KR890004232B1 - 광자기 기록매체와 그 제조방법 - Google Patents

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내용 없음.

Description

광자기 기록매체와 그 제조방법

제1도 본 발명의 구현예에 따른 광자기 기록 디스크의 주요부분에 대한 단면도.

제2a도 및 제2b도는 제1도의 광자기 기록 디스크와 종래 광디스크 케어히스테리시스의 특성곡선을 나타낸 도면.

제3a도 및 제3b도는 플라즈마 표면처리 공정을 포함한 본 발명의 제조방법을 이용하여 제조된 광자기 기록 디스크와 종래의 디스크에서 각각 측정된 오오제피이크 강도(Auger peak intensity)의 분포를 나타낸 그래프.

제4a도 내지 제4c도는 3개의 서로 다른 광자기 기록 매체의 샘플에 대해 각각 측정된 오오제분석 결과를 각각 나타낸 그래프.

제5a도 내지 제5c도는 상기 광자기 기록매체의 샘플에 대해 각각 측정된 극 케어히스테리시스 특성곡선을 각각 나타낸 그래프.

제6a도 내지 제6b도는 본 발명과 종래의 광자기 기록 디스크에 설치된 투명박막층의 적외흡수 특성을 각각 나타낸 그래프.

제7a도 내지 제7I도는 플라즈마 표면 처리에서의 처리 전력(RF 전력)을 여러가지로 변화시켜서 제조된 별개의 광자기 기록 디스크의 9개 샘플에 대한 케어히스테리시스 고리를 각각 나타낸 도면.

제8a도 내지 제8d도는 플라즈마 표면 처리에서의 처리 시간을 여러가지로 변화시켜서 제조된 또 다른 광자기 기록 디스크의 4개 샘플에 대한 케어히스테리시스 고리를 각각 나타낸 도면.

제9도는 규소기판상에 100nm 두께의 질화규소(Si₃N₄)필름과 100nm 두께의 텔루븀 코발트(TbCo)기록층 및 100nm 두께의 질화규소 필름이 순차적으로 형성된 광자기 기록 디스크 샘플의 플라즈마 표면처리에 대한 포화 자화(磁化) 및 수직자기 이방성정수(Ku)의 의존성을 나타낸 그래프이다.

본 발명은 광자기 기록 매체에 관한 것으로서, 특히 기록판 표면에 수직방향으로 자화용이축(磁化容易軸)이 형성되어 있으며, 희토류-변이금속 비결정질 페리자성합금막으로 이루어진 기록막을 갖고 있는 광자기 기록 매체에 관한 것이다.

가까운 장래에 광자기 기록층을 갖는 광디스크가 데이터를 기록하는 기록매체로서 가장 유망시 되고 있는바, 현재의 상황으로는 데이터를 기록시키기 위한 광디스크 기록막으로서는 희토류-변이금속 비결정질 페리자성합금 박막(이하 "RRE-TM 필름"이라 약칭함)으로 구성시키고 있다. 이와같은 기록막에 기록자계(記錄磁界)를 인가한 다음 레이저 광선을 집광시키면 상기 필름은 그 광도에 대응해서 수직자화가 반전되어 비트데이터(bite data)가 자기적으로 축적되게 되는 것이다.

한편, 상술한 바와같은 과정으로 축적된 데이터를 독출시키기 위해서는 디스크의 기록층에 직선편광(Linear polarization)된 재생용 레이저광선을 조사하면 기록층에서의 광전의 편광면 회전을 이용해서 데이터가 독출되어지게 되는것이다.

또한 RRE-TM 필름으로 기록층을 갖고 있는 광디스크는 스펏터링법이나 증착법과 같은 공업적으로 효과적인 박막형성방법을 이용하면 넓은 면적을 갖는 디스크 기판상에 균질의 기록층을 비교적 용이하게 형성시킬수 있는바, 이렇게 디스크 기판상에다 RE-TM 필름으로 구성된 기록층을 형성시키는 경우에도 상기 RE-TM 필름은 그 기판을 가열시키지 않고서도 형서시킬 수가 있기 때문에 기판용 재료로서는 매우 실용적인 수지로 알려진 메타크릴산 폴리메틸(PMMA)이나 폴리카보네이트를 보다 쉽게 사용할수 있게 되는 장점이 있다.

그러나 이와같은 장점이 있는 반면 RE-TM 필름으로 된 기록층에서는 데이터를 재생활때의 캐리어 대 잡음비(carrier-to-noise ratio)를 충분히 높게 설정할 수 없다는 것이 문제점으로 되고 있고, 이러한 문제점은 RE-TM 필름의 극(極)케어 회전각이 작다고는 할 수 없으나 원하는 정도로 충분히 크지 못하다는 사실에 그 원인이 있는 것이다.

이러한 문제점을 해소시키기 위해 종래에는 투명한 필름을 RE-TM기록막의 재생용광선이 입사(入射)되는 표면쪽 RE-TM 기록막상에다 퇴적 형성시켰었다. 일반적으로 이와같은 종류의 기록매체에 있어서는 디스크 기판은 투명하고 또 재생용 광선은 투명기판을 매개로 하여 기록막에 도입 되어지도록 설정되어져 있다.

따라서, 투명한 다중간섭층은 흔히 기판과 RE-TM 기록막 사이에다 형성시키게 되고 이 박막이 RE-TM 기록막의 극 케어 회전각을 증가시키는 다중간섭층으로 가능하게 되어, 이에 따라 광자기 기록 디스크의 케리어 대 잡음비를 개선시킬 수가 있었다.

그러나 이런 경우에 실제로 다중간섭층을 갖는 광자기 기록 디스크의 케어히스테리시스 특성(kerr hysteresis characteristic)을 실제로 측정하여 보면 히스테리시스특성곡선의 상승 및 하강의 변화가 완만하게 이루어져서 이상적인 히스테리스트 특성곡선 형상인 즉, 직사각형의 형태로서 상승 및 하강변화가 급격하게 되는 형상과는 크게 차이가 있다는 것이 판명되었다.

이와같은 사실은 RE-TM 기록막 중에서 자계(H)의 변화에 대응해서 발생되는 자화의 반전이 완만하게 이루어지게 된다는 것을 의미하는 것이다. 이와같은 불규칙한 히스테리시스 특성곡선을 갖고 있는 기록막의 광자기 기록층이 메모리로 사용된다면 기록된 비트데이터의 격납 형상이 바람직스럽지 못하게 변해 버려 안정된 테이터의 격납을 기대할 수가 없게되는 것이다.

이에 본 발명은 종래의 이와같은 문제점들을 해결하기 위하여 데이터의 양호한 기록과 독출을 효과적으로 일어나도록 하기 위한 새롭고 진보된 광자기 기록매체를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 데이터를 재생시킬때의 캐리어 대잡음비를 개선시킴과 동시에 기록데이터를 자기적으로 안정하게 격납시킬수 있는 새롭고 진보된 광자기 기록매체를 제공하기 위한 것이다.

본 발명에 의하면 광자기 기록매체를 제조함에 있어서, 기판상에 간섭층으로서의 기능하는 투명박막층을 성형시킬때 상기 투명박막층의 적어도 표면 부분에 함유되어 있는 용존 산소를 감소시키는 표면 처리 공정을 실시하게 되는데, 이 표면 처리 공정은

1, 투명층을 기판상에 형성시킨 후 투명층을 갖는 기판을 플라즈마 가스기류에 쬐며 투명박막층의 적어도 표면 부분에 함유되어 있는 용존 산소를 플라즈마 이온과 강제적으로 결합시켜서 상기의 투명층을 안정화 시키던가, 또는

2. 투명층을 기판상에 형성시킬때 바이어스 스펏터링법을 써서 투명 박막층의 적어도 표면층에 함유되어 있는 용존산소를 플라즈마 이온으로 추출시켜 투명 박막층중의 산소 함유율을 강제적으로 감소시크는 공정이다.

이와같이 하여 표면처리 되어진 투명박막층의 표면에다 희토류-변이금속 비결정질 페리자성 합금 박막으로된 기록층이 형성되게 되는데, 여기서 투명 박막층의 적어도 표면 부분에 함유되고 또 그 위에 형성된 기록층 중에도 함유된 희토류 원소와 화합할 용존 산소가 감소되어져 있기 때문에 기록층과 투명 박막층 사이의 계면 영역에서의 희토류 산화물 생성이 억제되거나 방해되게 된다. 이렇게 하면 이 계면 영역에서의 희토류의 조성성분비가 상승되는 것이 효과적으로 방지되어지게 되는 것이다.

실제로 이 영역에서의 희토류의 조성성분비는 기록층 전체 영역에서의 희토류의 평균 조성성분비보다도 작게 설정되어진다는 점이 실험에 의해 확인되었다.

이하 본 발명을 그 실시예로서 첨부한 도면에 의거하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 발명의 광자기 기록 매체의 기본적인 구조의 단면을 나타낸 도면 즉, 희토류-변이금속 비결정질 메리자성합금 박막(RE-TM 필름)으로 이루어진 기록막을 갖는 광자기 기록 디스크(10)의 주요구성부분을 나타낸 단면도로서(디스크의 크기는 명시되어 있지않음) 상기 광자기 기록 디스크(10)의 최하단부에는 재생용 광선이 조사될수 있는 투명물질, 예전대 메타크릴산 폴리메틸(PMMA)등과 같은 투명수지로 제조된 디스크기판(12)이 형성되어 있으며, 이 디스크판(12)상에는 다중간섭층으로서의 기능을 갖는 투명박막층(14)이 형성되어 있고, 또 이 투명박막층(14)상에는 RE-TM필름으로 된 기록층(16)이 적충되어 있는 바, 여기서, 이기록층(16)은 텔루븀, 철(TbFe)막으로 이루어져 있으며, 기판(12)과 기록층의 사이에 형성되어져 있는 투명박막층(14)은 예를들면 질화실리콘(Si₃N₄)과 같은 물질을 주재로하여 만들어져서 기록층(16)의 극케어회전각을 증가시키게 되며, 이로 말미암아 광자기 기록 디스크의 케리어대 잡음비를 크게 개선시킬수 있게 되는 것이다.

한편, 제1도에서의 점선표시 부분은 텔루븀, 철로된 기록층(16)과 착좌 간섭층(14)과의 게면영역을(18)을 시각적으로 나타내기 위하여 사용된 선이다.

본 실시예서는 다음에 설명하는 사실에 주의를 해야 할 것인바, 즉 이 계면영역(18)에서의 희토류(Tb)의 조성성분비는 텔루븀, 철 기록층(16) 전체영역에서의 희토류 조성성분비 보다 작게 설정되어져 있다는 사실로서, 다시 말하면 텔루븀, 철 기록층(16)의 계면영역(18)에서의 희토류 성분의 변이금속성분에 대한 조성비는 이 기록층(16)전체에서의 희토류 성분의 변이금속에 대한 평균조성성분비보다도 작게 설정시켜 놓고 있는 것이다.

그 결과, 텔루븀, 철 기록층(16)의 계면영역(18)에서의 희토류 성분의 함유가 텔루븀, 철 기록층(16)의 다른 부분에 비하여 낮게 되는 것이다.

이와같이 텔루븀, 철 기록층(16)과 간섭층(14)과의 계면영역(18)에서 희토류 성분의 함유량이 적어지게 된다는 사실은 텔루븀, 철 기록층(16)의 계면영역(18)에 무효기록부로서 기능하는 층상의 희토류화합물, 예컨대 희토류 산화물이 형성되는 것을 저지시키거나 억제시키기 때문인 것이다.

여기서 희토류(Tb)의 성분비가 작게 설정되어 있는 계면영역(18)의 두께는 기록층(16)의 전체두께의 적어도 1/10이하로 설정되는 것이 바람직하다(두께를 1/20 이하로 설정하면 더욱좋다). 한예로서 기록층(16)의 전체두께가 50nm일때 희토류(Tb)의 성분비가 작게 설정되어 있는 계면영역(18)의 두께는 5nm이하로 설정시킨다.

이상의 설명내용과 같은 특징을 갖고 있는 본 발명의 광자기 기록 디스크를 제조하는 방법에 대하여 설명하여보면, 우선 아크릴기판(12)을 중성세제의 용액중에 담가서 그표면을 초음파 세정시키고, 이렇게 세정된 기판(12)은 계속해서 스펏터링용기내에 배치시킨다.

이때 스펏터링 용기 내부는 일정한 압력, 예컨대 2×10^-7토르(Torr)정도가 될때까지 배기시키고, 그 용기내부에 질소와 아르곤(N₂-Ar)혼합가스를 압력이 5밀리토르가 될때까지 주입시키되 이때 질소의 분압이 20%가 되도록 한다.

이렇게 한 다음 스펏터링판으로서는 질화실리콘플레이트를 이용하여 상기 기판(12)상에 질화실리콘 박막을 스펏터 형성시키게되면 이 박막은 투명하고 상술한 간섭층(14)에 대응하게 된다.

이와같이 스펏터링을 완료한 다음에는 용기내부에 있는 기체를 배기시키고, 계속해서 아르곤의 단체가스를 용기내부의 압력이 5밀리토르가 될때까지 스스펏터링용기 내부로 주입시킨다. 그리고 나서 용기내부에 있는 기판(12)에는 예를들어 100W의 처리전력(RF Power)을 인가시킨다.

이상태에서 기판(12)상에 형성된 투명한 실리콘박막층(14)을 아르론플라즈마 중에서 일정시간, 예컨대 5분동안 쏘여서 박막(14)을 플라즈마 표면처리 시킨다.

이때 접지전위에 대해서 음극성을 갖는 자기(自己)바이어스전압(예컨대-260볼트)이 기판(12)에 동시에 인가되게 되고, 또 실제로 본 발명자들이 실사한 실험에 의하면 상기 자기바이어스 전압의 음극전위는 고압고주파 탐침 및 신크로스코우프를 이용하여 측정할수 있었다.

한편, 박막(14)을 아르곤에 5분간 쏘인후 처리전력원을 단전시켜서 상기 질화실리콘판의 사용을 중지하고, 그 대신에 희토류-변이금속 비정질 페리자성합금으로 예컨대 텔루븀, 철로된 별도 판을 사용한다. 이렇게 텔루븀, 철판을 이용하여 상기와 같은 조건하에서 스펏터링을 계속함에 따라 간섭막으로서 기능하는 투명박막(14)상에 텔루븀, 철층을 소정의 두께, 예컨대 100mm정도의 두께를 갖도록 형성시킨다.

이렇게 형성된 층은 상기한 바와같은 광자기록층(16)으로서 기능하게 되는 것이다.

이와같은 제조방법의 공정중에서 기판(12)상에 간섭층(14)을 형성시킨후에 간섭층(14)을 아르곤플라즈마 표면처리시키는 공정이 첨가되어 있다는 점이 본 발명의 독특한 특징인바, 간섭층(14)을 기판(12)에 형성시킨후 이 간섭층(14)을 플라즈마 표면처리 시킴에 따라 그 층(14)의 상부표면 부분에 함유되어 있는 용존산소를 플라즈마이온의 충격에 의해 강제적으로 결합시키고, 층(14)의 상부표면을 안정화시킬수가 있는 것이다.

이와같이 표면처리되어 그 상부표면부분에서의 산소함유율 강제적으로 저하된 층(14)상에다 광자기기록층(16)을 형성시키기 때문에 간섭층(14)과 기록층(16)사이의 계면영역(18)에서의 희토류원소(Tb)의 조성성분비가 기록층(16)의 다른영역의 조성성분비에 비하여 낮게 설정되게 되는데, 그 이유는 착좌간섭층(14)의 상부표면부분에서의 산소함유율이 저하되어 있으므로 광자기 기록층(16)과 간섭막(14)의 게면영역에서 희토류산화물의 형성을 억제시키거나 방지 시킬수 있개 때문인 것이다.

이러한 경우 착좌간섭층(14)의 고용산소농도는 2%이하인 것이 좋으며 만일 2%가 넘게되면 무효 기록부가 형성되어 버린다. 또 착좌간섭층(14)중의 산소함유량은 기록층(16)의 막 두께와도 관련이 있으며, 간섭층(14)중의 산소함유량이 2% 이하이면 자기특성이 양호한 막두께 500Å 이하의 기록층(16)을 얻을수가 있게 되는바, 이때 코발트계 기록층(16)에 대해서는 특성이 양호했으나 철(Fe)계의 기록층에 대해서는 불충분하며, 또 기록층(16)의 마두께를 더욱 얇게 형성시키기에 불충분한 것으로 판명되었다.

이와같은 Fe계의 기록층(16)에 대한 문제와 기록층(16)의 막두께에 대한 문제를 해소하기 위해서는 간섭층(14)의 산소함유량을 더욱적게 즉 0.5% 이하로 하면 좋은바, 이와 같이 하게되면 Fe계의 기록층(16)을 양호하게 형성시킬수가 있을 뿐 아니라 100Å 이하의 얇은 기록층(16)을 얻을 수가 있는 것이다.

이렇게 기록층(16)의 막두께를 얇게 할수 있게 되므로서 첫째, 광손실이 적기 때문에 파라데이효과가 있으며 재생 캐리어대 잡음비를 향상시킬수가 있고 둘째, 레에저를 조사할때 열손실이 저기때문에 기록감도는 향상시킬수 있으며 셋째, 다량을 생산하기에 적합한 점등의 효과를 얻을 수가 있게 되는 것이다.

한편, 간섭층(14)중에 함유되는 산소, 즉 용존산소를 감소시키기 위해서는 플라즈마이온으로 간섭층(14)중의 산소를 강제적으로 결합시키는 것과 같은 상술한 방법 이외에도 다른 방법도 있는바, 즉 착좌간섭층(14)을 형성시킬때에 이간섭층(14)에 함유된 산소를 바이어스 스펏터링법을 이용하여 플라즈마 이온에 의해 두들겨 꺼내고 그 간섭층(14)중에서의 산소함유율을 감소시키는 방법을 사용할수도 있다. 이런경우에는 적어도 간섭층(14)의 상부표면 부분에 막을 형성시킬때 산소를 두들겨 꺼내도 좋으나 바이어스 스펏터링을 충분히 실시하여서 간섭층(14)중에서의 산소함유율을 감소시키는 방법을 사용할수도 있다. 이런경우에는 적어도 적어도 간섭층(14)의 상부표면 부분에 막을 형성시킬때 산소를 두들겨 꺼내도 좋으나 바이어스 스펏터링을 충분히 실시하여서 간섭층(14)전역을 형성시킬때 층(14)에 함유되어 있는 산소를 두들겨 꺼내도 좋다.

간섭층(14)의 어느정도 영역에 걸쳐 산소가 꺼내어지는가는 스펏터시간이나 스펏터전압의 설정에 따라 결정되고 있는데, 본 발명에 따르면 산소를 두들겨 꺼내기위한 스펏터링에서 설정되는 스펏터 전압은 -50 내지 -70V의 범위로서 결정되고, 바람직하게도 -100 내지 -500V의 범위로 결정되는데 본 발명에서는 예컨대 -250V로 하였다.

상술한 바와같은 방법에 의하여 제조된 본 발명의 광자기 기록 기록 디스크에 따르면 광자기기록층(16)과 간섭층(14)사이의 계면영역(18)에서의 희토류 조성성분비는 기록층(16)의 다른영역에서의 희토류의 평균조성성분비보다도 용이하게 더욱 효과적으로 작게 설정되어 질수가 있는데 이와같은 결과에 의해 본 발명에 따른 기록매체의 막두께 방향에 따른 성분조성분포는 균일화되며, 비트 데이터를 기록하는데 바람직하다고 할수 있을 정도로 급격한 상승 또는 하강상태를 갖는 양호한 극 케어히스테리시스 특성을 실현시킬수 있는 것이다.

이러한 기록 디스크의 극 케어히스테리시스 특성의 대표적인 예를 제2도에 나타내었는바, 종래의 광자기록 디스크의 극 케어히스테리 특성은 제2b도에 비교예로서 나타내었다. 제2a도와 제2b도의 파형도는 상호 동일한 크기로 표시되었으며, 여기서 횡축은 자기장 H이고 종축은 QK를 나타내고 있다.

한편 케어히스테리시스 특성의 설정은 첫째로, 헬륨-네온광선을 포함하는 광원과 둘째로, 글란-톰프슨프리즘(glan-Hormpson prism)에 의해 구성되는 편광자(polarizer) 및 검광자(analyzer)와 셋째로, 극성반전이 가능한 전자석으로 된 자기장 발생원을 구비한 측정장치를 사용하여 실시되었다.

이때 레이저 광선은 편광자를 매개체로 하여 광자기 기록 디스크의 기록층에 직접조사되며 기록층에서의 레이저 반사광은 검광자를 매개체로하여 광검출유니트에 의해 그 위치에서 검출되게 된다.

또 첨부도면 제2도에서 밝힌바와 같이 본 발명의 방법에 따라 제조된 광자기 기록 디스크는 종래의 디스크에 비해 이상적인 형태인 직사각형에 가까운 히스테리시스고리를 가지고 있으며 기록층에서의 자화의 반전이 외부 자기장(H)의 변화에 대하여 급격하게 실시된다는 것을 알수 있다.

한편 주의해야 될 것은 광자기 기록 디스크에다 데이터를 기록, 재생하는 경우 실제로는 기록 및 재생광선이 투명한 기판(12)을 통하여 기록층(16)에 입사되도록 하였다는 것이다. 그러나, 본 발명의 디스크가 레이저광선이 기록층에 직접입사될 경우 동일조건하에서 측정된 종래의 디스크에 비하여 우수한 극 케어히스테리시트 특성을 갖고 있다는 것을 뒷받침할수만 있다면 레이저 광선이 투명기판(12)을 매개로 하여 기록층에 간접적으로 입사될 경우에 있어서도 동일조건하에서 측정된 종래의 디스크에 비하여 우수한 극 케어히스테리시스 특성을 갖고 있다는 것은 당해업자라면 쉽게 알수 있다는 것이다.

상술한 바와같이 본 발명의 효과는 기록층(16)의 두께가 더욱 얇아지게 되면 현저하게 나타난다는 사실이 본 발명자들의 실험에 의하여 확인 되었다.

즉, 본 발명의 방법에 의하여 제조된 광자기 디스크에 있어서, 기판상에 100nm 두께의 질화실리콘 필름상에 10nm 두께를 갖도록 텔르븀, 코발트 광자기기록층을 형성시켰을 경우에는 기록층(16)은 특성이 양호한 수직자화막이 된다는 것이 확인된 것이다. 또, 이때 얇은 기록층(16)의 케어히스테리시스 특성이 보다 개선되었음을 알수 있었다.

이와 같은 사실을 실용산 중요한 사실로서 막의 두께가 얇고 양호한 특성을 갖는 기록층을 형성할수가 있다면 기록역치전압을 저하시키는 것이 가능하며 게어 신장효과를 크게 개선시킬수가 있다. 또한 광자기기록층을 투과하는 레이저광선의 파라데이회전을 커어회전에 중첩시킬수 있기 때문에 이디스크의 재생케리어대 잡음비를 가일층 개선 시킬수가 있는 것이다.

이상 설명한 바와같이 본 발명은 막두께 방향으로서의 조성균일이 양호하고 우수한 케어히스테리시트 특성을 갖는 광자기기록체와 그 제조방법을 제공할수 있는 것이다.

또한, 본 발명에 따른 제조방법은 기판(12)에 대한 열부하가 작게 걸리도록 억제되므로 광자기 기록 매체에 있어서 실용적인 수지기판으로 사용할수 있으며, 더우기 성막방법으로서도 공적으로 효과적인 스펏터링법 또는 증착법을 사용할수 있는 것이다.

본 발명에서의 플라즈마표면처리 및 바이어스스펏터링법을 실시할 경우 기판(12)에 전력을 인가하는 수단을 제조장치에 부가시키기만하면 제조장치의 가격이 종래의 가격과 큰 차이가 없이도 가능하게되는 것이다.

한편, 본 발명의 광자기 기록 디스크에 의하면 기록층(16)와 간섭층(14)과의 사이의 계면영역(18)에서의 희토류 함유량이 기록층(16)전체의 평균치보다 감소되도록 그 제공정중에 간섭층(14)의 적어도 상부표면 부분에서의 용존산소를 감소시키며, 이렇게 하여 제조된 광자기 기록 디스크는 개선된 케어히스테리스 특성을 갖게 되는 것이다.

이와같이 개선된 사실을 보다 명확하게 입증하기 위해서 본 발명자들이 실시한 특성확인실험의 주요한 실험데이타에 관해 상세히 설명하면 다음과 같다.

제3a도는 간섭층(14)의 상부표면에 함유된 산소를 아르곤가스 및 플라즈마이온과 결합시키므로서 안정화되는 공정(이하 산소안정화를 위한 플라즈마표면처리라 약칭한다)을 포함하는 상술한 바와같은 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 광자기 기록 디스크의 층구조에 함유되어 있는 성분에 대한 오오제피이크강도의 분포를 나타낸 그래프로서, 이 그래프의 테이터는 광자기 기록 디스크의 기록층(16)에 전자광선을 직접(기판)12)을 매개로 하지 않음)조사시켜서 얻어진 것인데, 이와같이 기록층(16)에 전자광선을 직접조사하여 동시에 아르곤이온에 의하여 기록층(16)을 부식시키면서 공지의 오오제전자분광법을 이용하여 적층구조의 두께방향에 따라 조성분석을 측정하였다.

또한 제3b도에 나타낸 측정결과는 산소안정화를 위한 플라즈마표면처리 공정을 실시하지 않고 제조된 즉, 종래의 방법에 따라 제조된 광자기 기록 디스크(종래의 광자기 기록 디스크)에 대하여 상기와 마찬가지로 막두께방향에서의 조성분포를 측정한 실험결과를 나타낸 그래프이다.

이와같은 그래프들을 비교하여 보면 다음의 사실을 쉽게알수 있는바, 제3b도에서 종래의 광자기 기록 디스크의 투명간섭층(14)과 텔르븀, 철 기록층(16)사이의 계면영역(18)(도면에서 화살표 1로 표시되어 있음)에서 희토류인 테르븀(Tb)의 조성비곡선(도면에서 점선으로 표시되어 있음)이 피이크상태로 되어 있음을 관찰할수 있는데 즉, 종래의 광자기 기록 디스크는 계면영역(18)에서 희토류의 함유율이 매우 증가된 상태를 나타내고 있으나 이에 대하여 본 발명의 광자기 기록 디스크에 의하면 계면영역(18)에서 희토류의 조성비곡선의 피이크는 제3a도에 나타낸바와 같이 비교적 완만하므로 기록층(16)에서의 희토류 조성이 비교적 균일화되어 있으므로 기록층(16)의 균질성이 높다고 말할수 있다.

이와같은 실험에 의해 본 발명의 제조방법에 포함되는 산소안정화를 위한 플라즈마표면처리공정"을 사용하므로서 제1도를 참조하여 설명한 바와같은 광자기 기록 매체를 제조가능 하다는 사실이 실증되었다.

그 다음으로 본 발명자들은 상술한 바 있는양호한 케어히스테리시스 특성을 얻을수 있다는 본 발명의 효과를 확인하기위하여 다음과 같은 일연의 샘플을 제조하고 이들 샘플 각각에 대한 일연의 샘플을 제조하고 이들 샘플 각각에 대한 오오제조성분포 및 케어히스테리시스 특성을 측정하는 실험을 실시하였다.

이에 따른 여러개의 샘플시료는 다음과 같은 공정에 의거하여 제조하였는바, 우선 3매의 실리콘기판을 준비하고 이들 실리콘기판상에 간섭층으로서의 기능을는 질화실리콘(Si₃N₄)막을 각각 형성시키되, 이때 각 질화실리콘(Si₃N₄)막의 두께는 100nm로 설정되었다.

상기와 같이 질화실리콘(Si₃N₄)막을 형성시킨후에 얻어진 구조체를 대기중에 노출시키고, (이때 질화실리콘막은 대기중에서 산화된다) 이들의 구조체중에서 하나를 임의로 선택하여 상술한 바 있는 본 발명의 산화 안정화를 위한 플라즈마표면처리공정(단, 처리전력은 100W, 자기바이어스전압은 -260볼트, 시간은 5분으로 하였다)을 실시하여 이렇게 제조된 것을 샘플 A로 한다.

나머지 2매의 기판중에서 한개를 임의로 선택하여 질소기류하에서 설담금(anneal)하되 이때 설담금온도는 500℃, 설담금 시간은 30분으로 설정 되었다. 이와 같이 설담금하여 얻어진 것을 샘플 B로 구분한다. 나머지 기판에 대해서는 종래의 방법에 근거를 하여 어떤처리도 실시하지 않고 대기중에 그대로 방치하여두어 이렇게 하여 얻어진 것을 샘플 C로 한다.

상기의 샘플 A, B, C, 상에다 동일조건하에서 텔르븀, 코발트막을 100nm의 두께로 성형시키고, 여기에 또 다시 질화실리콘(Si₃N₄) 막을 100nm 두께로 코팅시킨다.

상기의 공정에 의하여 형성된 3가지형태의 광자기 기록 매체의 샘플 A, B, C에 대하여 각각 오오제 분석을 실시한후 그 결과를 첨부도면 제4a도 및 제4b도, 제4c도에 각각 나타내었다. 여기서 종래의 제조방법에 의하여 형성된 샘플 C와 열처리된 샘플 B에 의하면 제4c도와 제4b도에 각각 표시되어 있는 바와같이 텔르븀, 코발트막과 하부에 적층된 질화실리콘막사이의 게면영역과 그 근방에서(1) 텔르븀의 조성 및 (2)질화실리콘막중의 용존산소(0) 조성이 불필요하게 증대되고 있음을 알수 있다. 이에 반하여 본 발명의 방법에 의하여 제조된 샘플 A에 의하면 제2a도에 나타낸 바와같이 텔르륨, 코발트막중에서 그것에 비하여 크게 감소되어 있음을 알수있다. 제4도(a)에서 부호 20으로 표시되어 있는 "텔르븀저하곡선"참조)

특히, 제4a도에 표시되어 있는 부호 22로 표시된 "텔르븀 증가곡선"은 착좌 질하실리콘막의 상부표면에 흡착시킨 산소와 텔르븀, 코발트막중의 텔르븀과의 결합에 의해 생긴 텔르븀 산화물의 발생에 기인하는 것이며 또 텔르븀산화물의 발생은 샘플을 대기중에 노출시키는 공정이 있기 때문인 것이다.

한편, 제5a도, 제5b도 및 제5c도는 상기의 샘플 A, B, C에 대한 케어히스테리신스 특성 곡선을 나타낸 것으로서 각 도면에 부가되어 있는 수치는 각 샘플에 대한 케어 회적각의 실제측정치이다. 그리고 특성 곡선을 도시하는 방법은 제2도와 마찬가지로 횡축 방향은 외부자기장(H), 종축방향은 자화(QK)이다.

여기서 본 발명에 의하여 형성된 광자기 기록 매체인 샘플 A만이 이상형에 가까운 양호한 케어히스테리시스 고리를 갖고 있는 반면, 샘플 B에 대한 히스테리시스 고리는 샘플 A의 히스테리시스 고리보다 열등하며 종래의 방법에 의하여 형성된 광자기 기록 매체인 샘플 C의 히스테리시스 고리는 가장 열등한 것임을 확인할 수 있는 것이다.

한편, 제6a도와 제6b도는 본 발명과 종래의 광자기 기록 디스크(즉, 상기 샘플 A와 샘플 C)에 적층되어 있는 투명박막의 간섭층(14)에 대한 적외흡수특성을 나타낸 그래프로서, 각각의 그래프는 간섭층의 파장수(1/λ)의 변화에 따른 흡수율의 변화를 나타낸 것이다.

상기의 제6b도에 의하면 종래의 광자기 기록 디스크의 간섭층 흡수율을 1/λ=935㎝^-1인 부근에서 주피이크 P₁(Si_xO_yN_z상에서의 흡수 피이크이다)이 존재하고 있음을 알수 있는 반면, 제6A도의 그래프에 의하면 본 발명의 광자기 기록 디스크의 간섭층 흡수율은 1/λ=935㎝^-1지점에서 주 피이크 P₁이외에도 1/λ=1060㎝^-1지점에서 또 하나의 피이크 P₂(Si_xO_y) 상에서의 흡수피이크가 존재하고 있다는 것을 알 수 있다.

여기서 또하나의 피이크 P₂는 P₁과 확실히 분리된 형태로 존재하고 있는데, 이러한 새로운 피이크 P₂가 나타나는 것은 이미 설명한 바와 같이 본 발명의 "산소안정화를 위한 플라즈마표면처리"에 의해 간섭층으로서 기능하는 투명박막의 표면부에서 용존산소가 안정화 되어서 산화규소(SiO)또는 이산화규소(SiO₂)가 생성되기 때문인 것으로 추측된다.

따라서, 투명박막의 표면에 함유되어 있는 산소가 그 상부에 형성된 광자기 기록층에 함유되어 있는 희트류와 결합하기 어렵게 된 결과에 의해 그들간의 계면영역에서의 희토류 조성비율이 감소하게 되며, 막두께 방향으로 균질의 층을 갖는 구조물을 얻을 수 있게 되는 것이다. 여기서 질화규소(Si₃N₄) 막중에 있는 산소공급원은 판에 포함되어 있는 산화물계와의 결합체라고 생각할 수 있다.

한편, 상술한바 있는 "플라즈마표면처리공정"에 대한 공정 조건을 더윽 상세하게 조사하기 위하여 본 발명자들은 다음과 같은 실험을 실시하였다. 즉, 이 실험에 따른 도면을 제7A도 내지 제7Ⅰ도에 나타내었는바, 이 도면에서는 "플라즈처리공정"의 처리전압, 즉 바이어스 전압을 여러가지로 변형시켜서 제조된 광자기 기록 디스크의 8가지 샘플에 대한 극 케이히스테리시스 특성고리를 각각 나타내고 있다.

이 경우 8매의 디스크 기판으로서 실리콘 기판이 각각 채용되었으며, 상기의 실리콘 기판위에 질화 규소(Si₃N₄) 필름을 100mm두께로 각각 형성시킨 다음, 이 기판을 대기중에 노출시키고 그중 1매는 종래의 제조방법에 준해 그대로 대기기류하에 방치 시켰으며, 나머지 7매의 질화규소 필름이 형성된 기판은 처리전력(RF 전력)을 변화시키고 플라즈마표면처리공정을 실시하였다.

이때, 플라즈마표면처리 시간은 모두 공통적으로 5분동안 설정하여 처리하였으며, 별도로 비교용 샘플로서 간섭층이 형성되지 않은 규소(Si)기판 1매를 준비하여 총 샘플의 수를 9매를 하였다.

그 후 이와같은 9매의 기판 샘플상에 동일한 형성 조건하에서 텔르븀, 코발트(TbCo)로서 이루어지는 광자기기록층(←복수)을 100nm두께를 갖도록 각각 형성시키고 또 상기 기록층상에 계속하여 질화규소 필름을 100nm두께로 각각 코팅시켰다. 이와같은 과정에 의하여 얻어진 9매의 광자기기록층 샘플에 대한 케어히스테리시스 특성을 측정한 결과 제7a도 내지 제7i도에 표시된 측정결과가 얻어졌다.

여기서 제7a도에 나타나있는 특성곡선은 간섭층을 갖지않은 광자기 기록 디스크의 케이히스테리스시 특성을 나타낸 것이며, 제7b도의 특성곡선은 플라즈마표면처리가 되지않은 상태에서 제조된 광자기기록층 디스크의 케이히스테리시스 특성을 나타낸 것이고, 제7c도 내지 제7i도의 특성곡선은 본 발명의 프라즈마표면 처리가 실시된 광자기 기록 디스크의 케이히스테리시스 특성을 나타낸 것으로서, 처리 전력은 각각 10W, 25W, 50W, 70W, 100W, 300W 및 500W로 설정하여서 실시한 경우에 있어어의 케이히스테리시스 특성을 타나내고 있다.

한편, 제7b도 내지 제7i도는 자기바이어스 전압이 각각 OV, -50V, -110V, -175V, -215V, -270V, -500V 및 -660V로 설정된 경우에 있어서의 극 케어히스테리시 곡선을 나타낸 것이다.

이와같은 특성곡선을 살펴보면, 제7b도에 나타낸 케이히스테리시스 특성곡선이 급격한 상승 및 하강의 형태를 취하고 있는 것을 볼 수 있는데 이것이 이상형에 근접한 형태로서 가장 바람직하다.

여기서 측정결과에 적합한 조건으로는 처리시간을 5분 정도로 하고 자기바이어스 전압을 120V 이상으로 하게 되면 더욱 현저한 효과를 얻을수 있다는 것이 입증되었으며 실제로는 디시크기판이 실리콘이 아니라 PMMA나 폴리카보네이트(pc) 및 에폭시 등이 수지재료로 만들어지는 것은 이미 설명한 바와 같다.

제8a도 내제 제8d도는 "플라즈마표면처리공정"의 처리시간을 여러가지로 변화시켜서 얻어진 광자기 기록디스크의 4개 샘플에 대한 케이히스테리시스 특성곡선을 각가 나타내고 있는바, 이 경우도 상술한 바와 같이 실리콘 기관으로 이루어진 디스크 기판을 채용하여 플라이즈마표면처리의 자기바이어스 전압 및 처리 전력을 250V와 250W로 설정되었다. 여기서 제8a도의 특성곡선은 간섭층을 갖지않는 광자기 기록 디스크의 케이히스테리시스 특성을 나타낸 것이며, 제8b도 내지 제8d도의 특성곡선은 본 발명의 플라즈마표면 처리가 각각 1분, 3분 및 5분의 처리시간 동안 실시된 광자기 기록 디스크에 대한 케이히스테리시스 특성을 각각 나타낸 것이다. 이들 특정 결과에서 프라즈마저시간은 3분 이상, 더욱 바람직하게는 5분 이상으로 설정하는 것이 좋다는 것이 판명되었다.

한편, 디스크기판을 수지재료로 제조하고, 상술한 본 발명의 "플라즈마표면처리"를 행하여 제조된 광자기 기록 디스크에 대해서도 상기와 마찬가지로 동일한 실험을 실시하였는바, 본 발명에 따른 플라즈마표면처리는 300W 이상의 높은 처리 전력을 기판에 인가하고, -500V의 자기바이어스 전압 조건하에서 처리시간을 5분간 실시한 경우에 있어서도 저내열성의 PMMA 기판일지라도 상기와 같은 처리 과정을 충분히 견딜수 있다는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명의 표면처리 공정으로서 바이어스 성막법이 채용될 경우에는 기판에 인가되는 처리전력을 100W로 설정하여 연속하여 성막할때 PMMA 기판은 10분 정도 될때까지 열적으로 견디지만, 15분 이상이 되면, 약간의 열 변형이 발행하게 떠는 반면, 폴리카보네이트 기판은 상기와 같은 동일한 조건하에서 연속저그올 30분 정도 성막시켜도 열에 충분히 견딘다는 것을 확인할 수 있었다.

그런, PMMA 기판을 이용하는 경우에도 이 기판을 냉각시키면서 단열적으로 바이어스 스펏터성막법을 시시하게 되면, 100mm 이상의 두꺼운 투명박막층의 형성이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 제조방법에 따르면 실용적인 수지기판을 디스크 기판으로 이용하여도 충분한 효과를 얻을 수 있다는 것이 입증되었다.

이와같은 본 발명의 플라즈마처리를 실시할때에 전력의 상한선 및 바이어스 스펏퍼 할때의 바이어스 크기의 상한선은 기판이 열에 때하여 견딜수 있는 온도에 따라서 결정되는 결정되는 것이며 또한 기판의 재질에 의해서도 상기와 같이 변화될 수 있으므로 어느 한가지로 상한선을 결정할수는 없지만, PMMA 기판의 경우에는 바람직하기로는 플라즈마처리시 전력을 500W 이하로 하고, 바이어스전압은 700V 이하로 하며, 처리시간은 10분 이하로 하는 것이 좋으나, 더욱 바람직하게는 전력을 300W 이하로 하고, 바이어스 전압을 500V 이하로 하며, 처리시간을 5분 이하로 하는 것이 좋다. 또한, 바이어스 스펏터에 의하여 기판을 형성시킬 경우에는 기판에 대한 바이어스 전압을 1250V 이하로 하고 연속성막시간을 10분 이하로 하는 것이 바람직하다.

이와같이 하게되면, 본 발명은 플라즈마화확증착법 및 열화학증착법 등이 적용될수 없는 수지재료로 이우러진 기판을 이용했을 경우에 따라 효과적이다.

또한, 투명박막층을 형성시킬 경우에는 우선 바이어스, 스펏터링법을 사용치 않고 성막시킨후, 나머지 막두께 부분의 성막을 바이어스.스펏터링법으로 바꾸어서 시행하는 방법이 적절하다. 이와같이 하게되면 투명박막층의 재료를 스펏터속도가 늦은 수지재료를 포함해서 폭넓게 선정할수가 있다. 상술한 바와같이 본 발명의 표면처리를 포함하는 광자기 기록매체의 제조방법을 적용하게 될 경우, 제품의 수명을 연장시킬수 있다는 부수적인 효과를 얻을수가 있다.

본 발명자들은 이와같은 사실을 실험을 통해서 증명하기 위하여, 본 발명의 방법에 따라 제조된 광자기 기록 디스크(예를들면, 실리콘 기판상에 투명박막을과 100nm 두께의 텔르븀, 코발크층 및 100nm 두께의 질화규소층이 순차적으로 형성된 디스크)에 대하여 가속열화 시험을 실히한 결과 본 발명의 디스크 기록층에 대한 자기적 조성의 쉬프트(Shift)가 양호하게 억제되어 있으며 케어히스테리시스 특성은 실험후에 있어서도 거의 열화되지 않는다는 것을 알게 되었다.

한편 제9도는 규소(Si)기판위에 100nm 두께의 질화규소막과 100nm 두께의 텔르븀, 코발트 기록층 및 100nm 두께의 질화규소막이 순차적으로 형성된 광자기 기록 디스크의 샘플에 대한 플라즈마표면 처리시의 전력에 대한 포화자화(Ms) 및 수직자기이방성정수(Ku)의 분포를 나타낸 그래프로서, 포화자화(Ms) 및 수직자기이방성정수(Ku)는 VSM 측정 및 토오크(Torque)측정의 결과에 근거하여 산출하였다. 이 그래프에서 밝혀진바와 같이 광자기기록층에 전력을 자기적으로 격납시키는 경우에는 중요한 매개변수로 작용되는 수작자기이방성정수 Ku는 1.5×10⁶(erg/㎤)에서 안정되게 증가되고 있다.

따라서, 본 발명의 표면처리를 실시함에 따라 광자기 기록층에서의 전력의 격납신뢰성을 크게 향상 시킬수 있다는 것이 판명되었다. 예를들면 본 발명의 실시예에서 ssmx는 투명박막층으로서 질화규소막을 예시하였으나, 질화규소막외에도 예컨대, 산화규소(SiO₂)막이나 산화티탄(Ti0₂)막, 질화알루미늄(AIN)막 및 에틸렌(C₂H₄)플라즈마중합막 등으로 이용할수도 있다는 것이다.

또한, 기록층으로서의 RE-TM막에 대히서는 이미 예시한 텔르븀. 철막 및 텔르븀, 코발트막 대신에 텔르븀, 철, 코발트(TbFeCo)막, 가돌리듐, 텔르븀, 철(GdTbFe)막이나 텔르븀, 디스프로슘, 철(TbDyFe)막, 가돌리듐, 디스프로슘, 철(GdDyFe)막, 가도리듐, 델르븀, 코발트(GdTdCo)막 및 가돌리듐, 텔르븀, 철, 코발트(GdTbFeCo)막등을 사용하여도 좋다.

이와같이 투명박막층 및 기록층의 재질이 어떤 경우에 있어서도 본 발명을 적용하게 되면 앞서 예를들어 설명한바와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있으며, 더우기 투명박막층을 성막시킨후에 플라즈마표면처리를 실시하는 경우에 있어서는 투명박막층의 성막법으로서 스펏터링법을 이용하였으나, 증착법 또는 기타의 성막법으로 형성한 투명박막층에 대해서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.

한편, 스펏터링법 또는 증착법 이외의 방법으로 형성시킨 투명박막층을 저층으로 하는 광자기 기록 매체에 전자사이틀로트론 공명 플라즈마 화학증착법(ECR 법)으로 질화규소막을 형성시키는 실험을 실시하였는바, 이러한 ERC법에 의한 질화규소막의 형성은 반응용기에 반응성 기체로서 질소(B₂) 20scc m과 수소화규소(SiH₄) 25sec m을 유입시킨 다음 전압력을 1.2밀리토르로 유지시키고, 400W의 마이크로파 전력과 외부자장을 인가시켜 사이클로트론 공명 플라즈마가 발생하도록 하여 실시하는 것으로서, 이때 기판으로는 규소기판을 사용하였다.

여기서, ERC-질화규소막상에는 100Å의 텔르븀, 코발트막을 성형시키고 계속해서 1000Å의 질화규소막을 스펏터법으로 형성시키게되면, 양호한 케어곡선은 얻을수 없었으나, 본 발명의 플라즈마표면처리를 질화규소막에 실시한 다음에, 1000Å의 텔르븀, 코발트 막을 형성시키고 계속해서 1000Å의 질화규소막을 스펏터법으로 성형시킨 경우에만 양호만 케어곡선을 얻을수 있었다.

이와같이 저층의 형성방법은 스펏터법이나 증착법에 국한되지 않고 ERC법을 활용하여도 본 발명은 효과적이다. 그러나, 규소로 제조된 열산화막과 같이 밀도가 높고, 용존 산소(결합되어 있지 않은 산소)가 거의 존재하지 않는 투명막의 경우에는 본발명의 플라즈마표면처리를 적용하지 않아도 케어곡선을 얻을 수 있는 것이다.

또한 본 발명에서 기록층의 형성 방법에 대해서도 스펏터링법으로 바꾸어 증착법을 이용할수도 있는바, 다시 말하면 기판의 플라즈마표면처리에 이용하는 가스에 관해서도 아르곤(Ar) 가스외에, 예를들면 수소 10%-아르곤 가스와 산소 10%-아르곤 가스 및 질소가스 등을 이용하여도 상기와 같은 동일한 효과를 얻을수 있으나, 바람직하게는 환원하게는 환원성가스 또는 불활성 가스를 사용하는 것이 좋다.

Claims (12)

1. 기판과 희토류-변이금속 비결정질 페리자성 합금박막으로 된 기록층이 구비되어진 광자기 기록 매체에 있어서, 상기 기판(12)과 상기 기록층(16)과의 사이에 간섭층으로서 기능하는 투명박막층(14)이 형성되어 있고, 상기 기록층(16)은 상기 투명박막층(14)과의 사이에 희토류의 함유량이 적은 계면영역(18)을 갖는 것은 특징으로하는 광자기 기록 매체.
2. 제1항에 있어서, 상기 기록층(16)의 계면영역(18)에서의 희토류의 변이금속에 대한 조성비율이 상기기록층(16)의 전체영역에 함유되어있는 희토류 변이금속에 대한 평균조성비율보다 작게 설정되어진 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
3. 제2항에 있어서, 상기 계면영역(18)의 두께는 상기 기록층(16)의 두께보다 적어도 1/10이하로 설정되어진 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
4. 제1항에 있어서, 상기 투명박막층(14)은 산소함유량이 적어도 2% 이하인 것은 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
5. 제1항에 있어서, 상기 기판(12)은 광선을 투고시킬수 있는 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체.
6. 기판과 희토류-변이 금속 비결정질 페리자성 합금 박막으로 된 기록층이 구비되어진 광자기록 매체를 제조하는데 있어서, 기판(12)상에 간섭층으로서 기능하는 투명박막층(14)을 형성시키고, 상기 투명박막층(14)의 적어도 어느한 표면부분에 함유되며 또 다른원소와의 화학적결합이 용이하게 일어날수 있는 활성적인 산호를 감소시키고, 상기 투명박막층(14)상에다 희토류-변이금속 비결정질 페리자성합금박막으로 된 기록층(16)을 형성시키되 여기서 상기 기록층(16)은 투명박막층(14)과의 사이에 있는 계면영역(18)에서의 희토류 산화물의 형성을 억제시키므로 희토류의 함유량이 감소되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 광자기 기록 매체의 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 기판(12)상에 투명박막층(14)을 형성시킨 다음에는 상기기판(12)을 플라즈마기류하에 노출시켜서 상기 투명박막층(14)의 적어도 표면부분에 함유된 용존산소를 플라즈마이온의 충격에 의해 강제로 결합시키고 또 안정화시키므로서, 상기 투명박막층(14)상에 기록층(16)이 형성되었을때 상기 투명박막층(14)과 상기 기록층(16)과의 사이에 계면영역(18)에서 희토류 산화물이 형성되는 것을 억제시키도록 하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 투명박막층(14)을 갖는 기판(12)이 플라즈마가스 중에서 노출되고 있는 동안에 상기 기판(12)에 상기 플라즈마에 대하여 음극성의 전압이 인가되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 기판(12)에는 상기 프라즈마에 대하여 -120V 내지 -70V 정도의 비교적 높은 음극성 전압이 인가되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
10. 제6항에 있어서, 상기 기판(12)상에 투명한 박막층(14)을 형성시킬때, 상기 투명박막층(14)의 적어도 표면부분은 바이어스, 스펏터링법으로 형성되며, 투명박막층(14) 의적어도 표면부분에 함유된 용존산소를 강체적으로 두들겨 꺼내어 투명박막층(14)중의 산소함유율을 감소시키므로서 상기 투명박막층(14)상에 기록층(16)이 형성되었을때 상기 투명박막층(14)과 기록층(16)사이의 계면영역(18)에서의 희토류산화물이 형성되는 것을 억제되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 바이어스, 스펏터링은 투명박막층(14)을 형성시킬때 투명박막층(14)의 전역에 함유된 용존산소를 두들겨 꺼내기에 충분할정도로 시행되어지는것을 특징으로 하는 제조방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 바이어스, 스펏터링은 상기 기판(12)상에 바이어스, 스펏터링없이 상기 투명박막층(14)의 일부분을 형성시킨, 상기 투명박막층(14)의 다른부분을 형성시킬때에 상기 투명박막층(14)의 다른부분에 함유되어 있는 용존산소를 두들겨 꺼내기에 충분한 정도로 시행되어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.

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