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JP3399409B2 - 複合回路基板、非可逆回路素子、共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回路素子の製造方法 - Google Patents

複合回路基板、非可逆回路素子、共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回路素子の製造方法

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JP3399409B2
JP3399409B2 JP21237699A JP21237699A JP3399409B2 JP 3399409 B2 JP3399409 B2 JP 3399409B2 JP 21237699 A JP21237699 A JP 21237699A JP 21237699 A JP21237699 A JP 21237699A JP 3399409 B2 JP3399409 B2 JP 3399409B2
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JP
Japan
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substrate
dielectric substrate
electrode
magnetic
dielectric
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Inventor
容平 石川
博 徳寺
圭 松谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to US09/393,427 priority patent/US6472960B1/en
Priority to KR1019990038636A priority patent/KR100343898B1/ko
Priority to EP99118122A priority patent/EP0986127A3/en
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Priority to CNB991188780A priority patent/CN1254161C/zh
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Priority to US10/235,469 priority patent/US6646516B2/en
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    • H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
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    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H—ELECTRICITY
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
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    • H—ELECTRICITY
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    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Waveguides (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体基板と磁性
体基板との間に電極を挟んだ複合回路基板、非可逆回路
素子、共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、
回路モジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非
可逆回路素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以前より、容量素子やインダクタンス素
子などの電極パターンが形成された誘電体基板や磁性体
基板を多段に積層して共振回路などを形成したものが考
えられている。また、一方で用途や所望特性などに応じ
て低背化が求められる場合があり、そのような要求を満
たす複合回路基板が、従来より考案されている。
【０００３】そこで、従来の複合回路基板を、図23、24
に基づいて説明する。なお、図23は従来の複合回路基板
の平面図であり、図24は図23におけるW−W線断面図であ
る。図23、24に示すように、従来の複合回路基板110
は、誘電体基板111と、磁性体基板112と、その間に挟ま
れる電極パターン120とから構成されている。電極パタ
ーン120は、容量素子部121とインダクタンス素子部12
2、伝送線路部123などからなり、誘電体基板111と磁性
体基板112の外側面にはアース電極113が形成されてい
る。このような構成にすることにより複合回路基板110
は、ここではローパスフィルタとして機能している。
【０００４】この従来の複合回路基板110において、電
極パターン120の形成は、まずメッキなどにより誘電体
基板111と磁性体基板112それぞれ対向する位置に電極12
0a、120bを形成し、さらに接続電極120cをその上に形成
する。そして、接続電極120cを介して誘電体基板111、
磁性体基板112それぞれに形成された電極120a、120bを
貼り合わせることで電極パターン120を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】複合回路基板に形成さ
れる容量素子、インダクタンス素子、抵抗や伝送線路な
どは、誘電体基板との位置関係、磁性体基板との位置関
係により、その特性が変化する。例えばインダクタンス
素子は、ある程度磁性体基板に近いほうが大きなインダ
クタンスを得ることができ、同じインダクタンス値では
磁性体基板に近いほうが小型化できる。同様に、容量素
子は誘電体基板に近いほうが大きな容量を得ることがで
き、同じ容量値では誘電体基板に近いほうが小型化でき
る。
【０００６】しかしながら、従来の複合回路基板におい
て、誘電体基板と磁性体基板とに挟まれた電極パターン
は、誘電体基板、磁性体基板それぞれに形成された電極
を貼り合わせて形成されているので、電極パターンは全
て同一平面上にある。つまり、電極パターンにより形成
された容量素子、インダクタンス素子、抵抗や伝送線路
などは全て誘電体基板と等距離であり、さらに磁性体基
板とも等距離ということである。
【０００７】また、インダクタンス素子は磁性体基板に
近いほうが大きなインダクタンスを得ることができる
が、近くに誘電体基板があると誘電体との結合が強くな
ってしまい、インダクタンス値は低下する。また、例え
ば分布定数型非可逆回路素子の場合、共振器部分と伝送
線路部分とからなる電極のうち共振器部分は、磁性体基
板に近づけたほうが直流磁界を印加した場合に素子の非
可逆性は向上する。しかしながら、近くに誘電体基板が
あると誘電体との結合が強くなってしまい、素子の非可
逆性は低下する。
【０００８】したがって、誘電体基板と磁性体基板とに
挟まれる電極パターンで形成された容量素子やインダク
タンス素子などが同一平面状にあると、例えばインダク
タンス値の向上に限界が生じるなどして、素子の小型
化、ひいては複合回路基板の小型化ができないという問
題があった。また、容量素子、インダクタンス素子、抵
抗や伝送線路などの特性について、微妙な設計ができな
いという問題があった。
【０００９】本発明の複合回路基板、非可逆回路素子、
共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モ
ジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回
路素子の製造方法は、上述の問題を鑑みてなされたもの
であり、これらの問題を解決し、良好な特性を有し、小
型化可能な複合回路基板、非可逆回路素子、共振器、フ
ィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モジュール、
ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回路素子の製
造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の複合回路基板は、誘電体基板と、該誘電体基板
と間隔を隔てて配置された磁性体基板と、前記誘電体基
板と前記磁性体基板との間に形成された電極とを含んで
なる複合回路基板であって、前記電極が、所定の位置に
おいて前記誘電体基板側に相対的に近づいており、前記
所定の位置とは異なる他の位置において前記磁性体基板
側に相対的に近づいている。これにより、電極パターン
により形成されたインダクタンス素子、容量素子、抵抗
や伝送線路などと誘電体基板あるいは磁性体基板との距
離を所望の値にできるため、それぞれの素子と誘電体基
板や磁性体基板との結合の度合いを個別に設計でき、そ
れぞれの素子の特性を微妙に設計することができる。
【００１１】例えば、磁性体基板としてフェライト基板
を用いると、その誘電率は10〜15程度であり、誘電正接
は1×10-3〜1×10-4程度であり、さらに透磁率は1以上
である。一方、一般的に用いられる誘電体基板の誘電率
は10〜100程度であり、誘電正接は5×10-4〜1×10-5程
度であり、さらに透磁率は1である。このため、容量素
子においては誘電体基板に電極を近づけた方が実効誘電
率が大きくなり、大きな容量値を得ることができる。ま
た、同じ容量値では電極が誘電体基板に近い方が容量素
子を小型化できる。また、伝送損失に関しては、電極を
概ね誘電正接の小さい誘電体に近づけた方が、低損失の
伝送線路を実現できる。さらに、インダクタンス素子に
おいては磁性体基板に電極を近づけた方が実効透磁率が
大きくなり、大きなインダクタンス値を得ることができ
る。また、同じインダクタンス値では電極は磁性体基板
に近い方がインダクタンス素子を小型化できる。
【００１２】また、請求項2に係る複合回路基板は、前
記電極が、所定の位置において前記誘電体基板に密接ま
たは近接しており、前記所定の位置とは異なる他の位置
において前記磁性体基板側に密接または近接している。
これにより、誘電体基板に密接または近接した位置の電
極は誘電体との結合が強くなり、磁性体基板に密接また
は近接した位置の電極は磁性体との結合が強くなる。
【００１３】さらに、請求項3に係る複合回路基板は、
前記磁性体基板側に近い電極と前記誘電体基板との間
に、該誘電体基板の誘電率よりも低い誘電率を有する物
質が配置されている。これにより、磁性体基板側に近い
電極と誘電体基板との結合を弱めることができ、磁性体
に近づけることにより得られる効果が損なわれない。
【００１４】さらにまた、請求項4に係る複合回路基板
は、前記誘電体基板側に近い電極と、前記磁性体基板側
に近い電極とが一体で形成されている。これにより、誘
電体基板に形成された電極と磁性体基板に形成された電
極とを接続する必要が無くなり、接続によって生じる信
頼性の低下や製造上の手間を省くことができる。
【００１５】さらにまた、請求項5に係る複合回路基板
は、スルーホールにより導通された表面電極と裏面電極
とを有する基板が、前記誘電体基板と前記磁性体基板と
の間に配置されている。これにより、誘電体基板および
磁性体基板と、それらの間に挟まれる電極が形成された
基板との接着により、容易に複合回路基板を形成するこ
とができる。
【００１６】さらにまた、請求項6に係る複合回路基板
は、前記誘電体基板側に近い電極で容量素子が形成さ
れ、前記磁性体基板に近い電極でインダクタンス素子が
形成されている。これにより、同じ容量の容量素子では
従来に比べ小型化することができ、同じインダクタンス
のインダクタンス素子では従来に比べ小型化することが
できる。
【００１７】さらにまた、請求項7に係る複合回路基板
は、少なくとも前記誘電体基板に近い電極が存在する部
分に、部分的に誘電体基板が配置されている、あるいは
少なくとも前記磁性体基板に近い電極が存在する部分
に、部分的に磁性体基板が配置されている。これによ
り、必要部分にのみ誘電体基板あるいは磁性体基板を配
置すればよいので、誘電体基板や磁性体基板の無駄が省
ける。
【００１８】さらにまた、請求項8に係る非可逆回路素
子は、互いに交差する複数のインダクタンス素子部、お
よび該インダクタンス素子部に接続される容量素子部を
有する請求項6または7記載の複合回路基板と、直流磁界
を印加するための磁石とを含んでなる。これにより、非
可逆回路素子のインダクタンス素子部が磁性体基板に近
づき、容量素子部が誘電体基板に近づいて、非可逆回路
素子を小型化できる。
【００１９】さらにまた、請求項9に係る共振器は、請
求項1ないし7記載の複合回路基板の前記誘電体基板と前
記磁性体基板との間に配置される電極で容量素子および
インダクタンス素子を形成し、共振回路を構成した。こ
れにより、例えば共振器のインダクタンス素子が磁性体
基板に近づき、容量素子が誘電体基板に近づくなどし
て、共振器を小型化できる。
【００２０】さらにまた、請求項10に係るフィルタは、
請求項9記載の共振器と、入出力接続用手段とを含んで
なる。これにより、例えばフィルタのインダクタンス素
子が磁性体基板に近づき、容量素子が誘電体基板に近づ
くなどして、フィルタを小型化できる。
【００２１】さらにまた、請求項11に係るデュプレクサ
は、少なくとも二つのフィルタと、該フィルタのそれぞ
れに接続される入出力接続用手段と、前記フィルタに共
通的に接続されるアンテナ接続用手段とを含んでなるデ
ュプレクサであって、前記フィルタの少なくとも一つが
請求項10記載のフィルタである。これにより、例えばデ
ュプレクサのインダクタンス素子が磁性体基板に近づ
き、容量素子が誘電体基板に近づくなどして、デュプレ
クサを小型化できる。
【００２２】さらにまた、請求項12に係る通信機装置
は、請求項11記載のデュプレクサと、該デュプレクサの
少なくとも一つの入出力接続用手段に接続される送信用
回路と、該送信用回路に接続される前記入出力接続用手
段と異なる少なくとも一つの入出力接続用手段に接続さ
れる受信用回路と、前記デュプレクサのアンテナ接続用
手段に接続されるアンテナとを含んでなる。これによ
り、例えば通信機装置のインダクタンス素子が磁性体基
板に近づき、容量素子が誘電体基板に近づくなどして、
通信機装置を小型化できる。
【００２３】さらにまた、本発明の回路モジュールは、
請求項1〜7記載の複合回路基板を用いて形成された少な
くとも一つの機能素子を有する。これにより、例えば回
路モジュールのインダクタンス素子が磁性体基板に近づ
き、容量素子が誘電体基板に近づくなどして、回路モジ
ュールを小型化できる。
【００２４】さらにまた、本発明の非可逆回路素子は、
誘電体基板と、該誘電体基板と間隔を隔てて配置された
磁性体基板と、共振器部分と伝送線路部分とからなり、
前記誘電体基板と前記磁性体基板との間に形成された電
極と、直流磁界を印加するための磁石とを含んでなる非
可逆回路素子であって、前記電極の伝送線路部分におい
て前記誘電体基板側に相対的に近づいており、前記電極
の共振器部分において前記磁性体基板側に相対的に近づ
いている。これにより、電極の伝送線路部分が誘電体基
板に近づいて伝搬損失が小さくなり、同じ特性では従来
に比べて小型化する。また、電極の共振器部分が磁性体
基板に近づいて磁性体との結合が強くなり、非可逆性が
向上する。
【００２５】さらにまた、請求項15に係る非可逆回路素
子は、前記電極の伝送線路部分において前記誘電体基板
に密接または近接しており、前記電極の共振器部分にお
いて前記磁性体基板側に密接または近接している。これ
により、誘電体基板に密接または近接した位置の電極は
誘電体との結合が強くなり、磁性体基板に密接または近
接した位置の電極は磁性体との結合が強くなる。
【００２６】さらにまた、請求項16に係る非可逆回路素
子は、前記磁性体基板側に近い電極の共振器部分と前記
誘電体基板との間に、該誘電体基板の誘電率よりも低い
誘電率を有する物質が配置されている。これにより、磁
性体基板側に近い電極と誘電体基板との結合を弱めるこ
とができ、磁性体に近づけることにより得られる効果が
損なわれない。
【００２７】さらにまた、請求項17に係る非可逆回路素
子は、スルーホールにより導通された表面電極と裏面電
極とを有する基板が、前記誘電体基板と前記磁性体基板
との間に配置されている。これにより、誘電体基板およ
び磁性体基板と、それらの間に挟まれる電極が形成され
た基板との接着により、容易に非可逆回路素子を形成す
ることができる。
【００２８】さらにまた、請求項18に係る非可逆回路素
子は、少なくとも伝送線路部分となる電極が存在する部
分に、部分的に誘電体基板が配置されている、あるいは
少なくとも共振器部分となる電極が存在する部分に、部
分的に磁性体基板が配置されている。これにより、必要
部分にのみ誘電体基板あるいは磁性体基板を配置すれば
よいので、誘電体基板や磁性体基板の無駄が省ける。
【００２９】さらにまた、請求項19に係る通信機装置
は、請求項14ないし18記載の非可逆回路素子と、送信用
回路および受信用回路と、アンテナとを含んでなる。こ
れにより、非可逆回路素子の伝送線路部分が誘電体基板
側に近づいて、共振器部分が磁性体基板側に近づいて、
通信機装置の特性が良くなり、さらに通信機装置を小型
化できる。
【００３０】さらにまた、請求項２０に係る複合回路基
板の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、該誘電
体基板の誘電率よりも低い誘電率を有する物質で、前記
誘電体基板上の一部に低誘電率膜を形成する工程と、前
記低誘電率膜上および前記誘電体基板上に電極パターン
を形成する工程と、前記誘電体基板の、前記電極パター
ンが形成されている面に磁性体基板を接着する工程とを
含んでなる。これにより、所定の位置で誘電体基板ある
いは磁性体基板に近づいた電極パターンを有する複合回
路基板の電極を、一度に形成することができる。
【００３１】さらにまた、請求項21に係る複合回路基板
の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、磁性体基
板を用意する工程と、前記誘電体基板の誘電率よりも低
い誘電率を有する低誘電率基板の表裏面に電極パターン
を形成し、表面電極と裏面電極とをスルーホールで導通
させる工程と、前記低誘電率基板を挟むように前記誘電
体基板と前記磁性体基板を接着する工程とを含んでな
る。これにより、所定の位置で誘電体基板あるいは磁性
体基板に近づいた電極パターンを有する複合回路基板
を、誘電体基板および磁性体基板と、それらの間に挟ま
れる電極が形成された基板とを接着することで容易に形
成することができる。
【００３２】さらにまた、請求項22に係る複合回路基板
の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、前記誘電
体基板に電極パターンを形成する工程と、磁性体基板を
用意する工程と、前記磁性体基板に電極パターンを形成
する工程と、前記誘電体基板の電極パターン面と前記磁
性体基板の電極パターン面とが対向し、さらに所定の接
続部分において前記誘電体基板の電極パターンと前記磁
性体基板の電極パターンとが対向するように配置し、前
記所定の接続部分で前記誘電体基板の電極パターンと前
記磁性体基板の電極パターンとを接続する工程とを含ん
でなる。これにより、一般に使用されるフリップチップ
実装技術を用いて所定の位置の電極パターンを誘電体基
板側に近づけ、別の位置の電極パターンを磁性体基板に
近づけることができる。
【００３３】さらにまた、請求項23に係る非可逆回路素
子の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、該誘電
体基板の誘電率よりも低い誘電率を有する物質で、前記
誘電体基板に低誘電率膜を形成する工程と、前記低誘電
率膜が形成された誘電体基板の前記低誘電率膜形成部分
に共振器部分、その他の部分に伝送線路部分となるよう
に電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが
形成された誘電体基板に磁性体基板を接着する工程と、
直流磁界を印加するための磁石を用意し配置する工程と
を含んでなる。これにより、所定の位置で誘電体基板あ
るいは磁性体基板に近づいた電極パターンを有する非可
逆回路素子の電極を、一度に形成することができる。
【００３４】さらにまた、請求項24に係る非可逆回路素
子の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、磁性体
基板を用意する工程と、前記誘電体基板の誘電率よりも
低い誘電率を有する低誘電率基板の表裏面に共振器部分
と伝送線路部分となる電極パターンを形成し、表面電極
と裏面電極とをスルーホールで導通させる工程と、前記
低誘電率基板を挟むように前記誘電体基板と前記磁性体
基板を、前記電極パターンの共振器部分側に磁性体基
板、前記電極パターンの伝送線路部分側に誘電体基板と
なるように接着する工程と、直流磁界を印加するための
磁石を用意し配置する工程とを含んでなる。これによ
り、所定の位置で誘電体基板あるいは磁性体基板に近づ
いた電極パターンを有する非可逆回路素子を、誘電体基
板および磁性体基板と、それらの間に挟まれる電極が形
成された基板とを接着することで容易に形成することが
できる。
【００３５】さらにまた、請求項25に係る非可逆回路素
子の製造方法は、誘電体基板を用意する工程と、前記誘
電体基板に伝送線路部分となる電極パターンを形成する
工程と、磁性体基板を用意する工程と、前記磁性体基板
に共振器部分となる電極パターンを形成する工程と、前
記誘電体基板の電極パターン面と前記磁性体基板と電極
パターン面とが対向し、さらに所定の接続部分において
前記誘電体基板の電極パターンと前記磁性体基板の電極
パターンとが対向するように配置し、前記所定の接続部
分で前記誘電体基板の電極パターンと前記磁性体基板の
電極パターンとを接続する工程と、直流磁界を印加する
ための磁石を用意し配置する工程とを含んでなる。これ
により、一般に使用されるフリップチップ実装技術を用
いて所定の位置の電極パターンを誘電体基板側に近づ
け、別の位置の電極パターンを磁性体基板に近づけるこ
とができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である複合
回路基板を、図1、2に基づいて説明する。なお、図1
は、本発明の複合回路基板の平面図であり、図2は図1に
おけるX−X線断面図である。図1、2に示すように、本発
明の複合回路基板10は、誘電体基板11と、磁性体基板12
と、それらの間に挟まれる電極パターン20とから構成さ
れている。電極パターン20は、容量素子部21やインダク
タンス素子部22、あるいは伝送線路部23などからなり、
例えばCaTiO3からなる誘電体基板11とフェライトからな
る磁性体基板12の外側面にはアース電極13が形成されて
いる。図1のような構成にすることにより複合回路基板1
0は、ここではローパスフィルタとして機能している。
【００３７】図2に示すように、本発明の複合回路基板1
0において、電極パターン20の容量素子部21は誘電体基
板11に密接しており、インダクタンス素子部22は磁性体
基板12に密接している。このように、容量素子部21を誘
電体基板11に密接させると、容量素子部21の容量値が大
きくなる。したがって、同じ容量値の従来構造における
複合回路基板に比べて小型化できる。また、インダクタ
ンス素子部22を磁性体基板12に密接させると、誘電体基
板11との結合が弱くなり、インダクタンス素子部22のイ
ンダクタンス値が大きくなる。したがって、同じインダ
クタンス値の従来構造における複合回路基板に比べて小
型化できる。さらに、伝送線路部23やここでは図示して
いないが抵抗などについても、誘電体基板11と磁性体基
板12との距離関係によって伝搬損失が変化するなどの影
響がある。したがって、伝送線路部23や抵抗の配置位置
を、誘電体基板11と磁性体基板12の間のどの位置にする
かによって、伝送線路部23や抵抗の特性を微妙に設計で
き、容易に要求特性に合致させることができる。
【００３８】次に、本発明の複合回路基板における第二
の実施例を、図3に基づいて説明する。なお、先の実施
例と同一部には同符号を付し、詳細な説明は省略する。
図3に示すように、本実施例の複合回路基板10aは、誘電
体基板11と、磁性体基板12と、それらの間に挟まれる電
極パターン20と、電極パターン20と誘電体基板11とで挟
まれる低誘電率物質14とから構成されている。なお、こ
こで低誘電率物質14とは、誘電体基板11の誘電率よりも
小さい誘電率を有する物質であり、さらには、磁性体基
板12の誘電率よりも小さい誘電率を有する物質であれば
なお良い。誘電体基板11と電極パターン20との間に低誘
電率物質14が挟まれる位置は、インダクタンス素子部22
が形成される位置であり、例えば誘電体基板11に凸部を
形成してインダクタンス素子部22が磁性体基板12に近づ
く場合に比べて、低誘電率物質14によりインダクタンス
素子部22は誘電体基板11との結合が弱まる。つまり、磁
性体基板12との結合によって得られる効果が誘電体基板
11との結合によって低減させられることを、例えば誘電
体基板11に凸部を形成してインダクタンス素子部22を磁
性体基板12に近づける場合に比べて、この低誘電率物質
14が防ぐ。
【００３９】なお、以上の実施例において、誘電体基板
と磁性体基板とで挟まれる電極パターンは、一方におい
て誘電体基板あるいは磁性体基板に密接しているが、磁
性体基板に密接するインダクタンス素子は、磁性体基板
との間に低誘電率物質を挟むなどして、磁性体基板と近
接させると良い。このことを、シミュレーション結果に
基づいて説明する。
【００４０】図4は、間隔を隔てて配置された誘電体基
板11と磁性体基板12の間に電極20を設けた概念図であ
り、図5はその電極20と誘電体基板11とのギャップGと、
インダクタンスLの関係およびギャップGと容量Cの関係
を示すシミュレーション結果である。なお、誘電体基板
11は厚み0.5mm、誘電率90、透磁率1であり、磁性体基板
12は厚み0.5mm、誘電率15、透磁率3である。また、誘電
体基板11と磁性体基板12の間隔は0.03mmであり、電極20
の厚みは0.01mmである。また、△は容量Cを示し、○は
インダクタンスLを示す。図5に示すように、容量Cは誘
電体基板11に密接しているほうが大きくなるが、インダ
クタンスLは磁性体基板12から0.005mm離れた位置が最大
となっている。すなわち、インダクタンス素子部は磁性
体基板12に密接させるより近接させる方が良いというこ
とである。
【００４１】また、これらの実施例においては、誘電体
基板と磁性体基板とに挟まれる電極パターンは、磁性体
基板に密接または近接しているが、これに限るものでは
ない。例えば、図6に示す複合回路基板10bのように、磁
性体基板12と電極パターン20との間に低誘電率基板体15
を挟むなどして、電極パターン20が全て誘電体基板11側
に近い場合でも、インダクタンス素子部22は容量素子部
21に比較して磁性体基板12側に相対的に近づいている。
このような場合においても、本発明の効果は得られる。
【００４２】以下に、本発明の複合回路基板の製造方法
について説明する。まず、一方の面にアース電極が形成
された誘電体基板を用意し、インダクタンス素子となる
位置の誘電体基板にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂など
により低誘電率膜を形成する。その後、低誘電率膜を含
む誘電体基板上に容量素子、インダクタンス素子や伝送
線路などの電極パターンをメッキやスパッタリングなど
により形成する。そして、一方の面にアース電極が形成
された磁性体基板を接着することで、第二の実施例に示
すような複合回路基板が得られる。この製造方法を用い
ると、電極パターンを一度に形成することができ、従来
の接続電極を用いて接続する方法に比べて容易に複合回
路基板を形成することができる。
【００４３】なお、この実施例においては、誘電体基板
と電極パターンとの密着性を重視して、誘電体基板側に
電極パターンを形成する例を示したが、逆に磁性体基板
側に電極パターンを形成しても構わない。但し、この実
施例で示した製造方法を用いると、電極パターンと磁性
体基板との間の接着層がそのまま低誘電率層となって、
インダクタンス素子部で磁性体基板との間に適度なギャ
ップを設けることができる。また、ここでは低誘電率膜
を一層のみ設ける例を示したが、低誘電率膜を場所によ
っては多層にし、電極パターンで形成されたそれぞれの
素子ごとに誘電体基板や磁性体基板との距離を適当な距
離にして、複合回路基板の特性を微妙に設計することも
できる。
【００４４】さらに、他の製造方法について説明する。
まず、樹脂基板などの低誘電率基板の表裏面に電極パタ
ーンを設ける。ここでは例えば、一方の面にインダクタ
ンス素子となる電極パターンを形成し、他方の面に容量
素子や伝送線路となる電極パターンを形成し、表裏面の
電極パターンをスルーホール17により導通させる。そし
て、一方の面にアース電極が形成された誘電体基板およ
び磁性体基板の間に、電極パターンが形成された低誘電
率基板を挟み接着する。このような製造方法により、図
7に示すような複合回路基板10cが得られる。
【００４５】次に、本発明の非可逆回路素子を、図8、9
に基づいて説明する。なお、図8は本発明の非可逆回路
素子の分解斜視図であり、図9は図8における複合回路基
板部分のY−Y線断面図である。図8、9に示すように、本
発明の非可逆回路素子30は、複合回路基板10d部分と、
直流磁界を印加するための磁石31と、それらを収納する
ケース32とから構成されている。複合回路基板10d部分
は、誘電体基板11と、フェライトなどからなる磁性体基
板12と、それらの間に挟まれる中心電極20とからなる。
中心電極20は、それぞれ120°の角度で交差した三本の
電極で、一端を入出力電極側に接続され、他端はアース
に接続されている。
【００４６】中心電極20を形成する際には、例えば裏面
にアース電極13が形成された誘電体基板11において中心
電極20のインダクタンス素子部22となる位置に低誘電率
膜14を形成し、メッキなどによりインダクタンス素子部
22および整合を取るための容量素子部21を含む一本の中
心電極20を形成する。その後、絶縁膜26を間に挟んで二
本目の中心電極20を一本目と同様にして形成し、さらに
三本目の中心電極20を形成する。そして、中心電極20が
形成された誘電体基板11にアース電極13が形成された磁
性体基板12を接着し、複合回路基板10d部分が形成され
る。三本の中心電極20それぞれの一方端は、接続電極16
bなどにより誘電体基板11の裏面に形成されたアース電
極13とは絶縁される入出力電極16aと接続され、他端は
スルーホール17などにより、誘電体基板11裏面のアース
電極13に接続されている。このようにして形成された複
合回路基板10dが、磁性体基板12の上部に配置される磁
石31とともにケース32に収納されることによって非可逆
回路素子30は構成されている。
【００４７】本実施例の非可逆回路素子30においては、
誘電体基板11に形成された低誘電率膜14上にインダクタ
ンス素子部22を形成し、誘電体基板11上に容量素子部21
を形成することにより、インダクタンス素子部22は磁性
体基板12側に近づき、容量素子部21は誘電体基板11側に
近づいている。したがって、同じ特性を有する従来の非
可逆回路素子に比べてインダクタンス素子部22、容量素
子部21が共に小さくなるので、非可逆回路素子30自体も
小型化できる。
【００４８】さらに、本発明のデュプレクサ40を、図1
0、11に基づいて説明する。なお、図10はデュプレクサ
の平面図であり、図11は図10におけるZ−Z線断面図であ
る。図10、11に示すように、本実施例のデュプレクサ40
は、ストリップライン型フィルタからなる第一フィルタ
部50aと、別のストリップライン型フィルタからなる第
二フィルタ部50bとからなる。第一フィルタ部50aを構成
するフィルタは、送信用帯域通過フィルタとなり、第二
フィルタ部50bを構成する、第一フィルタ部50aとは異な
る共振周波数を有する共振器が形成されたフィルタは受
信用帯域通過フィルタとなる。第一フィルタ部50aの入
出力接続用手段41は、外部の送信用回路に接続され、第
二フィルタ部50bの入出力接続用手段42は、外部の受信
用回路に接続されている。さらに、第一フィルタ部50a
の他方の入出力接続用手段と、第二フィルタ部50bの他
方の入出力接続用手段とは、アンテナ接続用手段43に統
合され、外部のアンテナに接続されている。
【００４９】このような構成のデュプレクサ40は、第一
フィルタ部50aで所定の周波数を通過させ、第二フィル
タ部50bで先の周波数とは異なる周波数を通過させる帯
域通過デュプレクサとして機能する。
【００５０】本実施例のデュプレクサ40においては、誘
電体基板11に形成された低誘電率膜14上にフィルタのイ
ンダクタンス素子部22を形成し、誘電体基板11上にフィ
ルタの容量素子部21を形成することにより、インダクタ
ンス素子部22は磁性体基板12側に近づき、容量素子部21
は誘電体基板11側に近づいている。したがって、同じ特
性を有する従来のデュプレクサに比べてインダクタンス
素子部22、容量素子部21は共に小さくなるので、フィル
タは小型化し、ひいてはデュプレクサ40も小型化でき
る。
【００５１】さらにまた、本発明の実施例である通信機
装置60を、図12に基づいて説明する。なお、図12は本実
施例の通信機装置の概略図である。図12に示すように、
本実施例の通信機装置60は、デュプレクサ40と、送信用
回路51と、受信用回路52と、アンテナ53とから構成され
ている。ここでデュプレクサ40は、先の実施例で示した
ものであり、図10における第一フィルタ部50aと接続さ
れる入出力接続用手段が、送信用回路51に接続されてお
り、第二フィルタ部50bと接続される入出力接続用手段
が、受信用回路52に接続されている。また、アンテナ接
続用手段43は、アンテナ53に接続されている。
【００５２】本実施例の通信機装置60においては、誘電
体基板に形成された低誘電率膜上にインダクタンス素子
部を形成し、誘電体基板上に容量素子部を形成すること
により、インダクタンス素子部は磁性体基板側に近づ
き、容量素子部は誘電体基板側に近づいている。したが
って、同じ特性を有する従来の通信機装置に比べてイン
ダクタンス素子部、容量素子部は共に小さくなるので、
通信機装置60自体も小型化できる。
【００５３】以下に本発明の前述のものとは異なる非可
逆回路素子を、図13、14に基づいて説明する。なお、図
13は本発明の非可逆回路素子の平面図であり、図14は図
13におけるA−A線断面図である。図13、14に示すよう
に、本実施例の非可逆回路素子30aは、非可逆回路素子
本体35と、非可逆回路素子本体35の上部に配置され、非
可逆回路素子本体35に直流磁界を印加するための磁石31
とから構成されている。非可逆回路素子本体35は、一方
の面にアース電極13が形成された誘電体基板11および磁
性体基板12と、それらの間に挟まれる電極パターン20と
から構成されており、電極パターン20は、中心の共振器
部分24と、互いに120°の交差角を有する伝送線路部分2
3aとから構成されている。また、伝送線路部分23aには
共振器部分24と伝送線路部分23aとの整合を取るための
整合回路部分25が設けられている。
【００５４】このようにして形成された非可逆回路素子
本体35は、例えば図15に示すように凹部の設けられた基
板18の凹部内に、誘電体基板11側を下にして配置され、
磁性体基板12上における電極パターン20の共振器部分24
に対応する位置に磁石31が配置される。そして、伝送線
路部分23aの端部と基板18に形成された電極ライン19と
がワイヤボンディングや、接続電極などにより接続され
る。このとき、磁性体基板12は少なくとも電極パターン
20の共振器部分24上に存在すれば良く、誘電体基板11よ
り一回り小さい磁性体基板12を用いることで、伝送線路
部分23aの端部が表面に現れて基板28の電極ライン19と
接続することができる。
【００５５】本実施例の非可逆回路素子本体35を形成す
る際には、まず電極パターン20における共振器部分24に
あたる位置の誘電体基板11上に低誘電率膜14を形成す
る。そして、低誘電率膜14を含む誘電体基板11上に共振
器部分24、伝送線路部分23aからなる電極パターン20を
形成し、さらに磁性体基板12を接着する。この方法によ
り電極パターン20を一度に形成することができ、容易に
非可逆回路素子30aを製造することができる。また、非
可逆回路素子本体の別の形成方法としては、上述した図
7のような構成を用いることが考えられる。すなわち、
低誘電率基板の一方の面に共振器部分となる電極パター
ンを形成し、他方面に伝送線路部分となる電極パターン
を形成する。そして、表裏面の電極パターンをスルーホ
ールなどにより接続してから、共振器部分の面側に磁性
体基板を、伝送線路部分の面側に誘電体基板を接着す
る。この方法によっても電極パターンを一度に形成する
ことができ、容易に非可逆回路素子を製造することがで
きる。
【００５６】さらに、本発明の非可逆回路素子の別の実
施例を図16、17に基づいて説明する。なお、図16は本実
施例の非可逆回路素子の分解斜視図であり、図17はA'−
A'線断面図である。図16、17に示すように本実施例の非
可逆回路素子30bは、誘電体基板11と磁性体基板12と磁
石31とから構成されており、誘電体基板11には互いに12
0°の交差角を有する三つの伝送線路部分23bからなる電
極パターン20が形成され、磁性体基板12にも互いに120
°の交差角を有する非可逆回路部27となる電極パターン
20が形成されている。さらに、伝送線路部分23bには整
合回路部分25が形成されている。そして、誘電体基板11
における電極パターン20が形成された面と、磁性体基板
12における電極パターン20が形成された面とが対向する
ように配置し、誘電体基板11の伝送線路部分23bと磁性
体基板12の非可逆回路部27とを三ヶ所でそれぞれ接続す
る。このような接続を行う際には、例えば磁性体基板12
に形成された非可逆回路部27の三つの端点にはんだバン
プや金バンプを形成し、その磁性体基板12をいわゆるフ
リップチップ実装にて誘電体基板11上に実装する。な
お、図16には示していないが誘電体基板11上には非可逆
回路素子の他に種々の機能素子が形成されており、それ
らがそれぞれ接続されて回路が構成されている。
【００５７】上記実施例の非可逆回路素子においては、
図14、17に示すように、非可逆回路素子本体35の電極パ
ターン20における共振器部分24および非可逆回路部27が
磁性体基板12側に近づいており、伝送線路部分23aは誘
電体基板11側に近づいている。伝送線路部分23aを誘電
体基板11に近づけることにより伝送線路部分23aにおけ
る伝搬損失は低減し、同じ特性の従来のものに比べて小
型化できる。一方、共振器部分24、非可逆回路部23bを
磁性体基板12に近づけることにより非可逆性が向上す
る。また、先の実施例においては電極パターン20の共振
器部分24と誘電体基板11との間に低誘電率物質14が存在
することにより、共振器部分24と誘電体基板11との距離
が大きくなるので、例えば誘電体基板11に凸部を形成し
て共振器部分24が磁性体基板12に近づく場合に比べて、
共振器部分24と誘電体基板11との結合がさらに弱まり、
非可逆回路素子30aの非可逆性が向上する。また、後の
実施例においては電極パターン20が形成された磁性体基
板12を必要な部分にのみフリップチップ実装すればよい
ので、磁性体基板12の無駄が無くなる。また、汎用のバ
ンプ接続などのフリップチップ実装技術を用いることが
可能で、製造が容易になる。
【００５８】なお、上述の非可逆回路素子においては、
三端子のものを用いて説明したが、三端子のうちの一端
に終端抵抗を接続してアイソレータとしたものや、二端
子のアイソレータにも本発明は適用できる。
【００５９】次に、同一基板上に複数の素子を形成した
回路モジュールに本発明を適用した例を、図18、19に基
づいて説明する。なお、図18は本実施例の回路モジュー
ルの平面図であり、図19は図18におけるB−B線断面図で
ある。図18、19に示すように本実施例の回路モジュール
36は、機能素子としての非可逆回路素子30c部分と分岐
回路37部分とから構成されている。非可逆回路素子30c
は一つの端子に抵抗膜38が接続されたアイソレータであ
り、一方、分岐回路37は容量素子部21aとインダクタン
ス素子部22aと抵抗膜38とから構成されている。
【００６０】このような回路モジュール36を形成する際
には、まずアース電極13が形成された誘電体基板11上の
所定の部分、つまり非可逆回路素子30cの共振器部分24
や分岐回路37のインダクタンス素子部22aとなる部分に
低誘電率膜14を形成し、低誘電率膜14を含む誘電体基板
11上に非可逆回路素子30cおよび分岐回路37の電極パタ
ーン20を形成する。また、非可逆回路素子30cおよび分
岐回路37それぞれに抵抗膜38を形成する。そして、非可
逆回路素子30cの共振器部分24や分岐回路37のインダク
タンス素子部22aの電極上にアース電極13が形成された
磁性体基板12を接着して、さらに非可逆回路素子30cの
共振器部分24の磁性体基板12上には直流磁界を印加する
ための磁石31を配置する。なお、磁性体基板は本実施例
のように所定部分のみに形成してもよいし、誘電体基板
と同形のものを用いても構わない。また、本実施例のよ
うな回路モジュールを形成する際には、上述のように誘
電体基板上に低誘電率膜を形成して、低誘電率膜上にイ
ンダクタンス素子部や非可逆回路素子の共振器部分を形
成する方法を用いても構わないが、低誘電率基板の表裏
面に所定の電極パターンを形成して両者をスルーホール
で導通させ、その低誘電率基板を誘電体基板と磁性体基
板とで挟む、図7に示したような形成方法を用いても構
わない。
【００６１】さらに、本発明の前述のものとは異なる通
信機装置60aを、図20に基づいて説明する。なお、図20
は本発明の通信機装置の概略図である。図20に示すよう
に、本実施例の通信機装置60aは、送信用フィルタおよ
び受信用フィルタからなるデュプレクサ40aと、デュプ
レクサ40aのアンテナ接続用手段に接続されるアンテナ5
3と、デュプレクサ40aの送信用フィルタ側の入出力手段
に接続される送信用回路51と、デュプレクサの受信用フ
ィルタ側の入出力手段に接続される受信用回路52とから
構成されている。
【００６２】送信用回路51にはパワーアンプ（PA）があ
り、送信信号はパワーアンプにより増幅され、アイソレ
ータを経由した後、送信用フィルタを通してアンテナ53
から発信される。また、受信信号はアンテナ53から受信
用フィルタを通して受信用回路52に与えられ、受信用回
路52におけるローノイズアンプ（LNA）やフィルタ（R
X）などを通過した後、ミキサ（MIX）へ入力される。一
方、フェーズロックループ（PLL）による局部発振器
は、発振器（VCO）とディバイダ（DV）とからなり、ロ
ーカル信号をミキサへ出力する。そして、ミキサから中
間周波数が出力される。このように構成することによ
り、低伝搬損失で非可逆性の良い非可逆回路素子を用い
て、小型化した通信機装置60aを提供できる。
【００６３】なお、本発明の通信機装置は上記の実施例
に限るものではなく、例えば図21や図22のような通信機
装置60b、60cにも本発明は適用できる。すなわち、図21
に示す通信機装置60bは、アンテナ53と、アンテナ53に
接続されるサーキュレータ（CIR）と、サーキュレータ
（CIR）に接続される送信用回路51と受信用回路52とか
ら構成されている。送信用回路にはパワーアンプ（PA）
などが組み込まれ、受信用回路にはローノイズアンプ
（LNA）などが組み込まれている。また、図22に示す通
信機装置60cは、送信用回路に組み込まれているパワー
アンプ（PA）とそれに接続されるミキサ（MIX）、およ
び受信用回路に組み込まれているローノイズアンプ（LN
A）とそれに接続されるミキサ（MIX）、ならびに両ミキ
サ（MIX）に接続されるディバイダ（DIV）、そしてディ
バイダ（DIV）に接続される発振器（VCO）とから構成さ
れ、ディバイダ（DIV）と発振器（VCO）との間にアイソ
レータ（ISO）が接続されている。
【００６４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体基
板と、磁性体基板と、それらの間に挟まれる電極とから
なる複合回路基板において、所定の位置の電極を誘電体
基板側に近づけ、別の位置の電極を磁性体基板側に近づ
けた。これにより、例えば電極のインダクタンス素子部
を磁性体基板側に近づけ、容量素子部を誘電体基板側に
近づけると、インダクタンス値、容量値が大きくなり、
同じ特性ならば小型化できる。また、伝送線路や抵抗な
どをも含めた電極において、誘電体基板と磁性体基板と
の位置関係を低誘電率膜の厚みによって微妙に設計でき
るので、要求される特性を容易に満たすことができる。
【００６５】また、本発明の非可逆回路素子によれば、
非可逆回路素子本体の誘電体基板と磁性体基板とに挟ま
れる電極のうち、共振器部分を磁性体基板側に近づけ、
伝送線路部分を誘電体基板側に近づけた。これにより、
伝送線路部分の伝搬損失が低減し、さらに、同じ特性で
あるならば、従来のものに比べて小型化できる。また、
共振器部分が磁性体基板側に近づいているので、非可逆
回路素子の非可逆性が向上する。さらに、電極の共振器
部分と誘電体基板との間に低誘電率物質を配置すると、
例えば誘電体基板に凸部を形成して共振器部分が磁性体
基板に近づく場合に比べて共振器部分と誘電体基板との
結合が弱まり、さらに非可逆性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複合回路基板の平面図である。
【図２】図1におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】本発明の第二の実施例における複合回路基板の
断面図である。
【図４】シミュレーション方法を示す概念図である。
【図５】ギャップと容量、ギャップとインダクタンスと
の関係を表す図である。
【図６】本発明の変形例を示す断面図である、
【図７】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図９】図8におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図１０】本発明のデュプレクサの平面図である。
【図１１】図10におけるＺ−Ｚ線断面図である。
【図１２】本発明の通信機装置の概略図である。
【図１３】本発明における他の非可逆回路素子を示す平
面図である。
【図１４】図13におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】図13の非可逆回路素子が、基板の凹部に配置
された状態を示す断面図である。
【図１６】本発明のさらに他の非可逆回路素子の分解射
視図である。
【図１７】図16におけるA'−A'線断面図である。
【図１８】本発明の回路モジュールの平面図である。
【図１９】図18のおけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図２０】本発明における他の通信機装置を示す概略図
である。
【図２１】本発明における他の通信機装置を示す概略図
である。
【図２２】本発明における他の通信機装置を示す概略図
である。
【図２３】従来の複合回路基板の平面図である。
【図２４】図23のおけるＷ−Ｗ線断面図である。
【符号の説明】
10,10a,10b,10c,10d複合回路基板 11 誘電体基板 12 磁性体基板 13 アース電極 14 低誘電率物質、低誘電率膜、低誘電
率基板 15 低誘電率基板体 16a 入出力電極 16b 接続電極 17 スルーホール 18 基板 19 電極ライン 20 電極、電極パターン、中心電極 21,21a 容量素子部 22,22a インダクタンス素子部 23 伝送線路部 23a 伝送線路部分 24 共振器部分 25 整合回路 26 絶縁膜 27 非可逆回路部 30,30a,30b,30c 非可逆回路素子 31 磁石 32 ケース 35 非可逆回路素子本体 36 回路モジュール 37 分岐回路 38 抵抗膜 40 デュプレクサ 41,42 入出力接続用手段 43 アンテナ接続用手段 50a 第一フィルタ部 50b 第二フィルタ部 51 送信用回路 52 受信用回路 53 アンテナ 60,60a,60b,60c 通信機装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｇ (56)参考文献 特開 平７−135403（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−64201（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−95404（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/08 H01P 1/203 H01P 1/213 H01P 1/36 H01P 1/383 H01P 11/00

Claims (25)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板と間隔を隔て
    て配置された磁性体基板と、前記誘電体基板と前記磁性
    体基板との間に形成された電極とを含んでなる複合回路
    基板であって、 前記電極が、所定の位置において前記誘電体基板側に相
    対的に近づいており、前記所定の位置とは異なる他の位
    置において前記磁性体基板側に相対的に近づいているこ
    とを特徴とする複合回路基板。
  2. 【請求項２】前記電極が、所定の位置において前記誘電
    体基板に密接または近接しており、前記所定の位置とは
    異なる他の位置において前記磁性体基板側に密接または
    近接していることを特徴とする請求項1記載の複合回路
    基板。
  3. 【請求項３】前記磁性体基板側に近い電極と前記誘電体
    基板との間に、該誘電体基板の誘電率よりも低い誘電率
    を有する物質が配置されていることを特徴とする請求項
    1または2記載の複合回路基板。
  4. 【請求項４】前記誘電体基板側に近い電極と、前記磁性
    体基板側に近い電極とが一体で形成されていることを特
    徴とする請求項1、2または3記載の複合回路基板。
  5. 【請求項５】スルーホールにより導通された表面電極と
    裏面電極とを有する基板が、前記誘電体基板と前記磁性
    体基板との間に配置されていることを特徴とする請求項
    1、2または3記載の複合回路基板。
  6. 【請求項６】前記誘電体基板側に近い電極で容量素子が
    形成され、前記磁性体基板に近い電極でインダクタンス
    素子が形成されていることを特徴とする請求項1、2、
    3、4または5記載の複合回路基板。
  7. 【請求項７】少なくとも前記誘電体基板に近い電極が存
    在する部分に、部分的に誘電体基板が配置されている、
    あるいは少なくとも前記磁性体基板に近い電極が存在す
    る部分に、部分的に磁性体基板が配置されていることを
    特徴とする請求項1〜6記載の複合回路基板。
  8. 【請求項８】互いに交差する複数のインダクタンス素子
    部、および該インダクタンス素子部に接続される容量素
    子部を有する請求項6または7記載の複合回路基板と、直
    流磁界を印加するための磁石とを含んでなることを特徴
    とする非可逆回路素子。
  9. 【請求項９】請求項1ないし7記載の複合回路基板の前記
    誘電体基板と前記磁性体基板との間に配置される電極で
    容量素子およびインダクタンス素子を形成し、共振回路
    を構成したことを特徴とする共振器。
  10. 【請求項１０】請求項9記載の共振器と、入出力接続用
    手段とを含んでなることを特徴とするフィルタ。
  11. 【請求項１１】少なくとも二つのフィルタと、該フィル
    タのそれぞれに接続される入出力接続用手段と、前記フ
    ィルタに共通的に接続されるアンテナ接続用手段とを含
    んでなるデュプレクサであって、 前記フィルタの少なくとも一つが請求項10記載のフィル
    タであることを特徴とするデュプレクサ。
  12. 【請求項１２】請求項11記載のデュプレクサと、該デュ
    プレクサの少なくとも一つの入出力接続用手段に接続さ
    れる送信用回路と、該送信用回路に接続される前記入出
    力接続用手段と異なる少なくとも一つの入出力接続用手
    段に接続される受信用回路と、前記デュプレクサのアン
    テナ接続用手段に接続されるアンテナとを含んでなるこ
    とを特徴とする通信機装置。
  13. 【請求項１３】請求項1〜7記載の複合回路基板を用いて
    形成された少なくとも一つの機能素子を有することを特
    徴とする回路モジュール。
  14. 【請求項１４】誘電体基板と、該誘電体基板と間隔を隔
    てて配置された磁性体基板と、共振器部分と伝送線路部
    分とからなり前記誘電体基板と前記磁性体基板との間に
    形成された電極と、直流磁界を印加するための磁石とを
    含んでなる非可逆回路素子であって、 前記電極の伝送線路部分において前記誘電体基板側に相
    対的に近づいており、前記電極の共振器部分において前
    記磁性体基板側に相対的に近づいていることを特徴とす
    る非可逆回路素子。
  15. 【請求項１５】前記電極の伝送線路部分において前記誘
    電体基板に密接または近接しており、前記電極の共振器
    部分において前記磁性体基板側に密接または近接してい
    ることを特徴とする請求項14記載の非可逆回路素子。
  16. 【請求項１６】前記磁性体基板側に近い電極の共振器部
    分と前記誘電体基板との間に、該誘電体基板の誘電率よ
    りも低い誘電率を有する物質が配置されていることを特
    徴とする請求項14または15記載の非可逆回路素子。
  17. 【請求項１７】スルーホールにより導通された表面電極
    と裏面電極とを有する基板が、前記誘電体基板と前記磁
    性体基板との間に配置されていることを特徴とする請求
    項14、15または16記載の非可逆回路素子。
  18. 【請求項１８】少なくとも伝送線路部分となる電極が存
    在する部分に、部分的に誘電体基板が配置されている、
    あるいは少なくとも共振器部分となる電極が存在する部
    分に、部分的に磁性体基板が配置されていることを特徴
    とする請求項14〜17記載の非可逆回路素子。
  19. 【請求項１９】請求項14ないし18記載の非可逆回路素子
    と、送信用回路および受信用回路と、アンテナとを含ん
    でなることを特徴とする通信機装置。
  20. 【請求項２０】 誘電体基板を用意する工程と、該誘電
    体基板の誘電率よりも低い誘電率を有する物質で、前記
    誘電体基板上の一部に低誘電率膜を形成する工程と、前
    記低誘電率膜上および前記誘電体基板上に電極パターン
    を形成する工程と、前記誘電体基板の、前記電極パター
    ンが形成されている面に磁性体基板を接合する工程とを
    含んでなることを特徴とする複合回路基板の製造方法。
  21. 【請求項２１】誘電体基板を用意する工程と、磁性体基
    板を用意する工程と、前記誘電体基板の誘電率よりも低
    い誘電率を有する低誘電率基板の表裏面に電極パターン
    を形成し、表面電極と裏面電極とをスルーホールで導通
    させる工程と、前記低誘電率基板を挟むように前記誘電
    体基板と前記磁性体基板を接着する工程とを含んでなる
    ことを特徴とする複合回路基板の製造方法。
  22. 【請求項２２】誘電体基板を用意する工程と、前記誘電
    体基板に電極パターンを形成する工程と、磁性体基板を
    用意する工程と、前記磁性体基板に電極パターンを形成
    する工程と、前記誘電体基板の電極パターン面と前記磁
    性体基板の電極パターン面とが対向し、さらに所定の接
    続部分において前記誘電体基板の電極パターンと前記磁
    性体基板の電極パターンとが対向するように配置し、前
    記所定の接続部分で前記誘電体基板の電極パターンと前
    記磁性体基板の電極パターンとを接続する工程とを含ん
    でなることを特徴とする複合回路基板の製造方法。
  23. 【請求項２３】誘電体基板を用意する工程と、該誘電体
    基板の誘電率よりも低い誘電率を有する物質で、前記誘
    電体基板に低誘電率膜を形成する工程と、前記低誘電率
    膜が形成された誘電体基板の前記低誘電率膜形成部分に
    共振器部分、その他の部分に伝送線路部分となるように
    電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンが形
    成された誘電体基板に磁性体基板を接着する工程と、直
    流磁界を印加するための磁石を用意し配置する工程とを
    含んでなることを特徴とする非可逆回路素子の製造方
    法。
  24. 【請求項２４】誘電体基板を用意する工程と、磁性体基
    板を用意する工程と、前記誘電体基板の誘電率よりも低
    い誘電率を有する低誘電率基板の表裏面に共振器部分と
    伝送線路部分となる電極パターンを形成し、表面電極と
    裏面電極とをスルーホールで導通させる工程と、前記低
    誘電率基板を挟むように前記誘電体基板と前記磁性体基
    板を、前記電極パターンの共振器部分側に磁性体基板、
    前記電極パターンの伝送線路部分側に誘電体基板となる
    ように接着する工程と、直流磁界を印加するための磁石
    を用意し配置する工程とを含んでなることを特徴とする
    非可逆回路素子の製造方法。
  25. 【請求項２５】誘電体基板を用意する工程と、前記誘電
    体基板に伝送線路部分となる電極パターンを形成する工
    程と、磁性体基板を用意する工程と、前記磁性体基板に
    共振器部分となる電極パターンを形成する工程と、前記
    誘電体基板の電極パターン面と前記磁性体基板と電極パ
    ターン面とが対向し、さらに所定の接続部分において前
    記誘電体基板の電極パターンと前記磁性体基板の電極パ
    ターンとが対向するように配置し、前記所定の接続部分
    で前記誘電体基板の電極パターンと前記磁性体基板の電
    極パターンとを接続する工程と、直流磁界を印加するた
    めの磁石を用意し配置する工程とを含んでなることを特
    徴とする非可逆回路素子の製造方法。
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