JP2527762B2

JP2527762B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2527762B2
Application number: JP62223273A
Authority: JP
Inventors: 喜光小林; 欣幸城阪; 聡彦大屋; 敏史川野; 昌生小松
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1987-09-07
Filing date: 1987-09-07
Publication date: 1996-08-28
Anticipated expiration: 2011-08-28
Also published as: JPS6466847A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関す
る。

（従来の技術とその問題点）光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イ
レーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化
に近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総
合的な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜
が最も多く用いられている。

この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録
・再生効率を向上させる為の基板上の光磁気記録層上に
反射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー
効果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られ
るという点で優れている。

従来、反射層としてAlを用いるものや、Teを用いるも
のが提案されている。（特開昭62-52744）しかしながら、Alを使用した場合にはその高熱伝導性
のため記録感度が大幅に低下し、また、Teを用いた場合
には記録感度は向上するが反射率が低いため十分なC/N
比が得られないという欠点を有する。

（問題点を解決するための手段）本発明者等は上述の欠点を克服した、高感度で高C/N
比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果、
特定の物質で反射層を構成することにより記録感度が高
く、キャリアレベルが高い、また経時安定性に優れた光
磁気記録媒体が得られることを見出した。

〔発明の構成〕

本発明の要旨は、基板に干渉層、光磁気記録層および
反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、干渉
層の膜厚を500Å〜1000Åとし、反射層をTiを0.5〜10at
％含有するAl合金によって形成したことを特徴とする光
磁気記録媒体に存する。

以下、本発明を詳細に説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラ
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹
脂を形成した基板等が挙げられる。

基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。

光磁気記録層としては、たとえば、TbFe、TbFeCo、Tb
Co、DyFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、
及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜が用いられ
る。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的であ
る。また光磁気記録層として単一の層を用いてもよいし
GdTbFe/TbFのように２層以上の記録層を重ねて用いても
良い。光磁気記録層の膜厚は150〜1000Å、好ましくは2
00〜500Åである。

本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干
渉層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干
渉効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC/
N比を向上させるためのものである。干渉層は単層膜で
も多層膜でもよい。干渉層としては金属酸化物や金属チ
ッ化物、無機炭化物などが用いられる。金属酸化物とし
ては、Al₂O₃、Ta₂O₅、SiO、SiO₂の金属酸化物単独ある
いはこれらの混合物、あるいはAl-Ta−Ｏの複合酸化物
等が挙げられる。また更にこれらに他の元素、例えばT
i、Zr、Ｗ、Mo、Yb等が酸化物の形で単独あるいはAl、T
aと複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金
属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、
耐食性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、ま
た、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密
着性に優れる。

金属チッ化物としては、具体的にはSi、Al、Ge等の金
属のチッ化物あるいはこれらの２種以上の複合チッ化物
又はこれらとNb、Taとの複合チッ化物（例えば、SiNbN,
SiTaN等）が挙げられる。なかでもSiを含有するチッ化
物が良好な結果をもたらす。

金属チッ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を
防ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応
性が小である。

一方、無機炭化物としてはB₄C,SiC等があげられる。

この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なる
が、通常500Å〜1000Åとされる。

本発明においては光磁気記録層上にTiを含有するAl合
金からなる反射膜を設ける。Tiの含有量は0.5〜10at％
とする。また、Al合金中に他の元素例えばCu、Mn、Mg等
を少量含有させても良い。この反射層の厚さは100〜100
0Å程度、好ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた
場合感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下す
る。

基板上に干渉層、記録層、反射層の各層を形成するに
は、スパッタリング等の物理蒸着法（PVD）、プラズマC
VDのような化学蒸着法（CVD）等が適用される。

PVD法にて光磁気記録層、干渉層及び反射層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。

また、イオンプレーティングを用いる方法も考えられ
る。

膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎ
れば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程
度とされる。

〔実施例〕

以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。

実施例１ポリカーボネート基板をスパッタリング装置に導入
し、先ず８×10^-7torr以下まで排気し、ArとＯ₂との混
合ガスを用いてTaターゲットの反応性スパッタを行いTa
₂O₅からなる800Åの干渉層を形成した。次いでTbターゲ
ット及びFeCoターゲットを用いたArガスによる２元同時
スパッタによりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にTi
チップを配置したAlターゲットをArガス中でスパッター
し300Åの反射層を形成した。反射層中のTi量の調節はT
iチップの数を変えることにより行った。

この光磁気記録媒体をPINフォトダイオード差動検出
器をもった動特性検出器により記録感度及びキャリア・
レベル（Al膜を用いた場合を0dbとする）を測定した。
記録感度は、２次歪みが最小のところの記録パワー（最
適記録パワー）とした。

記録条件:CAV（定角速度）1800rpm 半径30mm位置、溝上記録記録周波数0.5MHz duty50％再生条件:CAV 1800rpm 再生パワー0.8mW 反射層の組成は蛍光Ｘ線法により分析した。結果を第
１図に示した。最適記録パワーの低い媒体ほど感度の良
い媒体であり、キャリア・レベルの高い媒体ほど再生信
号品質が高い。

又このディスクを接着剤を用いて他のポリカーボネー
ト基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85％の条件で350
時間の加速試験を行ないその前後のドロップインエラー
レートを測定したところ劣化は全く見られなかった。

比較例１、２実施例１と同様にTbFeCo層までを作製し、次にAl又は
Ti膜からなる反射層を300Å形成した。実施例１と同一
の条件にて記録感度、及びキャリア・レベルを測定し
た。結果を第１図に示した。第１図に示すようにAl中の
Ti含有率の増加に伴い最適記録パワー及びキャリア・レ
ベルは減少するがTiの含有率が低い場合はキャリア・レ
ベルをほとんど減少させずに最適記録パワーを大きく下
げることができる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び記録感度
に優れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は反射膜中のTi含有率と最適記録パワー及びキャ
リア・レベルとの関係を示すものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川野敏史神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地三菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者小松昌生神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地三菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献特開昭59−38781（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−8150（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−293541（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に干渉層、光磁気記録層および反射層
を順次設けてなる光磁気記録媒体において、干渉層の膜
厚を500Å〜1000Åとし、反射層をTiを0.5〜10at％含有
するAl合金によって形成したことを特徴とする光磁気記
録媒体。