JP3189414B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 138
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に希土類−遷移
金属合金膜と誘電体膜を順次成膜する光磁気記録媒体に
関するものであり、特に低記録磁界化のための改良に関
するものである。
金属合金膜と誘電体膜を順次成膜する光磁気記録媒体に
関するものであり、特に低記録磁界化のための改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。
【０００３】この光磁気記録方式において使用される代
表的な記録材料としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類
元素とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−
遷移金属合金膜等（以下、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と称す
る。）が挙げられ、該ＲＥ−ＴＭ磁性膜を記録層とする
光磁気記録媒体として、たとえばＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜、
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、Ａｌ反射膜
の４層構造を有するものが提案されている。
表的な記録材料としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類
元素とＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−
遷移金属合金膜等（以下、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と称す
る。）が挙げられ、該ＲＥ−ＴＭ磁性膜を記録層とする
光磁気記録媒体として、たとえばＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜、
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、Ａｌ反射膜
の４層構造を有するものが提案されている。
【０００４】上記のような４層構造を有する光磁気記録
媒体を製造する際には、基板上に上記Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜及びＡｌ
反射膜の成膜をスパッタリング等の手法によって順次行
う。そして、このうち特にＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜の成膜
は、成膜チャンバー内にスパッタリングガスとしてＡｒ
等の不活性ガスと反応性ガスであるＮ2 等を導入し、Ｒ
Ｆ反応性スパッタリングによって行われるのが一般的で
ある。
媒体を製造する際には、基板上に上記Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜及びＡｌ
反射膜の成膜をスパッタリング等の手法によって順次行
う。そして、このうち特にＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜の成膜
は、成膜チャンバー内にスパッタリングガスとしてＡｒ
等の不活性ガスと反応性ガスであるＮ2 等を導入し、Ｒ
Ｆ反応性スパッタリングによって行われるのが一般的で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
手法によって光磁気記録媒体の製造を行うと、上述の如
くＴｂＦｅＣｏ磁性膜の成膜直後にＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜
が成膜されるため、磁性膜はわずかな時間ではあるが誘
電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ2 ガスのプラズマ中
に放置され、さらにはスパッタリングされたＳｉ粒子に
曝されることとなり、その結果、解離あるいはイオン化
した活性元素（特にＮやＮ+ 等）が磁性膜内部に入り込
むという現象が起こる。このため、製造された光磁気記
録媒体の磁性膜中にはこれら不純物が含まれており、磁
気的特性が十分発揮されず、外部磁界１５０エルステッ
ド以上で記録しないと、満足なＣＮ比が得られないとい
った不都合が生じてしまう。このことは、製造された光
磁気記録媒体をたとえば記録磁界強度が比較的小さいと
される磁界変調方式に適用しようとした場合に大きな障
害となる。
手法によって光磁気記録媒体の製造を行うと、上述の如
くＴｂＦｅＣｏ磁性膜の成膜直後にＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜
が成膜されるため、磁性膜はわずかな時間ではあるが誘
電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ2 ガスのプラズマ中
に放置され、さらにはスパッタリングされたＳｉ粒子に
曝されることとなり、その結果、解離あるいはイオン化
した活性元素（特にＮやＮ+ 等）が磁性膜内部に入り込
むという現象が起こる。このため、製造された光磁気記
録媒体の磁性膜中にはこれら不純物が含まれており、磁
気的特性が十分発揮されず、外部磁界１５０エルステッ
ド以上で記録しないと、満足なＣＮ比が得られないとい
った不都合が生じてしまう。このことは、製造された光
磁気記録媒体をたとえば記録磁界強度が比較的小さいと
される磁界変調方式に適用しようとした場合に大きな障
害となる。
【０００６】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、誘電体膜成膜時に起こるＲ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の特性劣化を抑え、低記録磁界下でも高
ＣＮ比が得られる光磁気記録媒体を製造することの可能
な光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
て提案されたものであって、誘電体膜成膜時に起こるＲ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の特性劣化を抑え、低記録磁界下でも高
ＣＮ比が得られる光磁気記録媒体を製造することの可能
な光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結
果、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素を構
成元素とするターゲットを用いた放電状態（プレスパッ
タ状態）の雰囲気中に基板を保持すると、誘電体膜成膜
時に起こるＲＥ−ＴＭ磁性膜の特性劣化が防止されるこ
とを見い出すに至った。
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結
果、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素を構
成元素とするターゲットを用いた放電状態（プレスパッ
タ状態）の雰囲気中に基板を保持すると、誘電体膜成膜
時に起こるＲＥ−ＴＭ磁性膜の特性劣化が防止されるこ
とを見い出すに至った。
【０００８】本発明はこのような知見に基づいて提案さ
れたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造
方法において、前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜し
た後、少なくとも酸素を構成元素とするターゲットを用
いた放電状態の雰囲気中に、当該ターゲット材料による
薄膜を形成させることなく基板を保持し、その後、Ｓｉ
３Ｎ４からなる誘電体膜を成膜することを特徴とするも
のである。
れたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造
方法において、前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜し
た後、少なくとも酸素を構成元素とするターゲットを用
いた放電状態の雰囲気中に、当該ターゲット材料による
薄膜を形成させることなく基板を保持し、その後、Ｓｉ
３Ｎ４からなる誘電体膜を成膜することを特徴とするも
のである。
【０００９】本発明の製造方法において、記録層となる
ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、真空薄膜形成技術等の方法によっ
て基板上に成膜されるものであり、具体的な手法として
はスパッタリング，分子線エピタキシー，真空蒸着等が
例示される。ここで、ＲＥ−ＴＭ磁性膜をたとえばスパ
ッタリングにより成膜する場合には、希土類金属ターゲ
ットと遷移金属ターゲットを使用した二次元同時スパッ
タリングを行うのが便利である。
ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、真空薄膜形成技術等の方法によっ
て基板上に成膜されるものであり、具体的な手法として
はスパッタリング，分子線エピタキシー，真空蒸着等が
例示される。ここで、ＲＥ−ＴＭ磁性膜をたとえばスパ
ッタリングにより成膜する場合には、希土類金属ターゲ
ットと遷移金属ターゲットを使用した二次元同時スパッ
タリングを行うのが便利である。
【００１０】なお、上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜の膜厚は、実
用的な磁気光学特性を達成する観点から、１００〜１０
００Å程度とすることが好ましい。
用的な磁気光学特性を達成する観点から、１００〜１０
００Å程度とすることが好ましい。
【００１１】また、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成膜される基板
の材料としては、この種の光磁気記録媒体の製造に用い
られるものであれば何れも使用可能であり、ガラス，ポ
リカーボネート，ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト），セラミクス，シリコンウェハ等が挙げられる。
の材料としては、この種の光磁気記録媒体の製造に用い
られるものであれば何れも使用可能であり、ガラス，ポ
リカーボネート，ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト），セラミクス，シリコンウェハ等が挙げられる。
【００１２】このようにして基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜
を形成した後、このＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜を成
膜するが、このＲＥ−ＴＭ磁性膜形成後、直ぐに誘電体
膜の成膜を行うと、誘電体膜の成膜雰囲気中のＮやＮ+
あるいはスパッタリングされたＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ
磁性膜中に混入し、磁性膜の特性劣化を引き起こす。し
たがって、本発明の製造方法では、このような磁性膜の
特性劣化を抑えるために、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を
成膜した後、この基板を酸素を構成元素とするターゲッ
トを用いた放電状態の雰囲気中に一定時間放置すること
とする。また、上記ターゲットとＲＥ−ＴＭ磁性膜の形
成された基板の間にシャッターを配し、ターゲット材料
による薄膜がＲＥ−ＴＭ磁性膜上に形成されないように
する。
を形成した後、このＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜を成
膜するが、このＲＥ−ＴＭ磁性膜形成後、直ぐに誘電体
膜の成膜を行うと、誘電体膜の成膜雰囲気中のＮやＮ+
あるいはスパッタリングされたＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ
磁性膜中に混入し、磁性膜の特性劣化を引き起こす。し
たがって、本発明の製造方法では、このような磁性膜の
特性劣化を抑えるために、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を
成膜した後、この基板を酸素を構成元素とするターゲッ
トを用いた放電状態の雰囲気中に一定時間放置すること
とする。また、上記ターゲットとＲＥ−ＴＭ磁性膜の形
成された基板の間にシャッターを配し、ターゲット材料
による薄膜がＲＥ−ＴＭ磁性膜上に形成されないように
する。
【００１３】なお、ここで酸素を構成元素とするターゲ
ットとしては、スパッタリングを行う際のターゲットの
減少が急激でないもの、さらには装置内を汚染しないも
のであれば良く、例えばＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＩＴＯ
（インジウム錫オキサイド）等の酸化物、あるいは一部
にこれらの酸化物を含むターゲットが挙げられる。
ットとしては、スパッタリングを行う際のターゲットの
減少が急激でないもの、さらには装置内を汚染しないも
のであれば良く、例えばＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＩＴＯ
（インジウム錫オキサイド）等の酸化物、あるいは一部
にこれらの酸化物を含むターゲットが挙げられる。
【００１４】また、上記のターゲットの大きさやターゲ
ット中のＯ2 含有量、保持時間は適用するＲＥ−ＴＭ磁
性膜の種類によって異なるため、該ＲＥ−ＴＭ磁性膜の
ＣＮ比が最大となる条件を選定する必要がある。
ット中のＯ2 含有量、保持時間は適用するＲＥ−ＴＭ磁
性膜の種類によって異なるため、該ＲＥ−ＴＭ磁性膜の
ＣＮ比が最大となる条件を選定する必要がある。
【００１５】そして、このようにしてＲＥ−ＴＭ磁性膜
が成膜された基板を上記放電雰囲気中に放置した後、上
記ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜および反射膜を順次成
膜する。
が成膜された基板を上記放電雰囲気中に放置した後、上
記ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜および反射膜を順次成
膜する。
【００１６】上記誘電体膜は耐蝕性の向上や多重反射に
よるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を
目的として設けられるものであり、Ｓｉ３Ｎ４を真空薄
膜形成技術により１００〜２０００Åの膜厚で成膜する
ことにより得られる。この誘電体膜は、基板とＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜の間とＲＥ−ＴＭ磁性膜の上の両方に積層して
も、あるいはＲＥ−ＴＭ磁性膜の上のみであっても良
い。
よるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を
目的として設けられるものであり、Ｓｉ３Ｎ４を真空薄
膜形成技術により１００〜２０００Åの膜厚で成膜する
ことにより得られる。この誘電体膜は、基板とＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜の間とＲＥ−ＴＭ磁性膜の上の両方に積層して
も、あるいはＲＥ−ＴＭ磁性膜の上のみであっても良
い。
【００１７】一方、上記反射膜は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を
透過したレーザ光をも反射させることによりカー効果に
ファラデー効果を相乗させ、回転角を拡大するために設
けられるものである。通常、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属材料を真空薄膜形成技術にて成膜することにより
得られる。
透過したレーザ光をも反射させることによりカー効果に
ファラデー効果を相乗させ、回転角を拡大するために設
けられるものである。通常、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属材料を真空薄膜形成技術にて成膜することにより
得られる。
【００１８】なお、本発明の製造方法では、これら真空
薄膜形成技術による種々の成膜工程が終了した後、さら
に紫外線硬化樹脂を塗布して保護膜を形成するようにし
てもよい。
薄膜形成技術による種々の成膜工程が終了した後、さら
に紫外線硬化樹脂を塗布して保護膜を形成するようにし
てもよい。
【００１９】
【作用】基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、直ぐ
に誘電体を成膜すると、磁性膜が誘電体膜の成膜雰囲気
に曝されるため、誘電体膜に由来するＮやＮ+ あるいは
Ｓｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜に混入し、磁性膜の特性
劣化を引き起こす。これに対し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成
膜された基板を酸素を構成元素とするターゲットを用い
た放電状態の雰囲気中に保持した後で誘電体膜を成膜す
ると、上述のような磁性膜の特性劣化が抑えられ、高Ｃ
Ｎ比を示す光磁気記録媒体が製造される。
に誘電体を成膜すると、磁性膜が誘電体膜の成膜雰囲気
に曝されるため、誘電体膜に由来するＮやＮ+ あるいは
Ｓｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜に混入し、磁性膜の特性
劣化を引き起こす。これに対し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成
膜された基板を酸素を構成元素とするターゲットを用い
た放電状態の雰囲気中に保持した後で誘電体膜を成膜す
ると、上述のような磁性膜の特性劣化が抑えられ、高Ｃ
Ｎ比を示す光磁気記録媒体が製造される。
【００２０】これは、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成膜された基
板を酸素を構成元素とするターゲットを用いた放電状態
の雰囲気中の保持すると、磁性膜上部に酸素を含む組成
の層が形成され、この層が誘電体膜に由来する元素が磁
性膜へ混入するのを防止する如く機能するためと推測さ
れる。
板を酸素を構成元素とするターゲットを用いた放電状態
の雰囲気中の保持すると、磁性膜上部に酸素を含む組成
の層が形成され、この層が誘電体膜に由来する元素が磁
性膜へ混入するのを防止する如く機能するためと推測さ
れる。
【００２１】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２２】実施例１ 本実施例は、基板上に第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＳｉＯ2 を用いた放電状態の雰
囲気下で保持した例である。
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＳｉＯ2 を用いた放電状態の雰
囲気下で保持した例である。
【００２３】先ず、本実施例において作製された光磁気
記録媒体の概略的な構成を図１に示す。この光磁気記録
媒体は、記録・再生が基板側から行われることを前提と
しており、基板１上に第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜として機能するＴｂＦｅＣｏ磁性膜３、
第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４、Ａｌ反射膜５がこの順序
にて積層されたものである。
記録媒体の概略的な構成を図１に示す。この光磁気記録
媒体は、記録・再生が基板側から行われることを前提と
しており、基板１上に第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜として機能するＴｂＦｅＣｏ磁性膜３、
第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４、Ａｌ反射膜５がこの順序
にて積層されたものである。
【００２４】かかる光磁気記録媒体を作成するには、先
ず、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜
３、第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４、Ａｌ反射膜５を連続
工程により成膜するため、４元スパッタリング装置のチ
ャンバー内にＳｉ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各ター
ゲットを載置した。この装置によれば、各ターゲットに
対応して設けられたシャッターを開閉することにより、
所望のターゲットを使用することができ、上記各薄膜を
連続工程により成膜することができる。そして、このス
パッタリング装置内に基板を装着した後、チャンバー内
を排気し、以下のようにして順次成膜を行った。
ず、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜
３、第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４、Ａｌ反射膜５を連続
工程により成膜するため、４元スパッタリング装置のチ
ャンバー内にＳｉ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各ター
ゲットを載置した。この装置によれば、各ターゲットに
対応して設けられたシャッターを開閉することにより、
所望のターゲットを使用することができ、上記各薄膜を
連続工程により成膜することができる。そして、このス
パッタリング装置内に基板を装着した後、チャンバー内
を排気し、以下のようにして順次成膜を行った。
【００２５】はじめに、下記の成膜条件１に従って、窒
素ガスとアルゴンガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使
用して高周波反応性スパッタリングを行い、膜厚８００
〜２０００Åの第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２を成膜し
た。 成膜条件１（Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜成膜条件） Ａｒガス ７５ＳＣＣＭ Ｎ2 ガス ２５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ ターゲット Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ
素ガスとアルゴンガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使
用して高周波反応性スパッタリングを行い、膜厚８００
〜２０００Åの第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜２を成膜し
た。 成膜条件１（Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜成膜条件） Ａｒガス ７５ＳＣＣＭ Ｎ2 ガス ２５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ ターゲット Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ
【００２６】次いで、下記の成膜条件２に従って、Ｔｂ
ターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同
時２元スパッタリングを行い、Ｔｂ19（Ｆｅ90Ｃｏ10）
81の組成を有する膜厚２００〜３００ÅのＴｂＦｅＣｏ
磁性膜３を成膜した。 成膜条件２（ＴｂＦｅＣｏ磁性膜成膜条件） Ａｒガス ６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット ＴｂおよびＦｅＣｏ合金 投入パワー Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ
ターゲットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同
時２元スパッタリングを行い、Ｔｂ19（Ｆｅ90Ｃｏ10）
81の組成を有する膜厚２００〜３００ÅのＴｂＦｅＣｏ
磁性膜３を成膜した。 成膜条件２（ＴｂＦｅＣｏ磁性膜成膜条件） Ａｒガス ６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット ＴｂおよびＦｅＣｏ合金 投入パワー Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ
【００２７】このようにして、第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体
膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３を成膜した後、下記に示す
放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この際、基板と
ターゲットの間にシャッターを配し、ターゲット材料に
よる薄膜がＴｂＦｅＣｏ磁性膜上に形成されることがな
いようにした。 放電雰囲気条件 ターゲット ＳｉＯ2 Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３を成膜した後、下記に示す
放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この際、基板と
ターゲットの間にシャッターを配し、ターゲット材料に
よる薄膜がＴｂＦｅＣｏ磁性膜上に形成されることがな
いようにした。 放電雰囲気条件 ターゲット ＳｉＯ2 Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
【００２８】次に、成膜条件１に従ってアルゴンガス，
窒素ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して高周波
反応性スパッタリングを行って膜厚２００〜６００Åの
第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４を成膜し、さらに成膜条件
３に従って、Ａｌターゲットを使用して直流スパッタリ
ングにより、膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜５を成
膜して光磁気記録媒体を作成した。
窒素ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して高周波
反応性スパッタリングを行って膜厚２００〜６００Åの
第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜４を成膜し、さらに成膜条件
３に従って、Ａｌターゲットを使用して直流スパッタリ
ングにより、膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜５を成
膜して光磁気記録媒体を作成した。
【００２９】成膜条件３（Ａｌ反射膜成膜条件） Ａｒガス ６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット Ａｌ 投入パワー １．５ｋＷ
【００３０】実施例２ 本実施例は、基板上に第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＡｌ2 Ｏ3 を用いた放電状態の
雰囲気下で保持した例である。
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＡｌ2 Ｏ3 を用いた放電状態の
雰囲気下で保持した例である。
【００３１】実施例１と同様にして、基板上に第１のＳ
ｉ3 Ｎ4 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、
下記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この
際、実施例１と同様に基板とターゲットの間にシャッタ
ーを配した。 放電雰囲気条件 ターゲット Ａｌ2 Ｏ3 Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
ｉ3 Ｎ4 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、
下記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この
際、実施例１と同様に基板とターゲットの間にシャッタ
ーを配した。 放電雰囲気条件 ターゲット Ａｌ2 Ｏ3 Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
【００３２】次に、実施例１と同様にして第２のＳｉ3
Ｎ4 誘電体膜を成膜し、さらにＡｌ反射膜を成膜し、光
磁気記録媒体を作製した。
Ｎ4 誘電体膜を成膜し、さらにＡｌ反射膜を成膜し、光
磁気記録媒体を作製した。
【００３３】実施例３ 本実施例は、基板上に第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＩＴＯ（インジウム錫オキサイ
ド）を用いた放電状態の雰囲気下で保持した例である。
ＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜，Ａｌ反射
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ターゲットとしてＩＴＯ（インジウム錫オキサイ
ド）を用いた放電状態の雰囲気下で保持した例である。
【００３４】実施例１と同様にして、基板上に第１のＳ
ｉ3 Ｎ4 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、
下記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この
際、実施例１と同様に基板とターゲットの間にシャッタ
ーを配した。 放電雰囲気条件 ターゲット ＩＴＯ Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
ｉ3 Ｎ4 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、
下記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。この
際、実施例１と同様に基板とターゲットの間にシャッタ
ーを配した。 放電雰囲気条件 ターゲット ＩＴＯ Ａｒガス圧 ８０ｓｃｃｍ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ 放電時間 ２分間 投入パワー ＲＦ２ｋＷ
【００３５】次に、実施例１と同様にして第２のＳｉ3
Ｎ4 誘電体膜を成膜し、さらにＡｌ反射膜を成膜し、光
磁気記録媒体を作製した。
Ｎ4 誘電体膜を成膜し、さらにＡｌ反射膜を成膜し、光
磁気記録媒体を作製した。
【００３６】比較例１ 次に、比較のために従来の方法で光磁気記録媒体の製造
を行った。ＲＥ−ＴＭ磁性膜成膜後にターゲットとして
ＳｉＯ2 を用いた放電状態の雰囲気下で保持することを
除いて、実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製し
た。
を行った。ＲＥ−ＴＭ磁性膜成膜後にターゲットとして
ＳｉＯ2 を用いた放電状態の雰囲気下で保持することを
除いて、実施例１と同様にして光磁気記録媒体を作製し
た。
【００３７】以上のようにして各実施例および比較例で
作成された光磁気記録媒体について、外部記録磁界強度
とＣＮ比の関係の検討を行った。その結果を図２に示
す。
作成された光磁気記録媒体について、外部記録磁界強度
とＣＮ比の関係の検討を行った。その結果を図２に示
す。
【００３８】図２を見ると、比較例１において作製され
た光磁気記録媒体では、実用的なＣＮ比とされる４５ｄ
Ｂを得るには、少なくとも９０Ｏｅ以上の磁界強度が必
要であるのに対し、実施例１〜３で作製された光磁気記
録媒体においては、磁界強度７５Ｏｅで既にＣＮ比が４
５ｄＢを越えていることがわかる。したがって、これら
の結果から、光磁気記録媒体を製造するに際し、ＲＥ−
ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素を構成要素とするターゲ
ットを用いた放電状態の雰囲気中に保持すると、該ター
ゲットの種類に影響されることなく、低記録磁界下でも
高いＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できること
が示された。
た光磁気記録媒体では、実用的なＣＮ比とされる４５ｄ
Ｂを得るには、少なくとも９０Ｏｅ以上の磁界強度が必
要であるのに対し、実施例１〜３で作製された光磁気記
録媒体においては、磁界強度７５Ｏｅで既にＣＮ比が４
５ｄＢを越えていることがわかる。したがって、これら
の結果から、光磁気記録媒体を製造するに際し、ＲＥ−
ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素を構成要素とするターゲ
ットを用いた放電状態の雰囲気中に保持すると、該ター
ゲットの種類に影響されることなく、低記録磁界下でも
高いＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できること
が示された。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の製造方法においては、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜成
膜後、少なくとも酸素を構成元素とするターゲットを用
いた放電状態の雰囲気中で、当該ターゲット材料による
薄膜を形成させることがないように基板を保持し、その
後、Ｓｉ３Ｎ４からなる誘電体膜を成膜しているので、
誘電体膜に由来する元素がＲＥ−ＴＭ磁性膜へ入り込む
ことによる特性劣化が防止される。したがって、低記録
磁界下においても高ＣＮ比が得られ、たとえば磁界変調
方式に適用しても良好な記録再生特性を発揮する光磁気
記録媒体を製造することが可能となる。
明の製造方法においては、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜成
膜後、少なくとも酸素を構成元素とするターゲットを用
いた放電状態の雰囲気中で、当該ターゲット材料による
薄膜を形成させることがないように基板を保持し、その
後、Ｓｉ３Ｎ４からなる誘電体膜を成膜しているので、
誘電体膜に由来する元素がＲＥ−ＴＭ磁性膜へ入り込む
ことによる特性劣化が防止される。したがって、低記録
磁界下においても高ＣＮ比が得られ、たとえば磁界変調
方式に適用しても良好な記録再生特性を発揮する光磁気
記録媒体を製造することが可能となる。
【図１】本発明の製造方法で製造された光磁気記録媒体
の構成例を示す要部概略断面図である。
の構成例を示す要部概略断面図である。
【図２】光磁気記録媒体における外部記録磁界強度とＣ
Ｎ比の関係を示す特性図である。
Ｎ比の関係を示す特性図である。
１・・・・基板 ２・・・・第１のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜 ３・・・・ＴｂＦｅＣｏ磁性膜 ４・・・・第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜 ５・・・・Ａｌ反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
金薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の製
造方法において、 前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜した後、少なくと
も酸素を構成元素とするターゲットを用いた放電状態の
雰囲気中に、当該ターゲット材料による薄膜を形成させ
ることなく基板を保持し、その後、Ｓｉ ３ Ｎ ４ からなる
誘電体膜を成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24357692A JP3189414B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24357692A JP3189414B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696477A JPH0696477A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3189414B2 true JP3189414B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=17105888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24357692A Expired - Fee Related JP3189414B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189414B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24357692A patent/JP3189414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0696477A (ja) | 1994-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010417 |
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