JP3427425B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に希土類−遷移
金属合金膜を記録層とする光磁気記録媒体に関するもの
であり、特に低記録磁界化のための改良に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。

【０００３】この光磁気記録方式において使用される記
録材料としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦ
ｅ，Ｃｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−遷移金属
合金薄膜等（以下、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と称する。）が代
表的なものであり、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を記録層とする光
磁気記録媒体として、たとえば第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、第２のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜、
Ａｌ反射膜の４層構造を有するものが提案されている。

【０００４】このような４層構造を有する光磁気記録媒
体を製造するには、基板上に上記第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電
体膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、第２のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜
及びＡｌ反射膜を順次スパッタリング等の手法によって
成膜する。そして、このうち特にＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜
は、ターゲットとしてＳｉを用い、成膜チャンバー中に
スパッタリングガスとしてＡｒ等の不活性ガスと反応ガ
スであるＮ₂ 等を導入してスパッタリングを行うＲＦ反
応性スパッタリングによって成膜されるのが一般的であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
にして製造される光磁気記録媒体は、外部記録磁界１５
０エルステッド以上で記録しないと満足なＣＮ比が得ら
れないといった低い記録磁界感度を示す。これは、製造
に際してＴｂＦｅＣｏ磁性膜がわずかな時間ではあるが
誘電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ₂ ガスのプラズマ
中に放置され、さらにはスパッタリングされたＳｉ粒子
に曝されることが大きく原因している。このような成膜
雰囲気中で解離あるいはイオン化した活性元素（特にＮ
やＮ⁺ ）さらにはＳｉ粒子等は不純物として磁性膜内に
入り込み、磁気特性に悪影響を与えからである。

【０００６】このように記録磁界感度が低くなっている
と、例えば光磁気記録媒体を記録磁界強度を上げるのが
難しいとされる磁界変調方式に適用しようとした場合に
様々な不都合を生じる。例えば、磁界変調方式に用いら
れる磁気ヘッドでは高周波化する程、記録磁界強度が小
さくなるので高周波変調による高密度記録化が難しい，
外部記録磁界を発生させる磁界発生コイルを大きくしな
ければならないので、その分装置が大型化する，磁界発
生コイルに大電流を供給する必要があることから消費電
力の削減に不利である。

【０００７】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、誘電体膜成膜時に起こるＲ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の特性劣化を抑え、低記録磁界下でも高
ＣＮ比が得られる光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結
果、ＲＥ−ＴＭ磁性膜に酸素との親和性が高い金属元素
を添加するか、あるいはＲＥ−ＴＭ磁性膜と誘電体膜の
間に酸素との親和性が高い金属元素よりなる金属膜を介
在させることにより、誘電体膜成膜時に起こるＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜の特性劣化が防止されることを見い出すに至っ
た。

【０００９】本発明は、このような知見に基づいて提案
されたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とが順次形成されてなる光磁気記録媒
体において、上記希土類−遷移金属合金薄膜が（ＴｂＦ
ｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ （但し、ｘは原子％を表し、
８＜ｘ≦２０である。）で表される希土類−遷移金属合
金よりなるものである。

【００１０】また、本発明は、基板上に少なくとも希土
類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜とが順次形成されてな
る光磁気記録媒体において、上記希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜の間にＧｅからなる金属膜を介在させた
ものである。

【００１１】

【００１２】本発明が適用される光磁気記録媒体は、基
板上に少なくともＲＥ−ＴＭ磁性膜と誘電体膜とが順次
形成されてなるものである。

【００１３】上記基板は、厚さ数ｍｍ程度の円板状の透
明基板であって、その材質としては、アクリル樹脂，ポ
リカーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹
脂等のプラスチック材料の他、ガラス等も使用される。
なお、この基板表面のうち、前記記録部を設ける側に
は、通常は再生時に使用するレーザ光波長のおよそ４分
の１の深さを持った案内溝や番地符号ピット等（いずれ
も図示は省略する。）が設けられる。

【００１４】上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、光磁気記録媒体
における記録層として機能する膜である。このＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜としては、膜面に垂直な方向に磁化容易方向を
有し、磁気光学特性に優れ、室温にて大きな保磁力を持
ち、且つ２００℃近辺にキュリー点を持つものを選択す
ることが好ましい。そのようなＲＥ−ＴＭ磁性膜として
は、ＴｂＦｅＣｏ系非晶質合金よりなる薄膜が挙げられ
る。

【００１５】上記誘電体層は、耐蝕性の向上や多重反射
によるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）
を目的として設けられるものであり、酸化物，窒化物，
オキシナイトライド等が使用可能であるが、誘電体層中
の酸素が記録層となるＲＥ−ＴＭ磁性膜に悪影響を及ぼ
す虞れがあることから窒化物がより好ましく、酸素，水
分子の透過を防止するのに有利であり且つ使用レーザ光
を十分透過し得る物質として窒化シリコンが好適であ
る。

【００１６】本発明では、このような光磁気記録媒体に
おいて、上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜を、（ＴｂＦｅＣｏ）
_{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ （但し、ｘは原子％を表し、８＜ｘ≦
２０である。）で表される希土類−遷移金属合金で構成
する。上記希土類−遷移金属合金において構成元素Ｃｒ
は酸素との親和性が高い。酸素との親和性が高い金属元
素を含むＲＥ−ＴＭ磁性膜は、該金属元素の作用によっ
て誘電体膜成膜に際して成膜雰囲気中に分散して存在す
るＮやＮ^＋等の活性元素あるいはＳｉ粒子等の侵入が遮
られ、不純物の混入による記録磁界感度の低下が防止さ
れる。

【００１７】すなわち、上述のような光磁気記録媒体を
作製するには、まず、基板上に真空薄膜形成技術によっ
て（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金よりなるＲＥ
−ＴＭ磁性膜を形成する。形成された直後のＲＥ−ＴＭ
磁性膜は、酸素との親和性が高い金属元素を含んでいる
ので、次に行う誘電体膜の成膜開始までの間に酸素を容
易にトラップし、その表面に酸素層を生じる。

【００１８】ＲＥ−ＴＭ磁性膜を形成した後、この合金
薄膜上に誘電体膜を形成する。誘電体膜のうち例えばＳ
ｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜は、ターゲットとしてＳｉを用い、Ａ
ｒとＮ₂ の混合ガス雰囲気下でスパッタリングを行う反
応性ＲＦスパッタリング法によって成膜される。この反
応性スパッタリング法による成膜を開始すると、成膜雰
囲気は、導入したＡｒ，Ｎ₂ 、プラズマ放電によって発
生した活性元素Ｎ，Ｎ ⁺ 、スパッタリングされたＳｉ粒
子等が分散して存在した状態となる。

【００１９】このような成膜雰囲気中において、表面に
酸素層が生じたＲＥ−ＴＭ磁性膜は、成膜雰囲気中に分
散して存在する活性元素やＳｉ粒子の侵入が該酸素層に
よって遮られるものと考えられる。したがって、誘電体
膜成膜後においても十分に高い純度を維持しており、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の本来持つ磁気特性が保有されている。

【００２０】上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜を構成する（ＴｂＦ
ｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金において構成元素Ｃｒの
組成率ｘは８＜ｘ≦２０（原子％）の範囲に設定するこ
とが好ましい。図１に、（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃ
ｒ _ｘ 合金よりなるＲＥ−ＴＭ磁性膜が形成された光磁気
記録媒体のＣｒ組成率ｘとＣ／Ｎ比の関係を示す。な
お、図１には、記録磁界を７５Ｏｅとした場合と、Ｃ／
Ｎ比が飽和する飽和磁界２００Ｏｅとした場合のＣ／Ｎ
比を併せて示してある。また、図２に、記録磁界を２０
０Ｏｅとした場合のＣ／Ｎ比から記録磁界を７５Ｏｅと
した場合のＣ／Ｎ比を差し引いたΔＣ／Ｎ比を示す。こ
のΔＣ／Ｎ比は記録磁界感度の指標となるものであり、
この値が小さい程記録磁界感度が大きいこと意味する。

【００２１】まず、図１からわかるように、（ＴｂＦｅ
Ｃｏ）_100-x Ｃｒ_x 合金のＣｒ組成率ｘが０〜５原子％
と低い範囲では、記録磁界が７５Ｏｅと低い場合のＣ／
Ｎ比がＣｒ組成率ｘの増大に伴って大きくなる。これに
より、図２に示されるように、記録磁界を２００Ｏｅと
した場合のＣ／Ｎ比から記録磁界を７５Ｏｅとした場合
のＣ／Ｎ比を差し引いた値，ΔＣ／Ｎ比が小さくなり、
Ｃｒ組成率ｘを５原子％より大とすることによりΔＣ／
Ｎ比が安定化して高い記録感度が得られるようになる。
これは、Ｃｒ組成率が大きくなる程、酸素層が形成され
易くなり、該酸素層によってＲＥ−ＴＭ磁性膜への活性
元素の侵入がより確実に遮断されるようになるからであ
る。

【００２２】しかし、Ｃｒ組成率ｘが２０原子％を越え
る範囲では、Ｃｒ組成率ｘの増大に伴ってΔＣ／Ｎ比が
大きくなり、記録感度が低下する。これは、ＣｒがＴｂ
ＦｅＣｏ系非晶質合金薄膜の磁気特性に影響し、劣化を
生じさせるからである。上記範囲はこのような実験結果
に基づいて決定されたものであり、Ｃｒ組成率を上記範
囲とすることにより本発明が目的とするところの高記録
磁界感度化が達成される。

【００２３】なお、ＲＥ−ＴＭ磁性膜をＴｂＦｅＣｏＭ
合金で構成するに際して、Ｍの組成比が異なる２層の合
金薄膜，すなわち構成元素Ｍの組成比ｙが０≦ｙ≦５で
ある（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｙ} Ｍ _ｙ 合金よりなる第１
の合金薄膜と構成元素Ｍの組成比ｘが５≦ｘ≦２０であ
る（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｙ} Ｍ _ｙ 合金よりなる第２の
合金薄膜が順次積層されてなる２層構成とすると、構成
元素ＭのＲＥ−ＴＭ磁性膜に占める割合が小さく抑えら
れ、且つ第２の合金膜によって上述と同様の酸素層が得
られるようになる。したがって、構成元素Ｍによる影響
をあまり受けずにＲＥ−ＴＭ磁性膜への活性元素の侵入
が防止され、低記録磁界域，高記録磁界域のＣ／Ｎ比が
向上する。

【００２４】但し、第２の合金膜によって活性元素の侵
入を確実に遮断するとともに金属元素Ｍの影響を極力抑
えるためには、第２の合金薄膜の膜厚を適正化すること
が好ましい。図３に第１の合金膜として（ＴｂＦｅＣ
ｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金薄膜が、第２の合金薄膜として（Ｔｂ
ＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜が形成された光磁気記録媒
体の第２の合金薄膜の膜厚とＣ／Ｎ比の関係を示す。な
お、図３には、記録磁界を７５Ｏｅとした場合と、飽和
磁界である２００Ｏｅとした場合を併せて示してある。
図３からわかるように、例えば活性元素の侵入を確実に
防止し、低い記録磁界域のＣ／Ｎ比を向上させるには、
第２の合金薄膜は膜厚を０．３ｎｍ以上とすることが好
ましいが、あまり膜厚を厚くすると今度は構成元素Ｍに
よる影響が大きくなって２００ＯｅにおけるＣ／Ｎ比が
劣化し、７５Ｏｅの低記録磁界域におけるＣ／Ｎ比も減
少変化をたどようになる。

【００２５】以上のようなＲＥ−ＴＭ磁性膜に金属元素
Ｍを含ませることの効果は、その最上部近傍に酸素層を
生じることによって発揮されるものであることから、こ
の効果を十分に引き出すには、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を形成
した後、基板を酸素ガスあるいはＣＯガス，ＣＯ₂ ガス
等，酸素を一構成元素とする化合物ガスを含む放電状態
の雰囲気中に一定時間放置すると良い。これにより、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜には効率良く酸素層が形成され、上記Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜中への活性元素の侵入がより確実に防止
される。

【００２６】ここで、酸素ガスあるいは酸素を一構成元
素とする化合物のガスの分圧は、１．６×１０^-5〜１×
１０^-3Ｔｏｒｒ程度とすればよく、また保持時間は、数
分程度と短くてよいが、ガス分圧によってＣＮ比が最大
となる最適保持時間が異なることから、ガス分圧に応じ
て選定することがより好ましい。

【００２７】なお、このようにＲＥ−ＴＭ磁性膜に所定
の金属元素を含有させるとＲＥ−ＴＭ磁性膜に容易に酸
素層が形成され、該酸素層によってＲＥ−ＴＭ磁性膜へ
の活性元素の侵入が防止され、記録磁界感度が高く維持
されるが、このとき特に金属元素としてＧｅを選択する
と、記録特性が安定化する。

【００２８】すなわち、上述のようにして酸素層が形成
されたＲＥ−ＴＭ磁性膜は、記録感度が高い反面、酸素
層となった部分の相転移温度が非酸化状態であったとき
に比べて低くなっている。このため、ドライブのトラブ
ル等によって規定パワーより高いパワーのレーザ光が照
射されると、この酸素層が結晶質に転移してフェリ磁性
が消失し、記録が不可能になったり、記録不可能にまで
は至らないまでも他のタイプの非晶質に転移して磁気特
性が変化し、記録特性が劣化する。例えば、実際に線速
１．４ｍ／秒，レーザパワー７ｍＷの条件で磁界変調記
録を３０００回行うと、Ｃ／Ｎ比が３ｄＢ劣化する。レ
ーザパワー７ｍＷは、上記光磁気記録媒体の最適パワー
（約４．５５ｍＷ）に比べれば格段に高いパワーレベル
である。しかし、記録パワー４．５５ｍＷ程度に規定し
たドライブにおいてもトラブルによっては７ｍＷを上回
るパワー上昇も起こり得るものと考えられる。

【００２９】このようなＲＥ−ＴＭ磁性膜において、Ｇ
ｅを添加すると、該Ｇｅの作用によって酸化層の相転移
温度が高められ、ドライブのトラブル時に照射されるよ
うな高レーザパワーが照射されても所定の非晶質状態が
維持されるようになる。これにより、記録特性が安定化
し、記録可能回数が向上することになる。

【００３０】なお、このようなＧｅによる記録特性安定
化効果は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜のうち少なくとも酸素層と
なる部分にＧｅを含有させれば十分に獲得することがで
きる。ここで、ＧｅをＲＥ−ＴＭ磁性膜の全体に亘って
含有させる場合には、ＧｅがＲＥ−ＴＭ磁性膜のカー回
転角等の光磁気特性を劣化させることから、あまり高濃
度に含有させることは好ましくなく、１４原子％を上限
とすることが望ましい。一方、Ｇｅを酸素層となる部
分，例えばＲＥ−ＴＭ磁性膜のうち最上部から５ｎｍ程
度の部分にのみ含有させる場合には、Ｇｅが含有されて
いない部分で十分な光磁気特性が得られるので、Ｇｅを
０．１〜１００原子％と高濃度に含有させても差し支え
なく、大きな効果が期待できる。

【００３１】以上の説明は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜に直接酸
素との親和性が高い金属元素を含ませた場合であるが、
ＲＥ−ＴＭ磁性膜には直接金属元素を含ませず、ＲＥ−
ＴＭ磁性膜と誘電体膜の間に酸素との親和性が高い金属
元素よりなる金属膜を介在させるようにしても良い。こ
の場合も同様の機構により誘電体膜の成膜に際して成膜
雰囲気中に分散して存在する活性元素のＲＥ−ＴＭ磁性
膜中への侵入が遮られ、ＲＥ−ＴＭ磁性膜に不純物が混
入することに起因する記録磁界感度の低下が防止され
る。

【００３２】すなわち、上述のような構成の光磁気記録
媒体を作製するには、まず、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性
膜，金属膜を真空薄膜形成技術等によって形成する。こ
こでＲＥ−ＴＭ磁性膜上に形成された金属膜は、酸素と
の親和性が高いので成膜後、次に行う誘電体膜の成膜開
始までの間に酸素を容易にトラップし、その表面に酸素
層を生じる。

【００３３】ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に酸素層が生じた金属
膜が形成されていると、誘電体膜の成膜雰囲気中に分散
して存在する活性元素が該酸素層によって上記ＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜中へ侵入するのが遮られるものと考えられる。
したがって、ＲＥ−ＴＭ磁性膜は誘電体膜成膜後にも高
い純度を維持しており、ＲＥ−ＴＭ磁性膜の本来持つ磁
気特性が保有されている。しかも、この場合には、ＲＥ
−ＴＭ磁性膜には何ら添加元素が含まれていないので、
希土類−遷移金属合金膜はその特性を十分に発揮し、記
録磁界感度が向上するとともに飽和磁界においても高い
Ｃ／Ｎ比が得られる。

【００３４】但し、上記金属膜は、０．３〜３ｎｍの膜
厚範囲で形成することが好ましい。図４にＲＥ−ＴＭ磁
性膜上にＣｒ金属膜が形成された光磁気記録媒体のＣｒ
金属膜の膜厚とＣ／Ｎ比の関係を示す。なお、図４に
は、記録磁界を７５Ｏｅとした場合と、飽和磁界である
２００Ｏｅとした場合を併せて示してある。図４からわ
かるように、例えば活性元素の侵入を確実に防止し、７
５ＯｅにおけるＣ／Ｎ比を向上させるには、金属膜の膜
厚を０．３ｎｍ以上とすることは好ましいが、あまり膜
厚を厚くすると今度は２００ＯｅにおけるＣ／Ｎ比が劣
化し、低記録磁界域におけるＣ／Ｎ比も減少変化をたど
るようになる。これは、金属膜の厚さが３ｎｍを越える
と該金属膜が光磁気記録媒体の信号特性に悪影響を及ぼ
すようになるからである。

【００３５】また、この金属膜の効果も酸素層を生じる
ことによって発揮されるものであるので、金属膜を形成
した後、基板を酸素ガスあるいはＣＯガス，ＣＯ₂ ガス
等，酸素を一構成元素とする化合物ガスを含む放電状態
の雰囲気中に一定時間放置すると良い。ガス分圧，放置
時間は上述に記載した条件に準じて差し支えない。

【００３６】以上、本発明の光磁気記録媒体の基本的な
構成を説明したが、本発明の光磁気記録媒体としては、
上記構成に限らず種々の変更が可能である。例えば、上
記ＲＥ−ＴＭ磁性膜，誘電体膜の他に、誘電体膜上にＡ
ｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等よりなる反射膜を設けたり、さ
らには基板とＲＥ−ＴＭ磁性膜の間にも誘電体膜を設
け、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を誘電体膜で挟み込むような構成
としても良い。これにより磁気光学特性がさらに相乗さ
れて回転角が拡大し、ＣＮ比が向上する。

【００３７】ここで誘電体膜，ＲＥ−ＴＭ磁性膜，反射
膜の膜厚は任意に設定することができるが、通常は数百
〜数千Å程度に設定される。これらの膜厚は、各層単独
の光学的性質のみならず、組み合わせによる効果を考慮
して決めることが好ましい。これは、例えばＲＥ−ＴＭ
磁性膜を透過して各膜境界で反射した光と多重干渉し、
膜厚の組み合わせによりＲＥ−ＴＭ磁性膜の実効的な光
学及び磁気光学特性が大きく変動するためである。

【００３８】また、さらに上記光磁気記録媒体には、そ
のトップ面にＲＥ−ＴＭ磁性膜の保護を目的として保護
膜を設けるようにしても良い。保護膜としては、アクリ
ル系紫外線硬化樹脂等の紫外線硬化樹脂が用いられる。

【００３９】

【作用】基板上に少なくともＲＥ−ＴＭ磁性膜と誘電体
膜とが順次形成されてなる光磁気記録媒体において、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜と誘電体膜の間にＧｅからなる金属膜を
設けるか、あるいは希土類遷移金属合金薄膜を（ＴｂＦ
ｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金（但し、ｘは原子％を表
し、８＜ｘ≦２０である。）で構成すると、誘電体膜の
成膜に際して成膜雰囲気中に分散して存在する反応性ガ
ス，ターゲットに由来する活性元素の希土類遷移金属合
金薄膜への侵入が遮断され、ＲＥ−ＴＭ磁性膜の不純物
混入による記録磁界感度の低下が防止される。これは以
下の理由によるものと考えられる。

【００４０】まず、上記金属膜の構成元素として例示し
たＧｅは、酸素との親和性が高い。したがって、このよ
うな金属膜をＲＥ−ＴＭ磁性膜上に形成すると、金属膜
は形成後、次に行われる誘電体膜成膜までの間に酸素を
容易にトラップし、酸素層を生ずる。この酸素層によっ
て誘電体膜成膜雰囲気中に分散して存在する活性元素の
希土類遷移金属合金薄膜への侵入が遮断される。

【００４１】一方、（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ
合金の構成元素であるＣｒもやはり酸素との親和性が高
い。したがって、このような金属元素を構成元素とする
（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金ＲＥ−ＴＭ磁性
膜は、形成後、次に行われる誘電体膜成膜までの間に酸
素を容易にトラップし、最上部近傍に酸素層を生ずる。
この酸素層によって誘電体膜成膜雰囲気中に分散して存
在する活性元素のＲＥ−ＴＭ磁性膜への侵入が遮断され
る。

【００４２】したがって、いずれの場合にも、ＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜は、誘電体膜成膜後においてもその純度が十分
に維持され、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が本来持つ磁気特性が保
有されている。

【００４３】なお、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を（ＴｂＦｅＣ
ｏ） _{１００−ｙ} Ｍ _ｙ 合金で構成するに際して、Ｍの組成
比が異なる２層の合金薄膜，すなわち構成元素Ｍの組成
比ｙが０≦ｙ≦５である（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｙ} Ｍ
_ｙ 合金よりなる第１の合金薄膜と構成元素Ｍの組成比ｘ
が５≦ｘ≦２０である（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｙ} Ｍ _ｙ
合金よりなる第２の合金薄膜が順次積層されてなる２層
構成とすると、構成元素ＭのＲＥ−ＴＭ磁性膜に占める
割合が小さく抑えられ、且つ第２の合金膜によって上述
と同様の酸素層が得られる。したがって、構成元素Ｍに
よるＲＥ−ＴＭ磁性膜の磁気的特性の劣化を抑えてＲＥ
−ＴＭ磁性膜への不純物の侵入が防止され、低記録磁
界，高記録磁界に亘って高ＣＮ比が得られるものとな
る。

【００４４】また、金属元素Ｍとして特にＧｅを用いる
と、ＲＥ−ＴＭ磁性膜の相転移温度が上昇し、ドライブ
のトラブル時に照射されるような高いパワーのレーザ光
が照射されたときにも、所定の非晶質状態が維持される
ようになり、安定な記録特性を示すものとなる。

【００４５】

【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。

【００４６】実施例１ 本実施例は、図５に示すように基板１上に第１の誘電体
膜２、（ＴｂＦｅＣｏ）_100-x Ｍ_x 合金よりなるＲＥ−
ＴＭ磁性膜３、第２の誘電体膜４、反射膜５が順次形成
されてなる，基板側からレーザ光を照射することにより
記録再生が行われるタイプの光磁気記録媒体の例であ
る。

【００４７】本実施例では、光磁気記録媒体を構成する
各機能膜を連続工程により形成するために４元スパッタ
リング装置を用いて各機能膜の成膜を行った。

【００４８】４元スパッタリング装置のチャンバー内に
Ｓｉ、Ｔｂ、Ｃｒチップが載置されたＦｅＣｏ合金、Ａ
ｌの各ターゲットを載置するとともに各機能膜が成膜さ
れるポリカーボネート（ＰＣ）基板を装着した。この装
置によれば各ターゲットに対応して設けられたシャッタ
ーを開閉することにより、所望のターゲットを使用する
ことができる。

【００４９】このようにして、ターゲット，基板をセッ
トした後、チャンバー内を排気し、以下のようにして各
機能膜を順次成膜した。

【００５０】まず、チャンバー内にＮ₂ ガスとＡｒガス
を導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応性スパ
ッタリングを行い、膜厚８０ｎｍの第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 膜
を成膜した。成膜条件を以下に示す。 Ｓｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜成膜条件 Ａｒガス ：７５ｓｃｃｍ Ｎ₂ ガス ：２５ｓｃｃｍ ガス圧 ：３ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｓｉ 投入パワー：２ｋＷ

【００５１】次に、Ｔｂターゲット及びＣｒチップを載
置したＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同時２元
スパッタリングを行い、膜厚２５ｎｍの（ＴｂＦｅＣ
ｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜を成膜した。成膜条件を以下に示
す。 （ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：ＴｂおよびＦｅＣｏ合金およびＣｒチップ 投入パワー：Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ

【００５２】以上のようにして第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
膜、（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀磁性膜を成膜した後、下
記に示す雰囲気下に基板を９０秒保持した。 保持雰囲気条件 酸素分圧：３×１０^-5Ｔｏｒｒ 保持時間：９０秒

【００５３】そして、チャンバー内に再びＮ₂ ガスとＡ
ｒガスを導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３０ｎｍの第２のＳｉ₃
Ｎ₄誘電体膜を成膜した。成膜条件は第１のＳｉ₃ Ｎ₄
誘電体膜の場合と同様である。

【００５４】次いで、Ａｌターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行い、膜厚５０ｎｍのＡｌ反射膜を成膜
して光磁気記録媒体を作製した。Ａｌ反射膜の成膜条件
は以下の通りである。 Ａｌ反射膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ａｌ 投入パワー：１．５ｋＷ

【００５５】実施例２〜実施例４ ＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜するに際し、ＦｅＣｏ合金上に
Ｃｒチップの代わりに表１に示す金属チップを載置して
表１に示す組成の合金薄膜を成膜したこと以外は実施例
１と同様にして光磁気記録媒体を作製した。

【００５６】

【表１】

【００５７】実施例５ 本実施例は、図６に示すように基板２１上に第１の誘電
体膜２２，第１の合金薄膜２３と第２の合金薄膜２４よ
りなるＲＥ−ＴＭ磁性膜２５，第２の誘電体膜２６，反
射膜２７が順次形成されてなる光磁気記録媒体の例であ
る。

【００５８】４元スパッタリング装置のチャンバー内に
Ｓｉ、（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ ，（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀
Ｃｒ₁₀、Ａｌの各ターゲットを載置するとともに各機能
膜が成膜されるＰＣ基板を装着した後、チャンバー内を
排気して各機能膜を順次成膜した。

【００５９】まず、チャンバー内にＮ₂ ガスとＡｒガス
を導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応性スパ
ッタリングを行い、膜厚８０ｎｍの第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘
電体膜を成膜した。成膜条件を以下に示す。 Ｓｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜成膜条件 Ａｒガス ：７５ｓｃｃｍ Ｎ₂ ガス ：２５ｓｃｃｍ ガス圧 ：３ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｓｉ 投入パワー：２ｋＷ

【００６０】次に、（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金ター
ゲットを使用して直流スパッタリングを行い、膜厚１５
ｎｍの（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金薄膜（第１の合金
薄膜）を成膜した。成膜条件を以下に示す。 （ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金薄膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金ターゲット 投入パワー：８００Ｗ

【００６１】次いで、（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金タ
ーゲットを使用して直流スパッタリングを行い、膜厚１
０ｎｍの（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜（第２の合
金薄膜）を成膜した。成膜条件を以下に示す。 （ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金ターゲット 投入パワー：８００Ｗ

【００６２】このようにして第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
膜，（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金薄膜，（ＴｂＦｅＣ
ｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜を順次成膜した後、以下に示す雰
囲気下に基板を９０秒保持した。 保持雰囲気条件 酸素分圧：３×１０^-5Ｔｏｒｒ 保持時間：９０秒

【００６３】そして、チャンバー内に再びＮ₂ ガスとＡ
ｒガスを導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３０ｎｍの第２のＳｉ₃
Ｎ₄誘電体膜を成膜した。成膜条件は第１のＳｉ₃ Ｎ₄
誘電体膜と同様である。

【００６４】次いで、Ａｌターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行い、膜厚５０ｎｍのＡｌ反射膜を成膜
して光磁気記録媒体を作製した。Ａｌ反射膜の成膜条件
は以下の通りである。 Ａｌ反射膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ａｌ 投入パワー：１．５ｋＷ

【００６５】実施例６ 第１の合金薄膜としてＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを使
用して膜厚２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ合金薄膜を成膜し、
第２の合金薄膜として膜厚５ｎｍの（ＴｂＦｅＣｏ）₉₂
Ｇｅ₈ 合金ターゲットを使用して（ＴｂＦｅＣｏ）₉₂Ｇ
ｅ₈ 合金薄膜を成膜したこと以外は実施例５と同様にし
て光磁気記録媒体を作製した。

【００６６】実施例７ 本実施例は、図７に示すように基板１１上に第１の誘電
体膜１２，ＴｂＦｅＣｏ合金よりなるＲＥ−ＴＭ磁性膜
１３，金属膜１４，第２の誘電体膜１５，反射膜１６が
順次形成されてなる光磁気記録媒体の例である。

【００６７】４元スパッタリング装置のチャンバー内に
Ｓｉ，Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ ，Ａｌ，Ｃｒの各ターゲット
を載置するとともに各機能膜が成膜されるＰＣ基板を装
着した後、チャンバー内を排気し、以下のようにして各
機能膜を順次成膜した。

【００６８】まず、チャンバー内にＮ₂ ガスとＡｒガス
を導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応性スパ
ッタリングを行い、膜厚８０ｎｍの第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘
電体膜を成膜した。成膜条件を以下に示す。 Ｓｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜成膜条件 Ａｒガス ：７５ｓｃｃｍ Ｎ₂ ガス ：２５ｓｃｃｍ ガス圧 ：３ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｓｉ 投入パワー：２ｋＷ

【００６９】次に、Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ 合金ターゲット
を使用して直流スパッタリングを行い、膜厚２５ｎｍの
Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ 合金薄膜を成膜した。成膜条件を以
下に示す。 Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ 合金薄膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ 合金 投入パワー：８００Ｗ

【００７０】次いで、Ｃｒターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行い、膜厚０．５ｎｍのＣｒ金属膜を成
膜した。成膜条件を以下に示す。 Ｃｒ金属膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｃｒ 投入パワー：１００Ｗ

【００７１】以上のようにして第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
膜，Ｔｂ₁₉Ｆｅ₇₃Ｃｏ₈ 合金薄膜，Ｃｒ金属膜を順次成
膜した後、以下に示す雰囲気下に基板を３０秒保持し
た。 保持雰囲気条件 酸素分圧：３×１０^-5Ｔｏｒｒ 保持時間：３０秒

【００７２】そして、チャンバー内に再びＮ₂ ガスとＡ
ｒガスを導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３０ｎｍの第２のＳｉ₃
Ｎ₄誘電体膜を成膜した。成膜条件は第１のＳｉ₃ Ｎ₄
誘電体膜と同様である。

【００７３】次いで、Ａｌターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行い、膜厚５０ｎｍのＡｌ反射膜を成膜
して光磁気記録媒体を作製した。Ａｌ反射膜の成膜条件
は以下の通りである。 Ａｌ反射膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ａｌ 投入パワー：１．５ｋＷ

【００７４】比較例１ 本比較例は、基板上に第１の誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ合
金よりなるＲＥ−ＴＭ磁性膜，第２の誘電体膜，反射膜
が順次形成されてなる光磁気記録媒体の例である。

【００７５】４元スパッタリング装置のチャンバー内に
Ｓｉ，Ｔｂ，ＦｅＣｏ，Ａｌの各タゲットを載置すると
ともに各機能膜が成膜されるポリカーボネート（ＰＣ）
基板を装着した後、チャンバー内を排気し、以下のよう
にして各機能膜を順次成膜した。

【００７６】まず、チャンバー内にＮ₂ ガスとＡｒガス
を導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応性スパ
ッタリングを行い、膜厚８０ｎｍの第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 膜
を成膜した。成膜条件を以下に示す。 Ｓｉ₃ Ｎ₄ 誘電体膜成膜条件 Ａｒガス ：７５ｓｃｃｍ Ｎ₂ ガス ：２５ｓｃｃｍ ガス圧 ：３ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ｓｉ 投入パワー：２ｋＷ

【００７７】次に、Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏ合金タ
ーゲットを使用して直流同時２元スパッタリングを行
い、膜厚２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ合金薄膜を成膜した。
成膜条件を以下に示す。 （ＴｂＦｅＣｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：ＴｂおよびＦｅＣｏ合金 投入パワー：Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ

【００７８】以上のようにして第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、下記に示す雰囲
気下に基板を９０秒保持した。 保持雰囲気条件 酸素分圧：３×１０^-5Ｔｏｒｒ 保持時間：９０秒

【００７９】そして、チャンバー内に再びＮ₂ ガスとＡ
ｒガスを導入し、Ｓｉターゲットを使用して高周波反応
性スパッタリングを行い、膜厚３０ｎｍの第２のＳｉ₃
Ｎ₄誘電体膜を成膜した。成膜条件は第１のＳｉ₃ Ｎ₄
誘電体膜の場合と同様である。

【００８０】次いで、Ａｌターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行い、膜厚５０ｎｍのＡｌ反射膜を成膜
して光磁気記録媒体を作製した。Ａｌ反射膜の成膜条件
は以下の通りである。 Ａｌ反射膜成膜条件 Ａｒガス ：６０ｓｃｃｍ ガス圧 ：１．７ｍＴｏｒｒ ターゲット：Ａｌ 投入パワー：１．５ｋＷ

【００８１】このようにして作製された光磁気記録媒体
について各種記録磁界でのＣ／Ｎ比を測定した。実施例
１〜実施例４及び比較例１の光磁気記録媒体の外部磁界
とＣ／Ｎ比の関係を図８に、実施例１，実施例５及び比
較例１の光磁気記録媒体の外部磁界とＣ／Ｎ比の関係を
図９に、実施例１，実施例７及び比較例１の光磁気記録
媒体の外部磁界とＣ／Ｎ比の関係を図１０に示す。

【００８２】まず、図８を見てわかるように、ＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜が（ＴｂＦｅＣｏ）_100-xＭ_x 合金よりなる実
施例１〜実施例４の光磁気記録媒体は、ＲＥ−ＴＭ磁性
膜がＴｂＦｅＣｏ合金よりなる比較例１の光磁気記録媒
体に比べて特に低記録磁界域において高Ｃ／Ｎ比が得ら
れる。このことから、光磁気記録媒体において、ＲＥ−
ＴＭ磁性膜に酸素との親和性が高い金属元素を含むＴｂ
ＦｅＣｏ系合金を用いることは記録磁界感度の向上を図
る上で有効であることが示される。

【００８３】しかし、実施例１〜実施例４の光磁気記録
媒体は、高記録磁界域のＣ／Ｎ比が比較例１の光磁気記
録媒体に比べて若干低くなっている。これは含ませた金
属元素がＲＥ−ＴＭ磁性膜の磁気特性に影響を及ぼして
いるからと考えられる。このことから、ＲＥ−ＴＭ磁性
膜に含ませる金属元素の量は、記録磁界感度の向上，高
記録磁界域におけるＣ／Ｎ比の確保の兼ね合いから最適
化が必要であることが示される。

【００８４】続いて、図９を見ると、ＲＥ−ＴＭ磁性膜
が（ＴｂＦｅＣｏ）₉₈Ｃｒ₂ 合金薄膜と（ＴｂＦｅＣ
ｏ）₉₀Ｃｒ₁₀合金薄膜の２層よりなる実施例５の光磁気
記録媒体は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜がＴｂＦｅＣｏ合金より
なる比較例１の光磁気記録媒に比べて低記録磁界域にお
いて高Ｃ／Ｎ比が得られる。また、高記録磁界域におけ
るＣ／Ｎ比も、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が（ＴｂＦｅＣｏ）₉₀
Ｃｒ₁₀合金薄膜単層よりなる実施例１の光磁気記録媒体
に比べて高くなっており、またＲＥ−ＴＭ磁性膜に金属
元素を含まない比較例１の光磁気記録媒体に比べても遜
色のないものとなっている。このことから、ＲＥ−ＴＭ
磁性膜をＭの組成比が異なる２層の（ＴｂＦｅＣｏ）
_100-x Ｍ_x 合金薄膜で構成することは、記録磁界感度を
向上させ、低記録磁界域，高記録磁界域に亘って高いＣ
Ｎ比が得られるものとする上で有効であることがわかっ
た。

【００８５】次に、図１０を見ると、ＲＥ−ＴＭ磁性膜
上にＣｒ金属膜が形成された実施例７の光磁気記録媒体
は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜上にＣｒ金属膜が形成されていな
い比較例１の光磁気記録媒に比べて低記録磁界域におい
て高Ｃ／Ｎ比が得られる。また、高記録磁界域における
Ｃ／Ｎ比も、ＲＥ−ＴＭ磁性膜にＣｒを直接含有させた
実施例１の光磁気記録媒体に比べて高くなっており、ま
た比較例１の光磁気記録媒体に比べても遜色のないもの
となっている。

【００８６】このことから、ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に所定
の金属元素よりなる金属膜を形成することは、記録磁界
感度を向上させ、低記録磁界域，高記録磁界域に亘って
高いＣＮ比が得られるものとする上で有効であることが
わかった。

【００８７】次に、ＲＥ−ＴＭ磁性膜にＧｅを含ませる
ことによる記録特性安定化効果を検討するために実施例
５及び比較例１の光磁気記録媒体について、記録パワー
７．０ｍＷ，外部磁界０Ｏｅの条件で磁界変調記録を３
０００回行い、任意の記録回数時におけるＣ／Ｎ比を再
生パワー４．５５ｍＷ，外部磁界２００Ｏｅの条件でＣ
／Ｎ比を測定した。記録回数とＣ／Ｎ比の関係を図１１
に示す。

【００８８】図１１からわかるように、ＲＥ−ＴＭ磁性
膜がＴｂＦｅＣｏ合金薄膜の１層よりなる比較例１の光
磁気記録媒体は、Ｃ／Ｎ比が記録回数が重なるのに伴っ
て大きく低下し、３０００回記録時には初期のＣ／Ｎ比
に比べて約３ｄＢも落ちるているのに対して、ＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜がＴｂＦｅＣｏ合金薄膜と（ＴｂＦｅＣｏ） ₉₂
Ｇｅ₈ 合金薄膜の２層よりなる実施例６の光磁気記録媒
体は、３０００回記録後においても初期と同程度のＣ／
Ｎ比を維持している。

【００８９】このことから、ＲＥ−ＴＭ磁性膜にＧｅを
含ませることは、記録特性を安定化する上で有効である
ことがわかった。

【００９０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体は、基板上に少なくともＲＥ−ＴＭ
磁性膜と誘電体膜とが順次形成されてなる光磁気記録媒
体において、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と誘電体膜の間にＧｅよ
りなる金属膜を設けるか、またはＲＥ−ＴＭ磁性膜を
（ＴｂＦｅＣｏ） _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金で構成するか、
さらには上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜を（ＴｂＦｅＣｏ）
_{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ 合金合金で構成するので、誘電体膜の
成膜に際して成膜雰囲気中に分散して存在する反応性ガ
ス、ターゲットに由来する活性元素のＲＥ−ＴＭ磁性膜
への侵入が遮断され、ＲＥ−ＴＭ磁性膜に不純物が混入
することに起因する記録磁界感度の低下が防止できる。

【００９１】したがって、本発明によれば、低記録磁界
下においても高Ｃ／Ｎ比が得られ、例えば磁界変調方式
に適用した場合に、高周波変調による高密度記録化，磁
界発生コイルの小型化，供給電流の削減化が可能な光磁
気記録媒体を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＲＥ−ＴＭ磁性膜を構成する（ＴｂＦｅＣｏ）
_100-x Ｃｒ_x 合金のＣｒの組成率ｘとＣ／Ｎ比の関係を
示す特性図である。

【図２】ＲＥ−ＴＭ磁性膜を構成する（ＴｂＦｅＣｏ）
_100-x Ｃｒ_x 合金のＣｒの組成率ｘと記録磁界２００Ｏ
ｅの場合のＣ／Ｎ比と記録磁界７５Ｏｅの場合のＣ／Ｎ
比の差ΔＣ／Ｎ比の関係を示す特性図である。

【図３】ＲＥ−ＴＭ磁性膜を構成する第２の合金薄膜の
膜厚とＣ／Ｎ比の関係を示す特性図である。

【図４】ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に形成される金属膜の膜厚
とＣ／Ｎ比の関係を示す特性図である。

【図５】本発明を適用する光磁気記録媒体の一構成例を
示す要部概略断面図である。

【図６】本発明を適用する光磁気記録媒体の他の例を示
す要部概略断面図である。

【図７】本発明を適用する光磁気記録媒体のさらに他の
例を示す要部概略断面図である。

【図８】ＲＥ−ＴＭ磁性膜が（ＴｂＦｅＣｏ）_100-x Ｍ
_x 合金よりなる光磁気記録媒体の記録磁界とＣ／Ｎ比の
関係を示す特性図である。

【図９】ＲＥ−ＴＭ磁性膜が２層の合金薄膜よりなる光
磁気記録媒体の記録磁界とＣ／Ｎ比の関係を示す特性図
である。

【図１０】ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に金属膜が形成された光
磁気記録媒体の記録磁界とＣ／Ｎ比の関係を示す特性図
である。

【図１１】ＲＥ−ＴＭ磁性膜がＴｂＦｅＣｏ合金薄膜と
（ＴｂＦｅＣｏ）₉₂Ｇｅ₈ 合金薄膜の２層構成である光
磁気記録媒体の記録回数とＣ／Ｎ比の関係を示す特性図
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 祐子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 田中 富士 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 佐藤 昇 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−223422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−196444（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−73975（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−73444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−87307（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−135417（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−334742（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20314（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−76383（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
   金薄膜と誘電体膜とが順次形成されてなる光磁気記録媒
   体において、 上記希土類−遷移金属合金薄膜が（ＴｂＦｅＣｏ）
   _{１００−ｘ} Ｃｒ _ｘ （但し、ｘは原子％を表し、８＜ｘ≦
   ２０である。）で表される希土類−遷移金属合金よりな
   ることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
   金薄膜と誘電体膜とが順次形成されてなる光磁気記録媒
   体において、 上記希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜の間にＧｅか
   らなる金属膜が介在していることを特徴とする光磁気記
   録媒体。