JP3481020B2 - Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき浴 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐｂを実質的に含
有しないＳｎ−Ｂｉ系合金めっき浴、特にはんだ用合金
めっき浴に関するものである。

【従来の技術】錫めっきやハンダめっきは、ハンダ付け
性向上用として、またエッチングレジスト用として弱電
あるいは電子工業の分野で広く利用されてきた。しか
し、錫めっきにはホイスカーが生じるといった問題があ
り、ハンダめっきには鉛による水質汚染の問題がクロー
ズアップされてきている。近年、このような問題を生じ
ない新しいめっきとしてＳｎ４２−Ｂｉ合金めっきが注
目されており、電子工業の分野では一部低融点ハンダめ
っきとして使用されている。しかし、従来のＳｎ−Ｐｂ
共晶ハンダの溶融温度が１８３℃であるのに対し、Ｓｎ
−Ｂｉハンダの場合、１３９℃と低いのに加え、実際の
使用温度１００℃近傍で組織が変化を起こす。このこと
は、ハンダの特性（強度、ハンダ付け性等）及び製品の
信頼性として致命的欠点となる。従って、この欠点を克
服することが必要である。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、１００℃付
近の温度でもめっき皮膜の性能の劣化がなく、ホイスカ
ーを生じないＳｎ−Ｂｉ系合金めっきを形成できる浴を
提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】本発明は、Ｓｎ−Ｂｉ合
金めっき成分に、第３成分として、Ｃｕ、Ｃｏ及びＡｇ
から選ばれる１種又は２種以上を併用するとともに、特
定の酸を共存させた浴を用いると、鉛イオンを実質的に
含有しなくとも、優れたＳｎ−Ｂｉ合金めっきを得るこ
とができるとの知見に基づいてなされたのである。すな
わち、本発明は、Ｂｉイオン、Ｓｎイオン、Ｃｕ
イオン、Ｃｏイオン及びＡｇイオンからなる群から選ば
れる少くとも１種の金属イオン、及びカルボン酸、ラ
クトン化合物、アルカンスルホン酸、アルカノールスル
ホン酸、フェノールスルホン酸及びこれらの塩から選ば
れる少なくとも一種を含有し、かつ鉛イオンを実質的に
含有しないことを特徴とするＳｎ−Ｂｉ系合金めっき浴
を提供する。

【０００３】

【発明の実施の態様】本発明の浴におけるＢｉイオン、
Ｓｎイオン、Ｃｕイオン、Ｃｏイオン及びＡｇイオン
は、水溶液中でこれらイオンに解離することのできるビ
スマス化合物、錫化合物、銅化合物、コバルト化合物、
銀化合物を水、又は酸性の水溶液に溶解することにより
容易に得られる。本発明で用いることのできる三価のビ
スマス化合物、二価の錫化合物、二価の銅化合物、二価
のコバルト化合物、一価の銀化合物としては、各々の金
属の水酸化物、酸化物、硫酸塩、塩酸塩、スルファミン
酸塩、ピロリン酸塩、カルボン酸塩、アミノ酸塩または
スルホン酸塩であり、好ましくは、金属の酸化物、硫酸
塩、塩酸塩があげられる。カルボン酸塩の具体例として
は、以下に示すポリオキシモノカルボン酸塩、ポリオキ
シラクトン、ポリカルボン酸の塩のほか、ギ酸、酢酸、
プロピオン酸等のモノカルボン酸、乳酸、グリコール酸
等のオキシカルボン酸があげられる。

【０００４】また、アミノ酸塩の具体例としては、アス
パラギン、ヒスチジン、ロイシン、セリン、バリン、チ
ロシン、トリプトファン、プロリン、グリシン及びアラ
ニンの塩があげられる。スルホン酸塩の例としては、ア
ルカンスルホン酸塩、アルカノールスルホン酸塩、フェ
ノールスルホン酸塩があげらる。このうち、アルカンス
ルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、プロパンスルホン酸、イソプロパンスルホ
ン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸及びヘキ
サンスルホン酸をあげることができ、アルカノールスル
ホン酸の具体例としては、２−ヒドロキシエタンスルホ
ン酸、３−ヒドロキシプロパンスルホン酸、２−ヒドロ
キシブタンスルホン酸をあげることができる。フェノー
ルスルホン酸の具体例としては、フェノールスルホン
酸、クレゾールスルホン酸及びジメチルフェノールスル
ホン酸をあげることができる。本発明のめっき浴におけ
る上記イオン濃度は適宜調整することができるが、三価
のビスマスイオンが0.２〜４０ｇ／ｌの範囲にあるのが
好ましい。二価の錫イオンは１〜５０ｇ／ｌの範囲にあ
るのが好ましく、より好ましくは５〜４０ｇ／ｌであ
る。第３成分である銅イオン、コバルトイオン、銀イオ
ン濃度はそれぞれ0.０１〜１ｇ／ｌ、0.１〜５ｇ／ｌ、
0.０１〜５ｇ／ｌの範囲にあるのが好ましい。

【０００５】本発明では、上記金属イオンに加えて、カ
ルボン酸、ラクトン化合物、アルカンスルホン酸、アル
カノールスルホン酸、フェノールスルホン酸及びこれら
の塩から選ばれる少なくとも一種を含有する。ここで、
カルボン酸としては、ポリオキシモノカルボン酸、ポリ
カルボン酸、アミノカルボン酸があげられる。ポリオキ
シモノカルボン酸としては、分子内にヒドロキシル基を
２個以上、好ましくは２〜６個有し、かつカルボキシル
基を１個有する化合物があげられる。このような化合物
としては、炭素数が３〜７のものが好ましい。具体的に
は、グリセリン酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸が例
示される。本発明で使用できるポリカルボン酸及びアミ
ノカルボン酸の具体例としては、マロン酸、マレイン
酸、コハク酸、トリカルバリル酸、クエン酸、酒石酸、
リンゴ酸、２−スルホエチルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、
イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、ＥＤＴＡ、トリエチ
レンジアミンテトラ酢酸、グルタミン酸、アスパラギン
酸、β−アラニン−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸及びトリカルバリル
酸、好ましくは、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、ＥＤ
ＴＡ、グルタミン酸をあげることができる。

【０００６】本発明で使用するラクトン化合物としては
ポリオキシラクトンが好ましく、分子内にヒドロキシル
基を２個以上、好ましくは２〜５個有するラクトンがあ
げられる。このような化合物としては、炭素数が３〜７
のものが好ましい。具体的には、グルコノラクトンやグ
ルコヘプトノラクトンをあげることができる。本発明で
使用できるアルカンスルホン酸、アルカノールスルホン
酸、フェノールスルホン酸の具体例としては、メタンス
ルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、イ
ソプロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタレス
ルホン酸、ヘキサンスルホン酸等のアルカンスルホン酸
類、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、３−ヒドロキシ
プロパンスルホン酸、２−ヒドロキシブタンスルホン酸
等のアルカノールスルホン酸類、フェノールスルホン
酸、クレゾールスルホン酸、ジメチルフェノールスルホ
ン酸等のフェノールスルホン酸類をあげることができ
る。

【０００７】上記酸の塩の例としては、アルカリ金属塩
（ナトリウム、カリウム、リチウム塩）、アルカリ土類
金属塩（マグネシウム、カルシウム、バリウム塩等）、
二価の錫塩、ビスマス塩、アンモニウム塩及び有機アミ
ン塩（モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチル
アミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、エチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン等）をあげることがで
きる。このうち、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩、二価の錫塩及びビスマス塩が好ましい。上記ポ
リオキシモノカルボン酸、ポリオキシラクトン、ポリカ
ルボン酸、アミノカルボン酸、アルカンスルホン酸、ア
ルカノールスルホン酸、フェノールスルホン酸及びその
塩は、一種又は二種以上の混合物として使用することが
できる。Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき浴におけるポリオキシ
モノカルボン酸、ポリオキシラクトン、ポリカルボン
酸、アミノカルボン酸、アルカンスルホン酸、アルカノ
ールスルホン酸、フェノールスルホン酸またはその塩の
濃度は任意とすることができるが、0.２〜2.０モル／ｌ
とするのが好ましく、特に好ましくは、0.２５〜1.０モ
ル／ｌである。

【０００８】Ｂｉイオン、Ｓｎイオン、Ｃｕイオン、Ｃ
ｏイオン又はＡｇイオンが、カルボン酸、ラクトン化合
物、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、フ
ェノールスルホン酸の塩として、浴中に添加される場合
には、あらためてこれらの酸を添加しなくともよいが、
上記好ましい範囲内にない場合には足らない分を補充す
るのがよい。さらに、めっき時の通電性を良好にするた
めに電導性の塩を、まためっきを緻密にさせるための添
加剤を含有させることが好ましい。電導性の塩として
は、硫酸、塩酸、スルファミン酸、ピロリン酸、スルホ
ン酸等のアルカリ金属塩（ナトリウム、カリウム、リチ
ウム塩）、アルカリ土類金属塩（マグネシウム、カルシ
ウム、バリウム塩等）、アンモニウム塩、有機アミン塩
（モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミ
ン、エチルアミン、イソプロピルアミン、エチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン等）等を含有させることが
できる。具体的には、硫酸アンモニウム、塩化アンモニ
ウム、ピロリン酸ナトリウム、スルファミン酸モノメチ
ルアミン等が挙げられ、硫酸アンモニウム、塩化アンモ
ニウムが特に好ましい。これら塩の含有量は、１０〜２
００ｇ／ｌとするのがよく、好ましくは５０〜１５０ｇ
／ｌである。本発明のめっき浴には、上記成分に加え、
光沢剤、平滑剤を添加することができる。

【０００９】光沢剤及び平滑剤としては、例えば、アル
キルフェニルエーテルのエチレンオキサイド付加物等の
ノニオン界面活性剤、ポリアミド、ヘプトン、及びゼラ
チン等があげられる。これらの光沢剤や平滑剤を使用す
る場合、その使用量は0.１〜２０ｇ／ｌであるのがよ
く、好ましくは、２〜１０ｇ／ｌである。これら光沢剤
や平滑剤の添加により、均一かつ微細なめっきを得るこ
とができる。上記のような成分を含有する本発明のＳｎ
−Ｂｉ系合金めっき浴の残部は水であり、ｐＨ２〜９で
あるのが好ましい。より好ましくはｐＨ４〜８である。
ｐＨが２未満の場合、および９を越えると金属イオンの
安定性が低下する。ｐＨの調節は、上記各成分の使用割
合を上記範囲内で適宜調節することにより行うことがで
きる。またはｐＨを上記範囲に調整するために酸やアル
カリを使用することもできる。なお、浴中の金属イオン
源として金属酸化物を使用する場合には、上記範囲のｐ
Ｈでは水に溶解し難いので、強酸で予め水に溶解させた
後、アルカリで上記範囲内のｐＨに調整するのがよい。

【００１０】かかる強酸としては、硫酸、塩酸、スルホ
ン酸、ピロリン酸等を挙げることができる。中和に使用
するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、アンモニア水等を使用することができる。本発明
のめっき浴は、鉛イオンを実質的に含有しない。好まし
くは全く含有しない。次に、本発明の浴を使用するめっ
き方法について説明する。本発明のめっき浴でＳｎ−Ｂ
ｉ系合金めっきを施す対象となる基体（被めっき物）と
しては、銅及びしんちゅう等の銅合金、鉄及び鉄合金、
ニッケル及びニッケル合金等の金属、セラミックス、鉛
ガラス、プラスチック、フェライト等の絶縁物質を複合
化した金属があげられる。特に、セラミックス、鉛ガラ
ス、プラスチック、フェライト等の絶縁物質を複合化し
た金属を使用した場合に、本発明の方法が有効である。
めっきを行う場合、陰極を被めっき物とし、陽極には、
錫−ビスマス合金、ビスマス金属、錫金属、場合によっ
ては白金めっきしたチタン板、カーボン板等の不溶性陽
極を使用することができる。浴温は通常１０〜４０℃、
好ましくは１５〜３０℃である。陰極電流密度は通常0.
１〜５Ａ／dm² とするのがよい。めっき時間は要求され
るめっきの膜厚にもよるが、１〜１２０分、好ましくは
５〜６０分である。液流、カソードロッカー等の機械的
撹拌を行うことができる。膜厚は広い範囲のものが得ら
れるが、一般に、0.５〜５００μｍ、好ましくは５〜２
０μｍである。

【００１１】得られるＳｎ−Ｂｉ系合金めっき中のＢｉ
含有率は、通常、0.１〜７５重量％（以下、％と略称す
る）、好ましくは５〜７０％である。また、第３成分で
ある金属の含有率は、Ｃｕの場合0.１〜１０％、Ｃｏの
場合0.１〜５％、Ａｇの場合0.１〜５％であるのが好ま
しい。なお、めっき期間中、めっき浴のｐＨを２〜９に
維持するのが好ましい。めっきに際して、被めっき物
は、常法により前処理した後にめっき工程に付される。
前処理工程では、浸漬脱脂、酸洗、陽極の電解洗浄及び
活性化の少くとも１つの操作が行われる。各操作間に水
洗を行うのがよい。めっき後は得られた皮膜を簡単に洗
浄して乾燥すればよい。めっき工程は、静止浴のみなら
ずバレルでも実施することができる。また、錫めっきや
ハンダめっき後に行われる変色防止処理（第三リン酸ナ
トリウム水溶液への浸漬処理等）を行ってもよい。本発
明のめっき液は、浴成分を適当な補給剤により一定に保
つことにより、液を更新することなく長期に使用するこ
とができる。

【００１２】

【発明の効果】本発明によれば、ビスマス含有率が0.１
〜７５％、好ましくは１〜５０％であり、第３成分であ
る金属の含有率が、Ｃｕの場合0.１〜１０％又はＣｏの
場合0.１〜５％又はＡｇの場合0.１〜５％の少くとも１
種を含有するＳｎ−Ｂｉ系合金めっき皮膜を広い電流密
度範囲にわたって形成することができる。また、本発明
の浴は長期間保存しても沈殿や濁り等の発生がなく、浴
組成変動の極めて少い安定した浴である。本発明のめっ
き浴を用いためっき方法により基体に施されるＳｎ−Ｂ
ｉ系合金めっきは、１００℃近傍でも組織の変化を起こ
しにくく、また、ハンダ付け性及びホイスカー性の点で
も現状のＳｎ−Ｐｂ合金めっき（ハンダめっき）に匹敵
する。さらに本発明の浴はｐＨ２〜９と中位のｐＨ域に
あるため、セラミックス、鉛ガラス、プラスチック、フ
ェライト等を含む被めっき物に対しても素材を侵すこと
なく安心してめっきができる。次に実施例により、本発
明を説明するが、本発明はこれらによって限定されるも
のではない。

【００１３】

【実施例】

実施例１ 銅板を５ｗ／ｖ％脱脂−３９〔ディップソール（株）
製〕で脱脂し、１0.５ｗ／ｗ％塩酸で酸洗した後、５ｗ
／ｗ％ＮＣ−２０〔ディップソール（株）製〕及び７ｗ
／ｖ％水酸化ナトリウムの溶液で電解洗浄を行い、電解
洗浄後3.５％塩酸で活性化した。各操作間で水洗を行っ
た。一方、表−１に示すめっき液をアクリル製のめっき
槽に入れ、陽極に白金板を使用し、陰極に上記の活性化
した銅板を接続して、表−２の条件でめっきを行った。
なお、めっき浴調製に使用した金属化合物は、硫酸錫、
硫酸ビスマス、硫酸銅、硫酸コバルト及び硫酸銀であ
る。得られためっきの膜厚と合金組成を測定した。めっ
き膜厚の測定は電磁式膜厚計で行い、合金組成の測定は
ケイ光Ｘ線分析で行った。

【００１４】次いで、得られためっきのハンダ付け性及
びホイスカー発生を評価した。ハンダ付け性 メニスコグラフ（レスカ社製ソルダーチェッカー）によ
る垂直浸漬法を用い、ぬれによる浮力がゼロとなる点
（ゼロクロスタイム）を測定した。ホイスカー発生の評価 しんちゅう上にめっきしたものについて、５０℃の恒温
室に７日間放置させる加速テストを行い、めっき面を観
察した。めっき浴の安定性 各めっき液を室温に１週間放置した場合のめっき浴の沈
殿、濁りの発生の有無について観察した。めっき皮膜の安定性 １２５℃−２００Ｈｒ加熱処理前後のめっき皮膜断面の
成分元素の分布を、Ｘ線分析装置（（株）堀場製作所
製）を用いて観察し比較を行った。これらの結果を表−
３に示す。

【００１５】

【表１】 表−１ めっき浴の組成 Ｎｏ． 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Ｓｎ²⁺(g/l) 15 15 20 20 20 20 20 20 30 30 Ｂｉ³⁺ 2 4 2 2 2 2 4 4 2 8 Ｃｕ²⁺ - - - 0.1 0.5 0.02 0.5 - 0.05 - Ｃｏ²⁺ - 4 2 - - - 2 4 - - Ａｇ⁺ 0.2 - - - - 0.4 - 0.1 - 1 クエン酸 - - 100 - - - 100 - - - マロン酸 100 - - - - - - - - 50 グルコン酸 - - - 150 - 100 - - 100 - グルコノラクトン - - - - 100 - - 150 - 100 グルタミン酸 - - - - 50 100 - - 50 50 2-ヒドロキシエタン - 120 - - - - 50 - - - スルホン酸 硫酸アンモニウム - 100 100 - - - 100 - - - スルファミン酸 100 - - - 100 - - 100 - - アンモニウム メタンスルホン酸 - - - 100 - 50 - - 100 50 ナトリウム 光沢剤 Ｉ^*1 - 5 5 - - 5 5 4 - - ポリアミド - - - 4 - - 1 - 2 -ペプトン 2 - - - - - - 1 - 2 ｐＨ 8.5 3.0 4.0 5.0 6.5 5.0 4.5 5.0 6.0 7.0 ^*1 ノニルフェニルエーテルのエチレンオキサイド１５モル付加物

【００１６】

【表２】 表−２ めっき条件 Ｎｏ． 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 陰極電流密度 2.0 2.0 2.0 0.5 0.5 0.5 0.2 0.2 0.2 5.0 (A/dm²) めっき温度（℃） 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25めっき時間（分） 10 10 10 30 30 30 60 60 60 4

【００１７】

【表３】 表−３ めっき皮膜の性質 Ｎｏ． 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 めっき外観^*2 × × × △ △ △ △ △ △ × めっき膜厚 5〜6 5〜6 5〜6 ５〜6 ５〜6 5〜6 5〜6 5〜6 5〜6 5〜6 （μｍ） Bi含有率(%) 28 40 10 8 2 10 20 20 5 5 Cu含有率(%) - - - 2 8 1 5 - 2 - Co含有率(%) - 2 1 - - - 2 4 - - Ag含有率(%) 2 - - - - 4 - 1 - 5 めっき皮膜組 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 織の変化^*3 ホイスカー 無 無 無 無 無 無 無 無 無^*6 無 発生 ハンダ付け性^*41.1 1.0 1.3 1.3 1.5 1.3 1.2 1.2 1.4 1.4浴の安定性^*5 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無

【００１８】^*2 △：半光沢、×：無光沢^*3 １２５℃−２００Ｈｒ加熱処理前後の、めっき皮膜
成分金属の分布の変化の有無。^*4 テストピースは１０mm×１００mm×0.３mm、浸漬深
さ４mm、 ハンダ付け温度２３５℃、フラックスはロジン系。^*5 ５日間室温放置後の浴の状態（沈殿濁りの発生の有
無）。^*6 但し、コブ状突起物あり。比較例１ 表−４に示す組成のめっき液を使用し、表−５に示す条
件で実施例と同様に行った。これらの結果を表−６に示
す。なお、めっき浴調製に使用した金属化合物は、Ｎ
ｏ．ａではホウ沸化錫及びホウ沸化鉛であり、Ｎｏ．ｂ
〜ｅでは硫酸錫及び硫酸ビスマスである。

【００１９】

【表４】 表−４めっき浴の組成（比
較例） Ｎｏ． ａ ｂ ｃ ｄ ｅ Ｓｎ²⁺ （ｇ／ｌ） １８ 1.８ 1.８ ２2.５ ２2.５ Ｂｉ³⁺ − 7.１ 7.１ 2.５ 7.５ Ｐｂ²⁺ ９ − − − − 硫酸 − １００ − − − メタンスルホン酸 − − ９８ − − グルコン酸 − ５０ − − １２０ クエン酸 − − ５０ １２０ − 硫酸アンモニウム − − − ８０ ８０ ホウ弗化水素酸 １８０ − − − − ホウ酸 ２０ − − − − 光沢剤^*1 − ５ ５ ５ ５ ペプトン １ − − − −ｐＨ １＞ 0.５＞ 0.５＞ 8.０ 3.５

【００２０】

【表５】 表−５ めっき条件（比較
例） Ｎｏ． ａ ｂ ｃ ｄ ｅ 陰極電流密度（A/dm²) 2.０ 0.３ 0.３ 0.２ 0.５ めっき温度（℃） ２０ ２０ ２０ ２５ ２５めっき時間（分） ６ ４０ ４０ ６０ ３０

【００２１】

【表６】 表−６ めっき皮膜の性質
（比較例） Ｎｏ． ａ ｂ ｃ ｄ ｅ めっき外観^*2 × △ △ △ × めっき膜厚（μｍ） ５〜６ ５〜６ ５〜６ ５〜６ ５〜６ Ｂｉ含有率(%) − ３５ ３５ ７ ３８ Ｐｂ含有率(%) ４０ − − − − めっき皮膜 無 有 有 有 有 組織の変化^*3 ホイスカー発生 無 無 無 無^*6 無 ハンダ付け性^*4 1.０ 1.０ 1.０ 1.２ 1.０ 浴の安定性^*5 無 有 有 無 無

【００２２】実施例２及び比較例２〜６ 銅板の代わりに銀とフェライトの複合部品を被めっき物
とした以外は、それぞれ実施例１のＮｏ．１〜１０及び
比較例１のａ〜ｅのめっき浴を使用して、それぞれ実施
例１及び比較例１のａ〜ｅと同じ方法でめっきを行い、
フェライトへの侵食性を調べた。侵食性を実体顕微鏡に
より観察した。結果を表−７に示す。

【００２３】

【表７】 表−７ 本 発 明 比 較 例 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ２ ３ ４ ５ ６ めっき浴^*7 １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ 10 ａ ｂ ｃ ｄ ｅ侵食 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 有 有 有 無 無 ^*7 めっき浴は、実施例１の浴番号及び比較例１の浴番号で表示した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊達 真由美 東京都葛飾区西新小岩３−８−10 ディ ップソール株式会社 テクニカルセンタ ー内 (72)発明者 三田 長武 東京都葛飾区西新小岩３−８−10 ディ ップソール株式会社 テクニカルセンタ ー内 (56)参考文献 特開 平７−1179（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−138782（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−27590（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−5034（ＪＰ，Ａ) 特公 平７−65207（ＪＰ，Ｂ２) ソ連国特許発明1191492（ＳＵ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 3/00 - 3/64

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１）０．２〜４０ｇ／ＬのＢｉイオ
   ン、（２）１〜５０ｇ／ＬのＳｎイオン、（３）０．０
   １〜１ｇ／ＬのＣｕイオン、０．１〜５ｇ／ＬのＣｏイ
   オン及び０．０１〜５ｇ／ＬのＡｇイオンからなる群か
   ら選ばれる少なくとも１種の金属イオン、及び（４）カ
   ルボン酸、ラクトン化合物、アルカンスルホン酸、アル
   カノールスルホン酸、フェノールスルホン酸及びこれら
   の塩から選ばれる少なくとも一種を０．２〜２モル／Ｌ
   含有し、ｐＨが２〜９であり、かつ鉛イオンを実質的に
   含有しないことを特徴とするＳｎ−Ｂｉ系合金めっき
   浴。
2. 【請求項２】 ０．１〜７５重量％のＢｉ、及び０．１
   〜１０重量％のＣｕ、０．１〜５重量％のＣｏ及び０．
   １〜５重量％のＡｇからなる群から選ばれる少なくとも
   １種の金属を含有するＳｎ−Ｂｉ系合金を与える量でＢ
   ｉイオン、及びＣｕイオン、Ｃｏイオン及びＡｇイオン
   からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを
   含有する請求項１記載のＳｎ−Ｂｉ系合金めっき浴。