JP2002353755A - 増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置 - Google Patents
増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置Info
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- JP2002353755A JP2002353755A JP2001162324A JP2001162324A JP2002353755A JP 2002353755 A JP2002353755 A JP 2002353755A JP 2001162324 A JP2001162324 A JP 2001162324A JP 2001162324 A JP2001162324 A JP 2001162324A JP 2002353755 A JP2002353755 A JP 2002353755A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光伝送装置及びその構成要素において、位相
の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧する。 【解決手段】 増幅器1の入力信号である伝送信号は、
増幅部151、152〜15nにより増幅され、また、
高周波成分を低域通過フィルタL1、L2により低減す
る。低域通過フィルタL1、L2は、低域通過フィルタ
L1、L2の構成素子と多段の増幅部151、152〜
15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延
偏差を低減するように構成されている。
の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧する。 【解決手段】 増幅器1の入力信号である伝送信号は、
増幅部151、152〜15nにより増幅され、また、
高周波成分を低域通過フィルタL1、L2により低減す
る。低域通過フィルタL1、L2は、低域通過フィルタ
L1、L2の構成素子と多段の増幅部151、152〜
15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延
偏差を低減するように構成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタの構成素
子による位相の乱れによる群遅延偏差の増大を抑圧する
増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置に
関する。
子による位相の乱れによる群遅延偏差の増大を抑圧する
増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、帯域制限機能を有する増幅器とし
ては、特開2000−307355号公報に記載された
ものが知られている。図69はその従来の増幅器100
の構成を示すブロック図であり、増幅器100は多段の
増幅器151、152〜15nの他に、非伝送帯域信号
を低減させるフィルタ機能(帯域制限フィルタ160)
を有する。
ては、特開2000−307355号公報に記載された
ものが知られている。図69はその従来の増幅器100
の構成を示すブロック図であり、増幅器100は多段の
増幅器151、152〜15nの他に、非伝送帯域信号
を低減させるフィルタ機能(帯域制限フィルタ160)
を有する。
【0003】図70は図69に示す従来の増幅器100
を有する光送信装置110を有する光変調装置115及
び光送信装置110を示すブロック図である。光送信装
置110はFM変調器111と光変調装置115により
構成され、光変調装置115は増幅器112と、分周器
113と、図69に示す増幅器100と半導体レーザ
(LD)114により構成されている。図71は図70
に示す光送信装置110から送信された信号を光ファイ
バ伝送路120を介して受信する光受信装置130を示
し、光受信装置130は光受信機131とFM復調器1
32により構成されている。
を有する光送信装置110を有する光変調装置115及
び光送信装置110を示すブロック図である。光送信装
置110はFM変調器111と光変調装置115により
構成され、光変調装置115は増幅器112と、分周器
113と、図69に示す増幅器100と半導体レーザ
(LD)114により構成されている。図71は図70
に示す光送信装置110から送信された信号を光ファイ
バ伝送路120を介して受信する光受信装置130を示
し、光受信装置130は光受信機131とFM復調器1
32により構成されている。
【0004】また、図72は図70に示す光送信装置1
10と図71に示す光受信装置130を光ファイバ伝送
路120を介して接続した光伝送装置200を示してい
る。光伝送装置200は、画像信号などが周波数多重化
された多チャネル入力信号を一括してFM変調すること
でFM一括変調信号を生成するとともに、FM一括変調
信号を光変調する装置115に増幅器100を使用する
ことでFM一括変調信号の高調波成分を低減した光信号
を生成する光送信装置110と、この光信号を伝送する
光ファイバ伝送路120と、この光ファイバ伝送路12
0を通じて伝送された光信号を光復調することでFM一
括変調信号を生成するとともに、このFM一括変調信号
をFM復調することで周波数多重化された多チャネル出
力信号を生成する光受信装置130とを有している。
10と図71に示す光受信装置130を光ファイバ伝送
路120を介して接続した光伝送装置200を示してい
る。光伝送装置200は、画像信号などが周波数多重化
された多チャネル入力信号を一括してFM変調すること
でFM一括変調信号を生成するとともに、FM一括変調
信号を光変調する装置115に増幅器100を使用する
ことでFM一括変調信号の高調波成分を低減した光信号
を生成する光送信装置110と、この光信号を伝送する
光ファイバ伝送路120と、この光ファイバ伝送路12
0を通じて伝送された光信号を光復調することでFM一
括変調信号を生成するとともに、このFM一括変調信号
をFM復調することで周波数多重化された多チャネル出
力信号を生成する光受信装置130とを有している。
【0005】次に従来の光伝送装置200の動作につい
て説明する。光送信装置110では、周波数多重化され
た多チャネル入力信号をFM変調器111にて一括FM
変調するとともに光/電気変換され、生成されたFM一
括変調信号は光変調装置115へ入力されて前段増幅器
112により増幅され、次いで分周器113にて分周さ
れた後、再び後段増幅器100にて増幅され半導体レー
ザ114により光変調することで光信号を生成し、この
光信号を光ファイバ伝送路120を通じて光受信装置1
30に伝送する。光受信装置130では、この光信号を
光受信器131にて光/電気変換することでFM一括変
調信号を生成するとともに、このFM一括変調信号をF
M復調器132にてFM復調することで周波数多重化さ
れた多チャネル出力信号を生成して出力する。
て説明する。光送信装置110では、周波数多重化され
た多チャネル入力信号をFM変調器111にて一括FM
変調するとともに光/電気変換され、生成されたFM一
括変調信号は光変調装置115へ入力されて前段増幅器
112により増幅され、次いで分周器113にて分周さ
れた後、再び後段増幅器100にて増幅され半導体レー
ザ114により光変調することで光信号を生成し、この
光信号を光ファイバ伝送路120を通じて光受信装置1
30に伝送する。光受信装置130では、この光信号を
光受信器131にて光/電気変換することでFM一括変
調信号を生成するとともに、このFM一括変調信号をF
M復調器132にてFM復調することで周波数多重化さ
れた多チャネル出力信号を生成して出力する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
増幅器100では、非伝送帯域信号の低減量をより大き
くすると、フィルタ160の構成素子と増幅器151、
152〜15nの多重反射による位相の乱れがもたらす
群遅延偏差が増幅器100全体で増大するという問題が
あった。さらに、このような従来の増幅器100を用い
た光送信装置110によれば、FM一括変調信号の高調
波成分を低減させると光送信装置110全体の群遅延偏
差が増大する。FM変調方式は位相に情報をのせて伝送
させるため、その位相の群遅延による変動が伝送後の画
質劣化を招くといった問題点があった。
増幅器100では、非伝送帯域信号の低減量をより大き
くすると、フィルタ160の構成素子と増幅器151、
152〜15nの多重反射による位相の乱れがもたらす
群遅延偏差が増幅器100全体で増大するという問題が
あった。さらに、このような従来の増幅器100を用い
た光送信装置110によれば、FM一括変調信号の高調
波成分を低減させると光送信装置110全体の群遅延偏
差が増大する。FM変調方式は位相に情報をのせて伝送
させるため、その位相の群遅延による変動が伝送後の画
質劣化を招くといった問題点があった。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、位相の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧する
ことができる増幅器を提供することを目的とする。本発
明はさらに、上記の増幅器を光送信装置に用いることで
伝送信号に生じる高調波成分を低減させ、かつ光送信装
置の群遅延偏差を抑圧でき、FM復調後における多チャ
ネル出力信号の信号帯域に発生する歪を抑えることがで
き、ひいては光伝送後の信号品質、例えば画質の劣化を
確実に防止することができる光送信装置を提供すること
を目的とする。本発明はまた、上記の光送信装置にて十
分高調波を低減し、かつ低群遅延偏差を実現すること
で、安価な光受信装置を提供することを目的とする。本
発明は加えて、周波数多重化された多チャネル信号を画
質劣化することなく伝送できる光伝送装置を提供するこ
とを目的とする。
のであり、位相の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧する
ことができる増幅器を提供することを目的とする。本発
明はさらに、上記の増幅器を光送信装置に用いることで
伝送信号に生じる高調波成分を低減させ、かつ光送信装
置の群遅延偏差を抑圧でき、FM復調後における多チャ
ネル出力信号の信号帯域に発生する歪を抑えることがで
き、ひいては光伝送後の信号品質、例えば画質の劣化を
確実に防止することができる光送信装置を提供すること
を目的とする。本発明はまた、上記の光送信装置にて十
分高調波を低減し、かつ低群遅延偏差を実現すること
で、安価な光受信装置を提供することを目的とする。本
発明は加えて、周波数多重化された多チャネル信号を画
質劣化することなく伝送できる光伝送装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の増幅器は上記目
的を達成するために、入力伝送信号を増幅する多段の増
幅部と、前記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段
の増幅部から入力する伝送信号の高周波成分を同一又は
異なる低域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を
通過させる複数の低域通過フィルタとを有し、前記複数
の低域通過フィルタは、その構成素子と前記多段の増幅
部との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差
を低減するように構成した(請求項1)。上記構成によ
り、複数の低域通過フィルタの構成素子と多段の増幅部
との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を
低減することができる。
的を達成するために、入力伝送信号を増幅する多段の増
幅部と、前記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段
の増幅部から入力する伝送信号の高周波成分を同一又は
異なる低域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を
通過させる複数の低域通過フィルタとを有し、前記複数
の低域通過フィルタは、その構成素子と前記多段の増幅
部との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差
を低減するように構成した(請求項1)。上記構成によ
り、複数の低域通過フィルタの構成素子と多段の増幅部
との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を
低減することができる。
【0009】また、本発明の増幅器は上記目的を達成す
るために、入力伝送信号を増幅する多段の増幅部と、前
記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部か
ら入力する伝送信号の低周波成分を同一又は異なる高域
通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を通過させる
複数の高域通過フィルタとを有し、前記複数の高域通過
フィルタは、その高域通過フィルタの構成素子と前記多
段の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差を低減するように構成した(請求項2)。上記
構成により、複数の高域通過フィルタの構成素子と多段
の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差を低減することができる。
るために、入力伝送信号を増幅する多段の増幅部と、前
記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部か
ら入力する伝送信号の低周波成分を同一又は異なる高域
通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を通過させる
複数の高域通過フィルタとを有し、前記複数の高域通過
フィルタは、その高域通過フィルタの構成素子と前記多
段の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差を低減するように構成した(請求項2)。上記
構成により、複数の高域通過フィルタの構成素子と多段
の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差を低減することができる。
【0010】また、本発明の増幅器は上記目的を達成す
るために、入力伝送信号を増幅する多段の増幅部と、前
記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部か
ら入力する伝送信号の高周波成分、低周波成分を同一又
は異なる帯域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域
を通過させる複数の帯域通過フィルタと、前記複数の帯
域通過フィルタは、その構成素子と前記多段の増幅部と
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を低
減するように構成した(請求項3)。上記構成により、
複数の帯域通過フィルタの構成素子と多段の増幅部との
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を低減
することができる。
るために、入力伝送信号を増幅する多段の増幅部と、前
記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部か
ら入力する伝送信号の高周波成分、低周波成分を同一又
は異なる帯域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域
を通過させる複数の帯域通過フィルタと、前記複数の帯
域通過フィルタは、その構成素子と前記多段の増幅部と
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を低
減するように構成した(請求項3)。上記構成により、
複数の帯域通過フィルタの構成素子と多段の増幅部との
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差を低減
することができる。
【0011】また、本発明の増幅器は、前記フィルタを
構成するLCフィルタのC成分をスタブにより形成して
スタブ面積を調整することにより、群遅延偏差を低減す
る構成とした(請求項4)。また、本発明の増幅器は、
前記フィルタを構成するLCフィルタのC成分を配線パ
ターン間のギャップにより形成してギャップ間の距離を
調整することにより、群遅延偏差を低減する構成とした
(請求項5)。また、本発明の増幅器は、前記フィルタ
を構成するLCフィルタのL成分をボンディングワイヤ
により形成してワイヤ長を調整することにより、群遅延
偏差を低減する構成とした(請求項6)。また、本発明
の増幅器は、前記スタブ、ギャップ又はボンディングワ
イヤの近傍にランドを形成してランド面積を調整するこ
とにより、群遅延偏差を低減する構成とした(請求項
7)。また、本発明の増幅器は、前記複数のフィルタの
各減衰特性が異なるように調整することにより、群遅延
偏差を低減する構成とした(請求項8)。また、本発明
の増幅器は、前記複数のフィルタの各カットオフ周波数
特性が異なるように調整することにより、群遅延偏差を
低減する構成とした(請求項9)。上記構成により、フ
ィルタの構成素子と多段の増幅部との多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差を低減することができ
る。
構成するLCフィルタのC成分をスタブにより形成して
スタブ面積を調整することにより、群遅延偏差を低減す
る構成とした(請求項4)。また、本発明の増幅器は、
前記フィルタを構成するLCフィルタのC成分を配線パ
ターン間のギャップにより形成してギャップ間の距離を
調整することにより、群遅延偏差を低減する構成とした
(請求項5)。また、本発明の増幅器は、前記フィルタ
を構成するLCフィルタのL成分をボンディングワイヤ
により形成してワイヤ長を調整することにより、群遅延
偏差を低減する構成とした(請求項6)。また、本発明
の増幅器は、前記スタブ、ギャップ又はボンディングワ
イヤの近傍にランドを形成してランド面積を調整するこ
とにより、群遅延偏差を低減する構成とした(請求項
7)。また、本発明の増幅器は、前記複数のフィルタの
各減衰特性が異なるように調整することにより、群遅延
偏差を低減する構成とした(請求項8)。また、本発明
の増幅器は、前記複数のフィルタの各カットオフ周波数
特性が異なるように調整することにより、群遅延偏差を
低減する構成とした(請求項9)。上記構成により、フ
ィルタの構成素子と多段の増幅部との多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差を低減することができ
る。
【0012】また、本発明の光送信装置は、周波数多重
化された多チャネル信号を一括して周波数変調するFM
変調器と、前記周波数変調して得られたFM一括変調信
号を増幅する請求項1から9のいずれか1つに記載の増
幅器と、前記増幅器により増幅された信号を光変調して
光受信装置に送信する手段とを、有する構成とした(請
求項10)。
化された多チャネル信号を一括して周波数変調するFM
変調器と、前記周波数変調して得られたFM一括変調信
号を増幅する請求項1から9のいずれか1つに記載の増
幅器と、前記増幅器により増幅された信号を光変調して
光受信装置に送信する手段とを、有する構成とした(請
求項10)。
【0013】また、本発明の光受信装置は、請求項10
記載の光送信装置から送信された信号を受信して、群遅
延低減及び高調波低減を行うことなくFM復調する構成
とした(請求項11)。
記載の光送信装置から送信された信号を受信して、群遅
延低減及び高調波低減を行うことなくFM復調する構成
とした(請求項11)。
【0014】また、本発明の光伝送装置は、請求項10
記載の光送信装置により光変調された信号を光伝送路を
介して請求項11記載の光受信装置に送信する構成とし
た(請求項12)。
記載の光送信装置により光変調された信号を光伝送路を
介して請求項11記載の光受信装置に送信する構成とし
た(請求項12)。
【0015】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、図面を参
照して本発明の実施の形態について説明する。図1は本
発明に係る増幅器の実施の形態1を概略的に示すブロッ
ク図である。
照して本発明の実施の形態について説明する。図1は本
発明に係る増幅器の実施の形態1を概略的に示すブロッ
ク図である。
【0016】図1に示す増幅器1は、増幅作用を持つ増
幅部151、152〜15n及び高域制限機能を有する
低域通過フィルタL1、L2を内部に有している。この
ため、増幅器1の入力信号である伝送信号は、増幅部1
51、152〜15nにより増幅され、また、高周波成
分を低域通過フィルタL1、L2により低減する。
幅部151、152〜15n及び高域制限機能を有する
低域通過フィルタL1、L2を内部に有している。この
ため、増幅器1の入力信号である伝送信号は、増幅部1
51、152〜15nにより増幅され、また、高周波成
分を低域通過フィルタL1、L2により低減する。
【0017】実施の形態1によれば、増幅器1におい
て、任意のフィルタL1、L2の組み合わせによる段階
的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタL1、L2の構成素子と増幅部151、152
〜15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことが
できるので増幅器1全体の群遅延偏差を抑圧することが
できる。
て、任意のフィルタL1、L2の組み合わせによる段階
的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタL1、L2の構成素子と増幅部151、152
〜15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことが
できるので増幅器1全体の群遅延偏差を抑圧することが
できる。
【0018】前記の効果を図2〜図4に示すシミュレー
ション結果により検証する。シミュレーションは図2〜
図4に示す条件とし、異なるフィルタ条件で比較する。
図2(a)、(b)はそれぞれ、従来の増幅器として低
域通過フィルタ(ベッセル特性)1段のみの周波数−ゲ
イン特性、周波数−群遅延特性を示す。これに対してフ
ィルタを段階的に配置する2段構成とした場合(実施の
形態1)の同じ特性をそれぞれ図3(a)、(b)に示
す。図2、図3から、実施の形態1は従来例と同などの
減衰量を確保しつつ、従来例より低い群遅延偏差を実現
していることが分かる。これは1段あたりの減衰量を図
2の条件より小さくできるため、緩やかな位相変化とな
り、ひいては群遅延偏差の低減をもたらす。
ション結果により検証する。シミュレーションは図2〜
図4に示す条件とし、異なるフィルタ条件で比較する。
図2(a)、(b)はそれぞれ、従来の増幅器として低
域通過フィルタ(ベッセル特性)1段のみの周波数−ゲ
イン特性、周波数−群遅延特性を示す。これに対してフ
ィルタを段階的に配置する2段構成とした場合(実施の
形態1)の同じ特性をそれぞれ図3(a)、(b)に示
す。図2、図3から、実施の形態1は従来例と同などの
減衰量を確保しつつ、従来例より低い群遅延偏差を実現
していることが分かる。これは1段あたりの減衰量を図
2の条件より小さくできるため、緩やかな位相変化とな
り、ひいては群遅延偏差の低減をもたらす。
【0019】図4は2段のフィルタの減衰特性及びカッ
トオフ周波数が共に異なる場合のシミュレーション結果
である。図2と比較して従来例と同などの減衰量を確保
し、かつ従来例より低い群遅延偏差が実現できているこ
とがわかる。これはカットオフ周波数が異なるため、最
大位相変化点がずれ、群遅延偏差のピークをずらすこと
ができ、ひいては偏差の低減につながる。図2と図4の
遅延の振る舞いからもわかる。また、同じ減衰特性であ
れば周波数−ゲイン特性の傾斜は同じであるが、異なる
減衰特性を組み合わせることにより、減衰開始付近はフ
ラットでその後急激に減衰させ、かつ低い群遅延偏差を
実現する特性を設計できる。このように複数のフィルタ
を組み合わせることにより低い群遅延偏差を維持し、か
つより柔軟な減衰特性を得ることができる。
トオフ周波数が共に異なる場合のシミュレーション結果
である。図2と比較して従来例と同などの減衰量を確保
し、かつ従来例より低い群遅延偏差が実現できているこ
とがわかる。これはカットオフ周波数が異なるため、最
大位相変化点がずれ、群遅延偏差のピークをずらすこと
ができ、ひいては偏差の低減につながる。図2と図4の
遅延の振る舞いからもわかる。また、同じ減衰特性であ
れば周波数−ゲイン特性の傾斜は同じであるが、異なる
減衰特性を組み合わせることにより、減衰開始付近はフ
ラットでその後急激に減衰させ、かつ低い群遅延偏差を
実現する特性を設計できる。このように複数のフィルタ
を組み合わせることにより低い群遅延偏差を維持し、か
つより柔軟な減衰特性を得ることができる。
【0020】(実施の形態2)図5は実施の形態2の増
幅器2の内部の概略構成を示すブロック図である。図2
に示す増幅器2は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15n及び高域制限機能を有しかつフィルタ定数が
可変の低域通過フィルタL1x、L2xにより構成され
ている。なお、実施の形態2以降、図1に示す増幅器1
と重複する構成については同一符号を付すとともに、そ
の構成及び動作の説明については省略する。
幅器2の内部の概略構成を示すブロック図である。図2
に示す増幅器2は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15n及び高域制限機能を有しかつフィルタ定数が
可変の低域通過フィルタL1x、L2xにより構成され
ている。なお、実施の形態2以降、図1に示す増幅器1
と重複する構成については同一符号を付すとともに、そ
の構成及び動作の説明については省略する。
【0021】実施の形態2によれば、増幅器2において
実施の形態1で述べた効果をもち、さらにフィルタ定数
を変更することにより任意の群遅延偏差に調整する機能
を有するので、増幅器2全体の群遅延偏差量を変更する
ことができる。これによりデバイスのばらつきにより群
遅延偏差が増大しても、柔軟に低い群遅延調整が可能と
なる。
実施の形態1で述べた効果をもち、さらにフィルタ定数
を変更することにより任意の群遅延偏差に調整する機能
を有するので、増幅器2全体の群遅延偏差量を変更する
ことができる。これによりデバイスのばらつきにより群
遅延偏差が増大しても、柔軟に低い群遅延調整が可能と
なる。
【0022】(実施の形態3)図6は実施の形態3の増
幅器3の内部の概略構成を示すブロック図である。図6
に示す増幅器3は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15n及び低域制限機能を有する高域通過フィルタ
H1、H2を内部に有している。すなわち、増幅器3の
入力信号である伝送信号は、増幅部151、152〜1
5nにより増幅され、かつ低周波成分を高域通過フィル
タH1、H2により低減する。
幅器3の内部の概略構成を示すブロック図である。図6
に示す増幅器3は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15n及び低域制限機能を有する高域通過フィルタ
H1、H2を内部に有している。すなわち、増幅器3の
入力信号である伝送信号は、増幅部151、152〜1
5nにより増幅され、かつ低周波成分を高域通過フィル
タH1、H2により低減する。
【0023】第3の実施の形態によれば、増幅器3にお
いて任意のフィルタH1、H2の組み合わせによる段階
的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタH1、H2の構成素子と増幅部151、152
〜15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことが
できるので、増幅器3全体の群遅延偏差を抑圧すること
ができる。
いて任意のフィルタH1、H2の組み合わせによる段階
的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタH1、H2の構成素子と増幅部151、152
〜15nとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅
延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことが
できるので、増幅器3全体の群遅延偏差を抑圧すること
ができる。
【0024】(実施の形態4)図7は実施の形態4の増
幅器4内部の概略構成を示すブロック図である。図7に
示す増幅器4は、増幅作用を持つ増幅部151、152
〜15n及び低域制限機能を有しかつフィルタ定数が可
変の高域通過フィルタH1x、H2xにより構成されて
いる。
幅器4内部の概略構成を示すブロック図である。図7に
示す増幅器4は、増幅作用を持つ増幅部151、152
〜15n及び低域制限機能を有しかつフィルタ定数が可
変の高域通過フィルタH1x、H2xにより構成されて
いる。
【0025】実施の形態4によれば、増幅器4において
実施の形態3で述べた効果をもち、さらにフィルタ定数
を変更することにより任意の群遅延偏差に調整する機能
を有するので、増幅器4全体の群遅延偏差量を変更する
ことができる。
実施の形態3で述べた効果をもち、さらにフィルタ定数
を変更することにより任意の群遅延偏差に調整する機能
を有するので、増幅器4全体の群遅延偏差量を変更する
ことができる。
【0026】(実施の形態5)図8は実施の形態5の増
幅器5の内部の概略構成を示すブロック図である。図8
に示す増幅器5は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15nと、高域制限機能を有する低域通過フィルタ
L1、L2と、低域制限機能を有する高域通過フィルタ
H1、H2により構成されている。したがって、増幅器
1の入力信号である伝送信号は、増幅部151、152
〜15nにより増幅され、かつ高周波成分は低域通過フ
ィルタL1、L2により、低周波成分は高域通過フィル
タH1、H2により低減することによりBPFで非伝送
帯域信号を低減する。
幅器5の内部の概略構成を示すブロック図である。図8
に示す増幅器5は、増幅作用を持つ増幅部151、15
2〜15nと、高域制限機能を有する低域通過フィルタ
L1、L2と、低域制限機能を有する高域通過フィルタ
H1、H2により構成されている。したがって、増幅器
1の入力信号である伝送信号は、増幅部151、152
〜15nにより増幅され、かつ高周波成分は低域通過フ
ィルタL1、L2により、低周波成分は高域通過フィル
タH1、H2により低減することによりBPFで非伝送
帯域信号を低減する。
【0027】実施の形態5によれば、増幅器5におい
て、任意のBPF(L1、L2、H1、H2)の組み合
わせによる段階的な非信号帯域成分低減方法をとること
で、伝送信号帯域を通過させるとともに非伝送帯域成分
を低減させる機能を持ち、かつフィルタL1、L2、H
1、H2の構成素子と増幅部151、152〜15nと
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生
じるが、この周波数のピークをずらすことができるので
増幅器5全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
て、任意のBPF(L1、L2、H1、H2)の組み合
わせによる段階的な非信号帯域成分低減方法をとること
で、伝送信号帯域を通過させるとともに非伝送帯域成分
を低減させる機能を持ち、かつフィルタL1、L2、H
1、H2の構成素子と増幅部151、152〜15nと
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生
じるが、この周波数のピークをずらすことができるので
増幅器5全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
【0028】(実施の形態6)図9は実施の形態6の増
幅器6内部の概略構成を示すブロック図である。図9に
示す増幅器6は、増幅作用を持つ増幅部151、152
〜15nと、高域制限機能を有しかつフィルタ定数が可
変の低域通過フィルタL1x、L2xと、低域制限機能
を有しかつフィルタ定数が可変の高域通過フィルタH1
x、H2xにより構成されている。
幅器6内部の概略構成を示すブロック図である。図9に
示す増幅器6は、増幅作用を持つ増幅部151、152
〜15nと、高域制限機能を有しかつフィルタ定数が可
変の低域通過フィルタL1x、L2xと、低域制限機能
を有しかつフィルタ定数が可変の高域通過フィルタH1
x、H2xにより構成されている。
【0029】実施の形態6によれば、実施の形態5で述
べた効果をもち、さらにフィルタ定数を変更することに
より任意の群遅延偏差に調整する機能を有するので、増
幅器6全体の群遅延偏差量を可変することができる。
べた効果をもち、さらにフィルタ定数を変更することに
より任意の群遅延偏差に調整する機能を有するので、増
幅器6全体の群遅延偏差量を可変することができる。
【0030】(実施の形態7)図10は実施の形態7の
増幅器7の内部の概略構成を示すブロック図である。図
10に示す増幅器7は、増幅作用を持つ増幅部1A、2
A〜nAが図11に詳しく示すようなベアチップFET
により構成されており、また、定数の異なる任意の低域
通過フィルタL1、L2を内部に有している。すなわ
ち、図10に示す増幅器7が図1に示す増幅器1と異な
るところは、増幅部1A、2A〜nAがベアチップFE
Tにより構成されている点にある。
増幅器7の内部の概略構成を示すブロック図である。図
10に示す増幅器7は、増幅作用を持つ増幅部1A、2
A〜nAが図11に詳しく示すようなベアチップFET
により構成されており、また、定数の異なる任意の低域
通過フィルタL1、L2を内部に有している。すなわ
ち、図10に示す増幅器7が図1に示す増幅器1と異な
るところは、増幅部1A、2A〜nAがベアチップFE
Tにより構成されている点にある。
【0031】実施の形態7によれば、増幅器7において
任意のフィルタL1、L2の組み合わせによる段階的な
高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させる
とともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィ
ルタL1、L2の構成素子と増幅部1A、2A〜nAと
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生
じるが、この周波数のピークをずらすことができるの
で、増幅器7全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
任意のフィルタL1、L2の組み合わせによる段階的な
高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させる
とともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィ
ルタL1、L2の構成素子と増幅部1A、2A〜nAと
の多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生
じるが、この周波数のピークをずらすことができるの
で、増幅器7全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
【0032】(実施の形態8)図12は実施の形態8の
増幅器8の内部の概略構成を示すブロック図である。図
8に示す増幅器8は、増幅作用を持つ増幅部1A、2A
〜nAがベアチップFETにより構成されており、ま
た、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1s、L2
sを内部に有している。そして、図12に示す増幅器8
が図10に示す増幅器7と異なるところは、図13に示
すように低域フィルタL1s、L2sの容量成分Cをス
タブsにより実現している点にある。図13(a)は一
例として、直列インダクタンスLと並列容量C+Cによ
り構成されるπ型LPFを示し、この場合には図13
(b)に示すように直列インダクタンスLをコイルcで
構成し、また、並列容量C+Cをスタブsにより形成し
て、スタブ面積を調整することにより群遅延偏差を抑圧
する。
増幅器8の内部の概略構成を示すブロック図である。図
8に示す増幅器8は、増幅作用を持つ増幅部1A、2A
〜nAがベアチップFETにより構成されており、ま
た、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1s、L2
sを内部に有している。そして、図12に示す増幅器8
が図10に示す増幅器7と異なるところは、図13に示
すように低域フィルタL1s、L2sの容量成分Cをス
タブsにより実現している点にある。図13(a)は一
例として、直列インダクタンスLと並列容量C+Cによ
り構成されるπ型LPFを示し、この場合には図13
(b)に示すように直列インダクタンスLをコイルcで
構成し、また、並列容量C+Cをスタブsにより形成し
て、スタブ面積を調整することにより群遅延偏差を抑圧
する。
【0033】実施の形態8によれば、増幅器8において
任意のフィルタL1s、L2sの組み合わせによる段階
的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタL1s、L2sの構成素子と増幅部1A、2A
〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延
偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことがで
きるので増幅器8全体の群遅延偏差を抑圧することがで
きる。
任意のフィルタL1s、L2sの組み合わせによる段階
的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタL1s、L2sの構成素子と増幅部1A、2A
〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延
偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすことがで
きるので増幅器8全体の群遅延偏差を抑圧することがで
きる。
【0034】(実施の形態9)図14は実施の形態9の
増幅器9の内部の概略構成を示すブロック図である。図
14に示す増幅器9は、増幅作用を持つ増幅部1A、2
A〜nAがベアチップFETにより構成されており、定
数の異なる任意の低域通過フィルタL1sa、L2sa
を内部に有している。そして、図14に示す増幅器9が
図12に示す増幅器8と異なるところは、図15に示す
ようにスタブsの近傍に調整用ランドsaを設けている
点にある。
増幅器9の内部の概略構成を示すブロック図である。図
14に示す増幅器9は、増幅作用を持つ増幅部1A、2
A〜nAがベアチップFETにより構成されており、定
数の異なる任意の低域通過フィルタL1sa、L2sa
を内部に有している。そして、図14に示す増幅器9が
図12に示す増幅器8と異なるところは、図15に示す
ようにスタブsの近傍に調整用ランドsaを設けている
点にある。
【0035】図15(a)は一例として、直列インダク
タンスLと並列容量C+Cにより構成されるπ型LPF
を示し、この場合には図15(b)に示すように直列イ
ンダクタンスLをコイルcで構成し、また、並列容量C
+Cをスタブsにより形成してスタブsの近傍に調整用
ランドsaを設ける。実施の形態9によれば、実施の形
態8の効果に加え、調整用ランドsaを用いてスタブ面
積を変化させることによりフィルタ特性が変わり、ひい
ては群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更す
ることができる。
タンスLと並列容量C+Cにより構成されるπ型LPF
を示し、この場合には図15(b)に示すように直列イ
ンダクタンスLをコイルcで構成し、また、並列容量C
+Cをスタブsにより形成してスタブsの近傍に調整用
ランドsaを設ける。実施の形態9によれば、実施の形
態8の効果に加え、調整用ランドsaを用いてスタブ面
積を変化させることによりフィルタ特性が変わり、ひい
ては群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更す
ることができる。
【0036】(実施の形態10)図16は実施の形態1
0の増幅器10の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図16に示す増幅器10は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1w、L
2wを内部に有している。そして、図16に示す増幅器
10が図10に示す増幅器7と異なるところは、図17
に示すように低域フィルタL1w、L2wのインダクタ
ンスLをワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタ
ンス成分により実現している点にある。図17(a)は
一例として、直列インダクタンスLと並列容量C+Cに
より構成されるπ型LPFを示し、この場合には図17
(b)に示すように直列インダクタンスLを金ワイヤw
で構成し、また、並列容量C+Cの各一端の間をワイヤ
ボンディングすることによりLを調整する。
0の増幅器10の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図16に示す増幅器10は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1w、L
2wを内部に有している。そして、図16に示す増幅器
10が図10に示す増幅器7と異なるところは、図17
に示すように低域フィルタL1w、L2wのインダクタ
ンスLをワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタ
ンス成分により実現している点にある。図17(a)は
一例として、直列インダクタンスLと並列容量C+Cに
より構成されるπ型LPFを示し、この場合には図17
(b)に示すように直列インダクタンスLを金ワイヤw
で構成し、また、並列容量C+Cの各一端の間をワイヤ
ボンディングすることによりLを調整する。
【0037】実施の形態10によれば、増幅器10にお
いて任意のフィルタL1w、L2wの組み合わせによる
段階的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通
過させるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、
かつフィルタL1w、L2wの構成素子と増幅部1A、
2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすこと
ができるので増幅器10全体の群遅延偏差を抑圧するこ
とができる。
いて任意のフィルタL1w、L2wの組み合わせによる
段階的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通
過させるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、
かつフィルタL1w、L2wの構成素子と増幅部1A、
2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすこと
ができるので増幅器10全体の群遅延偏差を抑圧するこ
とができる。
【0038】(実施の形態11)図18は実施の形態1
1の増幅器11の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図11に示す増幅器10は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1wa、
L2waを内部に有している。そして、図11に示す増
幅器11が図10に示す増幅器10と異なるところは、
図19に示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調整用の
ランドwaを設けている点にある。実施の形態11によ
れば、実施の形態10の効果に加え、ワイヤ長調整用ラ
ンドwaを用いてワイヤ長を変化させることによりフィ
ルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピークがずれるの
で群遅延偏差量を変更することができる。
1の増幅器11の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図11に示す増幅器10は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1wa、
L2waを内部に有している。そして、図11に示す増
幅器11が図10に示す増幅器10と異なるところは、
図19に示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調整用の
ランドwaを設けている点にある。実施の形態11によ
れば、実施の形態10の効果に加え、ワイヤ長調整用ラ
ンドwaを用いてワイヤ長を変化させることによりフィ
ルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピークがずれるの
で群遅延偏差量を変更することができる。
【0039】(実施の形態12)図20は実施の形態1
2の増幅器12の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図20に示す増幅器12は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1sw、
L2swを内部に有している。そして、図20に示す増
幅器12が図10に示す増幅器7と異なるところは、図
21に示すように低域通過フィルタL1sw、L2sw
の容量成分Cをスタブsで、また、インダクタンスLを
ワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス成分
により実現されている点にある。
2の増幅器12の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図20に示す増幅器12は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1sw、
L2swを内部に有している。そして、図20に示す増
幅器12が図10に示す増幅器7と異なるところは、図
21に示すように低域通過フィルタL1sw、L2sw
の容量成分Cをスタブsで、また、インダクタンスLを
ワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス成分
により実現されている点にある。
【0040】実施の形態12によれば、増幅器12にお
いて任意のフィルタL1sw、L2swの組み合わせに
よる段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域
を通過させるとともに高周波成分を低減させる機能を持
ち、かつフィルタL1sw、L2swの構成素子と増幅
部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがも
たらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをず
らすことができるので増幅器12全体の群遅延偏差を抑
圧することができる。
いて任意のフィルタL1sw、L2swの組み合わせに
よる段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域
を通過させるとともに高周波成分を低減させる機能を持
ち、かつフィルタL1sw、L2swの構成素子と増幅
部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがも
たらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをず
らすことができるので増幅器12全体の群遅延偏差を抑
圧することができる。
【0041】(実施の形態13)図22は実施の形態1
3の増幅器13の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図22に示す増幅器13は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1sw
a、L2swaを内部に有している。そして、図22に
示す増幅器13が図21に示す増幅器12と異なるとこ
ろは、図23に示すようにスタブsの近傍に調整用ラン
ドsaを、また、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のラ
ンドwaを設けている点にある。
3の増幅器13の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図22に示す増幅器13は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1sw
a、L2swaを内部に有している。そして、図22に
示す増幅器13が図21に示す増幅器12と異なるとこ
ろは、図23に示すようにスタブsの近傍に調整用ラン
ドsaを、また、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のラ
ンドwaを設けている点にある。
【0042】実施の形態13によれば、実施の形態12
の効果に加え、調整用ランドsa、waを用いてスタブ
面積及びワイヤ長の2種類のパラメータを変更すること
ができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更することができ
る。
の効果に加え、調整用ランドsa、waを用いてスタブ
面積及びワイヤ長の2種類のパラメータを変更すること
ができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更することができ
る。
【0043】(実施の形態14)図24は実施の形態1
4の増幅器14の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図14に示す増幅器14は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH
1、H2を内部に有している。そして、図24に示す増
幅器14が図6に示す増幅器3と異なるところは、増幅
部1A、2A〜nAが図11に示すようなベアチップF
ETにより構成されている点にある。
4の増幅器14の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図14に示す増幅器14は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH
1、H2を内部に有している。そして、図24に示す増
幅器14が図6に示す増幅器3と異なるところは、増幅
部1A、2A〜nAが図11に示すようなベアチップF
ETにより構成されている点にある。
【0044】実施の形態14によれば、増幅器14にお
いて任意のフィルタH1、H2の組み合わせによる段階
的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタH1、H2の構成素子と増幅部1A、2A〜n
Aとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差
が生じるが、この周波数のピークをずらすことができる
ので増幅器14全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
いて任意のフィルタH1、H2の組み合わせによる段階
的な低域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過さ
せるとともに低周波成分を低減させる機能を持ち、かつ
フィルタH1、H2の構成素子と増幅部1A、2A〜n
Aとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差
が生じるが、この周波数のピークをずらすことができる
ので増幅器14全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
【0045】(実施の形態15)図25は実施の形態1
5の増幅器15の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図25に示す増幅器15は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
g、H2gを内部に有している。そして、図25に示す
増幅器15が図24に示す増幅器14と異なるところ
は、高域フィルタH1g、H2gの容量成分Cをギャッ
プgにより実現されている点にある。図26(a)は一
例として、直列容量Cと並列インダクタンスL+Lによ
り構成されるπ型HPFを示し、この場合には図26
(b)に示すように直列容量Cをギャップgにより形成
して調整する。
5の増幅器15の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図25に示す増幅器15は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
g、H2gを内部に有している。そして、図25に示す
増幅器15が図24に示す増幅器14と異なるところ
は、高域フィルタH1g、H2gの容量成分Cをギャッ
プgにより実現されている点にある。図26(a)は一
例として、直列容量Cと並列インダクタンスL+Lによ
り構成されるπ型HPFを示し、この場合には図26
(b)に示すように直列容量Cをギャップgにより形成
して調整する。
【0046】実施の形態15によれば、増幅器15にお
いて任意のフィルタH1s、H2sの組み合わせによる
段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通
過させるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、
かつフィルタH1s、H2sの構成素子と増幅部1A、
2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすこと
ができるので増幅器15全体の群遅延偏差を抑圧するこ
とができる。
いて任意のフィルタH1s、H2sの組み合わせによる
段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通
過させるとともに高周波成分を低減させる機能を持ち、
かつフィルタH1s、H2sの構成素子と増幅部1A、
2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらすこと
ができるので増幅器15全体の群遅延偏差を抑圧するこ
とができる。
【0047】(実施の形態16)図27は実施の形態1
6の増幅器16の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図27に示す増幅器16は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
ga、H2gaを内部に有している。そして、図27に
示す増幅器16が図25に示す増幅器15と異なるとこ
ろは、図28に示すようにギャップgの近傍に調整用ラ
ンドgaを設けている点にある。
6の増幅器16の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図27に示す増幅器16は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
ga、H2gaを内部に有している。そして、図27に
示す増幅器16が図25に示す増幅器15と異なるとこ
ろは、図28に示すようにギャップgの近傍に調整用ラ
ンドgaを設けている点にある。
【0048】実施の形態16によれば、実施の形態14
の効果に加え、調整用ランドgaを用いて高域フィルタ
H1g、H2gの容量成分Cを変化させることによりフ
ィルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピークがずれる
ので群遅延偏差量を変更することができる。
の効果に加え、調整用ランドgaを用いて高域フィルタ
H1g、H2gの容量成分Cを変化させることによりフ
ィルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピークがずれる
ので群遅延偏差量を変更することができる。
【0049】(実施の形態17)図29は実施の形態1
7の増幅器17の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図29に示す増幅器17は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
w、H2wを内部に有している。そして、図29に示す
増幅器17が図24に示す増幅器14と異なるところ
は、図30に示すように高域通過フィルタH1w、H2
wのインダクタンスLをワイヤボンディング用金ワイヤ
wのインダクタンス成分により実現されている点にあ
る。
7の増幅器17の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図29に示す増幅器17は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
w、H2wを内部に有している。そして、図29に示す
増幅器17が図24に示す増幅器14と異なるところ
は、図30に示すように高域通過フィルタH1w、H2
wのインダクタンスLをワイヤボンディング用金ワイヤ
wのインダクタンス成分により実現されている点にあ
る。
【0050】実施の形態17によれば、増幅器17にお
いて任意の高域通過フィルタH1w、H2wの組み合わ
せによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号
帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる機能
を持ち、かつフィルタH1w、H2wの構成素子と増幅
部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがも
たらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをず
らすことができるので増幅器17全体の群遅延偏差を抑
圧することができる。
いて任意の高域通過フィルタH1w、H2wの組み合わ
せによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送信号
帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる機能
を持ち、かつフィルタH1w、H2wの構成素子と増幅
部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがも
たらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをず
らすことができるので増幅器17全体の群遅延偏差を抑
圧することができる。
【0051】(実施の形態18)図31は実施の形態1
8の増幅器18の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図31に示す増幅器18は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
wa、H2waを内部に有している。そして、図31に
示す増幅器18が図29に示す増幅器17と異なるとこ
ろは、図32に示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調
整用のランドwaを設けている点にある。実施の形態1
8によれば、実施の形態17の効果に加え、調整用ラン
ドwaを用いてワイヤwの実質的な長さを変化させるこ
とによりフィルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピー
クがずれるので群遅延偏差量を変更することができる。
8の増幅器18の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図31に示す増幅器18は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
wa、H2waを内部に有している。そして、図31に
示す増幅器18が図29に示す増幅器17と異なるとこ
ろは、図32に示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調
整用のランドwaを設けている点にある。実施の形態1
8によれば、実施の形態17の効果に加え、調整用ラン
ドwaを用いてワイヤwの実質的な長さを変化させるこ
とによりフィルタ特性が変わり、ひいては群遅延のピー
クがずれるので群遅延偏差量を変更することができる。
【0052】(実施の形態19)図33は実施の形態1
9の増幅器19の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図33に示す増幅器19は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
gw、H2gwを内部に有している。そして、図33に
示す増幅器19が図24に示す増幅器14と異なるとこ
ろは、図34に示すように高域通過フィルタH1gw、
H2gwの容量成分Cをギャップgで、インダクタンス
Lをワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス
成分により実現されている点にある。
9の増幅器19の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図33に示す増幅器19は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
gw、H2gwを内部に有している。そして、図33に
示す増幅器19が図24に示す増幅器14と異なるとこ
ろは、図34に示すように高域通過フィルタH1gw、
H2gwの容量成分Cをギャップgで、インダクタンス
Lをワイヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス
成分により実現されている点にある。
【0053】実施の形態12によれば、増幅器12にお
いて任意の高域通過フィルタH1sw、H2swの組み
合わせによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送
信号帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタH1sw、H2swの構成素
子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の
乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピ
ークをずらすことができるので増幅器12全体の群遅延
偏差を抑圧することができる。
いて任意の高域通過フィルタH1sw、H2swの組み
合わせによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送
信号帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタH1sw、H2swの構成素
子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の
乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピ
ークをずらすことができるので増幅器12全体の群遅延
偏差を抑圧することができる。
【0054】(実施の形態20)図35は実施の形態2
0の増幅器20内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図35に示す増幅器20は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
gwa、H2gwaを内部に有している。そして、図3
5に示す増幅器20が図33に示す増幅器19と異なる
ところは、図36に示すようにギャップgの近傍に調整
用ランドgaを、また、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整
用のランドwaを設けている点にある。
0の増幅器20内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図35に示す増幅器20は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の高域通過フィルタH1
gwa、H2gwaを内部に有している。そして、図3
5に示す増幅器20が図33に示す増幅器19と異なる
ところは、図36に示すようにギャップgの近傍に調整
用ランドgaを、また、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整
用のランドwaを設けている点にある。
【0055】実施の形態20によれば、実施の形態19
の効果に加え、調整用ランドga、waを用いてギャッ
プg及びワイヤwの実質的な長さの2種類のパラメータ
を変更することができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更
することができる。
の効果に加え、調整用ランドga、waを用いてギャッ
プg及びワイヤwの実質的な長さの2種類のパラメータ
を変更することができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更
することができる。
【0056】(実施の形態21)図37は実施の形態2
1に示す増幅器21の内部の概略構成を示すブロック図
である。図37に示す増幅器21は、増幅作用を持つ増
幅部1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成さ
れており、また、BPFとして定数の異なる任意の低域
通過フィルタL1、L2及び高域通過フィルタH1、H
2を内部に有している。そして、図37に示す増幅器2
1が図8に示す増幅器5と異なるところは、増幅部1
A、2A〜nAが図11に示すようなベアチップFET
により構成されている点にある。
1に示す増幅器21の内部の概略構成を示すブロック図
である。図37に示す増幅器21は、増幅作用を持つ増
幅部1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成さ
れており、また、BPFとして定数の異なる任意の低域
通過フィルタL1、L2及び高域通過フィルタH1、H
2を内部に有している。そして、図37に示す増幅器2
1が図8に示す増幅器5と異なるところは、増幅部1
A、2A〜nAが図11に示すようなベアチップFET
により構成されている点にある。
【0057】実施の形態21によれば、増幅器21にお
いて任意の低域通過フィルタL1、L2と高域通過フィ
ルタH1、H2の組み合わせによる段階的な高域及び低
域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させると
ともに非伝送信号成分を低減させる機能を持ち、かつフ
ィルタL1、L2、H1、H2の構成素子と増幅部1
A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたら
す群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらす
ことができるので増幅器21全体の群遅延偏差を抑圧す
ることができる。
いて任意の低域通過フィルタL1、L2と高域通過フィ
ルタH1、H2の組み合わせによる段階的な高域及び低
域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させると
ともに非伝送信号成分を低減させる機能を持ち、かつフ
ィルタL1、L2、H1、H2の構成素子と増幅部1
A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもたら
す群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずらす
ことができるので増幅器21全体の群遅延偏差を抑圧す
ることができる。
【0058】(実施の形態22)図38は実施の形態2
2の増幅器22の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図38に示す増幅器22は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
s、L2sと高域通過フィルタH1s、H2sを内部に
有している。そして、図38に示す増幅器22が図37
に示す増幅器21と異なるところは、図39に示すよう
にフィルタL1s、L2s、H1s、H2sの容量成分
Cをスタブsにより実現されている点にある。
2の増幅器22の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図38に示す増幅器22は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
s、L2sと高域通過フィルタH1s、H2sを内部に
有している。そして、図38に示す増幅器22が図37
に示す増幅器21と異なるところは、図39に示すよう
にフィルタL1s、L2s、H1s、H2sの容量成分
Cをスタブsにより実現されている点にある。
【0059】実施の形態22によれば、増幅器22にお
いて任意の低域通過フィルタL1s、L2sと高域通過
フィルタH1s、H2sの組み合わせによる段階的な低
域及び高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過
させるとともに非伝送信号成分を低減させる機能を持
ち、かつフィルタL1s、L2s、H1s、H2sの構
成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数
のピークをずらすことができるので増幅器22全体の群
遅延偏差を抑圧することができる。
いて任意の低域通過フィルタL1s、L2sと高域通過
フィルタH1s、H2sの組み合わせによる段階的な低
域及び高域低減方法をとることで、伝送信号帯域を通過
させるとともに非伝送信号成分を低減させる機能を持
ち、かつフィルタL1s、L2s、H1s、H2sの構
成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数
のピークをずらすことができるので増幅器22全体の群
遅延偏差を抑圧することができる。
【0060】(実施の形態23)図40は実施の形態2
3に示す増幅器23内部の概略構成を示すブロック図で
ある。図40に示す増幅器23は、増幅作用を持つ増幅
部1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成され
ており、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL
1sa、L2saと高域通過フィルタH1sa、H2s
aを内部に有している。そして、図40に示す増幅器2
3が図38に示す増幅器22と異なるところは、図41
(b)に示すように前記スタブsの近傍に調整用ランド
saを設けている点にある。
3に示す増幅器23内部の概略構成を示すブロック図で
ある。図40に示す増幅器23は、増幅作用を持つ増幅
部1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成され
ており、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL
1sa、L2saと高域通過フィルタH1sa、H2s
aを内部に有している。そして、図40に示す増幅器2
3が図38に示す増幅器22と異なるところは、図41
(b)に示すように前記スタブsの近傍に調整用ランド
saを設けている点にある。
【0061】実施の形態23によれば、実施の形態22
の効果に加え、調整用ランドsaを用いてスタブ面積を
変化させることによりフィルタ特性が変わり、ひいては
群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更するこ
とができる。
の効果に加え、調整用ランドsaを用いてスタブ面積を
変化させることによりフィルタ特性が変わり、ひいては
群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更するこ
とができる。
【0062】(実施の形態24)図42は実施の形態2
4の増幅器24内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図42に示す増幅器24は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
w、L2wと高域通過フィルタH1w、H2wを内部に
有している。そして、図42に示す増幅器24が図37
に示す増幅器21と異なるところは、図43に示すよう
に低域フィルタL1w、L2wのインダクタンスLをワ
イヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス成分に
より実現されている点にある。
4の増幅器24内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図42に示す増幅器24は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
w、L2wと高域通過フィルタH1w、H2wを内部に
有している。そして、図42に示す増幅器24が図37
に示す増幅器21と異なるところは、図43に示すよう
に低域フィルタL1w、L2wのインダクタンスLをワ
イヤボンディング用金ワイヤwのインダクタンス成分に
より実現されている点にある。
【0063】実施の形態24によれば、増幅器24にお
いて任意のフィルタL1w、L2w、H1w、H2wの
組み合わせによる段階的な低域及び高域低減方法をとる
ことで、伝送信号帯域を通過させるとともに非信号帯域
成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタL1w、L
2w、H1w、H2wの構成素子と増幅部1A、2A〜
nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏
差が生じるが、この周波数のピークをずらすことができ
るので増幅器全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
いて任意のフィルタL1w、L2w、H1w、H2wの
組み合わせによる段階的な低域及び高域低減方法をとる
ことで、伝送信号帯域を通過させるとともに非信号帯域
成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタL1w、L
2w、H1w、H2wの構成素子と増幅部1A、2A〜
nAとの多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏
差が生じるが、この周波数のピークをずらすことができ
るので増幅器全体の群遅延偏差を抑圧することができ
る。
【0064】(実施の形態25)図44は実施の形態2
5の増幅器25内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図44に示す増幅器25は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
wa、L2waと高域通過フィルタH1wa、H2wa
を内部に有している。そして、図44に示す増幅器25
が図42に示す増幅器24と異なるところは、図45に
示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のランドw
aを設けている点にある。
5の増幅器25内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図44に示す増幅器25は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
wa、L2waと高域通過フィルタH1wa、H2wa
を内部に有している。そして、図44に示す増幅器25
が図42に示す増幅器24と異なるところは、図45に
示すようにワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のランドw
aを設けている点にある。
【0065】実施の形態25によれば、実施の形態24
の効果に加え、調整用ランドwaを用いてワイヤ長を変
化させることにより、フィルタ特性が変わり、ひいては
群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更するこ
とができる。
の効果に加え、調整用ランドwaを用いてワイヤ長を変
化させることにより、フィルタ特性が変わり、ひいては
群遅延のピークがずれるので群遅延偏差量を変更するこ
とができる。
【0066】(実施の形態26)図46は実施の形態2
6の増幅器26内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図46に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されてお
り、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1s
w、L2swと高域通過フィルタH1sw、H2swを
内部に有している。そして、図46に示す増幅器26が
図37に示す増幅器21と異なるところは、図47に示
すように低域フィルタL1sw、L2swと高域通過フ
ィルタH1sw、H2swの容量成分Cをスタブsで、
インダクタンスLをワイヤボンディング用金ワイヤwの
インダクタンス成分により実現されている点にある。
6の増幅器26内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図46に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されてお
り、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1s
w、L2swと高域通過フィルタH1sw、H2swを
内部に有している。そして、図46に示す増幅器26が
図37に示す増幅器21と異なるところは、図47に示
すように低域フィルタL1sw、L2swと高域通過フ
ィルタH1sw、H2swの容量成分Cをスタブsで、
インダクタンスLをワイヤボンディング用金ワイヤwの
インダクタンス成分により実現されている点にある。
【0067】実施の形態26によれば、増幅器26にお
いて、任意の低域通過フィルタL1sw、L2swと高
域通過フィルタH1sw、H2swの組み合わせによる
段階的な低域及び高域低減方法をとることで、伝送信号
帯域を通過させるとともに非伝送帯域成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタL1sw、L2sw、H1s
w、H2swの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じ
るが、この周波数のピークをずらすことができるので増
幅器26全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
いて、任意の低域通過フィルタL1sw、L2swと高
域通過フィルタH1sw、H2swの組み合わせによる
段階的な低域及び高域低減方法をとることで、伝送信号
帯域を通過させるとともに非伝送帯域成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタL1sw、L2sw、H1s
w、H2swの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じ
るが、この周波数のピークをずらすことができるので増
幅器26全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
【0068】(実施の形態27)図48は実施の形態2
7の増幅器27内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図48に示す増幅器27は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
swa、L2swaと高域通過フィルタH1swa、H
2swaを内部に有している。そして、図48に示す増
幅器27が図46に示す増幅器26と異なるところは、
図49に示すようにスタブsの近傍に調整用ランドsa
を、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のランドwaを設
けている点にある。
7の増幅器27内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図48に示す増幅器27は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAがベアチップFETにより構成されて
おり、また、定数の異なる任意の低域通過フィルタL1
swa、L2swaと高域通過フィルタH1swa、H
2swaを内部に有している。そして、図48に示す増
幅器27が図46に示す増幅器26と異なるところは、
図49に示すようにスタブsの近傍に調整用ランドsa
を、ワイヤwの近傍にワイヤ長調整用のランドwaを設
けている点にある。
【0069】実施の形態26によれば、実施の形態25
の効果に加え、調整用ランドsa、waを用いてスタブ
面積及びワイヤ長の2種類のパラメータを変更すること
ができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更することができ
る。
の効果に加え、調整用ランドsa、waを用いてスタブ
面積及びワイヤ長の2種類のパラメータを変更すること
ができ、より柔軟に群遅延偏差量を変更することができ
る。
【0070】(実施の形態28)図50は実施の形態2
8の増幅器28内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図50に示す増幅器28は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1c、L2cを内部に有している。そして、図5
0に示す増幅器28が図1に示す増幅器1と異なるとこ
ろは、低域フィルタL1c、L2cがそれぞれ異なる減
衰特性(例:チェビシェフ、ベッセル、ガウスなど)で
構成されている点にある。
8の増幅器28内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図50に示す増幅器28は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1c、L2cを内部に有している。そして、図5
0に示す増幅器28が図1に示す増幅器1と異なるとこ
ろは、低域フィルタL1c、L2cがそれぞれ異なる減
衰特性(例:チェビシェフ、ベッセル、ガウスなど)で
構成されている点にある。
【0071】実施の形態28によれば、増幅器28にお
いて、異なる減衰特性のフィルタL1c、L2cの組み
合わせによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送
信号帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタL1c、L2cの構成素子と
増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れ
がもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピーク
をずらすことができるので増幅器28全体の群遅延偏差
を抑圧することができる。
いて、異なる減衰特性のフィルタL1c、L2cの組み
合わせによる段階的な高域低減方法をとることで、伝送
信号帯域を通過させるとともに高周波成分を低減させる
機能を持ち、かつフィルタL1c、L2cの構成素子と
増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れ
がもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピーク
をずらすことができるので増幅器28全体の群遅延偏差
を抑圧することができる。
【0072】(実施の形態29)図51は実施の形態2
9の増幅器29の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図51に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィル
タL1f、L2fを内部に有している。そして、図51
に示す増幅器29が図6に示す増幅器3と異なるところ
は、低域フィルタL1f、L2fのカットオフ周波数c
f=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
9の増幅器29の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図51に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィル
タL1f、L2fを内部に有している。そして、図51
に示す増幅器29が図6に示す増幅器3と異なるところ
は、低域フィルタL1f、L2fのカットオフ周波数c
f=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
【0073】実施の形態29によれば、増幅器29にお
いて、異なるカットオフ周波数cf=f1、f2のフィ
ルタL1f、L2fの組み合わせによる段階的な高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に高周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタL
1f、L2fの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じ
るが、この周波数のピークをずらすことができるので増
幅器29全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
いて、異なるカットオフ周波数cf=f1、f2のフィ
ルタL1f、L2fの組み合わせによる段階的な高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に高周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタL
1f、L2fの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの
多重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じ
るが、この周波数のピークをずらすことができるので増
幅器29全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
【0074】(実施の形態30)図52は実施の形態3
0の増幅器30の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図52に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィル
タL1cf、L2cfを内部に有している。そして、図
52に示す増幅器30が図6に示す増幅器3と異なると
ころは、低域フィルタL1cf、L2cfの減衰特性と
カットオフ周波数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点
にある。
0の増幅器30の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図52に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィル
タL1cf、L2cfを内部に有している。そして、図
52に示す増幅器30が図6に示す増幅器3と異なると
ころは、低域フィルタL1cf、L2cfの減衰特性と
カットオフ周波数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点
にある。
【0075】実施の形態30によれば、増幅器30にお
いて、異なる減衰特性及びカットオフ周波数cf=f
1、f2のフィルタL1cf、L2cfを組み合わせる
ことにより実施の形態28、29の効果に加えて、より
柔軟なフィルタの組み合わせ構成が可能となり、その結
果シビアな群遅延偏差量の設計が可能となる。
いて、異なる減衰特性及びカットオフ周波数cf=f
1、f2のフィルタL1cf、L2cfを組み合わせる
ことにより実施の形態28、29の効果に加えて、より
柔軟なフィルタの組み合わせ構成が可能となり、その結
果シビアな群遅延偏差量の設計が可能となる。
【0076】(実施の形態31)図53は実施の形態3
1の増幅器31の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図53に示す増幅器31は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1swcf、L2swcfを内部に有している。
図53に示す増幅器30が図51に示す増幅器29と異
なるところは、実施の形態13記載の定数調整機構(調
整用ランドsa、wa)を設け、かつ低域フィルタL1
swcf、L2swcfの減衰特性、及びカットオフ周
波数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
1の増幅器31の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図53に示す増幅器31は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1swcf、L2swcfを内部に有している。
図53に示す増幅器30が図51に示す増幅器29と異
なるところは、実施の形態13記載の定数調整機構(調
整用ランドsa、wa)を設け、かつ低域フィルタL1
swcf、L2swcfの減衰特性、及びカットオフ周
波数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
【0077】実施の形態31によれば、増幅器31にお
いて実施の形態30の効果に加え実施の形態13記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
いて実施の形態30の効果に加え実施の形態13記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
【0078】(実施の形態32)図54は実施の形態3
2の増幅器32の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図54に示す増幅器32は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィ
ルタH1c、H2cを内部に有している。図54に示す
増幅器32が図7に示す増幅器4と異なるところは、高
域通過フィルタH1c、H2cがそれぞれ異なる減衰特
性(例:チェビシェフ、ベッセル、ガウスなど)で構成
されている点にある。
2の増幅器32の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図54に示す増幅器32は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィ
ルタH1c、H2cを内部に有している。図54に示す
増幅器32が図7に示す増幅器4と異なるところは、高
域通過フィルタH1c、H2cがそれぞれ異なる減衰特
性(例:チェビシェフ、ベッセル、ガウスなど)で構成
されている点にある。
【0079】実施の形態32によれば、増幅器32にお
いて異なる減衰特性の高域通過フィルタH1c、H2c
の組み合わせによる段階的な低域低減方法をとること
で、伝送信号帯域を通過させるとともに低周波成分を低
減させる機能を持ち、かつフィルタH1c、H2cの構
成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数
のピークをずらすことができるので増幅器32全体の群
遅延偏差を抑圧することができる。
いて異なる減衰特性の高域通過フィルタH1c、H2c
の組み合わせによる段階的な低域低減方法をとること
で、伝送信号帯域を通過させるとともに低周波成分を低
減させる機能を持ち、かつフィルタH1c、H2cの構
成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この周波数
のピークをずらすことができるので増幅器32全体の群
遅延偏差を抑圧することができる。
【0080】(実施の形態33)図55は実施の形態3
3の増幅器33の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図55に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1f、H2fを内部に有している。そして、図55
に示す増幅器33が図7に示す増幅器4と異なるところ
は、高域通過フィルタH1f、H2fのカットオフ周波
数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
3の増幅器33の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図55に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1f、H2fを内部に有している。そして、図55
に示す増幅器33が図7に示す増幅器4と異なるところ
は、高域通過フィルタH1f、H2fのカットオフ周波
数cf=f1、f2がそれぞれ異なる点にある。
【0081】実施の形態33によれば、増幅器33にお
いて異なるカットオフ周波数cf=f1、f2のフィル
タH1f、H2fの組み合わせによる段階的な低域低減
方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるとともに
低周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタH1
f、H2fの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多
重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じる
が、この周波数のピークをずらすことができるので増幅
器33全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
いて異なるカットオフ周波数cf=f1、f2のフィル
タH1f、H2fの組み合わせによる段階的な低域低減
方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるとともに
低周波成分を低減させる機能を持ち、かつフィルタH1
f、H2fの構成素子と増幅部1A、2A〜nAとの多
重反射による位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じる
が、この周波数のピークをずらすことができるので増幅
器33全体の群遅延偏差を抑圧することができる。
【0082】(実施の形態34)図56は実施の形態3
4の増幅器34の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図56に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1cf、H2cfを内部に有している。そして、図
56に示す増幅器34が図7に示す増幅器4と異なると
ころは、高域通過フィルタH1cf、H2cfの減衰特
性とカットオフ周波数cf=f1、f2がそれぞれ異な
る点にある。
4の増幅器34の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図56に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1cf、H2cfを内部に有している。そして、図
56に示す増幅器34が図7に示す増幅器4と異なると
ころは、高域通過フィルタH1cf、H2cfの減衰特
性とカットオフ周波数cf=f1、f2がそれぞれ異な
る点にある。
【0083】実施の形態34によれば、増幅器34にお
いて減衰特性及びカットオフ周波数cf=f1、f2が
異なるフィルタH1cf、H2cfを組み合わせること
により実施の形態32、33の効果に加えて、より柔軟
なフィルタH1cf、H2cfの組み合わせ構成が可能
となり、その結果シビアな群遅延偏差量の設計が可能と
なる。
いて減衰特性及びカットオフ周波数cf=f1、f2が
異なるフィルタH1cf、H2cfを組み合わせること
により実施の形態32、33の効果に加えて、より柔軟
なフィルタH1cf、H2cfの組み合わせ構成が可能
となり、その結果シビアな群遅延偏差量の設計が可能と
なる。
【0084】(実施の形態35)図57は実施の形態3
5の増幅器35の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図57に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1swcf、H2swcfを内部に有している。そ
して、図57に示す増幅器35が図56に示す増幅器3
4と異なるところは、実施の形態20記載の定数調整機
能ga、waを設け、かつ高域フィルタH1swcf、
H2swcfの減衰特性及びカットオフ周波数cf=f
1、f2がそれぞれ異なる点にある。
5の増幅器35の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図57に示す増幅器は、増幅作用を持つ増幅部1
A、2A〜nAと、定数の異なる任意の高域通過フィル
タH1swcf、H2swcfを内部に有している。そ
して、図57に示す増幅器35が図56に示す増幅器3
4と異なるところは、実施の形態20記載の定数調整機
能ga、waを設け、かつ高域フィルタH1swcf、
H2swcfの減衰特性及びカットオフ周波数cf=f
1、f2がそれぞれ異なる点にある。
【0085】実施の形態35によれば、増幅器35にお
いて実施の形態34の効果に加え実施の形態20記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
いて実施の形態34の効果に加え実施の形態20記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
【0086】(実施の形態36)図58は実施の形態3
6の増幅器36の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図58に示す増幅器36は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1c、L2c及び高域通過フィルタH1c、H2
cを内部に有している。そして、図58に示す増幅器3
5が図8に示す増幅器5と異なるところは、低域通過フ
ィルタL1c、L2c及び高域通過フィルタH1c、H
2cがそれぞれ異なる減衰特性(例:チェビシェフ、ベ
ッセル、ガウスなど)で構成されている点にある。
6の増幅器36の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図58に示す増幅器36は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1c、L2c及び高域通過フィルタH1c、H2
cを内部に有している。そして、図58に示す増幅器3
5が図8に示す増幅器5と異なるところは、低域通過フ
ィルタL1c、L2c及び高域通過フィルタH1c、H
2cがそれぞれ異なる減衰特性(例:チェビシェフ、ベ
ッセル、ガウスなど)で構成されている点にある。
【0087】実施の形態35によれば、増幅器35にお
いて異なる減衰特性のフィルタL1c、L2c、H1
c、H2cの組み合わせによる段階的な低域及び高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に非伝送帯域成分を低減させる機能を持ち、かつフィル
タL1c、L2c、H1c、H2cの構成素子と増幅部
1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもた
らす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずら
すことができるので増幅器35全体の群遅延偏差を抑圧
することができる。
いて異なる減衰特性のフィルタL1c、L2c、H1
c、H2cの組み合わせによる段階的な低域及び高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に非伝送帯域成分を低減させる機能を持ち、かつフィル
タL1c、L2c、H1c、H2cの構成素子と増幅部
1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもた
らす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずら
すことができるので増幅器35全体の群遅延偏差を抑圧
することができる。
【0088】(実施の形態37)図59は実施の形態3
7の増幅器37内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図59に示す増幅器37は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1f、L2f及び高域通過フィルタH1f、H2
fを内部に有している。そして、図59に示す増幅器3
7が図8に示す増幅器5と異なるところは、フィルタL
1f、L2f、H1f、H2fの各カットオフ周波数c
f=f1L、f1H、f2L、f2Hがそれぞれ異なる
点にある。
7の増幅器37内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図59に示す増幅器37は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1f、L2f及び高域通過フィルタH1f、H2
fを内部に有している。そして、図59に示す増幅器3
7が図8に示す増幅器5と異なるところは、フィルタL
1f、L2f、H1f、H2fの各カットオフ周波数c
f=f1L、f1H、f2L、f2Hがそれぞれ異なる
点にある。
【0089】実施の形態37によれば、前記増幅器37
において、異なるカットオフ周波数cf=f1L、f1
H、f2L、f2HのフィルタL1f、L2f、H1
f、H2fの組み合わせによる段階的な低域及び高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に非伝送帯域成分を低減させる機能を持ち、かつフィル
タL1f、L2f、H1f、H2fの構成素子と増幅部
1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもた
らす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずら
すことができるので増幅器37全体の群遅延偏差を抑圧
することができる。
において、異なるカットオフ周波数cf=f1L、f1
H、f2L、f2HのフィルタL1f、L2f、H1
f、H2fの組み合わせによる段階的な低域及び高域低
減方法をとることで、伝送信号帯域を通過させるととも
に非伝送帯域成分を低減させる機能を持ち、かつフィル
タL1f、L2f、H1f、H2fの構成素子と増幅部
1A、2A〜nAとの多重反射による位相の乱れがもた
らす群遅延偏差が生じるが、この周波数のピークをずら
すことができるので増幅器37全体の群遅延偏差を抑圧
することができる。
【0090】(実施の形態38)図60は実施の形態3
8の増幅器38の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図60に示す増幅器38は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1cf、L2cf及び高域通過フィルタH1c
f、H2cfを内部に有している。そして、図60に示
す増幅器38が図8に示す増幅器5と異なるところは、
フィルタL1cf、L2cf、H1cf、H2cfの減
衰特性及びカットオフ周波数cf=f1L、f1H、f
2L、f2Hがそれぞれ異なる点にある。
8の増幅器38の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図60に示す増幅器38は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1cf、L2cf及び高域通過フィルタH1c
f、H2cfを内部に有している。そして、図60に示
す増幅器38が図8に示す増幅器5と異なるところは、
フィルタL1cf、L2cf、H1cf、H2cfの減
衰特性及びカットオフ周波数cf=f1L、f1H、f
2L、f2Hがそれぞれ異なる点にある。
【0091】実施の形態38によれば、増幅器38にお
いて異なる減衰特性及びカットオフ周波数cf=f1
L、f1H、f2L、f2HのフィルタL1cf、L2
cf、H1cf、H2cfを組み合わせることにより実
施の形態36、37の効果に加えて、より柔軟なフィル
タの組み合わせ構成が可能となり、その結果シビアな群
遅延偏差量の設計が可能となる。
いて異なる減衰特性及びカットオフ周波数cf=f1
L、f1H、f2L、f2HのフィルタL1cf、L2
cf、H1cf、H2cfを組み合わせることにより実
施の形態36、37の効果に加えて、より柔軟なフィル
タの組み合わせ構成が可能となり、その結果シビアな群
遅延偏差量の設計が可能となる。
【0092】(実施の形態39)図61は実施の形態3
9の増幅器39の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図61に示す増幅器39は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1swcf、L2swcf及び高域通過フィルタ
H1swcf、H2swcfを内部に有している。そし
て、図61に示す増幅器39が図60に示す増幅器38
と異なるところは、実施の形態27記載の定数調整機能
sa、waを設け、かつ低域、高域フィルタL1swc
f、L2swcf、H1swcf、H2swcfの減衰
特性及びカットオフ周波数cf=f1L、f1H、f2
L、f2Hがそれぞれ異なる点にある。
9の増幅器39の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図61に示す増幅器39は、増幅作用を持つ増幅部
1A、2A〜nAと、定数の異なる任意の低域通過フィ
ルタL1swcf、L2swcf及び高域通過フィルタ
H1swcf、H2swcfを内部に有している。そし
て、図61に示す増幅器39が図60に示す増幅器38
と異なるところは、実施の形態27記載の定数調整機能
sa、waを設け、かつ低域、高域フィルタL1swc
f、L2swcf、H1swcf、H2swcfの減衰
特性及びカットオフ周波数cf=f1L、f1H、f2
L、f2Hがそれぞれ異なる点にある。
【0093】実施の形態39によれば、増幅器39にお
いて実施の形態38の効果に加え実施の形態27記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
いて実施の形態38の効果に加え実施の形態27記載の
方法で調整を行うことにより、柔軟に群遅延偏差量を変
更することができる。
【0094】(実施の形態40)図62は実施の形態4
0の増幅器40の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図62に示す増幅器40は、増幅作用を持つ増幅部
1t、2t〜ntとフィルタL1、L2を内部に有して
いる。そして、図62に示す増幅器40が実施の形態1
〜39の増幅器1〜39と異なるところは、図63に示
すように増幅部1t、2t〜ntが図40で示すように
トランジスタで構成されている点にある。
0の増幅器40の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図62に示す増幅器40は、増幅作用を持つ増幅部
1t、2t〜ntとフィルタL1、L2を内部に有して
いる。そして、図62に示す増幅器40が実施の形態1
〜39の増幅器1〜39と異なるところは、図63に示
すように増幅部1t、2t〜ntが図40で示すように
トランジスタで構成されている点にある。
【0095】(実施の形態41)図64は実施の形態4
1の増幅器41の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図64に示す増幅器41は、増幅作用を持つ増幅部
1i、2i〜niとフィルタL1、L2を内部に有して
いる。そして、図64に示す増幅器41が実施の形態1
〜40の増幅器1〜40と異なるところは、図65に示
すように増幅部1i、2i〜niが集積化されている点
にある。
1の増幅器41の内部の概略構成を示すブロック図であ
る。図64に示す増幅器41は、増幅作用を持つ増幅部
1i、2i〜niとフィルタL1、L2を内部に有して
いる。そして、図64に示す増幅器41が実施の形態1
〜40の増幅器1〜40と異なるところは、図65に示
すように増幅部1i、2i〜niが集積化されている点
にある。
【0096】(実施の形態42)図66は実施の形態4
2として光送信装置42gの内部の概略構成を示すブロ
ック図である。図66に示す光送信装置42gは、周波
数多重化された多チャネル入力信号をFM変調器42a
で一括してFM変調することでFM一括変調信号を生成
し、得られたFM一括変調信号は前段増幅器42b、分
周器42c、後段増幅器42d(図では実施の形態13
の増幅器13を示す)、半導体レーザ42eからなる光
変調器42fにより光変調されることで光信号が生成さ
れる機能を有している。
2として光送信装置42gの内部の概略構成を示すブロ
ック図である。図66に示す光送信装置42gは、周波
数多重化された多チャネル入力信号をFM変調器42a
で一括してFM変調することでFM一括変調信号を生成
し、得られたFM一括変調信号は前段増幅器42b、分
周器42c、後段増幅器42d(図では実施の形態13
の増幅器13を示す)、半導体レーザ42eからなる光
変調器42fにより光変調されることで光信号が生成さ
れる機能を有している。
【0097】次に光送信装置42gの動作について説明
する。周波数多重化された多チャネル入力信号をFM変
調器42aで一括してFM変調することでFM一括変調
信号を生成し、得られたFM一括変調信号は、増幅作用
のみをもつ前段増幅器42bで増幅される。次いでこの
伝送信号は信号電力対雑音電力比(CNR)の劣化を抑
えるため分周器42cにて分周される。ここで、前記F
M変調後及び分周後の伝送信号には高調波を生じてお
り、この不要高調波が信号に含まれたまま伝送されると
伝送後の画像品質の劣化につながる。よって、増幅作用
と高域低減作用を持つ後段増幅器42dにより増幅され
るとともに、高調波低減されたFM一括変調信号が得ら
れ、次いで半導体レーザ42eにより光変調されること
により高調波成分が抑圧された光信号を得ることができ
る。
する。周波数多重化された多チャネル入力信号をFM変
調器42aで一括してFM変調することでFM一括変調
信号を生成し、得られたFM一括変調信号は、増幅作用
のみをもつ前段増幅器42bで増幅される。次いでこの
伝送信号は信号電力対雑音電力比(CNR)の劣化を抑
えるため分周器42cにて分周される。ここで、前記F
M変調後及び分周後の伝送信号には高調波を生じてお
り、この不要高調波が信号に含まれたまま伝送されると
伝送後の画像品質の劣化につながる。よって、増幅作用
と高域低減作用を持つ後段増幅器42dにより増幅され
るとともに、高調波低減されたFM一括変調信号が得ら
れ、次いで半導体レーザ42eにより光変調されること
により高調波成分が抑圧された光信号を得ることができ
る。
【0098】ここで、従来までの方法では、高調波低減
量と低群遅延偏差はトレードオフの関係があり、画像品
質が劣化しないように十分に高調波成分を低減し、かつ
低群遅延偏差を実現することは困難であった。そこで、
光送信装置42gにおいて光変調器42fの後段増幅器
42dとして増幅器13を用いることにより、実施の形
態13で記載の効果が期待できる。すなわちFM変調器
及び分周器後に生じる不要高調波を抑圧させかつ、任意
のフィルタの組み合わせによる段階的な高域低減方法を
とることで、伝送信号帯域を通過させるとともに高周波
成分を低減させる機能を持ち、異なるフィルタを用いる
ことによりフィルタの構成素子と増幅部との多重反射に
よる位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この
周波数のピークをずらすことができるので増幅器13全
体の群遅延偏差を抑圧することができ、伝送後の画像品
質の劣化をもたらす高調波及び群遅延偏差の発生を十分
抑えることができ、ひいては光伝送後の画質の劣化を確
実に防止することができる光送信装置を提供できる。
量と低群遅延偏差はトレードオフの関係があり、画像品
質が劣化しないように十分に高調波成分を低減し、かつ
低群遅延偏差を実現することは困難であった。そこで、
光送信装置42gにおいて光変調器42fの後段増幅器
42dとして増幅器13を用いることにより、実施の形
態13で記載の効果が期待できる。すなわちFM変調器
及び分周器後に生じる不要高調波を抑圧させかつ、任意
のフィルタの組み合わせによる段階的な高域低減方法を
とることで、伝送信号帯域を通過させるとともに高周波
成分を低減させる機能を持ち、異なるフィルタを用いる
ことによりフィルタの構成素子と増幅部との多重反射に
よる位相の乱れがもたらす群遅延偏差が生じるが、この
周波数のピークをずらすことができるので増幅器13全
体の群遅延偏差を抑圧することができ、伝送後の画像品
質の劣化をもたらす高調波及び群遅延偏差の発生を十分
抑えることができ、ひいては光伝送後の画質の劣化を確
実に防止することができる光送信装置を提供できる。
【0099】(実施の形態43)図67は実施の形態4
3として光受信装置43gの内部の概略構成を示すブロ
ック図である。図67に示す光受信装置43gは、光送
信装置42gからの光変調信号を電気変換する光受信器
43a及びFM復調するためのFM復調器43bで構成
されている。光受信装置43gの動作について説明す
る。光送信装置42gから光変調された信号が光受信装
置43gに入力され、光受信器43aにより光復調され
た後、FM復調器43bで周波数多重化された多チャネ
ル信号に復調される。
3として光受信装置43gの内部の概略構成を示すブロ
ック図である。図67に示す光受信装置43gは、光送
信装置42gからの光変調信号を電気変換する光受信器
43a及びFM復調するためのFM復調器43bで構成
されている。光受信装置43gの動作について説明す
る。光送信装置42gから光変調された信号が光受信装
置43gに入力され、光受信器43aにより光復調され
た後、FM復調器43bで周波数多重化された多チャネ
ル信号に復調される。
【0100】ここで、群遅延偏差が大きい伝送路では、
FM信号の非線形性によりFM復調後のFM信号のひず
みが大きくなり、ひいては画像劣化につながる。また、
伝送路中の高次の高調波成分も画質劣化をもたらす。そ
こで、光送信装置42gを送信装置として用いる光受信
装置43gでは、実施の形態41記載の効果により画像
品質が劣化しない十分な高調波低減量、低群遅延偏差の
信号が入力されるので光受信装置43gの性能緩和をも
たらす。これにより受信装置として必要な群遅延低減機
能や高調波低減機能を省くことができ、コスト削減効果
をもたらす。
FM信号の非線形性によりFM復調後のFM信号のひず
みが大きくなり、ひいては画像劣化につながる。また、
伝送路中の高次の高調波成分も画質劣化をもたらす。そ
こで、光送信装置42gを送信装置として用いる光受信
装置43gでは、実施の形態41記載の効果により画像
品質が劣化しない十分な高調波低減量、低群遅延偏差の
信号が入力されるので光受信装置43gの性能緩和をも
たらす。これにより受信装置として必要な群遅延低減機
能や高調波低減機能を省くことができ、コスト削減効果
をもたらす。
【0101】(実施の形態44)図68は実施の形態4
4として光伝送装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図68に示す光伝送装置44gは、送信装置として
前記光送信装置42gと、受信装置として光受信装置4
3gで構成されている。光伝送装置44の動作について
説明する。周波数多重化された多チャネル入力信号をF
M変調器42aで一括してFM変調することでFM一括変
調信号を生成し、得られたFM一括変調信号は増幅作用
のみをもつ前段増幅器42bで増幅される。次いで信号
電力対雑音電力比(CNR)の劣化を抑えるため分周器
42cにて伝送信号は分周され、次いで増幅作用と高域
低減作用を持つ後段増幅器42dにて増幅され、かつ高
調波低減されたFM一括変調信号は半導体レーザ42e
により変調される。
4として光伝送装置の概略構成を示すブロック図であ
る。図68に示す光伝送装置44gは、送信装置として
前記光送信装置42gと、受信装置として光受信装置4
3gで構成されている。光伝送装置44の動作について
説明する。周波数多重化された多チャネル入力信号をF
M変調器42aで一括してFM変調することでFM一括変
調信号を生成し、得られたFM一括変調信号は増幅作用
のみをもつ前段増幅器42bで増幅される。次いで信号
電力対雑音電力比(CNR)の劣化を抑えるため分周器
42cにて伝送信号は分周され、次いで増幅作用と高域
低減作用を持つ後段増幅器42dにて増幅され、かつ高
調波低減されたFM一括変調信号は半導体レーザ42e
により変調される。
【0102】変調信号は光ファイバ伝送路44aを用い
て伝送され、光受信器43aにより光/電気変換され、
得られたFM一括変調信号をFM復調器43bにてFM
復調し、原信号の周波数多重化された多チャネル信号を
得る。実施の形態44によれば、実施の形態42及び4
3の効果により、周波数多重化された多チャネル信号を
伝送する伝送装置として優れたシステムを提供できる。
て伝送され、光受信器43aにより光/電気変換され、
得られたFM一括変調信号をFM復調器43bにてFM
復調し、原信号の周波数多重化された多チャネル信号を
得る。実施の形態44によれば、実施の形態42及び4
3の効果により、周波数多重化された多チャネル信号を
伝送する伝送装置として優れたシステムを提供できる。
【0103】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ィルタの構成素子と多段の増幅部との多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧することができ
る。
ィルタの構成素子と多段の増幅部との多重反射による位
相の乱れがもたらす群遅延偏差を抑圧することができ
る。
【図1】本発明に係る増幅器の実施の形態1を示すブロ
ック図
ック図
【図2】従来例の増幅器の特性を示すグラフ (a)周波数−ゲイン特性を示すグラフ (b)周波数−群遅延特性を示すグラフ
【図3】図1の増幅器の特性の一例を示すグラフ (a)周波数−ゲイン特性を示すグラフ (b)周波数−群遅延特性を示すグラフ
【図4】図1の増幅器の特性の他の例を示すグラフ (a)周波数−ゲイン特性を示すグラフ (b)周波数−群遅延特性を示すグラフ
【図5】本発明に係る増幅器の実施の形態2を示すブロ
ック図
ック図
【図6】本発明に係る増幅器の実施の形態3を示すブロ
ック図
ック図
【図7】本発明に係る増幅器の実施の形態4を示すブロ
ック図
ック図
【図8】本発明に係る増幅器の実施の形態5を示すブロ
ック図
ック図
【図9】本発明に係る増幅器の実施の形態6を示すブロ
ック図
ック図
【図10】本発明に係る増幅器の実施の形態7を示すブ
ロック図
ロック図
【図11】図1の増幅部を詳しく示すブロック図
【図12】本発明に係る増幅器の実施の形態8を示すブ
ロック図
ロック図
【図13】図12の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図14】本発明に係る増幅器の実施の形態9を示すブ
ロック図
ロック図
【図15】図14の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図16】本発明に係る増幅器の実施の形態10を示す
ブロック図
ブロック図
【図17】図16の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図18】本発明に係る増幅器の実施の形態11を示す
ブロック図
ブロック図
【図19】図18の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図20】本発明に係る増幅器の実施の形態12を示す
ブロック図
ブロック図
【図21】図20の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図22】本発明に係る増幅器の実施の形態13を示す
ブロック図
ブロック図
【図23】図21の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図24】本発明に係る増幅器の実施の形態14を示す
ブロック図
ブロック図
【図25】本発明に係る増幅器の実施の形態15を示す
ブロック図
ブロック図
【図26】図25の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図27】本発明に係る増幅器の実施の形態16を示す
ブロック図
ブロック図
【図28】図27の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図29】本発明に係る増幅器の実施の形態17を示す
ブロック図
ブロック図
【図30】図29の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図31】本発明に係る増幅器の実施の形態18を示す
ブロック図
ブロック図
【図32】図31の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図33】本発明に係る増幅器の実施の形態19を示す
ブロック図
ブロック図
【図34】図33の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図35】本発明に係る増幅器の実施の形態20を示す
ブロック図
ブロック図
【図36】図35の高域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図37】本発明に係る増幅器の実施の形態21を示す
ブロック図
ブロック図
【図38】本発明に係る増幅器の実施の形態22を示す
ブロック図
ブロック図
【図39】図38の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図40】本発明に係る増幅器の実施の形態23を示す
ブロック図
ブロック図
【図41】図40の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図42】本発明に係る増幅器の実施の形態24を示す
ブロック図
ブロック図
【図43】図42の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図44】本発明に係る増幅器の実施の形態25を示す
ブロック図
ブロック図
【図45】図44の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図46】本発明に係る増幅器の実施の形態26を示す
ブロック図
ブロック図
【図47】図46の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図48】本発明に係る増幅器の実施の形態27を示す
ブロック図
ブロック図
【図49】図48の低域通過フィルタを詳しく示す図 (a)回路図 (b)構成図
【図50】本発明に係る増幅器の実施の形態28を示す
ブロック図
ブロック図
【図51】本発明に係る増幅器の実施の形態29を示す
ブロック図
ブロック図
【図52】本発明に係る増幅器の実施の形態30を示す
ブロック図
ブロック図
【図53】本発明に係る増幅器の実施の形態31を示す
ブロック図
ブロック図
【図54】本発明に係る増幅器の実施の形態32を示す
ブロック図
ブロック図
【図55】本発明に係る増幅器の実施の形態33を示す
ブロック図
ブロック図
【図56】本発明に係る増幅器の実施の形態34を示す
ブロック図
ブロック図
【図57】本発明に係る増幅器の実施の形態35を示す
ブロック図
ブロック図
【図58】本発明に係る増幅器の実施の形態36を示す
ブロック図
ブロック図
【図59】本発明に係る増幅器の実施の形態37を示す
ブロック図
ブロック図
【図60】本発明に係る増幅器の実施の形態38を示す
ブロック図
ブロック図
【図61】本発明に係る増幅器の実施の形態39を示す
ブロック図
ブロック図
【図62】本発明に係る増幅器の実施の形態40を示す
ブロック図
ブロック図
【図63】図62の増幅部を詳しく示すブロック図
【図64】本発明に係る増幅器の実施の形態41を示す
ブロック図
ブロック図
【図65】図64の増幅部を詳しく示すブロック図
【図66】本発明の実施の形態42として光送信装置を
示すブロック図
示すブロック図
【図67】本発明の実施の形態43として光受信装置を
示すブロック図
示すブロック図
【図68】本発明の実施の形態44として光伝送装置を
示すブロック図
示すブロック図
【図69】従来の増幅器を示すブロック図
【図70】従来の光送信装置を示すブロック図
【図71】従来の光受信装置を示すブロック図
【図72】従来の光伝送装置を示すブロック図
151〜15n,1A〜nA,1t〜nt,1i〜ni
増幅部 L1,L2,L1x,L2x,L1s,L2s,L1s
a,L2sa,L1w,L2w,L1wa,L2wa,
L1sw,L2sw,L1swa,L2swa,L1
c,L2c,L1cf,L2cf,L1swcf,L2
swcf 低域通過フィルタ H1,H2,H1x,H2x,H1g,H2g,H1g
a,H2ga,H1w,H2w,H1wa,H2wa,
H1gw,H2gw,H1gwa,H2gwa,H1s
w,H2sw,H1swa,H2swa,H1c,H2
c,H1f,H2f,H1cf,H2cf,H1swc
f,H2swcf 高域通過フィルタ 42a FM変調器 42b 前段増幅器 42c 分周器 42e 半導体レーザ 42g 光送信装置 43a 光受信器 43b FM復調器 43g 光受信装置 44a 光ファイバ伝送路
増幅部 L1,L2,L1x,L2x,L1s,L2s,L1s
a,L2sa,L1w,L2w,L1wa,L2wa,
L1sw,L2sw,L1swa,L2swa,L1
c,L2c,L1cf,L2cf,L1swcf,L2
swcf 低域通過フィルタ H1,H2,H1x,H2x,H1g,H2g,H1g
a,H2ga,H1w,H2w,H1wa,H2wa,
H1gw,H2gw,H1gwa,H2gwa,H1s
w,H2sw,H1swa,H2swa,H1c,H2
c,H1f,H2f,H1cf,H2cf,H1swc
f,H2swcf 高域通過フィルタ 42a FM変調器 42b 前段増幅器 42c 分周器 42e 半導体レーザ 42g 光送信装置 43a 光受信器 43b FM復調器 43g 光受信装置 44a 光ファイバ伝送路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/26 10/28 Fターム(参考) 5J069 AA01 CA00 CA26 FA20 HA02 HA29 HA33 KA33 KA42 KA44 KA46 KA53 KA55 KA68 MA08 QA04 TA01 TA03 5J092 AA01 CA00 CA26 FA20 HA02 HA29 HA33 KA33 KA42 KA44 KA46 KA53 KA55 KA68 MA08 QA04 TA01 TA03 5K002 AA01 AA03 CA01 CA16 DA08 FA01
Claims (12)
- 【請求項1】 入力伝送信号を増幅する多段の増幅部
と、 前記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部
から入力する伝送信号の高周波成分を同一又は異なる低
域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を通過させ
る複数の低域通過フィルタとを有し、 前記複数の低域通過フィルタは、その構成素子と前記多
段の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差を低減するように構成されている増幅器。 - 【請求項2】 入力伝送信号を増幅する多段の増幅部
と、 前記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部
から入力する伝送信号の低周波成分を同一又は異なる高
域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯域を通過させ
る複数の高域通過フィルタとを有し、 前記複数の高域通過フィルタは、その構成素子と前記多
段の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差を低減するように構成されている増幅器。 - 【請求項3】 入力伝送信号を増幅する多段の増幅部
と、 前記多段の増幅部の任意の間に設けられ、前段の増幅部
から入力する伝送信号の高周波成分、低周波成分を同一
又は異なる帯域通過特性で段階的に低減して伝送信号帯
域を通過させる複数の帯域通過フィルタと、 前記複数の帯域通過フィルタは、その構成素子と前記多
段の増幅部との多重反射による位相の乱れがもたらす群
遅延偏差を低減するように構成されている増幅器。 - 【請求項4】 前記フィルタを構成するLCフィルタの
C成分をスタブにより形成してスタブ面積を調整するこ
とにより、群遅延偏差を低減するよう構成されている請
求項1から3のいずれか1つに記載の増幅器。 - 【請求項5】 前記フィルタを構成するLCフィルタの
C成分を配線パターン間のギャップにより形成してギャ
ップ間の距離を調整することにより、群遅延偏差を低減
するよう構成されている請求項1から3のいずれか1つ
に記載の増幅器。 - 【請求項6】 前記フィルタを構成するLCフィルタの
L成分をボンディングワイヤにより形成してワイヤ長を
調整することにより、群遅延偏差を低減するよう構成さ
れている請求項1から5のいずれか1つに記載の増幅
器。 - 【請求項7】 前記スタブ、ギャップ又はボンディング
ワイヤの近傍にランドを形成してランド面積を調整する
ことにより、群遅延偏差を低減するよう構成されている
請求項4から6のいずれか1つに記載の増幅器。 - 【請求項8】 前記複数のフィルタの各減衰特性が異な
るように調整することにより、群遅延偏差を低減するよ
う構成されている請求項1から7のいずれか1つに記載
の増幅器。 - 【請求項9】 前記複数のフィルタの各カットオフ周波
数特性が異なるように調整することにより、群遅延偏差
を低減するよう構成されている請求項1から8のいずれ
か1つに記載の増幅器。 - 【請求項10】 周波数多重化された多チャネル信号を
一括して周波数変調するFM変調器と、 前記周波数変調して得られたFM一括変調信号を増幅す
る請求項1から9のいずれか1つに記載の増幅器と、 前記増幅器により増幅された信号を光変調して光受信装
置に送信する手段とを、 有する光送信装置。 - 【請求項11】 請求項10記載の光送信装置から送信
された信号を受信して、群遅延低減及び高調波低減を行
うことなくFM復調するよう構成されている光受信装
置。 - 【請求項12】 請求項10記載の光送信装置により光
変調された信号を光伝送路を介して請求項11記載の光
受信装置に送信する光伝送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001162324A JP2002353755A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001162324A JP2002353755A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002353755A true JP2002353755A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19005473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001162324A Withdrawn JP2002353755A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 増幅器、光送信装置及び光受信装置並びに光伝送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002353755A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005212017A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 |
JP2008011257A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Advantest Corp | ハイパスフィルタ、ハイパスフィルタの製造方法、及びスペクトラムアナライザ |
JP2010200107A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Hitachi Ltd | マイクロ波、ミリ波帯増幅回路及びそれを用いたミリ波無線機 |
JPWO2022024189A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001162324A patent/JP2002353755A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008011257A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Advantest Corp | ハイパスフィルタ、ハイパスフィルタの製造方法、及びスペクトラムアナライザ |
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JPWO2022024189A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | ||
WO2022024189A1 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 高周波多段低雑音増幅器 |
JP7276616B2 (ja) | 2020-07-27 | 2023-05-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波多段低雑音増幅器 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |