JPH0943860A - 両面パターニング法 - Google Patents
両面パターニング法Info
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- JPH0943860A JPH0943860A JP7195660A JP19566095A JPH0943860A JP H0943860 A JPH0943860 A JP H0943860A JP 7195660 A JP7195660 A JP 7195660A JP 19566095 A JP19566095 A JP 19566095A JP H0943860 A JPH0943860 A JP H0943860A
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 24
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明基板の表裏両面に精度よくパターニング
を行う。 【解決手段】 表面側には導電膜２及びアライメントマ
ーカーＭが形成された透明基板１の裏面側に導電膜１２
を形成する。次いで、透明基板１の裏面側にポジ型フォ
トレジスト１３を塗布し、プリベークを行う。この後、
透明基板１の表面側から露光を行い、現像によって可溶
化した部分を洗い流し、表面側のアライメントマーカー
Ｍに対応する裏面側部分にアライメントマーカーｍを形
成する。次いで、アライメントマーカーｍを基準として
アライメントを行い、フォトレジスト１３上にマスク１
４を重ね、裏面側から露光を行った後、現像する。この
後、裏面側にエッチングを施し、更にアッシングにてフ
ォトレジスト１３を除去する。
を行う。 【解決手段】 表面側には導電膜２及びアライメントマ
ーカーＭが形成された透明基板１の裏面側に導電膜１２
を形成する。次いで、透明基板１の裏面側にポジ型フォ
トレジスト１３を塗布し、プリベークを行う。この後、
透明基板１の表面側から露光を行い、現像によって可溶
化した部分を洗い流し、表面側のアライメントマーカー
Ｍに対応する裏面側部分にアライメントマーカーｍを形
成する。次いで、アライメントマーカーｍを基準として
アライメントを行い、フォトレジスト１３上にマスク１
４を重ね、裏面側から露光を行った後、現像する。この
後、裏面側にエッチングを施し、更にアッシングにてフ
ォトレジスト１３を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板等の透明
基板の表裏両面にパターニングを施す方法に関する。
基板の表裏両面にパターニングを施す方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に基づいて、透明基板の表面にフォ
トリソグラフィ法によってパターニングを施す従来方法
を説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、透明基板
１の表面にパターニングを施す導電膜２を形成し、この
導電膜２の表面にポジ型フォトレジスト膜３を形成す
る。尚、透明基板１の隅部にはアライメントマーカーＭ
を形成している。
トリソグラフィ法によってパターニングを施す従来方法
を説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、透明基板
１の表面にパターニングを施す導電膜２を形成し、この
導電膜２の表面にポジ型フォトレジスト膜３を形成す
る。尚、透明基板１の隅部にはアライメントマーカーＭ
を形成している。
【０００３】次いで、同図（ｂ）に示すように、露光機
に設けた顕微鏡でアライメントマーカーＭを基準に透明
基板１をアライメントした後、フォトレジスト膜３上に
マスク４を重ね、この状態で同図（ｃ）に示すように、
露光を行い、光（紫外線）が当った部分を可溶化する。
に設けた顕微鏡でアライメントマーカーＭを基準に透明
基板１をアライメントした後、フォトレジスト膜３上に
マスク４を重ね、この状態で同図（ｃ）に示すように、
露光を行い、光（紫外線）が当った部分を可溶化する。
【０００４】この後、同図（ｄ）に示すように、現像に
て露光部（可溶化した部分）を洗い流し、同図（ｅ）に
示すように、エッチングを行い、更に同図（ｆ）に示す
ように、フォトレジスト膜３をアッシングにて除去する
ことで、パターニングを施す。
て露光部（可溶化した部分）を洗い流し、同図（ｅ）に
示すように、エッチングを行い、更に同図（ｆ）に示す
ように、フォトレジスト膜３をアッシングにて除去する
ことで、パターニングを施す。
【０００５】そして、透明基板１の裏面にもパターニン
グを施すには、図２に示すように、透明基板１の裏面側
に導電膜２及びフォトレジスト膜３を形成するととも
に、透明基板１の表面側に設けたアライメントマーカー
Ｍを裏面側から顕微鏡で見てアライメントを行い、フォ
トレジスト膜３上にマスク４を重ね、この後は前記と同
様の手順によって裏面側にもパターニングを施すように
している。
グを施すには、図２に示すように、透明基板１の裏面側
に導電膜２及びフォトレジスト膜３を形成するととも
に、透明基板１の表面側に設けたアライメントマーカー
Ｍを裏面側から顕微鏡で見てアライメントを行い、フォ
トレジスト膜３上にマスク４を重ね、この後は前記と同
様の手順によって裏面側にもパターニングを施すように
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
は、透明基板の両面にパターニングを行う際の裏面側の
アライメントを、表面側に設けたアライメントマーカー
を基準にして行ているので、アライメント作業に使用す
る顕微鏡の光軸と透明基板との垂直度にアライメント精
度が大きく依存してしまい、またアライメント作業に使
用する顕微鏡は焦点深度が浅いので、裏面側から表面側
のアライメントマーカーを見ると、像がぼやけてしまい
正確なアライメントが行えない。
は、透明基板の両面にパターニングを行う際の裏面側の
アライメントを、表面側に設けたアライメントマーカー
を基準にして行ているので、アライメント作業に使用す
る顕微鏡の光軸と透明基板との垂直度にアライメント精
度が大きく依存してしまい、またアライメント作業に使
用する顕微鏡は焦点深度が浅いので、裏面側から表面側
のアライメントマーカーを見ると、像がぼやけてしまい
正確なアライメントが行えない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透
明基板の表面側に形成されているアライメントマーカー
を裏面側に転写し、この転写したアライメントマーカー
を基準にして裏面のアライメントを行い、次いでフォト
リソグラフィ法によって裏面にパターニングを施すよう
にした。
本発明に係る両面パターニング法は、ガラス基板等の透
明基板の表面側に形成されているアライメントマーカー
を裏面側に転写し、この転写したアライメントマーカー
を基準にして裏面のアライメントを行い、次いでフォト
リソグラフィ法によって裏面にパターニングを施すよう
にした。
【０００８】ここで、表面側に形成されたアライメント
マーカーの裏面側への転写の具体的な方法としては、例
えば、裏面側にポジ型フォトレジスト膜を形成し、表面
側から露光を行って現像することでポジ型フォトレジス
ト膜からなるアライメントマーカーを裏面側に形成す
る。
マーカーの裏面側への転写の具体的な方法としては、例
えば、裏面側にポジ型フォトレジスト膜を形成し、表面
側から露光を行って現像することでポジ型フォトレジス
ト膜からなるアライメントマーカーを裏面側に形成す
る。
【０００９】透明基板の表面側にパターニングを施す際
には表面側のアライメントマーカーを基準にしてアライ
メントを行い、裏面側にパターニングを施す際には裏面
側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを
行うので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響され
ることなく、正確なアライメントが可能となる。
には表面側のアライメントマーカーを基準にしてアライ
メントを行い、裏面側にパターニングを施す際には裏面
側のアライメントマーカーを基準にしてアライメントを
行うので、アライメント用顕微鏡の焦点深度に影響され
ることなく、正確なアライメントが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下に本発明の実施の態様を図３
に基づいて説明する。尚、図示例にあっては既に透明基
板の表面側にはパターニングが施され、レジストとして
はポジ型のものを例にとって説明する。先ず、図３
（ａ）に示すように透明基板１の表面側には導電膜２及
びアライメントマーカーＭが形成されており、この透明
基板１の裏面側に導電膜１２を形成する。
に基づいて説明する。尚、図示例にあっては既に透明基
板の表面側にはパターニングが施され、レジストとして
はポジ型のものを例にとって説明する。先ず、図３
（ａ）に示すように透明基板１の表面側には導電膜２及
びアライメントマーカーＭが形成されており、この透明
基板１の裏面側に導電膜１２を形成する。
【００１１】次いで、同図（ｂ）に示すように、この透
明基板１の裏面側にポジ型フォトレジスト１３を塗布
し、プリベークを行う。
明基板１の裏面側にポジ型フォトレジスト１３を塗布
し、プリベークを行う。
【００１２】この後、同図（ｃ）に示すように、この透
明基板１の表面側から露光を行う。すると、露光した部
分が可溶化し、アライメントマーカーＭに対応する部分
等の非露光部分が不溶化部分となる。
明基板１の表面側から露光を行う。すると、露光した部
分が可溶化し、アライメントマーカーＭに対応する部分
等の非露光部分が不溶化部分となる。
【００１３】そして、同図（ｄ）に示すように、現像に
よって可溶化した部分を洗い流す。その結果、表面側の
アライメントマーカーＭに対応する裏面側部分にアライ
メントマーカーｍが形成される。
よって可溶化した部分を洗い流す。その結果、表面側の
アライメントマーカーＭに対応する裏面側部分にアライ
メントマーカーｍが形成される。
【００１４】次いで、同図（ｅ）に示すように、透明基
板１の天地を逆にし、アライメントマーカーｍを基準と
してアライメントを行い、裏面側のポジ型フォトレジス
ト１３上にマスク１４を重ね、更に同図（ｆ）に示すよ
うに、裏面側から露光を行った後、同図（ｇ）に示すよ
うに、現像を行う。
板１の天地を逆にし、アライメントマーカーｍを基準と
してアライメントを行い、裏面側のポジ型フォトレジス
ト１３上にマスク１４を重ね、更に同図（ｆ）に示すよ
うに、裏面側から露光を行った後、同図（ｇ）に示すよ
うに、現像を行う。
【００１５】この後、同図（ｈ）に示すように、エッチ
ング液で腐食されたり傷が付くのを防止するために表面
側に保護膜１５を形成した状態で裏面側にエッチングを
施し、更にアッシングにてフォトレジスト１３を除去す
ることで同図（ｉ）に示すような両面にパターニングが
施されたデバイスを得る。尚、両面に形成されるパター
ニングは使いやすさを考慮して対称形としたが、これに
限るものではい。
ング液で腐食されたり傷が付くのを防止するために表面
側に保護膜１５を形成した状態で裏面側にエッチングを
施し、更にアッシングにてフォトレジスト１３を除去す
ることで同図（ｉ）に示すような両面にパターニングが
施されたデバイスを得る。尚、両面に形成されるパター
ニングは使いやすさを考慮して対称形としたが、これに
限るものではい。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る両面
パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に
形成されているアライメントマーカーを裏面側にフォト
リソグラフィを利用して転写し、この転写したアライメ
ントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行って
裏面側のパターニングを行うようにしたので、アライメ
ント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確な
アライメントが可能となる。したがって、例えば受発光
素子を透明基板の表裏両面に精度よく形成することがで
き、光コンピューティングに必要な配線を容易に形成す
ることができ、また１対１結像（反転しない）が可能な
ためインテグレイテッドフォト等の立体画像も容易に作
成することができる。
パターニング法は、ガラス基板等の透明基板の表面側に
形成されているアライメントマーカーを裏面側にフォト
リソグラフィを利用して転写し、この転写したアライメ
ントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行って
裏面側のパターニングを行うようにしたので、アライメ
ント用顕微鏡の焦点深度に影響されることなく、正確な
アライメントが可能となる。したがって、例えば受発光
素子を透明基板の表裏両面に精度よく形成することがで
き、光コンピューティングに必要な配線を容易に形成す
ることができ、また１対１結像（反転しない）が可能な
ためインテグレイテッドフォト等の立体画像も容易に作
成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は基板の表面側にパターニング
を施す従来法の工程図
を施す従来法の工程図
【図２】裏面側のアライメントを行う従来法を説明した
図
図
【図３】（ａ）〜（ｉ）は本発明に係る両面パターニン
グ法を説明した工程図
グ法を説明した工程図
１…透明基板、２，１２…導電膜、３，１３…フォトレ
ジスト、４，１４…マスク、Ｍ…表面側のアライメント
マーカー、ｍ…裏面側のアライメントマーカー。
ジスト、４，１４…マスク、Ｍ…表面側のアライメント
マーカー、ｍ…裏面側のアライメントマーカー。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板等の透明基板の表裏両面にフ
ォトリソグラフィ法によってパターニングを施す方法に
おいて、前記透明基板の表面側に形成されているアライ
メントマーカーを裏面側に転写し、この転写したアライ
メントマーカーを基準にして裏面のアライメントを行
い、次いでフォトリソグラフィ法によって裏面にパター
ニングを施すようにしたことを特徴とする両面パターニ
ング法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の両面パターニング法に
おいて、前記表面側に形成されたアライメントマーカー
の裏面側への転写は、裏面側にポジ型フォトレジスト膜
を形成し、表面側から露光を行い、現像することでポジ
型フォトレジストからなるアライメントマーカーを裏面
側に形成するようにしたことを特徴とする両面パターニ
ング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566095A JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566095A JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943860A true JPH0943860A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3545501B2 JP3545501B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=16344876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19566095A Expired - Fee Related JP3545501B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 両面パターニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545501B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294337A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Orc Mfg Co Ltd | 描画装置 |
| JP2010164675A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクブランクス、フォトマスクの位置合わせ方法、両面フォトマスクの製造方法 |
| JP2010204264A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
| CN110148606A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-08-20 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| WO2022127216A1 (zh) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 中国科学院光电技术研究所 | 双面少层超构表面器件及其加工方法 |
| CN114995055A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-09-02 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种双面压印方法以及双面压印产品 |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP19566095A patent/JP3545501B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294337A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Orc Mfg Co Ltd | 描画装置 |
| JP2010164675A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクブランクス、フォトマスクの位置合わせ方法、両面フォトマスクの製造方法 |
| JP2010204264A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
| CN110148606A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-08-20 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN110148606B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-03-02 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| WO2022127216A1 (zh) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 中国科学院光电技术研究所 | 双面少层超构表面器件及其加工方法 |
| CN114995055A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-09-02 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种双面压印方法以及双面压印产品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3545501B2 (ja) | 2004-07-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
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