[go: up one dir, main page]

JP3786398B2 - 半導体パッケージの配線方法 - Google Patents

半導体パッケージの配線方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3786398B2
JP3786398B2 JP2000271290A JP2000271290A JP3786398B2 JP 3786398 B2 JP3786398 B2 JP 3786398B2 JP 2000271290 A JP2000271290 A JP 2000271290A JP 2000271290 A JP2000271290 A JP 2000271290A JP 3786398 B2 JP3786398 B2 JP 3786398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
input
arc
line
design
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000271290A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002083006A (ja
Inventor
保 北村
貴之 長崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2000271290A priority Critical patent/JP3786398B2/ja
Priority to GB0121043A priority patent/GB2370693B/en
Priority to US09/945,964 priority patent/US6596549B2/en
Publication of JP2002083006A publication Critical patent/JP2002083006A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3786398B2 publication Critical patent/JP3786398B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/394Routing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Layout of the interconnection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226Via connections in a multilevel interconnection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01041Niobium [Nb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する利用分野】
本発明は半導体チップに接続されるパッド部と該パッド部の周囲にビア部とを仮想平面上に配置し、パッド部とビア部とを接続する配線パターンを形成するCADシステムを用いた半導体パッケージの配線方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
CADシステムを用いて、PBGAやEBGAなどの半導体パッケージの配線設計をする場合、仮想メモリ(仮想平面)上で半導体チップの電極端子と電気的に接続されるパッド部(例えばワイヤボンディングパッド)とその周囲に設けられたビア部(ランド部)との間或いはビア部どうしの間を、配線パターンにより個々に接続するように設計される。
【0003】
一般に、プリント配線基板(PCB)用の配線は基板の多層配線構造とあいまって直線が主体であり、配線の引き回しはある配線部分に対し90度引き回し配線或いは45度引き回し配線によるものが主流である。これに対し半導体パッケージの場合には、基板中央部に設けられたダイパッド部から周辺部に設けられたビア部(ランド部)などの比較的不規則に配置されたビア部に向かって放射状に配線され、しかも1対1で接続されるため、プリント配線基板(PCB)用の配線理論をそのまま適用するのは設計ルール(ライン&スペース)に適合しない場合が多い。特にPBGAでは基板上に半導体チップを樹脂封止するためのゲート部が設けられることが多いため、ビア部(ランド部)の位置が不規則になり易い。
【0004】
ここで、CADシステムを用いて半導体パッケージの配線設計を行う場合の一般的な手順について説明する。半導体パッケージ用の基板が単層配線若しくは多層配線の場合にも各レイヤーごとに配線設計が行われる。具体的には、設計者はCADシステムを用いてその仮想平面上で半導体パッケージの外形を決め、接続端子が形成されるランド部(ビア部)の配置を決める。次に、半導体チップを搭載するダイパッドの外形を形成し、その周囲にボンディングパッドを直線状、ジグザグ状若しくは円弧状など任意に配置する。次に、ボンディングパッドと半導体チップのチップパッドとを結線する。
【0005】
次に、ボンディングパッドとビア部(ランド部)、或いはビア部とビア部との間へ配線どうしが交差しないように配線ルートを決めながら配線する(フリップチップ接続の場合にはチップ端子接続部とビア部(ランド部)との間を配線する)。このとき、ビア部(ランド部)間のライン&スペースを計算して設計ルールを満たすように配線ルートを決めながら全てのボンディングパッドからビア部(ランド部)に対して一旦配線を行った後、配線の偏りやビア部(ランド部)の位置の偏りを修正すべく、再度配線設計をし直す必要も生じていた。
【0006】
また、半導体パッケージ用の配線設計を行うために開発された方法として、いわゆるEven・Spaceと呼ばれる方法がある。これは、例えばCADシステム上で円弧と線分を用いて自動配線を行った後、線分の幅を太らせたり、ビア部間の配線間隔(ライン&スペース)をある程度均等に修正する方法である。これは、例えばビア部の周囲に等間隔に同心円を描いて特定の同心円どうしで接線を引いて隣接するビア部間の配線経路を自動的に決定する。この自動配線の結果として生じた配線の偏り及び集中を後で是正するように開発された方法である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
設計者が一通りボンディングパッドとビア部(ランド部)へ仮想配線してから、配線間隔やビア部(ランド部)位置の偏りを修正するとしても、ランド部の位置は無制限に変更できないことから、実質的に配線位置の変更が困難になり、設計のやり直しを迫られる場合が生じていた。また、配線ルートの決定と配線間隔が設計ルールに見合っているか否かを同時にチェックして実現しようとすると、システムが複雑化し、システムの拡張や変更がし難くなり、良い配線結果が得られ難いという課題があった。
【0008】
また、Even・Spaceという方法は、半導体パッケージ用の基板に形成されるビア部(ランド部)が規則正しく等間隔に形成されている場合には比較的有用であるが、該ビア部はパッケージによって様々であり不規則な配置形態を取ることが多い。特に、ビア部の周囲に余分な空きスペースが形成されている場合には、配線が冗長になったり配線経路に偏りが生じ易い。
この場合、配線間隔が過密なビア部の同心円の半径を大きく形成して配線し直したり、円弧を切断して配線をつなぎ直したり、他のスペースに移動させたりする必要があり、修正工程に手間がかかり自動配線のメリットが反映されない上に、配線の接続ミスも生じ易い。
【0009】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、配線ルートのみを決めるラフ配線処理と該ラフ配線処理された配線ルートに基づいて設計ルールに適合するよう配線を形成して成形化する配線成形化処理に分けて行うことにより半導体パッケージの配線設計を省力化、高速化して行える半導体パッケージの配線方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は次の構成を備える。
即ち、制御部に備えたCPUがROMに記憶された設計動作プログラムを読み出して、入力部から入力された線の種類、座標データ、配線幅、配線間隔を含む入力データが入力されると、制御部が設計動作プログラムに基づいて演算処理を行って仮想平面上に配線設計データを画面表示するCADシステムを用いて、半導体チップに接続されるパッド部と該パッド部の周囲にビア部とを仮想平面上に仮想配置し、前記パッド部とビア部とを結線する配線パターンを形成する半導体パッケージの配線方法において、入力部からの入力操作により、前記パッド部に近い最内周側から最外周側に至る第1列〜第n列の端子列を順次特定すると、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により前記パッド部と当該特定した端子列に存在する所定のビア部とを線分で結んで当該ビア部間を均等な間隔で線分が通過するように端子列毎に配線ルートを決定した仮想平面上で、前記パッド部から最外周側のビア部に至るまで結線された配線ルートを用いて、入力部から設計ルールに基づくクリアランスを入力すると、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により入力されたクリアランスで各ビア部の周囲に同心状に円弧を描いて、互いに交差する円弧どうしの間の交点を結ぶ線分を描き、配線ルートを示す線分と交差する円弧どうしの間で接線を描き、円弧と当該円弧が交差するビア部中心との間で接線を描いて配線パターンに成形化することを特徴とする。
また、各ビア部間を通過する配線パターンに偏りが生じている場合に、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により当該ビア部間の距離の均等点を形成して修正円の中心座標を演算により求め、元の円弧を削除し接点と均等点との間を演算により求めた中心座標を中心とする修正円弧で結ぶことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。本実施例では、CADシステムを用いて仮想平面上に描かれた半導体パッケージの外形内に、半導体チップが搭載されるダイパッド部と、該ダイパッド部の周囲に半導体チップの電極端子(チップパッド)とワイヤボンディング接続されるボンディングパッド部と、該ボンディングパッド部の周囲にビア部(ランド部)が配置され、ボンディングパッド部とビア部間とを接続する配線パターンを設計する場合の配線方法について説明する。尚、ビア部はランド部の直上に形成される場合が多く、本実施例ではビア部と言うときは、ランド部の位置をも指し示すものとする。また、多層配線の場合、レイヤーによってはビア部とビア部とを配線する場合も同様の手法が用いられるものとする。図1〜図8はラフ配線工程の一例を示す各状態画面説明図、図9は配線成形化工程を示すフローチャート、図10〜図17は配線成形化工程の一例を示す状態毎の画面説明図、図18はCADシステムの構成を示すブロック図である。
【0012】
先ず、半導体パッケージ用の配線設計を行うCADシステムの概略構成について図18に示すブロック図を参照して説明する。1はCADシステムであり、以下に述べる構成を有する。2は制御部であるCPUであり、入力情報に応じてCADシステム1の各部に命令を発信してシステム全体の動作を制御する。3はROMであり、CADシステムの設計動作プログラムが格納されている。4はRAMであり、各種データを一時記憶したりCPU2のワークエリアとして用いられる。5は入力部であり、キーボード、マウスなどを供えており、線の種類、座標データ、配線幅、配線間隔(クリアランス)など各種入力データが入力される。6はディスプレイであり、パッケージの設計データを画面表示する。7はハードディスク(HD)であり、各レイヤー毎に配線設計されたデータなどをファイル等に格納して管理する。8はドライブ装置であり、内蔵されたハードディスク7を駆動するほかにフロッピーディスク(FD)9などの外部記憶媒体を駆動する。10は入出力インターフェース(I/O)であり、制御部と入力部5や各種出力部との命令やデータの交換が行われる。入出力インターフェース10には、HDやFD増設用のドライブ装置を接続したり、プリンターなどを接続しても良い。
【0013】
CPU2は、ROM3に記憶された設計動作プログラムをRAM4に読み出し、入力部5から入力された入力情報に応じて仮想平面上で配線設計を行い、その結果をディスプレイ6に表示する。また、配線設計データは、ハードディスク7やフロッピーディスク9などに格納される。
【0014】
次に、パッケージの自動配線方法について図1〜図17を参照して説明する。
先ず前提として、設計者はCADシステム1上でパッケージの外形を決め、接続端子が形成されるランド部(ビア部)の位置を仮想配置する。次に、半導体チップを搭載するダイパッド部の外形を形成し、その周囲にボンディングパッド部を直線状、ジグザグ状若しくは円弧状など任意に仮想配置する。次にボンディングパッド部とチップパッドとを結線する。
次に、ボンディングパッド部からビア部(ランド部)へ配線どうしが交差しないようにラフ配線して線分により配線ルートを決め、次いで配線成形化により設計ルールに見合った配線パターンを形成する。以下、各工程について説明する。
【0015】
ラフ配線工程は、ボンディングパッド部に近い最内周側から最外周側に至る第1列〜第n列の端子列を順次特定し、ボンディングパッド部と当該特定した端子列に存在する所定のビア部とを線分により結ぶと共にビア部間を均等に配線パターンが通過できるように線分により配線ルートを決定する。
具体的には、図1において、仮想点Pを両側に設けて該仮想点Pを含むようにボンディングパッド部11に近い最内周側の第1列目の端子列(n=1)を特定する。そして、ボンディングパッド部11と所定のビア部12とを線分13により結ぶ。ボンディングパッド部11と結線されるビア部12は、予め指定されているか或いはボンディングパッド部11と最も近い位置のビア部12が結線される。
【0016】
次に、図2において残ったボンディングパッド部11からビア部12間に均等な間隔で交差することなく線分13を描いて配線ルートを形成する。このとき、ビア部12間に仮想配置される線分13の端点は、第1列目の端子列(n=1)において隣接する線分どうしのライン&スペースを見ながら均等配置される。
【0017】
図3及び図4は第2列目の端子列(n=2)に対して図1及び図2と同様にして線分13を形成した状態を示す。また、図5及び図6は第3列目の端子列(n=3)に対して図1及び図2と同様にして線分13を形成した状態を示す。また、図7及び図8は第4列目の端子列(n=4)に対して図1及び図2と同様にして線分13を形成した状態を示す。
【0018】
このとき、例えば、図6において第3列目の線分13を形成した結果、第3列目の端子列に属する端点の配置に偏りがある場合に、該当するビア部12(図7の矢印参照)の位置を移動修正してライン&スペースが均等になるように修正する。
【0019】
以上の作業を、第n列目までの端子列を順次特定して当該端子列に存在するビア部12に対して同様に線分により配線ルートを形成し偏りがある場合にこれを修正する工程を繰り返し行い、ボンディングパッド部11から最外周側のビア部12に至る配線ルートを線分13により決定する。
この状態では、各端子列に属する線分13の隣接する端点間のライン&スペースは均等に配置されているが、各端子列間を結ぶ線分どうしは狭かったり広かったりしてばらつきがある(図10参照)。
【0020】
そこで、以下に述べる配線成形化工程が行われる。配線成形化工程は、ラフ配線工程で決定された配線ルートに基づいてボンディングパッド部11から最外周側のビア部12に至る配線パターン14を設計ルールに基づいて形成し各ビア部12間を均等に通過するよう成形化する。
【0021】
以下、配線成形化工程について、図9に示すフローチャートに基づいて各状態毎に図10〜図17を参照しながら説明する。ボンディングパッド部11から最外周側のビア部12に至るまでの配線ルートのみが決定されたラフ配線図を用いる。図9のステップS1において、先ず設計者がクリアランス(ライン&スペース)を設定する。クリアランスの設定値はキーボードなどの入力部5より入力する。次に、ステップS2において各ビア部12の周囲に上記設定されたクリアランスで円弧14を同心状に描く(図11参照)。そして、ステップS3において、円弧14がビア部12(ランド部)と交差するか否か判定する。円弧14がビア部12(ランド部)と交差する場合には、ステップS4においてビア部12(ランド部)の中心から該当する円弧(配線円弧)14に対して接線(配線線分)15を引く。また、円弧14がビア部12(ランド部)と交差しない場合には、ステップS5において線分13が交差する円弧(配線円弧)14どうしの間で接線(配線線分)16を引き、円弧14どうしが交差する場合にも円弧(配線円弧)14どうしの間で共通接線(配線線分)17を引く(図12参照)。このようにして、予め設定されたライン&スペース幅を持った配線パターン18が形成される(図12参照)。
【0022】
次に、ステップS6において、各ビア部12間を通過している配線パターン18の間隔は適切か否か判定する。即ち、図13のビア部12a−12b間のエリアAを通過している配線パターン18のライン&スペースに偏りが生じている。この場合に、当該ビア部12a−12b間のクリアランスを考慮した修正円弧を描いて各接線と接続するように再配線し直す。以下、一例としてエリアAについて再配線する場合について説明する。
【0023】
ステップS7に進行して、ビア部12a−12b間を均等に振り分けた均等点Dを形成する。次にステップS8に進行して、各均等点Dと接点C(円弧14と接線16、17との交点)を通る修正円弧19を描く(図14参照)。尚、修正円弧19でなく修正楕円でも良いが、CADシステム1で楕円が描けないため修正円弧19にて近似させている。また、修正円弧19を描く場合の修正円の中心O´の決め方について説明すると、元の円弧14の接点Cと端点B及び該円弧14の円の中心Oにより定義される二等辺三角形OCBにおいて頂点Oから辺CBに下ろした垂直等分線をOMとする。辺CBは円弧14の弦であるからその垂直二等分線であるOMは円の中心Oを通過する。よって、この二等辺三角形OCBと相似する二等辺三角形O´CDの頂点O´の位置を求めれば良い。この場合、頂点O´から辺CDに下ろした垂直等分線をO´M´とすると、OM:CB=O´M´:CDよりO´M´の長さが求まるため、M´の座標に対してO´の座標が容易に求まる(図14参照)。
【0024】
次に、ステップS9において、元の円弧14を削除すると共に各接点Cと対応する均等点Dとを修正円弧(修正円弧配線)19により結ぶ(図15参照)。また、ステップS6において、ビア部12間に形成された配線パターン18のライン&スペースが適切な場合にはステップS10に進行する。接線16、17と修正円弧19との接続部20は、くの字状に折れ曲がって形成される場合がある(図15参照)。ステップS10において、配線パターン18の接続部20の補正が必要か否か判断する。補正の必要がない場合には、配線成形化工程を終了するが、補正の必要がある場合にはステップ11に進行する。ステップ11において、修正円弧19側を経験則に基づいて配線幅の1〜3倍程度の長さの修正線分21にて置き換えて修正する。具体的には、設計者が補正する修正線分21の長さを入力部5より設定する。そして、ステップ12において、接線16、17と修正円弧19との接続部20を修正線分21に置き換えて補正する。尚、接点Cがビア部12から引いた接線15と修正円弧19との交点の場合には、修正線分21にて置き換えを行った後、修正円弧19は削除する(図16参照)。
最終的にボンディングパッド部11とビア部12との間に各々形成された修正配線パターン22を図17に示す。
【0025】
以上のような、ラフ配線工程と配線成形化工程を各レイヤー毎に繰り返して設計することで全体として半導体パッケージの配線設計が行われる。
【0026】
本願発明に係る半導体パッケージの配線方法によれば、ラフ配線工程により配線ルートのみを先行して決めておき、次いで配線成形工程により実際の設計ルールに照らし合わせて、ライン&スペースを見ながら均等に自動配線できるので、配線ルートと設計ルールを同時に考慮した複雑な数学的な演算処理を減らし、配線全体の設計のやり直しなどの無駄を省いて、省力化、高速化して配線設計が可能になった。また、配線成形工程において、一旦仮想配置した配線パターンを修正しながら最終的に偏りなく均等に設計できしかも配線長を最短で形成できるので配線効率が良く、不良品の発生を抑えて半導体パッケージの歩留まりを向上させることができる。
【0027】
以上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、本発明は上述した各実施例に限定されるのものではなく、ラフ配線工程の端子列の決め方は、必ずしもダイパッド部の外形に沿わなくても、任意の端子列を取って配線することも可能である。また、ビア部12(ランド部)はドリル穴形状が円形に形成されるため、配線形状も線分と円弧を中心に形成したが、該ビア部の形状が変わればこれに添う形で配線形状も変更可能である。また、上記実施例は半導体チップを基板にワイヤボンディング接続する場合について説明したが、フリップチップ接続する場合に用いても良く、多層配線にも適用できる等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【0028】
【発明の効果】
本発明に係る半導体パッケージの配線方法を用いると、ラフ配線工程により配線ルートのみを先行して決めておき、次いで配線成形工程により実際の設計ルールに照らし合わせて、ライン&スペースを見ながら均等に配線できるので、配線ルートと設計ルールを同時に考慮した複雑な数学的な演算処理を減らし、配線全体の設計のやり直しなどの無駄を省いて、省力化、高速化して配線設計が可能になった。また、配線成形工程において、一旦仮想配置した配線パターンを修正しながら最終的に偏りなく均等に設計できしかも配線長を最短で形成できるので配線効率が良く、不良品の発生を抑えて半導体パッケージの歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図2】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図3】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図4】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図5】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図6】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図7】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図8】ラフ配線工程の一例を示す画面説明図である。
【図9】配線成形化工程を示すフローチャートである。
【図10】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図11】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図12】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図13】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図14】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図15】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図16】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図17】配線成形化工程の一例を示す画面説明図である。
【図18】 CADシステムの構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 CADシステム
2 CPU
3 ROM
4 RAM
5 入力部
6 ディスプレイ
7 ハードディスク
8 ドライブ装置
9 フロッピーディスク
10 入出力インターフェース
11 ボンディングパッド部
12 ビア部
13 線分
14 円弧
15、16、17 接線
18 配線パターン
19 修正円弧
20 接続部
21 修正線分
22 修正配線パターン

Claims (2)

  1. 制御部に備えたCPUがROMに記憶された設計動作プログラムを読み出して、入力部から入力された線の種類、座標データ、配線幅、配線間隔を含む入力データが入力されると、制御部が設計動作プログラムに基づいて演算処理を行って仮想平面上に配線設計データを画面表示するCADシステムを用いて、半導体チップに接続されるパッド部と該パッド部の周囲にビア部とを仮想平面上に仮想配置し、前記パッド部とビア部とを結線する配線パターンを形成する半導体パッケージの配線方法において、
    入力部からの入力操作により、前記パッド部に近い最内周側から最外周側に至る第1列〜第n列の端子列を順次特定すると、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により前記パッド部と当該特定した端子列に存在する所定のビア部とを線分で結んで当該ビア部間を均等な間隔で線分が通過するように端子列毎に配線ルートを決定した仮想平面上で、前記パッド部から最外周側のビア部に至るまで結線された配線ルートを用いて、入力部から設計ルールに基づくクリアランスを入力すると、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により入力されたクリアランスで各ビア部の周囲に同心状に円弧を描いて、互いに交差する円弧どうしの間の交点を結ぶ線分を描き、配線ルートを示す線分と交差する円弧どうしの間で接線を描き、円弧と当該円弧が交差するビア部中心との間で接線を描いて配線パターンに成形化することを特徴とする半導体パッケージの配線方法。
  2. 各ビア部間を通過する配線パターンに偏りが生じている場合に、設計動作プログラムに基づく制御部の演算処理により当該ビア部間の距離の均等点を形成して修正円の中心座標を演算により求め、元の円弧を削除し接点と均等点との間を演算により求めた中心座標を中心とする修正円弧で結ぶことを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの配線方法。
JP2000271290A 2000-09-07 2000-09-07 半導体パッケージの配線方法 Expired - Lifetime JP3786398B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000271290A JP3786398B2 (ja) 2000-09-07 2000-09-07 半導体パッケージの配線方法
GB0121043A GB2370693B (en) 2000-09-07 2001-08-30 Wiring method for semiconductor package
US09/945,964 US6596549B2 (en) 2000-09-07 2001-09-04 Automatic wiring method for semiconductor package enabling design of high-speed wiring for semiconductor package with reduced labor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000271290A JP3786398B2 (ja) 2000-09-07 2000-09-07 半導体パッケージの配線方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002083006A JP2002083006A (ja) 2002-03-22
JP3786398B2 true JP3786398B2 (ja) 2006-06-14

Family

ID=18757600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000271290A Expired - Lifetime JP3786398B2 (ja) 2000-09-07 2000-09-07 半導体パッケージの配線方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6596549B2 (ja)
JP (1) JP3786398B2 (ja)
GB (1) GB2370693B (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002092061A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージの配線編集方法
TW548816B (en) * 2002-01-23 2003-08-21 Via Tech Inc Formation method of conductor pillar
JP4133429B2 (ja) * 2003-02-24 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
JP4425044B2 (ja) 2004-04-13 2010-03-03 新光電気工業株式会社 半導体パッケージにおける自動配線方法および装置ならびに自動識別装置
JP4549094B2 (ja) 2004-04-16 2010-09-22 新光電気工業株式会社 クリアランス検査装置および方法
TW200601909A (en) * 2004-06-18 2006-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd System and method for calculating net-length of the mainboard layout
JP4467398B2 (ja) 2004-10-05 2010-05-26 新光電気工業株式会社 自動配線決定装置
US7594215B2 (en) * 2004-11-20 2009-09-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for optimized automated IC package pin routing
US7353480B1 (en) * 2004-12-07 2008-04-01 Nvidia Corporation Apparatus, system, and method for designing via pads having extended contours
JP4443450B2 (ja) 2005-03-24 2010-03-31 新光電気工業株式会社 自動配線決定装置
JP4587878B2 (ja) 2005-06-02 2010-11-24 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の自動設計方法および自動設計装置
JP4467495B2 (ja) 2005-09-28 2010-05-26 新光電気工業株式会社 配線パターン決定方法およびそのコンピュータプログラム
US7871831B1 (en) 2006-03-01 2011-01-18 Cadence Design Systems, Inc. Method for connecting flip chip components
JP4637043B2 (ja) * 2006-03-23 2011-02-23 新光電気工業株式会社 自動配線整形方法および自動配線整形装置
JP2008009851A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動配線整形方法
US8006216B1 (en) * 2008-06-06 2011-08-23 Magma Design Automation, Inc. Dynamic push for topological routing of semiconductor packages
JP5501102B2 (ja) * 2010-06-03 2014-05-21 新光電気工業株式会社 配線設計装置及び配線設計方法
JP5526016B2 (ja) * 2010-12-24 2014-06-18 新光電気工業株式会社 基板設計装置及び基板設計方法
US10806030B2 (en) 2015-01-15 2020-10-13 International Business Machines Corporation Multi-layer circuit using metal layers as a moisture diffusion barrier for electrical performance
US10381276B2 (en) * 2015-12-17 2019-08-13 International Business Machines Corporation Test cell for laminate and method
JP7123692B2 (ja) * 2018-08-13 2022-08-23 株式会社日本マイクロニクス 配線基板設計支援装置、配線基板ビア配置方法及び配線基板ビア配置プログラム
EP3953852A1 (en) * 2019-08-12 2022-02-16 Synopsys, Inc. Methods and systems to perform automated routing
CN113419485B (zh) * 2021-06-25 2022-07-15 吉安砺芯半导体有限责任公司 定位打孔方法、设备、存储介质及装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2747235B1 (fr) * 1996-04-03 1998-07-10 Bull Sa Boitier de circuit integre
FR2761510B1 (fr) * 1997-03-27 1999-04-30 Bull Sa Ecran et montage des circuits de commande des pixels de l'ecran
JP3274633B2 (ja) * 1997-09-29 2002-04-15 ローム株式会社 半導体集積回路装置
JP2001015637A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp 回路配線方式及び回路配線方法及び半導体パッケージ及び半導体パッケージ基板

Also Published As

Publication number Publication date
GB0121043D0 (en) 2001-10-24
JP2002083006A (ja) 2002-03-22
GB2370693B (en) 2004-06-16
US6596549B2 (en) 2003-07-22
GB2370693A (en) 2002-07-03
US20020028573A1 (en) 2002-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3786398B2 (ja) 半導体パッケージの配線方法
US20060071322A1 (en) Automatic trace determination method and apparatus for automatically determining optimal trace positions on substrate using computation
KR900003832B1 (ko) 반도체 집적회로장치의 배선방법
JP2959444B2 (ja) フリップチップ型半導体装置の自動配置配線方法
US7454736B2 (en) Automatic trace determination apparatus and computer program thereof
US6662351B2 (en) Wiring editing method, for semiconductor package, capable of easily editing offset of wiring pattern
US7496878B2 (en) Automatic wiring method and apparatus for semiconductor package and automatic identifying method and apparatus for semiconductor package
US20080022234A1 (en) Automatic Trace Shaping Method
JP7139552B2 (ja) 半導体集積回路の配線設計装置及び半導体集積回路の配線設計用プログラム
JP3721304B2 (ja) めっき引き出し線の配線方法
US7627846B2 (en) Method and apparatus for automatically shaping traces on surface of substrate of semiconductor package by using computation
JP2522458B2 (ja) ワイヤ―ボンディング用ランドパタ―ンデ―タの生成方法
US20070072316A1 (en) Wiring pattern determination method and computer program product thereof
JP2002123564A (ja) 半導体パッケージの配線方法
JPS61240652A (ja) 半導体集積回路装置
US20030161124A1 (en) Wiring-design system for wiring-board for area-input/output-type semiconductor chip
JPH06295955A (ja) 集積回路のレイアウト方法および半導体装置
JP2010123063A (ja) 自動配線整形方法およびこのコンピュータプログラム
JPH1092940A (ja) レイアウト方法
JPH0642255B2 (ja) Icにおける機能ブロックの端子位置決定方式
JPH0329343A (ja) 半導体集積回路の配線方法
JPH01274276A (ja) 自動配線機能付レイアウトエディタ
JP2000114387A (ja) パターンレイアウト装置、その方法およびパターンレイアウトプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記憶媒体
JPH01218051A (ja) ウエハ規模集積回路の配線構造
JPH02278830A (ja) 半導体装置の配線方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120331

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130331

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140331

Year of fee payment: 8