JP5164672B2 - 液晶表示装置、電子機器 - Google Patents
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液晶分子は、初期配向方向と電界方向とがなす角度がより小さい方向にツイストする。第1電極と第2電極との間に生ずる電界の方向(電界方向)は、基本的にスリットの長手方向に対して直交する方向に生じる。
したがって、液晶分子の初期配向方向に対して交差するスリットの所定の角度が小さくなると、初期配向方向と電界方向とがなす角度の一方が90度に近づく、すなわちツイスト方向の安定性が失われ易い。一方で上記所定の角度が大きくなると、初期配向方向と電界方向とがなす角度の一方が小さくなる。よって、ツイスト方向の安定性が増すものの、液晶分子のツイスト角度が小さくなるので偏光素子によって直線偏光に変換された透過光の透過率が低下し易い。
この構成によれば、所定の角度の絶対値を5度乃至10度の範囲とすることにより、偏光サングラス対応を実現すると共に、ツイスト方向の安定性を確保しつつ、明るい表示が得られる液晶表示装置を提供することができる。
この構成によれば、互いに逆方向にツイストする液晶分子のツイスト角度が同一となるため、視野角特性における偏りを防止することができる。
第3スリットにおける第1の角度と第2の角度の境界部分は、ツイスト方向を制御し難い部分である。この構成によれば、当該境界部分が画素の配列方向に対して斜めに交差するように設定されているため、ツイスト方向を制御し難い部分が画素間においてスジ状に連続し視認し難くなることを防ぐ。すなわち、表示ムラを低減できる。
この構成によれば、画素の列方向の両端側に傾斜角度が小さいスリットおよび/またはスリットの傾斜角度が小さい部分の少なくとも一部を配置することにより、当該両端側における電界方向の変化に起因する液晶分子のリバースツイストの発生を抑制することができる。ゆえに、リバースツイストによる画素の実質的な開口率の低下を抑制し、より高いコントラストおよび輝度が得られる液晶表示装置を提供することができる。
この構成によれば、偏光サングラス対応が施され、表示を適正に確認することができる電子機器を提供することができる。
まず、本実施形態の液晶表示装置について、図1および図2を参照して説明する。図1は、液晶表示装置を示す概略図である。同図(a)は概略正面図、同図(b)は、同図(a)のH−H'線で切った概略断面図である。
図3は実施例1の画素の構造を示す概略平面図、図4は図3のA−A'線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
複数の画素は、サブ画素SGの長手方向が画素の列方向となるようにマトリクス状に配置(配列)されている。
画素電極9の外周を取り囲むようにして、走査線3aと共通線3bと複数のデータ線6aとが配置されている。
走査線3aとデータ線6aとの交差部近傍にTFT30が形成されており、TFT30はデータ線6aおよび画素電極9と電気的に接続されている。
また、画素電極9と平面視でほぼ重なる位置に矩形状の共通電極19が形成されている。なお、共通電極19は、隣接するサブ画素SGに亘ってベタ状に設けてもよい。
スリット29が走査線3aに沿ったX軸となす傾斜角度は、この場合20度となっている。以降、このようなスリット29を指して右上がり(20度)のスリット29と呼ぶ。
なお、スリット29の傾斜角度の基準を走査線3aに沿ったX軸としたが、画素の配列における行方向に置き換えても良い。また、Y軸を画素の配列における列方向として置き換えてこれを基準としてもよい。
走査線3a、データ線6a、共通線3bは、電気信号を伝達する観点からそれぞれ低抵抗な導電材料を用いて形成されることが好ましく、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等が挙げられる。
走査線3aは、半導体層35と対向する位置でTFT30のゲート電極として機能する。ドレイン電極32と画素電極9とは、両者が平面的に重なる位置に形成された画素コンタクトホール47を介して電気的に接続されている。
なお、図示のサブ画素SGにおいて、画素電極9と共通電極19とが平面視で重なる領域が、当該サブ画素SGの容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素SGの形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。
また、画素電極9と共通電極19とが平面視で重なる領域は、この場合、透過表示領域Tとなっている。
透明なガラス等からなる対向基板20上には、液晶層50側に向かってカラーフィルタ22(22B,22G,22R)と、カラーフィルタ22をサブ画素SGごと(色ごと)に区画する遮光膜61と、カラーフィルタ22および遮光膜61を覆う配向膜23とが形成されている。
絶縁薄膜11上には、島状の半導体層35と、半導体層35と一部が重なるようにソース電極31とドレイン電極32とが形成されている。これらの半導体層35、ソース電極31およびドレイン電極32を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる層間絶縁膜12が形成されている。
層間絶縁膜12上には、画素電極9が形成され、層間絶縁膜12を貫通してドレイン電極32に達する画素コンタクトホール47を介して、画素電極9とドレイン電極32とが電気的に接続されている。
素子基板10の画素電極9を覆って、ポリイミド等からなる配向膜18が形成されている。液晶層50に面する素子基板10側の配向膜18および対向基板20側の配向膜23は、ラビング処理等の配向処理を施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。配向処理の詳細については、後述する光学設計条件において説明する。
一対の偏光板14,24の光学的な配置は、前述したようにクロスニコルである。偏光板14の透過軸は、ラビング方向すなわち液晶分子の初期配向方向と一致している。他方の偏光板24の透過軸は、偏光板14の透過軸に対して直交し、同図(a)では破線で図示されている。
したがって、液晶表示装置100は、非駆動状態では、照明装置から入射した光が透過できない黒表示となるノーマリーブラックである。
図6は実施例2の画素の構造を示す概略平面図、図7(a)は実施例2の光学設計条件を示す概略図、同図(b)は実施例2の液晶分子の挙動を示す概略図である。なお、以降、画素の構造の説明にあたり、1つのサブ画素SGを取り上げて説明する。他のサブ画素SGも同様であることは言うまでもない。また、実施例1と同じ構成の部分は、同じ符号を付して説明する。
したがって、スリット29aに対応する液晶層50の液晶分子は、駆動時に反時計回りにツイストすることになる。
図8は実施例3の画素の構造を示す概略平面図である。なお、実施例1および実施例2と同じ構成の部分は、同じ符号を付して説明する。
スリット29bは、傾斜角度が右上がり20度から10度に変化している。傾斜角度が変化している部分は、画素電極9をほぼ斜めに横断する破線9d上に位置している。
実施例3においても実施例2と同様に、液晶分子のツイスト方向が逆転する第1の領域9bと第2の領域9cとがほぼ同じ面積となるように、複数のスリット29,29a,29bが設けられている。上記傾斜角度が変化している部分は、ツイスト方向が異なる領域の境界部分である。
さらには、画素電極9の大きさや形状に応じてスリットを配置する設計上の自由度を高めることができる。具体的には、傾斜角度が大きくなったり複数種である場合に、画素電極9において表示に寄与しないデッドスペースが増すことを抑制することができる。
図9は実施例4の画素の構造を示す概略平面図、図10(a)は実施例4の光学設計条件を示す概略図、同図(b)および(c)は実施例4の液晶分子の挙動を示す概略図である。なお、実施例1と同じ構成の部分は、同じ符号を付して説明する。
図11は実施例5の画素の構造を示す概略平面図、図12(a)は実施例5の光学設計条件を示す概略図、同図(b)および(c)は実施例5の液晶分子の挙動を示す概略図である。なお、実施例1と同じ構成の部分は、同じ符号を付して説明する。
これに対して、図12(c)に示すように、右下がり70度のスリット29gは、液晶分子の初期配向方向に対して5度の角度で交差している。駆動時の電界方向は、当該スリット29gの長手方向に対して直交する方向である。したがって、液晶分子は、時計回りにツイストする。すなわち、2ドメインの構成となる。
また、偏光サングラス対応における技術思想としては、液晶表示装置100において表示される画像の表示水平方向または表示垂直方向に対して、偏光素子の透過軸および液晶分子の初期配向方向並びにスリット29の傾斜角度を規定するものである。
また、視野角特性という観点では、シングルドメイン方式の実施例1に対して2ドメイン方式を採用している実施例2〜実施例5および従来例が優れている。同じ2ドメイン方式の中でも実施例2および実施例3と実施例4とを比較すると、実施例4は、図14のコントラストコーンを時計回りに45度回転させるため、上下方向、左右方向から見たときのコントラストが低下する特性となる。したがって、液晶表示装置100の使用方法によっては、本来の広視野角が寄与しないおそれがあるため評価を△〜○とした。
輝度特性の観点では、スリットの形状や配置を工夫し実質的な開口率が向上した実施例3および実施例4が他に比べて優れている。したがって、実施例3および実施例4の評価を◎とした。従来の液晶表示装置300(図17参照)については、上部スリット307と下部スリット308との間に基準スリット306が設けられているのでこれも評価が◎である。実施例5のスリット29g,29h,29i,29jは、傾斜角度が急峻なため、所謂縦長の画素電極9に対して、傾斜角度を異ならせて配置する場合、ツイスト方向が制御し難い境界領域が広くなり易い(すなわち実質的な開口率が低下し易い)ので、評価を△〜○とした。
図16は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。図16に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機200は、入力用のボタン類や表示部202などを備えた本体201を有する。
また、液晶分子の初期配向方向に対して交差するスリットの所定の角度は、5度(実際には±5度)に限定されない。正の誘電異方性を有する液晶材料のΔn(複屈折率)や図4に示した液晶層50の厚みdの設定、並びにラビング処理後の配向膜18,23における液晶分子のチルト角などに基づく光学特性を考慮して5度〜15度の範囲で選定が可能である。
液晶分子の初期配向方向に対して交差するスリットの所定の角度が小さくなると、初期配向方向と電界方向とがなす角度の一方が90度に近づく、すなわちツイスト方向の安定性が失われ易い。一方で上記所定の角度が大きくなると、初期配向方向と電界方向とがなす角度の一方が小さくなる。よって、ツイスト方向の安定性が増すものの、液晶分子のツイスト角度が小さくなるので偏光素子によって直線偏光に変換された透過光の透過率が低下し易い。
したがって、好ましくは上記所定の角度を5度〜10度の範囲とすることにより、偏光サングラス対応を実現すると共に、ツイスト方向の安定性を確保しつつ、明るい表示が得られる液晶表示装置100を提供することができる。
また、液晶表示装置100を反射板を有する反射型とする場合には、外光が入射する側の基板に偏光素子を設ければよい。すなわち、偏光素子は上下一対設けることに限定されない。
Claims (6)
- 一対の基板と、
前記一対の基板のうち一方の基板に設けられた第1電極および第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極がそれぞれに設けられた複数の画素と、
前記一対の基板により挟持され、液晶分子の初期配向方向が前記画素の配列方向に対して平行または直交以外の角度で設定されるとともに、前記第1電極と前記第2電極との間に生ずる電界によって駆動される液晶層と、
前記一対の基板に設けられ、透過軸が前記初期配向方向と同一方向である偏光素子と、
を備え、
前記第1電極または前記第2電極は、前記初期配向方向に対して所定の角度をなして交差すると共に、前記画素の配列方向に対して平行または直交以外の傾斜角度であって、当該傾斜角度が第1の角度である第1スリットと、当該傾斜角度が第2の角度である第2スリットと、当該傾斜角度が前記第1の角度の部分と前記第2の角度の部分とを有する第3スリットと、からなる複数のスリットを有し、
前記第1スリットおよび前記第3スリットの前記傾斜角度が前記第1の角度の部分に対応する前記液晶層と、前記第2スリットおよび前記第3スリットの前記傾斜角度が前記第2の角度の部分に対応する前記液晶層と、で前記液晶分子が互いに逆方向にツイストするように駆動される、
液晶表示装置。 - 前記複数のスリットの前記初期配向方向に対する前記所定の角度の絶対値が、5度乃至10度である、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1の角度と、前記第2の角度とは、前記初期配向方向に対して対称な角度を有する、
請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 前記第3スリットにおける前記第1の角度と前記第2の角度の境界部分が、前記画素の配列方向に対して斜めに交差するように設定されている、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 - 前記複数のスリットのうち、前記傾斜角度が小さい前記スリットおよび/または前記スリットの前記傾斜角度が小さい部分の少なくとも一部が、前記画素の列方向の両端側に位置するように前記第1電極または前記第2電極に配置されている、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶表示装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶表示装置が搭載された、電子機器。
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