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JP4761713B2 - 電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 - Google Patents

電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を形成して成る電子部品を封止するための電子部品封止用基板、およびそれを用いて電子部品の微小電子機械機構を封止することにより形成される電子装置の製造方法に関するものである。
近年、シリコンウェーハ等の半導体基板の主面に、半導体集積回路素子等の微細配線を形成する加工技術を応用して、極めて微小な電子機械機構、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）を形成した電子部品が注目され、実用化に向けて開発が進められている。
このような微小電子機械機構としては、加速度計、圧力センサ、アクチュエータ等のセンサや、微細な鏡面体を可動式に形成したマイクロミラーデバイス、光デバイス、あるいはマイクロポンプ等を組み込んだマイクロ化学システム等、非常に広い分野にわたるものが試作、開発されている。
そのような微小電子機械機構を形成した電子部品を用いて電子装置を構成するための従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を図４に断面図で示す。図４に示す例では、微小電子機械機構２２が形成された半導体基板２１の主面には、微小電子機械機構２２に電力を供給したり、微小電子機械機構２２から外部の電気回路に電気信号を送り出したりするための電極２３が微小電子機械機構２２と電気的に接続されて形成されており、これら半導体基板２１、微小電子機械機構２２および電極２３により、１つの電子部品２４が構成される。
なお、このような電子部品２４は、通常、半導体基板２１の主面に多数個が縦横に配列形成された多数個取りの形態で形成した後、個々の半導体基板２１に切断することにより製作されるので、この切断の際に切削粉等の異物が微小電子機械機構２２に付着して作動の妨げになることを防止するために、ガラス板２５等で覆われて保護されている。
そして、この電子部品２４を、電子部品収納用の凹部Ａを有するパッケージ３１の凹部Ａ内に収納するとともに、電子部品２４の電極２３をパッケージ３１の電極パッド３２にボンディングワイヤ３３等の導電性接続材を介して接続した後、パッケージ３１の凹部Ａを蓋体３４で覆って電子部品２４を凹部Ａ内に気密封止することにより、電子装置として完成する。この場合、電子部品２４は、微小電子機械機構２２の動作を妨げないようにするため、中空状態で気密封止する必要がある。
この電子装置について、あらかじめパッケージ３１の電極パッド３２から外表面に導出するようにして形成しておいた配線導体３５の導出部分を外部電気回路に接続することにより、気密封止された微小電子機械機構２２が、電極２３、ボンディングワイヤ３３、電極パッド３２および配線導体３５を介して外部の電気回路と電気的に接続される。
また、このような電子部品２４は、通常、広面積の半導体基板の主面に多数個を縦横に配列形成させることにより製作されており、この場合の電子装置の製造方法は、従来、以下のようなものであった。
すなわち、（１）半導体基板の主面に、微小電子機械機構２２およびこれに電気的に接続された電極２３が形成されて成る電子部品領域を多数個、縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、（２）各電子部品の微小電子機械機構２２を、その周囲が中空状態となるようにして、ガラス板２５等で覆って封止する工程と、（３）半導体基板にダイシング加工等の切断加工を施して、個々の電子部品２４に分割する工程と、（４）個々の電子部品２４を、電子部品収納用パッケージ３１内に気密封止する工程と、により製作され。
このような従来の製造方法においては、半導体基板の主面に配列形成された多数の電子部品領域の１個ずつをガラス板２５等で封止して保護しておく必要があること、また、一旦ガラス板２５で封止した電子部品２４を、個々の電子部品２４に分割した後、改めてパッケージ３１内に気密封止するとともに、その電極２３をパッケージ３１の電極パッド３２等に接続して外部接続させる必要があること等のため、生産性が悪く、実用化が難しいという問題があった。
この問題に対し、半導体基板の主面に配列形成された多数個の機構微小電子機械２２を一括して覆い、封止するような基板が提案されている。このような封止用の基板としては、半導体基板や導電性の金属板等から成るもの等が知られている。
封止用の基板が半導体基板から成る場合、例えば、主面に多数個の電子部品領域が配列形成された第１の半導体基板とは別に、この電子部品領域の配列に対応させて多数の凹部を配列形成した封止用の第２の半導体基板を準備し、第１の半導体基板の主面上に第２の半導体基板を、第２の半導体基板の凹部が第１の半導体基板の電子部品領域を覆うようにして接合し、第２の半導体基板に内側に第１の半導体基板の電子部品領域（特に微小電子機械機構）を封止するようにした技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、封止用の基板が導電性を有する金属板から成る場合、導電性を有するカバー用の金属板に所定パターンの溝を形成するとともに、この溝をガラスやセラミック材料で充填して平坦化させた後、その上にボンディング用の導体パターン（電極パッド等）を形成し、この導体パターンに電子部品の電極を接続するとともに金属板を半導体基板の主面に接合し、その後、電子部品領域をセラミックやガラス等で封着するとともに、導体パターンを外部に導出するための外部配線用電極パターンを形成するようにした技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００１−１４４１１７号公報 特開２００２−４３４６３号公報
しかしながら、このような従来の封止用基板を用いて半導体基板の主面の電子部品領域を封止する場合は、多数個の電子部品領域を一括して封止することはできるものの、例えば、半導体を材料とした封止用の基板の場合であれば、基板の内部に３次元的に配線導体を形成することができないため、封止用の（第２の）半導体基板の、電子部品領域が配列形成された（第１の）半導体基板に接合される主面から対向する他方主面にかけて配線導体を導出することができず、電子部品の電極は、第１の半導体基板の主面に形成された電極の一部を封止部の外側に延出させるとともに、この延出部をボンディングワイヤを介して電子部品収納用パッケージの電極パッドや外部の電気回路に接続する必要があり、実装工程（電子部品領域の封止から電子装置として完成させて外部電気回路に接続するまでの工程）が長く、また、個々の電子装置のサイズが大きくなってしまうという問題がある。また、電子装置を組み込んだ電子システムの小型化に有利な表面実装ができないという問題もある。
また、導電性の金属板等から成る封止用の基板の場合であれば、金属板に電極パッド等の導体パターンを形成することができるように、一旦ガラスやセラミックスで金属板の表面に形成した溝等を埋めて絶縁部を形成したり、その絶縁部の表面に、実装工程の途中で導体部を形成したりする必要があるため、この場合も、電子部品の実装工程を短くすることが困難であるという問題がある。
さらに、微小電子機械機構（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）を形成した電子部品においては、近年、低電圧駆動かつ高速化が行われるようになってきており、電子部品の外部から侵入する高調波ノイズの影響を受けやすく、配線導体を伝わり外部より伝播してきた高周波ノイズにより電気特性の変化やＭＥＭＳ領域の破壊などが起こるとともに、配線導体を伝播する信号に含まれる高調波ノイズが電子部品の外部に放出され易いものとなってきていることから、電子部品の外部近接位置にノイズ発生源があると絶縁基板に被着形成された配線導体を伝播する信号に電磁波ノイズが入り込み、微小電子機械機構に伝播されて誤動作させてしまったり、また電子部品の駆動部を破壊してしまったり、あるいは電子部品の外部近傍位置に電磁波ノイズに対して影響を受け易い電子機器等があると電子部品より放出された電磁波ノイズがこの電子機器等に悪影響を及ぼすという問題があった。
また、高周波ノイズの影響を低減するためにローパスフィルタをＭＥＭＳの近傍に実装したり、プリント板に導体パターンを用いてローパスフィルタを作製するなどの手法が取られており、実装面積が大きくなるという問題点があった。
本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、半導体基板の主面に形成された微小電子機械機構を容易かつ確実に封止することができるとともに、この微小電子機械機構と接続された半導体基板の主面に形成されている電極を容易かつ確実に、例えば表面実装が可能な形態で外部接続させることができ、かつ微小電子機械機構を形成した電子部品の外部から侵入する高調波ノイズの影響を受けにくいとともに、配線導体を伝播する信号に含まれる高調波ノイズが電子部品の外部に放出されにくい電子部品封止用基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、このような微小電子機械機構および電極から成る電子部品領域が半導体基板の主面に多数個縦横に配列形成されていたとしても、これらを容易かつ確実に封止することが可能な封止用基板を提供するとともに、このような封止用基板を用いて、微小電子機械機構が封止されて成る多数個の電子装置を、例えば表面実装が可能な形態で一括して形成することが可能な電子装置の製造方法を提供することにある。
本発明の電子部品封止用基板は、一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、前記一方主面に凹部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、前記配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、前記ローパスフィルタは前記高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続されており、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品の前記電極を前記接続端子に接合し、前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合することによって、前記絶縁基板の前記微小電子機械機構に対向する部位に凹部が形成されているとともに、前記枠部材の内側に前記電子部品の前記微小電子機械機構を気密封止することを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品封止用基板は、上記構成において好ましくは、前記ローパスフィルタは、π型に接続されたコンデンサおよびインダクタ回路から成ることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品封止用基板は、上記構成において好ましくは、前記絶縁基板は平面視形状が四角形であり、前記コンデンサは、前記枠部材よりも内側に、平面視で前記絶縁基板の対向する２辺の中心を通る直線または対角線に対して線対称に形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品封止用基板は、上記構成において好ましくは、前記ローパスフィルタは、直線状の前記導体パターンと、前記導体パターンに形成された複数の突出部とから構成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品封止用基板は、上記構成において好ましくは、前記接続パッドおよび前記接続端子が内側に形成された前記枠部材が多数個縦横に配列形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の電子装置の製造方法は、半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を多数個縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、前記一方主面に凹部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、前記配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、前記ローパスフィルタは前記高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続された電子部品封止領域を多数個、前記電子部品の前記電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用基板を準備する工程と、前記電子部品の前記電極を前記接続端子に接合するとともに、前記半導体基板の前記主面に形成されている前記微小電子機械機構に対向するように前記絶縁基板の前記一方主面に形成されている前記凹部を配置し、前記微小電子機械機構の周囲の前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して、前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記電子部品および前記電子部品封止用基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程とを具備することを特徴とするものである。
本発明の電子部品封止用基板によれば、一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、一方主面に凹部が形成された絶縁基板と、絶縁基板の一方主面に形成された、配線導体と電気的に接続された接続パッドと、絶縁基板の一方主面に接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、接続パッド上に形成された、枠部材と同じ高さの接続端子と、絶縁基板の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、ローパスフィルタは高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続されており、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品の電極を接続端子に接合し、半導体基板の主面を枠部材の主面に接合することによって、絶縁基板の微小電子機械機構に対向する部位に凹部が形成されているとともに、枠部材の内側に電子部品の微小電子機械機構を気密封止するようにしたことから、枠部材の主面を半導体基板の主面に接合させるだけで、電子部品の微小電子機械機構を、枠部材と絶縁基板とにより容易かつ確実に封止することができる。
また、枠部材の主面の高さが、接続パッド上に形成された接続端子の高さと同じであるので、枠部材の主面を半導体基板の主面に接合するときに、半導体基板の主面に形成されている電極を接続端子に容易かつ確実に接続することができる。また、この接続端子から接続パッドおよび配線導体を介して、電子部品の電極を外部に導出することもできる。
また、絶縁基板の内部または表面には、導体パターンから成るローパスフィルタが形成されており、配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、ローパスフィルタは高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続されていることから、駆動するＭＥＭＳが駆動中に外部より高周波ノイズが伝播してきても、駆動中のＭＥＭＳには高周波ノイズはローパスフィルタによって選択的にカットされＭＥＭＳに与える悪影響をより低減することができる。
また本発明において好ましくは、ローパスフィルタは、π型に接続されたコンデンサおよびインダクタ回路から形成されているため、ローパスフィルタの入出力部において、コンデンサ回路をほぼ対称に配置することができるため、絶縁基板作製時の反りを低減することができ、ＭＥＭＳを絶縁基板に実装した際の１次実装信頼性が向上する。
また本発明において好ましくは、絶縁基板は平面視形状が四角形であり、コンデンサは、枠部材よりも内側に、平面視で絶縁基板の対向する２辺の中心を通る直線または対角線に対して線対称に形成することにより、絶縁基板作製時の反りをさらに低減することができ、ＭＥＭＳと絶縁基板との接続信頼性がより向上する。
また本発明において好ましくは、ローパスフィルタは、絶縁基板の内部または表面に形成された直線状の導体パターンと、導体パターンに形成された複数の突出部とから構成されていることにより、自己共振周波数が高くなることから、更なる高周波帯での使用が可能になる。また、ローパスフィルタをより小型にして作製することができるので、絶縁基板作製時の反りを低減することができ、ＭＥＭＳを絶縁基板に実装した際の１次実装信頼性が向上する。その結果、信頼性の高い電子部品封止用基板を得ることができる。
また、本発明の電子部品封止用基板は、例えば、セラミック多層配線基板等の絶縁基板を用いて形成したものとすることにより、配線導体を、接続パッドや枠部材が形成、接合されている一方主面から他方主面や側面にかけて、基板の内部や表面に自由に形成して導出させることができ、この導出された端部に外部接続用の金属バンプを取着させること等により、容易に表面実装することが可能な電子装置として完成させることができる。
また、本発明の電子部品封止用基板において、接続パッドおよび接続端子が内側に形成された枠部材を多数個縦横に配列形成した場合には、半導体基板の主面に多数の電子部品領域が縦横に配列形成されていたとしても、これらを一括して外部接続が可能なようにして封止することができる。
本発明の電子装置の製造方法によれば、上記各工程を具備することから、縦横に配列形成された多数個の電子部品領域について、それぞれの電極の外部接続のための接続と微小電子機械機構の封止とを同時に行なうことができるため、互いに接合された電子部品および電子部品封止用基板から成る電子装置を、容易かつ確実に多数個製造することができる。
また、互いに接合された電子部品および電子部品封止用基板を電子部品封止領域毎に分割することにより、電子部品封止領域に電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を多数個同時に製造することができる。この分割の際、電子部品領域の微小電子機械機構は封止用基板により封止されているので、ダイシング加工等による分割で発生するシリコン等の半導体基板の切削粉が微小電子機械機構に付着するようなことはなく、分割後の電子装置において微小電子機械機構を確実に作動させることができる。
また、分割して得られた電子装置は、絶縁基板の他方主面や側面に配線導体が導出されているので、この導出された端部に金属バンプ等の端子を取着するだけで、表面実装等により外部電気回路基板に実装することができるものとなり、実装の工程を非常に短く、かつ実装が容易なものとすることができる電子装置となる。
本発明の電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置の製造方法について以下に詳細に説明する。
図１は本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は接続パッド、４は枠部材、５は接続端子である。これら絶縁基板１、配線導体２、接続パッド３、枠部材４および接続端子５により電子部品封止用基板６が形成される。
この電子部品封止用基板６を用いて、半導体基板７の主面（図１の例では下面）に、微小電子機械機構８と電極９とを互いに電気的に接続するようにして形成して成る電子部品１０を封止することにより、微小電子機械機構８が外部接続可能な状態で封止されてなる電子装置が形成される。
本発明における微小電子機械機構８は、例えば電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、ハードディスク用磁気ヘッド、マイク、バイオセンサー、ＤＮＡチップ、マイクロリアクタ、プリントヘッド、加速度センサ、圧力センサなどの各種センサ、ディスプレイデバイスなどの機能を有する電子装置であり、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作る部品であり、１素子あたり１０μｍ〜数１００μｍ程度の寸法を有する。
絶縁基板１は、微小電子機械機構８を封止するための蓋体として機能するとともに、配線導体２、接続パッド３、枠部材４および接続端子５を形成するための基体として機能する。
この絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス材料や、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材等により形成される。
絶縁基板１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート上に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。なお、絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体で形成するものに限らず、用途や気密封止する電子部品１０の特性等に応じて適したものを選択することが好ましい。
例えば、絶縁基板１は、後述するように、枠部材４を介して半導体基板７と機械的に接合されるので、半導体基板７との接合の信頼性、つまり微小電子機械機構８の封止の気密性を高くするためには、ムライト質焼結体や、例えばガラス成分の種類や添加量を調整することにより熱膨張係数を半導体基板７に近似させるようにした酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系等のガラスセラミックス焼結体等のような半導体基板７との熱膨張係数の差が小さい材料で形成することが好ましい。
また、絶縁基板１は、配線導体２により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で形成することが好ましい。
また、絶縁基板１は、封止する微小電子機械機構８の発熱量が大きく、この熱の外部への放散性を良好とするような場合には、窒化アルミニウム質焼結体等のような熱伝導率の大きな材料で形成することが好ましい。
絶縁基板１の一方主面（微小電子機械機構８を封止する側の主面）からは、他方主面または側面に配線導体２が導出されている。
また、この絶縁基板１の一方主面側の枠部材４の内側の部位には、配線導体２と接続された接続パッド３が形成されている。
これらの配線導体２および接続パッド３は、接続パッド３上に形成される接続端子５を介して電子部品１０の電極９と電気的に接続され、これを絶縁基板１の他方主面や側面に導出する機能を有する。
これらの配線導体２および接続パッド３は、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料により形成される。この形成の手段としては、メタライズ層、めっき層、蒸着等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、タングステンのメタライズ層から成る場合であれば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）に印刷してこれをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。
接続端子５は、錫−銀系、錫−銀−銅系等の半田、金−錫ろう等の低融点ろう材、銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂による接合が可能な金属材料、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法による接合が可能な金属材料等により形成されている。
この接続端子５を電子部品１０の電極９に接合することにより、電子部品１０の電極９が、接続端子５、接続パッド３および配線導体２を介して、絶縁基板１の他方主面または側面に導出される。そして、この導出された端部を外部の電気回路に錫−鉛半田等を介して接合することにより、電子部品１０の電極９が外部の電気回路と電気的に接続される。
また、絶縁基板１の一方主面には、接続パッド３を取り囲むようにして枠部材４が接合されている。枠部材４は、電子部品１０の微小電子機械機構８をその内側に気密封止するための側壁として機能する。この枠部材４の主面（図１の例では上面）を電子部品１０の主面（図１の例では下面）に接合させることにより、枠部材４の内側に微小電子機械機構８が気密封止される。なお、この場合、半導体基板７が底板となり、絶縁基板１が蓋体となる。
枠部材４は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の鉄−ニッケル系合金、無酸素銅、アルミニウム、ステンレス鋼、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の無機系材料、あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂系材料等により形成される。
また、枠部材４の主面を電子部品１０の半導体基板７の主面に接合する方法としては、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材，銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法を用いることができる。
そして、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品１０について、電極９を接続端子５に接合し、半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合させることによって、枠部材４の内側に電子部品１０の微小電子機械機構８が気密封止された電子装置が形成される。
そして、この絶縁基板１の内部または表面には、導体パターンから成るローパスフィルタ１２が形成されており、配線導体２は高周波信号が伝送されるものを含み、ローパスフィルタ１２は高周波信号が伝送される配線導体２に直列に接続されていることから、ローパスフィルタ１２は高周波信号に対し高いインピーダンスを有するものとなり、駆動するＭＥＭＳが駆動中に外部より高周波ノイズが伝播してきても、駆動中のＭＥＭＳには高周波ノイズはローパスフィルタ１２によって選択的にカットされＭＥＭＳに与える悪影響をより低減することができる。
また、ローパスフィルタ１２は、好ましくはπ型に接続されたコンデンサおよびインダクタ回路から形成されているため、ローパスフィルタ１２の入出力部において、コンデンサ回路をほぼ対称に配置することができるため、絶縁基板１を作製するときの反りを低減することができ、ＭＥＭＳを絶縁基板１に実装した際の１次実装信頼性が向上する。
π型に接続されたコンデンサおよびインダクタ回路から成るローパスフィルタ１２とは、具体的には、高周波信号が伝送される配線導体２に直列に接続されたインダクタ回路と、そのインダクタ回路の両端に、接地（グランド）に対向電極の一方が接続されたコンデンサを接続する構成のものである。
また本発明において、絶縁基板１は平面視形状が四角形であり、コンデンサは、枠部材４よりも内側に、平面視で絶縁基板１の対向する２辺の中心を通る直線または対角線に対して線対称に形成することが好ましい。これにより、絶縁基板１を作製するときの反りをさらに低減することができ、ＭＥＭＳと絶縁基板１との接続信頼性がより向上する。
また、コンデンサは、絶縁基板１の内部または表面に形成された導体パターンを用いて成る電極として、たとえば四角型、丸型などの形状が上下に重なっているものとなっている。
そして、インダクタ回路は、たとえば、ミアンダ型、スパイラル型などの導体パターンで形成される。
また、好ましくはローパスフィルタ１２は、直線状の導体パターンと、導体パターンに形成された複数の突出部とにより形成することで、分布定数回路として機能させることができ、自己共振周波数が高くなることから、更なる高周波帯での使用が可能になる。
さらに、ローパスフィルタ１２をより小型に作製することができるので、絶縁基板１を作製するときの反りを低減することができ、ＭＥＭＳを絶縁基板１に実装した際の、１次実装信頼性が向上する。結果、信頼性の高い電子部品封止用基板６を得ることができる。
なお、このローパスフィルタ１２は配線導体２および接続パッド３と同様に作製される。
この電子装置のうち配線導体２の導出部分を、半田ボール等の外部端子１１を介して外部の電気回路に接続することにより、微小電子機械機構８が外部電気回路と電気的に接続される。
なお、図１に示すように、枠部材４が接合される絶縁基板１の主面に、接続パッド３と同様の材料により導体層３ａを形成しておき、この導体層３ａから絶縁基板１の他方主面にかけて配線導体２の一部を導出させるようにしてもよい。この導体層３ａから導出された配線導体２の導出部分は、上述の外部端子１１等を介して外部電気回路の接地用端子等に接続することができる。
この場合、接続端子５と電極９との接合、および枠部材４の主面と半導体基板７の主面との接合を一つの工程で確実かつ容易に行なうことを可能とするために、接続端子５の高さと枠部材４の高さとは同じ高さとしておく。
また、本発明の電子部品封止用基板６は、図２に実施の形態の他の例を断面図で示すように、このような接続パッド３および枠部材４を広面積の母基板の一方主面に縦横に配列形成した、いわゆる多数個取りの形態としておくことが好ましい。なお、図２において、図１と同じ部位には同じ符号を付してある。
このような多数個取りの形態としておくと、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が多数個配列形成された、多数個取りの形態で製作される電子部品１０を、多数個同時に気密封止することができ、生産性を優れたものとすることができる。
また、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が多数個配列形成された、多数個取りの形態で製作される電子部品１０を一括して封止しておくと、この半導体基板７（および電子部品封止用基板６）にダイシング加工等の切断加工を施して、個々の電子部品１０（電子装置）に分割する際に、切断に伴って発生する切削粉等が微小電子機械機構８に付着してその作動を妨害するという不具合の発生を効果的に防止することができる。
次に、このような電子部品封止用基板６を用いた、電子装置の製造方法について、図３（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明する。図３は、本発明の電子装置の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図であり、図３において図１および図２と同じ部位には同じ符号を付してある。
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板７の主面に、微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品領域１０ａを多数個縦横に配列形成した多数個取りの電子部品１０ｂを準備する。半導体基板７は、例えば単結晶や多結晶等のシリコン基板から成る。このシリコン基板の表面に酸化シリコン層を形成するとともに、フォトリソグラフィ等の微細配線加工技術を応用して、微小な振動体等の微小電子機械機構８および円形状パターン等の導体から成る電極９が形成された電子部品領域１０ａを多数個配列形成することにより、多数個取りの電子部品１０ｂが形成される。なお、この例においては、微小電子機械機構８と電極９とは、それぞれ半導体基板７の主面に形成された微細配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。
次に、図３（ｂ）に示すように、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１と、絶縁基板１の一方主面に形成された、配線導体２と電気的に接続された接続パッド３と、絶縁基板１の一方主面に接続パッド３を取り囲むようにして接合された枠部材４と、接続パッド３上に形成された、枠部材４と同じ高さの接続端子５とから成る電子部品封止領域６ａを多数個、電子部品の電子部品領域１０ａに対応させて配列形成した多数個取りの電子部品封止用基板６ｂを準備する。
一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１は、例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体から成り、配線導体２がタングステンのメタライズ層から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム等の原料粉末を、有機溶剤、樹脂バインダとともに混練してスラリーを得て、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等によりシート状に成形して複数のグリーンシートを形成し、このグリーンシートの表面に、および必要に応じてグリーンシートにあらかじめ形成しておいた貫通孔内に、タングステンのメタライズペーストを印刷塗布し充填し、その後、これらのグリーンシートを積層して焼成することにより形成することができる。
なお、これらのグリーンシートのうち、一部のものに打ち抜き加工を施して四角形状等の開口部を形成しておき、これを一方主面側の最表層に配置し、または最表層から内部に向かって数層積層するようにして、焼成後の絶縁基板１の一方主面に、電子部品領域１０ａの配列に対応する凹部１ａが配列形成されるようにしておく。このように凹部１ａを形成しておくと、この凹部１ａの内側に微小電子機械機構８を収めることができるので、微
小電子機械機構８を取り囲むための枠部材４の高さを低く抑えることができ、電子装置の低背化に有利なものとなる。
また、接続パッド３は、通常、配線導体２と同様の材料から成り、例えば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートのうち最表面に、配線導体２となる印刷されたタングステンペーストと接続されるようにして、かつ多数個が縦横に配列形成されるようにして、スクリーン印刷法等により印刷しておくことにより形成される。
また、枠部材４は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る場合であれば、鉄−ニッケル−コバルト合金の金属板に圧延加工や金型による打ち抜き加工またはエッチング加工を施し、枠状に成形することにより製作される。
枠部材４と絶縁基板１との接合は、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材や銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法により行なうことができる。
この枠部材４と同じ高さとなるようにして、接続端子５が接続パッド３上に形成される。接続端子５は、例えば、錫−銀系等の半田から成る場合であれば、この半田のボールを接続パッド３上に位置決めして加熱、溶融、接合させることにより形成される。
接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとする方法としては、例えば、接続端子５となる錫−銀半田を溶融させて接続パッド３上に取着形成する際に、その上面を枠部材４と同じ高さとなるようにしてセラミックス製の治具等で押さえておく等の方法を用いることができる。
次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品１０ｂを電子部品封止用基板６ｂに対し各電子部品領域１０ａと各電子部品封止領域６ａとを対応させて重ね合わせ、電極９を接続端子５に接合するとともに、微小電子機械機構８の周囲の半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合して、微小電子機械機構８を枠部材４の内側に気密封止する。
ここで、電極９と接続端子５との接合は、例えば、接続端子５が錫−銀系半田から成る場合であれば、電極９上に接続端子５を位置合わせして載せ、これらを約２５０℃〜３００℃程度の温度のリフロー炉中で熱処理すること等により行なわれる。
また、微小電子機械機構８の周囲の半導体基板７の主面と枠部材４の主面との接合は、例えば、この接合面に、接続端子５と同様の錫−銀系の半田を挟んでおき、上述の電極９と接続端子５との接合と同時にリフロー炉中で熱処理することにより行なうことができる。この場合、接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとしていることから、電極９と接続端子５との接合と、枠部材４の主面と半導体基板７の主面との接合を容易かつ確実に、同時に行なうことができる。
このように、本発明の電子装置の製造方法によれば、電子部品領域１０ａの電極９の外部導出のための接合と、微小電子機械機構８の気密封止のための接合とを同時に行なうことができるため、数時間程度を要する半田（ろう）付け等の接合の工程を、従来の製造方法に比べて、確実に少なくとも１工程減らすことができるので、電子装置の生産性を非常に高めることができる。
そして、図３（ｄ）に示すように、互いに接合された多数個取りの形態の電子部品１０ｂおよび電子部品封止用基板６ｂを電子部品封止領域６ａ毎に分割して、電子部品封止領域６ａが分割された電子部品封止用基板６に電子部品領域１０ａが分割された電子部品１０が接合されて成る個々の電子装置を得る。
互いに接合された、それぞれ多数個取りの形態の電子部品１０ｂおよび電子部品封止用基板６ｂの接合体の切断は、この接合体に対して、ダイシング加工等の切断加工を施すことにより行なうことができる。
本発明の電子装置の製造方法においては、このダイシング加工等の切断加工の際に、各微小電子機械機構８は枠部材４の内側でこの枠部材４と半導体基板７と絶縁基板１とにより気密封止されているので、半導体基板７や絶縁基板１等の切断に伴って発生するシリコンやセラミックス等の切削粉等が微小電子機械機構８に付着することはなく、完成した電子装置において、微小電子機械機構８を確実に正常に作動させることができる。
このように、本発明の電子装置の製造方法によれば、従来のように、半導体基板７の主面に多数個を縦横に配列形成した電子部品領域１０ａを切断する際に、その微小電子機械機構８をガラス板等で覆って保護するような工程を別途追加する必要はなく、この、保護のためだけという工程を確実に削除することができるので、電子装置の生産性を非常に高いものとすることができる。
また、このようにして製造された電子装置は、すでに気密封止されているとともに、その電極が配線導体２を介して外部に導出された状態であるので、これを別途パッケージ内に実装するような工程を追加する必要はなく、配線導体２の導出された部分を外部の電気回路に半田ボール等の外部端子１１を介して接続するだけで、外部電気回路基板に実装して使用することができる。
また、この場合、配線導体２は、絶縁基体１の他方主面または側面に導出されているので、外部電気回路に表面実装の形態で接続することができ、高密度に実装することや外部電気回路の基板を効果的に小型化することができる。
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更を施すことは可能である。例えば、上述の実施の形態の例では一つの電子装置内に一つの微小電子機械機構を気密封止したが、一つの電子装置内に複数の微小電子機械機構を気密封止してもよい。また、図１に示した例では、配線導体２は絶縁基板１の他方主面側に導出しているが、これを側面に導出したり側面および他方主面の両方に導出したりしてもよい。また、この導出された部分の外部電気回路への電気的な接続は、外部端子として半田ボールを介して行なうものに限らず、リード端子や導電性接着剤等を介して行なってもよい。
また、本発明におけるローパスフィルタ１２は高周波ノイズの低減のみに用いられるものではなく、その他マッチング、位相調整などに用いられてもよく、上記の使用形態に限定されるものではない。
本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の電子装置の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図である。 従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を示す断面図である。
符号の説明
１：絶縁基板
２：配線導体
３：接続パッド
４：枠部材
５：接続端子
６：電子部品封止用基板
６ａ：電子部品封止領域
６ｂ：電子部品封止用基板
７：半導体基板
８：微小電子機械機構
９：電極
１０：電子部品
１０ａ：電子部品領域
１０ｂ：電子部品
１１：外部端子
１２：ローパスフィルタ

Claims (6)

  1. 一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、前記一方主面に凹部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、前記配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、前記ローパスフィルタは前記高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続されており、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品の前記電極を前記接続端子に接合し、前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合することによって、前記絶縁基板の前記微小電子機械機構に対向する部位に凹部が形成されているとともに、前記枠部材の内側に前記電子部品の前記微小電子機械機構を気密封止することを特徴とする電子部品封止用基板。
  2. 前記ローパスフィルタは、π型に接続されたコンデンサおよびインダクタ回路から成ることを特徴とする請求項１記載の電子部品封止用基板。
  3. 前記絶縁基板は平面視形状が四角形であり、前記コンデンサは、前記枠部材よりも内側に、平面視で前記絶縁基板の対向する２辺の中心を通る直線または対角線に対して線対称に形成されていることを特徴とする請求項２記載の電子部品封止用基板。
  4. 前記ローパスフィルタは、直線状の前記導体パターンと、前記導体パターンに形成された複数の突出部とから構成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品封止用基板。
  5. 絶縁母基板の一方主面に多数個縦横に配列形成された、前記一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、前記一方主面に凹部が形成された絶縁基板領域と、該各絶縁基板領域の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記各絶縁基板領域の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記各絶縁基板領域の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、前記配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、前記ローパスフィルタは前記高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続されており、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電
    子部品の前記電極を前記接続端子に接合するとともに、前記半導体基板の前記主面に形成されている前記微小電子機械機構に対向するように前記各絶縁基板領域の前記一方主面に形成されている前記凹部を配置し、前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合することによって、前記各絶縁基板領域の前記枠部材の内側に前記電子部品の前記微小電子機械機構をそれぞれ気密封止することを特徴とする多数個取り用電子部品封止用基板。
  6. 半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を多数個縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、一方主面から他方主面または側面に導出された複数の配線導体が形成され、前記一方主面に凹部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板の内部または表面に形成された導体パターンから成るローパスフィルタとから成り、前記配線導体は高周波信号が伝送されるものを含み、前記ローパスフィルタは前記高周波信号が伝送される配線導体に直列に接続された電子部品封止領域を多数個、前記電子部品の前記電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用基板を準備する工程と、前記電子部品の前記電極を前記接続端子に接合するとともに、前記半導体基板の前記主面に形成されている前記微小電子機械機構に対向するように前記絶縁基板の前記一方主面に形成されている前記凹部を配置し、前記微小電子機械機構の周囲の前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して、前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記電子部品および前記電子部品封止用基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程とを具備することを特徴とする電子装置の製造方法。
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