JPS59227056A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS59227056A JPS59227056A JP58100247A JP10024783A JPS59227056A JP S59227056 A JPS59227056 A JP S59227056A JP 58100247 A JP58100247 A JP 58100247A JP 10024783 A JP10024783 A JP 10024783A JP S59227056 A JPS59227056 A JP S59227056A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明（弓１、磁気カー効果、磁気ファラテー効果等の
イ１チ気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気
記録媒体に関するものであり、特に書き込み効率および
読み出し効率を向上させるための反射防止膜を有する光
磁気記録媒体に関するものである。
イ１チ気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気
記録媒体に関するものであり、特に書き込み効率および
読み出し効率を向上させるための反射防止膜を有する光
磁気記録媒体に関するものである。
従来、光磁気記録媒体として、希七類−遷移金属の非晶
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧｄ Ｔｂ Ｆｅ３元非晶質薄膜は
、キューリ一点が１５０℃前後と低く、カー回転角も大
きい優れた記録媒体である。
質合金薄膜が、書き込み効率、読み出し効率等から有望
とされている。特にＧｄ Ｔｂ Ｆｅ３元非晶質薄膜は
、キューリ一点が１５０℃前後と低く、カー回転角も大
きい優れた記録媒体である。
しかし、磁気記録層単独での１き込み感度、および読み
出し時のＳ／Ｎ比の向上（ｄ困難であり、基扱・１ぢ料
、断熱層、反射防止膜、反射増加膜（ファラテー効旧利
用の場合）等との組み合わぜによる効イくの向」二が望
まれている。
出し時のＳ／Ｎ比の向上（ｄ困難であり、基扱・１ぢ料
、断熱層、反射防止膜、反射増加膜（ファラテー効旧利
用の場合）等との組み合わぜによる効イくの向」二が望
まれている。
νｎ ３に例としては、峙開昭５６−１５６９４３号２
１％で磁１り膜」二の単層反射防止膜が提案されている
が、；１：き込み個性部媒体がカラス、又はプラスチッ
クの場合には、成膜時に加熱できないだめ屈折率が低く
、効果が小さい欠点があった。
１％で磁１り膜」二の単層反射防止膜が提案されている
が、；１：き込み個性部媒体がカラス、又はプラスチッ
クの場合には、成膜時に加熱できないだめ屈折率が低く
、効果が小さい欠点があった。
本発明台らは、先に、大きなカー回転角及び良好に角形
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂ Ｆｅ
Ｃｏ ４元非晶質合金薄膜を見い出した。
比を有する光磁気記録媒体として、ＧｄＴｂ Ｆｅ
Ｃｏ ４元非晶質合金薄膜を見い出した。
しかし、この４元系媒体は、キューリ一点が約３００℃
と高く、書き込み効率が悪いという欠点があっ／こ。
と高く、書き込み効率が悪いという欠点があっ／こ。
本発明（弓１、従来の光磁気記録媒体、特に前記ＧｄＴ
ｂ Ｆｅ Ｃｏ４元非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点を、層数、膜厚、屈折率、材
料等の最適な構成を有する反射防止膜を設けることによ
シ除去し、十分々反射防止効果を有し、情報の１．き込
み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約１度以」
−）によｐ Ｓ／Ｎ比を向上させることのできる光磁気
記録媒体を提供するととを目的とするものである。
ｂ Ｆｅ Ｃｏ４元非晶質合金薄膜を用いた光磁気
記録媒体における上記欠点を、層数、膜厚、屈折率、材
料等の最適な構成を有する反射防止膜を設けることによ
シ除去し、十分々反射防止効果を有し、情報の１．き込
み効率を向上させ、かつカー回転角の増大（約１度以」
−）によｐ Ｓ／Ｎ比を向上させることのできる光磁気
記録媒体を提供するととを目的とするものである。
本発明の上記目的は、店き込み個性部媒体、例えばガラ
ス寸たはプラスチック基板上に、順次、反射防止膜およ
び記録磁性層を設けてなる光磁気記録媒体において、高
屈折率膜と５ｉｎ２を主成分とする膜よ構成る低屈折率
膜とを、省き込み側の高屈折率膜よシ始めて高屈折率膜
で終るよう、交圧に、３層以上の奇数層万ましくは３層
または５層’ｊｅｔ層してなる反射防止膜を、該１き込
み個性部媒体、例えばガラスまたはプラスチック基板と
記録（磁性層、好１しくはＧｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃ
ｏ ４元系によシ達成される。上記５ＩＯ２を主成分
とする膜とは、例えばショク）８３２９ （ショット社
の商品名）を蒸着用物質として用い、、ＳｉＯ２が約７
０係その他酸化ボロン、酸化アルミニウム等で構成され
る膜の如きものである。
ス寸たはプラスチック基板上に、順次、反射防止膜およ
び記録磁性層を設けてなる光磁気記録媒体において、高
屈折率膜と５ｉｎ２を主成分とする膜よ構成る低屈折率
膜とを、省き込み側の高屈折率膜よシ始めて高屈折率膜
で終るよう、交圧に、３層以上の奇数層万ましくは３層
または５層’ｊｅｔ層してなる反射防止膜を、該１き込
み個性部媒体、例えばガラスまたはプラスチック基板と
記録（磁性層、好１しくはＧｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃ
ｏ ４元系によシ達成される。上記５ＩＯ２を主成分
とする膜とは、例えばショク）８３２９ （ショット社
の商品名）を蒸着用物質として用い、、ＳｉＯ２が約７
０係その他酸化ボロン、酸化アルミニウム等で構成され
る膜の如きものである。
本発明に用いられる記録磁性層の例として、ＧｄＴｂ
Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質薄膜、Ｇｄ Ｔｂ
Ｆｅ３元非晶質薄膜等をあげることができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから前記４元
系磁性層が好ましい。
Ｆｅ Ｃｏ ４元系非晶質薄膜、Ｇｄ Ｔｂ
Ｆｅ３元非晶質薄膜等をあげることができるが、カー
回転角が大きく、角形比が良好であることから前記４元
系磁性層が好ましい。
本発明に用いられる高屈折率膜の好適り例として、屈折
率約１．９のＺｒＯ２膜、屈折率約２０のＴａ２Ｏ，膜
、および屈折率約２１のＮｂ２Ｏ，、膜をあけることが
できる。Ｔａ２α嗅およびＮｂ２Ｏ５膜は、室６情での
真空蒸着法において上記屈折率を有し、量産時、すなわ
ち、前記磁性層を加熱形成できず、したがって反射防止
膜も室温近くで形成されねばならない場合に特に有効で
ある。
率約１．９のＺｒＯ２膜、屈折率約２０のＴａ２Ｏ，膜
、および屈折率約２１のＮｂ２Ｏ，、膜をあけることが
できる。Ｔａ２α嗅およびＮｂ２Ｏ５膜は、室６情での
真空蒸着法において上記屈折率を有し、量産時、すなわ
ち、前記磁性層を加熱形成できず、したがって反射防止
膜も室温近くで形成されねばならない場合に特に有効で
ある。
本発明の高屈折率ｊ漠の曲の好適な例として、Ｔ、ａ２
０５粉末とＺｒＯ２粉末とを混合、加熱、成形してなる
混合相オド１を蒸着して得られるＴａ２Ｏ，とＺｒＯ２
との２成分よりなる蒸着、膜（以下混合膜と呼ぶことが
ある）をあげることができる。Ｔａ２Ｏ，膜捷たはＮｌ
）、、Ｏ，、膜単独の場合、電子銃による真空蒸着法に
より成膜する場合、Ｔａ２０５またはＮｂ２Ｏ，焼結ペ
レットが蒸着時飛散して、膜面上で粒大欠陥を生しる欠
点がある。しかしながら、前記Ｔａ２Ｏ，とＺｒＯ，、
との２成分よｙ６る混合膜を用いることによＩ）、’Ｉ
’ａ、、０５膜と同等の屈折率を得ることができると共
に、蒸着時、、 Ｔａ２Ｏ，ペレットに特有の飛散を１
１とんと防止することができる。例えば、Ｔ ａ２０．
／Ｚ ｒ Ｏ２＝ ’７ｄ （モに比）の混合膜の場
合、室温蒸着による屈折率は約１９９であり、蒸着時の
飛散がほとんと起らない。
０５粉末とＺｒＯ２粉末とを混合、加熱、成形してなる
混合相オド１を蒸着して得られるＴａ２Ｏ，とＺｒＯ２
との２成分よりなる蒸着、膜（以下混合膜と呼ぶことが
ある）をあげることができる。Ｔａ２Ｏ，膜捷たはＮｌ
）、、Ｏ，、膜単独の場合、電子銃による真空蒸着法に
より成膜する場合、Ｔａ２０５またはＮｂ２Ｏ，焼結ペ
レットが蒸着時飛散して、膜面上で粒大欠陥を生しる欠
点がある。しかしながら、前記Ｔａ２Ｏ，とＺｒＯ，、
との２成分よｙ６る混合膜を用いることによＩ）、’Ｉ
’ａ、、０５膜と同等の屈折率を得ることができると共
に、蒸着時、、 Ｔａ２Ｏ，ペレットに特有の飛散を１
１とんと防止することができる。例えば、Ｔ ａ２０．
／Ｚ ｒ Ｏ２＝ ’７ｄ （モに比）の混合膜の場
合、室温蒸着による屈折率は約１９９であり、蒸着時の
飛散がほとんと起らない。
本発明の高屈折率膜のその他の好適な例として、Ｎｂ２
Ｏ，粉末とＺｒＯ２粉末とを混合、加熱、成形した混合
材料を蒸着して力るＮｂ２Ｏ５とＺｒＯ２との２成分よ
シなる混合膜をあげることができる。この混合膜を用い
ると、蒸着時の飛散もほとんど起らず、粒大による不良
率を大巾に減少さぜることかできると共に、Ｎｂ２Ｏ５
膜と同等の屈折率が得られる。例えば、Ｎｂ２Ｏ５／Ｚ
ｒＯ２−４（モル比）の混合膜の場合、該混合膜の屈折
率は２１であり、蒸着時の蒸着材の飛散もほとんど起ら
々い。
Ｏ，粉末とＺｒＯ２粉末とを混合、加熱、成形した混合
材料を蒸着して力るＮｂ２Ｏ５とＺｒＯ２との２成分よ
シなる混合膜をあげることができる。この混合膜を用い
ると、蒸着時の飛散もほとんど起らず、粒大による不良
率を大巾に減少さぜることかできると共に、Ｎｂ２Ｏ５
膜と同等の屈折率が得られる。例えば、Ｎｂ２Ｏ５／Ｚ
ｒＯ２−４（モル比）の混合膜の場合、該混合膜の屈折
率は２１であり、蒸着時の蒸着材の飛散もほとんど起ら
々い。
本発明に用いられる低屈折率膜としてはＳｉＯ□を主成
分とする膜が用いられる３、一般に低屈折膜と１．ては
ツノ化物膜、酸化物膜が用いられるが、フッ化物膜の代
表であるＭｇＦ２膜を本発明の低層Ｖ「イー膜として用
いた場合は磁性層の磁気特性、外観雪の劣化の進行が早
く、さらには有機断熱層にＤＡ Ｌで反射防止膜を形成
するとき膜ワレ、膜ウキ、１１＋乱等を生ずるが、Ｓ】
０２を主成分とする膜の場合、表１ｆｉｉ強度および密
着性にすぐれ、膜ワレ、膜ウギ等を生じない。
分とする膜が用いられる３、一般に低屈折膜と１．ては
ツノ化物膜、酸化物膜が用いられるが、フッ化物膜の代
表であるＭｇＦ２膜を本発明の低層Ｖ「イー膜として用
いた場合は磁性層の磁気特性、外観雪の劣化の進行が早
く、さらには有機断熱層にＤＡ Ｌで反射防止膜を形成
するとき膜ワレ、膜ウキ、１１＋乱等を生ずるが、Ｓ】
０２を主成分とする膜の場合、表１ｆｉｉ強度および密
着性にすぐれ、膜ワレ、膜ウギ等を生じない。
本発明に用いられる反射防止膜は、前記高屈折率膜と前
記低屈折率膜とを、１き込み側の該高屈折率膜より始め
て、交互に３層以上の奇数層、好１しくは３層寸たけ５
層積層して構成され、前記１月き込み１！Ｉ＋外部媒体
と前記記録磁性層との間に設けられる。
記低屈折率膜とを、１き込み側の該高屈折率膜より始め
て、交互に３層以上の奇数層、好１しくは３層寸たけ５
層積層して構成され、前記１月き込み１！Ｉ＋外部媒体
と前記記録磁性層との間に設けられる。
本発明に用いられる反射防止膜を構成する各層の膜層は
、前記３層積層の場合、第１層絞よび第２層をそれぞれ
（１（、き込みおよび読み出し光の波長に対して光学的
に４に設定し、第３層を記録磁性層との境界面での反射
時の位相ズレを考慮して、光学的に４より薄い膜厚に設
定し、前記５層積層の場合、前記３層積層の場合と同様
に、第１〜第４層を光学的に／４に設定し、第５層を光
学的λ に４より薄い膜厚に設定するのが好ましい。
、前記３層積層の場合、第１層絞よび第２層をそれぞれ
（１（、き込みおよび読み出し光の波長に対して光学的
に４に設定し、第３層を記録磁性層との境界面での反射
時の位相ズレを考慮して、光学的に４より薄い膜厚に設
定し、前記５層積層の場合、前記３層積層の場合と同様
に、第１〜第４層を光学的に／４に設定し、第５層を光
学的λ に４より薄い膜厚に設定するのが好ましい。
本発明の反射防止膜としては、前記したように、光学的
膜厚／４の交互層を基本構成とする方が、製作上有利で
あわ、反射率可変のパラメーターとしては屈折率を変え
た方か好都合である。
膜厚／４の交互層を基本構成とする方が、製作上有利で
あわ、反射率可変のパラメーターとしては屈折率を変え
た方か好都合である。
不発ゆ１の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第
１図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図
で、省き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌ
ａ上に、高屈折率膜である層４によシ、ガラス又はプラ
スチック基板１ｂと貼シ合わぜて本発明の光磁気記録媒
体がイ荀られる。
１図を参照して本発明の一実施態様を説明する。第１図
で、省き込み側からガラス、又は、プラスチック基板ｌ
ａ上に、高屈折率膜である層４によシ、ガラス又はプラ
スチック基板１ｂと貼シ合わぜて本発明の光磁気記録媒
体がイ荀られる。
第１図において、２ａ１２ｂおよび２ｃの３層により反
射防止膜が構成される。第１層目のＺｒＯ２膜２ａおよ
び第２層目の８１０２を主成分とする膜２ｂの膜厚ｉ’
：＋： ）それぞれ書き込み、および読み出し光の波長
に対して光学的にλ／４に設定され、第３層目のＺｒＯ
２膜２Ｃの膜厚は、磁性層３との境界面での反射時の位
相ズレを考慮してλ／４より薄い光学的膜厚に設定され
る。すなわち、反射防止膜を構成する２ａ、２ｂおよび
２ａ層の屈折率は、使用波長約８００ルη２に対して、
順次１．９．１．４８、および１９てあり、光学的膜厚
は、順次、２００ｎｍ、、 ２Ｑ Ｏ＋Ｌ＋＋＋およ
び１６０７ｂｍである。
射防止膜が構成される。第１層目のＺｒＯ２膜２ａおよ
び第２層目の８１０２を主成分とする膜２ｂの膜厚ｉ’
：＋： ）それぞれ書き込み、および読み出し光の波長
に対して光学的にλ／４に設定され、第３層目のＺｒＯ
２膜２Ｃの膜厚は、磁性層３との境界面での反射時の位
相ズレを考慮してλ／４より薄い光学的膜厚に設定され
る。すなわち、反射防止膜を構成する２ａ、２ｂおよび
２ａ層の屈折率は、使用波長約８００ルη２に対して、
順次１．９．１．４８、および１９てあり、光学的膜厚
は、順次、２００ｎｍ、、 ２Ｑ Ｏ＋Ｌ＋＋＋およ
び１６０７ｂｍである。
尚、この実施態様の場合、ガラス基板１ａと３層反射防
止膜（２ａ ％ ２ｂ １２ｃ ）との間に有機樹脂か
らなる断熱層６を設は更に磁性層３と接着層４との間に
保１穫層５を設けた媒体構成としてもよい。
止膜（２ａ ％ ２ｂ １２ｃ ）との間に有機樹脂か
らなる断熱層６を設は更に磁性層３と接着層４との間に
保１穫層５を設けた媒体構成としてもよい。
この構成の模式図を第３図に示す。
本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図である第２
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるため反射防止膜が、ＺｒＯ
２膜２ａ、５ｉｎ２を主成分とする膜２ｂ ％ Ｚ ｒ
ｏ２膜２ＣＸＳ１０２を主成分とする：ＩＭ２ａおよび
ＺｒＯ２膜２ｅの５層より構成されている以外は、第１
図におけると同様にして光磁気記録媒体が何られる。使
用波長約ｓ ｏ ｏ ｎｍに対して、２ａ１２ｂ、２ｃ
、２ｄおよび２ｃ層の屈折率は、順次１．９．１．４８
１．１９．１．４８、および１．９であり、光学的膜厚
は、順次２００ｎｍ、２００ｎｍ。
図を参照して、本発明の他の実施態様を説明する。反射
防止効果をさらに向上させるため反射防止膜が、ＺｒＯ
２膜２ａ、５ｉｎ２を主成分とする膜２ｂ ％ Ｚ ｒ
ｏ２膜２ＣＸＳ１０２を主成分とする：ＩＭ２ａおよび
ＺｒＯ２膜２ｅの５層より構成されている以外は、第１
図におけると同様にして光磁気記録媒体が何られる。使
用波長約ｓ ｏ ｏ ｎｍに対して、２ａ１２ｂ、２ｃ
、２ｄおよび２ｃ層の屈折率は、順次１．９．１．４８
１．１９．１．４８、および１．９であり、光学的膜厚
は、順次２００ｎｍ、２００ｎｍ。
２ Ｑ Ｑ’ｎ７ｎ、 ２００ ｗｍおよびｌ ５ Ｑ
ｎｍである。
ｎｍである。
この実施態様の場合も、ガラス基板１ａと５層反射防止
膜との間に有機樹脂からなる断熱層６を設は史に磁性層
３と接着層４との間に保護層５を設けてもよい。この構
成の模式図を第４図に示す。
膜との間に有機樹脂からなる断熱層６を設は史に磁性層
３と接着層４との間に保護層５を設けてもよい。この構
成の模式図を第４図に示す。
本発明の光磁気記録媒体によれば、′／４の光学的膜厚
を基本とする３層又は５層構成の反射防止膜を、Ｇｄ
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元記録ｆｉＢ性層とガラス、又
はプラスチック基板の間に設けることにより１０％以下
の反射率を実現し、書き込み、および読み出し効率を向
上させることができる。
を基本とする３層又は５層構成の反射防止膜を、Ｇｄ
Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ ４元記録ｆｉＢ性層とガラス、又
はプラスチック基板の間に設けることにより１０％以下
の反射率を実現し、書き込み、および読み出し効率を向
上させることができる。
本発明の光磁気記録媒体によれば、高屈折率層として、
ＺｒＯ２膜、Ｔａ２０５膜まだはＮｂ２Ｏ５膜を用いる
ことにより、光学波要約８００１Ｌ７ｎでの反射率を約
１〜１２％の範囲とし、所望の反射防止効呆を得ること
ができる。
ＺｒＯ２膜、Ｔａ２０５膜まだはＮｂ２Ｏ５膜を用いる
ことにより、光学波要約８００１Ｌ７ｎでの反射率を約
１〜１２％の範囲とし、所望の反射防止効呆を得ること
ができる。
本発明の光磁気記録媒体によれば、低屈折率膜として、
ＳｉＯ，、を主成分とする膜を用いることにより、反射
防止ｊ模の表面強度および密着性が向上し、記録磁性膜
の反射防止膜上べの形成が容易となる。
ＳｉＯ，、を主成分とする膜を用いることにより、反射
防止ｊ模の表面強度および密着性が向上し、記録磁性膜
の反射防止膜上べの形成が容易となる。
本発明の光磁気記録媒体によれは、高屈折率層として、
Ｔａ２Ｏ，とＺｒＯ，、との混合月相を電子銃蒸着して
州られた、該２成分からなる混合膜を用いることによ’
Ｉ、Ｔａ２０５膜を用いたときの同等の反射防止効果を
得ることができると共に、蒸着時における蒸着拐の飛散
による粒大欠陥を大巾に低減することができる。寸だ、
Ｔａ、、０５とＺｒＯ２の混合ＡＡ利の代りにＮｂ、、
０．とＺｒＯ２との混合相和を用いた場合も同様の効果
がイ４ノられる。
Ｔａ２Ｏ，とＺｒＯ，、との混合月相を電子銃蒸着して
州られた、該２成分からなる混合膜を用いることによ’
Ｉ、Ｔａ２０５膜を用いたときの同等の反射防止効果を
得ることができると共に、蒸着時における蒸着拐の飛散
による粒大欠陥を大巾に低減することができる。寸だ、
Ｔａ、、０５とＺｒＯ２の混合ＡＡ利の代りにＮｂ、、
０．とＺｒＯ２との混合相和を用いた場合も同様の効果
がイ４ノられる。
以下実施例により本発明をさらに説明する。
実施例 １
第１図および第２図に示された光磁気記録媒体について
、第５図に示されるように、それぞれ分光反射率曲線３
１および３２を得た。反射防止膜がない場合には、記録
磁性層からの反射率およびカー回転角は、それぞれ約４
５係および約０．４度であり、」き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものでに−ないが、第１図お
よび第２図に示した反射防止膜を設けることにより、使
用波長約ｓ ｏ ｏ ｎｍでの反射率はそれぞれ約１２
％および約２％であって、書き込み効率および読み出し
効率ともに満足すべきものであった。
、第５図に示されるように、それぞれ分光反射率曲線３
１および３２を得た。反射防止膜がない場合には、記録
磁性層からの反射率およびカー回転角は、それぞれ約４
５係および約０．４度であり、」き込み効率および読み
出し効率ともに満足すべきものでに−ないが、第１図お
よび第２図に示した反射防止膜を設けることにより、使
用波長約ｓ ｏ ｏ ｎｍでの反射率はそれぞれ約１２
％および約２％であって、書き込み効率および読み出し
効率ともに満足すべきものであった。
実施例 ２
高屈折率膜として、ＺｒＯ２膜の代シにＴａ、、Ｏ，膜
を用いた以外、第１図および第２図に示した構成と同様
の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体に
ついて、第６図に示されるようにそれぞれ分光反射率曲
線４１および４２を得た。この曲線４１および４２より
明らかなように、使用波長約８００７１ｍでの反射率は
約６ｑＩ）および１ヂ以下であり、狽き込み効率および
読み出し効率共に良好であった。
を用いた以外、第１図および第２図に示した構成と同様
の構成を有する光磁気記録媒体を得た。この記録媒体に
ついて、第６図に示されるようにそれぞれ分光反射率曲
線４１および４２を得た。この曲線４１および４２より
明らかなように、使用波長約８００７１ｍでの反射率は
約６ｑＩ）および１ヂ以下であり、狽き込み効率および
読み出し効率共に良好であった。
実施例 ３
高屈折率膜として、ＺｒＯ２膜の代りにＮ ｂ、、Ｏ５
膜を用いメこ以外、第１図および第２図に示した構成と
同様の構成を有する光磁気記録媒体を祠た。この記録媒
体１（ついて、第７図に示されるようにそれぞれ分光反
射率曲線５１および５２を得だ。この曲線５１および５
２より明らかなように、使用波長約８００７ｈｎ＋での
反射率は約３係および４９１であり、書き込み効率およ
び読み出し効率ともに良好であった。
膜を用いメこ以外、第１図および第２図に示した構成と
同様の構成を有する光磁気記録媒体を祠た。この記録媒
体１（ついて、第７図に示されるようにそれぞれ分光反
射率曲線５１および５２を得だ。この曲線５１および５
２より明らかなように、使用波長約８００７ｈｎ＋での
反射率は約３係および４９１であり、書き込み効率およ
び読み出し効率ともに良好であった。
実施例３の曲線５１と曲線５２とを比較することにより
、層数を５層以上に増大させても反射率はかえって大き
くなることがわかる。まだ、実施例２の曲線４２と実施
例３の曲線５２とを比較することにより、屈折率が２０
から２１へと高くなっても、反Ｑ１４′、ｄかえって大
きくなることかわかる。１しだがって、本発明の光磁気
記録媒体において、前記し／こように、反射率を所望の
範囲、すなわち約１〜１０係の範囲に保持し、低屈折率
膜としてＳｉＯ２を主成分とする膜を用い、高屈折率膜
としてＺｒＯ，。
、層数を５層以上に増大させても反射率はかえって大き
くなることがわかる。まだ、実施例２の曲線４２と実施
例３の曲線５２とを比較することにより、屈折率が２０
から２１へと高くなっても、反Ｑ１４′、ｄかえって大
きくなることかわかる。１しだがって、本発明の光磁気
記録媒体において、前記し／こように、反射率を所望の
範囲、すなわち約１〜１０係の範囲に保持し、低屈折率
膜としてＳｉＯ２を主成分とする膜を用い、高屈折率膜
としてＺｒＯ，。
膜、Ｔａ２Ｏ，１１勇およびＮｂ２Ｏ，膜をそれぞれ単
独に、あるいは、前記の如き組合せで用い、反射防止膜
が該高屈折率膜と低屈折率膜とを前記したように３層重
たけ５層積層してなるごとき構成が好ましい。
独に、あるいは、前記の如き組合せで用い、反射防止膜
が該高屈折率膜と低屈折率膜とを前記したように３層重
たけ５層積層してなるごとき構成が好ましい。
実施例 ４
第３図および第４図に示された光磁気記録媒体について
、第８図に示されるように、それぞれ分光反射率曲線６
１および６２を得だ１、尚、断熱層５の屈折率は約１６
３、その膜厚は使用波長８００ ＋１．ｍの２／２であ
った。この曲線６１および６２よシ明らかなようにどち
らの場合も十分な反射防止効果を示した。
、第８図に示されるように、それぞれ分光反射率曲線６
１および６２を得だ１、尚、断熱層５の屈折率は約１６
３、その膜厚は使用波長８００ ＋１．ｍの２／２であ
った。この曲線６１および６２よシ明らかなようにどち
らの場合も十分な反射防止効果を示した。
【図面の簡単な説明】
第１乃至第４図は本発明の光磁気記録媒体の種種の実施
態様を説明するだめの模式図である。 第５乃至第８図は、本発明の各実施態様における分光反
射率曲線を示す。 ］−ａ、１ｂ−−−・・・・ ・・・・ガラスまだはプ
ラスチック基板２ａ、 ２ｃ、 ２ｅ・・・・・・高屈
折率膜２’ｂ、、２ｄ ・・・・・・・・・・・・低
屈折率膜３ ・・・・・・・・・・・・・・−・・・・
・・・−・・・記録磁性層４ ・・・・・・・・・・・
・・・・・曲・接着層５−・・・・・・・・−・旧・・
保穫層６ ・・・・・・・・・曲・・・・曲 断 熱
層：１１． ３２． ／１１． ４２． ５１． ５
２． ６１． ６２・・曲分光反射率曲線第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
態様を説明するだめの模式図である。 第５乃至第８図は、本発明の各実施態様における分光反
射率曲線を示す。 ］−ａ、１ｂ−−−・・・・ ・・・・ガラスまだはプ
ラスチック基板２ａ、 ２ｃ、 ２ｅ・・・・・・高屈
折率膜２’ｂ、、２ｄ ・・・・・・・・・・・・低
屈折率膜３ ・・・・・・・・・・・・・・−・・・・
・・・−・・・記録磁性層４ ・・・・・・・・・・・
・・・・・曲・接着層５−・・・・・・・・−・旧・・
保穫層６ ・・・・・・・・・曲・・・・曲 断 熱
層：１１． ３２． ／１１． ４２． ５１． ５
２． ６１． ６２・・曲分光反射率曲線第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）書き込み側ガラス捷たはプラスチック基板上に、
順次、反射防止膜および記録磁性層を設けてなる光磁気
記録媒体において、高屈折率膜と５ｉｎ２を主成分とす
る膜よりなる低屈折率膜とを、徊き込みｍｉｌ＋の高屈
折率膜より始めて高屈折率膜で終るよう交互に、３層以
上の奇数層積層してなる反射防止膜を、該書き込み側ガ
ラスまたはプラスチック基板と該記録磁性層との間に設
けてなる前記光磁気記録媒体。 （２）高ＪＵｉ ４＋ｒ ”’； Ｉｌｌ；’−カＺ
ｒ Ｏ２Ｂｋ、Ｔａ２ｏ−１ｔ タｕ Ｎｂ、、Ｏ。 膜である特許請求の範囲第１項記載の光磁気配混合膜、
またはＮｂ２ｏ５とＺｒＯ２との２成分からなる混合膜
である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 （４）反射防止膜が高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に
３層もしくは５層積層してなる特許請求の範囲第１項記
載の光磁伝記＠媒体。 （５）該記録磁性層がＧｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ
４元系非晶質薄膜である特許請求の範囲第１項記載の
光磁気記録媒体１．
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100247A JPS59227056A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 光磁気記録媒体 |
| US06/614,761 US4637953A (en) | 1983-06-07 | 1984-05-29 | Magnetooptical recording medium with laminated anti-reflection film |
| DE19843421077 DE3421077A1 (de) | 1983-06-07 | 1984-06-06 | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger |
| FR8408861A FR2547445B1 (fr) | 1983-06-07 | 1984-06-06 | Support d'enregistrement magneto-optique |
| GB08414420A GB2143689B (en) | 1983-06-07 | 1984-06-06 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100247A JPS59227056A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227056A true JPS59227056A (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=14268904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58100247A Pending JPS59227056A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4637953A (ja) |
| JP (1) | JPS59227056A (ja) |
| DE (1) | DE3421077A1 (ja) |
| FR (1) | FR2547445B1 (ja) |
| GB (1) | GB2143689B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
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| JPH0673197B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1994-09-14 | 株式会社東芝 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
| EP0210405B1 (en) * | 1985-06-18 | 1992-08-26 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | High-density information recording carrier |
| JPH0775085B2 (ja) * | 1985-07-10 | 1995-08-09 | 三菱化学株式会社 | 光磁気媒体 |
| JPS6278501A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 反射防止膜をもつ光学装置 |
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| JPH1048421A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ファラデー回転子 |
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| US7042810B2 (en) * | 2000-01-31 | 2006-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermally-assisted magnetic recording head, method of manufacturing the same, and thermally-assisted magnetic recording apparatus |
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-
1983
- 1983-06-07 JP JP58100247A patent/JPS59227056A/ja active Pending
-
1984
- 1984-05-29 US US06/614,761 patent/US4637953A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-06 DE DE19843421077 patent/DE3421077A1/de active Granted
- 1984-06-06 GB GB08414420A patent/GB2143689B/en not_active Expired
- 1984-06-06 FR FR8408861A patent/FR2547445B1/fr not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
Also Published As
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|---|---|
| DE3421077A1 (de) | 1984-12-13 |
| GB8414420D0 (en) | 1984-07-11 |
| GB2143689B (en) | 1986-11-12 |
| GB2143689A (en) | 1985-02-13 |
| US4637953A (en) | 1987-01-20 |
| FR2547445A1 (fr) | 1984-12-14 |
| DE3421077C2 (ja) | 1989-06-29 |
| FR2547445B1 (fr) | 1988-11-25 |
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