JP3774278B2 - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3774278B2 JP3774278B2 JP27048196A JP27048196A JP3774278B2 JP 3774278 B2 JP3774278 B2 JP 3774278B2 JP 27048196 A JP27048196 A JP 27048196A JP 27048196 A JP27048196 A JP 27048196A JP 3774278 B2 JP3774278 B2 JP 3774278B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- thin film
- transistor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
- H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
- H10D30/0314—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral top-gate TFTs comprising only a single gate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
- H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6731—Top-gate only TFTs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法に係り、より詳しくは、レーザビーム照射による活性化の際にこのレーザビームの全透過が可能な絶縁層がゲート電極上に形成されていて、ソース／ドレイン形成のためのイオン注入時にゲート電極が損傷されることを防止する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は薄膜トランジスタおよび画素電極による多数の画素単位が行列の形態で形成されており、ゲートラインおよびデータラインがそれぞれ画素行と画素列に沿って形成されている薄膜トランジスタ基板と、共通電極が形成されているカラーフィルタ基板およびその間に封じ入れている液晶物質を含んでいる。
【０００３】
このとき、前記薄膜トランジスタ基板およびそのゲート電極は、ゲート駆動ドライブからのゲート駆動信号がゲートラインを介して入力されアクティブ層にチャンネルを形成させる。これによってデータ駆動ドライブからのデータ信号が前記データラインを通じてソース電極に伝達され、半導体層とドレイン電極を経て画素電極に伝達される。
【０００４】
このような液晶表示装置はアクティブ層を多結晶シリコンを用いて形成することができる。このとき、多結晶シリコンで形成したアクティブ層にソース／ドレイン領域を形成するために不純物イオンを注入して活性化する方法として、工程中の温度に基づいて高温工程と低温工程とに分けることができる。
まず、高温工程は高いイオン電流あるいは高い基板温度、すなわち２００℃ないし３００℃におけるイオンシャワー注入技術を用いる方法である。この方法では、イオンシャワー注入の際にフォトレジストマスクの使用が難しく金属マスクを使用する工程が必要になり、これによって製造工程が複雑で生産費用が多くかかるという短所がある。
【０００５】
次に、低温工程は低い温度、すなわち１００℃以下の基板温度でイオン注入を行い、この後レーザを用いて活性化する方法である。
このようなレーザを用いた活性化方法では、レーザ照射を行う際にゲート電極が露出しているため、急激な熱膨張によるヒルロックが発生する。特に、ゲート電極がイオン注入工程を経た後ゲート電極内に不純物が流入されるとき、レーザ波長に対する吸収係数が急激に増加してヒルロックの発生がさらに激しくなるという問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、低い基板温度でアクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行う低温工程を用いることにより製造コストを低減するとともに、レーザビームの照射により活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止することが可能な液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に金属層を蒸着する工程と、前記金属層上に絶縁膜を積層する工程と、前記金属層と前記絶縁膜とを同時にパターニングしてゲート電極及びイオン遮断層を各々形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に不純物イオンを注入してソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域にイオン注入された不純物をレーザビームを用いてアニーリングする工程とを含み、前記イオン遮断層は前記不純物イオンが前記ゲート電極の表面に移動することを防止する物質で形成することを特徴とする。
【０００８】
ここで、絶縁膜として、照射されるレーザビームのエネルギーバンドギャップより大きいバンドギャップを有する絶縁物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成することができる。
このことにより、多結晶シリコン膜で形成された基板上のアクティブ層にレーザビームを照射することによって不純物イオンの注入を行う際に、ゲート電極上に位置する絶縁膜によって、注入されたイオンはゲート電極の表面まで至ることなく、また活性化を行うために照射されたレーザビームはこの絶縁膜を通過してゲート電極の表面で全反射されることとなる。このことから、ゲート電極の損傷を防止することができる。
【０００９】
また、アニーリングする工程で用いられるレーザビームとして、ＸｅＣｌを、用いることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示す断面図であり、図２ないし図８は本発明の実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【００１１】
まず、図２に示すように、基板２上に多結晶シリコン膜を積層してアクティブ層４を形成する。
次に、図３に示すように、多結晶シリコン膜によるアクティブ層４上に酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を用いてゲート絶縁膜６を形成する。
次に、図４に示すように、ゲート絶縁膜６上にアルミニウム（Ａｌ）で金属層８を積層する。
【００１２】
次に、図５に示すように、金属層８上に絶縁膜１０を積層する。
次に、図６に示すように、金属層８と絶縁膜１０とを同時にパターニングする。
次に、図７に示すように、ｎ+ 不純物をイオン注入１２してイオン注入領域４−１を形成する。
【００１３】
次に、図８に示すように、アクティブ層４にイオン注入された不純物をレーザビーム１４の照射によってアニーリングする。
絶縁膜１０はバンドギャップが８．０ｅＶ程度であるＳｉＯ2を形成する。これは、アニーリングを行うために照射する代表的なレーザビームであるＸｅＣｌの波長が３０８ｎｍであるため、これをエネルギーの大きさで換算すると４．０ｅＶである。従って、これよりバンドギャップが大きい絶縁膜１０を形成することにより、レーザビームの照射によるアニーリングの際にゲート電極８が損傷されることを防止できる。
【００１４】
また、絶縁膜１０としてバンドギャップエネルギーが５ｅＶであるＳｉＮｘを用いることも可能である。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明ではアクティブ層のソース／ドレイン領域に不純物イオンの注入を行う際に、注入を行う不純物イオンがゲート電極に至ることを抑制することができ、ソース／ドレイン領域に注入されたイオンを活性化する際に、照射されるレーザビームを透過させることによってゲート電極の損傷を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示す断面図である。
【図２】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
２ 基板
６ ゲート絶縁膜
８ 金属層（ゲート電極）
１０ 絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法に係り、より詳しくは、レーザビーム照射による活性化の際にこのレーザビームの全透過が可能な絶縁層がゲート電極上に形成されていて、ソース／ドレイン形成のためのイオン注入時にゲート電極が損傷されることを防止する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は薄膜トランジスタおよび画素電極による多数の画素単位が行列の形態で形成されており、ゲートラインおよびデータラインがそれぞれ画素行と画素列に沿って形成されている薄膜トランジスタ基板と、共通電極が形成されているカラーフィルタ基板およびその間に封じ入れている液晶物質を含んでいる。
【０００３】
このとき、前記薄膜トランジスタ基板およびそのゲート電極は、ゲート駆動ドライブからのゲート駆動信号がゲートラインを介して入力されアクティブ層にチャンネルを形成させる。これによってデータ駆動ドライブからのデータ信号が前記データラインを通じてソース電極に伝達され、半導体層とドレイン電極を経て画素電極に伝達される。
【０００４】
このような液晶表示装置はアクティブ層を多結晶シリコンを用いて形成することができる。このとき、多結晶シリコンで形成したアクティブ層にソース／ドレイン領域を形成するために不純物イオンを注入して活性化する方法として、工程中の温度に基づいて高温工程と低温工程とに分けることができる。
まず、高温工程は高いイオン電流あるいは高い基板温度、すなわち２００℃ないし３００℃におけるイオンシャワー注入技術を用いる方法である。この方法では、イオンシャワー注入の際にフォトレジストマスクの使用が難しく金属マスクを使用する工程が必要になり、これによって製造工程が複雑で生産費用が多くかかるという短所がある。
【０００５】
次に、低温工程は低い温度、すなわち１００℃以下の基板温度でイオン注入を行い、この後レーザを用いて活性化する方法である。
このようなレーザを用いた活性化方法では、レーザ照射を行う際にゲート電極が露出しているため、急激な熱膨張によるヒルロックが発生する。特に、ゲート電極がイオン注入工程を経た後ゲート電極内に不純物が流入されるとき、レーザ波長に対する吸収係数が急激に増加してヒルロックの発生がさらに激しくなるという問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、低い基板温度でアクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行う低温工程を用いることにより製造コストを低減するとともに、レーザビームの照射により活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止することが可能な液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に金属層を蒸着する工程と、前記金属層上に絶縁膜を積層する工程と、前記金属層と前記絶縁膜とを同時にパターニングしてゲート電極及びイオン遮断層を各々形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に不純物イオンを注入してソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域にイオン注入された不純物をレーザビームを用いてアニーリングする工程とを含み、前記イオン遮断層は前記不純物イオンが前記ゲート電極の表面に移動することを防止する物質で形成することを特徴とする。
【０００８】
ここで、絶縁膜として、照射されるレーザビームのエネルギーバンドギャップより大きいバンドギャップを有する絶縁物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成することができる。
このことにより、多結晶シリコン膜で形成された基板上のアクティブ層にレーザビームを照射することによって不純物イオンの注入を行う際に、ゲート電極上に位置する絶縁膜によって、注入されたイオンはゲート電極の表面まで至ることなく、また活性化を行うために照射されたレーザビームはこの絶縁膜を通過してゲート電極の表面で全反射されることとなる。このことから、ゲート電極の損傷を防止することができる。
【０００９】
また、アニーリングする工程で用いられるレーザビームとして、ＸｅＣｌを、用いることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示す断面図であり、図２ないし図８は本発明の実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【００１１】
まず、図２に示すように、基板２上に多結晶シリコン膜を積層してアクティブ層４を形成する。
次に、図３に示すように、多結晶シリコン膜によるアクティブ層４上に酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を用いてゲート絶縁膜６を形成する。
次に、図４に示すように、ゲート絶縁膜６上にアルミニウム（Ａｌ）で金属層８を積層する。
【００１２】
次に、図５に示すように、金属層８上に絶縁膜１０を積層する。
次に、図６に示すように、金属層８と絶縁膜１０とを同時にパターニングする。
次に、図７に示すように、ｎ+ 不純物をイオン注入１２してイオン注入領域４−１を形成する。
【００１３】
次に、図８に示すように、アクティブ層４にイオン注入された不純物をレーザビーム１４の照射によってアニーリングする。
絶縁膜１０はバンドギャップが８．０ｅＶ程度であるＳｉＯ2を形成する。これは、アニーリングを行うために照射する代表的なレーザビームであるＸｅＣｌの波長が３０８ｎｍであるため、これをエネルギーの大きさで換算すると４．０ｅＶである。従って、これよりバンドギャップが大きい絶縁膜１０を形成することにより、レーザビームの照射によるアニーリングの際にゲート電極８が損傷されることを防止できる。
【００１４】
また、絶縁膜１０としてバンドギャップエネルギーが５ｅＶであるＳｉＮｘを用いることも可能である。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明ではアクティブ層のソース／ドレイン領域に不純物イオンの注入を行う際に、注入を行う不純物イオンがゲート電極に至ることを抑制することができ、ソース／ドレイン領域に注入されたイオンを活性化する際に、照射されるレーザビームを透過させることによってゲート電極の損傷を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示す断面図である。
【図２】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】 本発明の一実施形態に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
２ 基板
６ ゲート絶縁膜
８ 金属層（ゲート電極）
１０ 絶縁膜
Claims (6)
- 基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に金属層を蒸着する工程と、
前記金属層上に絶縁膜を積層する工程と、
前記金属層と前記絶縁膜とを同時にパターニングしてゲート電極及びイオン遮断層を各々形成する工程と、
前記多結晶シリコン膜に不純物イオンを注入してソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域にイオン注入された不純物をレーザビームを用いてアニーリングする工程とを含み、
前記イオン遮断層は前記不純物イオンが前記ゲート電極の表面に移動することを防止する物質で形成する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記絶縁膜は照射されるレーザビームのエネルギーバンドギャップより大きいバンドギャップを有する絶縁物質で形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記絶縁膜は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）で形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記絶縁膜は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記アニーリング工程で用いられるレーザビームとしてＸｅＣｌを用いることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート電極はアルミニウムで形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035200A KR100188090B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 및 그 제조방법 |
| KR1995P35200 | 1995-10-12 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005172379A Division JP4312741B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-06-13 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09133928A JPH09133928A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3774278B2 true JP3774278B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=19430017
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27048196A Expired - Fee Related JP3774278B2 (ja) | 1995-10-12 | 1996-10-14 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2005172379A Expired - Fee Related JP4312741B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-06-13 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP2008232509A Withdrawn JP2009048199A (ja) | 1995-10-12 | 2008-09-10 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005172379A Expired - Fee Related JP4312741B2 (ja) | 1995-10-12 | 2005-06-13 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP2008232509A Withdrawn JP2009048199A (ja) | 1995-10-12 | 2008-09-10 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP3774278B2 (ja) |
| KR (1) | KR100188090B1 (ja) |
| TW (1) | TWI246620B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3318285B2 (ja) | 1999-05-10 | 2002-08-26 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101781175B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-09-22 | 가천대학교 산학협력단 | 초박막 저결정성 실리콘 채널을 갖는 무접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| WO2019244665A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 住友重機械工業株式会社 | 半導体装置のレーザーアニール方法、半導体装置、レーザーアニール方法、レーザーアニール装置の制御装置およびレーザーアニール装置 |
| CN109920731B (zh) * | 2019-03-20 | 2021-03-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 |
| CN115497816B (zh) * | 2022-10-19 | 2023-10-17 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种半导体场效应集成电路及制备方法 |
-
1995
- 1995-10-12 KR KR1019950035200A patent/KR100188090B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-09-07 TW TW085110952A patent/TWI246620B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-10-14 JP JP27048196A patent/JP3774278B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-13 JP JP2005172379A patent/JP4312741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-10 JP JP2008232509A patent/JP2009048199A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI246620B (en) | 2006-01-01 |
| JPH09133928A (ja) | 1997-05-20 |
| JP2005326867A (ja) | 2005-11-24 |
| KR970024303A (ko) | 1997-05-30 |
| KR100188090B1 (ko) | 1999-07-01 |
| JP4312741B2 (ja) | 2009-08-12 |
| JP2009048199A (ja) | 2009-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6259120B1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JP2623276B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP3325992B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH11233790A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US6777763B1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JPS639978A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2003045889A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに該トランジスタを使った液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2009048199A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 | |
| JPH06333823A (ja) | 多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びリモートプラズマ装置 | |
| JP3347340B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH04340725A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2010098321A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3444047B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4249886B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2546524B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2831006B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2000036602A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置 | |
| JP3413710B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS62119974A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3467571B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH08139016A (ja) | 薄膜集積回路の製造方法 | |
| JP3075498B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH1187724A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH09237898A (ja) | 多結晶半導体ｔｆｔ、その製造方法、及びｔｆｔ基板 | |
| JP3493160B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040528 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050314 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050318 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130224 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140224 Year of fee payment: 8 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |