JP4756261B2 - 蛍光体とその製造方法および発光器具 - Google Patents
蛍光体とその製造方法および発光器具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4756261B2 JP4756261B2 JP2005020237A JP2005020237A JP4756261B2 JP 4756261 B2 JP4756261 B2 JP 4756261B2 JP 2005020237 A JP2005020237 A JP 2005020237A JP 2005020237 A JP2005020237 A JP 2005020237A JP 4756261 B2 JP4756261 B2 JP 4756261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- crystal
- phosphor according
- inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 253
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 134
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 86
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 83
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 46
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 40
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 37
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 9
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 4
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 24
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 17
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 17
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 6
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 5
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- -1 cerium-activated yttrium Chemical class 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000566146 Asio Species 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- HEQHIXXLFUMNDC-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.O.O.O.[Tb].[Tb].[Tb].[Tb] Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Tb].[Tb].[Tb].[Tb] HEQHIXXLFUMNDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- PSBUJOCDKOWAGJ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneeuropium Chemical compound [Eu]#N PSBUJOCDKOWAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000002284 excitation--emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/0821—Oxynitrides of metals, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/77067—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/77217—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
- C09K11/77497—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
- C04B2235/3878—Alpha silicon nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3895—Non-oxides with a defined oxygen content, e.g. SiOC, TiON
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/766—Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/767—Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
a)の窒素中において1700℃の温度で1時間保持してホットプレス法により焼成して製造される(例えば、特許文献1参照)。このプロセスで得られるEuイオンを付活したαサイアロンは、450から500nmの青色光で励起されて550から600nmの黄色の光を発する蛍光体となることが報告されている。しかしながら、紫外LEDを励起源とする白色LEDやプラズマディスプレイなどの用途には、黄色だけでなく橙色や赤色に発光する蛍光体も求められていた。また、青色LEDを励起源とする白色LEDにおいては、演色性向上のため橙色や赤色に発光する蛍光体が求められていた。
る(非特許文献1参照)。さらに、「On new rare−earth doped
M−Si−Al−O−N materials」と題する学術文献の第2章には種々の組成のアルカリ金属とケイ素の3元窒化物、MxSiyNz(M=Ca、Sr、Ba、Zn
;x、y、zは種々の値)を母体とする蛍光体が報告されている(非特許文献2参照)。同様に、MxSiyNz:Eu(M=Ca、Sr、Ba、Zn;z=2/3x+4/3y)
が、特許文献2に報告されている。
i18Al12O18N36、MSi5Al2ON9、M3Si5AlON10(ただし、MはBa、C
a、Sr、または希土類元素)を母体結晶として、これにEuやCeを付活した蛍光体が記載されており、これらの中には赤色に発光する蛍光体と蛍光体を用いたLED照明ユニットが知られている。このなかで、EuaSrbSicAldOeNf系の化合物として、SrSiAl2O3N2:Eu2+とSr2Si4AlON7:Eu2+が知られている。さらに、特許文献5には、Sr2Si5N8やSrSi7N10結晶にCeを付活した蛍光体が記載されている。
どの2価元素、MはSi、Geなどの4価元素、ZはEuなどの付活剤)蛍光体に関する記載があり、微量のAlを添加すると残光を抑える効果があることが記載されている。また、この蛍光体と青色LEDとを組み合わせることによる、やや赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置が知られている。さらに、特許文献7には、LxMyN(2/3x+4/3y):Z蛍
光体として種々のL元素、M元素、Z元素で構成した蛍光体が記載されている。特許文献8には、L−M−N:Eu、Z系に関する幅広い組み合わせの記述があるが、特定の組成物や結晶相を母体とする場合の発光特性向上の効果は示されていない。
輝度が低いため、その発光強度についてはさらなる改善が望まれていた。
含有結晶(なかでもA2SiO4)の2相を含有する無機結晶を母体として、これに、Mn、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybなどの光学活性な金属を付活した蛍光体が大気中で粉末の混合が可能であり、また従来報告されている窒化物や酸窒化物を母体結晶とする蛍光体よりも高輝度の蛍光を発することを見いだした。
る2価と4価の元素の三元窒化物の単相からなる蛍光体とは異なり、A2Si5N8−A2SiO4系の2相からなる無機結晶を母体とすることにより、従来にない輝度の発光が達成
されることを見いだした。また、本発明は、特許文献3などで従来報告されているM13Si18Al12O18N36、MSi5Al2ON9、M3Si5AlON10(MはCa、Ba、Sr
など)、SrSiAl2O3N2:Eu2+、Sr2Si4AlON7:Eu2+や、非特許文献2の第11章に記載されているCa1.47Eu0.03Si9Al3N16などのサイアロンとはまったく異なる組成および結晶構造を持つ結晶を母体とする新規な蛍光体である。
とに成功した。また、(23)〜(37)の方法を用いて優れた発光特性を持つ蛍光体を製造することに成功した。さらに、この蛍光体を使用し、(38)〜(47)に記載する構成を講ずることによって優れた特性を有する照明器具、画像表示装置を提供することにも成功した。その構成は、以下(1)〜(47)に記載のとおりである。
ただし、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybからなる郡から選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baからなる郡から選ばれる1種または2種以上の元素)であり、少なくともA2Si5N8と
同一の結晶構造を有する結晶およびA元素含有結晶を含有することを特徴とする蛍光体。(2)A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶がA2Si5N8またはその固溶体結晶であることを特徴とする前記(1)項に記載の蛍光体。
(3)A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶が酸素を含有するA2Si5N8の固溶体結晶であることを特徴とする前記(1)項ないし(2)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(4)A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶がA元素および酸素を含有するA2Si5N8の固溶体結晶であることを特徴とする前記(1)項ないし(3)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(5)A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶がA2-zSi5OzN8-z(0<z<
1)であることを特徴とする前記(1)項ないし(4)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(6)A元素含有結晶が少なくともAとSiとOを含有する結晶であることを特徴とする前記(1)項ないし(5)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(7)A元素含有結晶がA2SiO4またはその固溶体結晶であることを特徴とする前記(1)項ないし(6)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(8)A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶が20質量%以上80質量%以下
であり、A元素含有結晶が20%質量以上80質量%以下であることを特徴とする前記(1)項ないし(7)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(9)A2Si5N8とA2SiO4の含有量のモル比(A2Si5N8/A2SiO4)が0.8以上3以下であることを特徴とする前記(1)項ないし(6)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(10)無機組成物のMとAとSiとOとNとの元素の比が組成式MaAbSicOdNe(
ただし、a+b+c+d+e=1)で表され、
0.00001 ≦ a ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(1)
0.14 ≦ b ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(2)
0.22 ≦ c ≦ 0.32・・・・・・・・・・・・・・(3)
0.14 ≦ d ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(4)
0.28 ≦ e ≦ 0.44・・・・・・・・・・・・・・(5)
以上の条件を全て満たすことを特徴とする前記(1)項ないし(9)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(11)無機組成物が組成式MyA2-ySi3O2N4(0.0001≦y≦0.3)で示さ
れることを特徴とする前記(1)項ないし(10)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(12)A元素がSrであることを特徴とする前記(1)項ないし(11)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(13)A元素がBaであることを特徴とする前記(1)項ないし(11)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(14)M元素として少なくともEuを含有することを特徴とする前記(1)項ないし(13)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(15)少なくともEuと、Srと、Siと、酸素と、窒素を含有する組成物であり、Sr2Si5N8またはその固溶体結晶と、Sr2SiO4またはその固溶体結晶を含有するこ
とを特徴とする前記(1)項ないし(14)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(16)Sr2Si5N8またはその固溶体結晶がSr2-zSi5OzN8-z(0<z<1)で
あり、Sr2SiO4またはその固溶体結晶がα型Sr2SiO4とβ型Sr2SiO4の混合物であり、それらの含有量のモル比(Sr2-zSi5OzN8-z/(α型Sr2SiO4+β型Sr2SiO4))が0.8以上3以下であることを特徴とする前記(15)項に記載の蛍光体。
(17)紫外線、可視光線、電子線のいずれかの励起源の照射により、570nm以上700nm以下の波長のオレンジ色または赤色の蛍光を発することを特徴とする前記(1)項から(16)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(18)紫外線、可視光線、電子線のいずれかの励起源の照射による蛍光スペクトルにおいて、450nm以上550nm以下の範囲における発光ピークの極大値が、570nm以上700nm以下の範囲における発光ピークの極大値の1/5以下であることを特徴とする前記(1)項から(17)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(19)前記(1)項ないし(18)項に記載の無機化合物と他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成され、前記(1)項ないし(18)項に記載の無機化合物の含有量が10質量%以上であることを特徴とする蛍光体。
(20)前記(1)項ないし(18)項に記載の無機化合物の含有量が50質量%以上であることを特徴とする前記(19)項に記載の蛍光体。
(21)他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質であることを特徴とする前記(19)項ないし(20)項のいずれか1項に記載の蛍光体。
(22)導電性を持つ無機物質が、Zn、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物であることを特徴とする前記(21)項に記載の蛍光体。
(24)M含有無機物質が、Mの金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物または酸窒化物の郡から選ばれる1種または2種以上の混合物であり、A含有無機物質が、Aの金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物または酸窒化物の郡から選ばれる1種または2種以上の混合物であることを特徴とする前記(23)項に記載の蛍光体の製造方法。
(25)M含有無機物質が、Mの酸化物であり、A含有無機物質がAの酸化物であることを特徴とする前記(23)項または(24)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(26)fSi3N4−gM2O3−hAO(ただし、f+g+h=1)で表される混合割合で窒化ケイ素とMの酸化物とA含有無機物質(ただし、Mの酸化物はM2O3換算、A含有無機物質はAO換算とする)を混合した原料粉末であり
0.00001 ≦ g ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(6)
0.4 ≦ h ≦ 0.8・・・・・・・・・・・・・・・・(7)
以上の範囲のf、g、hで示される組成を出発原料とすることを特徴とする前記(22)項ないし(25)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(27)原料混合物に焼成温度にて液相を生成するフラックス化合物を添加することを特徴とする前記(23)項ないし(26)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(28)フラックス化合物が、酸化ホウ素、窒化ホウ素、ホウ酸、A元素のフッ化物、塩化物、ホウ酸塩、から選ばれる化合物であることを特徴とする前記(27)項に記載の蛍光体の製造方法。
(29)窒素雰囲気が0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲のガス雰囲気であることを特徴とする前記(23)項ないし(28)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造
方法。
(30)粉体または凝集体形状の原料混合物を、相対嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に、焼成することを特徴とする前記(23)項ないし(29)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(31)容器が窒化ホウ素製であることを特徴とする前記(30)項に記載の蛍光体の製造方法。
(32)該焼結手段がホットプレスによることなく、専ら常圧焼結法またはガス圧焼結法による手段であることを特徴とする前記(23)項から(31)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(33)粉砕、分級 、酸処理から選ばれる1種ないし複数の手法により、合成した蛍光
体粉末の平均粒径を50nm以上50μm以下に粒度調整することを特徴とする前記(23)項から(32)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(34)焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理することを特徴とする前記(23)項から(33)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(35)焼成後に生成物を水または酸の水溶液からなる溶剤で洗浄することにより、生成物に含まれるガラス相、第二相、フラックス成分相、または不純物相の含有量を低減させることを特徴とする前記(23)項ないし(34)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(36)酸が、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、有機酸の単体または混合物からなることを特徴とする前記(35)項に記載の蛍光体の製造方法。
(37)酸がフッ化水素酸と硫酸の混合物であることを特徴とする前記(35)項ないし(36)項のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
(39)該発光光源が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)レーザダイオード、または有機EL発光素子であることを特徴とする前記(38)項に記載の照明器具。
(40)該発光光源が330〜420nmの波長の光を発するLEDであり、前記(1)項ないし(22)項のいずれか1項に記載の蛍光体と、330〜420nmの励起光により420nm以上500nm以下の波長の光を放つ青色蛍光体と、330〜420nmの励起光により500nm以上570nm以下の波長の光を放つ緑色蛍光体とを用いることにより、赤、緑、青色の光を混ぜて白色または混合光を発することを特徴とする前記(38)項または(39)項のいずれか1項に記載の照明器具。
(41)該発光光源が420〜500nmの波長の光を発するLEDであり、前記(1)項ないし(22)項のいずれか1項に記載の蛍光体と、420〜500nmの励起光により500nm以上570nm以下の波長の光を放つ緑色蛍光体とを用いることにより、白色または混合光を発することを特徴とする前記(38)項または(39)項のいずれか1項に記載の照明器具。
(42)該発光光源が420〜500nmの波長の光を発するLEDであり、前記(1)項ないし(22)項のいずれか1項に記載の蛍光体と、420〜500nmの励起光により550nm以上600nm以下の波長の光を放つ黄色蛍光体とを用いることにより、白色または混合光を発することを特徴とする前記(38)項または(39)項のいずれか1項に記載の照明器具。
(43)該黄色蛍光体がEuを固溶させたCa−αサイアロンであることを特徴とする前記(42)項に記載の照明器具。
(44)該緑色蛍光体がEuを固溶させたβ−サイアロンであることを特徴とする前記(40)項または(41)項のいずれか1項に記載の照明器具。
(46)励起源が、電子線、電場、真空紫外線、または紫外線であることを特徴とする前記(45)項に記載の画像表示装置。
(47)画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FEDまたはSED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)のいずれかであることを特徴とする前記(45)項ないし(46)項のいずれか1項に記載の画像表示装置。
Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶およびA元素含有結晶(なかでもA2SiO4)の2相以上からなる結晶を母体結晶として、これにM元素を固溶させた無機化合物を主成分として含有していることにより、従来のサイアロンや酸窒化物蛍光体より長波長での発光を示し、高輝度の蛍光体として優れている。係る組成は空気中で安定な原料であるSi3N4、MO(Mの酸化物)、AO(Aの酸化物)またはACO3(Aの炭酸塩)を出発
として用いて合成することが可能であり、生産性に優れる。さらに、化学的安定性に優れるため、励起源に曝された場合でも輝度が低下することなく、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに好適に使用される有用な蛍光体を提供するものである。
本発明の蛍光体は、少なくとも付活元素Mと、2価のアルカリ土類元素Aと、ケイ素と、窒素と、酸素とを含有する組成物である。代表的な構成元素としては、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる1種または2種以上の元素を挙げることができる。これら元素で構成され、少なくともA2Si5N8と同
一の結晶構造を有する無機結晶およびA元素含有結晶を含有する。
る。また、Ca1-xSrxSi5N8やSr1-xBaxSi5N8(0<x<1)など、2種以上のA元素の混合組成も含むことができる。なかでも、Ca2Si5N8、Sr2Si5N8結晶およびその固溶体結晶を含む組成物は赤色の発光輝度が高いため好ましい。固溶体結晶とは、(1)A2Si5N8結晶のAの一部を2価元素で置換したもの、(2)全体の電荷が
合うようにSiの一部をAlでNの一部を酸素で置換したもの、(3)全体の電荷が合うようにAの一部を1価元素でNの一部を酸素で置換したもの、(4)全体の電荷が合うようにAの一部を1価の元素と3価以上の元素で置換した化合物などを挙げることができ、結晶構造がA2Si5N8結晶と同一のものを言う。A2Si5N8の固溶体結晶の中で酸素を含むものは発光波長が短波長にシフトするため、オレンジ色や黄色の発色が求められる用途には適している。なかでも、A2-zSi5OzN8-z(0<z<1)で表される結晶は高輝度の短波長発光を呈するため好ましい。ここで、結晶中のNの原子位置の一部に酸素が置換し、同時に電荷を補償するためにA元素の一部が欠損して空孔となる。また、z値は酸素固溶量を表し、この範囲の値で固溶体を形成する。
含有する無機結晶で主としてシリケートであり、ASiO3、A2SiO4、A3SiO5な
どを挙げることができる。また、これらのシリケートに窒素を含有するオキシナイトライ
ドも含まれる。なかでも、A2SiO4は発光輝度が高いため好ましい。
%以上80質量%以下が好ましく、A元素含有結晶は20質量%以上80質量%以下が好ましい。この範囲外の組成では発光輝度が低下する。さらに、A2Si5N8とA2SiO4
の含有量のモル比(A2Si5N8/A2SiO4)が0.8以上3以下である無機組成物、
中でも等モル(A2Si5N8/A2SiO4=1)は特に発光輝度が高い。これらの結晶相
の含有量はX線回折を行い、リートベルト法の多相解析により求めることができる。簡易的には、X線回折結果を用いて、2相の最強線の高さの比から含有量を求めることができる。
0.00001 ≦ a ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(1)
0.14 ≦ b ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(2)
0.22 ≦ c ≦ 0.32・・・・・・・・・・・・・・(3)
0.14 ≦ d ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(4)
0.28 ≦ e ≦ 0.44・・・・・・・・・・・・・・(5)
以上の条件を全て満たす組成物は発光輝度が高い。中でも、
MyA2-ySi3O2N4(0.0001≦y≦0.3)
組成はより発光輝度が高いので好ましい。
の固溶体結晶と、Sr2SiO4またはその固溶体結晶を含有する蛍光体は、高輝度の610〜640nmの赤色発光を呈する。中でも、全体の組成が
EuySr2-ySi3O2N4(0.001≦y≦0.05)
であるものは特に輝度が高い。
を含有する組成物であるが、その発光機構は次の様に考えられる。本発明のひとつにSr2Si5N8固溶体とSr2SiO4からなる
Sr2-ySi3O2N4:Eu2+
の組成物がある。Sr2Si5N8:Eu2+は単独では赤色蛍光体であり、Sr2SiO4:
Eu2+は単独では緑色蛍光体である。本発明では、これらの混相とすることにより輝度が向上する。輝度向上の機構として、Sr2Si5N8:Eu2+は励起源で直接に励起される
他に、励起されたSr2SiO4:Eu2+が放つ緑色の光を吸収することによっても励起が可能となるため、効率的に赤色を発光するものと考えられる。結果として、本発明の発光スペクトルにおける450nm以上550nm以下(青色や緑色成分)では発光強度が低く、その範囲の発光ピークの極大値は570nm以上700nm以下の範囲(オレンジ色、赤色)における発光ピークの極大値の1/5以下である。これにより、2相の混相であ
っても高輝度のオレンジあるいは赤色を発する蛍光体となる。
結晶構造を有する結晶およびA元素含有結晶からなる無機組成物は、高純度で極力多く含むこと、できれば他の相は含まないことが望ましいが、特性が低下しない範囲で他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成することもできる。この場合、無機組成物の含有量が10質量%以上であることが高い輝度を得るために望ましい。さらに好ましくは50質量%以上で輝度が著しく向上する。本発明において主成分とする範囲は、無機組成物の含有量が少なくとも10質量%以上である。無機組成物の含有量はX線回折を行い、リートベルト法の多相解析により求めることができる。簡易的には、X線回折結果を用いて、無機組成物結晶と他の結晶の最強線の高さの比から含有量を求めることができる。
以下の温度範囲で焼成することにより、高輝度蛍光体が得られる。
fSi3N4−gM2O3−hAO(ただし、f+g+h=1)
0.00001 ≦ g ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(6)
0.4 ≦ h ≦ 0.8・・・・・・・・・・・・・・・・(7)
で表される組成となるように混合した後に、焼成すると良い。この方法は、空気中で安定な出発原料を用いることができるため、粉末の秤量、混合、乾燥んなどの工程を大気中で行える利点がある。
なるまで施す。特に好ましくは平均粒径0.1μm以上5μm以下である。平均粒径が50μmを超えると粉体の流動性と樹脂への分散性が悪くなり、発光素子と組み合わせて発光装置を形成する際に部位により発光強度が不均一になる。0.1μm以下となると、蛍光体粉体表面の欠陥量が多くなるため蛍光体の組成によっては発光強度が低下する。
合わせがある。このような緑色蛍光体としては、Y2Al5O12:Ceやβ−サイアロン:Euを挙げることができる。この構成では、LEDが発する青色光が蛍光体に照射されると、赤、緑の2色の光が発せられ、これらとLED自身の青色光が混合されて白色の照明器具となる。
Eu0.0036364Sr0.178182Si0.272727O0.181818N0.363636
(Sr2-ySi3O2N4:Euy 2+、y=0.04)を合成すべく、平均粒径0.5μm、
酸素含有量0.93重量%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末とを、各々40.03重量%、57.96重量%、2.01重量%となるように秤量し、窒化ケイ素製のボールとポットを用いてヘキサンを添加した遊星ボールミル混合により2時間混合した後に、ロータリーエバポレータを用いて乾燥した。得られた混合物を、窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒を用いて解砕した後に、開口500μmのふるいを通して直径20mm高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製るつぼに自然落下させて入れた。粉体の充填嵩密度は約25%であった。嵩密度は、投入した粉体凝集体の重量とるつぼの内容積から計算した。
焼成後、得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。粒度分布を測定したところ、平均粒径は10μmであった。
折測定を行い、リートベルト解析を行った。その結果、得られたチャートは図1であり、未反応のSi3N4やSrOは検出されなかった。解析の結果、図1のX線回折で示される物質は、(1)Sr1.8Si5O0.4N7.6(Sr2Si5N8と同一の結晶構造を有する固溶
体)、(2)α型Sr2SiO4、(3)β型Sr2SiO4の3相から構成されてなるものであることが確認された。各相それぞれの含有量は、0.64、0.16、0.20(質量比)であった。ここで、Sr1.8Si5O0.4N7.6はSr2Si5N8結晶のNの一部がO
で置換され、Srの一部が欠損して空孔となった結晶である。
する可視光を検出して二次元情報である写真の画像として得ることにより、どの場所でどの波長の光が発光しているかを明らかにするものである。
体は電子線で励起されて400〜520nmの微弱な発光(最大値は200カウント)と620nmにピークを持つ(最大値は4800カウント)赤色発光を示すことが確認された。
この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトル(図4)を、蛍光分光光度計を用いて測定した結果、励起および発光スペクトルのピーク波長は420nmに励起スペクトルのピークがあり420nmの励起による発光スペクトルにおいて、618nmの赤色光にピークがある蛍光体であることが分かった。ピークの発光強度は、11000カウントであった。なおカウント値は測定装置や条件によって変化するため単位は任意単位である。また、450nmの励起による発光スペクトルから求めたCIE色度は、x=0.62、y=0.38の赤色であった。
Eu0.0030769Sr0.227692Si0.230769O0.230769N0.307692
(Sr3-ySi3O3N4:Euy 2+、y=0.04)を合成すべく、平均粒径0.5μm、
酸素含有量0.93重量%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末とを、各々30.89重量%、67.56重量%、1.55重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成を行った。焼成後、得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。粒度分布を測定したところ、平均粒径は8μmであった。
折測定を行った結果、未反応のSi3N4やSrOは検出されず、(1)Sr2Si5N8と
同一の結晶構造を有する固溶体、(2)α型Sr2SiO4、(3)β型Sr2SiO4の3相から構成されることが確認された。
発光スペクトルおよび励起スペクトル(図5)が示す様に、高輝度の赤色蛍光体が得られた。
回折測定を行った結果、未反応のSi3N4やSrOは検出されず、(1)Sr2Si5N8
と同一の結晶構造を有する固溶体、(2)α型Sr2SiO4、(3)β型Sr2SiO4の3相から構成されることが確認された。
発光スペクトルおよび励起スペクトル(図6)が示す様に、熱処理により発光強度が向上した。
Sr2Si5N8:Eu2+を合成すべく、平均粒径0.5μm、酸素含有量0.93重量
%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末と窒化ストロンチウム粉末と、窒化ユーロピウム粉末とを、各々54.34重量%、45.08重量%、0.58重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成を行った。焼成後、得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕した。
次に、合成した化合物をメノウの乳鉢を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線
回折測定を行った結果、未反応のSi3N4やSr3N2は検出されず、Sr2Si5N8の単
相から構成されることが確認された。
発光スペクトルおよび励起スペクトル(図7)が示す様に、実施例の蛍光体よりも発光強度は低く、また発光ピークが長波長であった。
窒化ケイ素粉末と酸化カルシウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末とを、各々54.53重量%、42.73重量%、2.74重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Eu0.0036364Ca0.178182Si0.272727O0.181818N0.363636(Ca3-ySi3O3N4:Euy 2+、y=0.04)を合成した。
窒化ケイ素粉末と酸化バリウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末とを、各々31.33重量%、67.1重量%、1.57重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Eu0.0036364Ba0.178182Si0.272727O0.181818N0.363636(Ba3-ySi3O3N4:Euy 2+、y=0.04)を合成した。
窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化セリウム(CeO2)粉末とを、各
々39.81重量%、58.23重量%、1.95重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Ce0.0036166Sr0.179024Si0.271248O0.184448N0.361664を合成した。
窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化テルビウム(Tb4O7)粉末とを、各々39.75重量%、58.14重量%、2.12重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Tb0.0036166Sr0.179024S
i0.271248O0.184448N0.361664を合成した。
窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化ディスプロシウム(Dy2O3)粉末とを、各々39.75重量%、58.14重量%、2.11重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Dy0.0036166Sr0.179024Si0.271248O0.184448N0.361664を合成した。
窒化ケイ素粉末と酸化ストロンチウム粉末と、酸化イッテルビウム(Yb2O3)粉末と
を、各々39.7重量%、58.07重量%、2.23重量%となるように秤量し、実施例1と同様の工程で粉末混合、乾燥、焼成、粉砕を行って、Yb0.0036166Sr0.179024
Si0.271248O0.184448N0.361664を合成した。
N8と同一の結晶構造を有する固溶体とAを含む酸化物が確認された。発光スペクトルお
よび励起スペクトル(図8〜図13)が示す様に、高輝度の蛍光体が得られた。発色は、実施例4は赤色、実施例5は緑色、実施例6は緑色、実施例7は緑色、実施例8は橙色、実施例9は赤色であった。
照明器具に用いる緑色の蛍光体(β−サイアロン:Eu)を合成した。
組成式Eu0.00296Si0.41395Al0.01334O0.00444N0.56528で示される化合物を得
るべく、窒化ケイ素粉末と窒化アルミニウム粉末と酸化ユーロピュウム粉末とを、各々94.77重量%、2.68重量%、2.556重量%となるように混合し、窒化ホウ素製るつぼに入れ、1MPaの窒素ガス中で、1900℃で8時間焼成した。得られた粉末は、β−サイアロンにEuが固溶した無機化合物であり、図14の励起発光スペクトルに示す様に緑色蛍光体である。
ダイオード素子(4)を導電性ペーストを用いてダイボンディングし、リードワイヤと青色発光ダイオード素子の下部電極とを電気的に接続するとともに青色発光ダイオード素子(4)を固定する。次に、青色発光ダイオード素子(4)の上部電極ともう一方のリードワイヤとをワイヤボンディングし、電気的に接続する。あらかじめ緑色の第一の蛍光体粉末と赤色の第二の蛍光体粉末とを混合割合を5対2として混ぜておき、この混合蛍光体粉末をエポキシ樹脂に35重量%の濃度で混ぜる。次にこれを凹部に青色発光ダイオード素
子を被覆するようにしてディスペンサで適量塗布し、硬化させ第一の樹脂部(6)を形成する。最後にキャスティング法により凹部を含むリードワイヤの先端部、青色発光ダイオード素子、蛍光体を分散した第一の樹脂の全体を第二の樹脂で封止する。本実施例では、第一の樹脂と第二の樹脂の両方に同じエポキシ樹脂を使用したが、シリコーン樹脂等の他の樹脂あるいはガラス等の透明材料であっても良い。できるだけ紫外線光による劣化の少ない材料を選定することが好ましい。
基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ(21)を製作した。
構図を図17に示す。可視光線反射率の高い白色のアルミナセラミックス基板(29)に2本のリードワイヤ(22、23)が固定されており、それらワイヤの片端は基板のほぼ中央部に位置しもう方端はそれぞれ外部に出ていて電気基板への実装時ははんだづけされる電極となっている。リードワイヤのうち1本(22)は、その片端に、基板中央部となるように青色発光ダイオード素子ダイオード素子(24)が載置され固定されている。青色発光ダイオード素子(24)の下部電極と下方のリードワイヤとは導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本のリードワイヤ(23)とが金細線(25)によって電気的に接続されている。
上記とは異なる構成の照明装置を示す。図15の照明装置において、発光素子として450nmの青色LEDを用い、本発明の実施例1の蛍光体と、Ca0.75Eu0.25Si8.625A13.375O1.125N14.875の組成を持つCa−α−サイアロン:Euの黄色蛍光体とを
樹脂層に分散させて青色LED上にかぶせた構造とする。導電性端子に電流を流すと、該LEDは450nmの光を発し、この光で黄色蛍光体および赤色蛍光体が励起されて黄色および赤色の光を発し、LEDの光と黄色および赤色が混合されて電球色の光を発する照明装置として機能する。
上記配合とは異なる構成の照明装置を示す。図15の照明装置において、発光素子として380nmの紫外LEDを用い、本発明の実施例1の蛍光体と、青色蛍光体(BaMgAl10O17:Eu)と緑色蛍光体(BaMgAl10O17:Eu、Mn)とを樹脂層に分散させて紫外LED上にかぶせた構造とする。導電性端子に電流を流すと、LEDは380
nmの光を発し、この光で赤色蛍光体と緑色蛍光体と青色蛍光体が励起されて赤色と緑色と青色の光を発する。これらの光が混合されて白色の光を発する照明装置として機能する。
図18は、画像表示装置としてのプラズマディスプレイパネルの原理的概略図である。本発明の実施例1の赤色蛍光体と緑色蛍光体(Zn2SiO4:Mn)および青色蛍光体(BaMgAl10O17:Eu)がそれぞれのセル34、35、36の内面に塗布されている。電極37、38、39、40に通電するとセル中でXe放電により真空紫外線が発生し、これにより蛍光体が励起されて、赤、緑、青の可視光を発し、この光が保護層43、誘電体層42、ガラス基板45を介して外側から観察され、画像表示として機能する。
2、3.リードワイヤ。
4.発光ダイオード素子。
5.ボンディングワイヤ。
6、8.樹脂。
7.蛍光体。
11.基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ。
12、13.リードワイヤ。
14.発光ダイオード素子。
15.ボンディングワイヤ。
16、18.樹脂。
17.蛍光体。
19.アルミナセラミックス基板。
20.側面部材。
31.赤色蛍光体。
32.緑色蛍光体。
33.青色蛍光体。
34、35、36.紫外線発光セル。
37、38、39、40.電極。
41、42.誘電体層。
43.保護層。
44、45.ガラス基板。
Claims (44)
- 少なくともM元素と、A元素と、ケイ素と、酸素と、窒素を含有する無機組成物(ただし、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素、Aは、Mg、Ca、Sr、Baからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)であり、少なくともA2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶、および、前記A 2 Si 5 N 8 と同一の結晶構造を有する無機結晶以外のAとSiとOとを含有するシリケートであるA元素含有結晶を含有することを特徴とする蛍光体。
- 前記A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶がA2Si5N8またはその固溶体結晶であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶が酸素を含有するA2Si5N8の固溶体結晶であることを特徴とする請求項2項に記載の蛍光体。
- 前記A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶がA2−zSi5OzN8−z(0<z<1)であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A元素含有結晶がA2SiO4またはその固溶体結晶であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A2Si5N8と同一の結晶構造を有する無機結晶が20質量%以上80質量%以下であり、前記A元素含有結晶が20%質量以上80質量%以下であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A 2 Si 5 N 8 と同一の結晶構造を有する無機結晶がA 2 Si 5 N 8 であり、前記A元素含有結晶がA 2 SiO 4 であり、A2Si5N8とA2SiO4の含有量のモル比(A2Si5N8/A2SiO4)が0.8以上3以下であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記無機組成物のMとAとSiとOとNとの元素の比が組成式MaAbSicOdNe(ただし、a+b+c+d+e=1)で表され、
0.00001 ≦ a ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(1)
0.14 ≦ b ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(2)
0.22 ≦ c ≦ 0.32・・・・・・・・・・・・・・(3)
0.14 ≦ d ≦ 0.22・・・・・・・・・・・・・・(4)
0.28 ≦ e ≦ 0.44・・・・・・・・・・・・・・(5)
以上の条件を全て満たすことを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。 - 前記無機組成物が組成式MyA2−ySi3O2N4(0.0001≦y≦0.3)で示されることを特徴とする請求項8項に記載の蛍光体。
- 前記A元素がSrおよび/またはBaであることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記M元素として少なくともEuを含有することを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 少なくともEuと、Srと、Siと、酸素と、窒素を含有する組成物であり、Sr2Si5N8またはその固溶体結晶と、Sr2SiO4またはその固溶体結晶を含有することを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記Sr2Si5N8またはその固溶体結晶がSr2−zSi5OzN8−z(0<z<1)であり、前記Sr2SiO4またはその固溶体結晶がα型Sr2SiO4とβ型Sr2SiO4の混合物であり、それらの含有量のモル比(Sr2−zSi5OzN8−z/(α型Sr2SiO4+β型Sr2SiO4))が0.8以上3以下であることを特徴とする請求項12項に記載の蛍光体。
- 紫外線、可視光線、電子線のいずれかの励起源の照射により、570nm以上700nm以下の波長のオレンジ色または赤色の蛍光を発することを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 紫外線、可視光線、電子線のいずれかの励起源の照射による蛍光スペクトルにおいて、450nm以上550nm以下の範囲における発光ピークの極大値が、570nm以上700nm以下の範囲における発光ピークの極大値の1/5以下であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A 2 Si 5 N 8 と同一の結晶構造を有する無機結晶、および、前記A元素含有結晶とは異なる他の結晶相あるいはアモルファス相をさらに含み、前記A 2 Si 5 N 8 と同一の結晶構造を有する無機結晶、および、前記A元素含有結晶の含有量が10質量%以上であることを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体。
- 前記A 2 Si 5 N 8 と同一の結晶構造を有する無機結晶、および、前記A元素含有結晶の含有量が50質量%以上であることを特徴とする請求項16項に記載の蛍光体。
- 前記他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質であることを特徴とする請求項16項に記載の蛍光体。
- 前記導電性を持つ無機物質が、Zn、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物であることを特徴とする請求項18項に記載の蛍光体。
- 少なくとも窒化ケイ素粉末と、M元素含有無機物質と、A元素含有無機物質からなる原料混合物を、窒素雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することを特徴とする請求項1項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記M元素含有無機物質が、Mの金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物または酸窒化物の群から選ばれる1種または2種以上の混合物であり、前記A元素含有無機物質が、Aの金属、ケイ化物、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物または酸窒化物の群から選ばれる1種または2種以上の混合物であることを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記M元素含有無機物質が、Mの酸化物であり、前記A元素含有無機物質がAの酸化物であることを特徴とする請求項21項に記載の蛍光体の製造方法。
- fSi3N4−gM2O3−hAO(ただし、f+g+h=1)で表される混合割合で窒化ケイ素とMの酸化物と前記A元素含有無機物質(ただし、Mの酸化物はM2O3換算、A元素含有無機物質はAO換算とする)を混合した原料粉末であり
0.00001 ≦ g ≦ 0.03 ・・・・・・・・・・(6)
0.4 ≦ h ≦ 0.8・・・・・・・・・・・・・・・・(7)
以上の範囲のf、g、hで示される組成を出発原料とすることを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。 - 前記原料混合物に焼成温度にて液相を生成するフラックス化合物を添加することを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記フラックス化合物が、酸化ホウ素、窒化ホウ素、ホウ酸、A元素のフッ化物、塩化物、ホウ酸塩、から選ばれる化合物であることを特徴とする請求項24項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記窒素雰囲気が0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲のガス雰囲気であることを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 粉体または凝集体形状の原料混合物を、相対嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に、焼成することを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記容器が窒化ホウ素製であることを特徴とする請求項27項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記原料混合物を焼成する焼結手段がホットプレスによることなく、専ら常圧焼結法またはガス圧焼結法による手段であることを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 粉砕、分級、酸処理から選ばれる1種ないし複数の手法により、合成した蛍光体粉末の平均粒径を50nm以上50μm以下に粒度調整することを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理することを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 焼成後に生成物を水または酸の水溶液からなる溶剤で洗浄することにより、生成物に含まれるガラス相、第二相、フラックス成分相、または不純物相の含有量を低減させることを特徴とする請求項20項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記酸が、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、有機酸の単体または混合物からなることを特徴とする請求項32項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記酸がフッ化水素酸と硫酸の混合物であることを特徴とする請求項33項に記載の蛍光体の製造方法。
- 少なくとも発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、少なくとも請求項1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする照明器具。
- 該発光光源が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)レーザダイオード、または有機EL発光素子であることを特徴とする請求項35項に記載の照明器具。
- 少なくとも発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、該発光光源が330〜420nmの波長の光を発するLEDであり、請求項1項に記載の蛍光体と、330〜420nmの励起光により420nm以上500nm以下の波長の光を放つ青色蛍光体と、330〜420nmの励起光により500nm以上570nm以下の波長の光を放つ緑色蛍光体とを用いることにより、赤、緑、青色の光を混ぜて白色または混合光を発することを特徴とする照明器具。
- 少なくとも発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、該発光光源が420〜500nmの波長の光を発するLEDであり、請求項1項に記載の蛍光体と、420〜500nmの励起光により500nm以上570nm以下の波長の光を放つ緑色蛍光体とを用いることにより、白色または混合光を発することを特徴とする照明器具。
- 少なくとも発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、該発光光源が420〜500nmの波長の光を発するLEDであり、請求項1項に記載の蛍光体と、420〜500nmの励起光により550nm以上600nm以下の波長の光を放つ黄色蛍光体とを用いることにより、白色または混合光を発することを特徴とする照明器具。
- 該黄色蛍光体がEuを固溶させたCa−αサイアロンであることを特徴とする請求項39項に記載の照明器具。
- 該緑色蛍光体がEuを固溶させたβ−サイアロンであることを特徴とする請求項37項または38項に記載の照明器具。
- 少なくとも励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、少なくとも請求項1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする画像表示装置。
- 前記励起源が、電子線、電場、真空紫外線、または紫外線であることを特徴とする請求項42項に記載の画像表示装置。
- 前記画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FEDまたはSED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)のいずれかであることを特徴とする請求項42項に記載の画像表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005020237A JP4756261B2 (ja) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
DE112006000291.0T DE112006000291B4 (de) | 2005-01-27 | 2006-01-25 | Leuchtstoff, sein Herstellungsverfahren und dessen Verwendung |
US11/883,182 US7713443B2 (en) | 2005-01-27 | 2006-01-25 | Phosphor production method |
PCT/JP2006/301599 WO2006080539A1 (ja) | 2005-01-27 | 2006-01-25 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005020237A JP4756261B2 (ja) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006206729A JP2006206729A (ja) | 2006-08-10 |
JP4756261B2 true JP4756261B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=36740554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005020237A Expired - Lifetime JP4756261B2 (ja) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7713443B2 (ja) |
JP (1) | JP4756261B2 (ja) |
DE (1) | DE112006000291B4 (ja) |
WO (1) | WO2006080539A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4762248B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 蛍光体 |
WO2008084848A1 (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-17 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法および発光器具 |
JP2008266385A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Showa Denko Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
JP5523676B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2014-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びこれを用いた発光装置 |
US8274215B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-09-25 | Intematix Corporation | Nitride-based, red-emitting phosphors |
TWI391471B (zh) * | 2008-11-21 | 2013-04-01 | Univ Nat Cheng Kung | Preparation method of nitride fluorescent powder |
US8928005B2 (en) | 2009-07-02 | 2015-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
KR101565988B1 (ko) | 2009-10-23 | 2015-11-05 | 삼성전자주식회사 | 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치 |
CN102725378B (zh) * | 2010-01-29 | 2016-01-13 | 默克专利有限公司 | 发光物质 |
WO2011105836A2 (ko) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 한국화학연구원 | 실리케이트계 전구체를 이용한 질화물계 형광체의 제조방법 |
WO2011105157A1 (ja) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
KR101717668B1 (ko) | 2010-03-26 | 2017-03-17 | 삼성전자주식회사 | 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
DE102010021341A1 (de) * | 2010-05-22 | 2011-11-24 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffe |
WO2012014701A1 (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
CN102375314B (zh) * | 2010-08-09 | 2013-12-04 | 台达电子工业股份有限公司 | 光源系统及其适用的投影机 |
KR101214236B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2012-12-20 | 삼성전자주식회사 | 형광체 및 이의 제조방법 |
SG191944A1 (en) * | 2011-01-14 | 2013-08-30 | Lightscape Materials Inc | Carbonitride and carbidonitride phosphors and lighting devices using the same |
KR101239737B1 (ko) * | 2011-02-18 | 2013-03-06 | 한국과학기술원 | 니트리도실리케이트 물질 및 희토류로 도핑된 알칼리토류 니트리도실리케이트 형광체의 제조 방법 |
KR101717241B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2017-03-16 | 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 | 질화물 적색 발광재료, 그것을 포함한 발광체 및 발광소자 |
CN104024377B (zh) * | 2011-11-07 | 2017-05-17 | 国立研究开发法人物质·材料研究机构 | 荧光体及制备方法、使用荧光体的发光装置及图像显示装置 |
CN104105660B (zh) | 2011-12-30 | 2016-08-24 | 英特美光电(苏州)有限公司 | 含有用于电荷平衡的间隙阳离子的氮化物磷光体 |
US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
KR101406367B1 (ko) | 2012-03-28 | 2014-06-12 | 서울대학교산학협력단 | 나이트라이드 적색 형광체 제조 방법 |
US9938460B2 (en) * | 2012-04-02 | 2018-04-10 | National Taiwan University | Phosphor, light emitting apparatus and method of forming phosphor |
TWI527880B (zh) * | 2012-04-02 | 2016-04-01 | 呂宗昕 | 螢光粉體及發光裝置 |
CN102766454B (zh) * | 2012-06-30 | 2014-07-23 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种氮化物红色长余辉荧光粉及其制备方法 |
US8597545B1 (en) | 2012-07-18 | 2013-12-03 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors |
TW201405876A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-02-01 | Lextar Electronics Corp | 螢光膠塗佈系統及使用其形成之發光二極體封裝結構與其螢光膠塗佈方法 |
TWI516572B (zh) | 2012-12-13 | 2016-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 螢光材料、及包含其之發光裝置 |
CN104119864A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 钐掺杂氮化硅发光材料、制备方法及其应用 |
DE102013105056A1 (de) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement |
CN103275705B (zh) * | 2013-06-21 | 2017-08-25 | 北京有色金属研究总院 | 荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置 |
KR102224069B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 산질화물계 형광체 |
US9200198B1 (en) | 2014-08-28 | 2015-12-01 | Lightscape Materials, Inc. | Inorganic phosphor and light emitting devices comprising same |
US9315725B2 (en) | 2014-08-28 | 2016-04-19 | Lightscape Materials, Inc. | Method of making EU2+ activated inorganic red phosphor |
US9200199B1 (en) | 2014-08-28 | 2015-12-01 | Lightscape Materials, Inc. | Inorganic red phosphor and lighting devices comprising same |
US11142691B2 (en) * | 2017-10-31 | 2021-10-12 | Nichia Corporation | Rare earth aluminate fluorescent material, and method for producing the same |
CN108676556B (zh) * | 2018-04-04 | 2021-07-23 | 烟台布莱特光电材料有限公司 | Ba3Si3N4O3晶体及荧光粉和制备方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US667748A (en) | 1898-03-05 | 1901-02-12 | John W Treadwell | Button. |
NL155066B (nl) | 1974-09-09 | 1977-11-15 | Kooten Bv V | Cilinderstuk voor een heiblok. |
JPS59133285A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Nec Corp | 低速電子線励起用螢光体 |
JPH0799345A (ja) | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1999-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JPH10163535A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
JP2900928B2 (ja) | 1997-10-20 | 1999-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP2000223042A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Futaba Corp | 電界放出形表示装置 |
EP1104799A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
DE10105800B4 (de) | 2001-02-07 | 2017-08-31 | Osram Gmbh | Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung |
JP3668770B2 (ja) | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
US6632379B2 (en) | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
DE10133352A1 (de) | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP2003321675A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP4009828B2 (ja) | 2002-03-22 | 2007-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP4868685B2 (ja) | 2002-06-07 | 2012-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体 |
EP1490453B1 (en) * | 2002-03-25 | 2012-08-15 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Tri-color white light led lamp |
JP2003292950A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法 |
JP4207537B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2009-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
JP3914987B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2007-05-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | サイアロン蛍光体とその製造方法 |
JP4521227B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
KR101168177B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2012-07-24 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체와 그 제조방법 및 발광기구 |
-
2005
- 2005-01-27 JP JP2005020237A patent/JP4756261B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-25 US US11/883,182 patent/US7713443B2/en active Active
- 2006-01-25 WO PCT/JP2006/301599 patent/WO2006080539A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2006-01-25 DE DE112006000291.0T patent/DE112006000291B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112006000291B4 (de) | 2019-08-14 |
WO2006080539A1 (ja) | 2006-08-03 |
DE112006000291T5 (de) | 2007-12-13 |
US7713443B2 (en) | 2010-05-11 |
US20080197321A1 (en) | 2008-08-21 |
JP2006206729A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4756261B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP4674348B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP5105347B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP4565141B2 (ja) | 蛍光体と発光器具 | |
JP5145534B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および照明器具 | |
JP5110518B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および照明器具 | |
JP5594620B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 | |
JP5229878B2 (ja) | 蛍光体を用いた発光器具 | |
JP5540322B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光器具および画像表示装置 | |
JP5713305B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP5885174B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP6061332B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JPWO2013069696A1 (ja) | 蛍光体および製造方法、蛍光体を用いる発光装置および画像表示装置 | |
JP2008208238A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置 | |
JP6176664B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 | |
JP2017210529A (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 | |
JP2008266385A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4756261 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |