JP3359067B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10515—Reproducing
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱磁気的に記録を行な
い、磁気カー効果を利用して読出しを行なう光磁気記録
方法に関し、特に重ね書きと同時に記録情報を読出して
ベリファイを行なう光磁気記録方法に関するものであ
る。
い、磁気カー効果を利用して読出しを行なう光磁気記録
方法に関し、特に重ね書きと同時に記録情報を読出して
ベリファイを行なう光磁気記録方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より消去可能な光メモリとして、光
磁気メモリが知られている。この光磁気メモリは、磁気
ヘッドのみを用いた磁気記録方式と比べて高密度記録、
情報記録面に非接触での記録再生が可能であるという長
所がある反面、次の２つの問題がある。即ち、記録に先
立って前の情報を消去する必要があるため、記録速度が
遅くなり、また記録時にベリファイ（記録情報の確認）
が出来ないという問題である。この問題を補うために、
消去、記録、ベリファイを３個の光ヘッドで分担して同
時に行なう方法があるが、この方法では装置が大がかり
になり、コスト高になる。そこで、記録速度を速めるた
めに、以前の旧情報の上から新たな情報を重ね書きする
という重ね書き方式が知られている。この重ね書き方式
としては、例えばレーザーの連続ビームを照射すると同
時に磁界を変調しながら印加して記録を行なう磁界変調
重ね書き方式、あるいは交換結合積層膜を用いてレーザ
ービームのパワーを変化させて重ね書きを行なう光変調
重ね書き方式などが提案されている。しかしながら、そ
れらの方式では、ベリファイは記録後に改めて行なう必
要があるので、やはり記録速度が遅いという光磁気メモ
リの課題は十分には解決できていない。
磁気メモリが知られている。この光磁気メモリは、磁気
ヘッドのみを用いた磁気記録方式と比べて高密度記録、
情報記録面に非接触での記録再生が可能であるという長
所がある反面、次の２つの問題がある。即ち、記録に先
立って前の情報を消去する必要があるため、記録速度が
遅くなり、また記録時にベリファイ（記録情報の確認）
が出来ないという問題である。この問題を補うために、
消去、記録、ベリファイを３個の光ヘッドで分担して同
時に行なう方法があるが、この方法では装置が大がかり
になり、コスト高になる。そこで、記録速度を速めるた
めに、以前の旧情報の上から新たな情報を重ね書きする
という重ね書き方式が知られている。この重ね書き方式
としては、例えばレーザーの連続ビームを照射すると同
時に磁界を変調しながら印加して記録を行なう磁界変調
重ね書き方式、あるいは交換結合積層膜を用いてレーザ
ービームのパワーを変化させて重ね書きを行なう光変調
重ね書き方式などが提案されている。しかしながら、そ
れらの方式では、ベリファイは記録後に改めて行なう必
要があるので、やはり記録速度が遅いという光磁気メモ
リの課題は十分には解決できていない。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】ところで、記録速
度が遅いという光磁気メモリの欠点を解決するには、重
ね書きと同時にベリファイを行なうのが有効な方法であ
る。この方法の場合、ベリファイは、記録時に光磁気記
録媒体に照射するレーザービームの反射光を検出し、そ
れより記録情報の再生を行ない、再生情報と記録情報と
の一致、不一致を調べることによって行なわれる。しか
し、従来の光変調重ね書き方式では、記録中の光磁気記
録媒体からの反射光は記録情報によって変調されている
ので（レーザービームが変調されているため）、記録中
に同時にベリファイを行なうことは非常に困難である。
また、磁界変調重ね書き方式にあっては、記録光の中心
付近より前方は、光磁気記録媒体の記録層の温度が記録
が行なわれるのに十分な温度まで上昇しないために、旧
情報が残ってしまう。そのため、記録時の光磁気記録媒
体からの反射光には古い記録情報からのクロストークが
激しく混入し、やはり記録中に同時にベリファイを行な
うことは困難であった。
度が遅いという光磁気メモリの欠点を解決するには、重
ね書きと同時にベリファイを行なうのが有効な方法であ
る。この方法の場合、ベリファイは、記録時に光磁気記
録媒体に照射するレーザービームの反射光を検出し、そ
れより記録情報の再生を行ない、再生情報と記録情報と
の一致、不一致を調べることによって行なわれる。しか
し、従来の光変調重ね書き方式では、記録中の光磁気記
録媒体からの反射光は記録情報によって変調されている
ので（レーザービームが変調されているため）、記録中
に同時にベリファイを行なうことは非常に困難である。
また、磁界変調重ね書き方式にあっては、記録光の中心
付近より前方は、光磁気記録媒体の記録層の温度が記録
が行なわれるのに十分な温度まで上昇しないために、旧
情報が残ってしまう。そのため、記録時の光磁気記録媒
体からの反射光には古い記録情報からのクロストークが
激しく混入し、やはり記録中に同時にベリファイを行な
うことは困難であった。
【０００４】本発明は、上記従来の欠点を解消するため
になされたもので、旧情報のクロストークの影響を受け
ることなく重ね書きと同時に記録情報のベリファイを行
なえるようにした光磁気記録方法を提供することを目的
としたものである。
になされたもので、旧情報のクロストークの影響を受け
ることなく重ね書きと同時に記録情報のベリファイを行
なえるようにした光磁気記録方法を提供することを目的
としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、キュリ
ー温度Ｔ1 、保磁力Ｈ1 の第１磁性層と、前記キュリー
温度Ｔ1 より高いキュリー温度Ｔ2 と保磁力Ｈ1 より小
さな保磁力Ｈ2 を有する第２磁性層を少なくとも有し、
室温においてＨ1 ＞σW12 ／２ＭS1ｈ1 ，Ｈ2＞σW12
／２ＭS2ｈ2 （σW12 ；第１磁性層と第２磁性層との間
の界面磁壁エネルギー、ＭS1；第１磁性層の飽和磁気モ
ーメント、ＭS2；第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｈ
1 ；第１磁性層の膜厚、ｈ2 ；第２磁性層の膜厚）を満
足する光磁気記録媒体に情報の記録を行なう光磁気記録
方法において、初期化磁界を用いて前記第２磁性層のみ
を初期化するステップと、前記第２磁性層が初期化され
た後、前記媒体上に光ビームを照射するステップと、前
記光ビームの照射部位に情報に応じて変調された外部磁
界を印加するステップと、前記光ビームの照射部位にお
ける前記光ビームの進行方向前方部分において前記第2
磁性層の初期化された磁化を前記第1磁性層に転写する
ステップと、前記光ビームの照射部位における中央部分
において前記第1磁性層 、 第2磁性層の磁化をともに前記
外部磁界の方向に配向させるステップと、前記照射ステ
ップにて光ビームを前記媒体に照射した際に生じる反射
光を検出し、前記光ビーム照射部位に記録された情報を
再生するステップと、前記再生ステップにて再生された
記録情報に基づいて前記媒体に情報の記録が正確に行な
われたかを判別するステップとを有することを特徴とす
る光磁気記録方法によって達成される。
ー温度Ｔ1 、保磁力Ｈ1 の第１磁性層と、前記キュリー
温度Ｔ1 より高いキュリー温度Ｔ2 と保磁力Ｈ1 より小
さな保磁力Ｈ2 を有する第２磁性層を少なくとも有し、
室温においてＨ1 ＞σW12 ／２ＭS1ｈ1 ，Ｈ2＞σW12
／２ＭS2ｈ2 （σW12 ；第１磁性層と第２磁性層との間
の界面磁壁エネルギー、ＭS1；第１磁性層の飽和磁気モ
ーメント、ＭS2；第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｈ
1 ；第１磁性層の膜厚、ｈ2 ；第２磁性層の膜厚）を満
足する光磁気記録媒体に情報の記録を行なう光磁気記録
方法において、初期化磁界を用いて前記第２磁性層のみ
を初期化するステップと、前記第２磁性層が初期化され
た後、前記媒体上に光ビームを照射するステップと、前
記光ビームの照射部位に情報に応じて変調された外部磁
界を印加するステップと、前記光ビームの照射部位にお
ける前記光ビームの進行方向前方部分において前記第2
磁性層の初期化された磁化を前記第1磁性層に転写する
ステップと、前記光ビームの照射部位における中央部分
において前記第1磁性層 、 第2磁性層の磁化をともに前記
外部磁界の方向に配向させるステップと、前記照射ステ
ップにて光ビームを前記媒体に照射した際に生じる反射
光を検出し、前記光ビーム照射部位に記録された情報を
再生するステップと、前記再生ステップにて再生された
記録情報に基づいて前記媒体に情報の記録が正確に行な
われたかを判別するステップとを有することを特徴とす
る光磁気記録方法によって達成される。
【０００６】
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。 （第１実施例）まず、図１に基づいて本発明の光磁気記
録方法を行なう光磁気記録装置の構成を説明する。図１
において、１０は情報を光と磁気の相互作用によって記
録する光磁気記録媒体である。尚、光磁気記録媒体１０
はディスク状の形状を有する光磁気ディスクであり、図
示しないスピンドルモータの駆動により一定速度で回転
する。この光磁気記録媒体１０は交換結合した２層の磁
性層（垂直磁化膜）を有し、光透過性の透光性基板１上
に第１磁性層２、第２磁性層３が順次積層されている。
４は内部に光源や各種レンズあるいは光検出器などの光
学素子が内蔵された光ピックアップで、光磁気記録媒体
１０に記録用光ビーム（連続光）を照射したり、あるい
は再生用ビームを照射してその反射光を検出する。５は
記録時に光ピックアップ４で検出された光磁気記録媒体
１０からの反射光を用いて、記録が正しく行なわれたか
どうかを調べるベリファイ（媒体に情報が正しく記録さ
れたか否かの確認）を行ない、記録不良を検出するため
の記録不良検出回路である。また、６は光磁気記録媒体
１０を挟み、光ピックアップ４と対向して配置された記
録用磁気ヘッドである。この記録用磁気ヘッド６は、光
磁気記録媒体１０の光ピックアップ４からの記録用光ビ
ームの照射部に、記録情報に応じて変調された記録用磁
界を印加する。更に、７は光磁気記録媒体１０に記録用
光ビームが照射される前に、初期化磁界を印加するため
の初期化用磁気ヘッドである。
して詳細に説明する。 （第１実施例）まず、図１に基づいて本発明の光磁気記
録方法を行なう光磁気記録装置の構成を説明する。図１
において、１０は情報を光と磁気の相互作用によって記
録する光磁気記録媒体である。尚、光磁気記録媒体１０
はディスク状の形状を有する光磁気ディスクであり、図
示しないスピンドルモータの駆動により一定速度で回転
する。この光磁気記録媒体１０は交換結合した２層の磁
性層（垂直磁化膜）を有し、光透過性の透光性基板１上
に第１磁性層２、第２磁性層３が順次積層されている。
４は内部に光源や各種レンズあるいは光検出器などの光
学素子が内蔵された光ピックアップで、光磁気記録媒体
１０に記録用光ビーム（連続光）を照射したり、あるい
は再生用ビームを照射してその反射光を検出する。５は
記録時に光ピックアップ４で検出された光磁気記録媒体
１０からの反射光を用いて、記録が正しく行なわれたか
どうかを調べるベリファイ（媒体に情報が正しく記録さ
れたか否かの確認）を行ない、記録不良を検出するため
の記録不良検出回路である。また、６は光磁気記録媒体
１０を挟み、光ピックアップ４と対向して配置された記
録用磁気ヘッドである。この記録用磁気ヘッド６は、光
磁気記録媒体１０の光ピックアップ４からの記録用光ビ
ームの照射部に、記録情報に応じて変調された記録用磁
界を印加する。更に、７は光磁気記録媒体１０に記録用
光ビームが照射される前に、初期化磁界を印加するため
の初期化用磁気ヘッドである。
【００１０】ここで、光磁気記録媒体１０の第１磁性層
２は低いキュリー温度と大きな保磁力を有し、第２磁性
層３は高いキュリー温度と小さな保磁力を有する。ここ
で「高い」、「低い」、「大きい」、「小さい」とは各
磁性層を比較した場合の相対的な関係を表す。各磁性層
の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁
気光学効果を呈するものが利用できるが、第１磁性層２
にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ
−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ等、第２磁性層３にはＴｂ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類元素と鉄
族元素との非晶質磁性合金が好ましい。また、磁性層の
透光性基板１と反対側に放熱層を設けることにより、記
録時のベリファイ信号のＳＮ比をより一層向上させるこ
とが出来る。放熱層の材料には、熱伝導率の大きな材料
であれば利用できるが、アルミニウム、金、またはこれ
らを主成分とする合金等が好ましい。なお、透光性基板
１と磁性層の間や磁性層の該基板１と反対側に、耐久性
を向上させるための、あるいは記録感度と磁気光学効果
を向上させるための適当な誘電体層あるいは反射層を設
けてもよい。この反射層は放熱層を兼ねることもでき
る。更に第１磁性層２と第２磁性層３の間に、交換結合
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでもよい。
２は低いキュリー温度と大きな保磁力を有し、第２磁性
層３は高いキュリー温度と小さな保磁力を有する。ここ
で「高い」、「低い」、「大きい」、「小さい」とは各
磁性層を比較した場合の相対的な関係を表す。各磁性層
の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁
気光学効果を呈するものが利用できるが、第１磁性層２
にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ
−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ等、第２磁性層３にはＴｂ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類元素と鉄
族元素との非晶質磁性合金が好ましい。また、磁性層の
透光性基板１と反対側に放熱層を設けることにより、記
録時のベリファイ信号のＳＮ比をより一層向上させるこ
とが出来る。放熱層の材料には、熱伝導率の大きな材料
であれば利用できるが、アルミニウム、金、またはこれ
らを主成分とする合金等が好ましい。なお、透光性基板
１と磁性層の間や磁性層の該基板１と反対側に、耐久性
を向上させるための、あるいは記録感度と磁気光学効果
を向上させるための適当な誘電体層あるいは反射層を設
けてもよい。この反射層は放熱層を兼ねることもでき
る。更に第１磁性層２と第２磁性層３の間に、交換結合
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでもよい。
【００１１】上記初期化用磁気ヘッド７は光磁気記録媒
体１０に記録光が照射される前に、初期化磁界を光磁気
記録媒体１０に対して垂直に印加するが、この初期化磁
界は第１磁性層２の室温における保磁力よりも小さく、
かつ、第２磁性層３の室温における保磁力よりも大きく
設定されている。このような初期化用磁気ヘッド７とし
ては、光磁気記録媒体１０の記録光が照射されている位
置と同じ半径で、記録光が照射されている位置とは異な
った位置に、光磁気記録媒体１０に垂直に磁界が印加さ
れるように永久磁石または電磁石を配置すればよい。ま
た、記録不良検出回路５は記録中に光磁気記録媒体１０
からの反射光を用いて情報の書き込みが正しく行なわれ
たかどうかを調べるのであるが、具体的にはこの反射光
から光磁気信号を検出して記録信号と比較する方法、エ
ラー検出・訂正回路を用いて記録エラーの有無を調べる
方法、記録中の反射光から情報を復調して記録情報と比
較する方法などが利用できる。
体１０に記録光が照射される前に、初期化磁界を光磁気
記録媒体１０に対して垂直に印加するが、この初期化磁
界は第１磁性層２の室温における保磁力よりも小さく、
かつ、第２磁性層３の室温における保磁力よりも大きく
設定されている。このような初期化用磁気ヘッド７とし
ては、光磁気記録媒体１０の記録光が照射されている位
置と同じ半径で、記録光が照射されている位置とは異な
った位置に、光磁気記録媒体１０に垂直に磁界が印加さ
れるように永久磁石または電磁石を配置すればよい。ま
た、記録不良検出回路５は記録中に光磁気記録媒体１０
からの反射光を用いて情報の書き込みが正しく行なわれ
たかどうかを調べるのであるが、具体的にはこの反射光
から光磁気信号を検出して記録信号と比較する方法、エ
ラー検出・訂正回路を用いて記録エラーの有無を調べる
方法、記録中の反射光から情報を復調して記録情報と比
較する方法などが利用できる。
【００１２】次に、本実施例の光磁気記録方法を図２に
より具体的に説明する。図２において、光磁気記録媒体
１０を回転させると、まず最初に第２磁性層３は初期化
用磁気ヘッド７によって一方向に着磁される。このと
き、第１磁性層２の磁化方向を変化させることなく第２
磁性層３だけが一方向に着磁されるために、初期化用磁
気ヘッド７の発生する磁界Ｈi は次の（１）式を満足し
ている。
より具体的に説明する。図２において、光磁気記録媒体
１０を回転させると、まず最初に第２磁性層３は初期化
用磁気ヘッド７によって一方向に着磁される。このと
き、第１磁性層２の磁化方向を変化させることなく第２
磁性層３だけが一方向に着磁されるために、初期化用磁
気ヘッド７の発生する磁界Ｈi は次の（１）式を満足し
ている。
【００１３】
【数１】 Ｈ1 −σW12 ／２ＭS1ｈ1 ＞Ｈi ＞Ｈ2 ＋σW12 ／２ＭS2ｈ2 …（１） ただし、Ｈ1 は第１磁性層２の保磁力、Ｈ2 は第２磁性
層３の保磁力、ＭS1は第１磁性層２の飽和磁気モーメン
ト、ＭS2は第２磁性層３の飽和磁気モーメント、ｈ1 は
第１磁性層２の膜厚、ｈ2 は第２磁性層３の膜厚、σ
W12 は第１磁性層２と第２磁性層３の界面の界面磁壁エ
ネルギーである。
層３の保磁力、ＭS1は第１磁性層２の飽和磁気モーメン
ト、ＭS2は第２磁性層３の飽和磁気モーメント、ｈ1 は
第１磁性層２の膜厚、ｈ2 は第２磁性層３の膜厚、σ
W12 は第１磁性層２と第２磁性層３の界面の界面磁壁エ
ネルギーである。
【００１４】また、初期化用磁気ヘッド７の発生する磁
界Ｈi が無いところでも上記の着磁状態が保持されるた
めに、第１磁性層２と第２磁性層３は次の（２），
（３）式を満足している。
界Ｈi が無いところでも上記の着磁状態が保持されるた
めに、第１磁性層２と第２磁性層３は次の（２），
（３）式を満足している。
【００１５】
【数２】Ｈ1 ＞σW12 ／２ＭS1ｈ1 …（２）
【００１６】
【数３】Ｈ2 ＞σW12 ／２ＭS2ｈ2 …（３） この光磁気記録媒体１０がさらに回転して記録レーザー
光が照射されている領域ｄに入ると、領域ｄの内の比較
的周辺部よりの領域ｂにおいては、記録レーザー光の照
射によって第１磁性層２及び第２磁性層３の温度が上昇
して第１磁性層２の保磁力が低下し、第１磁性層２と第
２磁性層３は次の（４），（５）を満足するようにな
る。
光が照射されている領域ｄに入ると、領域ｄの内の比較
的周辺部よりの領域ｂにおいては、記録レーザー光の照
射によって第１磁性層２及び第２磁性層３の温度が上昇
して第１磁性層２の保磁力が低下し、第１磁性層２と第
２磁性層３は次の（４），（５）を満足するようにな
る。
【００１７】
【数４】Ｈ1 ＜σW12 ／２ＭS1ｈ1 −Ｈb …（４）
【００１８】
【数５】Ｈ2 ＞σW12 ／２ＭS2ｈ2 ＋Ｈb …（５） ただし、Ｈb は記録用磁気ヘッド６より印加されている
記録用磁界である。
記録用磁界である。
【００１９】すると、先ほど初期化用磁気ヘッド７によ
って一方向に着磁された第２磁性層３の磁化が第１磁性
層２にも転写されて、第１磁性層２に残っていた旧デー
タが消去される。又、記録レーザー光が照射されている
領域ｄの中心領域ｃでは、記録レーザー光の照射によっ
て第１磁性層２及び第２磁性層３の温度はさらに上昇し
ており、第２磁性層３のキュリー温度付近まで温度が上
昇して、次の（６），（７）式を満足する。
って一方向に着磁された第２磁性層３の磁化が第１磁性
層２にも転写されて、第１磁性層２に残っていた旧デー
タが消去される。又、記録レーザー光が照射されている
領域ｄの中心領域ｃでは、記録レーザー光の照射によっ
て第１磁性層２及び第２磁性層３の温度はさらに上昇し
ており、第２磁性層３のキュリー温度付近まで温度が上
昇して、次の（６），（７）式を満足する。
【００２０】
【数６】Ｈ1 ＜Ｈb …（６）
【００２１】
【数７】Ｈ2 ＜Ｈb …（７） これは、レーザー光は光軸と直交する面内においてガウ
ス分布状の強度分布を有しており、光軸近傍、すなわち
中央部の方が強度が大きいためである。そして、その温
度上昇部に記録情報を変調して得られた記録信号に基づ
いて記録用磁気ヘッド６より光磁気記録媒体１０に垂直
に上下方向の磁界を印加すると、第１磁性層２、第２磁
性層３ともに印加された磁界の向きにしたがって上また
は下向きに磁化して記録が行なわれる。このとき、記録
レーザー光の反射光は光ピックアップ４内の光検出器で
検出され、記録と同時に記録情報が読出され、ベリファ
イ用信号として再生される。この場合、記録レーザー光
の反射光には旧データが残っている領域ａからの反射光
はほとんど含まれていないため、旧データによるクロス
トークの少ない、良好なベリファイ信号を得ることがで
きる。このベリファイ信号は記録不良検出回路５に送ら
れ、ベリファイが行なわれる。
ス分布状の強度分布を有しており、光軸近傍、すなわち
中央部の方が強度が大きいためである。そして、その温
度上昇部に記録情報を変調して得られた記録信号に基づ
いて記録用磁気ヘッド６より光磁気記録媒体１０に垂直
に上下方向の磁界を印加すると、第１磁性層２、第２磁
性層３ともに印加された磁界の向きにしたがって上また
は下向きに磁化して記録が行なわれる。このとき、記録
レーザー光の反射光は光ピックアップ４内の光検出器で
検出され、記録と同時に記録情報が読出され、ベリファ
イ用信号として再生される。この場合、記録レーザー光
の反射光には旧データが残っている領域ａからの反射光
はほとんど含まれていないため、旧データによるクロス
トークの少ない、良好なベリファイ信号を得ることがで
きる。このベリファイ信号は記録不良検出回路５に送ら
れ、ベリファイが行なわれる。
【００２２】ここで、本発明の効果を定量的に検証する
ために、以下に示すような本発明の実施例と比較例の光
磁気記録媒体を作製し、本発明の光磁気記録方法と公知
の磁界変調光磁気記録方法でのベリファイ信号と旧デー
タによるクロストークを比較した。以下、その詳細につ
いて説明する。 （実験例１） （１）多元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プ
リグループの刻まれたディスク状基板をセットし、回転
させた。 （２）アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用いて、
スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに設け
た。 （３）次に、アルゴン中でＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、保磁力約１５
ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子
磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の第１磁性層を形
成した。第１磁性層のキュリー温度は１４５℃とした。 （４）次に、アルゴン中でＧｄ0.50Ｄｙ0.50、Ｆｅ、Ｃ
ｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００
Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、
キュリー温度２５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力約
２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副
格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ
0.40）の第２磁性層を形成した。 （５）最後にアルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用
いて、スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．
１５ＰａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに
設けた。 （６）次に、上記の膜形成を終えた基板に、スピンコー
ト法によって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気
記録媒体を作製した。
ために、以下に示すような本発明の実施例と比較例の光
磁気記録媒体を作製し、本発明の光磁気記録方法と公知
の磁界変調光磁気記録方法でのベリファイ信号と旧デー
タによるクロストークを比較した。以下、その詳細につ
いて説明する。 （実験例１） （１）多元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プ
リグループの刻まれたディスク状基板をセットし、回転
させた。 （２）アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用いて、
スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに設け
た。 （３）次に、アルゴン中でＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、保磁力約１５
ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子
磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の第１磁性層を形
成した。第１磁性層のキュリー温度は１４５℃とした。 （４）次に、アルゴン中でＧｄ0.50Ｄｙ0.50、Ｆｅ、Ｃ
ｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００
Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、
キュリー温度２５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力約
２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副
格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ
0.40）の第２磁性層を形成した。 （５）最後にアルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用
いて、スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．
１５ＰａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに
設けた。 （６）次に、上記の膜形成を終えた基板に、スピンコー
ト法によって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気
記録媒体を作製した。
【００２３】こうして得られた光磁気記録媒体に、図１
に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気
記録方法で記録を行ない、記録中に光ピックアップから
得られるベリファイ信号と、この記録中に得られるベリ
ファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストークを調
べた。この結果、記録不良を検出するために必要なベリ
ファイ信号に比べて、旧データによるクロストークの量
は−１０ｄＢ以下であり、記録中のベリファイが可能で
あることが確認された。 （比較実験例１）第１磁性層を設けず第２磁性層の厚さ
を８００Åとした以外は、実験例１とまったく同様の構
成の光磁気記録媒体を比較実験例１として作製した。得
られた光磁気記録媒体に、図１に示した構成から初期化
用磁気ヘッド７を取り除いた構成の公知の磁界変調光磁
気記録方法の光磁気記録装置を用いて記録を行ない、実
験例１と同様に記録中に光ピックアップから得られるベ
リファイ信号と、この記録中に得られるベリファイ信号
に漏れ込む旧データによるクロストークを調べた。この
結果、記録不良を検出するために必要なベリファイ信号
に比べて、旧データによるクロストークの量は約−３ｄ
Ｂあり、記録中のベリファイは非常に困難であることが
確認された。 （実験例２）実験例１と同様に保護層、第１磁性層、第
２磁性層まで形成した後、放熱層としてアルミニウムを
１０００Å設けた光磁気記録媒体を作製し、図１に示し
た構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気記録方
法で記録を行なった。このとき、記録中に光ピックアッ
プから得られるベリファイ信号に比べ、記録中に得られ
るベリファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストー
クは−１５ｄＢ以下であり、良好なベリファイ信号が得
られた。 （実験例３） （１）プリグループの刻まれたディスク状基板に、上記
実験例１と同様の条件でＳｉ3 Ｎ4 を保護層として１１
００Åの厚さに設けた。 （２）次に保磁力約１５ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ
0.04）の第１磁性層を膜厚１００Åで形成した。第１磁
性層のキュリー温度は１４５℃とした。 （３）次に、膜厚２００Å、キュリー温度２５０℃、補
償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の第２磁性層を形成し
た。 （４）次に、Ｓｉ3 Ｎ4 を保護層兼干渉層として３００
Åの厚さに設け、最後にアルミニウムを５００Å設け
た。
に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気
記録方法で記録を行ない、記録中に光ピックアップから
得られるベリファイ信号と、この記録中に得られるベリ
ファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストークを調
べた。この結果、記録不良を検出するために必要なベリ
ファイ信号に比べて、旧データによるクロストークの量
は−１０ｄＢ以下であり、記録中のベリファイが可能で
あることが確認された。 （比較実験例１）第１磁性層を設けず第２磁性層の厚さ
を８００Åとした以外は、実験例１とまったく同様の構
成の光磁気記録媒体を比較実験例１として作製した。得
られた光磁気記録媒体に、図１に示した構成から初期化
用磁気ヘッド７を取り除いた構成の公知の磁界変調光磁
気記録方法の光磁気記録装置を用いて記録を行ない、実
験例１と同様に記録中に光ピックアップから得られるベ
リファイ信号と、この記録中に得られるベリファイ信号
に漏れ込む旧データによるクロストークを調べた。この
結果、記録不良を検出するために必要なベリファイ信号
に比べて、旧データによるクロストークの量は約−３ｄ
Ｂあり、記録中のベリファイは非常に困難であることが
確認された。 （実験例２）実験例１と同様に保護層、第１磁性層、第
２磁性層まで形成した後、放熱層としてアルミニウムを
１０００Å設けた光磁気記録媒体を作製し、図１に示し
た構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気記録方
法で記録を行なった。このとき、記録中に光ピックアッ
プから得られるベリファイ信号に比べ、記録中に得られ
るベリファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストー
クは−１５ｄＢ以下であり、良好なベリファイ信号が得
られた。 （実験例３） （１）プリグループの刻まれたディスク状基板に、上記
実験例１と同様の条件でＳｉ3 Ｎ4 を保護層として１１
００Åの厚さに設けた。 （２）次に保磁力約１５ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ
0.04）の第１磁性層を膜厚１００Åで形成した。第１磁
性層のキュリー温度は１４５℃とした。 （３）次に、膜厚２００Å、キュリー温度２５０℃、補
償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の第２磁性層を形成し
た。 （４）次に、Ｓｉ3 Ｎ4 を保護層兼干渉層として３００
Åの厚さに設け、最後にアルミニウムを５００Å設け
た。
【００２４】上記の膜形成を終えた基板に、スピンコー
ト法によって紫外線硬化樹脂をコーティングして光磁気
記録媒体を作製し、図１に示した構成の光磁気記録装置
を用いて本発明の光磁気記録方法で記録を行なった。こ
のとき、記録中に光ピックアップから得られるベリファ
イ信号に比べ、記録中に得られるベリファイ信号に漏れ
込む旧データによるクロストークは−１５ｄＢ以下であ
り、良好なベリファイ信号が得られた。 （第２実施例）次に、本発明の光磁気記録方法の第２実
施例を図３に基づいて説明する。第１実施例と異なるの
は使用する光磁気記録媒体の構成である。即ち、第２実
施例では第１実施例における第１磁性層２と透光基板１
との間にカー効果の大きな磁性層（第１磁性層１２）を
設けることにより、再生特性を向上させたものである。
尚、第２実施例における第２磁性層１３、第３磁性層１
４は、夫々第１実施例における第１磁性層２、第２磁性
層３に対応している。また、第２実施例の透光性基板１
１は第１実施例の透光性基板１と同じである。
ト法によって紫外線硬化樹脂をコーティングして光磁気
記録媒体を作製し、図１に示した構成の光磁気記録装置
を用いて本発明の光磁気記録方法で記録を行なった。こ
のとき、記録中に光ピックアップから得られるベリファ
イ信号に比べ、記録中に得られるベリファイ信号に漏れ
込む旧データによるクロストークは−１５ｄＢ以下であ
り、良好なベリファイ信号が得られた。 （第２実施例）次に、本発明の光磁気記録方法の第２実
施例を図３に基づいて説明する。第１実施例と異なるの
は使用する光磁気記録媒体の構成である。即ち、第２実
施例では第１実施例における第１磁性層２と透光基板１
との間にカー効果の大きな磁性層（第１磁性層１２）を
設けることにより、再生特性を向上させたものである。
尚、第２実施例における第２磁性層１３、第３磁性層１
４は、夫々第１実施例における第１磁性層２、第２磁性
層３に対応している。また、第２実施例の透光性基板１
１は第１実施例の透光性基板１と同じである。
【００２５】それでは、図３を用いて本発明の第２実施
例の説明を行なう。光磁気記録媒体１１０の第１磁性層
１２は、第２磁性層１３に比べて相対的に高いキュリー
温度を有し、第３磁性層１４はその第２磁性層１３と比
べて高いキュリー温度を有する。また、室温において第
２磁性層１３の保磁力は第３磁性層１４の保磁力よりも
大きく設定されている。つまり、第１磁性層１２は高い
キュリー温度を有し、第２磁性層１３は低いキュリー温
度と大きな保磁力を有し、第３磁性層１４は高いキュリ
ー温度と小さな保磁力を有する。ここで「高い」、「低
い」、「大きい」、「小さい」とは各磁性層を比較した
場合の相対的な関係を表す。各磁性層の材料には、垂直
磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁気光学効果を呈す
るものが利用できるが、第１磁性層１２にはＧｄ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｇｄ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｐ
ｒ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ等、第２磁性層１３にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｃｏ、
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
等、第３磁性層１４にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類元素と鉄族元素との非晶質磁性
合金が好ましい。
例の説明を行なう。光磁気記録媒体１１０の第１磁性層
１２は、第２磁性層１３に比べて相対的に高いキュリー
温度を有し、第３磁性層１４はその第２磁性層１３と比
べて高いキュリー温度を有する。また、室温において第
２磁性層１３の保磁力は第３磁性層１４の保磁力よりも
大きく設定されている。つまり、第１磁性層１２は高い
キュリー温度を有し、第２磁性層１３は低いキュリー温
度と大きな保磁力を有し、第３磁性層１４は高いキュリ
ー温度と小さな保磁力を有する。ここで「高い」、「低
い」、「大きい」、「小さい」とは各磁性層を比較した
場合の相対的な関係を表す。各磁性層の材料には、垂直
磁気異方性を示し且つ比較的大きな磁気光学効果を呈す
るものが利用できるが、第１磁性層１２にはＧｄ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｇｄ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｐ
ｒ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ等、第２磁性層１３にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｃｏ、
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
等、第３磁性層１４にはＴｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類元素と鉄族元素との非晶質磁性
合金が好ましい。
【００２６】また、第１磁性層１２には垂直磁気異方性
の小さな材料、第２磁性層１３には垂直磁気異方性の大
きな材料を用いるのが好ましい。更に、磁性層の透光性
基板１１と反対側に放熱層を設けることにより、記録時
のベリファイ信号のＳＮ比をより一層向上させることが
出来る。放熱層の材料には、熱伝導率の大きな材料であ
れば利用できるが、アルミニウム、金、またはこれらを
主成分とする合金等が好ましい。なお、透光性基板１１
と磁性層の間や磁性層の該基板１１と反対側に耐久性を
向上させるための、あるいは記録感度と磁気光学効果を
向上させるための適当な誘電体層あるいは反射層を設け
てもよい。この反射層は放熱層を兼ねることもできる。
更に第２磁性層１３と第３磁性層１４の間に、交換結合
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでもよい。
の小さな材料、第２磁性層１３には垂直磁気異方性の大
きな材料を用いるのが好ましい。更に、磁性層の透光性
基板１１と反対側に放熱層を設けることにより、記録時
のベリファイ信号のＳＮ比をより一層向上させることが
出来る。放熱層の材料には、熱伝導率の大きな材料であ
れば利用できるが、アルミニウム、金、またはこれらを
主成分とする合金等が好ましい。なお、透光性基板１１
と磁性層の間や磁性層の該基板１１と反対側に耐久性を
向上させるための、あるいは記録感度と磁気光学効果を
向上させるための適当な誘電体層あるいは反射層を設け
てもよい。この反射層は放熱層を兼ねることもできる。
更に第２磁性層１３と第３磁性層１４の間に、交換結合
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでもよい。
【００２７】尚、第２実施例では、初期化用磁気ヘッド
７は、記録光が照射される前に初期化磁界を光磁気記録
媒体１１０に対して垂直に印加するが、この初期化磁界
は第２磁性層１３の室温における保磁力よりも小さく、
かつ、第３磁性層１４の室温における保磁力よりも大き
く設定されている。
７は、記録光が照射される前に初期化磁界を光磁気記録
媒体１１０に対して垂直に印加するが、この初期化磁界
は第２磁性層１３の室温における保磁力よりも小さく、
かつ、第３磁性層１４の室温における保磁力よりも大き
く設定されている。
【００２８】次に、第２実施例の光磁気記録方法を図３
により具体的に説明する。図３において、光磁気記録媒
体１１０を回転させると、まず最初に第３磁性層１４は
初期化用磁気ヘッド７によって一方向に着磁される。こ
のとき、第２磁性層１３の磁化方向を変化させることな
く第３磁性層１４だけが一方向に着磁されるために、初
期化用磁気ヘッド７の発生する磁界Ｈi は次の（８）式
を満足している。
により具体的に説明する。図３において、光磁気記録媒
体１１０を回転させると、まず最初に第３磁性層１４は
初期化用磁気ヘッド７によって一方向に着磁される。こ
のとき、第２磁性層１３の磁化方向を変化させることな
く第３磁性層１４だけが一方向に着磁されるために、初
期化用磁気ヘッド７の発生する磁界Ｈi は次の（８）式
を満足している。
【００２９】
【数８】 Ｈ2 −σW23 ／２ＭS2ｈ2 ＞Ｈi ＞Ｈ3 ＋σW23 ／２ＭS3ｈ3 …（８） 但し、Ｈ2 は第２磁性層１３の保磁力、Ｈ3 は第３磁性
層１４の保磁力、ＭS2は第２磁性層１３の飽和磁気モー
メント、ＭS3は第３磁性層１４の飽和磁気モーメント、
ｈ2 は第２磁性層１３の膜厚、ｈ3 は第３磁性層１４の
膜厚、σW23 は第２磁性層１３と第３磁性層１４の界面
の界面磁壁エネルギーである。
層１４の保磁力、ＭS2は第２磁性層１３の飽和磁気モー
メント、ＭS3は第３磁性層１４の飽和磁気モーメント、
ｈ2 は第２磁性層１３の膜厚、ｈ3 は第３磁性層１４の
膜厚、σW23 は第２磁性層１３と第３磁性層１４の界面
の界面磁壁エネルギーである。
【００３０】また、初期化用磁気ヘッド７の発生する磁
界Ｈi が無いところでも上記の着磁状態が保持されるた
めに、第２磁性層１３と第３磁性層１４は次の（９），
（１０）式を満足している。
界Ｈi が無いところでも上記の着磁状態が保持されるた
めに、第２磁性層１３と第３磁性層１４は次の（９），
（１０）式を満足している。
【００３１】
【数９】Ｈ2 ＞σW23 ／２ＭS2ｈ2 …（９）
【００３２】
【数１０】Ｈ3 ＞σW23 ／２ＭS3ｈ3 …（１０） さらに、第１磁性層１２と第２磁性層１３の界面に磁壁
ができないために、第１磁性層１２は次の（１１）を満
足している。
ができないために、第１磁性層１２は次の（１１）を満
足している。
【００３３】
【数１１】Ｈ1 ＜σW12 ／２ＭS1ｈ1 …（１１） 但し、Ｈ1 は第１磁性層１２の保磁力、ＭS1は第１磁性
層１２の飽和磁気モーメント、ｈ1 は第１磁性層１２の
膜厚、σW12 は第１磁性層１２と第２磁性層１３の界面
の界面磁壁エネルギーである。この光磁気記録媒体１１
０がさらに回転して記録レーザー光が照射されている領
域ｄに入ると、領域ｄの内の比較的周辺部よりの領域ｂ
においては、記録レーザー光の照射によって第２磁性層
１３及び第３磁性層１４の温度が上昇して第２磁性層１
３の保磁力が低下し、第２磁性層１３と第３磁性層１４
は次の（１２），（１３）式を満足するようになる。
層１２の飽和磁気モーメント、ｈ1 は第１磁性層１２の
膜厚、σW12 は第１磁性層１２と第２磁性層１３の界面
の界面磁壁エネルギーである。この光磁気記録媒体１１
０がさらに回転して記録レーザー光が照射されている領
域ｄに入ると、領域ｄの内の比較的周辺部よりの領域ｂ
においては、記録レーザー光の照射によって第２磁性層
１３及び第３磁性層１４の温度が上昇して第２磁性層１
３の保磁力が低下し、第２磁性層１３と第３磁性層１４
は次の（１２），（１３）式を満足するようになる。
【００３４】
【数１２】 Ｈ2 ＜σW23 ／２ＭS2ｈ2 −Ｈb …（１２）
【００３５】
【数１３】 Ｈ3 ＞σW23 ／２ＭS3ｈ3 ＋Ｈb …（１３） 但し、Ｈb は記録用磁気ヘッド７より印加されている記
録用磁界である。
録用磁界である。
【００３６】すると、先ほど初期化用磁気ヘッド７によ
って一方向に着磁された第３磁性層１４の磁化が第２磁
性層１３にも転写されて、第２磁性層１３に残っていた
旧データが消去される。さらにこのとき、第１磁性層１
２と第２磁性層１３の界面に磁壁ができずに、第２磁性
層１３の配向が交換相互作用によって第１磁性層１２に
も転写されるために、第１磁性層１２は次の（１４）式
を満足する。
って一方向に着磁された第３磁性層１４の磁化が第２磁
性層１３にも転写されて、第２磁性層１３に残っていた
旧データが消去される。さらにこのとき、第１磁性層１
２と第２磁性層１３の界面に磁壁ができずに、第２磁性
層１３の配向が交換相互作用によって第１磁性層１２に
も転写されるために、第１磁性層１２は次の（１４）式
を満足する。
【００３７】
【数１４】 Ｈ1 ＜σW12 ／２ＭS1ｈ1 −Ｈb …（１４） また、記録レーザー光が照射されている領域ｄの中心領
域ｃでは、記録レーザー光の照射によって第２磁性層１
３及び第３磁性層１４の温度はさらに上昇しており、第
３磁性層１４のキュリー温度付近まで温度が上昇して、
次の（１５），（１６），（１７）式を満足する。
域ｃでは、記録レーザー光の照射によって第２磁性層１
３及び第３磁性層１４の温度はさらに上昇しており、第
３磁性層１４のキュリー温度付近まで温度が上昇して、
次の（１５），（１６），（１７）式を満足する。
【００３８】
【数１５】Ｈ1 ＜Ｈb …（１５）
【００３９】
【数１６】Ｈ2 ＜Ｈb …（１６）
【００４０】
【数１７】Ｈ3 ＜Ｈb …（１７） これは、レーザー光は光軸と直交する面内においてガウ
ス分布状の強度分布を有しており、光軸近傍、すなわち
中央部の方が強度が大きいためである。そして、その温
度上昇部に記録情報を変調して得られた記録信号に基づ
いて記録用磁気ヘッド６より光磁気記録媒体１１０に垂
直に上下方向の磁界を印加すると、第１磁性層１２、第
２磁性層１３、第３磁性層１４ともに印加された磁界の
向きにしたがって上または下向きに磁化して記録が行な
われる。このとき、記録レーザー光の反射光は光ピック
アップ４内の光検出器で検出され、記録と同時に記録情
報が読出され、ベリファイ用信号として再生される。こ
の場合、第１磁性層１２はキュリー温度が比較的高く設
定されているので、記録レーザー光が照射されていても
カー効果が大きく、さらに記録レーザー光の反射光には
旧データが残っている領域ａからの反射光はほとんど含
まれていないため、旧データによるクロストークの少な
い、良好なベリファイ信号を得ることができる。このベ
リファイ信号は記録不良検出回路５に送られ、ベリファ
イが行なわれる。
ス分布状の強度分布を有しており、光軸近傍、すなわち
中央部の方が強度が大きいためである。そして、その温
度上昇部に記録情報を変調して得られた記録信号に基づ
いて記録用磁気ヘッド６より光磁気記録媒体１１０に垂
直に上下方向の磁界を印加すると、第１磁性層１２、第
２磁性層１３、第３磁性層１４ともに印加された磁界の
向きにしたがって上または下向きに磁化して記録が行な
われる。このとき、記録レーザー光の反射光は光ピック
アップ４内の光検出器で検出され、記録と同時に記録情
報が読出され、ベリファイ用信号として再生される。こ
の場合、第１磁性層１２はキュリー温度が比較的高く設
定されているので、記録レーザー光が照射されていても
カー効果が大きく、さらに記録レーザー光の反射光には
旧データが残っている領域ａからの反射光はほとんど含
まれていないため、旧データによるクロストークの少な
い、良好なベリファイ信号を得ることができる。このベ
リファイ信号は記録不良検出回路５に送られ、ベリファ
イが行なわれる。
【００４１】ここで本発明の効果を定量的に検証するた
めに、以下に示すような本発明の実施例と比較例の光磁
気記録媒体を作製し、本発明の記録方法と公知の磁界変
調光磁気記録方法でのベリファイ信号と旧データによる
クロストークを比較した。以下、その詳細について説明
する。 （実験例４） （１）多元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プ
リグループの刻まれたディスク状基板をセットし、回転
させた。 （２）アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用いて、
スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに設け
た。 （３）次に、アルゴン中でＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００Å、Ｍｓ＝５０ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 、キュリー温度３００℃以上のＦｅ−Ｃｏ
副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）の第１磁性
層を形成した。 （４）次に、アルゴン中でＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００Å、保磁力約１５
ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子
磁化優勢Ｔｂ−（（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の第２磁性層を
形成した。第２磁性層のキュリー温度は１４５℃とし
た。 （５）次に、アルゴン中でＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１００Å、Ｍｓ＝３００
ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
の中間層を形成した。この中間層は、第２磁性層と第３
磁性層間の交換結合の大きさを調節する働きをする。 （６）次に、アルゴン中でＧｄ0.50Ｄｙ0.50、Ｆｅ、Ｃ
ｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００
Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、
キュリー温度約２５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力
約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ
副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ
0.40）の第３磁性層を形成した。 （７）最後に、アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを
用いて、スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧
０．１５ＰａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚
さに設けた。 （８）上記の膜形成を終えた基板に、スピンコート法に
よって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気記録媒
体を作製した。
めに、以下に示すような本発明の実施例と比較例の光磁
気記録媒体を作製し、本発明の記録方法と公知の磁界変
調光磁気記録方法でのベリファイ信号と旧データによる
クロストークを比較した。以下、その詳細について説明
する。 （実験例４） （１）多元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プ
リグループの刻まれたディスク状基板をセットし、回転
させた。 （２）アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを用いて、
スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐ
ａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚さに設け
た。 （３）次に、アルゴン中でＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００Å、Ｍｓ＝５０ｅ
ｍｕ／ｃｍ3 、キュリー温度３００℃以上のＦｅ−Ｃｏ
副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）の第１磁性
層を形成した。 （４）次に、アルゴン中でＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００Å、保磁力約１５
ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦｅ−Ｃｏ副格子
磁化優勢Ｔｂ−（（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の第２磁性層を
形成した。第２磁性層のキュリー温度は１４５℃とし
た。 （５）次に、アルゴン中でＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００Ａ／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１００Å、Ｍｓ＝３００
ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
の中間層を形成した。この中間層は、第２磁性層と第３
磁性層間の交換結合の大きさを調節する働きをする。 （６）次に、アルゴン中でＧｄ0.50Ｄｙ0.50、Ｆｅ、Ｃ
ｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００
Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚４００Å、
キュリー温度約２５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力
約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ
副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ
0.40）の第３磁性層を形成した。 （７）最後に、アルゴン中でＳｉ3 Ｎ4 のターゲットを
用いて、スパッタ速度約４０Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧
０．１５ＰａでＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚
さに設けた。 （８）上記の膜形成を終えた基板に、スピンコート法に
よって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気記録媒
体を作製した。
【００４２】こうして得られた光磁気記録媒体に、図１
に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気
記録方法で記録を行ない、記録中に光ピックアップから
得られるベリファイ信号と、この記録中に得られるベリ
ファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストークを調
べた。この結果、記録不良を検出するために必要なベリ
ファイ信号に比べて、旧データによるクロストークの量
は−１０ｄＢ以下であり、ベリファイ信号のＳＮ比も２
０ｄＢ以上あり、記録中のベリファイが可能であること
が確認された。 （比較実験例２）ディスク状基板上にＳｉ3 Ｎ4 を保護
層として６００Åの厚さに設け、次にキュリー温度約２
５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ
＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢
（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の磁性層
を形成し、またＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚
さに設け、最後にスピンコート法によって紫外線硬化樹
脂をコーティングした光磁気記録媒体を比較実験例２と
して作製した。そして、得られた光磁気記録媒体に、図
１に示した構成から初期化用磁気ヘッド７を取り除いた
構成の公知の磁界変調光磁気記録方法の光磁気記録装置
を用いて記録を行ない、実験例４と同様に記録中に光ピ
ックアップから得られるベリファイ信号と、この記録中
に得られるベリファイ信号に漏れ込む旧データによるク
ロストークを調べた。この結果、記録不良を検出するた
めに必要なベリファイ信号に比べて、旧データによるク
ロストークの量は約−３ｄＢあり、記録中のベリファイ
は非常に困難であることが確認された。 （実験例５）実験例４と同様に保護層、第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層まで形成した後、放熱層としてア
ルミニウムを１０００Å設けた光磁気記録媒体を作製
し、図１に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明
の光磁気記録方法で記録を行なった。このとき、記録中
に光ピックアップから得られるベリファイ信号に比べ、
記録中に得られるベリファイ信号に漏れ込む旧データに
よるクロストークは、−１５ｄＢ以下であり、ベリファ
イ信号のＳＮ比も２０ｄＢ以上得られ、良好なベリファ
イ信号が得られた。 （実験例６） （１）プリグループの刻まれたディスク状基板に実験例
４と同様の条件でＳｉ3Ｎ4 を保護層として９００Åの
厚さに設けた。 （２）次に膜厚１００Å、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 、
キュリー温度３００℃以上のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢
Ｇｄ−（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）の第１磁性層を形成し、ま
た保磁力約１５ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦ
ｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の
第２磁性層を膜厚２００Åで形成した。第２磁性層のキ
ュリー温度は１４５℃とした。 （３）次に、膜厚２００Å、キュリー温度約２５０℃、
補償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００
ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50
Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の第３磁性層を形成
した。 （４）次に、Ｓｉ3 Ｎ4 を保護層兼干渉層として３００
Åの厚さに設け、最後にアルミニウムを１０００Å設け
た。 （５）上記の膜形成を終えた基板に、スピンコート法に
よって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気記録媒
体を作製した。そして、図１に示した構成の光磁気記録
装置を用いて本発明の光磁気記録方法で記録を行なっ
た。このとき、記録中に光ピックアップから得られるベ
リファイ信号に比べ、記録中に得られるベリファイ信号
に漏れ込む旧データによるクロストークは、−１５ｄＢ
以下であり、ベリファイ信号のＳＮ比も２０ｄＢ以上得
られ、良好なベリファイ信号が得られた。
に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明の光磁気
記録方法で記録を行ない、記録中に光ピックアップから
得られるベリファイ信号と、この記録中に得られるベリ
ファイ信号に漏れ込む旧データによるクロストークを調
べた。この結果、記録不良を検出するために必要なベリ
ファイ信号に比べて、旧データによるクロストークの量
は−１０ｄＢ以下であり、ベリファイ信号のＳＮ比も２
０ｄＢ以上あり、記録中のベリファイが可能であること
が確認された。 （比較実験例２）ディスク状基板上にＳｉ3 Ｎ4 を保護
層として６００Åの厚さに設け、次にキュリー温度約２
５０℃、補償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ
＝１００ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢
（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の磁性層
を形成し、またＳｉ3 Ｎ4 を保護層として６００Åの厚
さに設け、最後にスピンコート法によって紫外線硬化樹
脂をコーティングした光磁気記録媒体を比較実験例２と
して作製した。そして、得られた光磁気記録媒体に、図
１に示した構成から初期化用磁気ヘッド７を取り除いた
構成の公知の磁界変調光磁気記録方法の光磁気記録装置
を用いて記録を行ない、実験例４と同様に記録中に光ピ
ックアップから得られるベリファイ信号と、この記録中
に得られるベリファイ信号に漏れ込む旧データによるク
ロストークを調べた。この結果、記録不良を検出するた
めに必要なベリファイ信号に比べて、旧データによるク
ロストークの量は約−３ｄＢあり、記録中のベリファイ
は非常に困難であることが確認された。 （実験例５）実験例４と同様に保護層、第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層まで形成した後、放熱層としてア
ルミニウムを１０００Å設けた光磁気記録媒体を作製
し、図１に示した構成の光磁気記録装置を用いて本発明
の光磁気記録方法で記録を行なった。このとき、記録中
に光ピックアップから得られるベリファイ信号に比べ、
記録中に得られるベリファイ信号に漏れ込む旧データに
よるクロストークは、−１５ｄＢ以下であり、ベリファ
イ信号のＳＮ比も２０ｄＢ以上得られ、良好なベリファ
イ信号が得られた。 （実験例６） （１）プリグループの刻まれたディスク状基板に実験例
４と同様の条件でＳｉ3Ｎ4 を保護層として９００Åの
厚さに設けた。 （２）次に膜厚１００Å、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 、
キュリー温度３００℃以上のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢
Ｇｄ−（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）の第１磁性層を形成し、ま
た保磁力約１５ｋＯｅ、Ｍｓ＝５０ｅｍｕ／ｃｍ3 のＦ
ｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ0.96Ｃｏ0.04）の
第２磁性層を膜厚２００Åで形成した。第２磁性層のキ
ュリー温度は１４５℃とした。 （３）次に、膜厚２００Å、キュリー温度約２５０℃、
補償温度約１７０℃、保磁力約２ｋＯｅ、Ｍｓ＝１００
ｅｍｕ／ｃｍ3 のＧｄ−Ｄｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ0.50
Ｄｙ0.50）−（Ｆｅ0.60Ｃｏ0.40）の第３磁性層を形成
した。 （４）次に、Ｓｉ3 Ｎ4 を保護層兼干渉層として３００
Åの厚さに設け、最後にアルミニウムを１０００Å設け
た。 （５）上記の膜形成を終えた基板に、スピンコート法に
よって紫外線硬化樹脂をコーティングし、光磁気記録媒
体を作製した。そして、図１に示した構成の光磁気記録
装置を用いて本発明の光磁気記録方法で記録を行なっ
た。このとき、記録中に光ピックアップから得られるベ
リファイ信号に比べ、記録中に得られるベリファイ信号
に漏れ込む旧データによるクロストークは、−１５ｄＢ
以下であり、ベリファイ信号のＳＮ比も２０ｄＢ以上得
られ、良好なベリファイ信号が得られた。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光ビ
ームの照射部位における光ビームの進行方向前方部分に
おいて第2磁性層の初期化された磁化を第1磁性層に転写
し、光ビームの照射部位における中央部分において第1
磁性層 、 第2磁性層の磁化をともに外部磁界の方向に配向
させることにより、従来、反射光に混入してきていた古
い記録情報を消去できるため、記録中に同時にベリファ
イを行なうことができ、光磁気記録媒体への情報転送速
度と記録情報の信頼性をともに向上することができる。
また、装置の構成を大幅に簡単化できる。
ームの照射部位における光ビームの進行方向前方部分に
おいて第2磁性層の初期化された磁化を第1磁性層に転写
し、光ビームの照射部位における中央部分において第1
磁性層 、 第2磁性層の磁化をともに外部磁界の方向に配向
させることにより、従来、反射光に混入してきていた古
い記録情報を消去できるため、記録中に同時にベリファ
イを行なうことができ、光磁気記録媒体への情報転送速
度と記録情報の信頼性をともに向上することができる。
また、装置の構成を大幅に簡単化できる。
【図１】本発明の光磁気記録方法を行なう光磁気記録装
置の構成を示した図である。
置の構成を示した図である。
【図２】本発明の光磁気記録方法の第１実施例の記録過
程を示した図である。
程を示した図である。
【図３】本発明の光磁気記録方法の第２実施例の記録過
程を示した図である。
程を示した図である。
１ 透光性基板 ２ 第１磁性層 ３ 第２磁性層 ４ 光ピックアップ ５ 記録不良検出回路 ６ 記録用磁気ヘッド ７ 初期化用磁気ヘッド １０ 光磁気記録媒体 １２ 第１磁性層 １３ 第２磁性層 １４ 第３磁性層 １１０ 光磁気記録媒体
Claims (1)
- 【請求項１】 キュリー温度Ｔ1 、保磁力Ｈ1 の第１磁
性層と、前記キュリー温度Ｔ1 より高いキュリー温度Ｔ
2 と保磁力Ｈ1 より小さな保磁力Ｈ2 を有する第２磁性
層を少なくとも有し、室温においてＨ1 ＞σW12 ／２Ｍ
S1ｈ1 ，Ｈ2＞σW12 ／２ＭS2ｈ2 （σW12 ；第１磁性
層と第２磁性層との間の界面磁壁エネルギー、ＭS1；第
１磁性層の飽和磁気モーメント、ＭS2；第２磁性層の飽
和磁気モーメント、ｈ1 ；第１磁性層の膜厚、ｈ2 ；第
２磁性層の膜厚）を満足する光磁気記録媒体に情報の記
録を行なう光磁気記録方法において、 初期化磁界を用いて前記第２磁性層のみを初期化するス
テップと、前記第２磁性層が初期化された後、前記媒体
上に光ビームを照射するステップと、前記光ビームの照
射部位に情報に応じて変調された外部磁界を印加するス
テップと、前記光ビームの照射部位における前記光ビー
ムの進行方向前方部分において前記第2磁性層の初期化
された磁化を前記第1磁性層に転写するステップと、前
記光ビームの照射部位における中央部分において前記第
1磁性層 、 第2磁性層の磁化をともに前記外部磁界の方向
に配向させるステップと、前記照射ステップにて光ビー
ムを前記媒体に照射した際に生じる反射光を検出し、前
記光ビーム照射部位に記録された情報を再生するステッ
プと、前記再生ステップにて再生された記録情報に基づ
いて前記媒体に情報の記録が正確に行なわれたかを判別
するステップとを有することを特徴とする光磁気記録方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32625792A JP3359067B2 (ja) | 1991-11-15 | 1992-11-12 | 光磁気記録方法 |
| US07/976,340 US5353266A (en) | 1991-11-15 | 1992-11-13 | Magnetooptical recording method |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-326796 | 1991-11-15 | ||
| JP3-326795 | 1991-11-15 | ||
| JP32679691 | 1991-11-15 | ||
| JP32679591 | 1991-11-15 | ||
| JP32625792A JP3359067B2 (ja) | 1991-11-15 | 1992-11-12 | 光磁気記録方法 |
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|---|---|
| JPH05242556A JPH05242556A (ja) | 1993-09-21 |
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Family
ID=27340160
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US5353266A (ja) |
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-
1992
- 1992-11-12 JP JP32625792A patent/JP3359067B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-13 US US07/976,340 patent/US5353266A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05242556A (ja) | 1993-09-21 |
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