であって、ユーザ特定情報および放送チャネル識別子を含み、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を関係付けるよう要求する関係付け要求を、受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記放送コンテンツを特定するコンテンツ特定情報を記憶するデータベースと、
コンテンツ送信要求用ユーザ装置から送信されてくるコンテンツメニュー送信要求に基づいて、上記データベースにおいて上記コンテンツメニュー送信要求に伴うユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報を取り出し当該コンテンツ特定情報で特定される放送コンテンツのメニューを生成して上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置に送信する手段と、
上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置から送信されてくる上記メニューに基づく選択指示に基づいて選択された放送コンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記コンテンツ送信要求用ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ提供装置。 - コンテンツ特定情報により識別される放送コンテンツをストアするコンテンツ提供装置であって、さらにユーザ特定情報の元でコンテンツ特定情報を記録するデータベースを具備して通信ネットワークを介して情報アクセス装置から送られてくるユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を受け取って当該ユーザ特定情報の元で上記データベースに記録されているコンテンツ特定情報により特定される上記放送コンテンツを取り出して上記通信ネットワークを介して上記情報アクセス装置に送信する上記コンテンツ提供装置に、上記通信ネットワークを介して接続される上記情報アクセス装置で実行されるコンピュータプログラムを記録した、情報アクセス用のコンピュータ読取り可能な記録媒体において、
放送信号を受信するステップと、
受信した放送信号に含まれる放送コンテンツを再生するステップと、
ユーザ特定情報と、上記放送チャネル識別子とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに、上記コンテンツ特定情報を記憶するよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信するステップと、
ユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を上記コンテンツ提供装置に送信して、上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに記憶されているコンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツの送信を要求するステップとをコンピュータに実行させるために用いるコンピュータプログラムを記録した、情報アクセス用のコンピュータ読取り可能な記録媒体。 - コンテンツ特定情報により識別される放送コンテンツをストアするコンテンツ提供装置であって、さらにユーザ特定情報の元でコンテンツ特定情報を記録するデータベースを具備して通信ネットワークを介して情報アクセス装置から送られてくるユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を受け取って当該ユーザ特定情報の元で上記データベースに記録されているコンテンツ特定情報により特定される上記放送コンテンツを取り出して上記通信ネットワークを介して上記情報アクセス装置に送信する上記コンテンツ提供装置に、上記通信ネットワークを介して接続される上記情報アクセス装置で実行されるコンピュータプログラムを記録した、情報アクセス用のコンピュータ読取り可能な記録媒体において、
放送信号を受信する放送信号受信装置から上記放送信号の放送チャネル識別子を取得するステップと、
ユーザ特定情報と、上記放送信号受信装置から取得した上記放送信号の放送チャネル識別子とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに、上記コンテンツ特定情報を記憶するよう要求する関係付け要求を、上記コンテンツ提供装置に送信するステップと、
ユーザ特定情報を伴うコンテンツ送信要求を上記コンテンツ提供装置に送信して、上記コンテンツ送信要求に伴うユーザ特定情報により特定される、上記データベースのユーザアカウントに記憶されている上記コンテンツ特定情報により特定される放送コンテンツの送信を要求するステップとをコンピュータに実行させるために用いるコンピュータプログラムを記録した、情報アクセス用のコンピュータ読取り可能な記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000227883 | 2000-07-27 | ||
KR1020010047148A KR100374649B1 (en) | 2001-08-04 | 2001-08-04 | Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002515842A Division JP4174319B2 (ja) | 2000-07-27 | 2001-07-19 | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004147336A JP2004147336A (ja) | 2004-05-20 |
JP2004147336A6 JP2004147336A6 (ja) | 2005-02-17 |
JP2004147336A5 JP2004147336A5 (ja) | 2007-08-23 |
JP4903361B2 true JP4903361B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=19712880
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002227883A Expired - Fee Related JP4148717B2 (ja) | 2001-08-04 | 2002-08-05 | 半導体素子の製造方法 |
JP2003392420A Expired - Fee Related JP4903361B2 (ja) | 2000-07-27 | 2003-11-21 | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002227883A Expired - Fee Related JP4148717B2 (ja) | 2001-08-04 | 2002-08-05 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6548862B2 (ja) |
JP (2) | JP4148717B2 (ja) |
KR (1) | KR100374649B1 (ja) |
CN (1) | CN1290203C (ja) |
DE (1) | DE10234392B4 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398874B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 티자형의 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US6770932B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a memory region and a peripheral region, and a manufacturing method thereof |
US6806126B1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
JP3574644B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-10-06 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6905976B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-06-14 | International Business Machines Corporation | Structure and method of forming a notched gate field effect transistor |
KR100621546B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 엘리베이티드 소오스/드레인 구조의 모스트랜지스터 및 그제조방법 |
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DE102004005992B3 (de) * | 2004-02-06 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur |
WO2006043328A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 情報格納システム及びデジタル放送受信端末及び情報格納装置 |
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US20090218638A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Smith Michael A | Nand flash peripheral circuitry field plate |
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- 2001-08-04 KR KR1020010047148A patent/KR100374649B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-05-14 US US10/144,962 patent/US6548862B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-19 CN CNB021264384A patent/CN1290203C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 DE DE10234392A patent/DE10234392B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-05 JP JP2002227883A patent/JP4148717B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-21 US US10/371,093 patent/US6764910B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-21 JP JP2003392420A patent/JP4903361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10234392B4 (de) | 2008-08-14 |
US20030151097A1 (en) | 2003-08-14 |
JP2003110104A (ja) | 2003-04-11 |
JP2004147336A (ja) | 2004-05-20 |
KR100374649B1 (en) | 2003-03-03 |
US6764910B2 (en) | 2004-07-20 |
CN1290203C (zh) | 2006-12-13 |
JP4148717B2 (ja) | 2008-09-10 |
US20030030103A1 (en) | 2003-02-13 |
DE10234392A1 (de) | 2003-02-27 |
US6548862B2 (en) | 2003-04-15 |
CN1405894A (zh) | 2003-03-26 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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S201 | Request for registration of exclusive licence |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
S804 | Written request for registration of cancellation of exclusive licence |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |