[go: up one dir, main page]

JP3491481B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

半導体装置とその製造方法

Info

Publication number
JP3491481B2
JP3491481B2 JP03737697A JP3737697A JP3491481B2 JP 3491481 B2 JP3491481 B2 JP 3491481B2 JP 03737697 A JP03737697 A JP 03737697A JP 3737697 A JP3737697 A JP 3737697A JP 3491481 B2 JP3491481 B2 JP 3491481B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
external connection
terminal
resin
mold
molding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03737697A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10116962A (ja
Inventor
重晴 角田
準一 佐伯
裕之 宝蔵寺
弘二 芹沢
敏夫 小川
鉄雄 熊沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP03737697A priority Critical patent/JP3491481B2/ja
Priority to KR1019997001397A priority patent/KR100342797B1/ko
Priority to EP97933026A priority patent/EP0959494A4/en
Priority to EP01103688A priority patent/EP1119037A3/en
Priority to PCT/JP1997/002586 priority patent/WO1998008251A1/ja
Publication of JPH10116962A publication Critical patent/JPH10116962A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3491481B2 publication Critical patent/JP3491481B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for individual devices of subclass H10D
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0495—5th Group
    • H01L2924/04953—TaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパワー半導体モジュ
ール等の半導体装置とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のパワー半導体モジュール（以下、
パワーモジュールと称す）は、図３４に示すようにパワ
ー半導体素子、放熱板等の構成部品を配置した基板を保
護ケース６０で囲い、その保護ケース内にシリコーン系
ゲル、エポキシ系レジンを注入、硬化させて製造されて
いた。
【０００３】ここで、従来のパワー半導体モジュールの
製造工程の一例を図３３〜図３６を用いて簡単に説明す
る。
【０００４】図３３は、パワーモジュールの各構成部品
を放熱板上に搭載するまでの工程（ａ）と、その時の各
構成部品の概略（ｂ）〜（ｆ）をモデル的に示したもの
である。
【０００５】すなわち、（ｄ）に示す放熱板５上に
（ｃ）に示す絶縁性回路基板４を接合し、この絶縁性回
路基板４上に（ｂ）に示すパワー半導体素子等の構成部
品１、（ｅ）に示す外部との接続端子となる端子ブロッ
ク５８を接合する。絶縁性回路基板４上に配置された各
構成部品１は金属性ワイヤ（図示せず）により所定の端
子と接続され電気回路を形成する。また端子ブロック５
８は金属性ワイヤにより絶縁性回路基板４上の電気回路
との接続を行ないパワーモジュール全体の電気回路を完
成させる。金属性ワイヤとしては、例えばAl線などが用
いられる。この場合、端子ブロック５９は絶縁性回路基
板４に対して垂直方向に突出している。
【０００６】図３４は保護ケースを放熱板に被せる工程
（ａ）を示す。すなわち、図３３で組み立てた状態の半
導体部品搭載放熱板５（ｃ）を保護ケース６０の中に挿
入し、放熱板５の周辺部と接着あるいは融着して一体化
する。
【０００７】図３５はシリコーン系樹脂を注入する工程
（ａ）を示す。すなわち、図３４で組み立てた保護ケー
ス５９内にシリコーン系ゲル６１をAl線が埋没する程度
の位置まで注入し加熱硬化を行なう。
【０００８】図３６はエポキシ系レジンの注入から完成
までの工程（ａ）を示す。すなわち、シリコーン系ゲル
６１を注入硬化した部品（ｂ）の上にさらにエポキシ系
レジン６２をケース６０内に注入して加熱硬化を行ない
レジン注入工程を完了する。そして注入したレジンが硬
化した後、外観検査、動作試験を経てパワーモジュール
を完成する。
【０００９】このように、従来のパワーモジュールは、
外部接続端子（端子ブロック）を垂直方向に設けた構造
を保護ケースで囲い注型樹脂により製造していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の注型樹脂を用い
た製造方法では、注型樹脂を用いるために保護ケースの
取り付け等が必要であり、製造工程が複雑であった。ま
た注型樹脂を用いるために、その硬化時間も長くかか
る。そのため従来のパワーモジュールの製造方法では工
程間の連続化には限界があり、コスト面でも問題があっ
た。
【００１１】そこで、発明者らは外部接続端子を垂直方
向に配置した構造を注型樹脂を用いずに製造することに
着目した。
【００１２】パワーモジュールに注系樹脂を用いない製
造方法としては、特開平5-226575号公報に記載されるよ
うな、トランスファ成形が挙げられる。これは成形金型
を用いてパワーモジュールの構成部品を樹脂封止するも
のである。トランスファ成形は工程間の連続化に好適で
あり、量産化、それによる低コスト化が図れる。
【００１３】しかし、一般に従来のトランスファーモー
ルドによる製造方法は、構成部品である放熱板面に対し
て外部接続端子を水平方向に配置し、その外部接続端子
を成形金型の上型と下型で挟持して成形したものであ
り、本発明の期待する垂直に配置された外部接続端子の
非モールド部分を如何に形成するかは考慮されていな
い。
【００１４】つまり、本発明の期待する垂直に配置され
た外部接続端子をトランスファ成形する場合、金型の開
閉方向とほぼ直角になる位置に外部接続端子が設置され
ることになるので、金型の縦方向の締め力をそのまま外
部接続端子の横方向の締め付け力とすることができな
い。
【００１５】外部接続端子の横方向に締め付けることが
できなければ、外部接続端子とそれと嵌合する金型の凹
部に間隙を残したまま樹脂封止することとなり、外部接
続端子にレジンバリが生じてしまう。逆に前述の間隙が
できないように金型の凹部を外部接続端子の寸法に近づ
ければ近づけるほど、外部接続端子の寸法誤差を吸収で
きなくなり、安定したトランスファ成形が困難となる等
の問題点がある。
【００１６】一方、従来の放熱板面に平行に外部接続端
子を設置する構造では、外部接続端子のモールドされて
いない部分と放熱板との距離が近いため、この間で放電
現象が生じ、モジュールの破壊が起きる可能性がある。
特に放熱板並びにそれと接触する放熱フィンを必要とす
る発熱量が大きい大容量のパワーモジュールは、外部接
続端子を放熱板（もしくは絶縁性回路基板）に垂直に配
置する必要がある。
【００１７】本発明の第一の目的は、垂直方向に配置さ
れた端子をトランスファ成形する技術を確立し、外部接
続端子をほぼ垂直に配置した半導体装置を樹脂封止によ
り高信頼に製造する半導体の製造方法およびその半導体
装置を提供することにある。
【００１８】また、一般にパワーモジュールの外部接続
端子には、差し込み接続用のファストンタイプと、ネジ
締結用のネジタイプがあるので、パワーモジュールを樹
脂封止により成形する場合、それぞれのタイプに適合さ
せる必要がある。
【００１９】本発明の第二の目的は、外部接続端子をほ
ぼ垂直に配置した半導体装置を樹脂封止により安定して
製造する製造方法およびその半導体装置をネジ締結用の
ネジタイプに適用させることにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記第一の目
的を達成するために、所定の電気回路を形成した基板に
対して、該電気回路と電気的に接続する外部接続用端子
をほぼ垂直に配置し、金型の上型あるいは下型の所定部
分に設けられた凹部に補助部材を介して該外部接続用端
子の一部が嵌合するように該基板を位置合わせし、該金
型に樹脂を供給してトランスファ成形するものである。
【００２１】これにより所定の電気回路を形成した基板
に対して、該電気回路と電気的に接続する外部接続用端
子をほぼ垂直に配置したトランスファー成形された半導
体装置を提供する。
【００２２】ここで垂直方向とは外部接続端子が基板か
ら上型もしくは下型に向かって配置されることを意味
し、外部接続端子の途中に垂直ではない構造、たとえば
機械的強度を吸収する構造が含まれても問題はない。
【００２３】このように垂直に配置された外部接続用端
子を補助部材を介して金型の上型もしくは下型の凹部に
嵌合すれば、補助部材を介して金型の縦方向の締め力が
外部接続端子を締め付け力に変換されるので、レジンバ
リを防止することができるとともに安定したトランスフ
ァ成形が実現でき、高信頼な半導体装置を提供すること
ができる。
【００２４】金型の縦方向の締め力を外部接続端子の締
め付け力に変換するには、補助部材の断面形状は台形等
のものが好ましい。このような形状を用いれば、上型
（もしくは下型）で外部接続端子を押圧することによ
り、外部接続端子は上型の凹部と嵌合するばかりか、そ
の際の補助部材の変形量により補助部材と外部接続端子
とで生ずる間隙をほぼ無くすことができ、レジンバリの
発生を防止できる。但し、外部接続端子のレジンバリを
防止する観点においては、補助部材が外部接続端子に密
着していれば問題はなく、必ずしも補助部材により金型
の縦方向の締め力を外部接続端子の締め付け力に変換す
る必要なない。
【００２５】補助部材としては、ポリ四ふっ化エチレン
樹脂製、シリコーン樹脂製、ポリイミド樹脂製のいずれ
かの柔軟部材が好ましい。このような材料であれば、成
形時の加熱により樹脂が膨張するので、補助部材と外部
接続端子との密着度は増し、レジンバリの発生を防止で
きる。また、このような材料であれば、成形後の離型、
外部接続端子との取り外しも容易である。
【００２６】また、本発明の他の実施の形態によれば、
外部接続用端子をほぼ垂直に配置した基板を、キャビテ
ィに設けられた凹部に該外部接続用端子が位置決めされ
るように配置し、該キャビテイに設けられた凹部を対応
した可動部分により該外部接続用端子を挟持し、該キャ
ビテイに樹脂を供給してトランスファ成形しても良い。
【００２７】この場合、前記外部接続用端子と前記キャ
ビテイの凹部との接触部分に弾性率が１Mpa以上１０Gpa
以下の弾性体を設けることが好ましい。
【００２８】これにより、垂直に配置された外部接続端
子にダメージを与えることのない、樹脂漏れの少ない安
定したトランスファ成形を実現することができる。
【００２９】一方、成形金型によりトランスファ成形す
るには、金型とパワーモジュールの構成部品をどのよう
に位置合わせするかが問題となる。位置合わせの精度が
確保できなければ、金型の稼働時（上型と下型でパワー
モジュールの構成部品を挟持するとき）、外部接続端子
を安定した状態で上型の凹部と嵌合させることができ
ず、外部接続端子の歪み、上型と下型との間からの樹脂
漏れなどが生じてしまう。
【００３０】本発明では、所定の電気回路を形成した基
板に対して、該電気回路と電気的に接続する外部接続用
端子をほぼ垂直に配置し、トランスファ成形するための
位置決め板に該基板を配置し、金型の上型あるいは下型
の所定部分に設けられた凹部に該位置決め板を嵌合し、
該金型に樹脂を供給してトランスファ成形する。
【００３１】これにより、パワー素子を含む所定の電気
回路を形成した基板に対して、該電気回路と電気的に接
続する外部接続用端子をほぼ垂直に配置し、トランスフ
ァ成形するための位置決め板に該基板を搭載したトラン
スファー成形された半導体装置を提供する。
【００３２】この位置決め板は、構成部品である放熱板
であっても良く、もしくは位置決め用部材を別途設けて
も良い。この位置決め板を用いることで、各製造工程で
の部品搭載位置の設定が容易となり工程間の連続化・自
動化が可能となり生産性の効率向上ができる。さらに、
レジン成形時の金型キャビティ内での位置決めが容易と
なる。
【００３３】特に外部接続端子及び位置決め板を予め下
型の凹部に嵌合させておけば、上型と下型でパワーモジ
ュールの構成部品を挟持する場合に、構成部品等を搭載
した基板の平面方向での位置合わせ精度を考える必要が
ないので安定した成形が期待できる。
【００３４】この場合、基板もしくは位置決め板の裏面
を露出させるようにトランスファ成形することが好まし
い。つまり、前述の基板もしくは位置決め板を上型もし
くは下型に嵌合するように配置することで裏面を露出さ
せる。
【００３５】このように裏面を露出させれば、成形品の
基板もしくは位置決め板に対して放熱フィンを設けるこ
とができる。位置決め板の材料としては、熱伝導率のよ
い材質が好ましい。一方、複数の外部接続端子を配置す
るにはその端子間を連結した状態で配置することが好ま
しい。つまり外部接続用端子間を連結した状態で該基板
に配置し、該端子間の連結部分をトランスファ成形後に
切断することが好ましい。この場合、端子間の連結部分
を含むように前記複数の外部接続用端子を所定の長さに
切断すれば良い。
【００３６】複数の外部接続端子を個々に独立して配置
すれば、前述の上型もしくは下型に設けられた凹部との
嵌合はそれぞれの端子別にする必要があり、寸法誤差、
位置ずれを吸収することが困難である。
【００３７】これに対して外部接続端子間を連結すれ
ば、それぞれの端子との嵌合は不要となり、連結した１
つの辺に対して嵌合するように上型もしくは下型を形成
すれば良く、前述の寸法誤差、位置ずれを吸収すること
ができる。
【００３８】これまでは、外部接続端子を差し込み接続
用のファストンタイプとして製造することについて説明
したが、次にネジ締結用のネジタイプを製造する場合を
説明する。ただし差し込み接続用のファストンタイプも
ネジ締結用のネジタイプも外部接続端子のモールド内部
に配置されるほとんどの部分が基板に対して垂直方向に
配置されており、基本的構成はほぼ同一である。
【００３９】つまり、本発明は上記第二の目的を達成す
るために、所定の電気回路を形成した基板に対して、該
電気回路と電気的に接続する外部接続用端子をほぼ垂直
に配置し、かつ前記基板にほぼ垂直に配置された前記外
部接続用端子は、その樹脂封止されない露出部分を前記
基板に対してほぼ水平となるように折り曲げて構成して
おき、金型の上型あるいは下型の所定部分に該基板を嵌
合して位置合わせし、該金型に樹脂を供給してトランス
ファ成形するものである。なお位置合わせは前述同様に
位置決め板を用いても良い。また、前述の折り曲げた部
分と嵌合するように上型もしくは下型の凹部を設けても
良い。このネジタイプのパワーモジュールの場合、その
ネジ機構を如何に設けるかが問題となる。
【００４０】本発明では、前記外部接続用端子の折り曲
げた部分に、前記外部接続用端子の接合部分となるネジ
機構と、該ネジ機構を他のネジ機構と嵌合させるのに必
要な空間を形成する容器とを接合させた状態でトランス
ファ成形する。なお、ネジ機構は前述の他のネジ（ダミ
ーネジ）を締めた状態でトランスファ成形しても良い。
【００４１】このようなネジタイプの構造は、前述のフ
ァストンタイプを利用して成形することもできる。つま
りファストンタイプのパワーモジュールをトランスファ
成形後、前記外部接続用端子の樹脂封止されていない露
出部分を前記基板に対してほぼ水平となるように折り曲
げれば良い。
【００４２】この場合、前記外部接続用端子の折り曲げ
た部分を樹脂封止部分で収納するように前記上型もしく
は下型に第一の凸部を設け、前記外部接続用端子の接合
部分となるネジ機構を収納するように前記第一の凸部の
所定の位置に第二の凸部を設け、該ネジ機構を他のネジ
機構と嵌合させるのに必要な空間を形成するように該第
二の凸部の所定の位置に第三の凸部を設けた金型を用い
てトランスファ成形しても良い。
【００４３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図１〜図
５６を用いて説明する。
【００４４】まず、外部接続端子（主端子、制御系端
子）を差し込み接続用のファストンタイプとして製造す
る場合を図１から図１２を用いて説明する。
【００４５】図１は、そのパワー半導体モジュール構造
の概略を表す断面図である。パワー半導体モジュールの
構成は、パワー半導体素子等の部品１、主端子２、制御
系端子３、絶縁性回路基板４、放熱板５とそれら部品を
搭載する位置決め穴付き板６より成り立ちこれらの部品
をレジン７で覆ってモジュールの完成となっている。
【００４６】このように主端子２および制御系端子３を
絶縁性基板に対して垂直に配置すると、外部接続端子と
なる主端子２および制御系端子３のモールドされていな
い部分と放熱板５（絶縁性回路基板４）との距離を確保
できるので、この間で放電現象が生じにくくなり、それ
によるモジュールの破壊は起きにくい構造になる。
【００４７】図２は、図１を上方よりみたときの平面図
を示す。パワー半導体素子等の部品１は、絶縁性回路基
板４上に配置された電気回路８の所定位置にはんだ付け
にて接合する。また、主端子２及び制御系端子３は、電
気回路８のパッド９部にはんだ１０にて接合する。パワ
ー半導体素子等の部品１と電気回路８と主端子２及び制
御系端子３は、金属性ワイヤ１１により接続され電気回
路８を構成している。この絶縁性回路基板４は、位置決
め穴付き板６上に搭載されこの両者ははんだ付けにて接
合されている。また、放熱板５には、放熱フィン等の部
品を取り付けるための取り付け穴１２が設けられてい
る。この取り付け穴１２は、位置決め穴付き板６も貫通
していることは云うまでもない。そして、この実装面
は、主端子２及び制御系端子３の一部並びに位置決め穴
付き板６裏面を除きレジン７にて封止した形態となって
いる。この時、金属性ワイヤとしては、例えば、Al線等
を用いればよい。放熱板としては、例えば、銅合金やAl
合金などを用いればよい。また、位置決め穴付き板は、
例えば、銅合金や鉄−ニッケル合金などの金属材料を用
いてもよい。
【００４８】また、放熱板と位置決め穴付き板は、同じ
膨張率の金属の組合せあるいは、放熱板に対して膨張率
の小さい位置決め穴付き板の組合せがモジュール品の反
り変形を低減する効果がある。
【００４９】また、位置決め穴付き板６を設けずに、放
熱板５に位置決め用の穴を設けても良い。
【００５０】なお、主端子２及び制御系端子３が垂直方
向に接合される必要はなく、いずれか一方が垂直方向に
接合されたものであっても良い。
【００５１】次に図３〜図５を用いて前述のパワー半導
体モジュール構造の製造プロセスを説明する。
【００５２】図３は、各種部品を位置決め穴付き板６上
に搭載するまでの工程である。
【００５３】（a）に各種部品を位置決め穴付き板６上
に搭載するまでのプロセスの概略を示し、（b）〜
（ｆ）にその各構成要素を示す。
【００５４】まず（ｆ）に示す位置決め穴付き板６上の
所定位置に放熱板５（ｅ）をはんだなどにより接合す
る。この時の所定位置は、位置決め穴付き板６上の規準
穴１３を基点として位置決めを行なう。以降の製造工程
も全てこの規準穴１３を基点として行ない各工程の連続
化・自動化ができるようにする。次に、放熱板５（ｅ）
上に絶縁性回路基板４（ｄ）をはんだなどにより接合す
る。そして、絶縁性回路基板４（ｄ）上の電気回路（図
示せず）の所定位置にパワー半導体素子等の部品１
（ｃ）をはんだ（図示せず）などにより接合する。その
後（ｂ）に示す主端子２及び制御系端子３を電気回路上
のパッド部（図示せず）にはんだ（図示せず）などによ
り接合する。
【００５５】ここで複数個の主端子２及び制御系端子３
はそれぞれ連結部１４、１５で結合されている。これに
より絶縁性回路基板４上に主端子２及び制御系端子３を
安定した状態で垂直方向に接続することができる。
【００５６】なお、パワー半導体素子等の部品１、主端
子２、制御系端子３、絶縁性回路基板４、放熱板５およ
び位置決め穴付き板６の接続する順番は本実施の形態に
限られるものでなく、絶縁性回路基板４に主端子２およ
び制御系端子３が垂直方向に接合されるプロセスであれ
ばよい。
【００５７】図４は、図３に示す製造物を金型を利用し
てレジン成形するまでの工程である。（ａ）にレジン成
形するまでの概略を示し、（b）〜（ｆ）にその各構成
要素を示す。
【００５８】まず、（ｂ）に示す構成部品搭載後の位置
決め穴付き板６は、（ｃ）に示す主端子２間を連結して
いる連結部１４及び制御系端子３間を連結している連結
部１５を切り離し各端子を独立したものとする。この場
合、主端子２及び制御系端子３が所定の長さを確保でき
るように連結部１４、１５を切断する。
【００５９】そして、各端子と電気回路並びに部品１の
間を必要に応じて金属性ワイヤ（図示せず）などにより
接続し電気回路を完成し、（ｄ）に示す金型１６のキャ
ビティ１９内に設置する。
【００６０】ここでは、熱硬化型樹脂であるエポキシレ
ジンを用いてトランスファ成形する場合について説明す
る。この時、成形金型１６は、エポキシレジンが硬化す
る温度に加熱されていることは云うまでもない。レジン
成形は、成形加工されたレジンタブレット（図示せず）
を金型内のポット（図示せず）部に投入しプランジャ
（図示せず）にて押圧する。プランジャにて押圧された
レジン７は加熱溶融し金型内のランナ１７からゲート１
８を流動しキャビティ１９内へと流入し硬化反応により
硬化し成形品となる。
【００６１】キャビティ１９内の状態を拡大図（ｅ）に
て説明する。すなわち、上型２０と下型２１の間に位置
決め穴付き板６を挟持し放熱板５他の部品をキャビティ
１９内に設置する。本実施の形態では、位置決め穴付き
板６が金型の下型２１にほぼ嵌合するようにし、位置決
め穴付き板６の規準穴１３と金型内の位置決めピン（図
示せず）によりキャビティ１９内での位置決めを行う。
この位置決めにより、主端子２及び制御系端子３の垂直
部分を上型に設けられた凹部に嵌合するようにする。
【００６２】このように、キャビティ１９内に設置した
状態でレジン７を流入させ主端子２並びに制御系端子３
の一部及び位置決め穴付き板６の裏面以外を全て蓋いモ
ールド成形を完成する。
【００６３】位置決め穴付き板６の裏面をモールドしな
ければ、パワー半導体装置等の部品１からの発熱を位置
決め穴付き板６の裏面から放出することができる。
【００６４】なお本実施の形態では、金型の上型２０に
端子挿入部がある場合について述べたが、端子挿入部分
が下型２１にあってもなんら支障はない。また、封止用
樹脂も熱硬化性樹脂に限らず、熱可塑性樹脂を用いても
よい。これは後述する実施の形態についても同様であ
る。
【００６５】図５は、図４に示す成形品から完成品まで
の工程である。（ａ）に完成品ができるまでの概略を示
し、（b）〜（d）にその各構成要素を示す。
【００６６】レジン封止した成形品２２は、成形品支持
固定台２３上に固定され、レジン封止後不用となるラン
ナ１７、ゲート１８及び位置決め穴付き板６の一部を切
断刃２４にて切断し完成品２５となる。
【００６７】図６に、垂直方向に配置された主端子２及
び制御系端子３をレジン成形するための金型キャビティ
部の拡大断面図を示す。
【００６８】主端子２並びに制御系端子３の一部（露出
部分）は上型部２０の端子挿入部分に挿入された状態で
レジン成形される。その挿入部分Ａ部、Ｂ部は、同様の
処理ができるので主端子２側を拡大して詳細に説明す
る。図７（ａ）に、主端子周辺の部分拡大断面斜視図を
示す。これは、レジン封止面より露出する部分の端子表
面に耐熱性の粘着テープ２６を貼り、上型２０内に設置
した状態を示したものである。耐熱性の粘着テープ２６
の貼り付け工程は、図４に示す端子連結部の切断後に行
なう。
【００６９】このＡ部を拡大したものを図７（ｂ）に示
す。上型２０の端子収納部２７への端子部２の挿入は、
端子収納部端面２８をＲ０．５〜２．０ 程度に面取り
した構造とした。これにより金型締め時に端子部へ貼っ
た粘着テープ２６を挿入しやすくする。そして、粘着テ
ープ２６が変形することで金型内の端子設置位置のずれ
を吸収する効果がある。さらに、端子収納部２７の幅を
端子部より０．１〜０．２mm程度狭くすることで挿入時
に粘着テープが圧縮変形し端子面との密着性が向上する
効果がある。この耐熱性のテープの材質としては、例え
ば、ポリイミド樹脂、ポリ四弗っ化エチレン樹脂、シリ
コーン樹脂等を用いればよい。
【００７０】金型の他の実施の形態を図８に示す。図８
（ａ）にその主端子周辺の部分拡大断面斜視図を示す。
これは、レジン封止面より露出する部分の端子表面にキ
ャップのような柔軟物３０をかぶせ、これを上型２０内
に設置したたものである。柔軟物３０を取り付ける工程
は、図４に示す端子連結部の切断後に行なう。柔軟物３
０は取り付ける主端子２０もしくは制御系端子２１に対
応するように溝を設ている。この溝の大きさは主端子２
０に柔軟物３０を取り付けてモールド成形した際にモー
ルド樹脂が柔軟物３０の溝に入り込まない程度であれば
よい。これにより金型締め時に柔軟物３０は圧縮変形す
るので端子面との密着性が向上する。この柔軟物の材質
としては、例えば、ポリ四弗っ化エチレン樹脂、シリコ
ーン樹脂等を用いればよい。
【００７１】図８（ａ）に示すＡ部を拡大したものが図
８（ｂ）である。上型２０の挿入部２９は、柔軟物３０
との挿入が容易となるようにＲ０．５〜２．０ 程度の
面取りをした構造となっている。また、柔軟物３０の端
子挿入部３１も端子部の挿入が容易となるようにＲ０．
２〜１．０ 程度の面取りをした構造となっている。こ
のように柔軟物３０の面取り構造をＲ０．２〜１．０
程度としたのはモールド樹脂が溝に入り込まないように
するためである。
【００７２】図８（ａ）に示すＡ部を拡大したものが図
８（ｃ）である。図８（ｂ）と同様に端子挿入部端面３
２は、Ｒ０．２〜１．０ 程度の面取りをした構造とな
っている。このとき、端子先端部は、柔軟物内への挿入
が容易となるように面取りしてあることは云うまでもな
い。
【００７３】金型の他の実施の形態を図９に示す。図９
（ａ）にその主端子周辺の部分拡大断面斜視図を示す。
これは、レジン封止面より露出する端子部に台形状の柔
軟物を挿入し、上型内に設置した状態を示したものであ
る。上型２０内に挿入するに伴って、台形状の柔軟物３
３は、端子２表面側へと密着する方向で変形する。これ
により、端子面との密着性が向上する効果がある。さら
に、柔軟物３３を台形形状としたため型締め時に端子の
位置ずれが吸収できる効果がある。この台形状の柔軟物
の材質としては、例えば、ポリ四弗っ化エチレン樹脂、
シリコーン樹脂等を用いればよい。
【００７４】金型の他の実施の形態を図１０に示す。図
１０（ａ）にその主端子周辺の部分拡大断面斜視図を示
す。これは、レジ封止面より露出する端子部に液状物３
８を注入した容器３６を挿入し、これを上型２０内に設
置したものである。
【００７５】図１０（ａ）に示すＡ部を拡大したものを
図１０（ｂ）に示す。上型２０の挿入部３６は、液状物
封入容器３５との挿入が容易となるようにＲ０．５〜
２．０程度の面取りをした構造となっている。この液状
物注入用容器３５には端子２形状より少し大きめな挿入
用穴３７が開けてあり、成形温度である１８０〜２００
℃に加熱されても気化せず、かつ、挿入用穴３７より流
出しないだけの粘性のある液状物３８が注入されてい
る。液状物としては、洗浄が容易なもの、例えば、シリ
コーンオイルや鉱物油が用いられる。また、液状物注入
用容器の材質は、例えば、金型からの離型が容易である
ポリ四弗っ化ポエチレン、シリコーン樹脂等で作られて
いる。成形後に洗浄をすれば清浄な端子表面が得られる
効果がある。
【００７６】複数個の主端子もしくは制御系端子を連結
する端子構造の他の実施の形態を図１１に示す。ここで
は、主端子の場合について説明する。これは、主端子形
成において、端子連結枠１４とともに主端子２間にダム
３７部のある端子構造としている。これにより端子部２
とダム３７部での断面形状は１枚の板状とみなすことが
でき、剛性が高くなり端子連結部１４を取り去るときの
端子変形を防ぐ効果がある。さらに、ダム３７部を設け
ることで端子間のレジン流出を防止することが容易とな
る効果がある。
【００７７】図１１に示す端子構造を用いた時の主端子
周辺の部分拡大断面斜視図を図１２（ａ）に示す。これ
は、レジン封止面より露出する端子のダム部までの部分
に柔軟物４０を挿入し、これを上型２０内に設置した状
態を示したものである。
【００７８】図１２に示すＡ部を拡大したものを図１２
（ｂ）に示す。上型２０の挿入部３８は、柔軟物４０と
の挿入が容易となるようにＲ０．５〜２．０ 程度の面
取りをした構造となっている。これにより金型締め時に
柔軟物が圧縮変形することで端子面との密着性が向上す
る。さらに、ダム部があることにより、端子間の厚さは
一定となり一様な圧縮が可能となる。この柔軟物の材質
としては、例えば、ポリ四弗っ化エチレン樹脂、シリコ
ーン樹脂等を用いればよい。
【００７９】これまで説明してきた実施の形態は、いず
れの場合もレジン成形時のレジンバリの発生を防止する
効果がある。また、金型締め時に耐熱性テープ、柔軟物
がを変形することで端子の設定位置のずれなどを吸収す
る効果がある。また、レジン封止により各構成部品が一
体化していることより、耐湿信頼性が向上する効果があ
る。
【００８０】次に外部接続端子（主端子、制御系端子）
をネジ締結用のネジタイプとして製造する場合を図１３
から図３２を用いて説明する。
【００８１】ただしこれまで説明してきた差し込み接続
用のファストンタイプもネジ締結用のネジタイプも外部
接続端子のモールド内部に配置されるほとんどの部分が
基板に対して垂直方向に配置されており、基本的構成は
ほぼ同一である。
【００８２】図１３〜図１５を用いてネジ締結用のネジ
タイプの半導体モジュール構造の製造プロセスを説明す
る。これは主端子及び制御系端子をファストンタイプと
ほぼ同様のプロセスで製造し、その後、主端子もしくは
制御系端子を折り曲げたものである。
【００８３】図１３は、各種部品を位置決め穴付き板６
上に搭載するまでの工程である。
【００８４】（ａ）に各種部品を位置決め穴付き板６上
に搭載するまでのプロセスの概略を示し、（b）〜（f）
にその各構成要素を示す。
【００８５】図に示すとおり製造プロセスは差し込み接
続用のファストンタイプと同様であり、その構成要素で
ある主端子２に外部との接続をネジ締結留めで行なうた
めの貫通穴４１を設けた点が大きく相違する。
【００８６】図１４は、図１３に示す製造物をレジン成
形するまでの工程である。（ａ）にレジン成形するまで
の概略を示し、（ｂ）〜（ｅ）にその各構成要素を示
す。本工程も差し込み接続用のファストンタイプと同様
である。
【００８７】図１５は、図１４に示す製造物を金型を利
用してレジン成形するまでの工程である。（ａ）にレジ
ン成形するまでの概略を示し、（b）〜（ｅ）にその各
構成要素を示す。
【００８８】レジン封止した成形品２２の不用となるラ
ンナ１７、ゲート１８を切断刃２にて切断するまでは、
差し込み接続用のファストンタイプと同様であるが以下
の工程が相違する。
【００８９】つまり（ｄ）に示す切断品４４は、（ｅ）
に示すように主端子４２の露出部分をレジン封止面へと
折り曲げて完成品４５とする点である。
【００９０】ネジ締結用のネジタイプについては、その
ネジ機構をいかに設けるかが問題となる。
【００９１】これについて図１６から図３２を用いて説
明する。
【００９２】ネジ機構を設けるための金型を図１６に示
す。図１６（ａ）はその金型キャビティ部の拡大断面図
を示す。なお主端子４２並びに制御系端子３の上型部２
０と接触しているＡ部、Ｂ部は既に説明した差し込み接
続用のファストンタイプと同様の構造を取る。このよう
な構造であれば、主端子４２等の端子露出部分は成形品
表面へと折り曲げて封止面と同じ面となるので電気絶縁
性を向上させる効果がある。また、成形品内の端子部分
はレジンと一体化するためネジ締め時の端子の機械的強
度が向上できる効果がある。さらに、各部品は、レジン
により一体化していることより、モジュールの耐湿信頼
性が向上する効果がある。
【００９３】本実施の形態の特徴であるＡ部（主端子４
２部分）の拡大図を図１６（ｂ）に示す。すなわち、上
型部２０の主端子４２付近には主端子４２を折り曲げた
時に成形品表面と同じ面となるように主端子収納部とな
る凸部４６と主端子の下側にネジを形成する部品を収納
するネジ形成部品収納部となる凸部４７を備えた構造と
なっている。これにより、端子収納部とネジ形成部品収
納部を一括にて形成できる効果がある。ネジ形成部品収
納部となる凸部４７は主端子４２が折り曲げられた場合
にその貫通穴４１に対応するように配置されている。同
様に主端子収納部となる凸部４６は主端子４２が折り曲
げられた場合に主端子を収納できるように配置されてい
る。
【００９４】図１７は、図１６に示す金型より成形品を
離型したものであり、成形品の主端子部分の拡大図であ
る。これは、主端子４２を内側に折り曲げる場合であ
る。すなわち、成形品２２には、上型２０の凸部４６、
４７で形成された端子収納部４８とネジ形成部品収納部
４９の凹部が一括にて形成されている。
【００９５】図１８は、主端子折り曲げ時の模式図を示
す。すなわち、ネジ形成部品５０をネジ形成部品収納部
４９に投入後、主端子４２の露出部分を成形品内側に形
成した端子収納部４８へと折り曲げ、主端子４２にある
貫通穴４１と合わせその形状を完成させる。これによ
り、端子部分が成形品内にあるため電気絶縁性を向上さ
せる効果がある。
【００９６】なお、本実施の形態は図１９から図２１に
示すように主端子４２を外側に折り曲げても良い。主端
子の折り曲げ方向を変えた以外は前述の金型、製造プロ
セスと同様である。
【００９７】このように主端子４２を外側に折り曲げる
ことで、ネジ形成部品収納部を電気回路面の外側とする
ことができ回路設計が容易となる効果がある。
【００９８】次に図２２にネジ形成部品５０を含むネジ
部品５２の形成構造を示す。
【００９９】これは、ネジ形成部品５０（ａ）と空間部
を設けるための容器５１（ｂ）を組み合わせてネジ部品
５２を形成するものである。この時、容器５１は、ネジ
形成部品５０より長いネジ（ｄ）を用いることができる
ようにしたものである。ネジ形成部品５０より長いネジ
（ｄ）を用いることでネジ締結の信頼性が向上すること
は言うまでもない。
【０１００】このネジ形成部品は、金属であればどのよ
うな材質を用いても良く、また、空間部を設けるための
容器の材質は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂他の熱硬
化型樹脂、あるいは、ポリフェニレンサルファイト樹
脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂他の耐熱性の熱可
塑性の樹脂を用いても良い。
【０１０１】このネジ部品を適用するための金型の構造
を図２３に示す。図２３は金型上型部２０の主端子部分
の拡大図である。上型部２０の主端子４２付近には主端
子４２を折り曲げた時に成形品表面と同じ面となるよう
に主端子収納部となる凸部４６と主端子の下側にネジを
形成する部品を収納するネジ形成部品収納部となる凸部
４７及び空間部容器５２を収納する容器収納部となる凸
部５３を備えた構造となっている。これにより、端子収
納部とネジ形成部品収納部と容器収納部を一括にて形成
できる効果がある。
【０１０２】図２４は、図２３に示す金型より成形品を
離型し、その成形品の主端子折り曲げ時の模式図であ
る。これは、主端子４２を内側に折り曲げる場合であ
る。すなわち、成形品２２には、上型２０の凸部４６、
４７、５３で形成された端子収納部４８とネジ形成部品
収納部４９と容器収納部５２の凹部が一括にて形成され
ている。この凹部に、ネジ部品５２を投入後、主端子４
２の露出部分を成形品内側に形成した端子収納部４８へ
と折り曲げ、主端子４２にある貫通穴４１と合わせその
形状を完成させる。
【０１０３】なお、本実施の形態は図２５、図２６に示
すように主端子４２を外側に折り曲げても良い。主端子
の折り曲げ方向を変えた以外は前述の金型、製造プロセ
スと同様である。
【０１０４】次に他のネジタイプの半導体モジュール構
造の製造プロセスを図２７〜図３２を用いて、説明す
る。これは主端子及び制御系端子を所望の形状に折り曲
げた後でモールド成形したものである。
【０１０５】図２７は、主端子及び制御系端子を所望の
形状に折り曲げた後でモールド成形する金型キャビティ
部の拡大断面図である。本実施の形態では、制御系端子
３の上型部２０と接触しているＢ部はファストンタイプ
と同様の構造を取っているが、これについても所望の形
状に折り曲げた後でモールド成形させても良い。
【０１０６】Ａ部は、外側に折り曲げた状態の主端子部
５５を絶縁性回路基板４上に接合したものをキャビティ
内に設置したものである。すなわち、外側に折り曲げた
主端子部５５の貫通穴４１の下には、図２２で示すネジ
部品５２をはんだ等により接合した状態でキャビティ内
に設置する。このとき、ネジ部品５２の先端は位置決め
穴付き板６上に接した状態となっている。その後、レジ
ン成形を行なう。
【０１０７】また、上型２０に主端子５５の折り曲げ部
分（水平部分）と嵌合する凹部を設けても良い。これに
より主端子５５のネジ締結機構表面はモールドされない
ので、他の端子とネジ接続する場合にネジ締結機構表面
の余分なモールドを除去する工程は不要となる。
【０１０８】図２８に、図２７の金型でモールドされた
成形品の主端子部分の拡大図を示す。
【０１０９】成形品２２表面と同じ面に端子５５露出面
がでており、かつ、端子周辺部も封止レジンで一体化し
た状態となっている。また、ネジ部品５２も封止レジン
と一体化されている。さらにネジ部品５２の先端部５６
は位置決め穴付き板６上に接しておりレジン成形による
折り曲げた端子部分の変形を防ぐ効果がある。また、ネ
ジ部品収納部を絶縁性回路基板４の外側とすることで回
路設計が容易となる効果がある。
【０１１０】なお、本実施の形態は図２９、図３０に示
すように主端子４２を内側に折り曲げても良い。
【０１１１】いずれの場合も、端子部、ねじ部品ともレ
ジンと一体成形化ができるのでネジ締結部の機械的強度
が向上する効果がある。また、各部品は、レジンにより
一体化していることより、モジュールの耐湿信頼性が向
上する効果がある。さらに、端子露出部分は成形品表面
と同じ面となるので電気絶縁性を向上させる効果があ
る。
【０１１２】主端子及び制御系端子を所望の形状に折り
曲げた後でモールド成形する場合、その折り曲げた端子
部を図３１、図３２のように構成しても良い。
【０１１３】図３１は、図２８、図３０に示すＡ部を拡
大したものであり、上型２２と接する端子５５表面に耐
熱性の粘着テープ２６を貼った状態を示したものであ
る。
【０１１４】図３２は、図２８、図３０に示すＡ部を拡
大したものであり、上型２２と接する端子５５表面に外
部との接続に用いるとき同様のダミーネジ５８を締め込
んだ状態を示したものである。ダミーネジ５８を締め込
むことにより、成形圧力によるネジ締め部の変形を防ぐ
効果がある。この場合、金型の上型２２にダミーネジ５
８と嵌合する凹部を設ける必要がある。
【０１１５】図３１、図３２のようにすることで、レジ
ン成形時に生じやすい主端子（水平部分）表面のレジン
バリの発生を防止できる効果がある。
【０１１６】次に、外部接続端子２、３を下型２１側に
設置した場合について図３８、３９を用いて説明する。
外部接続端子２、３を下型２１側に設置する以外はその
他の実施の形態と同様である。また、ファストンタイプ
のパワーモジュールについて説明するが、この成形方法
は、ネジタイプのパワーモジュールにも適用できること
は言うまでもない。
【０１１７】図３７は、外部接続端子２、３部分を下型
２１に挿入した状態でレジン成形したときの金型キャビ
テイ部の拡大断面図である。外部接続端子２、３が挿入
される部分の下型構造は、これまでに述べてきた上型構
造と同様である。また、構成部品を設置するための位置
合わせは下型２１のみでできるため位置精度は向上す
る。さらに上下金型を稼働させる以前に外部接続端子
２、３部分を下型２１内に確実に挿入できるため安定し
た成形が可能となる。
【０１１８】図３８にそのレジン成形するときのレジン
流露部の断面図を示す。すなわち、上型２０と下型２１
の間に位置決め穴付き板６を挟持し、放熱板５他の部品
をキャビテイ１９内に設置する。この時、ゲート１８並
びにランナ１７は下型２１側に設置してある。このよう
にキャビテイ１９内に設置した状態でレジン７を流入さ
せた主端子２並びに制御系端子３の一部及び位置決め穴
付き板６の裏面以外を全て蓋いレジン封止を完成する。
【０１１９】次に、樹脂封止するキャビテイ内に可動部
を設けて垂直端子の締め付けを行うことでトランスファ
成形する場合を説明する。
【０１２０】図４０は、その一例であり、大まかに上金
型１０１、下金型１０２、金型内に設置される垂直端子
１０６を備えた絶縁性回路基板１０５とから構成され
る。下金型１０２には、絶縁性回路基板１０５を設置す
るキャビテイ１０７、該キャビテイへランナ１２１を介
して樹脂を供給するポット１２０とから構成されてい
る。
【０１２１】特に、本発明の下金型１０２は、垂直端子
１０６に対応するようにキャビテイ１０７内の両側に凹
部が形成された固定部分１０４と、固定部分１０４の凹
部内を可動する可動部分１０３とから構成されており、
該凹部に位置合わせされた垂直端子１０６を可動部分１
０３を移動させることで締め付ける。従って、可動部分
１０３は、垂直端子１０６を締め付けた状態において、
固定部分１０４の凹部と嵌合するよう形成することが好
ましい。
【０１２２】図３９に、図４０の上下金型概略図に於い
て、絶縁性回路基板１０５を金型内の所定位置にセット
した後、上下の金型を閉じた時のＡ−Ａ断面を示す。
【０１２３】図３９に示すように、半導体素子（図示せ
ず）と電気的に接続した垂直端子１０６を設けた絶縁性
回路基板１０５は、上金型１０１と下金型１０２の間の
樹脂充填を行うキャビティ部分１０７の所定の場所にセ
ットされる。この場合、上金型１０１に絶縁性回路基板
１０５と嵌合するような凹部を設けることで位置合わせ
をしても良い（図示せず）。
【０１２４】そして、絶縁性回路基板１０５は上金型１
０１と下金型１０２を閉じることにより締付けられる。
【０１２５】キャビティ１０７内では絶縁性回路基板１
０５に対して垂直に設けた端子１０６が、下金型１０２
の固定部分１０４と可動部分１０３との間に入る状態と
なる。そして、可動部分１０３が垂直端子１０６に近づ
く方向に移動して、固定部分１０４と可動部分１０３の
間で垂直端子１０６が締付けられる。この場合、固定部
分１０４と可動部分１０３とで垂直端子を安定した状態
で締め付けるには、固定部分の幅bを垂直端子１０６を
配置した距離aとほぼ同様にすることが好ましい。これ
らをほぼ同等の寸法にすることで、垂直端子１０６と固
定部分１０４との密着性を高めることができるのでレジ
ンバリの発生を抑制することができる。また、可動部分
１０３による必要以上の付加が垂直端子１０３に加わら
ないので、その接続不良の発生を抑制することもでき
る。
【０１２６】その後、ポット１２０からキャビティ１０
７内に加熱溶融した樹脂が充填され、半導体装置がトラ
ンスファ成形される。
【０１２７】このように、金型に垂直端子を締め付ける
ための機構を設けることで、単純に垂直端子と嵌合する
凹部を有するものに比べて、各部品の寸法バラツキの影
響を受けることなく安定したトランスファ成形を実現す
ることができる。
【０１２８】次に、前述の可動部分１０３の移動を上金
型１０１と下金型１０２の開閉を利用して同時に行う例
を図４１から図４４を用いて説明する。図４１から図４
４には、上下金型の開閉に伴い可動部分１０３が移動す
る状態を示す金型の断面概略図が示されている。なお、
図３９と同様の構成については、以下の図面も含めて同
様の番号を付けている。
【０１２９】まず、図４１に示すように、上金型１０１
に誘導ピン１０８を設け、下金型１０２の備える可動部
分１０３に該誘導ピン１０８に対応させたガイド穴１０
９を設けたものを用いてトランスファ成形を始める。つ
まり、絶縁性回路基板１０５に垂直に設けられた端子１
０６が、下金型１０２の固定部分１０４と可動部分１０
３の隙間に入るようにセットする。なお、誘導ピン１０
８は外側方向に延出させる。次に、図４２に示すよう
に、図４１の状態から上金型１０１と下金型１０２が徐
々に閉じられて、上金型１０１に設けられた誘導ピン１
０８の先端が、下金型１０２に設けられたガイド穴１０
９に入り始める。この状態では、金型に設けられた垂直
端子１０６を締付けする部分は移動を始めていない。
【０１３０】さらに金型が閉じられ、上金型１０１と下
金型１０２の距離が短くなると、誘導ピン１０８がガイ
ド穴１０９へ徐々に進入していく。
【０１３１】この時、誘導ピン１０８は外側方向に延出
するように固定されているため、金型内の垂直端子１０
６の締付け部分となる可動部分１０３が誘導ピン１０８
によってキャビティの内側に移動する。
【０１３２】図４３では、上下金型１０１、１０２の距
離がさらに短くなり絶縁性回路基板部分１０５の締付け
が完了した状態を示す。この段階で、上下金型による絶
縁性回路基板部分１０５の締付けと同時に、キャビティ
内の可動部分１０３の移動により絶縁性回路基板１０５
に垂直に設けた端子部分１０６の締付けも完了する。そ
して、絶縁性回路基板１０５に垂直に設けた端子１０６
が締付けられた状態で加熱溶融された樹脂をキャビティ
内に流入させ樹脂封止を行う。
【０１３３】図４４では、絶縁性回路基板部分１０５、
垂直端子部分１０６の締付け完了後、封止樹脂１１０を
キャビティ内に移送し樹脂封止が完了した後、上金型１
０１と下金型１０２が再び開き始めた状態を示す。樹脂
封止後、上下金型が開かれ絶縁性回路基板部分１０５の
締付けが開放されると同時に誘導ピン１０８がガイド穴
１０９から引き抜かれる。この時、誘導ピン１０８によ
り可動部分１０３がキャビティの外側に向けて移動し、
垂直端子部分１０６の締付け力が開放され、樹脂封止し
た製品の取り出しが可能となる。
【０１３４】なお、可動部分１０３により垂直端子１０
６を安定して締め付けるには、図４２の状態から図４３
の状態になるまで、可動部分１０３を移動させる必要が
ある。従って、誘導ピン１０８は、可動部分１０３を距
離l１だけ移動させるように、図５７に示すように所定
の傾斜tanθ１（＝l１ / h１）を持たせて形成しなけれ
ばならない。
【０１３５】以上説明したように、本実施の形態では、
誘導ピン１０８をガイド穴１０９に挿入することで、誘
導ピン１０８の挿入状態に応じて可動部分１０３を移動
させて（上金型１０１と下金型１０２の開閉に連動させ
て）垂直端子１０６を締め付けることができる。このよ
うに、上金型１０１と下金型１０２の開閉に連動させて
可動部分１０３の移動を行うことができれば、可動部分
を駆動させるための機構を省略することができるので、
該半導体装置を成形する成型機を小型化することができ
るばかりか、駆動機構の制御も簡便にすることができ
る。
【０１３６】また、誘導ピン１０８とガイド穴１０９を
用いるだけで垂直端子の締付けと開放との両方を簡単に
実現することができる。
【０１３７】次に、前述の可動部分１０３の移動を上金
型１０１と下金型１０２の開閉を利用して同時に行う他
の例を図４５から図５２を用いて説明する。図４５から
図５２には、上下金型を閉じる際、金型１０１、１０２
にそれぞれ設けた傾斜部１１１、１１２に沿って可動部
分１０３を移動させ絶縁性回路基板１０５に垂直に設け
た端子１０６を締付ける金型断面概略図を示す。
【０１３８】まず、図４５に示すように、上金型１０１
に傾斜部１１１を形成した凹部を設け、下金型１０２の
備える可動部分１０３に該傾斜部１１１に対応させた傾
斜部１１２を設けたものを用いてトランスファ成形を始
める。つまり、絶縁性回路基板１０５に垂直に設けられ
た端子１０６が、下金型１０２の固定部分１０４と可動
部分１０３の隙間に入るようにセットする。
【０１３９】次に、図４６に示すように、図４５の状態
から上金型１０１と下金型１０２が徐々に閉じられ、上
金型１０１に設けた傾斜部１１１と可動部分１０３に設
けた傾斜部１１２が接触した状態となる。この状態で
は、可動部分１０３は移動していない。
【０１４０】図４７では、さらに上下の金型１０１、１
０２が閉じられ、上金型１０１の設けた傾斜部１１１に
沿って下金型１０２の可動部分１０３に設けた傾斜部１
１２が下金型の固定部側に押されてキャビティ内側に移
動する。
【０１４１】図４８では上金型１０１と下金型１０２が
完全に閉じた状態となり、上下の金型により絶縁性回路
基板部分１０５が締付けられ、さらに上下金型に設けた
傾斜部分１１１、１１２によって可動部分１０３がキャ
ビティ内側に移動し、絶縁性回路基板１０５に設けた垂
直端子１０６も可動部分１０３によって締付けられてい
る。このような状態で加熱溶融した封止樹脂をキャビテ
ィ内に流入し樹脂封止を行い、樹脂が金型から取り出し
可能な硬度に硬化反応が進行するまで金型内で保持した
後、上金型と下金型が開かれる。
【０１４２】図４９は樹脂封止後上金型１０１と下金型
１０２が開かれた状態を示したものである。この状態で
は絶縁性回路基板１０５に垂直に設けた端子１０６に可
動部分１０３からの締付力は加わっていないが、可動部
分１０３は閉じたままである。
【０１４３】図５０は下金型１０２が下降し、可動部分
１０３の垂直端子１０６の締付けを開放させるため、可
動部分１０３に設けた傾斜部１１３にピン１１４が下金
型１０２の開口部より挿入され、傾斜部１１３とピン１
１４の両方の傾斜部分が接触する直前の状態を示した。
なお、ピン１１４の先端は必ずしも傾斜させる必要はな
い。
【０１４４】図５１は、下金型１０２の下方より傾斜部
を持ったピン１１４が更に進入した状態を示したもので
ある。このとき下金型１０２の下方から進入するピン１
１４の傾斜部に沿って可動部分１０３の傾斜部１１３が
押され、可動部分１０３がキャビティの外側へ移動し垂
直端子部分１０６の締付け力が開放される。
【０１４５】図５２は、垂直端子１０６の締付け力を開
放する傾斜部を設けたピン１１４を金型の可動部分１０
３の傾斜部１１３から離した状態である。この状態で樹
脂封止後の半導体装置が金型より取り出し可能となり、
次の絶縁性回路基板１０５の樹脂封止工程に入ることが
できる。
【０１４６】なお、可動部分１０３により垂直端子１０
６を安定して締め付けるには、図４６の状態から図４８
の状態になるまで、可動部分１０３を移動させる必要が
ある。従って、傾斜部１１１は、可動部分１０３を距離
l２だけ移動させるように、図５８に示すように所定の
傾斜tanθ２（＝l２ / h２）を持たせて形成しなければ
ならない。可動部分の傾斜部１１２についても同様であ
る。
【０１４７】また、可動部分１０３による垂直端子１０
６の締付けを開放させるには、図４９の状態から図５２
の状態になるまで、可動部分１０３を移動させる必要が
ある。従って、傾斜部１１３は、可動部分１０３を距離
l３だけ移動させるように、図５８に示すように所定の
傾斜tanθ３（＝l３ / h３）を持たせて形成しなければ
ならない。ピン１１４の傾斜部についても同様である。
【０１４８】なお、距離l２と距離l３とを等しくするこ
とで、連続的に複数個の半導体装置をトランスファ成形
することができる。
【０１４９】以上説明したように、本実施の形態では、
上金型１０１に形成した傾斜部１１１を下金型１０２に
形成した傾斜部１１２と係合させることで、上金型１０
１と下金型１０２の開閉に連動させて垂直端子１０６を
締め付けることができる。このように、上金型１０１と
下金型１０２の開閉に連動させて可動部分１０３の移動
を行うことができれば、可動部分を駆動させるための機
構を省略することができるので、該半導体装置を成形す
る成型機を小型化することができるばかりか、駆動機構
の制御も簡便にすることができる。
【０１５０】次に、下金型１０２の他の実施の形態を説
明する。
【０１５１】図５３は絶縁性回路基板等に設けた垂直端
子を締付ける金型を示したものであり、金型の可動部分
１０３に垂直端子のピッチ、形状に合わせた凹部１１５
を設けたものである。つまり、図５３に示す下金型１０
２は、樹脂封止工程の金型可動部による垂直端子の締付
けにおいて、金型の可動部分１０３に設けた凹部１１５
と垂直端子とが嵌合する構造となっている。これによ
り、垂直端子部分は凹部１１５と嵌合するので、樹脂封
止工程で端子間から樹脂の漏出がおこらず、垂直端子間
に樹脂漏れ出し防止のためのダムを設ける必要が無くな
り工程の簡略化が可能となる。なお、このような金型に
設ける凹部１１５は、金型の可動部分１０３あるいは固
定部分１０４の何れか一方でも、両方に設けても構わな
い。
【０１５２】さらに、図５４は金型可動部で締付ける絶
縁性回路基板１０５上の垂直端子部分１０６に、ポリイ
ミド、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムに接着
剤を塗布した絶縁物１１６を貼り付けたものである。図
５４の絶縁性回路基板１０５および垂直端子１０６を用
いて図５３に示す形状の可動部分１０３で絶縁性回路基
板１０５の垂直端子１０６の締付けを行う時、垂直端子
１０６に張り付けた絶縁物１１６が垂直端子１０６と金
型の隙間に入り込み、樹脂封止工程での封止樹脂の漏れ
出しを抑える効果がある。また絶縁物を用いるため、図
５５に示したように封止樹脂の中に埋めこまれた状態で
使用可能であり、樹脂封止後にこれらの除去を行う必要
が無い。絶縁物フィルムとしては、前述のポリイミド、
ポリエチレンテレフタレートの他にシリコーン、テフロ
ン等のフィルムも使用可能であり、さらにエポキシ樹
脂、フェノール樹脂等をガラスクロスに含浸させフィル
ム状にしたものも使用可能である。
【０１５３】図５６は金型の可動部分１０３の垂直端子
の締付けを行う部分に弾性体１１７を設けた構造を示し
たものである。垂直端子の締付けを行う際、可動部分１
０３に設けた弾性体１１７が垂直端子の形状に合わせて
変形し、可動部分１０３と端子間に隙間がなくなり、樹
脂封止工程で封止樹脂の漏出を起こさなくなる。
【０１５４】弾性体の弾性率は、垂直端子とこれを締付
ける金型との間に生じる隙間の大きさおよび垂直端子の
締付け圧力によって異なるが、従来の樹脂封止型半導体
の製造装置で約0.1mmの隙間の場合、弾性体の弾性率が
１MPa以上10GPa以下の範囲であれば使用可能である。
【０１５５】弾性率が１MPaより低い場合には、樹脂封
止工程で封止樹脂を注入させる圧力により垂直端子と締
付け部に生じた隙間を埋めた弾性体を押し広げて封止樹
脂が隙間から流出し易くなる。一方、弾性体の弾性率が
10GPaより高い場合には、垂直端子を締付ける工程で弾
性体が十分に変形できず、弾性体が垂直端子との間に生
じる隙間を十分に充填することができず、樹脂封止工程
で封止樹脂が流出したりあるいは垂直端子にダメージを
与えて端子が変形する等の問題が生じる。
【０１５６】よって、弾性率が１MPa以上10GPa以下の弾
性体を垂直端子の締付け部に用いることにより、垂直端
子にダメージを与えず締付け部と垂直端子の隙間からの
樹脂漏れ等を起こさず樹脂封止が可能となる。
【０１５７】本発明では、可動部分による垂直端子の締
付けを、下金型によって行う場合を中心に行ったが、同
様な機能は上金型にも設けることが可能であり、さらに
必要に応じて上下両方の金型に実施例で述べた機構を設
け、絶縁性回路基板の両面に垂直に端子を設けることも
可能である。
【０１５８】さらに絶縁性回路基板に設けた垂直な端子
の代わりに、一般の半導体の製造に使用されているリー
ドフレームを、予め折り曲げて使用することも可能であ
る。
【０１５９】本発明に使用する封止樹脂は、一般に半導
体の樹脂封止に用いられている、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化
性樹脂にシリカ、アルミナ等の充填材、カーボンブラッ
ク等の着色材あるいは染料、硬化促進材、アルコキシシ
ラン、チタネート、アルミキレート等のカップリング
材、難燃剤その他の添加剤を配合したものが使用可能で
ある。なお、熱硬化性樹脂に限らず、熱可塑性樹脂を用
いても問題はない。
【０１６０】以上、本発明について実施の形態を用いて
具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能である。
【０１６１】
【発明の効果】本発明によれば、垂直方向に配置された
端子をトランスファ成形する技術を確立し、外部接続端
子をほぼ垂直に配置した半導体装置を樹脂封止により高
信頼に製造する半導体の製造方法およびその半導体装置
を提供することができる。
【０１６２】このように垂直方向に配置された端子をト
ランスファ成形するので、外部接続端子のモールドされ
ていない部分と放熱板との距離が確保でき、この間での
放電現象によるモジュールの破壊を防止することができ
る。特に放熱板並びにそれと接触する放熱フィンを必要
とする発熱量が大きい大容量のパワーモジュールでの効
果は大きい。
【０１６３】また位置決め穴付き板を用いてトランスフ
ァ成形するので製造工程を自動化でき生産性の向上、低
価格化を図ることができる。
【０１６４】また、トランスファ成形することで耐湿信
頼性の大幅な向上が図れる。
【０１６５】本発明によれば、外部接続端子をほぼ垂直
に配置した半導体装置を樹脂封止により安定して製造す
る製造方法およびその半導体装置をネジ締結用のネジタ
イプに適用することができる。また、主端子におけるネ
ジ形成部を成形品と一体化することでネジ部の機械的強
度の向上ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パワー半導体モジュールの構造を表す断面図で
ある。
【図２】図１を上方より見たときの平面図である。
【図３】位置決め穴付き板上に各種部品を搭載するまで
の工程図である。
【図４】レジン成形するまでの工程図である。
【図５】成形品から完成までの工程図である。
【図６】レジン成形するための金型キャビティ部の拡大
断面図である。
【図７】主端子周辺の部分拡大断面斜視図である。
【図８】主端子周辺の部分拡大断面斜視図である。
【図９】主端子周辺の部分拡大断面斜視図である。
【図１０】主端子周辺の部分拡大断面斜視図である。
【図１１】主端子構造の斜視図である。
【図１２】主端子周辺の部分拡大断面斜視図である。
【図１３】位置決め穴付き板上に各種部品を搭載するま
での工程図である。
【図１４】レジン成形するまでの工程図である。
【図１５】成形品から完成までの工程図である。
【図１６】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図１７】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図１８】主端子を折り曲げるときの模式図である。
【図１９】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図２０】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図２１】主端子を折り曲げるときの模式図である。
【図２２】ねじ部品の斜視図である。
【図２３】上型主端子挿入部分の拡大断面図である。
【図２４】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図２５】上型主端子挿入部分の拡大断面図である。
【図２６】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図２７】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図２８】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図２９】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図３０】成形品の主端子部分の拡大断面斜視図であ
る。
【図３１】主端子部分の拡大断面図である。
【図３２】主端子部分の拡大断面図である。
【図３３】従来のパワー半導体モジュールの放熱板上に
各種部品を搭載するまでの工程図である。
【図３４】保護ケースを放熱板に被せる工程図である。
【図３５】シリコーン樹脂を保護ケース内に注入する工
程図である。
【図３６】エポキシ系レジンを保護ケース内に注入する
工程図である。
【図３７】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図３８】レジン成形するための金型キャビティ部の拡
大断面図である。
【図３９】キャビティ内部に可動部分を有する金型の断
面概略図である。
【図４０】キャビティ内部に可動部分を有する金型の概
略図である。
【図４１】誘導ピンにより、キャビティ内部の可動部分
を移動させる工程の説明図である。
【図４２】誘導ピンにより、キャビティ内部の可動部分
を移動させる工程の説明図である。
【図４３】誘導ピンにより、キャビティ内部の可動部分
を移動させる工程の説明図である。
【図４４】誘導ピンにより、キャビティ内部の可動部分
を移動させる工程の説明図である。
【図４５】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図４６】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図４７】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図４８】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図４９】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図５０】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図５１】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図５２】金型に設けた傾斜部によりキャビティ内部の
可動部分を移動させる工程の説明図である。
【図５３】キャビティ内の可動部分に凹みを設けた金型
の上面図である。
【図５４】キャビティ内可動部分により締付けられる垂
直端子部分に絶縁性フィルムを貼り付けた半導体装置概
略図である。
【図５５】キャビティ内可動部分により締付けられる垂
直端子部分に絶縁性フィルムを貼り付けた半導体装置概
略図である。
【図５６】キャビティ内の可動部分に弾性体を設けた金
型の上面図である。
【図５７】誘導ピンの傾斜角を表した図である。
【図５８】上金型に形成された傾斜部分の傾斜角を表し
た図である。
【図５９】可動部分に形成された傾斜部分の傾斜角を表
した図である。
【符号の説明】
１・・・パワー半導体素子等の部品、２・・・主端子、
３・・・制御系端子、４・・・絶縁性回路基板、５・・
・放熱板、６・・・位置決め穴付き板、７・・・レジ
ン、９・・・パッド、１３・・・基準穴、１４・・・主
端子の連結部、１５・・・制御系端子の連結部、１６・
・・金型、２０・・・上型、２１・・・下型、２６・・
・粘着テープ、２７・・・端子収納部、２８・・・端子
収納部端面、３０・・・柔軟物、３１・・・端子挿入部
３２・・・端子挿入部端面、３３・・・台形状の柔軟
物、３４・・・ダム部、３６・・・液状物注入用容器、
３７・・・容器の挿入用穴、３８・・・液状物、４１・
・・貫通穴、４６・・・主端子収納部となる凸部、４７
・・・ネジ形成部品収納部となる凸部、４８・・・成形
品の主端子収納部となる凹部、４９・・・成形品のネジ
形成部品収納部となる凹部、５０・・・ネジ形成部品、
５１・・・空間部を設けるための容器、５２・・・ネジ
部品、５３・・・容器収納部となる凸部、５４・・・外
側に折り曲げた状態の主端子部、５６・・・内側に折り
曲げた状態の主端子部、５８・・・ダミーネジ、１０１
・・・上金型、１０２・・・下金型、１０３・・・キャ
ビティ内可動部分、１０４・・・キャビティ内固定部
分、１０５・・・絶縁性回路基板、１０６・・・垂直端
子、１０７・・・キャビティ（封止樹脂流入部）、１０
８・・・誘導ピン、１０９・・・ガイド穴、１１０・・
・封止樹脂、１１１・・・上金型傾斜部、１１２・・・
可動部傾斜部、１１３・・・可動部傾斜部（締付け開放
用）、１１４・・・ピン傾斜部（締付け開放用）、１１
５・・・可動部凹み部、１１６・・・絶縁物、１１７・
・・弾性体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芹沢 弘二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小川 敏夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 熊沢 鉄雄 茨城県土浦市神立町502番地株式会社日 立製作所機械研究所内 (56)参考文献 特開 平２−183547（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−110847（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 25/07 H01L 21/56 H01L 25/18

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】トランスファ成形された半導体装置であっ
    て、 半導体素子と、 該半導体素子を搭載する回路基板と、 該回路基板の面上に立てて設置されかつ該半導体素子と
    電気的に接続され、さらにその一部に絶縁物が巻き付け
    られた外部接続端子と、 該外部接続端子が設置された面の裏面に接触する放熱板
    とを有し、 該外部接続端子の該絶縁物が巻き付けられた部分よりも
    上部及び該放熱板の少なくとも一部を露出するように樹
    脂封止され、該絶縁物と一体化してなることを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置であって、 該絶縁物の一部が露出していることを特徴とする半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の半導体装置であ
    って、 該放熱板は、該回路基板と接触する面が樹脂で覆われ、
    該回路基板と接触する面の側面及び裏面が露出している
    ことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 半導体装置の製造方法であって、 半導体素子と、該半導体素子と電気的に接続する外部接
    続端子とを回路基板に設置するとともに、該回路基板の
    該外部接続端子が設置された面の裏面に放熱板を接合す
    る第一の工程と、 該基板を成形金型のキャビティ内に設置し、該成形金型
    に樹脂を注入してトランスファ成形する第二の工程と、 該トランスファ成形された基板のランナ部、ゲート部及
    び前記放熱板のうち少なくとも一部を切断する第三の工
    程を有し、 前記第一の工程では、前記回路基板上の周辺領域の内、
    対向する二辺に外部接続端子を列状に立てて設置し、 前記第二の工程では、該外部接続端子が配置された対向
    する二辺ではない他の二辺の内、少なくとも一方から樹
    脂を注入できるように前記基板を設置し、さらに該外部
    接続端子は該成形金型の凹部に挿入してトランスファ成
    形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法で
    あって、 該外部接続端子には、その上部を残すように絶縁物が巻
    き付けられ、 前記第二の工程では、該外部接続端子の上部を残すよう
    に巻き付けた絶縁物部分と該凹部を嵌合させてトランス
    ファ成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 半導体装置の製造方法であって、 半導体素子と、該半導体素子と電気的に接続する外部接
    続端子とを回路基板に設置するとともに、該回路基板の
    該外部接続端子が設置された面の裏面に放熱板を接合す
    る第一の工程と、 該基板を成形金型のキャビティ内に設置し、該成形金型
    に樹脂を注入してトランスファ成形する第二の工程と、 該トランスファ成形された基板のランナ部、ゲート部及
    び前記放熱板のうち少なくとも一部を切断する第三の工
    程を有し、 前記第二の工程では、該接合された放熱板を成形金型の
    上型と下型で挟持するとともに、該外部接続端子の上部
    を残すように巻き付けられた絶縁物と該凹部を嵌合させ
    てトランスファ成形することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 半導体装置の製造方法であって、半導体
    素子と、該半導体素子と電気的に接続する外部接続端子
    とを回路基板に設置するとともに、該回路基板の該外部
    接続端子が設置された面の裏面に放熱板を接合する第一
    の工程と、 該基板を成形金型のキャビティ内に設置し、該成形金型
    に樹脂を注入してトランスファ成形する第二の工程と、 該トランスファ成形された基板のランナ部、ゲート部及
    び前記放熱板のうち少なくとも一部を切断する第三の工
    程を有し、 前記第二の工程では、該放熱板と嵌合するように設けら
    れた成形金型の上型又は下型の凹部に前記放熱板を嵌合
    するとともに、該外部接続端子の上部を残すように巻き
    付けられた絶縁物と該成形金型の凹部を嵌合させてトラ
    ンスファ成形することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項４から７のいずれか一項に記載の
    半導体装置の製造方法であって、 前記放熱板には位置決め穴が設けられ、前記成形金型の
    上型又は下型には該位置決め穴に嵌合するような凸部が
    設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 半導体装置の製造方法であって、 半導体素子と、該半導体素子と電気的に接続する外部接
    続端子とを回路基板に設置するとともに、該回路基板の
    該外部接続端子が設置された面の裏面に放熱板、位置決
    め穴付き板を順次接合する第一の工程と、 該基板を成形金型のキャビティ内に設置し、該成形金型
    に樹脂を注入してトランスファ成形する第二の工程と、 該トランスファ成形された基板のランナ部、ゲート部及
    び前記放熱板のうち少なくとも一部を切断する第三の工
    程を有し、 前記第二の工程では、該接合された位置決め穴付き板を
    成形金型の上型と下型で挟持するとともに、該外部接続
    端子の上部を残すように巻き付けられた絶縁物と該成形
    金型の凹部を嵌合させてトランスファ成形することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項５、６、７、９のいずれか一項
    に記載の半導体装置の製造方法であって、 前記絶縁物は、トランスファ成形により半導体装置の一
    部として構成され、取り外さないことを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP03737697A 1996-08-20 1997-02-21 半導体装置とその製造方法 Expired - Fee Related JP3491481B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03737697A JP3491481B2 (ja) 1996-08-20 1997-02-21 半導体装置とその製造方法
KR1019997001397A KR100342797B1 (ko) 1996-08-20 1997-07-25 반도체 소자 및 그 제조 방법
EP97933026A EP0959494A4 (en) 1996-08-20 1997-07-25 SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
EP01103688A EP1119037A3 (en) 1996-08-20 1997-07-25 Semiconductor device and method of manufacturing thereof
PCT/JP1997/002586 WO1998008251A1 (fr) 1996-08-20 1997-07-25 Semi-conducteur et procede de fabrication correspondant

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8-218274 1996-08-20
JP21827496 1996-08-20
JP03737697A JP3491481B2 (ja) 1996-08-20 1997-02-21 半導体装置とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10116962A JPH10116962A (ja) 1998-05-06
JP3491481B2 true JP3491481B2 (ja) 2004-01-26

Family

ID=26376509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03737697A Expired - Fee Related JP3491481B2 (ja) 1996-08-20 1997-02-21 半導体装置とその製造方法

Country Status (4)

Country Link
EP (2) EP1119037A3 (ja)
JP (1) JP3491481B2 (ja)
KR (1) KR100342797B1 (ja)
WO (1) WO1998008251A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699746B1 (ko) * 2000-11-07 2007-03-27 페어차일드코리아반도체 주식회사 열전달 특성이 개선된 전력용 모듈 패키지

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4540884B2 (ja) * 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4614584B2 (ja) * 2001-06-28 2011-01-19 三洋電機株式会社 混成集積回路装置およびその製造方法
JP5252819B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-31 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5098440B2 (ja) * 2007-05-25 2012-12-12 三菱電機株式会社 電力半導体装置の製造方法
JP5355867B2 (ja) * 2007-07-10 2013-11-27 ローム株式会社 集積回路素子
JP5082687B2 (ja) * 2007-08-30 2012-11-28 オムロン株式会社 トランスファーモールド型パワーモジュール
KR100905940B1 (ko) * 2007-09-19 2009-07-06 세메스 주식회사 미세 회로 소자의 제조 방법 및 장치
JP2009200416A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5339800B2 (ja) 2008-07-10 2013-11-13 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5012772B2 (ja) * 2008-11-28 2012-08-29 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5262793B2 (ja) 2009-02-13 2013-08-14 三菱電機株式会社 電力用半導体装置とその製造方法
JP4766162B2 (ja) * 2009-08-06 2011-09-07 オムロン株式会社 パワーモジュール
JP5602095B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2014046058A1 (ja) 2012-09-20 2014-03-27 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置およびインバータ装置、およびパワーモジュール半導体装置の製造方法、および金型
JP2012248907A (ja) * 2012-09-21 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置
US9472538B2 (en) * 2013-07-04 2016-10-18 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP6398399B2 (ja) * 2013-09-06 2018-10-03 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102014110967B4 (de) 2014-08-01 2021-06-24 Infineon Technologies Ag Verkapselte elektronische Chipvorrichtung mit Befestigungseinrichtung und von außen zugänglicher elektrischer Verbindungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung
WO2017060970A1 (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6673012B2 (ja) 2016-05-26 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102020207686A1 (de) 2020-06-22 2021-12-23 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit optimierter Kühlung und Kontaktierung
DE212021000239U1 (de) 2020-10-14 2022-06-07 Rohm Co., Ltd. Halbleitermodul
CN116825768B (zh) 2020-10-14 2024-02-23 罗姆股份有限公司 半导体模块
WO2022080063A1 (ja) 2020-10-14 2022-04-21 ローム株式会社 半導体モジュール
CN113945205B (zh) * 2021-11-23 2024-11-05 华芯拓远(天津)科技有限公司 惯性测量单元的装配方法及惯性测量单元的装配工具

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632737A (en) * 1979-08-24 1981-04-02 Omron Tateisi Electronics Co Manufacture of electronic equipment
JPS5637662A (en) * 1979-09-05 1981-04-11 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS60193345A (ja) * 1984-03-15 1985-10-01 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPS61183934A (ja) * 1985-02-09 1986-08-16 Alps Electric Co Ltd ネツトワ−ク電子部品の製造方法
JPS62113454A (ja) * 1985-11-13 1987-05-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62142856U (ja) * 1986-02-28 1987-09-09
IT1202657B (it) * 1987-03-09 1989-02-09 Sgs Microelettronica Spa Procedimento di fabbricazione di un dispositivo modulare di potenza a semiconduttore e dispositivo con esso ottenento
JPS6454736A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Matsushita Electric Works Ltd Manufacture of package
JPH01282846A (ja) * 1988-05-09 1989-11-14 Nec Corp 混成集積回路
JPH02216838A (ja) * 1989-02-17 1990-08-29 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
JPH03110847A (ja) * 1989-09-25 1991-05-10 Nec Corp 半導体集積回路
JPH03110847U (ja) * 1990-02-28 1991-11-13
KR100199261B1 (ko) * 1990-04-27 1999-06-15 가나이 쓰도무 반도체장치 및 그 제조방법 그리고 그것에 사용되는 성형장치
EP0460286A3 (en) * 1990-06-06 1992-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Method and arrangement for bonding a semiconductor component to a substrate or for finishing a semiconductor/substrate connection by contactless pressing
JPH04326753A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JPH06252188A (ja) * 1993-02-25 1994-09-09 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体素子の製造方法および製造装置
JP3215254B2 (ja) * 1994-03-09 2001-10-02 株式会社東芝 大電力用半導体装置
FR2719157B1 (fr) * 1994-04-20 1996-08-09 Rv Electronique Dispositif de puissance à semiconducteur à double isolation.
JPH08139218A (ja) * 1994-11-08 1996-05-31 Hitachi Ltd 混成集積回路装置およびその製造方法
JPH1022435A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699746B1 (ko) * 2000-11-07 2007-03-27 페어차일드코리아반도체 주식회사 열전달 특성이 개선된 전력용 모듈 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000068262A (ko) 2000-11-25
KR100342797B1 (ko) 2002-07-04
EP1119037A2 (en) 2001-07-25
EP0959494A1 (en) 1999-11-24
WO1998008251A1 (fr) 1998-02-26
JPH10116962A (ja) 1998-05-06
EP1119037A3 (en) 2001-10-10
EP0959494A4 (en) 2001-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3491481B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
US5091341A (en) Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
US8530281B2 (en) Production method of semiconductor module with resin-molded assembly of heat spreader and semiconductor chip
KR100889422B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
US4507675A (en) Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor
KR100850147B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 수지 밀봉용 금형
US8987877B2 (en) Semiconductor device
US5194695A (en) Thermoplastic semiconductor package
KR20070104497A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5098440B2 (ja) 電力半導体装置の製造方法
US4503452A (en) Plastic encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5444584B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US7152316B2 (en) Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same
WO2011077781A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3281859B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
US20190157185A1 (en) Power semiconductor module, power conversion device using same, and method for manufacturing power conversion device
JPH10256291A (ja) 熱散逸器を具備する電子装置用プラスチックパッケージの製造方法
CN108140583B (zh) 半导体装置的制造方法
JP2020072094A (ja) パワーユニット、パワーユニットの製造方法及びパワーユニットを有する電気装置
JP3550100B2 (ja) 自動車用電子回路装置及びそのパッケージ製造方法
JPH09275155A (ja) 半導体装置
JP7241962B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2020072101A (ja) パワーユニット、パワーユニットの製造方法、パワーユニットを有する電気装置及びヒートシンク
JPS6362239A (ja) プラスチックカプセル封じ半導体デバイスの製造方法
JP3818899B2 (ja) 複合半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071114

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101114

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees