JP4678031B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、いわゆるフリンジフィールドスイッチング（以下、ＦＦＳ（Fring Field Switching）という）モードの液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。

携帯電話機やモバイルコンピュータなどに用いられる液晶装置では、広視野角化を実現することを目的に、ＦＦＳ方式やインプレンスイッチング（以下、ＩＰＳ(In Plane Switching)という）方式等、横電界により液晶を駆動するタイプの液晶装置が実用化されつつある。なお、ＩＰＳ方式を採用した液晶装置では、図１５（ａ）に示すように、素子基板５１０上において画素電極５０７および共通電極５０９の縁同士が横方向で離間しているのに対して、ＦＦＳ方式を採用した液晶装置では、画素電極および共通電極のうち、上層側に形成した電極の縁が下層側に形成した電極に対して絶縁膜を介して平面視で重なっているという違いがある。

このようなＩＰＳ方式の液晶装置において、対向基板５２０には液晶を駆動するための電極が形成されておらず、それ故、対向基板５２０が静電気で帯電しやすい。かかる静電気の帯電は、液晶５５０の配向を乱すため、高画質の表示を行うことができない。また、静電気によって一度、帯電してしまうと、静電気を容易に除去することはできない。

そこで、ＩＰＳ方式を採用した液晶装置において、図１５（ａ）に示すように、対向基板５２０における素子基板５１０との対向面側とは反対側の面（外面側）にシールド電極５２９を形成し、かかるシールド電極５２９に所定の電位を印加しておくことが提案されている。また、図１５（ｂ）に示すように、対向基板５２０における素子基板５１０との対向面側（内面側）において、カラーフィルタ５２４の上にシールド電極５２９を形成しておき、かかるシールド電極５２９に所定の電位を印加しておくことが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−２５２６３号公報の図２（ａ）、（ｂ）

しかしながら、図１５（ａ）に示すように、対向基板５２０の外面側にシールド電極５２９を形成する場合には、液晶パネルを組み立てた後、シールド電極５２９を形成するための成膜工程や、シールド電極５２９を素子基板５１０の配線に電気的に接続する導通工程を行なう必要があるため、生産性が低いとともに、液晶パネルまで組み立てた後、不具合品が発生すると、大きな損失となる。これに対して、図１５（ｂ）に示すように、対向基板５２０の内面側にシールド電極５２９を形成するのであれば、かかる問題の発生を回避することができる。

しかしながら、ＩＰＳ方式を採用した液晶装置では、図１５（ｃ）を参照して説明するように、対向基板５２０の内面側にシールド電極５２９を形成すると、コントラストが低下するなどの問題点がある。例えば、対向基板５２０の内面側にシールド電極５２９を形成し、かかるシールド電極５２９をグランド電位に固定しておくと、図１５（ｃ）に線Ｌ５１（CF上GND）で示すように、シールド電極５２９を形成しない場合（線Ｌ５０で示す特性／Ref）と比較して透過率が大きく低下してしまう。ここで、図１５（ｃ）は、ノーマリブラックモードの液晶装置において、液晶に対する駆動電圧と透過率との関係を示すグラフである。また、対向基板５２０の内面側にシールド電極５２９を形成し、かかるシールド電極５２９を電位的にフローティング状態にした場合、図１５（ｃ）に線Ｌ５２（CF上Flo）で示すように、シールド電極５２９をグランド電位に固定した場合と比較して透過率は向上するが、シールド電極５２９を形成しない場合と比較して透過率がかなり低い。

ここに、本願発明者は、同じ横電界を利用する場合でも、ＦＦＳ方式の液晶装置の方が対向基板側の電位の影響を受けにくいと考え、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、ＦＦＳ方式の液晶装置において、対向基板２０の内面側２０ａにシールド電極２９を形成することを提案するものである。

しかしながら、図１６（ａ）に示すように、素子基板１０上に画素電極７ａ、絶縁膜８、および共通電極９ａを形成する一方、対向基板２０の内面側２０ａにカラーフィルタ２４およびシールド電極２９を順に積層し、シールド電極２９に対して、共通電極９ａと同一の電位（共通電ＶCom）を印加すると、図１に線Ｌ３（Com上ＣＦ上ＶCom）で示すように、シールド電極２９を形成しない場合（図１に線Ｌ０で示すデータ（ＩＴＯ無））に比較して透過率が低く、コントラストが低下してしまうという知見を得た。また、図１６（ｂ）に示すように、素子基板１０上において、画素電極７ａを上層側に形成し、共通電極９ａを下層側に形成する一方、対向基板２０の内面側にカラーフィルタ２４およびシールド電極２９を順に積層し、シールド電極２９に対して、共通電極９ａと同一の電位（共通電ＶCom）を印加した場合も、図１に線Ｌ７（Com下ＣＦ上ＶCom）で示すように、シールド電極２９を形成しない場合（図１に線Ｌ０で示すデータ）に比較して透過率が低く、コントラストが低下してしまうという知見を得た。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、対向基板において素子基板との対向する内面側に静電気に対するシールド電極を形成した場合でも、品位の高い画像を表示することのできる液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の液晶装置では、素子基板に形成された下側電極と、前記下側電極に積層された絶縁膜と、前記絶縁膜に積層されたフリンジ電界形成用のスリットが形成された上側電極と前記素子基板に対して対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶と、前記対向基板において前記素子基板と対向する内面側に形成された電位的にフローティング状態のシールド電極と、前記対向基板の前記内面側に形成された樹脂層とを備えることを特徴とする。

本発明において、対向基板には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極が形成されているため、対向基板は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶の配向を乱さない。また、シールド電極は、対向基板の内面側に形成されているため、液晶パネルを組み立てる前の基板の状態でシールド電極を形成することができる。また、対向基板において素子基板と対向する内面側において、シールド電極は、樹脂層の下層側に形成され、かつ、シールド電極は電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板において素子基板と対向する内面側にシールド電極が形成されている場合でも、シールド電極が液晶の配向を乱さないので、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

本発明の別の形態の液晶装置では、素子基板に形成された下側電極と、前記下側電極に積層された絶縁膜と、前記絶縁膜に積層されたフリンジ電界形成用のスリットが形成された上側電極と前記素子基板に対して対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶と、前記対向基板において前記素子基板と対向する内面側に形成されたシールド電極と、前記対向基板側から前記シールド電極および樹脂層の順に積層された前記樹脂層と、を有し、画素電極は、前記下側電極および前記上側電極のうちの一方により構成され、共通電極は他方により構成され、前記シールド電極は、前記共通電極に対向し該共通電極に印加されている共通電位と同極性で該共通電圧より絶対値が高い電位が印加されることを特徴とする。

本発明において、対向基板には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極が形成されているため、対向基板は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶の配向を乱さない。また、シールド電極は、対向基板の内面側に形成されているため、液晶パネルを組み立てる前の基板の状態でシールド電極を形成することができる。また、対向基板において素子基板と対向する内面側において、シールド電極は、樹脂層の下層側に形成され、かつ、シールド電極は所定の電位が印加された状態にある。このため、対向基板において素子基板と対向する内面側にシールド電極が形成されている場合でも、シールド電極が液晶の配向を乱さないので、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

本発明において、前記シールド電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に介在する導電材を介して前記素子基板に形成された配線に電気的に接続されていることが好ましい。このように構成すると、シールド電極に対して容易に電位を印加することができる。

本発明において、前記シールド電極には、当該シールド電極と対向する前記共通電極と同一電位が印加されている構成を採用することができる。

本発明において、前記シールド電極には、当該シールド電極と対向する前記共通電極に印加されている共通電位と同極性で該共通電圧より絶対値が高い電位が印加されている構成を採用してもよい。

本発明において、前記共通電極および前記シールド電極は、水平方向または垂直方向に配列された画素に沿って帯状に延在し、延在方向と交差する方向では分割されており、隣接する共通電極に対しては異なる電位の共通電位が印加される構成を採用してもよい。

本発明において、前記樹脂層は、厚さが２μｍ以上で、誘電率が６以下であることが好ましい。このように構成すると、シールド電極が液晶の配向を乱すことを確実に防止することができる。

本発明の別の形態では、下側電極、絶縁膜、およびフリンジ電界形成用の複数のスリットが形成された上側電極が順に積層された素子基板と、該素子基板に対して対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶と、を有し、前記下側電極および前記上側電極のうちの一方により画素電極が構成され、他方により共通電極が構成された液晶装置において、前記対向基板において前記素子基板と対向する内面側には前記液晶を駆動するための電極が形成されておらず、当該内面側には、樹脂層、および電位的にフローティング状態のシールド電極が前記対向基板側から順に積層されていることを特徴とする。

本発明において、対向基板には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極が形成されているため、対向基板は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶の配向を乱さない。また、シールド電極は、対向基板の内面側に形成されているため、液晶パネルを組み立てる前の基板の状態でシールド電極を形成することができる。また、対向基板において素子基板と対向する内面側において、シールド電極は、樹脂層の上層側に形成されているが、シールド電極は電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板において素子基板と対向する内面側にシールド電極が形成されている場合でも、シールド電極が液晶の配向を乱さないので、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

本発明において、前記樹脂層は、カラーフィルタ層を含むことが好ましい。このように構成すると、カラーフィルタ自身を前記樹脂層あるいは前記樹脂層の一部として利用することができる。

本発明において、前記下側電極は画素電極であり、前記上側電極は、複数の画素に跨る共通電極であることが好ましい。このように構成すると、素子基板において上層側に位置する電極の電位に対応する電位をシールド電極に容易に印加することができ、シールド電極が液晶の配向を乱すことを確実に防止することができる。

本発明において、前記上側電極は画素電極であり、前記下側電極は、複数の画素に跨る共通電極であってもよい。

本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、配向膜などの図示は省略してある。また、液晶装置の場合、画素スイッチング素子として用いた薄膜トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。さらに、以下の説明において、「上側電極と下側電極とが重なる」との説明は、「上側電極と下側電極とが平面視で重なる」ことを意味する。

［概要］
図１および表１を参照して、各実施の形態の説明に先立って、本発明に係る液晶装置の概要を説明しておく。図１は、本発明および比較例に係る各構成例の液晶装置において、液晶に対する駆動電圧を変化させた場合の透過率の変化を示すグラフである。

本発明では、表１に示すように、ＦＦＳ方式を採用したノーマリブラックモードの液晶装置において、液晶駆動用の画素電極および共通電極の素子基板上における上下位置、カラーフィルタおよびシールド電極の対向基板上における上下位置、シールド電極の電位（共通電位ＶComの印加、あるいは電位的にフローティング状態（Floating））を種々組み合わせ、各々における駆動電圧と透過率との関係を、シールド電極を形成しない場合と比較した。その結果を図１に線Ｌ０〜Ｌ８で示すとともに、各液晶装置の透過率の最高値を、シールド電極を形成しない場合の比率（Ｔmax比較（Ref）比）として表１に示した。

表１に示す構成例１〜８は各々、本発明における以下の形態
構成例１・・本発明の実施の形態４
構成例２・・本発明の実施の形態３
構成例３・・比較例（図１６（ａ）参照）
構成例４・・本発明の実施の形態６
構成例５・・本発明の実施の形態２
構成例６・・本発明の実施の形態１
構成例７・・比較例（図１６（ｂ）参照）
構成例８・・本発明の実施の形態５
に対応する。以下、表１および図１も参照しながら、各実施の形態を説明する。

［実施の形態１］
（全体構成）
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、そのＨ−Ｈ′断面図、対向基板のシールド電極と素子基板の配線との間での電気的な導通構造を示す拡大断面図、および当該導通構造の平面図である。

図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板１０と対向基板２０とはシール材１０７によって所定の隙間を介して貼り合わされている。対向基板２０は、シール材１０７とほぼ同じ輪郭を備えており、素子基板１０と対向基板２０との間において、シール材１０７で区画された領域内にホモジニアス配向された液晶５０が保持されている。液晶５０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物であり、広い温度範囲においてネマチック相を示す。

素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、実装端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、さらに、額縁１０８の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。

詳しくは後述するが、素子基板１０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜などからなる透光性の画素電極７ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８（図２（ｂ）では図示せず）が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極７ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜（図示せず）が形成され、画素電極７ａと対向する領域に所定色のカラーフィルタ（図２（ｂ）には図示せず）が形成されている。

本形態の液晶装置１００は、液晶５０をＦＦＳ方式で駆動する。このため、素子基板１０の上には、画素電極７ａに加えて共通電極（図示せず）も形成されており、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａには、画素電極７ａや共通電極などといった液晶駆動用の電極が一切形成されていない。このため、対向基板２０の側からは静電気が侵入しやすい。そこで、詳しくは後述するが、本形態の液晶装置１００では、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体にＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透光性導電膜からなるシールド電極２９が形成されている。

かかるシールド電極２９は、電位的にフローティング状態とされる場合の他、所定の電位が印加される場合もある。シールド電極２９に所定の電位を印加するにあたっては、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、シール材１０７の一部あるいはその全体を、導電粒子１０９ａを含む基板間導通材１０９とし、対向基板２０の内面側２０ａに形成したシールド電極２９と、素子基板１０に形成した配線１９とを電気的に接続する。これに対して、シールド電極２９がフローティング状態とされる場合、かかる基板間の導通を省略する。

再び図２（ｂ）において、本形態の液晶装置１００においては、対向基板２０が表示光の出射側に位置するように配置されており、素子基板１０に対して対向基板２０と反対側にはバックライト装置（図示せず）が配置される。また、対向基板２０側および素子基板１０側の各々に偏光板９１、９２や位相差板がなどの光学部材が配置される。なお、液晶装置１００は反射型あるいは半透過反射型として構成される場合があり、半透過反射型の場合、対向基板２０において素子基板１０と対向する面には、反射表示領域に位相差層が形成される場合もある。

（液晶装置１００の詳細な構成）
図３を参照して、本発明を適用した液晶装置１００およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図３は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａの電気的な構成を示す等価回路図である。

図３に示すように、液晶装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａ、および画素電極７ａを制御するための薄膜トランジスタ３０（画素トランジスタ）が形成されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線５ａが薄膜トランジスタ３０のソースに電気的に接続されている。薄膜トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａに走査信号を線順次で印加するように構成されている。画素電極７ａは、薄膜トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、薄膜トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線５ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７ａを介して、図２（ｂ）に示す液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板１０に形成された画素電極７ａと共通電極９ａとの間で一定期間保持される。ここで、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には保持容量６０が形成されており、画素電極７ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置１００が実現される。

図３では、共通電極９ａが配線のように示してあるが、素子基板１０の画像表示領域１０ａの全面あるいは略全面に形成されており、共通電位ＶComに保持される。また、共通電極９ａは、複数の画素１００ａに跨って、あるいは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もあるが、いずれの場合も共通の電位が印加される。

（各画素の詳細な構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図４（ａ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。また、図４（ｂ）では、画素電極７ａは長い点線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは二点鎖線で示し、共通電極９ａにおいて部分的に除去された部分は実線で示してある。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、透光性の画素電極７ａ（長い点線で囲まれた領域）が各画素１００ａ毎に形成され、画素電極７ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線５ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（二点鎖線で示す領域）が延在している。また、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面には透光性の共通電極９ａが形成されている。画素電極７ａおよび共通電極９ａはいずれもＩＴＯ膜からなる。

本形態では、共通電極９ａが下側電極として形成され、画素電極７ａが上側電極として形成されている。このため、上側の画素電極７ａには、フリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成され、複数のスリット７ｂで挟まれた部分は、複数の線状電極部７ｅになっている。ここで、スリット７ｂの幅寸法は例えば３〜１０μｍであり、線状電極部７ｅの幅寸法は例えば２〜８μｍである。かかるスリット７ｂは、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。

図４（ａ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板２０ｂからなる。本形態では、透光性基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに対応する位置にトップゲート構造の薄膜トランジスタ３０が形成されている。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ３０は、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｂ、ソース領域１ｃ、ドレイン領域１ｄが形成された構造を備えており、チャネル領域１ｂの両側に低濃度領域を備えたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するように形成されることもある。本形態において、半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。半導体層１ａの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２の上層には、走査線３ａの一部がゲート電極として重なっている。本形態では、半導体層１ａがコの字形状に屈曲しおり、ゲート電極がチャネル方向における２箇所に形成されたツインゲート構造を有している。

ゲート電極（走査線３ａ）の上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。層間絶縁膜４の表面にはデータ線５ａが形成され、このデータ線５ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ａを介して最もデータ線５ａ側に位置するソース領域に電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極５ｂが形成されており、ドレイン電極５ｂは、データ線５ａと同時形成された導電膜である。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの上層側には、層間絶縁膜６が形成されている。本形態において、層間絶縁膜６は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。

層間絶縁膜６の表面にはＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａにおいてドレイン電極５ｂと重なり部分には切り欠き９ｃが形成されている。共通電極９ａの表面にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる絶縁膜８が形成されている。絶縁膜８の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが島状に形成されている。層間絶縁膜６にはコンタクトホール６ａが形成されているとともに、絶縁膜８にはコンタクトホール６ａ内にコンタクトホール８ａが形成されている。このため、画素電極７ａは、コンタクトホール６ａ、８ａの底部でドレイン電極５ｂに電気的に接続し、このドレイン電極５ｂは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール４ｂを介してドレイン領域１ｄに電気的に接続している。また、画素電極７ａの下層側には、平坦化膜としての層間絶縁膜６が形成されており、データ線５ａ付近も平坦化されている。このため、画素電極７ａの端部は、データ線５ａの近傍に位置している。

画素電極７ａにはフリンジ電界形成用のスリット７ｂが形成されており、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には、スリット７ｂを介してフリンジ電界を形成することができる。また、共通電極９ａと画素電極７ａとは、絶縁膜８を介して対向しており、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には、絶縁膜８を誘電体膜とする容量成分が形成されており、かかる容量成分は、図３に示す保持容量６０として利用されている。

（対向基板２０などの構成）
これに対して、対向基板２０には、素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９が形成されており、このシールド電極２９の上層に各色に対応するカラーフィルタ２４が形成されている。カラーフィルタ２４は、所定色の色材を含有する樹脂層２６からなり、本形態において、カラーフィルタ２４は、厚さが２μｍ以上、誘電率は６以下である。本形態において、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。なお、素子基板１０および対向基板２０には配向膜（図示せず）が形成されており、対向基板２０側の配向膜に対しては走査線３ａと平行にラビング処理が施され、素子基板１０側の配向膜に対しては、対向基板２０の配向膜に対するラビング方向と逆向きのラビング処理が施されている。このため、液晶５０をホモジニアス配向することができる。ここで、素子基板１０の画素電極７ａに形成されたスリット７ｂは、互いに平行に形成されているが、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。このため、配向膜に対しては、スリット７ｂが延びている方向に５度の角度をもってラビング処理が施されていることになる。また、偏光板９１、９２は、互いの偏光軸が直交するように配置されており、対向基板２０側の偏光板９１の偏光軸は、配向膜に対するラビング方向と直交し、素子基板１０側の偏光板の偏光軸９２は、配向膜に対するラビング方向と平行である。

（本形態の主な効果）
このように構成した液晶装置１００において、対向基板２０には液晶５０を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極２９が形成されている。このため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。また、シールド電極２９は、対向基板２０の内面側２０ａに形成されているため、液晶パネルを組み立てる前の基板の状態でシールド電極２９を形成することができる。

また、本形態では、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９、およびカラーフィルタ２４（樹脂層２６）が順に積層され、シールド電極２９は、カラーフィルタ２４の下層側に形成されている。しかも、カラーフィルタ２４は、誘電率が低くて膜厚の厚い樹脂層２６からなる。また、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ６（Com下ＣＦ下Floating）で示し、表１に「Ｔmax Ref比」が８９．３％と示してあるように、かなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態２］
実施の形態１では、シールド電極２９が電位的にフローティング状態にあったが、本形態では、図２（ｃ）、（ｄ）に示す基板間導通を利用して、シールド電極２９を素子基板１０の共通電極９ａ自身からなる配線１９、または共通電極９ａから延びた配線１９に電気的に接続することにより、シールド電極２９には、共通電極９ａと同じく、共通電位ＶComが印加されている。その他の構成は実施の形態１と同一であるため、説明を省略するが、本形態の液晶装置１００においても、対向基板２０にシールド電極２９が形成されているため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。

また、本形態では、素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９、およびカラーフィルタ２４（樹脂層２６）が順に積層され、シールド電極２９は、カラーフィルタ２４の下層側に形成されている。しかも、カラーフィルタ２４は、誘電率が低くて膜厚の厚い樹脂層２６からなる。また、シールド電極２９には共通電位ＶComが印加されている。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ５（Com下ＣＦ下VCom）で示し、表１に「Ｔmax Ref比」が８９．３％と示してあるように、かなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態３］
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図５（ａ）は、実施の形態１の説明で用いた図４（ｂ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

実施の形態１、２では、素子基板１０において、絶縁膜８の上層側に画素電極７ａが形成され、絶縁膜８の下層側に共通電極９ａが形成されている構成であったが、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、素子基板１０では、絶縁膜８の上層側にＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが上側電極として形成され、絶縁膜８の下層側にＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが下側電極として形成されている。このため、画素電極７ａは、層間絶縁膜６のコンタクトホール６ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続されている。なお、共通電極９ａにおいて、コンタクトホール６ａの形成領域には切り欠き９ｃが形成されている。

このように構成した液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、ＦＦＳ方式が採用されており、上側の共通電極９ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット９ｇが形成され、複数のスリット９ｇで挟まれた部分は、複数の線状電極部９ｅになっている。ここで、スリット９ｇの幅寸法は例えば３〜１０μｍであり、線状電極部９ｅの幅寸法は例えば２〜８μｍである。

これに対して、対向基板２０には、実施の形態１と同様、素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９が形成されており、このシールド電極２９の上層に各色に対応するカラーフィルタ２４が形成されている。カラーフィルタ２４は、所定色の色材を含有する樹脂層２６からなり、本形態においても、実施の形態１と同様、カラーフィルタ２４は、厚さが２μｍ以上、誘電率は６以下である。ここで、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。

このように構成した液晶装置１００において、対向基板２０には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極２９が形成されている。このため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。

また、本形態では、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９、およびカラーフィルタ２４（樹脂層２６）が順に積層され、シールド電極２９は、カラーフィルタ２４の下層側に形成されている。しかも、カラーフィルタ２４は、誘電率が低くて膜厚の厚い樹脂層２６からなる。また、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ２（Com上ＣＦ下Floating）で示し、表１に「Ｔmax Ref比」が９８．０％と示してあるように、実施の形態１と比較しても、かなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態４］
実施の形態３では、シールド電極２９が電位的にフローティング状態にあったが、本形態では、図２（ｃ）、（ｄ）に示す基板間導通を利用して、シールド電極２９を素子基板１０の共通電極９ａ自身からなる配線１９、または共通電極９ａから延びた配線１９に電気的に接続することにより、シールド電極２９には、共通電極９ａと同じく、共通電位ＶComが印加されている。その他の構成は実施の形態２と同一であるため、説明を省略するが、本形態の液晶装置１００においても、対向基板２０にシールド電極２９が形成されているため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。

また、本形態では、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９、およびカラーフィルタ２４（樹脂層２６）が順に積層され、シールド電極２９は、カラーフィルタ２４の下層側に形成されている。しかも、カラーフィルタ２４は、誘電率が低くて膜厚の厚い樹脂層２６からなる。また、シールド電極２９には共通電位ＶComが印加されている。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ１（Com上ＣＦ下VCom）で示し、表１に「Ｔmax Ref比」が９８．０％と示してあるように、実施の形態２と比較しても、かなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態５］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図６（ａ）は、実施の形態１の説明で用いた図４（ｂ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態では、実施の形態１と同様、絶縁膜８の下層側に共通電極９ａが形成され、絶縁膜８の上層側に画素電極７ａが形成されている。

一方、対向基板２０には、実施の形態１と同様、素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９が形成されている。但し、本形態では、実施の形態１と違って、シールド電極２９の下層側に各色に対応するカラーフィルタ２４（樹脂層２６）が形成され、シールド電極２９がカラーフィルタ２４（樹脂層２６）の上に位置する。ここで、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。

このように構成した液晶装置１００において、対向基板２０には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極２９が形成されている。このため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。

また、本形態では、素子基板１０と対向する内面側２０ａに、カラーフィルタ２４（樹脂層２６の上にシールド電極２９が積層されているが、シールド電極２９が電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ８（Com下ＣＦ上Floating）、表１に「Ｔmax Ref比」が９６．０％と示してあるように、実施の形態１と比較しても、かなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態６］
図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図７（ａ）は、実施の形態１の説明で用いた図４（ｂ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態では、実施の形態３と同様、絶縁膜８の下層側に画素電極７ａが形成され、絶縁膜８の上層側に共通電極９ａが形成されている。

一方、対向基板２０には、実施の形態３と同様、素子基板１０と対向する内面側２０ａの全体に、ＩＴＯ膜からなるシールド電極２９が形成されている。但し、本形態では、実施の形態３と違って、シールド電極２９の下層側に各色に対応するカラーフィルタ２４(樹脂層２６)成され、シールド電極２９がカラーフィルタ２４（樹脂層２６）の上に位置する。ここで、シールド電極２９は電位的にフローティング状態にある。

このように構成した液晶装置１００において、対向基板２０には液晶を駆動するための電極が形成されていないが、シールド電極２９が形成されている。このため、対向基板２０は、静電気による帯電が起こりにくく、たとえ帯電しても液晶５０の配向を乱さない。

また、本形態では、素子基板１０と対向する内面側２０ａに、カラーフィルタ２４（樹脂層２６の上にシールド電極２９が積層されているが、シールド電極２９が電位的にフローティング状態にある。このため、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａにシールド電極２９が形成されている場合でも、シールド電極２９が液晶５０の配向を乱さないので、図１に線Ｌ４（Com下ＣＦ上Vcom）で示し、表１に「Ｔmax Ref比」が９７．０％と示してあるように、実施の形態３と同等のかなり高い透過率を示す。それ故、対向基板２０において素子基板１０と対向する内面側２０ａに静電気に対するシールド電極２９を形成した場合でも、コントラストが高い等、品位の高い画像を表示することができる。

［実施の形態１〜４の変形例］
図８は、本発明の実施の形態１〜４の変形例に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図である。

実施の形態１〜４では、対向基板２０の内面側２０ａにシールド電極２９およびカラーフィルタ２４が積層され、カラーフィルタ２４のみが、シールド電極２９を覆う樹脂層２６を構成していたが、図８に示すように、本形態では、対向基板２０の内面側２０ａに対して、シールド電極２９、カラーフィルタ２４、および樹脂層からなるオーバーコート層２５（カラーフィルタ２４に対する保護層）を形成し、カラーフィルタ２４およびオーバーコート層２５を樹脂層２６として利用する。このように構成した場合も、シールド電極２９が液晶５０の配向に影響を及ぼすことを防止できる。なお、図８に示す構成は、図５に示す実施の形態３をベースに樹脂層２６の構成を変更した例であったが、実施の形態１、２、４において、カラーフィルタ２４、およびオーバーコート層２５によって樹脂層２６を構成してもよい。

［実施の形態１〜４における樹脂層２６の構成］
図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１〜４に係る液晶装置１００において、樹脂層２６の膜厚、および誘電率を変えた場合において、液晶に対する駆動電圧と透過率との関係を示すグラフである。

本発明の実施の形態１〜４では、樹脂層２６（カラーフィルタ２４）は、厚さが２μｍ以上、誘電率は６以下としたが、例えば、樹脂層２６の厚さを例えば２μｍとし、樹脂層２６の誘電率を２〜５の範囲で変化させた場合の結果を、図９（ａ）に線Ｌ１１〜Ｌ１４で示すように、誘電率が低い方が、電界の乱れを抑制できるので、透過率が向上する。それ故、樹脂層２６の誘電率が低い方が好ましいが、使用できる材料の種類や、透過率のレベルからすると、樹脂層２６の誘電率は６以下であれば十分である。

また、樹脂層２６の誘電率を例えば３とし、樹脂層２６の厚さを１〜５μｍの範囲で変化させた場合の結果を、図９（ｂ）に線Ｌ２１〜Ｌ２５で示すように、樹脂層２６は厚い方が好ましいが、樹脂層２６の厚さが２μｍ以上では、シールド電極の遮蔽効果が高く電界の乱れを抑制できる。それ故、概ね同等の透過率を得ることができるという観点、もしくは透過率の低下を非常に小さく抑えることができるという観点からすると、樹脂層２６の厚さは２μｍ以上であれば十分である。

［実施の形態２、４でのライン反転の採用例］
図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２、４に係る液晶装置１００において、水平ライン反転を行なう場合のブロック図、その画素構成を示す平面図、および画素断面を模式的に示す説明図であり、図１０（ｃ）には画素をデータ線が延在している方向に切断した様子を示してある。図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態２、４に係る液晶装置１００において、垂直ライン反転を行なう場合のブロック図、その画素構成を示す平面図、および画素断面を模式的に示す説明図であり、図１１（ｃ）には画素を走査線が延在している方向に切断した様子を示してある。

図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、低消費電力化を目的に、水平ライン反転を行なう場合があり、この場合、共通電極９ａは、水平方向（走査線３ａが延在している方向）に配列された複数の画素１００ａに沿って帯状に延在し、かかる延在方向と交差する方向では分割された構成となる。そして、隣接する共通電極９ａについては、ライン反転回路１０３によって異なる電位で駆動する。

このような構成に対応して、図１０（ｂ）、（ｃ）に示すように、対向基板２０の内面側に形成されたシールド電極２９についても、水平方向に配列された複数の画素１００ａに沿って帯状に延在させ、延在方向と直交する方向では分割した構成とする。このように構成した場合も、図２（ｃ）、（ｄ）に示す基板間導通を利用して、対向し合うシールド電極２９と共通電極９ａとを電気的に接続することにより、シールド電極２９には、常に対向する共通電極９ａと同じく、共通電位ＶComが印加されることになる。

また、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、垂直ライン反転を行なう場合、共通電極９ａについては、垂直方向（データ線６ａの延在方向）に配列された複数の画素１００ａに沿って帯状に延在し、かかる延在方向と交差する方向では分割された構成となる。そして、隣接する共通電極９ａについては、ライン反転回路１０３によって異なる電位で駆動する。

このような構成に対応して、図１１（ｂ）、（ｃ）に示すように、対向基板２０の内面側に形成されたシールド電極２９についても、垂直方向に配列された複数の画素１００ａに沿って帯状に延在させ、延在方向と直交する方向では分割した構成とする。このように構成した場合も、図２（ｃ）、（ｄ）に示す基板間導通を利用して、対向し合うシールド電極２９と共通電極９ａとを電気的に接続することにより、シールド電極２９には、常に対向する共通電極９ａと同じく、共通電位ＶComが印加されることになる。

なお、図１０（ｂ）、（ｃ）および図１１（ｂ）、（ｃ）は、図５に示す形態を変形したが、図４に示す形態でも同様である。

［実施の形態２、４におけるシールド電極２９への印加電圧］
図１２は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００におけるシールド電極２９への印加電圧を変化させた場合のグラフである。

実施の形態２では、実施の形態４と違って、画素電極７ａが共通電極９ａの上層側に形成されており、かかる上層側の画素電極７ａと同一の電位をシールド電極２９に印加することが不可能である。従って、実施の形態２では、共通電位ＶComを印加したが、シールド電極２９に印加する電圧としては、シールド電極２９と対向する共通電極９ａに印加されている共通電位ＶComと同極性で該共通電圧ＶComより絶対値が高い電位を印加することが好ましい。すなわち、図１２には、シールド電極２９を形成しない場合の特性を線Ｌ０で表すとともに、共通電位ＶComに対して−１Ｖ、＋１Ｖ、−２Ｖ、＋２Ｖの電位を印加した場合の特性を各々線Ｌ３１、Ｌ３２、Ｌ３３、Ｌ３４で表してあり、かかる結果を比較すると、共通電位ＶComに対して−２Ｖ、−１Ｖ、＋１Ｖ、＋２Ｖの順に透過率が向上することが分る。

なお、実施の形態４においても、シールド電極２９に印加する電圧としては、シールド電極２９と対向する共通電極９ａに印加されている共通電位ＶComと同極性で該共通電圧より絶対値が高い電位を印加してもよい。

［他の実施の形態］
図１３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の他の実施の形態に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図１３（ａ）は、図１３（ｂ）のＡ４−Ａ４′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、対応関係が分りやすいように、可能な限り、共通する部分には同一の符号を付して説明する。

上記実施の形態では、画素トランジスタとして、トップゲート構造の薄膜トランジスタ３０が用いたが、本形態では、図１３（ａ）、（ｂ）を参照して以下に説明するように、画素トランジスタとして、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタ３０が用いられ、かかる液晶装置１００に本発明を適用してもよい。図１３（ａ）、（ｂ）に示す液晶装置１００において、素子基板１０上には、ＩＴＯ膜からなる透光性の画素電極７ａが各画素１００ａ毎に形成されている。画素電極７ａの縦横の境界領域に沿っては、薄膜トランジスタ３０に電気的に接続されたデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されている。また、走査線３ａと並列するように共通配線３ｃが形成されており、共通配線３ｃは、走査線３ａと同時形成された配線層である。共通配線３ｃの下層側には、ＩＴＯ膜からなる透光性の共通電極９ａが走査線３ａおよび共通配線３ｃの延在方向と同一方向に帯状に延びており、共通配線３ｃと共通電極９ａの端部とは電気的に接続されている。従って、共通電極９ａは複数の画素１００ａに跨るように形成されている。但し、共通電極９ａは複数の画素１００ａ毎に形成される場合もある。いずれの場合、共通電極９ａは、共通電極９ａに電気的に接続され、画素１００ａ毎に共通の電位が印加される。

本形態において、薄膜トランジスタ３０はボトムゲート構造を有しており、薄膜トランジスタ３０では、走査線３ａの一部からなるゲート電極、ゲート絶縁膜２、薄膜トランジスタ３０の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体層１ａ、およびコンタクト層（図示せず）がこの順に積層されている。半導体層１ａのうち、ソース側の端部には、コンタクト層を介してデータ線５ａが重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層を介してドレイン電極５ｂが重なっている。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂは同時形成された導電膜からなる。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの表面側にはシリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜１１が形成されている。絶縁保護膜１１の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが形成されている。

画素電極７ａにはフリンジ電界形成用の複数のスリット７ｂが互いに平行に形成されており、スリット７ｂの間には線状電極部７ｅが形成されている。絶縁保護膜１１においてドレイン電極５ｂと重なる領域にはコンタクトホール１１ａが形成されており、画素電極７ａは、コンタクトホール１１ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続されている。

素子基板１０において、ゲート絶縁膜２の下層側には共通配線３ｃが形成されている。また、共通配線３ｃの下層には、ＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａの端部は共通配線３ｃに電気的に接続されている。共通電極９ａの表面には、ゲート絶縁膜２および絶縁保護膜１１が形成されている。従って、共通電極９ａと画素電極７ａとの間には、ゲート絶縁膜２および絶縁保護膜１１からなる絶縁膜１８が介在し、かかる絶縁膜１８を誘電体膜とする保持容量６０（図３参照）が形成されている。

なお、本形態は、図５に示す形態において、薄膜トランジスタ３０にアモルファスシリコンを用いた例であるが、図４、図６、図７、図８に示す形態において、薄膜トランジスタ３０にアモルファスシリコンを用いてもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１４（ａ）に、液晶装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての液晶装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１４（ｂ）に、液晶装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１４（ｃ）に、液晶装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。

なお、液晶装置１００が適用される電子機器としては、図１４に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置１００が適用可能である。

本発明および比較例に係る各構成例の液晶装置において、液晶に対する駆動電圧を変化させた場合の透過率の変化を示すグラフである。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、そのＨ−Ｈ′断面図、対向基板のシールド電極と素子基板の配線との間での電気的な導通構造を示す拡大断面図、および当該導通構造の平面図である。 本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 本発明の実施の形態１〜４の変形例に係る液晶装置の画素１つ分の断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１〜４に係る液晶装置において、樹脂層の膜厚、および誘電率を変えた場合において、液晶に対する駆動電圧と透過率との関係を示すグラフである。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２、４に係る液晶装置において、水平ライン反転を行なう場合のブロック図、その画素構成を示す平面図、および画素断面を模式的に示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２、４に係る液晶装置において、垂直ライン反転を行なう場合のブロック図、その画素構成を示す平面図、および画素断面を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置におけるシールド電極２９への印加電圧を変化させた場合のグラフである。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の他の実施の形態に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図である。 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の説明図である。 従来の液晶装置の説明図である。 本発明の比較例に係る液晶装置の説明図である。

符号の説明

３ａ・・走査線、６ａ・・データ線、７ａ・・画素電極、８・・絶縁膜、９ａ・・共通電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２０ａ・・対向基板の内面側、２４・・カラーフィルタ、２６・・樹脂層、２９・・シールド電極、５０・・液晶、３０・・薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）、１００・・液晶装置

Claims (4)

1. 素子基板に形成された下側電極からなる画素電極と、
   前記下側電極に積層された絶縁膜と、
   前記絶縁膜に積層されたフリンジ電界形成用の互いに平行な複数のスリットが形成された上側電極からなる共通電極と、
   前記素子基板に対して対向配置された対向基板と、
   該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶と、
   前記対向基板において前記素子基板と対向する内面側全体に形成されたシールド電極と、
   前記対向基板側から前記シールド電極および樹脂層の順に積層された前記樹脂層と、を有し、
   前記シールド電極は、前記共通電極に印加されている共通電位と同じ電位が印加され、
   前記樹脂層は、厚さが２μｍ以上で、誘電率が６以下である液晶装置。
2. 前記シールド電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に介在する導電材を介して前記素子基板に形成された配線に電気的に接続されている請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記樹脂層は、カラーフィルタ層を含む請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置を備えている電子機器。