JP3545501B2 - 両面パターニング法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラス基板等の透明基板の表裏両面にパターニングを施す方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１に基づいて、透明基板の表面にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施す従来方法を説明する。
先ず、図１（ａ）に示すように、透明基板１の表面にパターニングを施す導電膜２を形成し、この導電膜２の表面にポジ型フォトレジスト膜３を形成する。尚、透明基板１の隅部にはアライメントマーカーＭを形成している。
【０００３】
次いで、同図（ｂ）に示すように、露光機に設けた顕微鏡でアライメントマーカーＭを基準に透明基板１をアライメントした後、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この状態で同図（ｃ）に示すように、露光を行い、光（紫外線）が当った部分を可溶化する。
【０００４】
この後、同図（ｄ）に示すように、現像にて露光部（可溶化した部分）を洗い流し、同図（ｅ）に示すように、エッチングを行い、更に同図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜３をアッシングにて除去することで、パターニングを施す。
【０００５】
そして、透明基板１の裏面にもパターニングを施すには、図２に示すように、透明基板１の裏面側に導電膜２及びフォトレジスト膜３を形成するとともに、透明基板１の表面側に設けたアライメントマーカーＭを裏面側から顕微鏡で見てアライメントを行い、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この後は前記と同様の手順によって裏面側にもパターニングを施すようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の方法では、透明基板の両面にパターニングを行う際の裏面側のアライメントを、表面側に設けたアライメントマーカーを基準にして行ているので、アライメント作業に使用する顕微鏡の光軸と透明基板との垂直度にアライメント精度が大きく依存してしまい、またアライメント作業に使用する顕微鏡は焦点深度が浅いので、裏面側から表面側のアライメントマーカーを見ると、像がぼやけてしまい正確なアライメントが行えない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に形成されているアライメントマーカーを裏面側に転写し、この転写したアライメントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行い、次いでフォトリソグラフィ法によって裏面にパターニングを施すようにした。
【０００８】
ここで、表面側に形成されたアライメントマーカーの裏面側への転写の具体的な方法としては、例えば、裏面側にポジ型フォトレジスト膜を形成し、表面側から露光を行って現像することでポジ型フォトレジスト膜からなるアライメントマーカーを裏面側に形成する。
【０００９】
透明基板の表面側にパターニングを施す際には表面側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを行い、裏面側にパターニングを施す際には裏面側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを行うので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確なアライメントが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の態様】
以下に本発明の実施の態様を図３に基づいて説明する。尚、図示例にあっては既に透明基板の表面側にはパターニングが施され、レジストとしてはポジ型のものを例にとって説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように透明基板１の表面側には導電膜２及びアライメントマーカーＭが形成されており、この透明基板１の裏面側に導電膜１２を形成する。
【００１１】
次いで、同図（ｂ）に示すように、この透明基板１の裏面側にポジ型フォトレジスト１３を塗布し、プリベークを行う。
【００１２】
この後、同図（ｃ）に示すように、この透明基板１の表面側から露光を行う。すると、露光した部分が可溶化し、アライメントマーカーＭに対応する部分等の非露光部分が不溶化部分となる。
【００１３】
そして、同図（ｄ）に示すように、現像によって可溶化した部分を洗い流す。その結果、表面側のアライメントマーカーＭに対応する裏面側部分にアライメントマーカーｍが形成される。
【００１４】
次いで、同図（ｅ）に示すように、透明基板１の天地を逆にし、アライメントマーカーｍを基準としてアライメントを行い、裏面側のポジ型フォトレジスト１３上にマスク１４を重ね、更に同図（ｆ）に示すように、裏面側から露光を行った後、同図（ｇ）に示すように、現像を行う。
【００１５】
この後、同図（ｈ）に示すように、エッチング液で腐食されたり傷が付くのを防止するために表面側に保護膜１５を形成した状態で裏面側にエッチングを施し、更にアッシングにてフォトレジスト１３を除去することで同図（ｉ）に示すような両面にパターニングが施されたデバイスを得る。
尚、両面に形成されるパターニングは使いやすさを考慮して対称形としたが、これに限るものではい。
【００１６】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に形成されているアライメントマーカーを裏面側にフォトリソグラフィを利用して転写し、この転写したアライメントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行って裏面側のパターニングを行うようにしたので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確なアライメントが可能となる。
したがって、例えば受発光素子を透明基板の表裏両面に精度よく形成することができ、光コンピューティングに必要な配線を容易に形成することができ、また１対１結像（反転しない）が可能なためインテグレイテッドフォト等の立体画像も容易に作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は基板の表面側にパターニングを施す従来法の工程図
【図２】裏面側のアライメントを行う従来法を説明した図
【図３】（ａ）〜（ｉ）は本発明に係る両面パターニング法を説明した工程図
【符号の説明】
１…透明基板、２，１２…導電膜、３，１３…フォトレジスト、４，１４…マスク、Ｍ…表面側のアライメントマーカー、ｍ…裏面側のアライメントマーカー。
【発明の属する技術分野】
本発明はガラス基板等の透明基板の表裏両面にパターニングを施す方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１に基づいて、透明基板の表面にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施す従来方法を説明する。
先ず、図１（ａ）に示すように、透明基板１の表面にパターニングを施す導電膜２を形成し、この導電膜２の表面にポジ型フォトレジスト膜３を形成する。尚、透明基板１の隅部にはアライメントマーカーＭを形成している。
【０００３】
次いで、同図（ｂ）に示すように、露光機に設けた顕微鏡でアライメントマーカーＭを基準に透明基板１をアライメントした後、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この状態で同図（ｃ）に示すように、露光を行い、光（紫外線）が当った部分を可溶化する。
【０００４】
この後、同図（ｄ）に示すように、現像にて露光部（可溶化した部分）を洗い流し、同図（ｅ）に示すように、エッチングを行い、更に同図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜３をアッシングにて除去することで、パターニングを施す。
【０００５】
そして、透明基板１の裏面にもパターニングを施すには、図２に示すように、透明基板１の裏面側に導電膜２及びフォトレジスト膜３を形成するとともに、透明基板１の表面側に設けたアライメントマーカーＭを裏面側から顕微鏡で見てアライメントを行い、フォトレジスト膜３上にマスク４を重ね、この後は前記と同様の手順によって裏面側にもパターニングを施すようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の方法では、透明基板の両面にパターニングを行う際の裏面側のアライメントを、表面側に設けたアライメントマーカーを基準にして行ているので、アライメント作業に使用する顕微鏡の光軸と透明基板との垂直度にアライメント精度が大きく依存してしまい、またアライメント作業に使用する顕微鏡は焦点深度が浅いので、裏面側から表面側のアライメントマーカーを見ると、像がぼやけてしまい正確なアライメントが行えない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に形成されているアライメントマーカーを裏面側に転写し、この転写したアライメントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行い、次いでフォトリソグラフィ法によって裏面にパターニングを施すようにした。
【０００８】
ここで、表面側に形成されたアライメントマーカーの裏面側への転写の具体的な方法としては、例えば、裏面側にポジ型フォトレジスト膜を形成し、表面側から露光を行って現像することでポジ型フォトレジスト膜からなるアライメントマーカーを裏面側に形成する。
【０００９】
透明基板の表面側にパターニングを施す際には表面側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを行い、裏面側にパターニングを施す際には裏面側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを行うので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確なアライメントが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の態様】
以下に本発明の実施の態様を図３に基づいて説明する。尚、図示例にあっては既に透明基板の表面側にはパターニングが施され、レジストとしてはポジ型のものを例にとって説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように透明基板１の表面側には導電膜２及びアライメントマーカーＭが形成されており、この透明基板１の裏面側に導電膜１２を形成する。
【００１１】
次いで、同図（ｂ）に示すように、この透明基板１の裏面側にポジ型フォトレジスト１３を塗布し、プリベークを行う。
【００１２】
この後、同図（ｃ）に示すように、この透明基板１の表面側から露光を行う。すると、露光した部分が可溶化し、アライメントマーカーＭに対応する部分等の非露光部分が不溶化部分となる。
【００１３】
そして、同図（ｄ）に示すように、現像によって可溶化した部分を洗い流す。その結果、表面側のアライメントマーカーＭに対応する裏面側部分にアライメントマーカーｍが形成される。
【００１４】
次いで、同図（ｅ）に示すように、透明基板１の天地を逆にし、アライメントマーカーｍを基準としてアライメントを行い、裏面側のポジ型フォトレジスト１３上にマスク１４を重ね、更に同図（ｆ）に示すように、裏面側から露光を行った後、同図（ｇ）に示すように、現像を行う。
【００１５】
この後、同図（ｈ）に示すように、エッチング液で腐食されたり傷が付くのを防止するために表面側に保護膜１５を形成した状態で裏面側にエッチングを施し、更にアッシングにてフォトレジスト１３を除去することで同図（ｉ）に示すような両面にパターニングが施されたデバイスを得る。
尚、両面に形成されるパターニングは使いやすさを考慮して対称形としたが、これに限るものではい。
【００１６】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に形成されているアライメントマーカーを裏面側にフォトリソグラフィを利用して転写し、この転写したアライメントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行って裏面側のパターニングを行うようにしたので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確なアライメントが可能となる。
したがって、例えば受発光素子を透明基板の表裏両面に精度よく形成することができ、光コンピューティングに必要な配線を容易に形成することができ、また１対１結像（反転しない）が可能なためインテグレイテッドフォト等の立体画像も容易に作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は基板の表面側にパターニングを施す従来法の工程図
【図２】裏面側のアライメントを行う従来法を説明した図
【図３】（ａ）〜（ｉ）は本発明に係る両面パターニング法を説明した工程図
【符号の説明】
１…透明基板、２，１２…導電膜、３，１３…フォトレジスト、４，１４…マスク、Ｍ…表面側のアライメントマーカー、ｍ…裏面側のアライメントマーカー。
Claims (2)
- ガラス基板等の透明基板の表裏両面にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施す方法において、前記透明基板の表面側に形成されているアライメントマーカーを裏面側に転写し、この転写したアライメントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行い、次いでフォトリソグラフィ法によって裏面にパターニングを施すようにしたことを特徴とする両面パターニング法。
- 請求項１に記載の両面パターニング法において、前記表面側に形成されたアライメントマーカーの裏面側への転写は、裏面側にポジ型フォトレジスト膜を形成し、表面側から露光を行い、現像することでポジ型フォトレジストからなるアライメントマーカーを裏面側に形成するようにしたことを特徴とする両面パターニング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566095A JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566095A JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943860A JPH0943860A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3545501B2 true JP3545501B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=16344876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19566095A Expired - Fee Related JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545501B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5452889B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2014-03-26 | 株式会社オーク製作所 | 描画装置 |
| JP5288118B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2013-09-11 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクブランクス、フォトマスクの位置合わせ方法、両面フォトマスクの製造方法 |
| JP2010204264A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
| CN110148606B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-03-02 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN112558437B (zh) * | 2020-12-18 | 2023-03-31 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面少层超构表面器件的加工方法 |
| CN114995055A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-09-02 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种双面压印方法以及双面压印产品 |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP19566095A patent/JP3545501B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0943860A (ja) | 1997-02-14 |
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040223 |
|
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