JP4886975B2 - 電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、新規な有機電界発光素子に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、高効率でかつ耐久性に優れた３，６−ジアリールカルバゾール誘導体から成る新規な有機電界発光素子に関するものである。

近年、有機電界発光素子は自己発光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高く、さらには薄膜型の完全固体素子であるために省スペース等の観点から注目され、実用化研究への展開が開始されている。しかしながら、エネルギー変換効率、発光量子効率のさらなる向上や、経時での有機薄膜の安定性の付与など解決すべき問題が多数ある。

これまで、有機電界発光素子は低分子を利用したものと高分子を利用したものが報告されている。低分子系材料においては、種々の積層構造の採用により高効率化の実現が、またドーピング法をうまくコントロールすることにより耐久性の向上が報告されている。ただし、低分子集合体の場合、長時間における経時での膜状態の変化が生じることが報告されており膜の安定性に関して、本質的な問題点を抱えている。

一方、高分子系材料においては、これまで、主にＰＰＶ（ｐｏｌｙ−ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系列やｐｏｌｙ−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ等について精力的に検討が行われてきた。しかしながらこれらの材料系は純度を上げることが困難であることや、本質的に蛍光量子収率が低いことが挙げられ、高性能な有機電界発光素子は得られていないのが現状である。高分子系材料の場合、本質的にガラス状態が安定であることを考慮した場合、高蛍光量子効率を付与することができれば、優れた有機電界発光素子の構築が可能となる。
このように低分子系材料を利用したものと高分子系材料を利用したものには、それぞれ一長一短があることが知られている。

また最近では三重項励起子を利用した高効率化の検討も精力的になされており（Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ， Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ ａｎｄ Ｍ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．，７７，９０４（２０００）等）、発光効率が大きく改善されることが明らかになった。これに伴い発光層に用いられるホスト材料の報告も多くなってきている。

これらのなかで代表的なホスト材料として、下記式で示される４，４′−ビス（カルバゾリル−９）ビフェニル（ＣＢＰ）が挙げられるが、その後の検討により発光層中でＣＢＰの結晶化が進行し、これが素子の寿命を短くしていることが明らかになっている（ＷＯ０１／７２９２７ Ａ１・・・特許文献１）。

この問題を回避するために、ＷＯ０１／７２９２７ Ａ１、特開平９−３１００６６号公報（特許文献２）等ではＣＢＰに代わるカルバゾール化合物の検討がなされている。

ＷＯ０１／７２９２７ Ａ１ 特開平９−３１００６６号公報

本発明は、上記従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、有機層を構成する成分として、特に３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を含有した高効率でかつ耐久性に優れる新規な有機電界発光素子を提供することを目的とする。

本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式（１）に示される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を含有する有機層を有する有機電界発光素子が優れた発光特性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によれば、下記（１）〜（５）が提供される。
（１）互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、下記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（式中、Ｒ１及びＲ２は、無置換のアルキル基、無置換のアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ３及びＲ４は、水素原子を表し、Ｒ５は、無置換のアルキル基、無置換のフェニル基、無置換のアルキルフェニル基、無置換のアルコキシフェニル基、または、無置換のビフェニリル基を表す。）
（２）互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、下記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（式中、Ｒ１及びＲ２は、水素原子を表し、Ｒ３及びＲ４は、水素原子を表し、Ｒ５は、無置換のアルキル基を表す。）

（３）互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなるホール輸送層に前記（１）項または（２）項に記載の一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（４）互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなる発光層に前記（１）項または（２）項に記載の上記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（５）互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなる電子輸送層に前記（１）項または（２）項に記載の上記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

本発明の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を単層もしくは複数層の有機層（ホール輸送層、発光層、電子輸送層等）の少なくとも一層に含有する有機電界発光素子は、新規であって、高効率でかつ耐久性に極めて優れている。

以下、本発明を更に詳細に説明する。
先ず、本発明に用いる３，６−ジアリールカルバゾール誘導体についてさらに詳細に説明する。
本発明で使用される、下記一般式（１）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体、

（式中、Ｒ′およびＲ′′は水素原子、置換または無置換のアルキル基あるいは置換基を有してもよいアリール基を表し、Ｒ′′′は置換または無置換のアルキル基あるいは置換基を有してもよいアリール基を表し、Ａｒ_１およびＡｒ_２は置換基を有してもよいアリール基を表す。）
例えば一般式（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体は下記経路（反応工程）で製造できる。

第１段階の３，６−ジアリール−９Ｈ−カルバゾール誘導体は、パラジウム触媒を用いるアリールホウ素化合物と有機ハロゲン化物のクロスカップリング反応として知られているＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応により得られる。

上記したアリールボロン酸の代わりに、熱的に安定で空気中で容易に扱えるビス（ピナコラト）ジボロンを用いハロゲン化アリールから合成されるアリールボロン酸エステルを用いても良い。

３，６−ジハロゲノ−９Ｈ−カルバゾール誘導体における、ハロゲン原子としては反応性の点からヨウ素化物あるいは臭素化物が好ましい。

パラジウム触媒としてはＰｄ（ＰＰｈ_３）４、ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２およびＰｄＣｌ_２など種々の触媒をもちいることができるが、最も汎用的にはＰｄ（ＰＰｈ_３）_４がもちいられる。

この反応には塩基が必ず必要であるが、Ｎａ_２ＣＯ_３、ＮａＨＣＯ_３などの比較的弱い塩基が良好な結果を与える。立体障害等の影響を受ける場合には、Ｂａ（ＯＨ）_２やＫ_３ＰＯ_４などの強塩基が有効である。その他苛性ソーダ、苛性カリ、金属アルコシド等、例えばカリウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、リチウムｔ−ブトキシド、カリウム２−メチル−２−ブトキシド、ナトリウム２−メチル−２−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムメトキシドなども用いることができる。トリエチルアミン等の有機塩基も用いることができる。

反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル等のアルコールおよびエーテル系、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系の他、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙ることができる。

第１段階で得られた３，６−ジアリール−９Ｈ−カルバゾール誘導体は、第２段階のウルマン反応により本発明で使用される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体へ誘導される。

尚、本発明者等は別途、３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体の提案を行なった。

このようにして得られる本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体及び前記一般式（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体の具体例を以下に示す。

前記一般式（Ｉ）および（２）中、Ｒ′Ｒ′′Ｒ′′′およびＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５が置換または無置換のアルキル基である場合、以下のものを挙げることができる。
炭素数が１〜２５の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子もしくは直鎖又は分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ_１およびＲ_２が置換または無置換のアルコキシ基である場合は、上記置換または無置換アルキル基の結合位に酸素原子を挿入してアルコキシ基としたものが具体例として挙げられる。

Ｒ_１およびＲ_２がハロゲン原子の場合はフッ素原子、塩素原子および臭素原子が挙げられる。

前記一般式（１）および（２）中、Ｒ′Ｒ′′Ｒ′′′およびＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５さらにＡｒ_１、Ａｒ_２が置換基を有しても良いアリール基を表す場合、以下のものを挙げることができる。
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基等の非縮合炭化水素式芳香族多環基が挙げられ、これらは上述した置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、及びフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を置換基として有していてもよい。

ここで、本発明で用いる３，６−ジアリールカルバゾール誘導体は、前記一般式（１）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２の少なくとも一方は連結基を有してもよい炭素環式芳香族基のものが好ましく、より好ましくはＡｒ_１、Ａｒ_２の両方が連結基を有してもよい炭素環式芳香族基のものである。さらに該炭素環式芳香族基としては連結基を有しないものが好ましい。

以上で説明した３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体はホール輸送層、発光層および電子輸送層のいずれにも使用できる。カルバゾール化合物はバイポーラー性を有していることがよく知られているが、さらにその分子設計により、有機電界発光素子として求められる機能に応じて上記のようにホール輸送層、発光層および電子輸送層として適用することができる。

本発明の有機電界発光素子における有機層のうち該３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を含有する層は、公知の熱可塑性ポリマーとともにスピンコート法やキャスト法等の公知の方法によって薄膜化することができる。また湿式成膜法以外に真空蒸着法やスパッタ法等の乾式成膜法を利用することができる。

有機電界発光素子を構成する有機層は、有機層単層もしくは複数層から構成されてもよい。有機層が単層から構成される場合、その層が３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体の単独から構成されても良いし、場合によっては、電子輸送性を有する低分子化合物の分散や高分子化合物とのブレンドまたは他の電荷輸送性ポリマーとのブレンド、さらには蛍光量子効率の極めて高い蛍光分子を微量ドーピングすることも、高効率化に有効である。

電子輸送性物質としては、電子を輸送する能力を持つ既存の材料を使用することができる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（以下ＢＣＰと略記する）、２，９−ジエチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン等とその誘導体やこれまで優れた電子輸送性を有する事が報告されているオキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体を利用することが可能である。

蛍光量子効率の極めて高い蛍光分子としては、溶液状態において強い蛍光を示すレーザー色素等やこれまで有機電界発光素子に発光材として使用されてきた既存の低分子蛍光性材料を利用することが可能である。例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキノレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体がある。上記金属錯体のなかで、成膜性に優れる８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム錯体（以下Ａｌｑ_３と略記する）、またはその誘導体を含むキレート金属錯体系化合物が好適に使用される。

さらに、必要であれば、有機層を複数層から構成することも可能である。本発明において、前記一般式（１）、（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体含有層をホール注入輸送層として用いる場合は、上部にさらにスピンコート法や真空蒸着法により電子注入輸送層や発光層等を積層することが可能である。また、本発明において、前記一般式（１）、（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体含有層を形成する前に、ホール注入輸送層を形成することも性能向上に有効な場合がある。

ホール注入輸送層を構成する材料としては、これまで有機電界発光素子において機能することが報告されているフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、トリフェニルアミン系化合物、ポリシラン等の既存材料を利用することが可能である。これらのなかでトリフェニルアミンに代表される第３級アミン化合物としてはＮ，Ｎ′−ジ−ｍ−トリル−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルー４，４′−ジフェニルジアミン（以下ＴＰＤと略記する）およびＮ，Ｎ′−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルー４，４′−ジフェニルジアミン（以下ＮＰＤと略記する）が好ましい。

本発明において、前記一般式（１）、（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体含有層を電子注入輸送層として用いる場合は、上部にさらにスピンコート法や真空蒸着法によりホール注入輸送層や発光層等を積層することが可能である。

また本発明において、発光層にホスト材料として前記一般式（１）、（２）で表される３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を用いることも極めて有用である。燐光性ドーパントと組み合わせることにより、該３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体の三重項励起子状態を効果的に利用することができる。

燐光性ドーパントとしては、フェニルピリジン骨格を配位子とする、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＯｓおよびＲｅからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属錯体であることが好ましい。具体的にはトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下Ｉｒ（ｐｐｙ）_３と略記する）、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム等が好ましい。
なお本発明の３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体をホスト材料として用いる場合は、３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体に対し燐光性ドーパントを０．１から２５重量％とすることが好ましい。

この様にして形成された有機層の膜厚については特に制限はなく、通常５ｎｍから２０μｍの範囲で選ばれる。更に好ましくは５ｎｍから０．２μｍの範囲である。膜厚はピンホール等の膜欠陥の発生や発光波長での素子内での光干渉や膜厚増加による印加電圧の上昇等を加味して調整される。

本発明における有機電界発光素子の陽極としては４ｅＶ好ましくは４．８ｅＶより大きな仕事関数を持つ金属、合金、酸化金属等が使用される。このような電極材料の具体例としては金、白金、パラジウム、銀、タングステン、ニッケル、コバルト、ＩＴＯ、ＣｕＩ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の透明電極の利用が挙げられる。特に好ましくはＩＴＯ基板が好適である。ＩＴＯ基板の場合表面の平滑なものが好ましく、また表面の汚れを良く洗浄して使用する。洗浄法としては既知の方法でよいがオゾン雰囲気下での紫外線照射や酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行ったものが好適である。

一方、陰極としては、仕事関数の４ｅＶより小さい金属、合金等が利用される。このような物質の具体例としては、セシウム，ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、サマリウム及びこれらの合金等が使用できる。

有機電界発光素子を面発光素子として使用する場合は、これらの電極は少なくとも一方が素子の発光波長領域において十分透明であり、その反対側は発光波長領域において十分反射率が大きいことが望まれる。端面発光の場合には透明である必要は無い。透明電極としては先に述べたＩＴＯが好ましく、その基板も透明なガラス板やプラスチック板が使用される。

得られた有機電界発光素子の環境の温湿度、雰囲気に対する安定性向上のために素子の表面に保護層を設けたり、窒化膜等で封止して素子全体を保護することが有効である。
このようにして得られた本発明の有機電界発光素子に陽極にプラスを陰極にマイナスを接続し、電圧を印加するとＥＬ発光が観測できる。

有機電界発光素子では通電によりジュール熱が発生しその熱により有機層の再結晶化、凝集の進行等や低分子材料の拡散が生じ、これらはいずれも素子の耐久性を低下させる。本発明の有機電界発光素子では有機層に３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体等の３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を用いることにより結晶化や凝集による素子劣化や拡散による素子劣化を抑制することができ、高効率でかつ良好な耐久性を有する素子を得ることができる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって制限されるものではない。

製造例１
３，６−ジブロモカルバゾール２０．０ｇ、４−メトキシフェニルボロン酸２０．６ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．２３ｇをエタノール６０ｍｌおよびトルエン２５０ｍｌに採り、これに炭酸ナトリウムの２２％水溶液１２０ｍｌを加え、窒素雰囲気下５．５時間加熱還流した。熱時、ろ過助剤を用いて不溶物を除去した後、有機層を分離し減圧下溶媒を留去した。水洗後乾燥して淡褐色の粉末２０．２ｇを得た。これをトルエン／エタノールの混合溶媒から再結晶して無色針状晶の３，６−ビス（４−メトキシフェニル）カルバゾール１３．５ｇを得た。
融点 ２１３．０〜２１４．０℃
元素分析値（％）実測値／計算値
Ｃ：８２．６９／８２．３０ Ｈ：５．６１／５．５８ Ｎ：３．７０／３．６９
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
ＮＨ伸縮振動 ３４２６ｃｍ^−１ＣＯＣ伸縮振動 １２３５、１０３５ｃｍ^−１

製造例２
３，６−ビス（４−メトキシフェニル）カルバゾール１３．４ｇ、ヨードベンゼン４０ｍｌ、炭酸カリウム１９．３ｇおよび銅紛１．０ｇを窒素雰囲気下３時間加熱還流した。１００℃まで冷却したのちトルエンを加え、ろ過助剤を用いて不溶物を除去した。溶媒を減圧下留去した後メタノールで洗浄し、無色針状晶の３，６−ビス（４−メトキシフェニル）−９−フェニルカルバゾール（ＣＢＺ１とする）１４．８ｇを得た。融点１６９．５〜１７０．５℃。これをトルエン／エタノールの混合溶媒から再結晶して無色針状結晶を得た。
融点 １７０．０〜１７１．０℃
元素分析値（％）実測値／計算値
Ｃ：８４．３１／８４．３７ Ｈ：５．４４／５．５３ Ｎ：３．０６／３．０７

製造例３〜２２
製造例１で示したＳｕｚｕｋｉカップリング法と、製造例２で示したウルマン反応を用いて（Ｒ_５がアルキル基の場合は常法のアルキル化法による）本発明で用いる３，６−ジフェニルカルバゾール誘導体を得た。結果を表１に示した。

実施例１
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図１に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率６．６％を示した。
また、図２に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．４Ｖにおいて、最大電流密度４．０６５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１２２２６４ｃｄ／ｍ^２（図３）が観測された。また、発光スペクトルは５１０ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例２
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図４に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率６．０％を示した。
また、図５に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．９Ｖにおいて、最大電流密度２．５７５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１３１０７８ｃｄ／ｍ^２（図６）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例３
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ３とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図７に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率５．１％を示した。
また、図８に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１６．９Ｖにおいて、最大電流密度２．６７０Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１１７７９３ｃｄ／ｍ^２（図９）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例４
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ４とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図１０に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率４．５％を示した。
また、図１１に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．２Ｖにおいて、最大電流密度３．７１５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１１４１０４ｃｄ／ｍ^２（図１２）が観測された。また、発光スペクトルは５１０ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例５
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ５とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図１３に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率３．１％を示した。
また、図１４に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．３Ｖにおいて、最大電流密度１．４０８Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度４８７４７ｃｄ／ｍ^２（図１５）が観測された。また、発光スペクトルは５０９ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例６
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ６とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図１６に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率４．８％を示した。
また、図１７に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．２Ｖにおいて、最大電流密度２．１１５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１０１６０１ｃｄ／ｍ^２（図１８）が観測された。また、発光スペクトルは５０８ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例７
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ７とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図１９に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率１１．２％を示した。
また、図２０に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．８Ｖにおいて，最大電流密度２．６４０Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１３２４１２ｃｄ／ｍ^２（図２１）が観測された。また、発光スペクトルは５１１ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例８
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ８とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図２２に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率５．０％を示した。
また、図２３に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１６．１Ｖにおいて、最大電流密度１．０１２Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度２２０３５ｃｄ／ｍ^２（図２４）が観測された。また、発光スペクトルは５０８ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例９
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１１とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図２５に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率６．７％を示した。
また、図２６に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．５Ｖにおいて、最大電流密度２．３８６Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１２７５２２ｃｄ／ｍ^２（図２７）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１０
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１２とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図２８に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率９．２％を示した。
また、図２９に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．５Ｖにおいて、最大電流密度２．６０５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１５４７５６ｃｄ／ｍ^２（図３０）が観測された。また、発光スペクトルは５０９ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１１
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１３とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図３１に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率５．５％を示した。
また、図３２に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．２Ｖにおいて、最大電流密度４．２６９Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度９１５９５ｃｄ／ｍ^２（図３３）が観測された。また、発光スペクトルは５０８ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１２
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１４とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図３４に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率７．０％を示した。
また、図３５に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１４．７Ｖにおいて、最大電流密度４．３１７Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１２８７８２ｃｄ／ｍ^２（図３６）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１３
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１６とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図３７に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率７．９％を示した。
また、図３８に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．１Ｖにおいて、最大電流密度３．７３７Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１４２９８４ｃｄ／ｍ^２（図３９）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１４
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ１９とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図４０に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率０．８％を示した。
また、図４１に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１７．３Ｖにおいて、最大電流密度２．５９４Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１８２３１ｃｄ／ｍ^２（図４２）が観測された。また、発光スペクトルは５１０ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１５
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２０とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図４３に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率７．２％を示した。
また、図４４に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．４Ｖにおいて、最大電流密度３．３８４Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１３０１６３ｃｄ／ｍ^２（図４５）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１６
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２１とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図４６に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率８．０％を示した。
また、図４７に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１８．０Ｖにおいて、最大電流密度２．１９５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１１９５６４ｃｄ／ｍ^２（図４８）が観測された。また、発光スペクトルは５０８ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１７
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２２とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図４９に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率４．２％を示した。
また、図５０に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１７．６Ｖにおいて、最大電流密度２．６９８Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度９６０５８ｃｄ／ｍ^２（図５１）が観測された。また、発光スペクトルは５０８ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１８
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２４とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ_３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図５２に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率５．５％を示した。
また、図５３に示すように、良好な電流−電圧特性を示し、印加電圧１５．１Ｖにおいて、最大電流密度３．５６５Ａ／ｃｍ^２と最大発光輝度１１１５７４ｃｄ／ｍ^２（図５４）が観測された。また、発光スペクトルは５１２ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された。

実施例１９
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを３０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２５とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図５５に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率６．９％を示した。
また、図５６に示すように、良好な電流−電圧特性を示した。また、発光スペクトルは５１５ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された（図５７）。

実施例２０
１１０ｎｍの膜厚のＩＴＯ基板を中性洗剤、アセトン、イソプロパノールで十分に洗浄を行い、イソプロパノールで煮沸洗浄した後に、ＵＶ−オゾンチャンバーで１２分間処理をして、真空蒸着装置に入れた。１×１０^−４Ｐａの真空下にてホール輸送層としてＴＰＤを３０ｎｍ形成した。次に、発光層としてＣＢＺ２６とＩｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着法により２０ｎｍ形成した。この際、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３の濃度を６ｗｔ％に保持した。さらに、電子輸送層としてＢＣＰを１０ｎｍとＡｌｑ３を３０ｎｍ蒸着した。最後に、陰極として、ＭｇＡｇ／Ａｇを１００／１０ｎｍの膜厚でシャドーマスクを介して蒸着を行い、デバイスを完成させた。
素子は、図５５に示すような電流−量子効率の関係を示し、最大量子効率７．３％を示した。
また、図５６に示すように、良好な電流−電圧特性を示した。また、発光スペクトルは５１５ｎｍを中心とするＩｒ（ｐｐｙ）_３からの発光が観測された（図５７）。

実施例１の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例２の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例２の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例２の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例３の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例３の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例３の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例４の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例４の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例４の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例５の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例５の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例５の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例６の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例６の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例６の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例７の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例７の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例７の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例８の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例８の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例８の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例９の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例９の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例９の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１０の有機電界発光素子の電流と量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１０の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１０の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１１の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１１の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１１の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１２の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１２の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１２の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１３の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１３の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１３の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１４の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１４の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１４の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１５の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１５の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１５の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１６の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１６の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１６の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１７の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１７の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１７の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１８の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１８の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１８の有機電界発光素子の発光輝度と電流との関係を示すグラフである。 実施例１９、２０の有機電界発光素子の電流一量子効率との関係を示すグラフである。 実施例１９、２０の有機電界発光素子の電流一電圧との関係を示すグラフである。 実施例１９，２０の有機電界発光素子の発光スペクトルを示すグラフである。

Claims (5)

1. 互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、下記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
   

   

   （式中、Ｒ１及びＲ２は、無置換のアルキル基、無置換のアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ３及びＲ４は、水素原子を表し、Ｒ５は、無置換のアルキル基、無置換のフェニル基、無置換のアルキルフェニル基、無置換のアルコキシフェニル基、または、無置換のビフェニリル基を表す。）
2. 互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、下記一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
   

   

   （式中、Ｒ１及びＲ２は、水素原子を表し、Ｒ３及びＲ４は、水素原子を表し、Ｒ５は、無置換のアルキル基を表す。）
3. 互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなるホール輸送層に請求項１または２に記載の一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
4. 互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなる発光層に請求項１または２に記載の一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
5. 互いに対向する陽極と陰極間に、単層もしくは複数層の有機層から構成される有機電界発光素子において、該有機層の内の単層または複数層からなる電子輸送層に請求項１または２に記載の一般式（２）で表される３，６−ジアリールカルバゾール誘導体を、少なくとも一層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

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