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CN1677781A - 半导体激光装置 - Google Patents

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CN1677781A
CN1677781A CNA2005100539431A CN200510053943A CN1677781A CN 1677781 A CN1677781 A CN 1677781A CN A2005100539431 A CNA2005100539431 A CN A2005100539431A CN 200510053943 A CN200510053943 A CN 200510053943A CN 1677781 A CN1677781 A CN 1677781A
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Abstract

红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及半导体激光装置。
背景技术
近年来随着个人计算机和多媒体仪器的高性能化，作为处理对象的信息量显著增加。随着信息量的增加，正在进行开发应对大容量化和信息处理的高速化的光学记录媒体及其驱动装置。
特别是对于光学记录媒体，在可以读写的CD-R(可写光盘)驱动器、MO(磁光)驱动器、DVD(数字多功能光盘)驱动器等的光学记录媒体驱动装置中，使用半导体激光装置。
例如在特开2001-230502号公报中公开的发光装置中，在支撑半导体激光元件的支撑体上设置具有导电性的多个管脚。这些多个管脚通过导线被分别连接在各半导体激光元件的n侧电极和p侧电极上。这样，在各半导体激光元件的n侧电极和p侧电极之间施加电压时，在各半导体激光元件内形成的活性层中流入电流，通过空穴和电子的再结合进行发光。
可是在上述发光装置中，由于射出红色光的红色半导体激光元件的n侧电极和射出红外光的红外半导体激光元件的n侧电极为共同的，红色半导体激光元件的p侧电极和射出蓝紫色光的蓝紫色半导体激光元件的n侧电极为共用的，所以难以在红色半导体激光元件、红外半导体激光元件和蓝紫色半导体激光元件的各个电极独立地任意施加电压。
发明内容
本发明的目的是提供具有多个半导体激光元件，而且可以单独在多个半导体激光元件的电极上施加电压的半导体激光装置。
按本发明的一个方面的半导体激光装置具有导电性的框体、设在框体上的导电性底座、设在框体上而且与框体绝缘的第一、第二和第三端子、设在框体上而且与底座进行电连接的第四端子、设在底座上而且分别有一个电极的第一、第二和第三的半导体激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿与第一方向交叉的第二方向配置，第一、第二和第三半导体激光元件中第一半导体激光元件的一个电极比第二和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第一端子，第二半导体激光元件的一个电极比第一和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第二端子，第三半导体激光元件的一个电极的至少一部分在第一方向上配置成位于第一半导体激光元件的一个电极和第二半导体激光元件的一个电极之间，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第三端子和第三半导体激光元件的一个电极用第三导线连接，第三半导体激光元件还具有与底座进行电连接的另一电极。
在此半导体激光装置中，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第三端子和第三半导体激光元件的一个电极用第三导线连接，由此可以使第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件分别独立驱动。
此外由于第一半导体激光元件的一个电极位于比第二和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第一端子附近，所以可以简单而且容易地把第一半导体激光元件的一个电极和第一端子用第一导线连接。由于第二半导体激光元件的一个电极位于比第一和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第二端子附近，所以可以简单而且容易地把第二半导体激光元件的一个电极和第二端子用第二导线连接。由于第三半导体激光元件的一个电极至少一部分在第一方向上位于第一半导体激光元件的一个电极和第二半导体激光元件的一个电极之间，所以可以简单而且容易地把第三半导体激光元件的一个电极和第三端子用第三导线连接。
优选把第一半导体激光元件和第二半导体激光元件设置在第三半导体激光元件上。这种情况下，可以使第一、第二和第三半导体激光元件的各个激光间隔变窄。
第三半导体激光元件具有在第三半导体激光元件的一个电极侧形成的隆起部分和在隆起部分侧面形成的绝缘膜，隆起部分也可以设置在第一半导体激光元件和第二半导体激光元件之间。这种情况下，可以简单而且容易地把第三半导体激光元件的一个电极和第三端子用第三导线连接。
优选第一导线和第一半导体激光元件的一个电极的第一连接位置、第三导线和第三半导体激光元件的一个电极的第三连接位置、和第二导线和第二半导体激光元件的一个电极的第二连接位置在第一方向上从第一端子一侧到第二端子一侧顺序配置。这样可以防止第一、第二和第三导线的交叉。
第三连接位置也可以被设定在比第一和第二连接位置中的至少一个连接位置更靠向与第一、第二和第三半导体激光元件射出激光一侧相反的一侧。这样，由于第三导线的电感成分变小，所以可以高速驱动第三半导体激光元件。
第一、第二和第三端子沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一侧射出主要激光，第一和第二半导体激光元件分别还有另一电极，在比第一连接位置更靠向第一半导体激光元件射出激光一侧的位置上，第一半导体激光元件的另一电极可以用第四导线与底座进行电连接。这种情况下，可以用第四导线把第一半导体激光元件的另一电极和第三半导体激光元件的另一电极共同连接在底座上。
在比第二连接位置更靠向第二半导体激光元件射出激光一侧的位置上，第二半导体激光元件的另一电极可以用第五导线与底座进行电连接。这种情况下，可以用第五导线把第二半导体激光元件的另一电极和第三半导体激光元件的另一电极共同连接在底座上。
按本发明的另一个方面的半导体激光装置具有导电性的框体、设在框体上的导电性底座、设在框体上而且与框体绝缘的第一、第二和第三端子、设在框体上而且与底座进行电连接的第四端子、设在底座上而且分别有一个电极的第一、第二和第三的半导体激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿与第一方向交叉的第二方向配置，第一、第二和第三半导体激光元件中，第一半导体激光元件的一个电极比第二和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第一端子，第二半导体激光元件的一个电极比第一和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第二端子，在第三半导体激光元件的一个电极和底座之间还设有副底座，在副底座上以从第三半导体激光元件突出的方式形成第三半导体激光元件的一个电极，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第三端子和第三半导体激光元件的一个电极在副底座上用第三导线连接，第三半导体激光元件还具有与底座进行电连接的另一电极。
在此半导体激光装置中，通过第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第三端子和第三半导体激光元件的一个电极用第三导线连接，第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件分别可以单独驱动。
此外由于第一半导体激光元件的一个电极比第二和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第一端子，所以可以用第一导线简单而且容易地连接第一半导体激光元件的一个电极和第一端子。由于第二半导体激光元件的一个电极比第一和第三半导体激光元件的一个电极更靠近第二端子，所以可以用第二导线简单而且容易地连接第二半导体激光元件的一个电极和第二端了。由于第三半导体激光元件的一个电极在副底座上以从第三半导体激光元件突出的方式形成，所以可以在副底座上用第三导线简单而且容易地连接第三半导体激光元件的一个电极和第三端子。
优选至少一部分第三半导体激光元件的一个电极比第一和第二半导体激光元件的一个电极更靠近第三端子。这样可以用第三导线简单而且容易地连接第三半导体激光元件的一个电极和第三端子。
第一半导体激光元件和第二半导体激光元件优选设在第三半导体激光元件上。这种情况下，可以分别使第一、第二和第三半导体激光元件的各个激光间隔变窄。
优选第一导线和第一半导体激光元件的一个电极的第一连接位置、第三导线和第三半导体激光元件的一个电极的第三连接位置、和第二导线和第二半导体激光元件的一个电极的第二连接位置在第一方向上从第一端子一侧到第二端子一侧顺序配置。这样可以防止第一、第二和第三导线的交叉。
第三连接位置被设定在比第一和第二连接位置中的至少一个连接位置更靠向与第一、第二和第三半导体激光元件射出激光一侧相反的一侧。这样由于第三导线的电感成分变小，所以可以高速驱动第三半导体激光元件。
第一、第二和第三端子沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一侧射出主要激光，第一和第二半导体激光元件分别还有另一电极，第一、第二和第三半导体激光元件的另一电极相互进行电连接，在比第一连接位置更靠向第一半导体激光元件射出激光一侧的位置上，第三半导体激光元件的另一电极可以用第四导线与底座进行电连接。
这种情况下，由于第一、第二和第三半导体激光元件的另一电极相互进行电连接，所以可以用第四导线把第一、第二和第三半导体激光元件的另一电极共同连接在底座上。
按本发明的另一个方面的半导体激光装置具有导电性的框体、设在框体上的导电性底座、设在框体上而且与框体绝缘的第一、第二和第三端子、设在框体上而且与底座进行电连接的第四端子、设在底座上而且分别有一个电极的第一、第二和第三的半导体激光元件，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第三端子和第四端子沿与第一方向交叉的第二方向配置，第一半导体激光元件发光部分、第三半导体激光元件发光部分和第二半导体激光元件发光部分在第一方向上从第一端子一侧到第二端子一侧顺序配置，第三半导体激光元件的一个电极在第一方向上延伸到比第二端子一侧的第二半导体激光侧面更靠近第二端子的位置，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第三半导体激光元件的一个电极用第三导线连接，第三端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第三半导体激光元件射出波长比第一和第二半导体激光元件短的激光，同时还具有与底座进行电连接的另一电极。
在此半导体激光装置中，射出波长比第一和第二半导体激光元件短的激光的第三半导体激光元件发光部分被设置在第一方向上的第一半导体激光元件发光部分和第二半导体激光元件发光部分之间，由此，第三半导体激光元件位于框体的中央部位。这样例如用透镜聚光激光的情况下，可以提高第三半导体激光元件发光部分产生的光的利用效率。
此外第三半导体激光元件的一个电极在第一方向上延伸到比第二端子一侧的第二半导体激光侧面更靠近第二端子的位置，由此，可以缩短对射出波长比第一和第二半导体激光元件短的激光的第三半导体激光元件的一个电极和第二端子连接的第三导线长度。这样由于第三导线的电感成分变小，所以可以高速驱动第三半导体激光元件。
此外可以简单而且容易地把第一半导体激光元件的一个电极和第一端子用第一导线连接，可以简单而且容易地把第三半导体激光元件的一个电极和第二端子用第三导线连接，可以简单而且容易地把第二半导体激光元件的一个电极和第三端子用第二导线连接。
第一、第二和第三端子沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一侧射出主要激光，第一和第一半导体激光元件分别还有另一电极，在比第一导线和第一半导体激光元件的一个电极的第一连接位置更靠向第一半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，第一半导体激光元件的另一电极可以用第四导线与底座进行电连接。
这种情况下，可以用第四导线把第一半导体激光元件的另一电极和第三半导体激光元件的另一电极共同连接在底座上。
在比第二导线和第二半导体激光元件的另一电极的第二连接位置更靠向第二半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，第二半导体激光元件的另一电极可以用第五导线与底座进行电连接。
这种情况下，可以用第五导线把第二半导体激光元件的另一电极和第三半导体激光元件的另一电极共同连接在底座上。
第二连接位置也可以被设定成比第一连接位置和第三导线和第三半导体激光元件的一个电极的第三连接位置中的至少一个连接位置更靠向与第一、第二和第三半导体激光元件的射出激光一侧相反的一侧。这样由于第三导线的电感成分变小，所以可以高速驱动第三半导体激光元件。
优选在第二方向上看第一、第二和第三半导体激光元件的情况下，第一、第二、第三和第四导线分别不交叉。这样电极、端子和底座的配线简单而且容易。
第三半导体激光元件可以含有由氮化物构成的活性层。这种情况下，可以从第三半导体激光元件的活性层射出蓝紫色光。
第三端子的长度比第一和第二端子的长度短，第一、第二和第三端子沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向，从一方一侧延伸到另一方一侧，第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一方一侧射出主要激光，第一、第二和第三半导体激光元件在第一方向配置在第一端子和第二端子之间，第三端子的长度可以被设置成在第三方向与第一、第二和第三半导体激光元件的射出激光一侧相反一侧的端面不重合。这样可以容易地把第一、第二和第三半导体激光元件容易地安装在底座上，而不影响第三端子。
按本发明的另一个方面的半导体激光装置具有导电性的框体、设在框体上的导电性底座、设在框体上而且与框体绝缘的第一、第二端子、设在底座上而且分别有一个电极和另一电极的第一和第二半导体激光元件，第一半导体激光元件被设置在第二半导体激光元件上，第一端子和第二端子沿第一方向配置，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，第一和第二半导体激光元件中的至少一方的另一电极用底座一侧的导线与底座一侧进行电连接。
在此半导体激光装置中，第一端子和第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，第二端子和第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，由此，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件分别可以单独驱动。
优选第一半导体激光元件被设置在第二半导体激光元件上，比第二端子更靠近第一端子的位置。这种情况下，可以简单而且容易第连接第一半导体激光元件的一个电极和第一端子，同时可以防止第一导线和第二导线相互交叉。
第二半导体激光元件可以含有由氮化物构成的活性层。这种情况下，可以从第二半导体激光元件的活性层射出蓝紫色光。
在比第一导线和第一半导体激光元件的一个电极的第一连接位置或第二导线和第二半导体激光元件的一个电极的第二连接位置更靠向第一半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，第一和第二半导体激光元件中的至少一个的另一电极可以用底座一侧的导线与底座进行电连接。这种情况下，可以防止底座一侧的导线分别与第一导线和第二导线交叉。
采用第一～第三发明的话，第一半导体激光元件、第二半导体激光元件、第三半导体激光元件分别可以单独驱动，同时可以简单而且容易地用导线连接第一～第三半导体激光元件的各一个电极和各端子。
此外采用第四发明的话，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件分别可以单独驱动，同时可以简单而且容易地用导线连接第一和第二半导体激光元件的各一个电极和各端子。
附图说明
图1为示意性表示第一实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
图2(a)为示意表示把图1的半导体激光装置组装到底座上时的截面图。
图2(b)为把图1的半导体激光装置组装到底座上时的俯视图。
图3为示意性表示第二实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
图4(a)为示意表示把图3的半导体激光装置组装到底座上时的截面图。
图4(b)为把图3的半导体激光装置组装到底座上时的俯视图。
图5为示意性表示第三实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
图6(a)为示意表示把图5的半导体激光装置组装到底座上时的截面图。
图6(b)为把图5的半导体激光装置组装到底座上时的俯视图。
图7为示意性表示第四实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
图8(a)为示意性表示把图7的半导体激光装置组装到底座上时的截面图。
图8(b)为把图7的半导体激光装置组装到底座上时的俯视图。
图9为示意性表示第五实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
具体实施方式
下面参照附图对本实施方式的半导体激光装置进行说明。
(第一实施方式)
图1为示意性表示第一实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
本实施方式的半导体激光装置100具有射出波长约650nm激光的半导体激光元件(下面称为红色半导体激光元件)1、射出波长约780nm激光的半导体激光元件(下面称为红外半导体激光元件)2、和射出波长约400nm激光的半导体激光元件(下面称为蓝紫色半导体激光元件)3。蓝紫色半导体激光元件3含有由氮化物系半导体构成的活性层(图中没有表示)。
在本实施方式中，利用在GaN基板上形成半导体层制作蓝紫色半导体激光元件3。利用在GaAs基板上形成半导体层制作红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2。
如图1所示，蓝紫色半导体激光元件3在上面一侧具有带条状的隆起部分Ri。在蓝紫色半导体激光元件3的隆起部分Ri两侧形成绝缘膜4，形成p电极32以覆盖隆起部分Ri的上面，在下面形成n电极35。在蓝紫色半导体激光元件3上形成p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面30。
在红色半导体激光元件1的上面形成n电极13，在下面形成p电极12。在红色半导体激光元件1上形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面10。
在红外半导体激光元件2的上面形成n电极23，在下面形成p电极22。在红外半导体激光元件2上形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面20。
在蓝紫色半导体激光元件3的绝缘膜4上以与p电极32分开的方式形成衬垫电极(pad electrode)12a、22a。
在p型衬垫电极12a、22a的上面分别形成焊锡膜H。红色半导体激光元件1的p电极12通过焊锡膜H接合在p型衬垫电极12a上。此外，红外半导体激光元件2的p电极22通过焊锡膜H接合在p型衬垫电极22a上。
这样，红色半导体激光元件1的p电极12与p型衬垫电极12a进行电连接，红外半导体激光元件2的p电极22与p型衬垫电极22a进行电连接。
在图1中，把箭头X、Y、Z所示的相互垂直的3个方向定为X方向、Y方向、Z方向。X方向和Y方向为平行于蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的pn接合面30、10、20的方向。Z方向为垂直于蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的pn接合面30、10、20的方向。
红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3配置成沿X方向向一方侧射出主要激光。
通过在蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和n电极35之间施加电压，从pn接合面30上的隆起部分Ri的下方区域(下面称为蓝紫色发光点)31在X方向上射出波长约400nm的激光。
通过在红色半导体激光元件1的p电极12和n电极13之间施加电压，从pn接合面10上的预定区域(下面称为红色发光点)11在X方向上射出波长约650nm的激光。
通过在红外半导体激光元件2的p电极22和n电极23之间施加电压，从pn接合面20上的预定区域(下面称为红外发光点)21在X方向上射出波长约780nm的激光。
图2(a)为示意表示把图1的半导体激光装置100组装到底座上时的截面图，图2(b)为把图1的半导体激光装置100组装到底座上时的俯视图。
在把图1的半导体激光装置100用于光拾取器的情况下，如图2(a)所示，把半导体激光装置100装在由Cu、CuW或Al等的金属构成的导电性底座500上。然后用导线3W、1Wa、1Wb、2Wa、2Wb进行p电极32、12a、22a和n电极13、23的配线。
在这种情况下，n电极35被接合在底座500的上面。这样n电极35和底座500进行电的连接。
红色半导体激光元件1的n电极13用导线1Wb与底座500的上面进行电的连接。红外半导体激光元件2的n电极23用导线2Wb与底座500进行电的连接。
这样底座500为蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的共用的n电极，可以实现共用阴极的连线。
安装有半导体激光装置100的底座500被设置在导电性的管座501上。
在管座501上设置第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P。此外第三端子3P的长度比第一端子1P和第二端了2P的长度短。
第一端子1P用绝缘环1I与管座501绝缘，第二端子2P用绝缘环2I与管座501绝缘，第三端子3P用绝缘环3I与管座501绝缘。第四端子4P设在底座500内，与底座500实现电导通。
第一端子1P和第二端子2P沿Y方向配置，第三端子3P和第四端子4P沿与Y方向交叉的Z方向配置。此外第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P沿X方向从一方侧延伸到另一方侧。
红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3在Y方向上被配置在第一端子1P和第二端子2P之间。
第三端子3P的长度被设定成在X方向上与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3射出主要激光的端面的射出一侧端面相反一侧的端面不重合。
其中所谓射出主要激光的端面是指与相反一侧的端面相比，射出光光量多的一方的端面(下面称为射出一侧端面)。
对p型衬垫电极12a、p型衬垫电极22a和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32、第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P的位置关系进行说明。
p型衬垫电极12a比p型衬垫电极22a和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32更靠近第一端子1P，p型衬垫电极22a比p型衬垫电极12a和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32更靠近第二端子2P，以蓝紫色半导体激光元件3的p电极32在Y方向上位于p型衬垫电极12a和p型衬垫电极22a之间的方式，分别配置红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3。
如图2(b)所示，这样可以简单而且容易地用导线1Wa连接第一端子1P和p型衬垫电极12a，可以简单而且容易地用导线2Wa连接第二端子2P和p型衬垫电极22a，可以简单而且容易地用导线3W连接第三端子3P和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32。
此外在Z方向上看红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的情况下，导线1Wa、2Wa、3W、1Wb、2Wb相互不交叉。
如上所述，在本实施方式中通过底座500和导线3W之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件3，通过在底座500和导线1Wa之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件1，通过在底座500和导线2Wa之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件2。
这样蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2可以分别单独驱动。
通过把射出波长比红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2短的激光的蓝紫色半导体激光元件3的蓝紫色发光点31在Y方向上设置在红色半导体激光元件1的发光点11和红外半导体激光元件2的发光点21之间，在用于光拾取器等的光学装置上的情况下，容易把蓝紫色半导体激光元件3定位在透镜中央。
其结果使在透镜周边部位的像差影响减小，而且可以提高蓝紫色半导体激光元件3的光的利用效率。
此外优选导线1Wa和红色半导体激光元件1的p型衬垫电极12a的连接位置、导线3W和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32的连接位置和导线2Wa和红外半导体激光元件2的p型衬垫电极22a的连接位置在Y方向上配置成从第一端子1P到第二端子2P顺序排列。这样可以防止导线1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的长度比第一端子1P和第二端子2P的长度短，红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之间。第三端子3p的长度被设置成在X方向与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的射出激光一侧端面相反一侧的端面不重合，由此可以简单而且容易地连接蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第三端子3P。
进而，蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第三端子3P的连接位置优选被设定成比红色半导体激光元件1的p电极12a和第一端子1P的连接位置以及红外半导体激光元件2的p电极22a和第二端子2P的连接位置中的至少一个位置更靠向与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3射出激光一侧相反一侧。这样可以使导线3W变短，由于导线3W的电感成分变小，所以可以高速驱动蓝紫色半导体激光元件3。
再有如图2(a)所示，第一端子1P、第二端了2P、第三端子3P和第四端子4P优选在管座501上设置成大体成同心园形状。这样可以防止连接各半导体激光元件和各端子的各导线交叉。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的设置位置也可以相反。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2也可以具有集成(モノシリツク)结构。
在蓝紫色半导体激光元件3和底座500之间也可以设置由碳化硅或氮化铝构成的副底座。这种情况下，可以实现蓝紫色半导体激光元件3的散热。
(第二实施方式)
图3为示意表示第二实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。图4(a)为示意表示把图3的半导体激光装置组装到底座上时的截面图，图4(b)为把图3的半导体激光装置组装到底座上时的俯视图。
本实施方式的半导体激光装置200与第一实施方式的半导体激光装置100的不同点如下。
如图3所示，在本实施方式的半导体激光装置200中，蓝紫色半导体激光元件3的p电极32在Y方向上延伸到比第二端子2P一侧的红外半导体激光元件2侧面更靠近第二端子2P的位置。
在p电极32上通过绝缘膜4b形成p型衬垫电极22a，在此p型衬垫电极22a通过焊锡膜H形成红外半导体激光元件2。
此外如图4(a)、(b)所示，红外半导体激光元件2的p型衬垫电极22a和第三端子3P用导线2Wa连接，蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第二端子2P用导线3W连接。
如上所述，在本实施方式中，通过在底座500和导线3W之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件3，通过在底座500和导线1Wa之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件1，通过在底座500和导线2Wa之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件2。
这样可以分别独立驱动蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2。
此外把射出波长比红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2短的激光的蓝紫色半导体激光元件3的蓝紫色发光点31设置在Y方向上红色半导体激光元件1的发光点11和红外半导体激光元件2的发光点21之间，在用于光拾取器等的光学装置上的情况下，容易把蓝紫色半导体激光元件3确定在位于透镜中央。
其结果使在透镜周边部位的像差影响减小，而且可以提高蓝紫色半导体激光元件3的光的利用效率。
通过蓝紫色半导体激光元件3的p电极32在Y方向上延伸到比第二端子2P一侧的红外半导体激光元件2侧面更靠近第二端子2P的位置，可以缩短连接蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第二端子2P的导线3W的长度，该蓝紫色半导体激光元件射出波长比红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2短的激光。这样，由于导线3W的电感成分变小，所以可以高速驱动蓝紫色半导体激光元件3。
此外可以简单而且容易地把红色半导体激光元件1的p型衬垫电极12a和第一端子1P用导线1Wa连接，可以简单而且容易地把蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第二端子2P用导线3W连接，可以简单而且容易地把红外半导体激光元件2的p型衬垫电极22a和第三端子3P用导线2Wa连接。
红外半导体激光元件2的p衬垫电极22a和第三端子3P的连接位置优选设定成比红色半导体激光元件1的p型电极12a和第一端子1P的连接位置以及蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第二端子2P的连接位置中的至少一个连接位置更靠近与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3射出激光一侧相反一侧。这样可以防止导线1Wa、2Wa、3W交叉。
也可以把红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的设置位置设定成以第三端子3P的长度方向为中心左右对称。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2也可以具有集成结构。
在蓝紫色半导体激光元件3和底座500之间也可以设置由碳化硅或氮化铝构成的副底座。这种情况下，可以实现蓝紫色半导体激光元件3的散热。
在上述的第一和第二实施方式中，导线1Wa相当于第一导线，导线2Wa相当于第二导线，导线3W相当于第三导线，导线1Wb相当于第四导线，导线2Wb相当于第五导线。再加上在上述第一和第二实施方式中，导线1Wb、2Wb相当于底座一侧的导线。
此外在上述的第一和第二实施方式中，Y方向相当于第一方向，Z方向相当于第二方向，X方向相当于第三方向，管座501相当于框体，红色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，红外半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件。
此外在上述的第一和第二实施方式中，p型衬垫电极12a相当于第一半导体激光元件的一个电极，p型衬垫电极22a相当于第二半导体激光元件的一个电极，p电极32相当于第三半导体激光元件的一个电极，n电极13相当于第一半导体激光元件的另一电极，n电极23相当于第二半导体激光元件的另一电极，n电极35相当于第三半导体激光元件的另一电极。
(第三实施方式)
图5为示意表示第三实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
如图5所示，本实施方式的半导体激光装置300与第一实施方式的半导体激光装置100的不同点是不设置红外半导体激光元件2、焊锡膜H(但是除红色半导体激光元件1的焊锡膜以外)和p型衬垫电极22a。
图6(a)为示意表示把图5的半导体激光装置300组装到底座上时的截面图，图6(b)为把图5的半导体激光装置300组装到底座上时的俯视图。
图6(a)、(b)所示，把本实施方式的半导体激光装置300组装到底座500上制作的光拾取器装置与把第一实施方式的半导体激光装置100组装到底座500上制作的光拾取器装置的不同点如下。
在管座501上与光电二极管50进行电连接。此光电二极管50和第三端子3P用导线4W连接。此外蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第二端子2P用导线3W连接。
在此对p型衬垫电极12a和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32、第一端子1P、第二端子2P和第三端子3P的位置关系进行说明。
以p型衬垫电极12a比蓝紫色半导体激光元件3的p电极32更靠近第一端子1P、蓝紫色半导体激光元件3的p电极32比p型衬垫电极12a更靠近第二端子2P的方式，分别配置红色半导体激光元件1和蓝紫色半导体激光元件3。
这样，第一端子1P和p型衬垫电极12a用1Wa可以简单而且容易地进行连接，第二端子2P和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32用3W可以简单而且容易地进行连接。
这样在Z方向上看红色半导体激光元件1和蓝紫色半导体激光元件3的情况下，导线1Wa、3W、1Wb、4W各自相互不交叉。
如上所述，在本实施方式中通过在底座500和导线3W之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件3，通过在底座500和导线1Wa之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件1。这样可以分别单独驱动蓝紫色半导体激光元件3和红色半导体激光元件1。
此外导线1Wa和红色半导体激光元件1的p型衬垫电极12a的连接位置以及导线3W和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32的连接位置优选配置成在Y方向上从第一端子1P一侧到第二端子2P一侧顺序排列。这样可以防止导线1Wa、3W交叉。
如图6所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P优选在管座501上被设置成大体成同心园形。这样可以防止连接各半导体激光元件和各端子的各导线交叉。
在蓝紫色半导体激光元件3和底座500之间也可以设置由碳化硅或氮化铝构成的副底座。这种情况下，可以实现蓝紫色半导体激光元件3的散热。
也可以设置红外半导体激光元件来替代红色半导体激光元件1。
在上述第三实施方式中，导线1Wa相当于第一导线，导线3W相当于第二导线，导线1Wb相当于底座一侧的导线，Y方向相当于第一方向，Z方向相当于第二方向，X方向相当于第三方向，管座501相当于框体，红色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件3相当于第二半导体激光元件。
此外在上述的第一和第三实施方式中，p型衬垫电极12a相当于第一半导体激光元件的一个电极，p电极32相当于第二半导体激光元件的一个电极，n电极13相当于第一半导体激光元件的另一电极，n电极35相当于第二半导体激光元件的另一电极。
(第四实施方式)
图7为示意表示第四实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
如图7所示，本实施方式的半导体激光装置400与第一实施方式的半导体激光装置100的不同点如下。
形成p电极32，覆盖在隆起部分Ri上面和在隆起部分Ri的两侧形成的各绝缘膜4。因此在本实施方式中不设置p型衬垫电极12a、22a。
然后，在此p电极32上的两侧通过焊锡膜H分别形成红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2。
这样在本实施方式的半导体激光装置400中，红色半导体激光元件1的p电极12、红外半导体激光元件2的p电极22和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32进行电连接。
此外，在上述蓝紫色半导体激光元件3和底座500之间设置副底座60。
其中，在蓝紫色半导体激光元件3的背面电极上和绝缘性副底座60上分别涂敷导电性粘接剂，利用使这些导电性粘接剂相互粘接，把蓝紫色半导体激光元件3和绝缘性副底座60粘接。在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件3的背面的电极和导电性粘接剂成为n电极35。
如上所述，在绝缘性副底座60上粘接n电极35时，以向蓝紫色半导体激光元件3的外侧突出的方式形成n电极35的端部。
图8(a)为示意表示把图7的半导体激光装置400组装到底座上时的截面图，图8(b)为把图7的半导体激光装置400组装到底座上时的俯视图。
如图8(a)、(b)所示，把本实施方式的半导体激光装置400组装到底座500上制作的光拾取器装置与把第一实施方式的半导体激光装置100组装到底座500上制作的光拾取器装置的不同点如下。
如上所述，通过在蓝紫色半导体激光元件3的n电极35和底座500之间设置绝缘的副底座60，n电极35和底座500利用绝缘性副底座60实现绝缘。
此外红色半导体激光元件1的n电极13和第一端子1P用导线1Wa连接，红外半导体激光元件2的n电极23和第二端子2P用导线2Wa连接，蓝紫色半导体激光元件3的n电极35和第三端子3P用导线3W连接。
蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和底座500用导线1Wb连接。其中导线1Wb相当于底座一侧的导线。
采用上述的结构，在Z方向看红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的情况下，导线1Wa、2Wa、3W、1Wb相互不交叉。
如上所述，在本实施方式中，通过在底座500和导线3W之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件3，通过在底座500和导线1Wa之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件1，通过在底座500和导线2Wa之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件2。
这样蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2可以分别单独驱动。
此外通过把射出波长比红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2短的激光的蓝紫色半导体激光元件3的蓝紫色发光点31设置在Y方向上红色半导体激光元件1的发光点11和红外半导体激光元件2的发光点21之间，在用于光拾取器等的光学装置上的情况下，容易把蓝紫色半导体激光元件3确定在位于透镜中央。
其结果使在透镜周边部位的像差影响减小，而且可以提高蓝紫色半导体激光元件3的光的利用效率。
此外导线1Wa和红色半导体激光元件1的n电极13的连接位置、导线3W和蓝紫色半导体激光元件3的n电极35的连接位置和导线2Wa和红外半导体激光元件2的n电极23的连接位置优选在Y方向上配置成从第一端子1P到第二端子2P顺序排列。这样可以防止导线1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的长度比第一端子1P和第二端子2P的长度短，红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之间，第三端子3P的长度被设置成在X方向与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的射出激光一侧端面相反一侧的端面不重合，可以简单而且容易地用导线3W连接蓝紫色半导体激光元件3的n电极35和第三端子3P。
再有如图8(a)所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P优选在管座501上设置成大体成同心园形状。这样可以防止连接各半导体激光元件和各端子的各导线交叉。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的设置位置也可以相反。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2也可以具有集成结构。
在上述第四实施方式中，导线1Wa相当于第一导线，导线2Wa相当于第二导线，导线3W相当于第三导线，导线1Wb相当于第四导线。
在上述第四实施方式中，Y方向相当于第一方向，Z方向相当于第二方向，X方向相当于第三方向，管座501相当于框体，红色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，红外半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件。
此外在上述第四实施方式中，n电极13相当于第一半导体激光元件的一个电极，n电极23相当于第二半导体激光元件的一个电极，n电极35相当于第三半导体激光元件的一个电极，p电极12相当于第一半导体激光元件的另一电极，p电极22相当于第二半导体激光元件的另一电极，p电极32相当于第三半导体激光元件的另一电极。
(第五实施方式)
图9为示意表示第五实施方式的半导体激光装置一个示例的截面图。
本实施方式的半导体激光装置550与第一实施方式的半导体激光装置100的不同点如下。
如图9所示，蓝紫色半导体激光元件3在下面一侧具有带条状的隆起部分Ri。该隆起部分Ri两侧形成绝缘膜4，形成p电极32，覆盖在此隆起部分Ri的下面，在上面形成n电极35。在蓝紫色半导体激光元件3上形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面30。
在红色半导体激光元件1的下面形成n电极13，在上面形成p电极12。在红色半导体激光元件1上形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面10。
在红外半导体激光元件2的下面形成n电极23，在上面形成p电极22。在红外半导体激光元件2上形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面20。
在蓝紫色半导体激光元件3的n电极35上分别通过焊锡膜H形成红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2。
这样在本实施方式的半导体激光装置550中，红色半导体激光元件1的n电极13、红外半导体激光元件2的n电极23和蓝紫色半导体激光元件3的n电极35实现电连接。
把本实施方式的半导体激光装置550组装到底座500上制作的光拾取器装置与把第一实施方式的半导体激光装置100组装到底座500上制作的光拾取器装置的不同点如下。
在蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和底座500之间设置绝缘的副底座60。这样p电极32和底座500利用绝缘性副底座60实现绝缘。
此外红色半导体激光元件1的p电极12和第一端子1P用导线1Wa连接，红外半导体激光元件2的p电极22和第二端子2P用导线2Wa连接，蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第三端了3P用导线3W连接。
蓝紫色半导体激光元件3的n电极35和底座500用导线1Wb连接。其中导线1Wb相当于底座一侧的导线。
采用上述的结构，在Z方向上看红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的情况下，导线1Wa、2Wa、3W、1Wb各自不交叉。
如上所述，在本实施方式中，通过在底座500和导线3W之间施加电压，可以驱动蓝紫色半导体激光元件3，通过在底座500和导线1Wa之间施加电压，可以驱动红色半导体激光元件1，通过在底座500和导线2Wa之间施加电压，可以驱动红外半导体激光元件2。
这样蓝紫色半导体激光元件3、红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2可以分别单独驱动。
此外通过把射出波长比红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2短的激光的蓝紫色半导体激光元件3的蓝紫色发光点31设置在Y方向上红色半导体激光元件1的发光点11和红外半导体激光元件2的发光点21之间，在用于光拾取器等的光学装置上的情况下，容易把蓝紫色半导体激光元件3确定在位于透镜中央。
其结果使在透镜周边部位的像差影响减小，而且可以提高蓝紫色半导体激光元件3的光的利用效率。
此外导线1Wa和红色半导体激光元件1的p电极12的连接位置、导线3W和蓝紫色半导体激光元件3的p电极32的连接位置、以及导线2Wa和红外半导体激光元件2的p电极22的连接位置优选在Y方向上配置成从第一端子1P到第二端子2P顺序排列。这样可以防止导线1Wa、2Wa、3W交叉。
第三端子3P的长度比第一端子1P和第二端子2P的长度短，红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3在Y方向上配置在第一端子1P和第二端子2P之间，第三端子3P的长度被设置成在X方向与红色半导体激光元件1、红外半导体激光元件2和蓝紫色半导体激光元件3的射出激光一侧端面相反一侧的端面不重合，可以简单而且容易地用导线3W连接蓝紫色半导体激光元件3的p电极32和第三端子3P。
如图9所示，第一端子1P、第二端子2P、第三端子3P和第四端子4P优选在管座501上被设置成大体成同心园形。这样可以防止连接各半导体激光元件和各端子的各导线交叉。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2的设置位置也可以相反。
此外红色半导体激光元件1和红外半导体激光元件2也可以具有集成结构。
在上述第五实施方式中，导线1Wa相当于第一导线，导线2Wa相当于第二导线，导线3W相当于第三导线，导线1Wb相当于第四导线。
在上述第五实施方式中，Y方向相当于第一方向，Z方向相当于第二方向，X方向相当于第三方向，管座501相当于框体，红色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，红外半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件。
此外在上述的第五实施方式中，p电极12相当于第一半导体激光元件的一个电极，p电极22相当于第二半导体激光元件的一个电极，p电极32相当于第三半导体激光元件的一个电极，n电极13相当于第一半导体激光元件的另一电极，n电极23相当于第二半导体激光元件的另一电极，n电极35相当于第三半导体激光元件的另一电极。

Claims (23)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，具有
导电性的框体、
设在所述框体上的导电性底座、
设在所述框体上而且与所述框体绝缘的第一、第二和第三端子、
设在所述框体上而且与所述底座进行电连接的第四端子、
设在所述底座上而且分别具有一个电极的第一、第二和第三半导体激光元件，
所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，
所述第三端子和所述第四端子沿与第一方向交叉的第二方向配置，
所述第一、第二和第三半导体激光元件中，所述第一半导体激光元件的所述一个电极比所述第二和第三半导体激光元件的所述一个电极更靠近所述第一端子，所述第二半导体激光元件的所述一个电极比所述第一和第三半导体激光元件的所述一个电极更靠近所述第二端子，所述第三半导体激光元件的所述一个电极的至少一部分在所述第一方向上配置成位于所述第一半导体激光元件的所述一个电极和所述第二半导体激光元件的所述一个电极之间，
所述第一端子和所述第一半导体激光元件的所述一个电极用第一导线连接，所述第二端子和所述第二半导体激光元件的所述一个电极用第二导线连接，所述第三端子和所述第三半导体激光元件的所述一个电极用第三导线连接，
所述第三半导体激光元件还具有与所述底座进行电连接的另一电极，
所述第一半导体激光元件和所述第二半导体激光元件设置在所述第三半导体激光元件上。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第三半导体激光元件具有在所述第三半导体激光元件的一个电极侧形成的隆起部分和在所述隆起部分的侧面形成的绝缘膜，
所述隆起部分设置在所述第一半导体激光元件和所述第二半导体激光元件之间。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一导线和所述第一半导体激光元件的所述一个电极的第一连接位置、所述第三导线和所述第三半导体激光元件的所述一个电极的第三连接位置、和所述第二导线和所述第二半导体激光元件的所述一个电极的第二连接位置在第一方向上从第一端子一侧到第二端子一侧顺序配置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第三连接位置被设定成比所述第一和第二连接位置中的至少一个连接位置更靠向与所述第一、第二和第三半导体激光元件射出激光一侧相反的一侧。
5.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，
所述第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿所述第三方向向另一侧射出主要激光，
所述第一和第二半导体激光元件分别还有另一电极，
在比所述第一连接位置更靠向所述第一半导体激光元件射出激光一侧的位置上，所述第一半导体激光元件的另一电极可以用第四导线与所述底座进行电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，在比所述第二连接位置更靠向所述第二半导体激光元件射出激光一侧的位置上，所述第二半导体激光元件的另一电极用第五导线与所述底座进行电连接。
7.一种半导体激光装置，其特征在于，具有
导电性的框体、
设在所述框体上的导电性底座、
设在所述框体上而且与所述框体绝缘的第一、第二和第三端子、
设在所述框体上而且与所述底座进行电连接的第四端子、
设在所述底座上而且分别具有一个电极和另一电极的第一、第二和第三半导体激光元件，
所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，
所述第三端子和所述第四端子沿与所述第一方向交叉的第二方向配置，
所述第一、第二和第三半导体激光元件中，所述第一半导体激光元件的所述一个电极比所述第二和第三半导体激光元件的所述一个电极更靠近所述第一端子，所述第二半导体激光元件的所述一个电极比所述第一和第三半导体激光元件的所述一个电极更靠近所述第二端子，
在所述第三半导体激光元件的所述一个电极和所述底座之间还设有副底座，
在所述副底座上以从所述第三半导体激光元件突出的方式形成所述第三半导体激光元件的所述一个电极，
所述第一端子和所述第一半导体激光元件的所述一个电极用第一导线连接，所述第二端子和所述第二半导体激光元件的所述一个电极用第二导线连接，所述第三端子和所述第三半导体激光元件的所述一个电极在所述副底座上用第三导线连接，
所述第三半导体激光元件的另一电极与所述底座进行电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于，至少一部分所述第三半导体激光元件的所述一个电极比所述第一和第二半导体激光元件的所述一个电极更靠近所述第三端子。
9.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一半导体激光元件和所述第二半导体激光元件设置在所述第三半导体激光元件上。
10.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一导线和所述第一半导体激光元件的所述一个电极的第一连接位置、所述第三导线和所述第三半导体激光元件的所述一个电极的第三连接位置、和所述第二导线和所述第二半导体激光元件的所述一个电极的第二连接位置在所述第一方向上从所述第一端子一侧到所述第二端子一侧顺序配置。
11.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第三连接位置被设定在比所述第一和第二连接位置中的至少一个连接位置更靠向与所述第一、第二和第三半导体激光元件的射出激光一侧相反的一侧。
12.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，
所述第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿所述第三方向向另一侧射出主要激光，
所述第一、第二和第三半导体激光元件的所述另一电极相互进行电连接，
在比所述第一连接位置更靠向所述第一半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，所述第三半导体激光元件的所述另一电极用第四导线与所述底座进行电连接。
13.一种半导体激光装置，其特征在于，具有
导电性的框体、
设在所述框体上的导电性底座、
设在所述框体上而且与所述框体绝缘的第一、第二和第三端子、
设在所述框体上而且与所述底座进行电连接的第四端子、
设在所述底座上而且分别具有一个电极的第一、第二和第三的半导体激光元件，
所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，
所述第三端子和所述第四端子沿与所述第一方向交叉的第二方向配置，
所述第一半导体激光元件的发光部分、所述第三半导体激光元件的发光部分和所述第二半导体激光元件的发光部分在所述第一方向上从所述第一端子一侧到所述第二端子一侧顺序配置，
所述第三半导体激光元件的所述一个电极在所述第一方向上延伸到比所述第二端子一侧的所述第二半导体激光元件的侧面更靠近所述第二端子的位置，
所述第一端子和所述第一半导体激光元件的所述一个电极用第一导线连接，所述第二端子和所述第三半导体激光元件的所述一个电极用第三导线连接，所述第三端子和所述第二半导体激光元件的所述一个电极用第二导线连接，
所述第三半导体激光元件射出波长比所述第一和第二半导体激光元件短的激光，同时还具有与所述底座进行电连接的另一电极。
14.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一、第二和第三端子沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，从一侧延伸到另一侧，
所述第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一侧射出主要激光，
所述第一和第二半导体激光元件还分别具有另一电极，
在比所述第一导线和所述第一半导体激光元件的所述一个电极的第一连接位置更靠向所述第一半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，所述第一半导体激光元件的所述另一电极用第四导线与所述底座进行电连接。
15.根据权利要求14所述的半导体激光装置，其特征在于，在比所述第二导线和所述第二半导体激光元件的所述一个电极的第二连接位置更靠向所述第二半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，所述第二半导体激光元件的所述另一电极可以用第五导线与所述底座进行电连接。
16.根据权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第二连接位置被设定成比所述第一连接位置以及所述第三导线和所述第三半导体激光元件的所述一个电极的第三连接位置中的至少一个连接位置更靠向与所述第一、第二和第三半导体激光元件的射出激光一侧相反的一侧。
17.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，在所述第二方向上看所述第一、第二和第三半导体激光元件的情况下，所述第一、第二、第三和第四导线各自不交叉
18.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第三半导体激光元件含有由氮化物系半导体构成的活性层。
19.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第三端子的长度比所述第一和第二端子的长度短，
所述第一、第二和第三端子沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向，从一方一侧延伸到另一方一侧，
所述第一、第二和第三半导体激光元件配置成沿第三方向向另一方一侧射出主要激光，
所述第一、第二和第三半导体激光元件在所述第一方向配置在所述第一端子和所述第二端子之间，
所述第三端子的长度被设置成在所述第三方向与所述第一、第二和第三半导体激光元件的射出激光一侧相反一侧的端面不重合。
20.一种半导体激光装置，其特征在于，具有
导电性的框体、
设在所述框体上的导电性底座、
设在所述框体上而且与所述框体绝缘的第一、第二端子、
设在所述底座上而且分别具有一个电极和另一电极的第一和第二半导体激光元件，
所述第一半导体激光元件被设置在所述第二半导体激光元件上，
所述第一端子和所述第二端子沿第一方向配置，
所述第一端子和所述第一半导体激光元件的一个电极用第一导线连接，所述第二端子和所述第二半导体激光元件的一个电极用第二导线连接，
所述第一和第二半导体激光元件中的至少一方的另一电极用底座一侧的导线与所述底座一侧进行电连接。
21.根据权利要求20所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第一半导体激光元件被设置在所述第二半导体激光元件上，比所述第二端子更靠近所述第一端子的位置。
22.根据权利要求20所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第二半导体激光元件含有由氮化物构成的活性层。
23.根据权利要求20所述的半导体激光装置，其特征在于，在比所述第一导线和所述第一半导体激光元件的所述一个电极的第一连接位置或所述第二导线和所述第二半导体激光元件的所述一个电极的第二连接位置更靠向所述第一半导体激光元件的射出激光一侧的位置上，所述第一和第二半导体激光元件中的至少一方的所述另一电极用所述底座一侧的导线与所述底座进行电连接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101867157A (zh) * 2009-04-15 2010-10-20 三菱电机株式会社 多波长半导体激光装置
WO2020155029A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 华为技术有限公司 一种半导体激光装置及其制造方法和设备

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4660224B2 (ja) 2004-03-30 2011-03-30 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2011023754A (ja) * 2004-03-30 2011-02-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP4568133B2 (ja) * 2004-03-30 2010-10-27 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置および光装置
JP4614715B2 (ja) * 2004-08-31 2011-01-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
US7579204B2 (en) * 2005-01-26 2009-08-25 Sony Corporation Method of production of semiconductor light emission device and method of production of light emission apparatus
KR100738110B1 (ko) 2006-04-11 2007-07-12 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 어레이
JP4930322B2 (ja) 2006-11-10 2012-05-16 ソニー株式会社 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置
US8085825B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus
JP2010040752A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010056185A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2010067868A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
WO2011105136A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置及び光装置
JP5633670B2 (ja) * 2010-03-01 2014-12-03 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP6924293B2 (ja) * 2019-03-27 2021-08-25 シャープ株式会社 レーザ素子
EP3965145A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-09 Schott Ag Transistor outline header for high-speed optoelectronic package

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2605801B1 (fr) * 1986-10-23 1989-03-03 Menigaux Louis Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice susceptible d'effet laser multi-longueurs d'onde, et dispositif obtenu
JPH0828551B2 (ja) * 1988-05-07 1996-03-21 三菱電機株式会社 アレイレーザ
JPH07122808A (ja) * 1993-10-27 1995-05-12 Tera Tec:Kk 半導体レーザ変調回路装置
US5465266A (en) * 1994-06-28 1995-11-07 Xerox Corporation Index-guided laser on a ridged (001) substrate
JP3419930B2 (ja) * 1994-12-21 2003-06-23 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置
US5703896A (en) * 1995-06-07 1997-12-30 The Regents Of The University Of Colorado Silicon quantum dot laser
US5917847A (en) * 1997-09-26 1999-06-29 Xerox Corporation Independently addressable semiconductor laser arrays with buried selectively oxidized native oxide apertures
US6144683A (en) * 1998-01-07 2000-11-07 Xerox Corporation Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion
US6136623A (en) * 1998-05-06 2000-10-24 Xerox Corporation Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding
JP2000223791A (ja) * 1999-02-04 2000-08-11 Sharp Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
US6410904B1 (en) * 1999-11-22 2002-06-25 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Multi-beam emitting device
JP3486900B2 (ja) 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2002299765A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Sony Corp 半導体レーザ素子及びその作製方法
JP2004022717A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Sharp Corp 多波長レーザ装置
JP4219147B2 (ja) 2002-09-25 2009-02-04 シャープ株式会社 多波長レーザ装置
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2004304111A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp 多波長レーザ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101867157A (zh) * 2009-04-15 2010-10-20 三菱电机株式会社 多波长半导体激光装置
WO2020155029A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 华为技术有限公司 一种半导体激光装置及其制造方法和设备
CN111903022A (zh) * 2019-01-31 2020-11-06 华为技术有限公司 一种半导体激光装置及其制造方法和设备

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