JP3535545B2 - ジフルオロエチレン誘導体化合物、それを含有する液晶組成物および液晶電気光学素子 - Google Patents
ジフルオロエチレン誘導体化合物、それを含有する液晶組成物および液晶電気光学素子Info
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Description
導体化合物、それを含有する液晶組成物および液晶電気
光学素子に関する。
近年では測定器、自動車用計器、複写器、カメラ、OA
機器用表示装置、家電製品用表示装置等種々の用途に使
用され始めており、広い動作温度範囲、低動作電圧、高
速応答性、高コントラスト比、広視角、化学的安定性等
の種々の性能要求がなされている。
を単独で満たす化合物はなく、複数の液晶化合物、およ
び非液晶化合物を混合して液晶組成物として要求性能を
満たしている状態である。このため、各種特性のすべて
ではなく、一または二以上の特性に優れた液晶化合物ま
たは非液晶化合物の開発が望まれている。
いては、低電圧駆動、高精細表示、高コントラスト比、
広視角特性、低温応答特性、広動作温度範囲等の性能向
上が望まれており、これらはいずれかを向上させると他
のいずれかが犠牲になるという傾向がある。
動と高速応答、OA機器等においては高精細表示と高速
応答、自動車用表示等においては低温応答特性または広
動作温度範囲で高速応答というように、その応答速度の
向上が望まれている。
善方法が考えられるが、その一つとして低粘性の液晶組
成物の採用がある。即ち、液晶組成物の粘性が低下すれ
ば、応答速度は向上し、低温でも実用的な速度での表示
が可能になる。また、従来と同じ応答速度でよければ、
より低電圧で駆動できたり、より高いデューティ比の駆
動が可能、即ち、高精細駆動が可能になる。
37または特開平3−294386に示されるような
p,p’−二置換ジフルオロスチルベン化合物が提案さ
れている。この化合物は下式(3)で表される化学構造
を有する。
ル基、n−アルコキシ基、n−アルコキシカルボニル基
を意味する。
り、フッ素置換されていないスチルベン化合物よりも光
に対する安定性が向上している。しかし、通常使用され
ている一般の液晶化合物に比しては、光に対する安定性
がまだ劣っており、使用環境が限定されたり、紫外線カ
ットフィルターを併用せざるを得ないことが多かった。
したがって、低粘性で光に対する安定性が高い液晶化合
物が望まれていた。
決すべく、新規な化合物を提供するものであり、下式
(1)で表されるジフルオロエチレン誘導体化合物を提
供する。
A4、Y1、Y2、R1、R2、m、nは下記のものを示
す。
ン基であり、A1、A2、A4は相互に独立してトランス
−1,4−シクロヘキシレン基、1,4−フェニレン
基、または1,4−シクロヘキセニレン基であり、これ
らの環基は夫々非置換であるかまたは置換基として1個
以上のハロゲン原子もしくはシアノ基を有し、これらの
環基中の環を構成する1個以上の=CH−基は窒素原子
に置換されていてもよく、環を構成する1個以上の−C
H2−基は酸素原子または硫黄原子に置換されていても
よい。
OCO−、−C≡C−、−CH2CH2−、−CH=CH
−、−OCH2−、−CH2O−または単結合を示す。
のアルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を示し、ア
ルキル基の場合には、このアルキル基中の炭素−炭素結
合間またはこのアルキル基と環基との間の炭素−炭素結
合間に酸素原子、カルボニルオキシ基またはオキシカル
ボニル基が挿入されていてもよく、このアルキル基中の
炭素−炭素結合の一部が三重結合または二重結合にされ
ていてもよく、このアルキル基中の1個の−CH2−基
がカルボニル基に置換されていてもよく、このアルキル
基中の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換さ
れていてもよく、しかも、R1、R2の少なくとも一方
は、塩素原子であるかまたは炭素−炭素結合の一部が三
重結合もしくは二重結合を有する基である。
す。
(4)中A2、A3、R1およびR2については、式(1)
と同じものを示す。)で表されるジフルオロエチレン誘
導体化合物を提供する。
(4)の化合物を少なくとも1種含有する液晶組成物、
さらには、該液晶組成物を電極付基板間に挟持してなる
液晶電気光学素子を提供する。
い屈折率異方性(Δn)を有しており、低粘性であり、
かつ、他の液晶化合物または非液晶化合物との相溶性に
優れ、化学的にも安定な化合物である。
述した式(3)の化合物と比較し、光に対して安定であ
り耐久性が向上する、弾性係数(K33/K11)が増加し
高コントラスト化する、液晶上限温度即ちN−I点(T
C)が上昇し液晶温度幅が増大する、粘度(η)が減少
し高速応答に有利になる等、各特性が改善された化合物
である。
TN)型液晶電気光学素子用化合物として、式(3)の
化合物より優位性があり、有用である。
合物がある。環の数が2個の化合物として以下のような
化合物がある。
は、以下のような化合物がある。なお、以下の説明にお
いては、式(4)の化合物に限らず、「−Ph−」は
1,4−フェニレン基を表し、「−Cy−」はトランス
−1,4−シクロヘキシレン基を表し、「−Ch−」は
1,4−シクロヘキセニレン基を表し、「−PhF−」
はモノフルオロ−1,4−フェニレン基またはポリフル
オロ−1,4−フェニレン基を表す。
のような化合物がある。
ては、より具体的には以下のような化合物がある。
のような化合物がある。
は以下のような化合物がある。
環との間のY1、Y2を単結合以外に変更した以下のよう
な化合物もある。
キシレン基の水素原子の一部をハロゲン原子またはシア
ノ基に置換した基にしてもよい。また、A1、A2、A4
の環基の水素原子の一部をハロゲン原子もしくはシアノ
基に置換した基にしたり、環を構成する=CH−基の一
部を窒素原子に置換したり、または、環を構成する−C
H2−基の一部を酸素原子もしくは硫黄原子に置換した
例として以下のような化合物が挙げられる。
とも1種を他の液晶化合物および/または非液晶化合物
と混合して、液晶組成物にして使用される。それによ
り、該液晶組成物を低粘性とすることができ、液晶電気
光学素子とした場合に高速応答が可能になる。
は、例えば以下のようなものがある。なお、以下の式で
のRC、RDはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基等の基を表す。また、「−NON−」はア
ゾキシ基を表す。
り、環構造または末端基の水素原子をハロゲン原子、シ
アノ基、メチル基等に置換してもよく、シクロヘキサン
環、ベンゼン環を他の六員環、五員環、例えば、ピリジ
ン環、ジオキサン環等に置換してもよく、さらに環と環
の間の結合基を変更することもでき、所望の性能に合わ
せて種々の化合物が選択使用されればよい。
る等して、電極付の基板間に挟持され、液晶電気光学素
子を構成する。
ストネマチック(TN)型液晶電気光学素子がある。な
お、ここで液晶電気光学素子と表現しているのは、表示
用途以外、例えば、調光窓、光シャッター、偏光交換素
子等にも使用できるためである。
ト・ホスト(GH)方式、動的散乱方式、フェーズチェ
ンジ方式、DAP方式、二周波駆動方式、強誘電性液晶
表示方式等種々のモードで使用できる。
法の具体例を示す。プラスチック、ガラス等の基板の表
面に、必要に応じてSiO2、Al2O3等のアンダーコ
ート層やカラーフィルター層を形成する。そして、In
2O3−SnO2(ITO)、SnO2等の電極を設け、パ
ターニングした後、必要に応じてポリイミド、ポリアミ
ド、SiO2、Al2O3等のオーバーコート層を形成
し、配向処理する。これにシール材を印刷し、電極面が
相対向するように配して周辺をシールし、シール材を硬
化して空セルを形成する。
し、注入口を封止剤で封止して液晶セルを構成する。こ
の液晶セルに必要に応じて偏光板、カラー偏光板、光
源、カラーフィルター、半透過反射板、反射板、導光
板、紫外線カットフィルター等を積層する、文字、図形
等を印刷する、ノングレア加工する等して液晶電気光学
素子とする。
学素子の基本的な構成および製法を示したものであり、
その他例えば2層電極を用いた基板、2層の液晶層を形
成した2層液晶セル、TFT、MIM等の能動素子を形
成したアクティブマトリクス基板を用いたアクティブマ
トリクス素子等、種々の構成のものが挙げられる。
用いることにより、高デューティ比の駆動を行っても、
高速応答が期待できる。このため、近年注目されている
高ツイスト角のSTN型液晶電気光学素子に好適であ
る。その他、多色性色素を用いたGH型液晶表示素子、
強誘電性液晶電気光学素子等にも使用できる。
の方法に従って製造される。
と同じ意味を示す。
アルミニウムヒドリドによって還元して式(11)のア
ルコール誘導体とする。次に、この式(11)の化合物
をピリジニウムクロロクロメートにて酸化して、式(1
2)のアルデヒド誘導体とする。
ブロモジフルオロメタンおよびトリスジメチルアミノホ
スフィンと反応させて、式(13)の1,1−ジフルオ
ロエチレン化合物とする。次いで、三フッ化コバルトに
よってフッ素化して、式(14)の1,1,1,2−テ
トラフルオロエタン化合物とし、これをt−ブチルリチ
ウムにて脱HFして式(15)のトリフルオロエチレン
化合物とする。最後に式(16)のリチウム化合物と反
応させることによって、式(1)のジフルオロエチレン
誘導体化合物を得ることができる。
ル基を導入するには、R1、R2が水素原子である式
(1)の化合物とアシルハライドとのフリーデル・クラ
フツ反応を用いればよい。また、シアノ基を導入するに
は、R1、R2が臭素原子またはヨウ素原子である式
(1)の化合物をCuCNと反応させればよい。また、
式(1)の化合物のY1にビニレン基(−C=C−)を
導入するには、R1、R2が塩素原子または臭素原子また
はヨウ素原子である式(1)の化合物とアルケニルグリ
ニア化合物とのカップリング反応を用いればよい。ま
た、式(1)の化合物のY1にエチニレン基(−C≡C
−)を導入するには、R1、R2が臭素原子またはヨウ素
原子である式(1)の化合物とアルキニルリチウム化合
物とのカップリング反応を用いればよい。
例、例5、7および8は比較例である。 [例 1] <第1ステップ> 1リットルの四ツ口フラスコに、リチウムアルミニウム
ヒドリドを22.3g(0.588mol)およびテト
ラヒドロフラン(THF)を300ml入れ、0℃に冷
却した。ここにトランス−4−n−プロピルシクロヘキ
サンカルボン酸100g(0.588mol)をTHF
300mlに溶解した溶液を、撹拌しながら10℃以下
にて2時間かけて滴下した。さらに室温で12時間撹拌
後、20%硫酸水溶液を200ml加え、エーテルで抽
出し、水洗、乾燥後、溶媒を留去し、さらに減圧蒸留
(88℃/4mmHg)によって、トランス−4−n−
プロピルシクロヘキサンメタノール(n−C3H7−Cy
−CH2OH)を89.3g(収率97%)得た。
ロロクロメート(PCC)を370.2g(1.717
mol)、酢酸ナトリウムを23.5g(0.286m
ol)および塩化メチレンを1.2リットル仕込み、室
温下で、第1ステップで得られたトランス−4−n−プ
ロピルシクロヘキサンメタノール89.3g(0.57
2mol)の塩化メチレン溶液を滴下した。室温で1時
間撹拌後、エーテルを1リットル加え、さらに無水Mg
SO4を添加し、タール状物質を濾別した。濾液を減圧
濃縮後、再びエーテルを200ml加えて、タール状物
質を濾別した。濾液を減圧濃縮後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し、さらに得られた粗液を減
圧蒸留して(64℃/3mmHg)、トランス−4−n
−プロピルシクロヘキサンアルデヒド(n−C3H7−C
y−CHO)を56.0g(収率64%)得た。
ラスコに、CaH2にて脱水したトリグライムを400
ml入れ、0℃に冷却し、ジブロモジフルオロメタンを
101g(0.481mol)吹き込んだ。次いで、0
℃にて、トリスジメチルアミノホスフィンの156.7
g(0.961mol)と200mlのトリグライムと
の混合溶液を15分かけて滴下した。滴下後、室温で1
5分撹拌後、第2ステップで得られたトランス−4−n
−プロピルシクロヘキサンアルデヒド37.0g(0.
24mol)と100mlのトリグライムとの混合溶液
を、室温下、15分かけて滴下し、さらに85℃にて2
時間反応させた。
ヘキサンで抽出し、水洗、乾燥後、溶媒を留去し、得ら
れた粗液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製し、さらに得られた粗液を減圧蒸留(78℃/20m
mHg)して、2−(トランス−4−n−プロピルシク
ロヘキシル)−1,1−ジフルオロエチレン(n−C3
H7−Cy−CH=CF2)を28.6g(収率63%)
得た。
た2−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)
−1,1−ジフルオロエチレンを28.6g(0.15
2mol)、三フッ化コバルトを123.4g(1.0
6mol)、水1mlおよびFC−113(CCl2F
CClF2)を1000ml仕込み、100℃にて3時
間反応させた。冷却後、無機塩を濾別し、有機相を10
%NaHCO3水溶液で洗浄し、さらに水洗後、溶媒を
留去し、得られた粗液をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて精製して、2−(トランス−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)−1,1,1,2−テトラフルオロ
エタン(n−C3H7−Cy−CHFCF3)の粗液を1
5.5g(純度86%)得た。
2−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
1,1,1,2−テトラフルオロエタンの粗液15.5
gと乾燥THF200mlを仕込み、−78℃に冷却し
た。次いで、t−ブチルリチウムのn−ペンタン溶液
(1.6mol/リットル)を44.2ml(0.07
mol)、30分かけて滴下した。さらに、−78℃に
て2時間反応させた後、室温まで昇温し、1N塩酸を5
00ml加え、有機相を分離した。水相をn−ヘキサン
で抽出後、有機相と合わせて水洗、乾燥後、溶媒を留去
し、得られた粗液をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて精製して、2−(トランス−4−n−プロピルシ
クロヘキシル)−1,1,2−トリフルオロエチレン
(n−C3H7−Cy−CF=CF2)を7.53g(収
率62%)得た。
ゼン6.02g(25.2mmol)および乾燥エーテ
ル30mlを仕込み、−78℃に冷却した。次いで、n
−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(1.63mol
/リットル)を17ml(27.8mmol)、15分
かけて滴下した。さらに、−78℃にて1時間撹拌後、
テトラメチレンジアミン(TMEDA)の3.8ml
(25.5mmol)を加え、さらに第5ステップで得
られた2−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシ
ル)−1,1,2−トリフルオロエチレン1.3g
(6.31mmol)と乾燥THF60mlとの混合溶
液を30分かけて滴下した。さらに同温度で2時間反応
させた後、室温まで昇温し、1N塩酸を500ml加
え、有機相を分離した。水相をn−ヘキサンで抽出後、
有機相と合わせて水洗、乾燥後、溶媒を留去し、得られ
た粗液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
し、さらに得られた固体をメタノールより再結晶して、
下記の(E)−1−(4−クロロフェニル)−2−(ト
ランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−1,2−
ジフルオロエチレン(n−C3H7−Cy−CF=CF−
Ph−Cl)を0.66g(収率35%)得た。
とができる。
ン6.02gのかわりに1−メチル−2−(4−ヨード
フェニル)アセチレンを6.10g(25.2mmo
l)用いる以外は例1と同様に反応を行い、下記の
(E)−1−(4−(1−プロピニル)フェニル)−2
−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
1,2−ジフルオロエチレン(n−C3H7−Cy−CF
=CF−Ph−C≡CCH3)を0.47g(収率25
%)得た。
とができる。
ン6.02gのかわりにトランス−1−メチル−2−
(4−ヨードフェニル)エチレンを6.15g(25.
2mmol)用いる以外は例1と同様に反応を行い、下
記の(E)−1−(4−(トランス−1−プロペニル)
フェニル)−2−(トランス−4−n−プロピルシクロ
ヘキシル)−1,2−ジフルオロエチレン(n−C3H7
−Cy−CF=CF−Ph−CH=CHCH3)を0.
42g(収率22%)得た。
とができる。
に、例1で得られた化合物(E)−1−(4−クロロフ
ェニル)−2−(トランス−4−n−プロピルシクロヘ
キシル)−1,2−ジフルオロエチレンを20wt%加
えて液晶組成物とした。得られた液晶組成物の液晶物性
を表4に示す。表4より明らかなように、本発明の液晶
組成物は粘度が低くかつΔnが高く、高速STN型液晶
電気光学素子用の液晶組成物として有用である。
ニル)フェニル)−2−(トランス−4−n−プロピル
シクロヘキシル)−1,2−ジフルオロエチレンのN−
I点(Tc)は、134.6℃であった。また、メルク
社製液晶組成物「ZLI−1565」80wt%に、例
2の化合物を20wt%加えて液晶組成物とした。該液
晶組成物の液晶物性を表5に示す。
に、例1で得られた化合物を20wt%加えて液晶組成
物(例6)とした。比較例として、メルク社製液晶組成
物「ZLI−1565」のみの液晶組成物(例7)およ
びメルク社製液晶組成物「ZLI−1565」80wt
%に(E)−1,2−ジフルオロ−1,2−ビス(4−
n−プロピルフェニル)エチレンを20wt%加えた液
晶組成物(例8)を作成した。これらを偏光板付きの液
晶セルに封入して、STN型液晶表示素子を作製した。
はほぼ同程度であり、例7の液晶表示素子に比べて高速
応答が得られた。次いで、例6および例8の液晶表示素
子に紫外線カーボンアークランプを用いて紫外線を50
0時間照射した。照射後、各素子内の液晶組成物を分析
した。
0.6%の(Z)−1−(4−クロロフェニル)−2−
(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−1,
2−ジフルオロエチレンが生成した。一方、例8の液晶
組成物の場合には、6.3%の(Z)−1,2−ジフル
オロ−1,2−ビス(4−n−プロピルフェニル)エチ
レンの生成が確認された。
ロフェニル)−2−(トランス−4−n−プロピルシク
ロヘキシル)−1,2−ジフルオロエチレンのかわり
に、例2で得られた(E)−1−(4−(1−プロピニ
ル)フェニル)−2−(トランス−4−n−プロピルシ
クロヘキシル)−1,2−ジフルオロエチレンを用いる
以外は例6と同様にして、液晶表示素子を作製した。該
液晶表示素子に紫外線を照射したところ、0.5%の
(Z)−1−(4−(1−プロピニル)フェニル)−2
−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
1,2−ジフルオロエチレンが生成した。
は、粘性が低く、かつ大きなΔnを有している。したが
って本発明の化合物を液晶組成物として用いた場合、少
量の添加でも該組成物を用いて作製された液晶電気光学
素子は応答速度が向上する。また、低電圧駆動、高デュ
ーティ比の駆動、広温度域動作等が可能になる。
ルベンタイプの化合物よりも、紫外光に対して安定であ
るため、本発明の液晶組成物の耐久性が向上する。ま
た、弾性係数(K33/K11)が増加するため、高コント
ラスト化する。液晶上限温度即ちN−I点(Tc)が上
昇するため、液晶温度幅が増大する。粘度(η)が減少
するため、高速応答に有利になる等、本発明の化合物
は、液晶電気光学素子の各特性を改善する化合物であ
る。
電気光学素子用化合物として、ジフルオロスチルベン化
合物より優位性があり、有用である。
Claims (5)
- 【請求項1】下式(1)で表されるジフルオロエチレン
誘導体化合物。R 1 -(A1)m-Y1-A2-CF=CF-A3-Y2-(A4)n-R2 (1) ただし、式(1)中、A1、A2、A3、A4、Y1、Y2、
R1、R2、m、nは下記のものを示す。A3はトランス
−1,4−シクロヘキシレン基であり、A1、A2、A4
は相互に独立してトランス−1,4−シクロヘキシレン
基、1,4−フェニレン基、または1,4−シクロヘキ
セニレン基であり、これらの環基は夫々非置換であるか
または置換基として1個以上のハロゲン原子もしくはシ
アノ基を有し、これらの環基中の環を構成する1個以上
の=CH−基は窒素原子に置換されていてもよく、環を
構成する1個以上の−CH2−基は酸素原子または硫黄
原子に置換されていてもよい。Y1、Y2は相互に独立し
て−COO−、−OCO−、−C≡C−、−CH2CH2
−、−CH=CH−、−OCH2−、−CH2O−または
単結合を示す。R1、R2は相互に独立して炭素数1〜1
0のアルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を示し、
アルキル基の場合には、このアルキル基中の炭素−炭素
結合間またはこのアルキル基と環基との間の炭素−炭素
結合間に酸素原子、カルボニルオキシ基またはオキシカ
ルボニル基が挿入されていてもよく、このアルキル基中
の炭素−炭素結合の一部が三重結合または二重結合にさ
れていてもよく、このアルキル基中の1個の−CH2−
基がカルボニル基に置換されていてもよく、このアルキ
ル基中の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換
されていてもよく、しかも、R1、R2の少なくとも一方
は、塩素原子であるかまたは炭素−炭素結合の一部が三
重結合もしくは二重結合を有する基である。m、nは相
互に独立して0または1を示す。 - 【請求項2】下式(4)(ただし、式(4)中A2、
A3、R1およびR2については、式(1)と同じものを
示す。)で表される請求項1に記載のジフルオロエチレ
ン誘導体化合物。R 1 -A2-CF=CF-A3-R2 (4) - 【請求項3】請求項1または2に記載のジフルオロエチ
レン誘導体化合物から選ばれる液晶性を有するジフルオ
ロエチレン誘導体化合物。 - 【請求項4】請求項1、2または3に記載のジフルオロ
エチレン誘導体化合物を少なくとも1種含有する液晶組
成物。 - 【請求項5】請求項4に記載の液晶組成物を電極付基板
間に挟持してなる液晶電気光学素子。
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JP27384693A JP3535545B2 (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | ジフルオロエチレン誘導体化合物、それを含有する液晶組成物および液晶電気光学素子 |
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JPH07126199A JPH07126199A (ja) | 1995-05-16 |
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TWI589679B (zh) | 2010-01-06 | 2017-07-01 | Jnc Corp | 液晶化合物、液晶組成物及液晶顯示元件 |
-
1993
- 1993-11-01 JP JP27384693A patent/JP3535545B2/ja not_active Expired - Lifetime
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