JPH01173453A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01173453A JPH01173453A JP62334951A JP33495187A JPH01173453A JP H01173453 A JPH01173453 A JP H01173453A JP 62334951 A JP62334951 A JP 62334951A JP 33495187 A JP33495187 A JP 33495187A JP H01173453 A JPH01173453 A JP H01173453A
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- optical recording
- recording medium
- protective layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。
。
（従来の技術とその課題）
光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレー
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が最
も多く用いられている。
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が最
も多く用いられている。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いＣ／Ｎ比を得られ
るという点で優れている。
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いＣ／Ｎ比を得られ
るという点で優れている。
従来、反射層としてＡｌやＡ１合金を用いるものが提案
されている。
されている。
しかしながら、ＡｌやＡ１合金を使用した場合には局部
腐食に対する耐蝕性という点で問題があった。
腐食に対する耐蝕性という点で問題があった。
すなわちＡｌやＡ１合金は表面に自然酸化膜をつくるた
め全体腐食に対しては強固な特性を示すが一度ビンホー
ルが生成すると腐食電流の集中が起こりピンホールの拡
大をもたらすことになる。この反応は特に水分の存在下
において顕著である。
め全体腐食に対しては強固な特性を示すが一度ビンホー
ルが生成すると腐食電流の集中が起こりピンホールの拡
大をもたらすことになる。この反応は特に水分の存在下
において顕著である。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は上述の欠点を克服した、高耐蝕性で高Ｃ／
Ｎ比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層を構成することによりキャリアレ
ベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得ら
れることを見出した。
Ｎ比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層を構成することによりキャリアレ
ベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得ら
れることを見出した。
本発明の要旨は、基板上に金属酸化物からなる干渉層、
光磁気記録層、反射層および保護層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、反射層がＡｌまたはＡｌを主体
とする合金であり、保護層が金属窒化物であることを特
徴とする光磁気記録媒体に存する。
光磁気記録層、反射層および保護層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、反射層がＡｌまたはＡｌを主体
とする合金であり、保護層が金属窒化物であることを特
徴とする光磁気記録媒体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
基板の厚みは１〜２ＩＩＩＩ１１程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属
の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１、ＭｎＣｕＢ ｉなど
の多結晶垂直磁化膜が用いられる。
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属
の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１、ＭｎＣｕＢ ｉなど
の多結晶垂直磁化膜が用いられる。
特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴ
ｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の記録層を重ねても
良い。光磁気記録層の膜厚は２５０〜５００人が好まし
い。
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴ
ｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の記録層を重ねても
良い。光磁気記録層の膜厚は２５０〜５００人が好まし
い。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させＣ／
Ｎ比を向上させるためのものである。
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させＣ／
Ｎ比を向上させるためのものである。
干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。干渉層としては金
属酸化物が用いられる。金属酸化物としては酸化タンタ
ル、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等が挙げられる
が、これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素
の侵入を防ぐ、特に酸化タンタルを用いて良好である。
属酸化物が用いられる。金属酸化物としては酸化タンタ
ル、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等が挙げられる
が、これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素
の侵入を防ぐ、特に酸化タンタルを用いて良好である。
酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比べ内
部応力が小さくクランクの入る確立ははるかに小さくな
る 酸化タンタルの組成としては化学量論的組成比（Ｔａ２
ｅｓ）に近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱くなる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が太き（なりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は６３０ ｎｍの波
長で測定したときの複素屈折率をｎ”＝ｎ−ｉＫとした
とき２．０≦ｎ≦２．２でかつＩＫＩ＜０．１５の範囲
である。
部応力が小さくクランクの入る確立ははるかに小さくな
る 酸化タンタルの組成としては化学量論的組成比（Ｔａ２
ｅｓ）に近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱くなる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が太き（なりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は６３０ ｎｍの波
長で測定したときの複素屈折率をｎ”＝ｎ−ｉＫとした
とき２．０≦ｎ≦２．２でかつＩＫＩ＜０．１５の範囲
である。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常４００人〜１５００人程度、特に５００人〜１００
０人が適当である。
通常４００人〜１５００人程度、特に５００人〜１００
０人が適当である。
記録層上に設けられる反射層は一般的には高反射率の物
質が考えられるが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜Ｃ
ｕは腐食を起こし易いためＡｌまたはＡｌの合金の薄膜
を用いる。
質が考えられるが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜Ｃ
ｕは腐食を起こし易いためＡｌまたはＡｌの合金の薄膜
を用いる。
特にＡ１にＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、ｐｔ、ｖ、Ｃｒ、
Ｐｄの少なくとも１種を１５原子％程度まで添加した合
金は高反射率であり、熱伝導度も低く高Ｃ／Ｎ比、高感
度と良好な特性をもたらす。反射層の膜厚は通常１００
−１０００人程度２好ましくは２００〜６００人程度で
ある。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎる場合には反
射率が低下する。
Ｐｄの少なくとも１種を１５原子％程度まで添加した合
金は高反射率であり、熱伝導度も低く高Ｃ／Ｎ比、高感
度と良好な特性をもたらす。反射層の膜厚は通常１００
−１０００人程度２好ましくは２００〜６００人程度で
ある。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎる場合には反
射率が低下する。
反射層上に設けられる保護層としては金属窒化物が用い
られる。金属窒化物としては窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムのそれぞれ単独又はこれらの複合窒化物が好まし
い。特に、窒化シリコンが好適である。
られる。金属窒化物としては窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムのそれぞれ単独又はこれらの複合窒化物が好まし
い。特に、窒化シリコンが好適である。
窒化シリコンのＳｉとＮの比率はＮが多すぎれば緻密性
が悪くなり、またＮが少なすぎればキャリアレベルの低
下をもたらす。従ってＳｉとＮの比は化学量論的組成比
（Ｓ ｉ、＋ Ｎ４ ）もしくはそれより多少Ｓｉ我多
い状態が好ましい。具体的には、ＳｌとＮの原子比（Ｓ
ｉ／Ｎ）で０．７５＝１．０の範囲が良い。これらの窒
化物は外部からの水分の侵入を防ぐため反射層の腐食を
大きく抑制できる。
が悪くなり、またＮが少なすぎればキャリアレベルの低
下をもたらす。従ってＳｉとＮの比は化学量論的組成比
（Ｓ ｉ、＋ Ｎ４ ）もしくはそれより多少Ｓｉ我多
い状態が好ましい。具体的には、ＳｌとＮの原子比（Ｓ
ｉ／Ｎ）で０．７５＝１．０の範囲が良い。これらの窒
化物は外部からの水分の侵入を防ぐため反射層の腐食を
大きく抑制できる。
また、保護層の作成時に反射層が窒化されることが考え
られるが、ＡｌまたはＡ１合金の反射層は表面に強固な
窒化皮膜を形成するため深さ数十Å以上の窒化は起こら
ない。
られるが、ＡｌまたはＡ１合金の反射層は表面に強固な
窒化皮膜を形成するため深さ数十Å以上の窒化は起こら
ない。
この保護層の膜厚は厚いほど保護能力が高いが厚いほど
感度の低下も大きくなるので、通常５０人〜５００人程
度が適当である。
感度の低下も大きくなるので、通常５０人〜５００人程
度が適当である。
基板上に干渉層、記録層、反射層、保護層の各層を形成
する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
）、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等が
適用される。
する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
）、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等が
適用される。
ＰＶＤ法にて光磁気記録層、反射層及び保護層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。
また、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる
。
。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／ ｓ ｅ ｃ〜
１００人／ ｓ ｅ ｃ程度とされる。
ば生産性に影響するので通常０．１人／ ｓ ｅ ｃ〜
１００人／ ｓ ｅ ｃ程度とされる。
酸化タンタルの干渉層の場合、Ｔａ２ｅｓターゲツトを
用いたＲＦスパッタ法、Ｔａターゲットを用いたＡｒと
０□ガスによるＤＣまたはＲＦ反応性スパッタ法、電子
ビーム蒸着法等が好ましい。これらのうち、酸素量の制
御が可能であること、成膜速度が速いこと、基板温度の
上昇が小さいこと等の点からＴａターゲットを用いたＡ
ｒと０２ガスによる００反応性スパッタ法が好ましい。
用いたＲＦスパッタ法、Ｔａターゲットを用いたＡｒと
０□ガスによるＤＣまたはＲＦ反応性スパッタ法、電子
ビーム蒸着法等が好ましい。これらのうち、酸素量の制
御が可能であること、成膜速度が速いこと、基板温度の
上昇が小さいこと等の点からＴａターゲットを用いたＡ
ｒと０２ガスによる００反応性スパッタ法が好ましい。
この場合、屈折率の制御は圧力を変えることで容易に達
成できる。
成できる。
以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例１
１３０ｍｍφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に導入し、先ず８Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
し、Ａｒと０２との混合ガスを用いてＴａターゲットの
反応性スパッタを行いＴａ２０５からなる８００人の干
渉層を形成した。次いでＴｂターゲット及びＦｅＣｏタ
ーゲットを用いたＡｒガスによる２元同時スパッタによ
りＴｂ２□（Ｆｅ、。Ｃｏ、。
装置に導入し、先ず８Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
し、Ａｒと０２との混合ガスを用いてＴａターゲットの
反応性スパッタを行いＴａ２０５からなる８００人の干
渉層を形成した。次いでＴｂターゲット及びＦｅＣｏタ
ーゲットを用いたＡｒガスによる２元同時スパッタによ
りＴｂ２□（Ｆｅ、。Ｃｏ、。
） ７１１の３００人記録層を設けた。更にＴａチップ
を配置したＡｌジターットをＡｒガス中でスパッターし
Ａ Ｉ ９７Ｔ ａ ３の合金からなる３００人の反射
層を形成した。更にＳｉターゲットをＡｒとＮ２の混合
ガスでスパッタすることにより窒化シリコンからなる保
護層を設けた。
を配置したＡｌジターットをＡｒガス中でスパッターし
Ａ Ｉ ９７Ｔ ａ ３の合金からなる３００人の反射
層を形成した。更にＳｉターゲットをＡｒとＮ２の混合
ガスでスパッタすることにより窒化シリコンからなる保
護層を設けた。
保護層の膜厚を変えていった時の媒体の最適記録パワー
の変化を第１図に示す。
の変化を第１図に示す。
記録条件はｆ＝０．５ＭＨｚ、 ＣＡＶ１８００ｒｐ
ｍ、ｄｕｔｙ５０％、ｒ＝３０ｍｍとした。
ｍ、ｄｕｔｙ５０％、ｒ＝３０ｍｍとした。
（最適記録パワーは記録時の２次歪みが最小となる記録
パワーであり値が小さいほど感度が良いことを表す）。
パワーであり値が小さいほど感度が良いことを表す）。
保護層が５００Å以下では感度の劣化が一割程度で済む
。このディスクを７０″Ｃ１８５％ＲＨの条件下で５０
０ｈｒの加速試験を行い試験前後のエラーレートを測定
したところ増加は約１．６倍に抑えられた（第２図参照
）。
。このディスクを７０″Ｃ１８５％ＲＨの条件下で５０
０ｈｒの加速試験を行い試験前後のエラーレートを測定
したところ増加は約１．６倍に抑えられた（第２図参照
）。
なお、保護層として窒化アルミニウムを用いた場合もほ
ぼ同様の結果を得た。
ぼ同様の結果を得た。
比較例１
比較例として反射層までを実施例と同様に形成し保護層
を設けなかったディスクを作成した。
を設けなかったディスクを作成した。
このディスクを実施例と同様に７０°Ｃ１８５％ＲＨの
条件下で５００ｈｒの加速試験を行い試験前後のエラー
レートを測定したところ増加は約４．１倍に達した（第
２図参照）。
条件下で５００ｈｒの加速試験を行い試験前後のエラー
レートを測定したところ増加は約４．１倍に達した（第
２図参照）。
本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び耐蝕性に優
れる。
れる。
第１図は実施例の保護層の膜厚変化による最適記録パワ
ーの変化を示す。第２図は加速試験を行った際の試験前
後のエラーレートを示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − （ほか１名） 第１図 月３ｋ 力ＬＥＡ ） 第２図 ｏ ｔｏｏ ２ｏｏ ３００ ’１
００ ３００ｆ）０止時閣（ｈｒ ）
ーの変化を示す。第２図は加速試験を行った際の試験前
後のエラーレートを示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − （ほか１名） 第１図 月３ｋ 力ＬＥＡ ） 第２図 ｏ ｔｏｏ ２ｏｏ ３００ ’１
００ ３００ｆ）０止時閣（ｈｒ ）
Claims (4)
- （１）基板上に金属酸化物からなる干渉層、光磁気記録
層、反射層および保護層を順次設けてなる光磁気記録媒
体において、反射層がＡｌまたはＡｌを主体とする合金
であり、保護層が金属窒化物であることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - （２）保護層が窒化シリコンであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - （３）干渉層が酸化タンタルをであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - （４）反射層がＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｐｄから選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ
系合金であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334951A JPH01173453A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 光磁気記録媒体 |
| CA000570235A CA1324213C (en) | 1987-06-26 | 1988-06-23 | Magnetooptical recording media |
| DE88305842T DE3883310T2 (de) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptische Datenträger. |
| KR1019880007767A KR960010928B1 (ko) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | 자기광학 기록 매체 |
| EP88305842A EP0296888B1 (en) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptical recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334951A JPH01173453A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173453A true JPH01173453A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18283060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62334951A Pending JPH01173453A (ja) | 1987-06-26 | 1987-12-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2007009707A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | エアクリーナ |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5860441A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS60131659A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62293541A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62334951A patent/JPH01173453A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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