JPS62209750A

JPS62209750A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS62209750A
Application number: JP5285386A
Authority: JP
Inventors: Kunio Nakajima; 邦雄中島; Kazuo Kayane; 一夫茅根
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1986-03-11
Filing date: 1986-03-11
Publication date: 1987-09-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、レー
ザー光等の熱お光を介して反転磁区を作ることにより情
報を記録し、磁気光学効果（）１ラデー効果あるいはカ
ー効果）を利用して読み出すことのできる光磁気記録媒
体に関するものである。

（発明の概要）本発明の光磁気記録媒体においては、透明な有機物基板
あるいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、
記録膜からなる第二膜、さらに保護膜からなる第三層で
構成することにより、断熱機能を有し、基板への熱拡散
を防止して書き込み効率を向上させることができる。

また本発明は、第一層の酸化物半導体の膜厚を変えるこ
とにより、再生時のカー回転角を大きくすることができ
る。特に、酸化物半導体が５ｎＱｚ。

Ｉｎ２Ｏ５，あるいはＳｎＯ２とＩｎ２（）ｕ）混合体
であり、膜厚が１５００オングストローム以下のとき、
カー回転角は光磁気記録媒体の単層に比べ３〜５倍　　
゛の値を有する。

さらに本発明の記録層をＴｂ「ｃＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅ
、　ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカ
ー回転角を大ぎくしで良好なＳ／Ｎ比での読み取りを可
能とすることができる。

（従来の技術）一般に、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄
膜をガラス、ＰＣ，ＰＭＭＡ等の透明基板面上に形成さ
せ、キュリ一点あるいは、磁気内袖ｔａｔ温度を利用し
て光ビームにより反転磁区を作ることによって情報を記
録させ、記録させた情報を磁気光学効果を利用して読み
出す光磁気記録が知られている。

従来、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性記録
膜としては、ＧｄＣｏ、　Ｇｄ［ｅ、　Ｔ旧’ｅ、　Ｇ
ｄＴ旧：ｅ等の希土類元素と遷移金属との組み合せから
なる非晶質合金、多結晶体であるＨｎＢｉ、　ＨｎＢｉ
Ｃｕ、　ＰｔＣ。

等、ガーネット系であるＧｄＩＧ等、金属酸化物である
ＣｏＦｃ２０１１．　ＴｂＦｅＯ３等の研究が進められ
てきた。

ＴｂＦｅ等の非晶質磁性薄膜合金は、大面積の薄膜を室
温付近の温度で製作する製膜性、信号を小さな光熱エネ
ルギーで書き込むための書き込み効率がすぐれており、
また多結晶体、ガーネット系。

金属酸化物等は磁気光学効果（ファラデー効果あるいは
カー効果）が大ぎいという特徴を有している。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながらこれらの記録膜は、ガラス基板の熱伝導率
が大きいため、記録時における熱拡散により、書き込み
効率が低下しでしまう。そこで一般的には、熱伝導率の
低いプラスチック基板を用いたり、基板を記録層の間に
断熱層を設【プた構成のものが使用されている。

一方光を用いて光磁気記録を再生する場合カー効果ある
いはファラデー効果により再生出力を得ている。反射光
による磁気光学効果（カー効果）を利用した読み出しＳ
／Ｎ比は、反射率をＲ，カー回転角をθにとすると、贋
−θｋに比例づ′る。

したがって、Ｓ／Ｎ比を良く読み出す為には、カー回転
角および反射率が大きな値をもだなりればならない。し
かし非晶質合金Ｎ膜は、カー回転角が０．３〜０．５°
と大きくない。そこでカー回転角を大きくするために、
記録体に地元系を添加したり、基板と記録膜の間に誘電
体層を設りたすしているが、まだ充分な材料は見あたら
ない。

そこで、本発明は従来のこのような欠点を解決し、光熱
エネルギーで書き込む書き込み効率の高い、再生時のＳ
／Ｎ比の良好な光磁気記録媒体を提供することを目的と
している。

（問題点を解決するための手段）上記の問題を解決するためにこの発明は、透明な有機物
あるいはガラス基板の上に酸化物半導体からなる第１層
、記録層からなる第２層、さらに保護膜からなる第三層
で構成することにより、とりわけ、酸化物半導体をＳｎ
Ｏ２，Ｉｎ２Ｏ５あるいはＳｎＯ２とＩｎ２Ｑ３の混合
体にすることにより、記録時に効率良く書き込むことを
可能とすることができ、磁気カー回転角を光磁気記録媒
体の単層に比べ、３〜５倍の大きな値をもつことができ
る。さらに記録膜をＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅ、　
ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカー回
転角を十分大きくして良好なＳ／Ｎ比での読み出しを可
能とすることができる。

（実施例）以下この発明の実施例にもとずいて説明する。

これらの膜は、スパッタリング法により作製したが真空
蒸着法、イオンブレーティング法などその他の多くの物
理的ペイバーディポジション法によっても作製すること
ができる。

高周波スパッタ装置において、直径１２ｒ、ｍのガラス
を基板とし、ターゲットとして直径１５ｃｍの５ｎＯｚ
および直径１５ｃｍの「ｅ上に１０＃ｌＩ＋＋角のＴｂ
、　Ｃ。

を均一にならべたものを使用した。チャンバー内を２．
０Ｘ１０’トール以下まで真空排気した後、Ａｒ’：０
２＝１０：１の混合ガス圧を２．５Ｘ１０−２トールに
し、第一層目の５ｎＯｚを８００オングストローム製膜
した。次にチャンバー内を再び２．０Ｘ１０”７トール
以下まで真空排気した後、Ａｒガス圧を２．５Ｘ１０−
２トールにし、第二層目の記録膜ＴｂＦｅＣｏを１００
０オングストローム製膜した。

そしてチャンバー内を再び２．０Ｘ１０”７トール以下
まで真空排気後、Ａｒ：０２＝　１０　：　１の混合ガ
ス圧を２．５Ｘ１０’トールにし、第三層目のＳｎＯ２
を１０００オングストローム製膜した。第３図は、実施
例を示したものである。情報の記録再生する場合には、
レーザー光を第３図矢印の方向から照射する。カー回転
角は、発振波長６３３　ｎｍのｔｌｅ−Ｎｅレーザーで
測定したとこる１、５麿であった。

第１実施例にお（プる第一層目のＳｎＯ２膜の膜厚を変
化させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜
のカー回転角の変化を第１図ａに示す。

第一・層目の５ｎＯｚ膜の膜厚が８００オングストロー
ム付近で極大値をどろ。第２図ａは、第一層目の５１１
０２膜の膜厚と反射率との関係をポしたものである。５
ｎＯｚ膜が８００オングストローム付近に極小値をもつ
。

第一実施例にお１プる第一層目の種類とその膜厚を変化
させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜の
カー回転角および反射率の変化を第１図、第２図に示す
。

（発明の効果）この発明は、以上説明したにうに、透明な有機物基板あ
るいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、記
録膜からなる第二層、さらに保護膜からなる第三層で構
成され、とりわけ、酸化物半導体をｓ＋ｎＱ２．　Ｉｎ
２Ｏ：＋あるいはＳｎＯ２とＩｎ２０３の混合体にする
ことにより、記録時に効率良＜　７Ｂき込むことができ
、カー回転角を光磁気記録媒体の単層に比べ、３〜５倍
の大きな値をもつことができる。さらに記録膜にＴｂｒ
ｃＣ’ｏ、　ＧｄＴｂｒｅ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏとする
ことにより再生時にはノ３−回転角を十分大きくして良
好なＳ／Ｎ比での読み出し可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第一層目の酸化物半導体の膜厚どカー回転角の
関係を示す図、第２図は第一層目の酸化物半導体の膜厚
と反射率の関係を示１図、第３図は光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。１・・・酸化物半導体として５ｎＯｚを用いた場合、２
・・・酸化物半導体としてＩｎ２Ｑ３を用いた場合、３
・・・酸化物半導体として５ｎＯｚとＩｎ２０３の混合
体を用いた場合、４・・・ガラス、５・・・酸化物半導
体、６・・・記録媒体、７・・・保護膜。出願人　　セイコー電子工業株式会社膜厚（Ａ＞白シイｌ：字めイ１１イ本の用匙乃１ヒカ−「舅ｉ灼の
関１千図第　Ｉ　図断面図第　３　図 −％９−

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明な有機物基板あるいはガラス基板の上に酸化
物半導体からなる第一層、記録膜からなる第二層、さら
に保護膜からなる第三層で構成されることを特徴とする
光磁気記録媒体。
（２）酸化物半導体がＳｎＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３ある
いは、ＳｎＯ＿２とＩｎ＿２Ｏ＿３の混合体であること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光磁気記
録媒体。
（３）酸化物半導体層が１５００オングストローム以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の光磁気記録媒体。
（４）記録層がＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏであることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の光磁気記録媒体。