JP2001126332A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- G11B11/10523—Initialising
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体、特に記載された情報
信号を磁壁移動再生方式によって再生することができる
磁気記録媒体の製造方法に関し、情報信号の記録密度を
高めるために、分断領域の幅を小さくした磁壁移動再生
方式の光磁気記録媒体の製造法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 少なくとも磁性移動層3a、スイッチング
層3b、磁気記録層3cがこの順序で基板2に積層された磁
性層3を少なくとも有する磁壁移動再生方式の光磁気記
録媒体の製造方法において磁性層成膜面側から収束エネ
ルギービーム11を該磁性層に照射し、基板上で平行に同
じ間隔で走査することで、磁性層の垂直磁気異方性を低
下させた分断領域Ｓと、該分断領域に両側から挟まれ、
磁気的に分離されている帯状の記録トラックＲＴと、を
形成する工程を有する磁壁移動再生方式の光磁気記録媒
体の製造方法を提供する。
信号を磁壁移動再生方式によって再生することができる
磁気記録媒体の製造方法に関し、情報信号の記録密度を
高めるために、分断領域の幅を小さくした磁壁移動再生
方式の光磁気記録媒体の製造法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 少なくとも磁性移動層3a、スイッチング
層3b、磁気記録層3cがこの順序で基板2に積層された磁
性層3を少なくとも有する磁壁移動再生方式の光磁気記
録媒体の製造方法において磁性層成膜面側から収束エネ
ルギービーム11を該磁性層に照射し、基板上で平行に同
じ間隔で走査することで、磁性層の垂直磁気異方性を低
下させた分断領域Ｓと、該分断領域に両側から挟まれ、
磁気的に分離されている帯状の記録トラックＲＴと、を
形成する工程を有する磁壁移動再生方式の光磁気記録媒
体の製造方法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体、特に
記載された情報信号を磁壁移動再生方式によって再生す
ることができる磁気記録媒体の製造方法に関する。
記載された情報信号を磁壁移動再生方式によって再生す
ることができる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より磁気記録媒体に記載された情報
信号を再生するさまざまな方式が知られている。特に本
願出願人が特開平６−２９０４９６号公報に提案した磁
壁移動再生方式は、磁壁の移動現象を利用して情報信号
を高分解能で再生することを可能とするものである。即
ち情報信号が帯状の記録トラックに磁壁によって形成さ
れた光磁気記録媒体を使用し、再生用光ビームの照射に
よって記録トラックを加熱し、磁壁が拘束されずに移動
可能である領域を形成すると同時に、磁壁に温度の勾配
による駆動力を作用させて高速で移動させ、その移動を
検出することにより情報信号の再生を行うのである。
信号を再生するさまざまな方式が知られている。特に本
願出願人が特開平６−２９０４９６号公報に提案した磁
壁移動再生方式は、磁壁の移動現象を利用して情報信号
を高分解能で再生することを可能とするものである。即
ち情報信号が帯状の記録トラックに磁壁によって形成さ
れた光磁気記録媒体を使用し、再生用光ビームの照射に
よって記録トラックを加熱し、磁壁が拘束されずに移動
可能である領域を形成すると同時に、磁壁に温度の勾配
による駆動力を作用させて高速で移動させ、その移動を
検出することにより情報信号の再生を行うのである。
【０００３】図７にはこのような磁壁移動再生方式に使
用される従来の光磁気記録媒体３１の構成を部分拡大図
で示す。図の（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図であ
る。ここで光磁気記録媒体３１は、ポリカーボネート等
の透明な樹脂材料からなり、帯状でグループＧとランド
Ｌが交互に並列形成された基板３２、基板３２上に形成
され磁性材料から成る磁性層３３、および紫外線硬化樹
脂材料から成る保護コート３４から構成される。ランド
Ｌ上に形成された磁性層３３は、情報信号が記録される
帯状の記録トラックＲＴを構成する。磁性層３３は磁性
材料、例えばＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ等の遷移金属から成る３
層、即ち磁性移動層３３ａ、スイッチング層３３ｂ、お
よび磁気記録層３３ｃを積層した構成とされる。ここで
磁壁移動層３３ａは磁気記録層３３ｃよりも磁気抗磁力
が小さく磁気移動度が大きい垂直磁化膜であり、スイッ
チング層３３ｂは磁壁移動層３３ａおよび磁気記録層３
３ｃよりもキューリー温度が低い磁性材料の膜であり、
磁気記録層３３ｃは垂直磁化膜である。
用される従来の光磁気記録媒体３１の構成を部分拡大図
で示す。図の（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図であ
る。ここで光磁気記録媒体３１は、ポリカーボネート等
の透明な樹脂材料からなり、帯状でグループＧとランド
Ｌが交互に並列形成された基板３２、基板３２上に形成
され磁性材料から成る磁性層３３、および紫外線硬化樹
脂材料から成る保護コート３４から構成される。ランド
Ｌ上に形成された磁性層３３は、情報信号が記録される
帯状の記録トラックＲＴを構成する。磁性層３３は磁性
材料、例えばＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ等の遷移金属から成る３
層、即ち磁性移動層３３ａ、スイッチング層３３ｂ、お
よび磁気記録層３３ｃを積層した構成とされる。ここで
磁壁移動層３３ａは磁気記録層３３ｃよりも磁気抗磁力
が小さく磁気移動度が大きい垂直磁化膜であり、スイッ
チング層３３ｂは磁壁移動層３３ａおよび磁気記録層３
３ｃよりもキューリー温度が低い磁性材料の膜であり、
磁気記録層３３ｃは垂直磁化膜である。
【０００４】またグルーブＧの底面や側壁に形成された
磁性層３３は、その垂直磁気異方性を低下させた分断領
域Ｓとされる（図７の網掛部）。記録トラックＲＴとそ
の両側の分断領域Ｓは磁気的に結合しないかまたは磁気
的結合は非常に小さい。このような分断領域Ｓは高パワ
ーのレーザ光をグルーブに照射して加熱する、又はドラ
イエッチング等の方法で形成される。
磁性層３３は、その垂直磁気異方性を低下させた分断領
域Ｓとされる（図７の網掛部）。記録トラックＲＴとそ
の両側の分断領域Ｓは磁気的に結合しないかまたは磁気
的結合は非常に小さい。このような分断領域Ｓは高パワ
ーのレーザ光をグルーブに照射して加熱する、又はドラ
イエッチング等の方法で形成される。
【０００５】このような光磁気記録媒体３１の記録トラ
ックＲＴに情報信号の記録を行うと、記録トラックＲＴ
の両側に分断領域Ｓをもうけたことによって、情報信号
マークである磁壁は閉じることなく記録トラックＲＴの
両端に架かるように形成される。従って再生用光ビーム
の照射によって磁壁は容易に移動するので、磁壁移動再
生が可能となるのである。
ックＲＴに情報信号の記録を行うと、記録トラックＲＴ
の両側に分断領域Ｓをもうけたことによって、情報信号
マークである磁壁は閉じることなく記録トラックＲＴの
両端に架かるように形成される。従って再生用光ビーム
の照射によって磁壁は容易に移動するので、磁壁移動再
生が可能となるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の光磁気記録媒体
において、情報信号は記録トラックＲＴにのみ記録さ
れ、磁気特性が低下した磁性層３３で構成された分断領
域Ｓには情報信号は記録することはできない。従って情
報信号の記録密度を高めるには、分断領域Ｓの幅を小さ
くしてトラック密度を増大させることが効果的である。
従来、分断領域Ｓを形成するためにエッチングにより磁
性体を除去する方法又は、レーザービームにより磁性体
をアニールする方法が取られてきた。しかし、エッチン
グは光磁気記録媒体上に発生する金属汚染を防ぐことが
できなかった。また、レーザーアニールでは、レーザー
の収束方法、収束条件が最適化されていなかったため
に、分断領域の幅を狭めることはできなかった。
において、情報信号は記録トラックＲＴにのみ記録さ
れ、磁気特性が低下した磁性層３３で構成された分断領
域Ｓには情報信号は記録することはできない。従って情
報信号の記録密度を高めるには、分断領域Ｓの幅を小さ
くしてトラック密度を増大させることが効果的である。
従来、分断領域Ｓを形成するためにエッチングにより磁
性体を除去する方法又は、レーザービームにより磁性体
をアニールする方法が取られてきた。しかし、エッチン
グは光磁気記録媒体上に発生する金属汚染を防ぐことが
できなかった。また、レーザーアニールでは、レーザー
の収束方法、収束条件が最適化されていなかったため
に、分断領域の幅を狭めることはできなかった。
【０００７】本発明は、分断領域を形成する際のレーザ
ーの照射条件を最適化することで、分断領域幅を狭め、
従来法以上の記録密度を持つ磁壁移動再生方式の光磁気
記録媒体および、その製造方法を提供することを課題と
する。
ーの照射条件を最適化することで、分断領域幅を狭め、
従来法以上の記録密度を持つ磁壁移動再生方式の光磁気
記録媒体および、その製造方法を提供することを課題と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも磁
性移動層、スイッチング層、および磁気記録層がこの順
序で基板に積層された垂直磁気異方性を持つ磁性層を少
なくとも有する磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製
造方法において （Ａ）該基板の全面に該磁性層を形成する工程と、
（Ｂ）磁性層成膜面側から収束エネルギービームを該基
板上の磁性層に照射し、該収束エネルギービームを該基
板上で平行に同じ間隔で走査することで、該磁性層の垂
直磁気異方性を低下させた分断領域と、該分断領域に両
側から挟まれ、互いに磁気的に分離されている複数の帯
状の記録トラックと、を形成する工程を少なくとも有す
る磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法を提供
する。
性移動層、スイッチング層、および磁気記録層がこの順
序で基板に積層された垂直磁気異方性を持つ磁性層を少
なくとも有する磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製
造方法において （Ａ）該基板の全面に該磁性層を形成する工程と、
（Ｂ）磁性層成膜面側から収束エネルギービームを該基
板上の磁性層に照射し、該収束エネルギービームを該基
板上で平行に同じ間隔で走査することで、該磁性層の垂
直磁気異方性を低下させた分断領域と、該分断領域に両
側から挟まれ、互いに磁気的に分離されている複数の帯
状の記録トラックと、を形成する工程を少なくとも有す
る磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法を提供
する。
【０００９】また、本発明では、分断領域の幅Ｗｓの記
録トラックの幅Ｗｔに対する比率（Ｗｓ／Ｗｔ）をＷｓ
／Ｗｔ＜１とすることで、記録トラック密度を上げ、光
磁気記録媒体を高記録密度とすることが可能となる。よ
り望ましくは、０．１ ≦ Ｗｓ／Ｗｔ＜０．７５であ
り、最も望ましくは０．２ ≦Ｗｓ／Ｗｔ＜０．５であ
る。
録トラックの幅Ｗｔに対する比率（Ｗｓ／Ｗｔ）をＷｓ
／Ｗｔ＜１とすることで、記録トラック密度を上げ、光
磁気記録媒体を高記録密度とすることが可能となる。よ
り望ましくは、０．１ ≦ Ｗｓ／Ｗｔ＜０．７５であ
り、最も望ましくは０．２ ≦Ｗｓ／Ｗｔ＜０．５であ
る。
【００１０】Ｗｓ／Ｗｔは小さいほど記録トラック密度
を上げることができる。ただ、情報を記録する際に、隣
接する記録トラックの情報を誤って消去してしまうクロ
スイレース、情報再生時に隣接する記録トラックの情報
が混入してしまうクロストークを避けるためには、磁気
分離領域の幅は後述する下限以上とすることが望まし
い。
を上げることができる。ただ、情報を記録する際に、隣
接する記録トラックの情報を誤って消去してしまうクロ
スイレース、情報再生時に隣接する記録トラックの情報
が混入してしまうクロストークを避けるためには、磁気
分離領域の幅は後述する下限以上とすることが望まし
い。
【００１１】前記分断領域の幅Ｗｓは所望の記録密度
と、記録トラック幅Ｗｔ及びエネルギービームの収束径
Ｄとの兼ね合いで決定されるが０．０１〜０．４８μｍ
で製造することが望ましい。分断領域幅が０．０１μｍ
以上であれば、前述のクロストーク、クロスイレースは
実用上許容できるレベルまで低減可能であり、分断領域
幅が０．４８μｍ以下であれば、従来法以上の記録密度
を達成できる。
と、記録トラック幅Ｗｔ及びエネルギービームの収束径
Ｄとの兼ね合いで決定されるが０．０１〜０．４８μｍ
で製造することが望ましい。分断領域幅が０．０１μｍ
以上であれば、前述のクロストーク、クロスイレースは
実用上許容できるレベルまで低減可能であり、分断領域
幅が０．４８μｍ以下であれば、従来法以上の記録密度
を達成できる。
【００１２】分断領域幅Ｗｓは０．０４〜０．４０μｍ
であれば、より一層好ましい。
であれば、より一層好ましい。
【００１３】Ｗｓが０．０４μｍ以上であれば、隣接す
る記録トラック間を十分に磁気的に分離しておけるの
で、前述のクロストーク、クロスイレース等の問題は殆
ど起こらない。また、０．４μｍ以下であれば、より一
層記録密度を高くした上で、隣接する記録トラック間が
充分に磁気分離された光磁気記録媒体を得ることが可能
である。
る記録トラック間を十分に磁気的に分離しておけるの
で、前述のクロストーク、クロスイレース等の問題は殆
ど起こらない。また、０．４μｍ以下であれば、より一
層記録密度を高くした上で、隣接する記録トラック間が
充分に磁気分離された光磁気記録媒体を得ることが可能
である。
【００１４】前記分断領域の幅Wsは前記エネルギービー
ムの収束径Ｄの４０〜８０％とすることが望ましい。
ムの収束径Ｄの４０〜８０％とすることが望ましい。
【００１５】ここで収束径Ｄとは、エネルギービーム１
１の照射部分において、そのエネルギー密度が最大値の
１／ｅ2 となる領域の幅（直径）である。
１の照射部分において、そのエネルギー密度が最大値の
１／ｅ2 となる領域の幅（直径）である。
【００１６】エネルギービームの照射領域におけるエネ
ルギー密度の分布は通常その中心が最も高く、中心から
遠ざかるに従い減少する形状をなす。また、分断領域Ｓ
はエネルギーの照射量が所定値を越えた部分にのみ形成
されるので、エネルギービームの強度を変えることによ
り分断領域の幅Ｗｓを変えることができる。
ルギー密度の分布は通常その中心が最も高く、中心から
遠ざかるに従い減少する形状をなす。また、分断領域Ｓ
はエネルギーの照射量が所定値を越えた部分にのみ形成
されるので、エネルギービームの強度を変えることによ
り分断領域の幅Ｗｓを変えることができる。
【００１７】「従来の技術」の項でも説明したように、
分断領域Ｓには情報を記録することができないので、情
報信号の記録密度を高めるためには、分断領域Ｓの幅Ｗ
ｓを小さくしてトラック密度を増大させることが必要で
ある。そのためにはエネルギービームの密度を、その照
射量が所定値を越えた部分がなるべく小さくなるように
設定すれば良いのであるが、一方では、上記所定値を越
えた部分を小さくするほど、エネルギービームの強度の
変動に対する上記部分の変動の割合が増加し、形成する
分析領域Ｓの幅Ｗｓの変動が充分に小さくなるようにエ
ネルギービームの強度を制御するのが困難となる。
分断領域Ｓには情報を記録することができないので、情
報信号の記録密度を高めるためには、分断領域Ｓの幅Ｗ
ｓを小さくしてトラック密度を増大させることが必要で
ある。そのためにはエネルギービームの密度を、その照
射量が所定値を越えた部分がなるべく小さくなるように
設定すれば良いのであるが、一方では、上記所定値を越
えた部分を小さくするほど、エネルギービームの強度の
変動に対する上記部分の変動の割合が増加し、形成する
分析領域Ｓの幅Ｗｓの変動が充分に小さくなるようにエ
ネルギービームの強度を制御するのが困難となる。
【００１８】従って、予期せぬ大きさでエネルギービー
ム強度が揺らいだ場合でも、その影響を吸収するため
に、希望する分断領域Ｓの幅Ｗsがエネルギービーム１
１の収束径Ｄの４０〜８０％程度となるようにエネルギ
ービーム１１の強度を設定するのが望ましい。
ム強度が揺らいだ場合でも、その影響を吸収するため
に、希望する分断領域Ｓの幅Ｗsがエネルギービーム１
１の収束径Ｄの４０〜８０％程度となるようにエネルギ
ービーム１１の強度を設定するのが望ましい。
【００１９】また、前記分断領域と記録トラックに高さ
の違いがあり、該分断領域が前記エネルギービームを走
査する際のトラッキング用のガイドを兼ねていても良
い。
の違いがあり、該分断領域が前記エネルギービームを走
査する際のトラッキング用のガイドを兼ねていても良
い。
【００２０】この時、凹部と凸部のどちらを記録トラッ
クとするかは任意に選択できる。
クとするかは任意に選択できる。
【００２１】また、基板にエネルギービームのトラッキ
ング制御のための凹部又は凸部である専用領域を、情報
信号を記録するための記録領域とは別に一定の間隔で設
けておいても良い。この場合には必ずしも分断領域と記
録トラックを高さの異なる凹部または凸部とする必要は
なく、両者を同一平面上に形成しても良い。
ング制御のための凹部又は凸部である専用領域を、情報
信号を記録するための記録領域とは別に一定の間隔で設
けておいても良い。この場合には必ずしも分断領域と記
録トラックを高さの異なる凹部または凸部とする必要は
なく、両者を同一平面上に形成しても良い。
【００２２】ところで、光ビームを用いる場合、収束径
Ｄはλ／ＮＡに比例するので、収束径Ｄを小さくするた
めには、波長の短い光を開口数の大きなレンズで収束す
ればよい。ここで、λは光ビームの波長であり、ＮＡは
レンズの開口数である。
Ｄはλ／ＮＡに比例するので、収束径Ｄを小さくするた
めには、波長の短い光を開口数の大きなレンズで収束す
ればよい。ここで、λは光ビームの波長であり、ＮＡは
レンズの開口数である。
【００２３】エネルギービームとして波長が５５０ｎｍ
以下の光ビームを用いると、収束径Ｄの小さいエネルギ
ービームを得ることが容易である。波長５５０ｎｍ以下
の光としては、半導体レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（４４
２ｎｍ）、Ａｒイオンレーザ（５１５or４８８or４５８
ｎｍ）、Ｋｒイオンレーザ（４１３ｎｍ）等を用いるこ
とができる。または半導体レーザやＹＡＧレーザ等の固
体レーザー（例えば１０６４ｎｍ）の２次以上の高調波
（５３２、２６６ｎｍ等）を用いて波長λの短い光を得
ることもできる。
以下の光ビームを用いると、収束径Ｄの小さいエネルギ
ービームを得ることが容易である。波長５５０ｎｍ以下
の光としては、半導体レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（４４
２ｎｍ）、Ａｒイオンレーザ（５１５or４８８or４５８
ｎｍ）、Ｋｒイオンレーザ（４１３ｎｍ）等を用いるこ
とができる。または半導体レーザやＹＡＧレーザ等の固
体レーザー（例えば１０６４ｎｍ）の２次以上の高調波
（５３２、２６６ｎｍ等）を用いて波長λの短い光を得
ることもできる。
【００２４】さらに、光ビームを開口数ＮＡ≧０．６５
の集光レンズによって収束することでも光ビームの収束
径Ｄを小さくすることが可能となる。
の集光レンズによって収束することでも光ビームの収束
径Ｄを小さくすることが可能となる。
【００２５】また、前記光ビームとして前記磁性層表面
に近接して配置された近接場光発生素子が発生する近接
場光を用いることで光ビームの収束径Ｄを小さくするこ
とができる。
に近接して配置された近接場光発生素子が発生する近接
場光を用いることで光ビームの収束径Ｄを小さくするこ
とができる。
【００２６】光ビームの収束径Ｄは０．０５〜０．６μ
ｍの範囲であることが望ましく、この範囲であれば、分
断領域を従来法の幅以下に抑えることが可能であり、光
磁気記録媒体を高密度にすることができる。
ｍの範囲であることが望ましく、この範囲であれば、分
断領域を従来法の幅以下に抑えることが可能であり、光
磁気記録媒体を高密度にすることができる。
【００２７】ここで、特に、近接場発光素子を用いた場
合の光学系の様子を図５に示した。光源１２から発せら
れ平行光１１とされた光ビームはまず集光レンズ１３に
より収束される。さらに、基板２の表面に近接（基板と
の距離０．０１〜０．１μｍ程度）して設置された近接
場光発生素子１４、例えば屈折率が高い材料で構成され
た半球レンズ等のＳＩＬ（Solid Immersion Lens）によ
りさらに収束され分断領域Ｓに照射される。
合の光学系の様子を図５に示した。光源１２から発せら
れ平行光１１とされた光ビームはまず集光レンズ１３に
より収束される。さらに、基板２の表面に近接（基板と
の距離０．０１〜０．１μｍ程度）して設置された近接
場光発生素子１４、例えば屈折率が高い材料で構成され
た半球レンズ等のＳＩＬ（Solid Immersion Lens）によ
りさらに収束され分断領域Ｓに照射される。
【００２８】この例では近接場発光素子としてＳＩＬを
用いているが、それ以外に微小開口素子等を基板２の表
面に近接して配置することでも近接場発光素子と同様
に、光ビームの収束径Ｄをさらに小さくすることが可能
となる。
用いているが、それ以外に微小開口素子等を基板２の表
面に近接して配置することでも近接場発光素子と同様
に、光ビームの収束径Ｄをさらに小さくすることが可能
となる。
【００２９】このように、光ビームの波長及びレンズの
開口数を最適化しさらに近接場発光素子等を用いること
で光ビームの収束径Ｄを０．０５〜０．２μｍとするこ
とが可能となる。分断領域幅Wsはエネルギービームの収
束径Ｄの４〜８割の大きさとなるので、光ビームの収束
径が最大の０．２μｍの場合、分断領域幅は最大でも
０．１６μｍとなり、高密度記録化に大いに貢献する。
開口数を最適化しさらに近接場発光素子等を用いること
で光ビームの収束径Ｄを０．０５〜０．２μｍとするこ
とが可能となる。分断領域幅Wsはエネルギービームの収
束径Ｄの４〜８割の大きさとなるので、光ビームの収束
径が最大の０．２μｍの場合、分断領域幅は最大でも
０．１６μｍとなり、高密度記録化に大いに貢献する。
【００３０】また、前記エネルギービームとしては光ビ
ームのみでなく電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子
ビームを用いることも可能である。
ームのみでなく電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子
ビームを用いることも可能である。
【００３１】この場合、荷電粒子ビームの収束径Ｄが
０．０２〜０．２μｍであることが望ましい。荷電粒子
ビームとした場合には、エネルギービームの収束径を光
ビームと同等以下にすることができる。特に、電子ビー
ムは収束しやすく、非常に高い解像度を得ることができ
るので分断領域幅Wsを０．０２μｍ以下まで小さくする
ことが可能である。
０．０２〜０．２μｍであることが望ましい。荷電粒子
ビームとした場合には、エネルギービームの収束径を光
ビームと同等以下にすることができる。特に、電子ビー
ムは収束しやすく、非常に高い解像度を得ることができ
るので分断領域幅Wsを０．０２μｍ以下まで小さくする
ことが可能である。
【００３２】磁性体層上に他の膜を成膜する場合、前記
工程（Ｂ）の終了後に磁性層上に誘電体層 又は／及び
放熱層 又は／及び 保護コートを形成することが望まし
い。
工程（Ｂ）の終了後に磁性層上に誘電体層 又は／及び
放熱層 又は／及び 保護コートを形成することが望まし
い。
【００３３】特に、開口数の大きなレンズにより収束し
た光ビームにより分断領域を形成する場合、焦点距離が
非常に短いために、磁性体層上に他の膜を成膜してしま
うとレンズと磁性体膜の距離が確保できなくなる恐れが
ある。特に、近接場発光素子を用いる場合にはこの点に
ついて注意が必要である。ここで、他の膜とは、誘電体
層、放熱層及び保護コートのことを指す。
た光ビームにより分断領域を形成する場合、焦点距離が
非常に短いために、磁性体層上に他の膜を成膜してしま
うとレンズと磁性体膜の距離が確保できなくなる恐れが
ある。特に、近接場発光素子を用いる場合にはこの点に
ついて注意が必要である。ここで、他の膜とは、誘電体
層、放熱層及び保護コートのことを指す。
【００３４】この誘電体層は磁性層の酸化を防止する、
或いは信号再生の際に反射を利用して偏光面の回転を増
大させる（カー効果エンハンスメント）役割を果たす。
具体的には誘電体層の材料としてはＳｉＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ等の非磁性の材料が選択され
る。
或いは信号再生の際に反射を利用して偏光面の回転を増
大させる（カー効果エンハンスメント）役割を果たす。
具体的には誘電体層の材料としてはＳｉＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＳ等の非磁性の材料が選択され
る。
【００３５】また放熱層は信号の記録や再生の際に、記
録用光ビーム、再生用光ビームの照射により磁性層に形
成される温度分布を改善する役割を果たす。具体的には
放熱層としてＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属またはこれらの
金属を含む合金が用いられる。
録用光ビーム、再生用光ビームの照射により磁性層に形
成される温度分布を改善する役割を果たす。具体的には
放熱層としてＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属またはこれらの
金属を含む合金が用いられる。
【００３６】ただし、磁性体上に誘電体層を成膜する場
合には、条件によっては、前記工程（Ｂ）の開始前に磁
性層上に誘電体層を形成することが可能となる。
合には、条件によっては、前記工程（Ｂ）の開始前に磁
性層上に誘電体層を形成することが可能となる。
【００３７】この場合の条件とは、磁性体層上に成膜す
る誘電体層が、照射する光ビームに対して良好な透過率
（例えば５０％以上）を持ち、かつ誘電体層が１μｍ以
内の場合である。このような例としては、誘電体層とし
て膜厚が１μｍ以下のＳｉＮまたはＳｉ3 Ｎ4 を用い、
波長４００〜５５０ｎｍの光ビームを用いる場合が挙げ
られる。
る誘電体層が、照射する光ビームに対して良好な透過率
（例えば５０％以上）を持ち、かつ誘電体層が１μｍ以
内の場合である。このような例としては、誘電体層とし
て膜厚が１μｍ以下のＳｉＮまたはＳｉ3 Ｎ4 を用い、
波長４００〜５５０ｎｍの光ビームを用いる場合が挙げ
られる。
【００３８】このように、磁性体成膜後直ちに誘電体層
を形成することで、磁性体膜を汚染から保護することが
可能となる。
を形成することで、磁性体膜を汚染から保護することが
可能となる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明である磁気記録媒体
の製造方法について説明する。図１は本発明を利用して
製造された磁気記録媒体である光磁気記録媒体１の構成
を示す部分拡大図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は
平面図である。ここで光磁気記録媒体１は、平板状の基
板２、基板２上に形成された磁性層３、および磁性層３
上に形成された保護コート４から形成される。
の製造方法について説明する。図１は本発明を利用して
製造された磁気記録媒体である光磁気記録媒体１の構成
を示す部分拡大図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は
平面図である。ここで光磁気記録媒体１は、平板状の基
板２、基板２上に形成された磁性層３、および磁性層３
上に形成された保護コート４から形成される。
【００４０】基板２はポリカーボネート等の透明な樹脂
材料から成り、厚さｔＳは１．２ｍｍでその表面には帯
状のグルーブＧとランドＬが並列形成される。
材料から成り、厚さｔＳは１．２ｍｍでその表面には帯
状のグルーブＧとランドＬが並列形成される。
【００４１】磁性層３は磁性材料から成る３層、即ち磁
壁移動層３ａ、スイッチング層３ｂ、および磁気記録層
３ｃを積層した構成とされ、その厚さｔＭは８０ｎｍで
ある。ここで、磁性材料としては、例えばＴｂ、Ｇｄ、
Ｄｙ等の希土類とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属との合金が好
適に用いられる。ここで磁壁移動層３ａは磁気記録層３
ｃよりも磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きい垂直磁
化膜であり、スイッチング層３ｂは磁壁移動層３ａおよ
び磁気記録層３ｃよりもキューリー温度が低い磁性材料
の膜であり、磁気記録層３ｃは垂直磁化膜である。
壁移動層３ａ、スイッチング層３ｂ、および磁気記録層
３ｃを積層した構成とされ、その厚さｔＭは８０ｎｍで
ある。ここで、磁性材料としては、例えばＴｂ、Ｇｄ、
Ｄｙ等の希土類とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属との合金が好
適に用いられる。ここで磁壁移動層３ａは磁気記録層３
ｃよりも磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きい垂直磁
化膜であり、スイッチング層３ｂは磁壁移動層３ａおよ
び磁気記録層３ｃよりもキューリー温度が低い磁性材料
の膜であり、磁気記録層３ｃは垂直磁化膜である。
【００４２】ランドＬ上に形成された磁性層３は、情報
信号が記録される帯状の記録トラックＲＴを構成する。
また後述する方法によって記録トラックＲＴの両側のグ
ルーブＧの底面や側壁に形成された磁性層３は、その垂
直磁気異方性を低下させて分断領域Ｓとされる。記録ト
ラックＲＴ間は分断領域Ｓにより磁気的に分離してい
る。
信号が記録される帯状の記録トラックＲＴを構成する。
また後述する方法によって記録トラックＲＴの両側のグ
ルーブＧの底面や側壁に形成された磁性層３は、その垂
直磁気異方性を低下させて分断領域Ｓとされる。記録ト
ラックＲＴ間は分断領域Ｓにより磁気的に分離してい
る。
【００４３】保護コート４は紫外線硬化樹脂材料の膜や
樹脂材料からなる薄いシート等で、その厚さｔＰは１μ
ｍ以上であることが望ましい。保護コートがＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ 2 、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン等
の硬い膜の場合は１μｍ以下の厚さでも良い。
樹脂材料からなる薄いシート等で、その厚さｔＰは１μ
ｍ以上であることが望ましい。保護コートがＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ 2 、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン等
の硬い膜の場合は１μｍ以下の厚さでも良い。
【００４４】次に上記の光磁気記録媒体１の製造方法に
ついて説明する。図２（ａ）、（ｂ）および図３
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は光磁気記録媒体１の各製造工
程における部分拡大図である。
ついて説明する。図２（ａ）、（ｂ）および図３
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は光磁気記録媒体１の各製造工
程における部分拡大図である。
【００４５】まず図２（ａ）に示すような基板２を作成
する。基板２はポリカーボネート等の樹脂材料の射出成
形により形成され、その表面にはランドＬとグルーブＧ
が並列形成される。この時、ランド幅Ｗｔは０．６５μ
ｍ、グルーブ幅Ｗｓは０．２５μｍであり、グルーブＧ
の深さは０．１μｍである。またグルーブＧに形成され
る分断領域Ｓの幅Ｗｓは、記録トラックＲＴの幅ＷTよ
りも小さくなっている。
する。基板２はポリカーボネート等の樹脂材料の射出成
形により形成され、その表面にはランドＬとグルーブＧ
が並列形成される。この時、ランド幅Ｗｔは０．６５μ
ｍ、グルーブ幅Ｗｓは０．２５μｍであり、グルーブＧ
の深さは０．１μｍである。またグルーブＧに形成され
る分断領域Ｓの幅Ｗｓは、記録トラックＲＴの幅ＷTよ
りも小さくなっている。
【００４６】なお、グルーブＧの深さとは、図２（ａ）
に示したようにランドＬの面からグルーブＧの面までの
高さを表す。なお、これらの寸法より予想される光磁気
記録媒体の記録密度は０．９〜１．３Ｇビット／cm2で
ある。
に示したようにランドＬの面からグルーブＧの面までの
高さを表す。なお、これらの寸法より予想される光磁気
記録媒体の記録密度は０．９〜１．３Ｇビット／cm2で
ある。
【００４７】次に図２（ｂ）に示すように基板２のラン
ドＬとグルーブＧを形成した表面に、磁性材料の膜であ
る磁壁移動層３ａを、スイッチング層３ｂを、および磁
気記録層３ｃをスパッタ成膜等の方法で順に積層し磁性
層３を形成する。
ドＬとグルーブＧを形成した表面に、磁性材料の膜であ
る磁壁移動層３ａを、スイッチング層３ｂを、および磁
気記録層３ｃをスパッタ成膜等の方法で順に積層し磁性
層３を形成する。
【００４８】次に図３（ｃ）に示すように基板２の磁性
層３を形成した側より、グルーブＧの磁性層３に収束エ
ネルギービーム１１を照射し、グルーブＧに沿ってこの
エネルギービーム１１を走査し、分断領域Ｓを形成す
る。図３（ｄ）は、図３（ｃ）をビーム照射方向から見
た平面図である。網線部分が既に照射が終了して、磁性
層３の垂直磁気異方性が低下した部分である。収束径Ｄ
のエネルギービーム１１は、グルーブＧよりもはみ出し
て照射されているが、これは、分断領域Ｓは、エネルギ
ービーム１１の収束径Ｄの４〜８割の幅となるからであ
る。
層３を形成した側より、グルーブＧの磁性層３に収束エ
ネルギービーム１１を照射し、グルーブＧに沿ってこの
エネルギービーム１１を走査し、分断領域Ｓを形成す
る。図３（ｄ）は、図３（ｃ）をビーム照射方向から見
た平面図である。網線部分が既に照射が終了して、磁性
層３の垂直磁気異方性が低下した部分である。収束径Ｄ
のエネルギービーム１１は、グルーブＧよりもはみ出し
て照射されているが、これは、分断領域Ｓは、エネルギ
ービーム１１の収束径Ｄの４〜８割の幅となるからであ
る。
【００４９】ここで、エネルギービーム１１を波長５５
０ｎｍ以下の光ビームとすればその収束径Ｄを０．０５
〜０．６μｍとすることができる。またエネルギービー
ム１１を電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子ビーム
とすればその収束径Ｄを０．０２〜０．２μｍとするこ
とができる。
０ｎｍ以下の光ビームとすればその収束径Ｄを０．０５
〜０．６μｍとすることができる。またエネルギービー
ム１１を電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子ビーム
とすればその収束径Ｄを０．０２〜０．２μｍとするこ
とができる。
【００５０】このようなエネルギービーム１１の照射に
より、グルーブＧに形成された磁性層３は加熱され、磁
性層３を構成する原子間の結合状態が変化して垂直磁気
異方性が低下し、分断領域Ｓが形成される。
より、グルーブＧに形成された磁性層３は加熱され、磁
性層３を構成する原子間の結合状態が変化して垂直磁気
異方性が低下し、分断領域Ｓが形成される。
【００５１】イオンビーム照射の場合は、グルーブＧに
形成された磁性層３にイオンが注入されたり、磁性層３
を構成する原子がスパッタされることで磁性層２の組成
や原子間の結合状態が変化して垂直磁気異方性が低下
し、分断領域Ｓが形成される。
形成された磁性層３にイオンが注入されたり、磁性層３
を構成する原子がスパッタされることで磁性層２の組成
や原子間の結合状態が変化して垂直磁気異方性が低下
し、分断領域Ｓが形成される。
【００５２】図示していないが、もしも、磁性層３上に
誘電体層及び／または放熱層を設ける場合には、この段
階で成膜を行なう。
誘電体層及び／または放熱層を設ける場合には、この段
階で成膜を行なう。
【００５３】次に、図３（ｅ）に示すように磁性層３上
に紫外線硬化樹脂材料を塗布し、紫外線を照射して樹脂
材料を硬化させるか、または磁性層３上に樹脂材料の薄
いシートを貼り付けて保護コート４を形成し、光磁気記
録媒体１が完成する。
に紫外線硬化樹脂材料を塗布し、紫外線を照射して樹脂
材料を硬化させるか、または磁性層３上に樹脂材料の薄
いシートを貼り付けて保護コート４を形成し、光磁気記
録媒体１が完成する。
【００５４】なお分断領域Ｓをその幅Ｗsが十分に小さ
くなるように形成するには、エネルギービーム１１の収
束径Ｄを小さくする必要がある。特にエネルギービーム
１１として光ビームを用いる場合に収束径Ｄを小さくす
る方法について次に説明する。
くなるように形成するには、エネルギービーム１１の収
束径Ｄを小さくする必要がある。特にエネルギービーム
１１として光ビームを用いる場合に収束径Ｄを小さくす
る方法について次に説明する。
【００５５】図４にはエネルギービーム１１である光ビ
ームを磁性層３に収束して照射する時の光学系を示す。
図において１２は光ビームを発生する光源であり、１２
より発生した平行な光ビーム１１は集光レンズ１３によ
り磁性層３に収束される。ここで光ビームの波長をλ、
集光レンズ１３の開口数をＮＡとすると、光ビームの収
束径Ｄはλ／ＮＡに比例するので、波長λが短く開口数
ＮＡが大きいほど光ビームの収束径Ｄを小さくすること
ができる。集光レンズの開口数は一般に０．６以下であ
ることが多く、分断領域Ｓの幅Ｗｓを０．４８μｍ以下
とするためには、光ビームの波長λは５５０ｎｍ以下と
するのが望ましい。具体的には光源１２として半導体レ
ーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（４４２ｎｍ）、Ａｒイオンレ
ーザ（５１５or４８８or４５８ｎｍ）、Ｋｒイオンレー
ザ（４１３ｎｍ）等を用いることができる。または半導
体レーザやＹＡＧレーザ等の２次以上の高調波を用いて
波長λの短い光ビームを得ることもできる。また集光レ
ンズ１３はＮＡ≧０．６５のものを用いるのが望まし
い。
ームを磁性層３に収束して照射する時の光学系を示す。
図において１２は光ビームを発生する光源であり、１２
より発生した平行な光ビーム１１は集光レンズ１３によ
り磁性層３に収束される。ここで光ビームの波長をλ、
集光レンズ１３の開口数をＮＡとすると、光ビームの収
束径Ｄはλ／ＮＡに比例するので、波長λが短く開口数
ＮＡが大きいほど光ビームの収束径Ｄを小さくすること
ができる。集光レンズの開口数は一般に０．６以下であ
ることが多く、分断領域Ｓの幅Ｗｓを０．４８μｍ以下
とするためには、光ビームの波長λは５５０ｎｍ以下と
するのが望ましい。具体的には光源１２として半導体レ
ーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（４４２ｎｍ）、Ａｒイオンレ
ーザ（５１５or４８８or４５８ｎｍ）、Ｋｒイオンレー
ザ（４１３ｎｍ）等を用いることができる。または半導
体レーザやＹＡＧレーザ等の２次以上の高調波を用いて
波長λの短い光ビームを得ることもできる。また集光レ
ンズ１３はＮＡ≧０．６５のものを用いるのが望まし
い。
【００５６】例えば光ビームの波長を４００ｎｍ、集光
レンズ１３のＮＡを０．８５とすると光ビームの収束径
Ｄは０．４２μｍとすることができる。またこの時形成
される分断領域Ｓの幅Ｗsは、収束径のＤの６０％にあ
たる０．２５μｍとなる。
レンズ１３のＮＡを０．８５とすると光ビームの収束径
Ｄは０．４２μｍとすることができる。またこの時形成
される分断領域Ｓの幅Ｗsは、収束径のＤの６０％にあ
たる０．２５μｍとなる。
【００５７】また図５に示すように基板２の表面に近接
して近接場光発生素子１４、例えば屈折率が高い材料で
構成された半球レンズ等のＳＩＬ（Solid Immersion Le
ns）や微小開口素子等を配置し、近接場光発生素子１４
が発生する近接場光を光ビームとして照射すれば、その
収束径Ｄをさらに小さく、例えば０．０５〜０．２μｍ
程度にすることができる。分断領域幅Ｗｓは収束径Ｄの
４０〜８０％であるので、近接場光を用いることで、分
断領域を０．１μｍ以下とすることも可能となる。
して近接場光発生素子１４、例えば屈折率が高い材料で
構成された半球レンズ等のＳＩＬ（Solid Immersion Le
ns）や微小開口素子等を配置し、近接場光発生素子１４
が発生する近接場光を光ビームとして照射すれば、その
収束径Ｄをさらに小さく、例えば０．０５〜０．２μｍ
程度にすることができる。分断領域幅Ｗｓは収束径Ｄの
４０〜８０％であるので、近接場光を用いることで、分
断領域を０．１μｍ以下とすることも可能となる。
【００５８】ところで集光レンズ１３はその開口数ＮＡ
を大きくするほど焦点距離が短くなるので、磁性層３に
近づけて配置しなければならない。また近接場光を光ビ
ームとして磁性層３に照射するには近接場光発生素子１
４は磁性層３との間隔が少なくとも０．１μｍ以下とな
るように配置しなければならない。
を大きくするほど焦点距離が短くなるので、磁性層３に
近づけて配置しなければならない。また近接場光を光ビ
ームとして磁性層３に照射するには近接場光発生素子１
４は磁性層３との間隔が少なくとも０．１μｍ以下とな
るように配置しなければならない。
【００５９】仮に、光ビームを磁性層３が存在しない基
板２の裏面側から照射するとすれば、基板２が厚いため
に（約０．６〜１．２ｍｍ程度）集光レンズ１３や近接
場光発生素子１４を磁性層３に十分に近接させることが
できない上に、基板の光学的特性のバラツキの影響をう
ける。従って光ビームの照射は、磁性層３を形成した表
面側から行わなければならない。
板２の裏面側から照射するとすれば、基板２が厚いため
に（約０．６〜１．２ｍｍ程度）集光レンズ１３や近接
場光発生素子１４を磁性層３に十分に近接させることが
できない上に、基板の光学的特性のバラツキの影響をう
ける。従って光ビームの照射は、磁性層３を形成した表
面側から行わなければならない。
【００６０】またもし磁性層３上に保護コート４を形成
した後、保護コート４を通して光ビームを照射するとす
れば、保護コート４の厚さ（１〜３０μｍ）や光学的な
特性のむらによって磁性層３に収束される光ビームの強
度が変動する。また保護コート４が厚い場合には集光レ
ンズ１３や近接場光発生素子１４を磁性層３に十分に近
接させることができない。従って光ビームの照射による
分断領域Ｓの形成は、磁性層３上に保護コート４を形成
するよりも前に行うのが望ましい。特に保護コート４の
厚さが１μｍ以上である場合には磁性層３上に保護コー
ト４を形成するよりも前に光ビームを照射して分断領域
Ｓを形成するのが望ましい。
した後、保護コート４を通して光ビームを照射するとす
れば、保護コート４の厚さ（１〜３０μｍ）や光学的な
特性のむらによって磁性層３に収束される光ビームの強
度が変動する。また保護コート４が厚い場合には集光レ
ンズ１３や近接場光発生素子１４を磁性層３に十分に近
接させることができない。従って光ビームの照射による
分断領域Ｓの形成は、磁性層３上に保護コート４を形成
するよりも前に行うのが望ましい。特に保護コート４の
厚さが１μｍ以上である場合には磁性層３上に保護コー
ト４を形成するよりも前に光ビームを照射して分断領域
Ｓを形成するのが望ましい。
【００６１】またエネルギービーム１１として電子ビー
ムやイオンビーム等の荷電粒子ビームを使用する場合に
は特に、荷電粒子ビームが基板２や保護コート４によっ
て遮蔽されることがないように、荷電粒子ビームは磁性
層３上に保護コート４を形成するよりも前に基板２の磁
性層３を形成した表面側から照射し、分断領域Ｓを形成
することが望ましい。
ムやイオンビーム等の荷電粒子ビームを使用する場合に
は特に、荷電粒子ビームが基板２や保護コート４によっ
て遮蔽されることがないように、荷電粒子ビームは磁性
層３上に保護コート４を形成するよりも前に基板２の磁
性層３を形成した表面側から照射し、分断領域Ｓを形成
することが望ましい。
【００６２】また磁性層３上に放熱層を設ける場合に
も、エネルギービーム１１である光ビームや荷電粒子ビ
ームが放熱層によって遮蔽されることがないように、エ
ネルギービーム１１は磁性層３上に放熱層を形成するよ
りも前に基板２の磁性層３を形成した表面側から照射
し、分断領域Ｓを形成することが望ましい。
も、エネルギービーム１１である光ビームや荷電粒子ビ
ームが放熱層によって遮蔽されることがないように、エ
ネルギービーム１１は磁性層３上に放熱層を形成するよ
りも前に基板２の磁性層３を形成した表面側から照射
し、分断領域Ｓを形成することが望ましい。
【００６３】また磁性層３上に誘電体層を設ける場合に
も、同様の理由でエネルギービーム１１は磁性層３上に
誘電体層を形成するよりも前に基板２の磁性層３を形成
した表面側から照射し、分断領域Ｓを形成するのが望ま
しい。
も、同様の理由でエネルギービーム１１は磁性層３上に
誘電体層を形成するよりも前に基板２の磁性層３を形成
した表面側から照射し、分断領域Ｓを形成するのが望ま
しい。
【００６４】ただし誘電体層がエネルギービーム１１を
透過しやすい材料で構成され、かつ、その厚さが１μｍ
以下である場合には、誘電体層によるエネルギービーム
の減衰が抑えられるので、磁性層３を誘電体層により保
護した後に誘電体層を通して磁性層３にエネルギービー
ム１１を照射して分断領域Ｓを形成することもできる。
透過しやすい材料で構成され、かつ、その厚さが１μｍ
以下である場合には、誘電体層によるエネルギービーム
の減衰が抑えられるので、磁性層３を誘電体層により保
護した後に誘電体層を通して磁性層３にエネルギービー
ム１１を照射して分断領域Ｓを形成することもできる。
【００６５】この手法を用いることができる誘電体層と
エネルギービームの組み合わせは、ＳｉＮとＳｉ3 Ｎ4
を誘電体層の材料として、誘電体層の膜厚を１μｍ以下
として、光ビームの波長として４００〜５５０ｎｍを用
いる場合が挙げられる。
エネルギービームの組み合わせは、ＳｉＮとＳｉ3 Ｎ4
を誘電体層の材料として、誘電体層の膜厚を１μｍ以下
として、光ビームの波長として４００〜５５０ｎｍを用
いる場合が挙げられる。
【００６６】エネルギービーム１１の走査方法である
が、基板２からの反射光よりエネルギービーム１１の収
束位置を検出し、その検出信号をもとにしてエネルギー
ビーム１１を分断領域Ｓを形成するべき位置に正確に照
射されるようにトラッキング制御 及び／または フォー
カシング制御を行いながら走査することもできる。また
はエネルギービーム１１とともに制御用の光ビーム等を
照射し、それによる検出信号をもとにエネルギービーム
１１をトラッキング制御 及び／または フォーカシング
制御を行いながら走査してもよい。
が、基板２からの反射光よりエネルギービーム１１の収
束位置を検出し、その検出信号をもとにしてエネルギー
ビーム１１を分断領域Ｓを形成するべき位置に正確に照
射されるようにトラッキング制御 及び／または フォー
カシング制御を行いながら走査することもできる。また
はエネルギービーム１１とともに制御用の光ビーム等を
照射し、それによる検出信号をもとにエネルギービーム
１１をトラッキング制御 及び／または フォーカシング
制御を行いながら走査してもよい。
【００６７】次に再生装置によって上記の光磁気記録媒
体１から情報信号を再生する方法について説明する。再
生装置は光ヘッドおよび光磁気記録媒体１の駆動手段を
備える。図６は磁壁移動再生方式による情報信号の再生
方式を示した光磁気記録媒体１の部分拡大図であり、
（ａ）は記録トラックに平行な方向で切った断面図、
（ｂ）は下面方向からみた平面図である。記録トラック
ＲＴを構成する磁性層３上には上方向および下方向の磁
化を有する磁化領域が交互に配列して形成され、磁化領
域と前後の磁化領域との境界部には、情報信号マークで
ある磁壁Ｗ１、Ｗ２、・・・・・、Ｗ６が形成されてい
る。ここで記録トラックＲＴの両側には垂直磁気異方性
を低下させた分断領域Ｓが形成されているので、磁壁Ｗ
１、Ｗ２、・・・・・Ｗ６は閉じることなく記録トラッ
クＲＴの両端に架かるように形成される。
体１から情報信号を再生する方法について説明する。再
生装置は光ヘッドおよび光磁気記録媒体１の駆動手段を
備える。図６は磁壁移動再生方式による情報信号の再生
方式を示した光磁気記録媒体１の部分拡大図であり、
（ａ）は記録トラックに平行な方向で切った断面図、
（ｂ）は下面方向からみた平面図である。記録トラック
ＲＴを構成する磁性層３上には上方向および下方向の磁
化を有する磁化領域が交互に配列して形成され、磁化領
域と前後の磁化領域との境界部には、情報信号マークで
ある磁壁Ｗ１、Ｗ２、・・・・・、Ｗ６が形成されてい
る。ここで記録トラックＲＴの両側には垂直磁気異方性
を低下させた分断領域Ｓが形成されているので、磁壁Ｗ
１、Ｗ２、・・・・・Ｗ６は閉じることなく記録トラッ
クＲＴの両端に架かるように形成される。
【００６８】情報信号を再生する際には光ヘッドは基板
２を通して記録トラックＲＴに低パワーの再生用光ビー
ム２１を収束して照射する。同時に駆動手段（非図示）
は光磁気記録媒体１を駆動し、これにより再生用光ビー
ム２１は記録トラックＲＴを矢印Ａで示す方向に走査す
る。再生用光ビーム２１の照射によって磁性層３の温度
は上昇し、再生用光ビーム２１の照射領域の周辺には、
図中に等温線２２で示すような温度分布が形成される。
ここで２２はスイッチング層３ｂのキュリー温度に略等
しい温度Ｔsの等温線であり、内側の等温線ほど高温と
なっており、Ｘpは温度のピーク位置を示す。後述する
ように記録トラックＲＴの磁壁移動層３ａにおいては、
温度がＴs以上である領域、即ち等温線２２で囲まれた
領域においてのみ磁壁が移動可能であり、それ以外の領
域においては磁壁の移動は不可能である。
２を通して記録トラックＲＴに低パワーの再生用光ビー
ム２１を収束して照射する。同時に駆動手段（非図示）
は光磁気記録媒体１を駆動し、これにより再生用光ビー
ム２１は記録トラックＲＴを矢印Ａで示す方向に走査す
る。再生用光ビーム２１の照射によって磁性層３の温度
は上昇し、再生用光ビーム２１の照射領域の周辺には、
図中に等温線２２で示すような温度分布が形成される。
ここで２２はスイッチング層３ｂのキュリー温度に略等
しい温度Ｔsの等温線であり、内側の等温線ほど高温と
なっており、Ｘpは温度のピーク位置を示す。後述する
ように記録トラックＲＴの磁壁移動層３ａにおいては、
温度がＴs以上である領域、即ち等温線２２で囲まれた
領域においてのみ磁壁が移動可能であり、それ以外の領
域においては磁壁の移動は不可能である。
【００６９】ここで再生用光ビーム２１の照射領域から
十分に離れた位置においては、磁性層３の温度は低く、
この位置において磁壁移動層３ａ、スイッチング層３
ｂ、磁気記録層３ｃは互いに交換結合しており、磁気記
録層３ｃに形成された磁化および磁壁は、スイッチング
層３ｂ、磁壁移動層３ａにも転写形成されている。また
温度分布はほぼ一様であるため、磁壁移動層３ａに転写
された磁壁を移動させる駆動力は作用せず、従って磁壁
は固定されている。しかし再生用光ビーム２１の照射領
域に近づくにつれて磁性層３の温度が上昇し、等温線２
２の前部を通過するとスイッチング層３ｂの温度がＴs
以上となって磁化が消失する。このため等温線２２で囲
まれた温度がＴsよりも高い領域においては磁壁移動層
３ａ、スイッチング層３ｂ、磁気記録層３ｃの交換結合
が切断され、また記録トラックＲＴとその両側の分断領
域Ｓは磁気的に結合しないかまたは磁気的結合は非常に
小さいので、磁壁移動層３ａにおいて磁壁は拘束される
ことなく移動可能となる。しかも周囲の温度に勾配があ
るため、磁壁にはより温度が高くエネルギーの低い方向
へ駆動力が作用する。このため等温線２２の前部を通過
した磁壁（図６においてはＷ１）は、磁壁移動層３ａに
おいて矢印Ｂで示すように温度がピークである位置Ｘp
に向かって高速で移動する。なお図において移動前の磁
壁Ｗ１を破線で示す。この磁壁の移動に伴って一方向
（図示した例においては下方向）の磁化を有する磁化領
域Ｍｅｘが伸長しながら形成される。なお磁気記録層３
ｃは磁壁移動度の小さい材料で構成されているから、磁
気記録層３ｃにおいては磁壁は移動しない。
十分に離れた位置においては、磁性層３の温度は低く、
この位置において磁壁移動層３ａ、スイッチング層３
ｂ、磁気記録層３ｃは互いに交換結合しており、磁気記
録層３ｃに形成された磁化および磁壁は、スイッチング
層３ｂ、磁壁移動層３ａにも転写形成されている。また
温度分布はほぼ一様であるため、磁壁移動層３ａに転写
された磁壁を移動させる駆動力は作用せず、従って磁壁
は固定されている。しかし再生用光ビーム２１の照射領
域に近づくにつれて磁性層３の温度が上昇し、等温線２
２の前部を通過するとスイッチング層３ｂの温度がＴs
以上となって磁化が消失する。このため等温線２２で囲
まれた温度がＴsよりも高い領域においては磁壁移動層
３ａ、スイッチング層３ｂ、磁気記録層３ｃの交換結合
が切断され、また記録トラックＲＴとその両側の分断領
域Ｓは磁気的に結合しないかまたは磁気的結合は非常に
小さいので、磁壁移動層３ａにおいて磁壁は拘束される
ことなく移動可能となる。しかも周囲の温度に勾配があ
るため、磁壁にはより温度が高くエネルギーの低い方向
へ駆動力が作用する。このため等温線２２の前部を通過
した磁壁（図６においてはＷ１）は、磁壁移動層３ａに
おいて矢印Ｂで示すように温度がピークである位置Ｘp
に向かって高速で移動する。なお図において移動前の磁
壁Ｗ１を破線で示す。この磁壁の移動に伴って一方向
（図示した例においては下方向）の磁化を有する磁化領
域Ｍｅｘが伸長しながら形成される。なお磁気記録層３
ｃは磁壁移動度の小さい材料で構成されているから、磁
気記録層３ｃにおいては磁壁は移動しない。
【００７０】このように磁壁Ｗ１、Ｗ２、・・・・・、
Ｗ６は次々と等温線２２の前部を通過する度に位置Ｘp
に向かって移動し、またその度に上方向および下方向の
磁化を有する伸長した磁化領域目Ｍｅｘが交互に形成さ
れる。この磁化領域Ｍｅｘからの再生用光ビーム２１の
反射光の偏光面は、磁気光学効果（カー効果）のため、
磁化領域Ｍｅｘの磁化の方向に応じて回転する。このよ
うな偏光面の回転を光ヘッドによって検出する。この検
出信号には磁壁の移動に対応した信号の変化が含まれて
いるので、情報信号マークである磁壁を記録するべき情
報信号に対応する位置に形成しておけば、信号の変化の
タイミングから情報信号を再生することができるのであ
る。
Ｗ６は次々と等温線２２の前部を通過する度に位置Ｘp
に向かって移動し、またその度に上方向および下方向の
磁化を有する伸長した磁化領域目Ｍｅｘが交互に形成さ
れる。この磁化領域Ｍｅｘからの再生用光ビーム２１の
反射光の偏光面は、磁気光学効果（カー効果）のため、
磁化領域Ｍｅｘの磁化の方向に応じて回転する。このよ
うな偏光面の回転を光ヘッドによって検出する。この検
出信号には磁壁の移動に対応した信号の変化が含まれて
いるので、情報信号マークである磁壁を記録するべき情
報信号に対応する位置に形成しておけば、信号の変化の
タイミングから情報信号を再生することができるのであ
る。
【００７１】
【実施例】以下に本発明の実施例を記す。
【００７２】（実施例１）本発明の光磁気記録媒体の製
造方法を説明する。ポリカーボネートを射出成形するこ
とで基板２を得る。なお、射出時にランドＬ（幅Ｗｔ：
０．５３μｍ）、グルーブＧ（幅Ｗｓ：０．３３μｍ、
深さ：０．０７μｍ）を形成する。本実施例において
は、ランドＬが記録トラックＲＴとなり、グルーブＧが
分断領域Ｓとなる。これらのランド幅、グルーブ幅より
予想される記録密度は１〜１．４Ｇビット／cm2であ
る。
造方法を説明する。ポリカーボネートを射出成形するこ
とで基板２を得る。なお、射出時にランドＬ（幅Ｗｔ：
０．５３μｍ）、グルーブＧ（幅Ｗｓ：０．３３μｍ、
深さ：０．０７μｍ）を形成する。本実施例において
は、ランドＬが記録トラックＲＴとなり、グルーブＧが
分断領域Ｓとなる。これらのランド幅、グルーブ幅より
予想される記録密度は１〜１．４Ｇビット／cm2であ
る。
【００７３】この後に基板をスパッタリング成膜装置に
入れ、磁性膜３の形成を行なう。なお、磁性膜３の成膜
は、真空を破ることなく連続して行わねばならないの
で、スパッタ成膜装置は少なくとも３種類のターゲット
を有していなければならない。
入れ、磁性膜３の形成を行なう。なお、磁性膜３の成膜
は、真空を破ることなく連続して行わねばならないの
で、スパッタ成膜装置は少なくとも３種類のターゲット
を有していなければならない。
【００７４】まず第一に基板に接して３０ｎｍの磁性移
動層３ａの形成を行なう。磁性移動層の組成はＧｄＦｅ
Ｃｏである。引き続き組成ＤｙＦｅ、厚さ１０ｎｍのス
イッチング層３ｂの成膜を行なう。最後に組成ＴｂＦｅ
Ｃｏ、厚さ４０ｎｍの磁気記録層３ｃの成膜を行ない、
磁性層の製膜を終了する。
動層３ａの形成を行なう。磁性移動層の組成はＧｄＦｅ
Ｃｏである。引き続き組成ＤｙＦｅ、厚さ１０ｎｍのス
イッチング層３ｂの成膜を行なう。最後に組成ＴｂＦｅ
Ｃｏ、厚さ４０ｎｍの磁気記録層３ｃの成膜を行ない、
磁性層の製膜を終了する。
【００７５】これにより、基板２の全面に磁性層が形成
される。グルーブＧの斜面部は、ターゲット面に対して
斜めとなっているので、磁性層は薄く２０ｎｍである
が、ランドＬ及びグルーブＧの平坦部では、磁性層は４
０ｎｍで一定である。
される。グルーブＧの斜面部は、ターゲット面に対して
斜めとなっているので、磁性層は薄く２０ｎｍである
が、ランドＬ及びグルーブＧの平坦部では、磁性層は４
０ｎｍで一定である。
【００７６】磁性層が形成された基板を不活性ガス（Ｎ
2 ）雰囲気で取り出し、光照射装置中に導入する。本実
施例では、分断領域幅Ｗｓが０．３３μｍであることを
考慮して、波長４８８ｎｍのＡｒイオンレーザー光と開
口数ＮＡが０．８である集光レンズを用いた。
2 ）雰囲気で取り出し、光照射装置中に導入する。本実
施例では、分断領域幅Ｗｓが０．３３μｍであることを
考慮して、波長４８８ｎｍのＡｒイオンレーザー光と開
口数ＮＡが０．８である集光レンズを用いた。
【００７７】これらの光学系の条件から求められる光ビ
ームの収束径Ｄは０．５５μｍである。分断領域幅Ｗｓ
はこの収束径Ｄの６０％に対応する。
ームの収束径Ｄは０．５５μｍである。分断領域幅Ｗｓ
はこの収束径Ｄの６０％に対応する。
【００７８】尚、光ビームは、基板２よりの反射光を検
出することで光ビームの収束位置を決定するトラッキン
グ制御とフォーカシング制御によりグルーブＧを走査し
た。
出することで光ビームの収束位置を決定するトラッキン
グ制御とフォーカシング制御によりグルーブＧを走査し
た。
【００７９】収束光ビームが照射される分断領域は、温
度が磁性層のキュリー点及び、磁壁の移動開始温度より
も高い４５０℃となるために、磁性層の構造及び組成に
変化が生じ、垂直磁気異方性が失われる。特に、磁性層
の膜厚が厚い底部では、僅かに垂直磁気異方性が残留す
ることもあるが、磁性層の膜厚が薄い側壁では垂直磁気
異方性が失われ、各記録トラックＲＴ間は磁気的に分離
される。
度が磁性層のキュリー点及び、磁壁の移動開始温度より
も高い４５０℃となるために、磁性層の構造及び組成に
変化が生じ、垂直磁気異方性が失われる。特に、磁性層
の膜厚が厚い底部では、僅かに垂直磁気異方性が残留す
ることもあるが、磁性層の膜厚が薄い側壁では垂直磁気
異方性が失われ、各記録トラックＲＴ間は磁気的に分離
される。
【００８０】このようにして、分断領域の形成が終了し
たならば、引き続き保護コート４の成膜を行なう。本実
施例ではスピンコート法により紫外線硬化樹脂をほぼ１
０μｍの厚さとなるように塗布した後、紫外線を全面に
照射して硬化させた。
たならば、引き続き保護コート４の成膜を行なう。本実
施例ではスピンコート法により紫外線硬化樹脂をほぼ１
０μｍの厚さとなるように塗布した後、紫外線を全面に
照射して硬化させた。
【００８１】以上のようにして、本発明の光磁気記録媒
体を得る。
体を得る。
【００８２】従来法での磁壁移動再生方式の光磁気記録
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本発明では記録密度を約１．２５〜１．７５倍に高める
ことができた。
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本発明では記録密度を約１．２５〜１．７５倍に高める
ことができた。
【００８３】（実施例２）基板２作製時にランドＬの幅
を０．５３μｍ、グルーブＧの幅を０．０７３μｍ、深
さ０．０６μｍとした以外は実施例１と同様にして基板
作成及び磁性体成膜を行なった。
を０．５３μｍ、グルーブＧの幅を０．０７３μｍ、深
さ０．０６μｍとした以外は実施例１と同様にして基板
作成及び磁性体成膜を行なった。
【００８４】本実施例においてもランドＬを記録トラッ
クＲＴに、グルーブＧを分断領域Ｓとした。これらのラ
ンド幅、グルーブ幅より予想される記録密度は１．４〜
１．９Ｇビット／ｃｍ2である。本実施例では、分断領
域幅Ｗｓを０．０７３μｍと実施例１よりも短くするた
めに、光ビームとして波長２６６ｎｍの紫外線固体レー
ザー光と開口数ＮＡが０８である集光レンズと、近接場
光発生素子であるＳＩＬを用いた。
クＲＴに、グルーブＧを分断領域Ｓとした。これらのラ
ンド幅、グルーブ幅より予想される記録密度は１．４〜
１．９Ｇビット／ｃｍ2である。本実施例では、分断領
域幅Ｗｓを０．０７３μｍと実施例１よりも短くするた
めに、光ビームとして波長２６６ｎｍの紫外線固体レー
ザー光と開口数ＮＡが０８である集光レンズと、近接場
光発生素子であるＳＩＬを用いた。
【００８５】これらの光学系の条件から求められる光ビ
ームの収束径Ｄは０．１３μｍである。分断領域幅Ｗｓ
はこの収束径Ｄの５６％に対応する。
ームの収束径Ｄは０．１３μｍである。分断領域幅Ｗｓ
はこの収束径Ｄの５６％に対応する。
【００８６】ここで近接場光の作用する距離が非常に小
さいため、ＳＩＬは基板の記録トラック面から０．０３
５μｍ上空に固定した。
さいため、ＳＩＬは基板の記録トラック面から０．０３
５μｍ上空に固定した。
【００８７】尚、本実施例では、光ビームがグルーブＧ
を正確に走査するために同時に別の光をランドＬに照射
してその反射光により光ビームの位置及び深さを決定す
るトラッキング制御およびフォーカシング制御を用い
た。
を正確に走査するために同時に別の光をランドＬに照射
してその反射光により光ビームの位置及び深さを決定す
るトラッキング制御およびフォーカシング制御を用い
た。
【００８８】このようにして、分断領域の形成が終了し
たならば、引き続き保護コート４の形成を行なう。本実
施例ではＴｉＯ2 の微粒子を含有するポリエチレンテレ
フタレートのシート（厚さ１０μｍ）を接着材を用いて
基板２と貼りあわせた。
たならば、引き続き保護コート４の形成を行なう。本実
施例ではＴｉＯ2 の微粒子を含有するポリエチレンテレ
フタレートのシート（厚さ１０μｍ）を接着材を用いて
基板２と貼りあわせた。
【００８９】以上のようにして、本発明の光磁気記録媒
体を得る。
体を得る。
【００９０】従来法での磁壁移動再生方式の光磁気記録
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本実施例では、約１．７５〜２．３８倍の記録密度を得
ることができた。
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本実施例では、約１．７５〜２．３８倍の記録密度を得
ることができた。
【００９１】（実施例３）基板２作成時にランドＬの幅
を０．１９μｍ、グルーブＧの幅を０．５３μｍとし
て、実施例１と同様にして基板作成および磁性膜の製膜
を行なった。ただし、本実施例においては実施例１およ
び２とは逆にグルーブＧを記録トラックＲＴ、ランドＬ
を分断領域Ｓとする。これらのランド幅、グルーブ幅よ
り予想される記録密度は１．２〜１．６Ｇビット／ｃｍ
2である。
を０．１９μｍ、グルーブＧの幅を０．５３μｍとし
て、実施例１と同様にして基板作成および磁性膜の製膜
を行なった。ただし、本実施例においては実施例１およ
び２とは逆にグルーブＧを記録トラックＲＴ、ランドＬ
を分断領域Ｓとする。これらのランド幅、グルーブ幅よ
り予想される記録密度は１．２〜１．６Ｇビット／ｃｍ
2である。
【００９２】また、分断領域Ｓの幅Ｗｓを０．１９μｍ
とするために、波長４１０ｎｍの半導体レーザー光と開
口数ＮＡが０．９である集光レンズを用いた。これらの
光学系の条件より求められる光ビームの収束径は０．４
１μｍである。分断領域Ｓの幅Ｗｓはこの収束径Ｄの４
６％に対応する。
とするために、波長４１０ｎｍの半導体レーザー光と開
口数ＮＡが０．９である集光レンズを用いた。これらの
光学系の条件より求められる光ビームの収束径は０．４
１μｍである。分断領域Ｓの幅Ｗｓはこの収束径Ｄの４
６％に対応する。
【００９３】なお、光ビームは基板２よりの反射光を検
出することで光ビームの収束位置を決定するトラッキン
グ制御とフォーカシング制御によりランドＬを走査して
分断領域Ｓを形成した。さらに実施例１と同様にして保
護コートを形成した。
出することで光ビームの収束位置を決定するトラッキン
グ制御とフォーカシング制御によりランドＬを走査して
分断領域Ｓを形成した。さらに実施例１と同様にして保
護コートを形成した。
【００９４】従来法での磁壁移動再生方式の光磁気記録
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本実施例では、約１．５〜２．０倍の記録密度を得るこ
とができた。
媒体の記録密度は０．８Ｇビット／ｃｍ2であるので、
本実施例では、約１．５〜２．０倍の記録密度を得るこ
とができた。
【００９５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明である製造
方法によれば磁壁移動再生方式に用いる磁気記録媒体に
おいて、分断領域Ｓの幅Ｗsを十分に小さくなるように
形成することができる。これにより情報記録トラック密
度が増大し、情報信号の記録密度を高めることが可能と
なる。
方法によれば磁壁移動再生方式に用いる磁気記録媒体に
おいて、分断領域Ｓの幅Ｗsを十分に小さくなるように
形成することができる。これにより情報記録トラック密
度が増大し、情報信号の記録密度を高めることが可能と
なる。
【図１】本発明である磁気記録媒体の製造方法によって
製造された光磁気記録媒体の構成を示す図。
製造された光磁気記録媒体の構成を示す図。
【図２】本発明である磁気記録媒体の製造方法を示す
図。
図。
【図３】本発明である磁気記録媒体の製造方法を示す
図。
図。
【図４】本発明である磁気記録媒体の製造方法における
エネルギービームの照射方法を示す図。
エネルギービームの照射方法を示す図。
【図５】本発明である磁気記録媒体の製造方法における
エネルギービームの照射方法を示す図。
エネルギービームの照射方法を示す図。
【図６】磁壁移動再生方式による情報信号の再生方法を
説明する図。
説明する図。
【図７】従来の光磁気記録媒体の構成を示す図。
【符号の説明】 １ 光磁気記録媒体 ２ 基板 ３ 磁性層 ３ａ 磁壁移動層 ３ｂ スイッチング ３ｃ 磁気記録層 ４ 保護コート １１ エネルギービーム １２ 光源 １３ 集光レンズ １４ 近接場光発生素子 ２１ 再生用光ビーム ２２ 等温線
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１６Ｋ
Claims (14)
- 【請求項１】 少なくとも磁性移動層、スイッチング
層、および磁気記録層がこの順序で基板に積層された垂
直磁気異方性を持つ磁性層を少なくとも有する磁壁移動
再生方式の光磁気記録媒体の製造方法において （Ａ）該基板の全面に該磁性層を形成する工程と、
（Ｂ）磁性層成膜面側から収束エネルギービームを該基
板上の磁性層に照射し、該エネルギービームを該基板上
で平行に同じ間隔で走査することで、該磁性層の垂直磁
気異方性を低下させた分断領域と、該分断領域に両側か
ら挟まれ、互いに磁気的に分離されている複数の帯状の
記録トラックと、を形成する工程を少なくとも有する磁
壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記分断領域の幅Ｗｓの記録トラックの
幅Ｗｔに対する比率（Ｗｓ/Ｗｔ）がＷｓ／Ｗｔ＜１で
ある請求項１記載の磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項３】 前記分断領域の幅Ｗｓを０．０１〜０．
４８μｍとする請求項１または２記載の磁壁移動再生方
式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記分断領域の幅Ｗｓを前記エネルギー
ビームの収束径Ｄの４０〜８０％とする請求項２又は３
記載の磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 前記分断領域と記録トラックに高さの違
いがあり、該分断領域が前記エネルギービームを走査す
る際のトラッキング用のガイドを兼ねている請求項１〜
４のいずれか一項に記載の磁壁移動再生方式の光磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 前記エネルギービームが波長が５５０ｎ
ｍ以下の光ビームである請求項１〜５のいずれか一項に
記載の磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記光ビームを開口数ＮＡ≧０．６５の
集光レンズによって収束する請求項６記載の磁壁移動再
生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 前記光ビームとして前記磁性層表面に近
接して配置された近接場光発生素子が発生する近接場光
を用いる請求項６または７記載の磁壁移動再生方式の光
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記光ビームの収束径Ｄが０．０５〜
０．６μｍである請求項６〜８のいずれか一項に記載の
磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記エネルギービームとして荷電粒子
ビームを用いる請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁
壁移動再生方式の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記荷電粒子ビームの収束径Ｄが０．
０２〜０．２μｍである請求項１０記載の磁壁移動再生
方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記工程（Ｂ）の終了後に磁性層上に
誘電体層 又は／及び 放熱層 又は／及び 保護コートを
形成する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の磁壁移
動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 前記工程（Ｂ）の開始前に磁性層上に
誘電体層を形成する請求項１〜９のいずれか一項に記載
の磁壁移動再生方式の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれか一項に記載
された方法により製造された磁壁移動再生方式の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29947199A JP2001126332A (ja) | 1999-10-21 | 1999-10-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| TW090104565A TW513690B (en) | 1999-10-21 | 2001-02-27 | Magnetic domain wall displacement type magneto-optical medium and method for manufacturing the same |
| US09/793,573 US6805901B2 (en) | 1999-10-21 | 2001-02-27 | Magnetic domain wall displacement type magneto-optical medium and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29947199A JP2001126332A (ja) | 1999-10-21 | 1999-10-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126332A true JP2001126332A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17873015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29947199A Pending JP2001126332A (ja) | 1999-10-21 | 1999-10-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6805901B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001126332A (ja) |
| TW (1) | TW513690B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6767697B2 (en) | 2000-10-31 | 2004-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical disk and method for producing same by initializing with a laser having a predetermined wavelength |
| KR101374839B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-03-19 | 도시바삼성스토리지테크놀러지코리아 주식회사 | 다수의 광 소자를 이용한 그래핀 제조 방법 및 장치, 광 기록장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW560095B (en) * | 2001-04-02 | 2003-11-01 | Canon Kk | Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element |
| JP2004227712A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Canon Inc | 磁気ヘッド支持機構 |
| US7425353B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-09-16 | International Business Machines Corporation | Enhancement of magnetic media recording performance using ion irradiation to tailor exchange coupling |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3359067B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPH05225627A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 高密度光磁気ディスク |
| JP2957367B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法 |
| JP3332458B2 (ja) | 1993-04-02 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| EP1426944A3 (en) | 1993-04-02 | 2008-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a magneto-optical recording medium |
| JPH11126385A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Canon Inc | 光磁気記録媒体、その製造方法、および光磁気記録再生装置 |
| JPH11213375A (ja) | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Canon Inc | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-10-21 JP JP29947199A patent/JP2001126332A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-27 TW TW090104565A patent/TW513690B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-27 US US09/793,573 patent/US6805901B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US6975564B2 (en) | 2000-10-31 | 2005-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for use in domain wall displacement detection system, and method for producing the same |
| KR101374839B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-03-19 | 도시바삼성스토리지테크놀러지코리아 주식회사 | 다수의 광 소자를 이용한 그래핀 제조 방법 및 장치, 광 기록장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW513690B (en) | 2002-12-11 |
| US20010018107A1 (en) | 2001-08-30 |
| US6805901B2 (en) | 2004-10-19 |
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