JPH07122808A - 半導体レーザ変調回路装置 - Google Patents
半導体レーザ変調回路装置Info
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- JPH07122808A JPH07122808A JP26920493A JP26920493A JPH07122808A JP H07122808 A JPH07122808 A JP H07122808A JP 26920493 A JP26920493 A JP 26920493A JP 26920493 A JP26920493 A JP 26920493A JP H07122808 A JPH07122808 A JP H07122808A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 寄生インダクタンスを低下でき、半導体レー
ザを高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提
供する。 【構成】 半導体レーザ１の電極を伝送路５１，５２に
接続する手段として、ヒートシンク２の金属面を用いて
直接接続し、金属ワイヤを不要とする。さらに、半導体
レーザ１の上部電極と伝送路５１とを、半導体レーザ１
の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック３１を介し
て、金属ワイヤ３２により接続するので、金属ワイヤの
長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作用
する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を大
きくできる。
ザを高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提
供する。 【構成】 半導体レーザ１の電極を伝送路５１，５２に
接続する手段として、ヒートシンク２の金属面を用いて
直接接続し、金属ワイヤを不要とする。さらに、半導体
レーザ１の上部電極と伝送路５１とを、半導体レーザ１
の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック３１を介し
て、金属ワイヤ３２により接続するので、金属ワイヤの
長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作用
する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を大
きくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超高速光通信等に係
り、高速変調可能な半導体レーザ装置に関する。
り、高速変調可能な半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを高速に変調する半導体レ
ーザ変調回路装置において、高周波における反射特性・
伝達特性の改善は、通常、５０Ωのインピーダンスを持
つ変調信号源装置との接続を行う半導体レーザの実装構
造に左右される。
ーザ変調回路装置において、高周波における反射特性・
伝達特性の改善は、通常、５０Ωのインピーダンスを持
つ変調信号源装置との接続を行う半導体レーザの実装構
造に左右される。
【０００３】例えば、実装構造の一例として、特開平３
−１１６９９０がある。これを参考にした実装構造の従
来技術について、図４および５図を参照して説明する。
図４は、従来の半導体レーザ変調回路装置の回路構成を
示す等価回路図である。半導体レーザ１には、２つの伝
送路５１，５２の一端が接続され、伝送路５２の他端は
終端器７で終端される。一方、伝送路５１の他端には変
調信号源９が接続される。
−１１６９９０がある。これを参考にした実装構造の従
来技術について、図４および５図を参照して説明する。
図４は、従来の半導体レーザ変調回路装置の回路構成を
示す等価回路図である。半導体レーザ１には、２つの伝
送路５１，５２の一端が接続され、伝送路５２の他端は
終端器７で終端される。一方、伝送路５１の他端には変
調信号源９が接続される。
【０００４】半導体レーザ１は、およそ３〜８Ωの範囲
のインピーダンスを持つ素子であり、変調信号源９は、
通常、５０Ωのインピーダンスを有する。このように、
伝送路５１，５２に挟まれた素子（図４では半導体レー
ザ１）のインピーダンスが比較的小さいならば、伝送路
５１，５２の特性インピーダンスをおよそ５０Ωに設計
することにより、インピーダンスの違いによる反射の影
響を実用上、小さくすることが期待できる。
のインピーダンスを持つ素子であり、変調信号源９は、
通常、５０Ωのインピーダンスを有する。このように、
伝送路５１，５２に挟まれた素子（図４では半導体レー
ザ１）のインピーダンスが比較的小さいならば、伝送路
５１，５２の特性インピーダンスをおよそ５０Ωに設計
することにより、インピーダンスの違いによる反射の影
響を実用上、小さくすることが期待できる。
【０００５】図５は従来の半導体レーザ変調回路装置の
構造を示す斜視図である。図において、図４の回路図を
具体化するために、ヒートシンク２、金属ワイヤ３２、
３３、基板４１，４２、金属ベース６、光学素子８を付
加した構成である。光学素子８は、半導体レーザ１から
の光出力を外部へ導出する。伝送路５１は、基板４１お
よび金属ベース６とともにマイクロストリップ線路を形
成しており、伝送路５２は、基板４２および金属ベース
６とともにマイクロストリップ線路を形成している。伝
送路５１と半導体レーザ１との接続には、金属ワイヤ３
２を用いる。この「金属ワイヤ」とは、ボンディング技
術により電気的接続を得るもので、通常、金線が用いら
れており、以下の説明では、その断面が円形であるもの
と、断面が横に広がったリボン状のものを含むことにす
る。
構造を示す斜視図である。図において、図４の回路図を
具体化するために、ヒートシンク２、金属ワイヤ３２、
３３、基板４１，４２、金属ベース６、光学素子８を付
加した構成である。光学素子８は、半導体レーザ１から
の光出力を外部へ導出する。伝送路５１は、基板４１お
よび金属ベース６とともにマイクロストリップ線路を形
成しており、伝送路５２は、基板４２および金属ベース
６とともにマイクロストリップ線路を形成している。伝
送路５１と半導体レーザ１との接続には、金属ワイヤ３
２を用いる。この「金属ワイヤ」とは、ボンディング技
術により電気的接続を得るもので、通常、金線が用いら
れており、以下の説明では、その断面が円形であるもの
と、断面が横に広がったリボン状のものを含むことにす
る。
【０００６】一方、伝送路５２と半導体レーザ１との接
続には、ヒートシンク２と金属ワイヤ３３とを用いる。
ヒートシンク２は、本来、半導体レーザ１が発生する熱
を放熱する目的のために用いられるものであり、熱伝導
率の良い誘電体が用いられ、図５では金属ベース６に熱
を逃がしている。このヒートシンク２の上面全体は、金
属面となっており、半導体レーザ１の下部電極と金属ワ
イヤ３３との電気的接続は、この金属面を介して行われ
る。
続には、ヒートシンク２と金属ワイヤ３３とを用いる。
ヒートシンク２は、本来、半導体レーザ１が発生する熱
を放熱する目的のために用いられるものであり、熱伝導
率の良い誘電体が用いられ、図５では金属ベース６に熱
を逃がしている。このヒートシンク２の上面全体は、金
属面となっており、半導体レーザ１の下部電極と金属ワ
イヤ３３との電気的接続は、この金属面を介して行われ
る。
【０００７】なお、図５では、半導体レーザ１の下部電
極が接続される伝送路５２は、終端されており、半導体
レーザ１の上部電極が接続される伝送路５１に変調信号
が入力されている。以下の説明においても便宜上、同じ
記述をするが、半導体レーザ１の下部電極が接続される
伝送路５２に変調信号を入力し、半導体レーザ１の上部
電極が接続される伝送路５１を終端する構造であって
も、著しい相違は無いものとする。
極が接続される伝送路５２は、終端されており、半導体
レーザ１の上部電極が接続される伝送路５１に変調信号
が入力されている。以下の説明においても便宜上、同じ
記述をするが、半導体レーザ１の下部電極が接続される
伝送路５２に変調信号を入力し、半導体レーザ１の上部
電極が接続される伝送路５１を終端する構造であって
も、著しい相違は無いものとする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した図
５の構造を持つ半導体レーザ変調回路装置では、金属ワ
イヤ３２，３３による寄生インダクタンスのため、周波
数が高くなるとインピーダンスが上昇し多重反射が増加
し、波形劣化等が生じるとともに、半導体レーザ１への
高周波印加効率、すなわち伝達特性が低下するという問
題が生じる。上記寄生インダクタンスは、図４の回路図
に現れない回路要素であるが、高周波特性を左右する重
要な要素である。
５の構造を持つ半導体レーザ変調回路装置では、金属ワ
イヤ３２，３３による寄生インダクタンスのため、周波
数が高くなるとインピーダンスが上昇し多重反射が増加
し、波形劣化等が生じるとともに、半導体レーザ１への
高周波印加効率、すなわち伝達特性が低下するという問
題が生じる。上記寄生インダクタンスは、図４の回路図
に現れない回路要素であるが、高周波特性を左右する重
要な要素である。
【０００９】上記寄生インダクタンスを低減するには、
金属ワイヤの断面積を大きくしたり、複数本の金属ワイ
ヤを並べて接続したり、あるいは、金属ワイヤの長さを
短くすればよい。しかしながら、実効的な断面積が増大
すると、熱膨張率が異なる物質同士を、物理的に、強固
に結合することになる。このため、例えば、金属ワイヤ
が半導体レーザ１の上部電極に作用する応力により、半
導体レーザが歪み、正常な動作を阻害するという欠点を
有する。次に、長さについては、短ければ短いほど改善
されるが、半導体レーザ１、およびヒートシンク２の寸
法により、金属ワイヤ長の短縮化には限界があるため、
結果的に、変調周波数の上限を高くできないという問題
がある。
金属ワイヤの断面積を大きくしたり、複数本の金属ワイ
ヤを並べて接続したり、あるいは、金属ワイヤの長さを
短くすればよい。しかしながら、実効的な断面積が増大
すると、熱膨張率が異なる物質同士を、物理的に、強固
に結合することになる。このため、例えば、金属ワイヤ
が半導体レーザ１の上部電極に作用する応力により、半
導体レーザが歪み、正常な動作を阻害するという欠点を
有する。次に、長さについては、短ければ短いほど改善
されるが、半導体レーザ１、およびヒートシンク２の寸
法により、金属ワイヤ長の短縮化には限界があるため、
結果的に、変調周波数の上限を高くできないという問題
がある。
【００１０】この発明は上述した事情に鑑みてなされた
もので、寄生インダクタンスを低下でき、半導体レーザ
を高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提供
することを目的としている。
もので、寄生インダクタンスを低下でき、半導体レーザ
を高周波で変調できる半導体レーザ変調回路装置を提供
することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るために、請求項１記載の発明では、上部電極と下部電
極を有する半導体レーザと、前記半導体レーザに接する
ヒートシンクと、前記半導体レーザの上部電極に一端が
電気的に接続される第１の伝送路と、前記半導体レーザ
の下部電極に一端が電気的に接続される第２の伝送路と
を具備する半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒ
ートシンクは前記半導体レーザの下部電極に電気的に接
続された金属面を有し、前記第２の伝送路は前記金属面
を介して前記半導体レーザの下部電極と電気的に接続さ
れることを特徴とする。
るために、請求項１記載の発明では、上部電極と下部電
極を有する半導体レーザと、前記半導体レーザに接する
ヒートシンクと、前記半導体レーザの上部電極に一端が
電気的に接続される第１の伝送路と、前記半導体レーザ
の下部電極に一端が電気的に接続される第２の伝送路と
を具備する半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒ
ートシンクは前記半導体レーザの下部電極に電気的に接
続された金属面を有し、前記第２の伝送路は前記金属面
を介して前記半導体レーザの下部電極と電気的に接続さ
れることを特徴とする。
【００１２】また、請求項２記載の発明では、請求項１
記載の半導体レーザ変調回路装置において、前記第１の
伝送路上に固定され、前記半導体レーザの上部電極とほ
ぼ同じ高さの金属ブロックを有し、前記半導体レーザ１
の上部電極と前記第１の伝送路とは、金属ワイヤによっ
て電気的に接続されることを特徴とする。
記載の半導体レーザ変調回路装置において、前記第１の
伝送路上に固定され、前記半導体レーザの上部電極とほ
ぼ同じ高さの金属ブロックを有し、前記半導体レーザ１
の上部電極と前記第１の伝送路とは、金属ワイヤによっ
て電気的に接続されることを特徴とする。
【００１３】また、請求項３記載の発明では、請求項１
記載の半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒート
シンクとほぼ同一の厚さを有し、上部に前記第１の伝送
路および前記第２の伝送路が形成され、その下面が金属
ベースに接する基板に、前記金属ベースに達する穴部を
設け、前記ヒートシンクを前記穴部の中に配置し、前記
ヒートシンクの金属面と前記第２の伝送路とを直接接続
することを特徴とする。
記載の半導体レーザ変調回路装置において、前記ヒート
シンクとほぼ同一の厚さを有し、上部に前記第１の伝送
路および前記第２の伝送路が形成され、その下面が金属
ベースに接する基板に、前記金属ベースに達する穴部を
設け、前記ヒートシンクを前記穴部の中に配置し、前記
ヒートシンクの金属面と前記第２の伝送路とを直接接続
することを特徴とする。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ヒートシンクの
適当な金属面により、半導体レーザの下部電極と第２の
伝送路とを直接接続する。このため、金属ワイヤが不要
となり、下部電極と第２の伝送路との接続長は短縮され
る。
適当な金属面により、半導体レーザの下部電極と第２の
伝送路とを直接接続する。このため、金属ワイヤが不要
となり、下部電極と第２の伝送路との接続長は短縮され
る。
【００１５】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体レーザの上部電極と、ほぼ同じ高さの金属ブロックの
上面とを金属ワイヤで接続する。このため、金属ワイヤ
の長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作
用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を
大きくできる。
体レーザの上部電極と、ほぼ同じ高さの金属ブロックの
上面とを金属ワイヤで接続する。このため、金属ワイヤ
の長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電極に作
用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断面積を
大きくできる。
【００１６】さらに、請求項３記載の発明によれば、基
板に設けられた穴部の中にヒートシンクを埋め込むこと
により、ヒートシンクの金属面と第２の伝送路とを直接
接続する。このため、接続長が高さの違いによる分だけ
さらに短くなる。
板に設けられた穴部の中にヒートシンクを埋め込むこと
により、ヒートシンクの金属面と第２の伝送路とを直接
接続する。このため、接続長が高さの違いによる分だけ
さらに短くなる。
【００１７】
【実施例】次に図面を参照してこの発明の実施例につい
て説明する。図１は、本発明の一実施例である半導体レ
ーザ変調回路装置の構造を示す斜視図である。また、図
２は同半導体レーザ変調回路装置の一部の構造を示す断
面図である。なお、図５に対応する部分には同一の符号
を付けて説明を省略する。これら図１および図２におい
て、ヒートシンク２の全ての表面は、金属面で構成され
ている。半導体レーザ１の下部電極はヒートシンク２の
上面と接し、伝送路５２はヒートシンク２の下面と接す
るように設けられる。すなわち、半導体レーザ１の下部
電極と伝送路５２は電気的に接続されている。同様に、
図２に示す配置においても、ヒートシンク２の表面を部
分的に金属面にしても半導体レーザ１の下部電極と伝送
路５２の電気的接続を得る方法は容易に考えられること
は言うまでもない。
て説明する。図１は、本発明の一実施例である半導体レ
ーザ変調回路装置の構造を示す斜視図である。また、図
２は同半導体レーザ変調回路装置の一部の構造を示す断
面図である。なお、図５に対応する部分には同一の符号
を付けて説明を省略する。これら図１および図２におい
て、ヒートシンク２の全ての表面は、金属面で構成され
ている。半導体レーザ１の下部電極はヒートシンク２の
上面と接し、伝送路５２はヒートシンク２の下面と接す
るように設けられる。すなわち、半導体レーザ１の下部
電極と伝送路５２は電気的に接続されている。同様に、
図２に示す配置においても、ヒートシンク２の表面を部
分的に金属面にしても半導体レーザ１の下部電極と伝送
路５２の電気的接続を得る方法は容易に考えられること
は言うまでもない。
【００１８】また、伝送路５１側には、半導体レーザ１
の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック３１が、該伝
送路５１の上面に接して配置されている。金属ワイヤ３
２は、金属ブロック３１の上面と半導体レーザ１の上部
電極との間を電気的に接続する。この断面積の小さい金
属ワイヤ３２の長さは、伝送路５２と半導体レーザ１の
上部電極の距離に比べて短くなる。なお、金属ワイヤ３
２を複数本並べて接続したり、断面積のより大きな金属
ワイヤ３２を用いてもよく、この場合、さらに寄生イン
ダクタンスを小さくすることができる。
の上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロック３１が、該伝
送路５１の上面に接して配置されている。金属ワイヤ３
２は、金属ブロック３１の上面と半導体レーザ１の上部
電極との間を電気的に接続する。この断面積の小さい金
属ワイヤ３２の長さは、伝送路５２と半導体レーザ１の
上部電極の距離に比べて短くなる。なお、金属ワイヤ３
２を複数本並べて接続したり、断面積のより大きな金属
ワイヤ３２を用いてもよく、この場合、さらに寄生イン
ダクタンスを小さくすることができる。
【００１９】この第１の実施例によれば、ヒートシンク
２を伝送路５２に、直接、接続することにより、図５に
示す金属ワイヤ３３が不要となり、寄生インダクタンス
が低下し、半導体レーザ１を高速に変調できる。さら
に、半導体レーザ１の上部電極と伝送路５１とが、半導
体レーザ１の上部電極と同じ高さの金属ブロック３１を
介して、金属ワイヤ３２により接続されるので、金属ワ
イヤ３２の長さが必要最小限でよく、寄生インダクタン
スが低下し、半導体レーザ１を高速に変調できる。ま
た、金属ワイヤ３２が半導体レーザ１の上部電極に作用
する応力が最小限に抑えられることにより、半導体レー
ザの歪みを防止し、正常な動作を阻害しないという利点
が得られる。
２を伝送路５２に、直接、接続することにより、図５に
示す金属ワイヤ３３が不要となり、寄生インダクタンス
が低下し、半導体レーザ１を高速に変調できる。さら
に、半導体レーザ１の上部電極と伝送路５１とが、半導
体レーザ１の上部電極と同じ高さの金属ブロック３１を
介して、金属ワイヤ３２により接続されるので、金属ワ
イヤ３２の長さが必要最小限でよく、寄生インダクタン
スが低下し、半導体レーザ１を高速に変調できる。ま
た、金属ワイヤ３２が半導体レーザ１の上部電極に作用
する応力が最小限に抑えられることにより、半導体レー
ザの歪みを防止し、正常な動作を阻害しないという利点
が得られる。
【００２０】次に、本発明の第２の実施例について図３
を参照して説明する。図３は、第２の実施例における半
導体レーザ変調回路装置の一部構成を示す断面図であ
る。図において、基板４には、穴部４９が設けられて
り、この穴部４９にヒートシンク２の一部（ほぼ全部）
が配置されている。図示する太線部が金属面５０であ
る。半導体レーザ１の下部電極はヒートシンク２の上面
の金属面５０と接し、伝送路５２の端部がヒートシンク
２の上面の金属面５０と直接、接するようになってい
る。
を参照して説明する。図３は、第２の実施例における半
導体レーザ変調回路装置の一部構成を示す断面図であ
る。図において、基板４には、穴部４９が設けられて
り、この穴部４９にヒートシンク２の一部（ほぼ全部）
が配置されている。図示する太線部が金属面５０であ
る。半導体レーザ１の下部電極はヒートシンク２の上面
の金属面５０と接し、伝送路５２の端部がヒートシンク
２の上面の金属面５０と直接、接するようになってい
る。
【００２１】また、導電材料片３４は、伝送路５２の端
部とヒートシンク２の金属面５０との電気的接続を確実
にするためのものであり、導電性樹脂、半田、もしくは
金属片などを適宜用いる。半導体レーザ１の下部電極と
伝送路５２の接続長は、この実施例に示す構造がヒート
シンク２の寸法で決まる幾何学的距離の下限値である。
また、同じ図３の配置に対して、ヒートシンク２の金属
面５０の設計は、図示の例の他にも容易に考えられるこ
とはいうまでもない。
部とヒートシンク２の金属面５０との電気的接続を確実
にするためのものであり、導電性樹脂、半田、もしくは
金属片などを適宜用いる。半導体レーザ１の下部電極と
伝送路５２の接続長は、この実施例に示す構造がヒート
シンク２の寸法で決まる幾何学的距離の下限値である。
また、同じ図３の配置に対して、ヒートシンク２の金属
面５０の設計は、図示の例の他にも容易に考えられるこ
とはいうまでもない。
【００２２】なお、図３では、半導体レーザ１の上部電
極と伝送路５１の高さが同一でない場合には、図１もし
くは図２と同様に、金属ブロック３１を介して、半導体
レーザ１の上部電極と伝送路５１とを金属ワイヤ３２に
より接続するが、これらの高さがほぼ同じ場合には、半
導体レーザ１の上部電極に作用する応力の影響が小さい
ため、図３に示すように、金属ブロック３１を設けなく
てもよい。
極と伝送路５１の高さが同一でない場合には、図１もし
くは図２と同様に、金属ブロック３１を介して、半導体
レーザ１の上部電極と伝送路５１とを金属ワイヤ３２に
より接続するが、これらの高さがほぼ同じ場合には、半
導体レーザ１の上部電極に作用する応力の影響が小さい
ため、図３に示すように、金属ブロック３１を設けなく
てもよい。
【００２３】上述した第２の実施例では、図２に示す構
造の半導体レーザ変調回路装置に比べて放熱について有
利な点がある。それは、半導体レーザ変調回路装置にお
いて、ヒートシンク２、金属ベース６、基板４で通常用
いられる材料は、例えば、順に、ダイアモンド、銅、ア
ルミナであるが、熱伝導率については、前者２つがほぼ
同程度であるのに対して、基板４はそれに比べて一桁ほ
ど小さい。図２に示す第１の実施例では、半導体レーザ
１の熱は、ヒートシンク２から基板４を経て金属ベース
６に逃げていく。これに対して、図３に示す第３の実施
例では、半導体レーザ１の熱は、ヒートシンク２から直
接金属ベース６へ逃げていく。このため、図３に示す構
造は放熱の点で有利である。
造の半導体レーザ変調回路装置に比べて放熱について有
利な点がある。それは、半導体レーザ変調回路装置にお
いて、ヒートシンク２、金属ベース６、基板４で通常用
いられる材料は、例えば、順に、ダイアモンド、銅、ア
ルミナであるが、熱伝導率については、前者２つがほぼ
同程度であるのに対して、基板４はそれに比べて一桁ほ
ど小さい。図２に示す第１の実施例では、半導体レーザ
１の熱は、ヒートシンク２から基板４を経て金属ベース
６に逃げていく。これに対して、図３に示す第３の実施
例では、半導体レーザ１の熱は、ヒートシンク２から直
接金属ベース６へ逃げていく。このため、図３に示す構
造は放熱の点で有利である。
【００２４】このように、第２の実施例では、基板４の
穴部４９の中にヒートシンク２を配置するので、伝送路
５２の端部がヒートシンク２の上面の金属面５０と、直
接、接するため、図５に示す金属ワイヤ３３が不要とな
り、寄生インダクタンスを小さくできると共に、ヒート
シンク２が金属ベース６と熱的に接することにより、半
導体レーザ１の放熱が良好で、かつ半導体レーザ１を高
速に変調できる。
穴部４９の中にヒートシンク２を配置するので、伝送路
５２の端部がヒートシンク２の上面の金属面５０と、直
接、接するため、図５に示す金属ワイヤ３３が不要とな
り、寄生インダクタンスを小さくできると共に、ヒート
シンク２が金属ベース６と熱的に接することにより、半
導体レーザ１の放熱が良好で、かつ半導体レーザ１を高
速に変調できる。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
発明によれば、ヒートシンクの適当な金属面により、半
導体レーザの下部電極と第２の伝送路とを直接接続す
る。このため、金属ワイヤが不要となり、下部電極と第
２の伝送路との接続長は短縮される。この結果、寄生イ
ンダクタンスが低下し、半導体レーザを高周波で変調で
きるという利点が得られる。
発明によれば、ヒートシンクの適当な金属面により、半
導体レーザの下部電極と第２の伝送路とを直接接続す
る。このため、金属ワイヤが不要となり、下部電極と第
２の伝送路との接続長は短縮される。この結果、寄生イ
ンダクタンスが低下し、半導体レーザを高周波で変調で
きるという利点が得られる。
【００２６】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体レーザの上部電極と、これとほぼ同じ高さの金属ブロ
ックの上面とを金属ワイヤで接続する。このため、金属
ワイヤの長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電
極に作用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断
面積を大きくできる。この結果、寄生インダクタンスが
低下し、半導体レーザを高周波で変調できるという利点
が得られる。
体レーザの上部電極と、これとほぼ同じ高さの金属ブロ
ックの上面とを金属ワイヤで接続する。このため、金属
ワイヤの長さが短くでき、かつ、半導体レーザの上部電
極に作用する応力の影響が小さいため、金属ワイヤの断
面積を大きくできる。この結果、寄生インダクタンスが
低下し、半導体レーザを高周波で変調できるという利点
が得られる。
【００２７】さらに、請求項３記載の発明によれば、基
板に設けられた穴部の中にヒートシンクを埋め込むこと
により、ヒートシンクの金属面と第２の伝送路とを直接
接続する。このため、接続長が高さの違いによる分だけ
さらに短くなる。この結果、寄生インダクタンスを小さ
くできると共に、ヒートシンクが金属ベースと熱的に接
することにより、半導体レーザの放熱が良好で、かつ半
導体レーザを高周波で変調できるという利点が得られ
る。
板に設けられた穴部の中にヒートシンクを埋め込むこと
により、ヒートシンクの金属面と第２の伝送路とを直接
接続する。このため、接続長が高さの違いによる分だけ
さらに短くなる。この結果、寄生インダクタンスを小さ
くできると共に、ヒートシンクが金属ベースと熱的に接
することにより、半導体レーザの放熱が良好で、かつ半
導体レーザを高周波で変調できるという利点が得られ
る。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体レーザ変調回路
装置の構造を示す斜視図である。
装置の構造を示す斜視図である。
【図２】同第１の実施例の半導体レーザ変調回路装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例における半導体レーザ変
調回路装置の断面図である。
調回路装置の断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ変調回路装置の回路図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体レーザ変調回路装置の構造を示す
斜視図である。
斜視図である。
１ 半導体レーザ ２ ヒートシンク ４，４１，４２ 基板 ６ 金属ベース ７ 終端器 ８ 光学素子 ９ 変調信号源 ３１ 金属ブロック ３２，３３ 金属ワイヤ ４９ 穴部 ５０ 金属面 ５１ 伝送路（第１の伝送路） ５２ 伝送路（第２の伝送路）
Claims (3)
- 【請求項１】 上部電極と下部電極を有する半導体レー
ザと、前記半導体レーザに接するヒートシンクと、前記
半導体レーザの上部電極に一端が電気的に接続される第
１の伝送路と、前記半導体レーザの下部電極に一端が電
気的に接続される第２の伝送路とを具備する半導体レー
ザ変調回路装置において、 前記ヒートシンクは前記半導体レーザの下部電極に電気
的に接続された金属面を有し、 前記第２の伝送路は前記金属面を介して前記半導体レー
ザの下部電極と電気的に接続されることを特徴とする半
導体レーザ変調回路装置。 - 【請求項２】 前記第１の伝送路上に固定され、前記半
導体レーザの上部電極とほぼ同じ高さの金属ブロックを
有し、 前記半導体レーザ１の上部電極と前記第１の伝送路と
は、金属ワイヤによって電気的に接続されることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ変調回路装置。 - 【請求項３】 前記ヒートシンクとほぼ同一の厚さを有
し、上部に前記第１の伝送路および前記第２の伝送路が
形成され、その下面が金属ベースに接する基板に、前記
金属ベースに達する穴部を設け、前記ヒートシンクを前
記穴部の中に配置し、前記ヒートシンクの金属面と前記
第２の伝送路とを直接接続することを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ変調回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26920493A JPH07122808A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ変調回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26920493A JPH07122808A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ変調回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122808A true JPH07122808A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17469128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26920493A Withdrawn JPH07122808A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ変調回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122808A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063309A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Oepic, Inc. | High-speed to-can optoelectronic packages |
| EP1389812A1 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | Agilent Technologies Inc | A mounting arrangement for high frequency electro-optical components |
| JP2005317896A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2012531033A (ja) * | 2009-08-31 | 2012-12-06 | 西安炬光科技有限公司 | レーザ用冷却モジュール、製造方法および該モジュールで製造した半導体レーザ |
| CN114362841A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-15 | 深圳市卓汉材料技术有限公司 | 一种无源互调测试治具与无源互调测试系统 |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26920493A patent/JPH07122808A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063309A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Oepic, Inc. | High-speed to-can optoelectronic packages |
| WO2003063309A3 (en) * | 2002-01-18 | 2004-05-13 | Oepic Inc | High-speed to-can optoelectronic packages |
| US6920161B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-07-19 | Oepic Semiconductors, Inc. | High-speed TO-can optoelectronic packages |
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| US7558303B2 (en) | 2002-08-13 | 2009-07-07 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Mounting arrangement for high-frequency electro-optical components |
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| JP4583128B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-11-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2012531033A (ja) * | 2009-08-31 | 2012-12-06 | 西安炬光科技有限公司 | レーザ用冷却モジュール、製造方法および該モジュールで製造した半導体レーザ |
| CN114362841A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-15 | 深圳市卓汉材料技术有限公司 | 一种无源互调测试治具与无源互调测试系统 |
| CN114362841B (zh) * | 2021-12-13 | 2023-12-15 | 深圳市卓汉材料技术有限公司 | 一种无源互调测试治具与无源互调测试系统 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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