JPS6148151A - 光学的記録媒体 - Google Patents
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- JPS6148151A JPS6148151A JP16951784A JP16951784A JPS6148151A JP S6148151 A JPS6148151 A JP S6148151A JP 16951784 A JP16951784 A JP 16951784A JP 16951784 A JP16951784 A JP 16951784A JP S6148151 A JPS6148151 A JP S6148151A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光ビームにより記録・再生を行うことが可晩
な光学的記録媒体に関するものである。
な光学的記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては、希土類−遷移金属の合金＃咬。
ては、希土類−遷移金属の合金＃咬。
非晶質から結晶質への相転移を利用したカルコゲン化合
物等の環元性酸化物薄膜。
物等の環元性酸化物薄膜。
ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック記録媒体等
が知られている０例えば、希土類−遷移金属の合金薄膜
で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ ｉ 、
ＭｎＣｕＢ ＋などの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ 、ＧｄＦ
ｅ 、ＴｂＦｅ 。
が知られている０例えば、希土類−遷移金属の合金薄膜
で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ ｉ 、
ＭｎＣｕＢ ＋などの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ 、ＧｄＦ
ｅ 、ＴｂＦｅ 。
ＤｙＦｅ 、ＧｄＴｂＦａ 、ＴｂＤｙＦｅなどの非晶
質＠ＩＩＱ、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶Ｓ膜などが知られて
いる。
質＠ＩＩＱ、Ｇｄ１Ｇなどの単結晶Ｓ膜などが知られて
いる。
これらの薄膜のうち、大面積のＳ膜な室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して
、最近では前記非晶質Ｍ膜が光熱磁気記録媒体として優
れていると考えられている。ＧｄＴｂＦｅはカー回転角
も大きく、１５０℃前後のキューリ一点を持つので光熱
磁気記録媒体として適している。更に発明者等はカー回
転角を向上させる目的で研究した結果、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／Ｎ比の良り読み出
しが可俺な光磁気記録媒体であることを見い出した。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘案して
、最近では前記非晶質Ｍ膜が光熱磁気記録媒体として優
れていると考えられている。ＧｄＴｂＦｅはカー回転角
も大きく、１５０℃前後のキューリ一点を持つので光熱
磁気記録媒体として適している。更に発明者等はカー回
転角を向上させる目的で研究した結果、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏがカー回転角が充分に大きく、Ｓ／Ｎ比の良り読み出
しが可俺な光磁気記録媒体であることを見い出した。
しかしながら、一般に前記ＧｄＴｂＦｅ等の光磁気記録
媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠６点ｉ持っている。すな
わち、大気、−水法気に触れると磁気特性が低下し、最
終的には完全に酸化されて透明イビするに至る。また、
この問題点は、光磁気記録媒体のみならず、前述した光
学的記録媒体の共通のＩａ題である。
媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠６点ｉ持っている。すな
わち、大気、−水法気に触れると磁気特性が低下し、最
終的には完全に酸化されて透明イビするに至る。また、
この問題点は、光磁気記録媒体のみならず、前述した光
学的記録媒体の共通のＩａ題である。
このような欠点を除くために、従来から、記録層の上に
１例えば透明物質の保護カバー、例えば５ｉ０２．Ｓｉ
Ｏの保Ｓ層を設けたり、さらに不活性ガスによって記録
層を封じ込めたエアーサンドインチ構造や貼り合せ構造
のディスク状記録媒体が提案されているが、実用上十分
な耐食性が得られなかった。
１例えば透明物質の保護カバー、例えば５ｉ０２．Ｓｉ
Ｏの保Ｓ層を設けたり、さらに不活性ガスによって記録
層を封じ込めたエアーサンドインチ構造や貼り合せ構造
のディスク状記録媒体が提案されているが、実用上十分
な耐食性が得られなかった。
本発明の目的は、記録媒体としての特性を損なう事なく
、耐食性を向上−せしめた、光学的記録媒体を提供する
事にある。
、耐食性を向上−せしめた、光学的記録媒体を提供する
事にある。
本発明の上記目的は、基板上に光学的記録層を設けて成
る光学的記録媒体において、＃光学的記録層の片側又は
両側に、タングステン、ジルコニララム、チタン、ニオ
ブ、バナジウム及びタンタルの内から選択される物質の
窒化膜、を形成する事によって達成される。
る光学的記録媒体において、＃光学的記録層の片側又は
両側に、タングステン、ジルコニララム、チタン、ニオ
ブ、バナジウム及びタンタルの内から選択される物質の
窒化膜、を形成する事によって達成される。
ｔｉｉｉ述の如き窒化膜は蒸着法或いはスパーリング′
法などによって形成される。特に窒化タングステア１９
．窒化ジルコニウム膜、窒化バナジウム膜、窒化タンタ
ル膜の形成にはＲＦスパッタ或いは反応性ＲＦスパツタ
などが適しており、窒化チタン膜、窒化ニオブ膜の形成
には反応性Ａ着或いは反応性ｆｊＦスパッタなどが適し
ている。
法などによって形成される。特に窒化タングステア１９
．窒化ジルコニウム膜、窒化バナジウム膜、窒化タンタ
ル膜の形成にはＲＦスパッタ或いは反応性ＲＦスパツタ
などが適しており、窒化チタン膜、窒化ニオブ膜の形成
には反応性Ａ着或いは反応性ｆｊＦスパッタなどが適し
ている。
本発明において、光学的記録層に引き続いて窒化膜を形
成する場合には、記録層をスパッタリングなどの方法で
形成した後、真空を破ることなくＩ！１１統して窒化膜
を形成するのが望ましい。
成する場合には、記録層をスパッタリングなどの方法で
形成した後、真空を破ることなくＩ！１１統して窒化膜
を形成するのが望ましい。
また、 、１．ｌｉ版板上窒化膜を形成し、その上に光
学 ゛的記録層を形成して、更に窒化膜を
形成する場合にも、真空を破らずに同一槽内で連続的に
成膜したほうが良い。
学 ゛的記録層を形成して、更に窒化膜を
形成する場合にも、真空を破らずに同一槽内で連続的に
成膜したほうが良い。
以下実施例をあげて１本発明を更に詳細に説明する。
〔実施例１〕
ＲＦスパッタ装置において、１インチ角の白板ガラスを
基板とし、１００ｍｍφの鉄（Ｆ ｅ）片の上”に５ｍ
ｍ角のガドリニウム（Ｇｄ）およびテルビウム（Ｔｂ）
の小片を均一にならべたものを複合ターゲットとしてス
パッタリングを行ない、ＧｄＴｂＦｅ３元系非晶質磁性
膜からなる厚さ１０００人の光学的記録層を形成した。
基板とし、１００ｍｍφの鉄（Ｆ ｅ）片の上”に５ｍ
ｍ角のガドリニウム（Ｇｄ）およびテルビウム（Ｔｂ）
の小片を均一にならべたものを複合ターゲットとしてス
パッタリングを行ない、ＧｄＴｂＦｅ３元系非晶質磁性
膜からなる厚さ１０００人の光学的記録層を形成した。
引き続いて真空槽内を４ＸＩＯ−４Ｆ勾程度排気後、ア
ルゴジ（Ａｒ）ガスを４ＸＩＯ−ＩＰ−ａ゛導入、同一
槽内にある第２゛のターゲットとして窒化タングステン
を用いて、スパータリングにより前記記Ｑ層上に厚さ２
０００人の窒化タングステン１８１ｔｅ威膜した。
ルゴジ（Ａｒ）ガスを４ＸＩＯ−ＩＰ−ａ゛導入、同一
槽内にある第２゛のターゲットとして窒化タングステン
を用いて、スパータリングにより前記記Ｑ層上に厚さ２
０００人の窒化タングステン１８１ｔｅ威膜した。
〔実施例２〕
ｎｋスパッタ装置において、１インチ角の白板ガラスを
基板とし、実施例１のものと回じＦｅ、Ｇｄ、Ｔｂの複
合ターゲットを用いてスパッタリングにより厚さｔｏｏ
ｏ人の記録層を形成した。引き続いて真空槽内を４ Ｘ
Ｉ Ｏ−４Ｐａ程度排気した後、窒素ガス（Ｎ２）を
４×１Ｏ−ＩＰａまで導入して、第２のターゲットとし
て窒化タングステンを用い、スパー２タリングによって
前記記録層上、に厚さ２０００人の窒化タングステン膜
を成膜した。
基板とし、実施例１のものと回じＦｅ、Ｇｄ、Ｔｂの複
合ターゲットを用いてスパッタリングにより厚さｔｏｏ
ｏ人の記録層を形成した。引き続いて真空槽内を４ Ｘ
Ｉ Ｏ−４Ｐａ程度排気した後、窒素ガス（Ｎ２）を
４×１Ｏ−ＩＰａまで導入して、第２のターゲットとし
て窒化タングステンを用い、スパー２タリングによって
前記記録層上、に厚さ２０００人の窒化タングステン膜
を成膜した。
〔実施例３〕
ＲＦスパッタ装置において、真空槽中を４×１（１４Ｐ
ａ程度排気後、アルゴン（Ａｒ）ガスを４Ｘ１０−ＩＰ
ａ程度まで導入した。そして、ポリメチルメタアクリレ
ート（Ｐ Ｍ Ｍ、 Ａ ）を基板として第１のターゲ
ットとして窒化タングステンを用い、スパッタリングに
より基板上に厚さ２００人の窒化タングステン膜を形成
した。
ａ程度排気後、アルゴン（Ａｒ）ガスを４Ｘ１０−ＩＰ
ａ程度まで導入した。そして、ポリメチルメタアクリレ
ート（Ｐ Ｍ Ｍ、 Ａ ）を基板として第１のターゲ
ットとして窒化タングステンを用い、スパッタリングに
より基板上に厚さ２００人の窒化タングステン膜を形成
した。
その上に引き続いて実施例１のものと同じＦｅ。
Ｇ ｃｊ ＋−Ｔ ｂの複合ターゲットを第２のターゲ
ットとして、スパッ、タリングにより厚さ１０００人の
記録層を形成した。更に槽内を４Ｘ、１Ｏ−４Ｐａ程度
排′Ａ？＆、Ａｒガスを４ＸｌＯ−ＩＰａ導入して、第
１のターゲットを用いて前記亭録層上に厚さ２０００人
の窒化タングステン１１りを形成した。
ットとして、スパッ、タリングにより厚さ１０００人の
記録層を形成した。更に槽内を４Ｘ、１Ｏ−４Ｐａ程度
排′Ａ？＆、Ａｒガスを４ＸｌＯ−ＩＰａ導入して、第
１のターゲットを用いて前記亭録層上に厚さ２０００人
の窒化タングステン１１りを形成した。
〔実施例４〕
ＲＦスパッタ装置において、真空槽中を４×１０−４
Ｐ ａ程度排気後、窒２（Ｎ２）ガスを４ＸＩＯ−ＩＰ
ａ程度まで導入した。そして、ポリメチルメタアクリレ
−） （ＰＭＭＡ）を基板として第１のターゲツ°トと
して窒化タングステンを用い、スパッタリングにより基
板上に厚さ２００人の窒化タングステン膜を形成した。
Ｐ ａ程度排気後、窒２（Ｎ２）ガスを４ＸＩＯ−ＩＰ
ａ程度まで導入した。そして、ポリメチルメタアクリレ
−） （ＰＭＭＡ）を基板として第１のターゲツ°トと
して窒化タングステンを用い、スパッタリングにより基
板上に厚さ２００人の窒化タングステン膜を形成した。
その上に引き続いて実施例１のものと同じＦｅ。
Ｇｄ 、Ｔｂの複合ターゲットを第２のターゲットとし
て、スパッタリングにより厚さｔｏｏ。
て、スパッタリングにより厚さｔｏｏ。
人の記録層を形成した。更に槽内を４×−１０−４Ｐａ
程度排気後、Ｎ２ガスを４ＸｌＯ−ＩＰａ導入して、第
１のターゲットを用いて前記記録層上に厚さ２０００人
の窒化タングステン膜を形成した。
程度排気後、Ｎ２ガスを４ＸｌＯ−ＩＰａ導入して、第
１のターゲットを用いて前記記録層上に厚さ２０００人
の窒化タングステン膜を形成した。
前述の実施例１〜４に従って作成した光学的記録媒体を
７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に入れて、耐腐食に１
試験を行なった結果を第１図及び第２図に示す、第１図
、第２図において。
７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に入れて、耐腐食に１
試験を行なった結果を第１図及び第２図に示す、第１図
、第２図において。
横軸は試験時間〔単位は時間（Ｈ）〕を示し。
縦軸は保磁力Ｈａの変化を保磁力の初期値Ｈｃｏに対す
る比で示した。ここで保磁力の低下が激しい程、腐食が
進行したことを示す。
る比で示した。ここで保磁力の低下が激しい程、腐食が
進行したことを示す。
第１図の夏は実施例１の試験−結果を示し。
２．３は比較例の結果を示す、３の比較例はガラス基板
上に実施例１と同様のＧｄＴｂＦｅ３元系非晶質磁性膜
から成る厚さ１０００人の光学的記録層を形成し、保護
膜を設けないもの。
上に実施例１と同様のＧｄＴｂＦｅ３元系非晶質磁性膜
から成る厚さ１０００人の光学的記録層を形成し、保護
膜を設けないもの。
２の比較例゛は３の比較例の５８層の上に保：ｊＩＩＩ
５ＩとしてＳｉＯを３０００人蒸着したものである。
５ＩとしてＳｉＯを３０００人蒸着したものである。
と
このように窒化タングステン、保護４層として設けたも
のは、従来の光学的記録媒体に比較して耐腐食性が格役
に優れていることがわかる。実施例２の媒体に同様の試
験を行なったところ、実施例１とほとんど同じ結果が得
られた。
のは、従来の光学的記録媒体に比較して耐腐食性が格役
に優れていることがわかる。実施例２の媒体に同様の試
験を行なったところ、実施例１とほとんど同じ結果が得
られた。
第２図の４は、実施例３の試験結果を示し、５．６に比
較例の結果を示す、６の比較例は。
較例の結果を示す、６の比較例は。
ＰＭＭＡ基板上に実施例３と同様のＧｄＴｂＦｅ３元系
非晶質磁性膜から成る厚さｉｏｏ。
非晶質磁性膜から成る厚さｉｏｏ。
を２００人設け、この上にＧｄＴｂＦｅから成る厚さ１
０００人の記録層を形成して、更に記録層の上にＳｉＯ
から成る保：１ＩＩｌｌを３０００人累着したものであ
る。第２図においても、窒化タングステンの保護膜が、
耐腐食性の向上に右動であることがわかる。゛実施例４
の媒体に同様の試験を行なったところ、実施例３とほと
んど同じ結果が得られた。
０００人の記録層を形成して、更に記録層の上にＳｉＯ
から成る保：１ＩＩｌｌを３０００人累着したものであ
る。第２図においても、窒化タングステンの保護膜が、
耐腐食性の向上に右動であることがわかる。゛実施例４
の媒体に同様の試験を行なったところ、実施例３とほと
んど同じ結果が得られた。
〔実施例５〜２３〕
実施例１〜４の窒化タングステンに代えて。
各々窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化
バナジウム、窒化タンタルから成る保護膜を設けた光学
的記録媒体を作成した６表１にそれらの構成をまとめて
示す、光学的記録層としては、厚さｔ ｏｏｏ人のＧｄ
ＴｂＦｅ３元系非晶質磁性膜を用い、窒化膜は表１に示
すガスを４ＸＩＯ−ＩＰａ導入して、ＲＦスパッタリン
グによって形成した。
バナジウム、窒化タンタルから成る保護膜を設けた光学
的記録媒体を作成した６表１にそれらの構成をまとめて
示す、光学的記録層としては、厚さｔ ｏｏｏ人のＧｄ
ＴｂＦｅ３元系非晶質磁性膜を用い、窒化膜は表１に示
すガスを４ＸＩＯ−ＩＰａ導入して、ＲＦスパッタリン
グによって形成した。
上記実施例５〜２３に従って作成した光学的記録媒体を
７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に入れて、耐腐食性試
験を行なった。結果は、第１図及びｉ２図の保護Ｖとし
て窒化タングステンを用いた場合と全く同様であった。
７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に入れて、耐腐食性試
験を行なった。結果は、第１図及びｉ２図の保護Ｖとし
て窒化タングステンを用いた場合と全く同様であった。
即ち、保護１１９として窒化ジルコニウム、窒化チタン
、窒化ニオブ、窒化バナジウム、窒化タンタルを用いた
場合にも、光学的記録媒体の耐腐食性を格段に向上させ
る７３が出来る。
、窒化ニオブ、窒化バナジウム、窒化タンタルを用いた
場合にも、光学的記録媒体の耐腐食性を格段に向上させ
る７３が出来る。
本発明は、上記実施例に限らず種々の応用が可能である
０例えば、光学的記ｉ層は光磁気記録の磁性膜のみなら
ず、従来技術のａＥＪＩの部分で述べたような、いかな
る光学的記録材料を用いてもかまわない、また１本発明
に基づいて構成された光学的記録媒体を１周知のエアー
サンドイッチ構造にしたり、或いはガラス板などと貼り
合せた構造とする事により、更に耐腐食性を向上させる
事が出来る。
０例えば、光学的記ｉ層は光磁気記録の磁性膜のみなら
ず、従来技術のａＥＪＩの部分で述べたような、いかな
る光学的記録材料を用いてもかまわない、また１本発明
に基づいて構成された光学的記録媒体を１周知のエアー
サンドイッチ構造にしたり、或いはガラス板などと貼り
合せた構造とする事により、更に耐腐食性を向上させる
事が出来る。
以上説明したように１本発明は光学的記録媒体において
、記ａ層の片側又は両側に、タングステン、ジルコニウ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム及びタンタルの内から
選択される物質の窒化膜を形成する事によって、耐腐食
性を格段に向上せしめる効果を有するものである。
、記ａ層の片側又は両側に、タングステン、ジルコニウ
ム、チタン、ニオブ、バナジウム及びタンタルの内から
選択される物質の窒化膜を形成する事によって、耐腐食
性を格段に向上せしめる効果を有するものである。
第１図及び第２図は、夫々本発明に基づく光学的記録媒
体の耐腐食性試験の結果を示す図である。 割り噌時間
体の耐腐食性試験の結果を示す図である。 割り噌時間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に光学的記録層を設けて成る光学的 記録媒体において、前記記録層の片側又は両側に、タン
グステン、ジルコニウム、チタン、ニオブ、バナジウム
及びタンタルの内から選択される物質の窒化膜を形成し
たことを特徴とする光学的記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951784A JPS6148151A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光学的記録媒体 |
| US07/233,921 US4939023A (en) | 1984-08-13 | 1988-08-18 | Opto-magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951784A JPS6148151A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148151A true JPS6148151A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15887971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16951784A Pending JPS6148151A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113835A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-18 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| US20240191355A1 (en) * | 2021-04-23 | 2024-06-13 | Versum Materials Us, Llc | Deposition Of Vanadium-Containing Films |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP16951784A patent/JPS6148151A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113835A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-18 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| US20240191355A1 (en) * | 2021-04-23 | 2024-06-13 | Versum Materials Us, Llc | Deposition Of Vanadium-Containing Films |
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