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JP4583128B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

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JP4583128B2
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Description

本発明は、半導体レーザ装置に関する。
近年、パーソナルコンピュータおよびマルチメディア機器の高性能化に伴い、処理対象となる情報量が著しく増加している。情報量の増加に伴い、大容量化および情報処理の高速化に対応した光学式記録媒体およびその駆動装置が開発されている。
特に、光学式記録媒体に対して読み書きが可能なＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブ、ＭＯ（マグネットオプティック）ドライブ、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブ等の光学式記録媒体駆動装置においては、半導体レーザ装置が用いられている。
例えば、特許文献１に示されている発光装置においては、半導体レーザ素子を支持する支持体に導電性を有する複数のピンが設けられている。この複数のピンは、それぞれワイヤを介して各半導体レーザ素子のｎ側電極およびｐ側電極に接続されている。これにより、各半導体レーザ素子のｎ側電極とｐ側電極との間に電圧が印加されると、各半導体レーザ素子内に形成された活性層に電流が注入され、正孔と電子との再結合により発光が行われる。
特開２００１−２３０５０２号公報
しかしながら、上記の発光装置においては、赤色光を出射する赤色半導体レーザ素子のｎ側電極と赤外光を出射する赤外半導体レーザ素子のｎ側電極とが共通になっており、赤色半導体レーザ素子のｐ側電極と青紫色光を出射する青紫色半導体レーザ素子のｎ側電極とが共通になっているため、赤色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子のそれぞれの電極に独立に任意の電圧を印加することが困難である。
本発明の目的は、複数の半導体レーザ素子を備えかつ複数の半導体レーザ素子の電極に独立に電圧を印加することが可能な半導体レーザ装置を提供することである。
第１の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近く、第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近く、第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１の方向において第１の半導体レーザ素子の一方電極と第２の半導体レーザ素子の一方電極との間に位置するように配置され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。
本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近くに位置するので、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近くに位置するので、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１の方向において第１の半導体レーザ素子の一方電極と第２の半導体レーザ素子の一方電極との間に位置するので、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。
第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子上に設けられていることが好ましい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子それぞれのレーザ光の間隔を狭くすることができる。
第３の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子の一方電極側に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面に形成された絶縁膜とを有し、リッジ部は、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との間に設けられてもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤによってさらに単純かつ容易に接続することができる。
第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置、第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置および第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置されることが好ましい。それにより、第１、第２および第３のワイヤが交差することが防止される。
第３の接続位置は、第１および第２の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。
第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、第４のワイヤにより第１の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。
第２の接続位置よりも第２の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第２の半導体レーザ素子の他方電極が第５のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、第５のワイヤにより第２の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。
第２の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近く、第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近く、第３の半導体レーザ素子の一方電極と台座との間にサブマウントをさらに備え、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、サブマウント上において第３の半導体レーザ素子から突出するように形成され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とがサブマウント上において第３のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。
本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近くに位置するので、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近くに位置するので、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第３の半導体レーザ素子の一方電極はサブマウント上において第３の半導体レーザ素子から突出するように形成されているので、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とをサブマウント上において第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。
第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１および第２の半導体レーザ素子の一方電極よりも第３の端子に近いことが好ましい。それにより、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤによってより単純かつ容易に接続することができる。
第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子上に設けられていることが好ましい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子それぞれのレーザ光の間隔を狭くすることができる。
第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置、第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置および第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置されることが好ましい。それにより、第１、第２および第３のワイヤが交差することが防止される。
第３の接続位置は、第１および第２の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。
第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極は互いに電気的に接続され、第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第３の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。
この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極が互いに電気的に接続されているので、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極を第４のワイヤにより台座に共通に接続することができる。
第３の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１の半導体レーザ素子の発光部、第３の半導体レーザ素子の発光部および第２の半導体レーザ素子の発光部が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置され、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、第１の方向において第２の端子側の第２の半導体レーザ素子の側面よりも第２の端子に近い位置まで延び、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続され、第３の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射するとともに台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。
本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子の発光部が、第１の方向において第１の半導体レーザ素子の発光部と第２の半導体レーザ素子の発光部との間に設けられることにより、第３の半導体レーザ素子が筐体の中央部に位置する。それにより、レーザ光を例えばレンズ等で集光する場合、第３の半導体レーザ素子の発光部による光の利用効率を向上することができる。
また、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、第１の方向において第２の端子側の第２の半導体レーザ素子の側面よりも第２の端子に近い位置まで延びていることにより、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを接続する第３のワイヤの長さを短くすることができる。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。
さらに、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができ、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができ、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。
第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。
この場合、第４のワイヤにより第１の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。
第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置よりも第２の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第２の半導体レーザ素子の他方電極が第５のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。
この場合、第５のワイヤにより第２の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。
第２の接続位置は、第１の接続位置および第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。
第２の方向に第１、第２および第３の半導体レーザ素子を見た場合に、第１、第２、第３および第４のワイヤがそれぞれ交差しないことが好ましい。それにより、電極、端子および台座の配線が単純かつ容易になる。
第３の半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層を含んでもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子の活性層から青紫色の光が出射される。
第３の端子の長さは、第１および第２の端子の長さよりも短く、第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の方向において第１の端子と第２の端子との間に配置され、第３の端子の長さは、第３の方向において第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側の端面に重ならないように設定されてもよい。それにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を第３の端子に妨げられることなく台座に容易に取り付けることができる。
第４の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１および第２の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極および他方電極を有する第１および第２の半導体レーザ素子とを備え、第１の半導体レーザ素子は、第２の半導体レーザ素子上に設けられ、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第１および第２の半導体レーザ素子の少なくとも一方の他方電極は、台座側のワイヤにより台座に電気的に接続されたものである。
本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。
第１の半導体レーザ素子は、第２の半導体レーザ素子上において第１の端子に対して第２の端子よりも近い位置に設けられることが好ましい。この場合、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができるとともに、第１のワイヤと第２のワイヤとがそれぞれ交差することが防止される。
第２の半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層を含んでもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子の活性層から青紫色の光が出射される。
第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置または第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１および第２の半導体レーザ素子の少なくとも一方の他方電極が台座側のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、台座側のワイヤが、第１のワイヤおよび第２のワイヤとそれぞれ交差することが防止される。
第１〜第３の発明によれば、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができるとともに、第１〜第３の半導体レーザ素子の各一方電極と各端子とをワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。
また、第４の発明によれば、第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができるとともに、第１および第２の半導体レーザ素子の各一方電極と各端子とをワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。
以下、本実施の形態に係る半導体レーザ装置について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００は、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）１、波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）２および波長約４００ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）３を備える。なお、青紫色半導体レーザ素子３は、窒化物系半導体からなる活性層（図示せず）を含む。
本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子３はＧａＮ基板上に半導体層を形成することにより作製される。赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２はＧａＡｓ基板上に半導体層を形成することにより作製される。
図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子３は上面側にストライプ状のリッジ部Ｒｉを有する。青紫色半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉの両側には絶縁膜４が形成され、リッジ部Ｒｉの上面を覆うようにｐ電極３２が形成され、下面にはｎ電極３５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。
赤色半導体レーザ素子１の上面にはｎ電極１３が形成され、下面にはｐ電極１２が形成されている。赤色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。
赤外半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子３の絶縁膜４上にｐ電極３２から離間するようにｐ型パッド電極１２ａ，２２ａが形成されている。
ｐ型パッド電極１２ａ，２２ａの上面に、それぞれはんだ膜Ｈが形成されている。赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２がはんだ膜Ｈを介してｐ型パッド電極１２ａ上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ型パッド電極２２ａ上に接合されている。
これにより、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｐ型パッド電極１２ａとが電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｐ型パッド電極２２ａとが電気的に接続される。
図１においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２のｐｎ接合面３０，１０，２０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２のｐｎ接合面３０，１０，２０に垂直な方向である。
赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｘ方向に沿って一方側に主たるレーザ光を出射するように配置される。
青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とｎ電極３５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０におけるリッジ部Ｒｉの下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）３１から波長約４００ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｎ電極１３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）１１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｎ電極２３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）２１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
図２（ａ）は、図１の半導体レーザ装置１００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図２（ｂ）は、図１の半導体レーザ装置１００を台座上に組み立てた際の上面図である。
図１の半導体レーザ装置１００を光ピックアップ装置に用いる場合、図２（ａ）に示すように、半導体レーザ装置１００をＣｕ、ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなる導電性の台座５００上に取り付ける。そして、ワイヤ３Ｗ，１Ｗａ，１Ｗｂ，２Ｗａ，２Ｗｂを用いてｐ電極３２，１２ａ，２２ａおよびｎ電極１３，２３の配線を行う。
なお、この場合において、ｎ電極３５は、台座５００の上面に接合される。これにより、ｎ電極３５と台座５００とが電気的に接続される。
赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３がワイヤ１Ｗｂにより台座５００の上面に電気的に接続される。赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３がワイヤ２Ｗｂにより台座５００に電気的に接続される。
これにより、台座５００が青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の共通のｎ電極となり、カソードコモンの結線を実現することができる。
半導体レーザ装置１００が取り付けられた台座５００は、導電性のステム５０１に設けられている。
ステム５０１には、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐが設けられている。なお、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短い。
第１の端子１Ｐは、絶縁リング１Ｉによりステム５０１から絶縁され、第２の端子２Ｐは、絶縁リング２Ｉによりステム５０１から絶縁され、第３の端子３Ｐは、絶縁リング３Ｉによりステム５０１から絶縁されている。なお、第４の端子４Ｐは、台座５００内に設けられ、台座５００に電気的に導通している。
第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐは、Ｙ方向に沿って配置され、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、Ｙ方向に交差するＺ方向に沿って配置されている。また、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐは、Ｘ方向に沿って一方側から他方側に延びている。
赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置される。
第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３の主たるレーザ光を出射する端面の出射側と反対側の端面に重ならないように設定される。
ここで、主たるレーザ光を出射する端面とは、反対側の端面に比べて出射光の光量が多い方の端面（以下、出射側端面と呼ぶ）をいう。
ここで、ｐ型パッド電極１２ａ、ｐ型パッド電極２２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐとの位置関係について説明する。
ｐ型パッド電極１２ａがｐ型パッド電極２２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第１の端子１Ｐに近く、ｐ型パッド電極２２ａがｐ型パッド電極１２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第２の端子２Ｐに近く、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２がＹ方向においてｐ型パッド電極１２ａとｐ型パッド電極２２ａとの間に位置するように、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３がそれぞれ配置されている。
これにより、図２（ｂ）に示すように、第１の端子１Ｐとｐ型パッド電極１２ａとがワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第２の端子２Ｐとｐ型パッド電極２２ａとがワイヤ２Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第３の端子３Ｐと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とがワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続される。
また、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂ，２Ｗｂのそれぞれが交差しない。
上記のように、本実施の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。
このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。
その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。
また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａとの接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａとの接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。
また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。
さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとの接続位置は、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとの接続位置および赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第２の端子２Ｐとの接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側と反対側に設定されることが好ましい。それにより、ワイヤ３Ｗを短くすることができ、ワイヤ３Ｗのインダクタンス成分が小さくなるので、青紫色半導体レーザ素子３を高速で駆動することが可能となる。
なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図２（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。
さらに、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。
（第２の参考の形態）
図３は、第２の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。図４（ａ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。
本参考の形態に係る半導体レーザ装置２００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は以下の点である。
図３に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置２００においては、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２が、Ｙ方向において第２の端子２Ｐ側の赤外半導体レーザ素子２の側面よりも第２の端子２Ｐに近い位置まで延びている。
また、ｐ電極３２上に絶縁膜４ｂを介してｐ型パッド電極２２ａが形成され、このｐ型パッド電極２２ａ上にはんだ膜Ｈを介して赤外半導体レーザ素子２が形成される。
さらに、図４（ａ），（ｂ）に示すように、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。
上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。
このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。
その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。
また、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２は、Ｙ方向において第２の端子２Ｐ側の赤外半導体レーザ素子２の側面よりも第２の端子２Ｐに近い位置まで延びていることにより、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとを接続するワイヤ３Ｗの長さを短くすることができる。それにより、ワイヤ３Ｗのインダクタンス成分が小さくなるので、青紫色半導体レーザ素子３を高速で駆動することが可能となる。
また、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとをワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続することができ、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができ、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとをワイヤ２Ｗａにより単純かつ容易に接続することができる。
さらに、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとの接続位置は、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとの接続位置および青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとの接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側と反対側に設定されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。
なお、赤色半導体レーザ素子１と、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３との設けられる位置が第３の端子３Ｐの長手方向を中心として左右対称に設定されてもよい。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。
さらに、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。
上記第１の実施の形態および第２の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗｂが第５のワイヤに相当する。加えて、上記第１の実施の形態および第２の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗｂ，２Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。
また、上記第１の実施の形態および第２の参考の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。
さらに、上記第１の実施の形態および第２の参考の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａが第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ型パッド電極２２ａが第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。
（第３の参考の形態）
図５は、第３の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
図５に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置３００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、赤外半導体レーザ素子２、はんだ膜Ｈ（ただし、赤色半導体レーザ素子１のはんだ膜Ｈを除く）およびｐ型パッド電極２２ａが設けられていない点である。
図６（ａ）は、図５の半導体レーザ装置３００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、図５の半導体レーザ装置３００を台座上に組み立てた際の上面図である。
図６（ａ），（ｂ）に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置３００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。
ステム５０１にフォトダイオード５０が電気的に接続される。このフォトダイオード５０と第３の端子３Ｐとがワイヤ４Ｗにより接続される。また、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。
ここで、ｐ型パッド電極１２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐとの位置関係について説明する。
ｐ型パッド電極１２ａが青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第１の端子１Ｐに近く、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２がｐ型パッド電極１２ａよりも第２の端子２Ｐに近くなるように、赤色半導体レーザ素子１および青紫色半導体レーザ素子３がそれぞれ配置されている。
これにより、第１の端子１Ｐとｐ型パッド電極１２ａとがワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第２の端子２Ｐと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とがワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続される。
また、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂ，４Ｗのそれぞれが交差しない。
上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子３および赤色半導体レーザ素子１をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａとの接続位置およびワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置が、Ｙ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。
なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図６（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。
また、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。
さらに、赤色半導体レーザ素子１の代わりに赤外半導体レーザ素子を設けてもよい。
上記第３の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第２のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当し、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第２の半導体レーザ素子に相当する。
また、上記第３の参考の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａが第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。
（第４の参考の形態）
図７は、第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。
図７に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、以下の点である。
リッジ部Ｒｉの上面およびリッジ部Ｒｉの両側に形成された各絶縁膜４を覆うようにｐ電極３２が形成される。したがって、本参考の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａ，２２ａは設けられていない。
そして、このｐ電極３２上の両側にそれぞれはんだ膜Ｈを介して赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２が形成されている。
このように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００においては、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２および青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２が電気的に接続されている。青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５の端部は、青紫色半導体レーザ素子３の外側に突出するように形成される。
図８（ａ）は、図７の半導体レーザ装置４００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図８（ｂ）は、図７の半導体レーザ装置４００を台座上に組み立てた際の上面図である。
図８（ａ），（ｂ）に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。
青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と台座５００との間に絶縁性サブマウント６０が設けられている。それにより、ｎ電極３５と台座５００とが絶縁性サブマウント６０によって絶縁される。
また、赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３と第１の端子１Ｐとがワイヤ１Ｗａにより接続され、赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３と第２の端子２Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と第３の端子３Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。
さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と台座５００とがワイヤ１Ｗｂにより接続される。ここで、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。
上記の構成により、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂのそれぞれが交差しない。
上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。
このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。
その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。
また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３との接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３との接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。
また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。
なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図８（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。
上記第４の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当する。
また、上記第４の参考の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。
さらに、上記第４の参考の形態においては、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極１２が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｐ電極２２が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。
（第５の参考の形態）
図９は、第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図である。
本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、以下の点である。
図９に示すように、青紫色半導体レーザ素子３は下面側にストライプ状のリッジ部Ｒｉを有する。このリッジ部Ｒｉの両側には絶縁膜４が形成され、リッジ部Ｒｉの下面を覆うようにｐ電極３２が形成され、上面にはｎ電極３５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。
赤色半導体レーザ素子１の下面にはｎ電極１３が形成され、上面にはｐ電極１２が形成されている。赤色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。
赤外半導体レーザ素子２の下面にはｎ電極２３が形成され、上面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。
赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がそれぞれはんだ膜Ｈを介して青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５上に形成される。
このように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０においては、赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３、赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３および青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５が電気的に接続されている。
本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。
青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と台座５００との間に絶縁性サブマウント６０が設けられている。それにより、ｐ電極３２と台座５００とが絶縁性サブマウント６０によって絶縁される。
また、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２と第１の端子１Ｐとがワイヤ１Ｗａにより接続され、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２と第２の端子２Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。
さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と台座５００とがワイヤ１Ｗｂにより接続される。ここで、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。
上記の構成により、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂのそれぞれが交差しない。
上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。
このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。
その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。
また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２との接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２との接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。
また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。
なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図９に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。
また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。
上記第５の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当する。
また、上記第５の参考の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。
さらに、上記第５の参考の形態においては、ｐ電極１２が第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極２２が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。
本発明は、光学式記録媒体駆動装置その他の光学装置の光源または表示装置等に利用することができる。
第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 （ａ）は、図１の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図１の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。 第２の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 （ａ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。 第３の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 （ａ）は、図５の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図５の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。 第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 （ａ）は、図７の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図７の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。 第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図である。
１ 赤色半導体レーザ素子
１Ｐ 第１の端子
１Ｗａ，１Ｗｂ，２Ｗａ，２Ｗｂ，３Ｗ，４Ｗ ワイヤ
２ 赤外半導体レーザ素子
２Ｐ 第２の端子
３ 青紫色半導体レーザ素子
３Ｐ 第３の端子
４Ｐ 第４の端子
１１ 赤色発光点
１２，２２，３２ ｐ電極
１２ａ，２２ａ ｐ型パッド電極
１３，２３，３５ ｎ電極
２１ 赤外発光点
３１ 青紫色発光点
５０ フォトダイオード
６０ 絶縁性サブマウント
１００，２００，３００，４００，５５０ 半導体レーザ装置
５００ 台座
５０１ ステム

Claims (9)

  1. 導電性の筐体と、
    前記筐体に設けられた導電性の台座と、
    前記筐体に設けられかつ前記筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、
    前記筐体に設けられかつ前記台座に電気的に接続された第４の端子と、
    前記台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、
    前記第１の端子および前記第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、
    前記第３の端子および前記第４の端子は、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、
    前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極が前記第２および第３の半導体レーザ素子の前記一方電極よりも前記第１の端子に近く、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極が前記第１および第３の半導体レーザ素子の前記一方電極よりも前記第２の端子に近く、前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極の少なくとも一部が前記第１の方向において前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極と前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極との間に位置するように配置され、
    前記第１の端子と前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極とが第１のワイヤにより接続され、前記第２の端子と前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極とが第２のワイヤにより接続され、
    前記第１の半導体レーザ素子および前記第２の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体レーザ素子上に互いに間隔を空けてそれぞれ配置され、
    前記第３の端子と前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極とが、前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子の間を通る第３のワイヤにより接続され、
    前記第３の半導体レーザ素子は、前記台座に電気的に接続された他方電極をさらに有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 前記第３の半導体レーザ素子の上面には、前記第３の半導体レーザ素子の発光点上の領域を除いて、前記発光点上の領域の両側に絶縁膜が形成され、
    前記発光点上の領域に、前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極が形成され、
    前記発光点上の領域の一方側の絶縁膜上に、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極が形成され、
    前記発光点上の領域の他方側の絶縁膜上に、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体レーザ素子の一方電極側に形成されたリッジ部を有し、
    前記リッジ部の下方に前記発光点を有し、
    前記リッジ部は、前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子との間に設けられたことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記第１のワイヤと前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極との第１の接続位置、前記第３のワイヤと前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極との第３の接続位置および前記第２のワイヤと前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極との第２の接続位置が前記第１の方向において前記第１の端子側から前記第２の端子側に順に配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記第３の接続位置は、前記第１および第２の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記第１、第２および第３の端子は、前記第１の方向および前記第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、
    前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、前記第３の方向に沿って前記他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、
    前記第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、
    前記第１の接続位置よりも前記第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、前記第１の半導体レーザ素子の前記他方電極が第４のワイヤにより前記台座に電気的に接続されたことを特徴とする請求項４または５記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記第２の接続位置よりも前記第２の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、前記第２の半導体レーザ素子の前記他方電極が第５のワイヤにより前記台座に電気的に接続されたことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
  8. 前記第３の半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  9. 前記第３の端子の長さは、前記第１および第２の端子の長さよりも短く、
    前記第１、第２および第３の端子は、前記第１の方向および前記第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、
    前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、前記第３の方向に沿って前記他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、
    前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、前記第１の方向において前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、
    前記第３の端子の長さは、前記第３の方向において前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側の端面に重ならないように設定されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
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