JPH06236589A - 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06236589A JPH06236589A JP5023023A JP2302393A JPH06236589A JP H06236589 A JPH06236589 A JP H06236589A JP 5023023 A JP5023023 A JP 5023023A JP 2302393 A JP2302393 A JP 2302393A JP H06236589 A JPH06236589 A JP H06236589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- magnetic layer
- magneto
- magnetic field
- magnetization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 73
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NYPJDWWKZLNGGM-UHFFFAOYSA-N fenvalerate Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1C(C(C)C)C(=O)OC(C#N)C(C=1)=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 NYPJDWWKZLNGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002837 PtCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な重ね書き記録を可能とした光磁気記録
方法及び光磁気記録媒体及び良好な再生信号が得られる
光磁気再生方法を提供する。 【構成】 保磁力及び保磁力等が特定の第１及び第２磁
性層との記録層を有する光磁気記録媒体を用いて、記録
前に一定方向に磁界を印加後、反対方向に記録バイアス
磁界を印加しながら記録信号より大なる周波数でレーザ
をパルス変調して第１磁性層を磁化反転可能なパワーの
レーザビームを照射しつつ、記録信号に応じてＯＮ／Ｏ
ＦＦを繰り返すかＯＮを連続するかの２通りの記録を行
う光磁気記録方法及び光磁気記録媒体及び光磁気再生方
法。 【効果】 良好な重ね書き記録が可能で、良好な再生信
号が得られる。
方法及び光磁気記録媒体及び良好な再生信号が得られる
光磁気再生方法を提供する。 【構成】 保磁力及び保磁力等が特定の第１及び第２磁
性層との記録層を有する光磁気記録媒体を用いて、記録
前に一定方向に磁界を印加後、反対方向に記録バイアス
磁界を印加しながら記録信号より大なる周波数でレーザ
をパルス変調して第１磁性層を磁化反転可能なパワーの
レーザビームを照射しつつ、記録信号に応じてＯＮ／Ｏ
ＦＦを繰り返すかＯＮを連続するかの２通りの記録を行
う光磁気記録方法及び光磁気記録媒体及び光磁気再生方
法。 【効果】 良好な重ね書き記録が可能で、良好な再生信
号が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気カー効果を利用し
て記録情報を読み出すことのできる、重ね書き可能な光
磁気記録媒体およびその記録方法に関する。
て記録情報を読み出すことのできる、重ね書き可能な光
磁気記録媒体およびその記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、消去可能な光メモリとして光
磁気メモリが知られている。光磁気メモリは、磁気ヘッ
ドを使用する磁気記録媒体と比べて、高密度記録、非接
触での記録再生などが可能という利点を有する。しか
し、このような光磁気メモリに情報を記録するには、一
般に、既に記録した部分を記録前に消去（一方向に着
磁）する必要があった。
磁気メモリが知られている。光磁気メモリは、磁気ヘッ
ドを使用する磁気記録媒体と比べて、高密度記録、非接
触での記録再生などが可能という利点を有する。しか
し、このような光磁気メモリに情報を記録するには、一
般に、既に記録した部分を記録前に消去（一方向に着
磁）する必要があった。
【０００３】そこで記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを
別々に設ける方式、あるいはレーザの連続ビームを照射
しながら同時に印加する磁場を変調しながら記録を行う
方式などが提案された。しかし、前者の記録方式では、
装置が大がかりになりコスト高になるという欠点があ
る。また、後者の記録方式では、大きな磁界を印加する
ときは高速の変調が出来ない。高速で変調するため磁気
ヘッドを媒体面に近づけると、回転している媒体と磁気
ヘッドとが接触してヘッドクラッシュを起こす、あるい
は媒体表面に付着したゴミの影響を受けやすいなどの、
本来の光磁気記録の長所をそこなう欠点がある。
別々に設ける方式、あるいはレーザの連続ビームを照射
しながら同時に印加する磁場を変調しながら記録を行う
方式などが提案された。しかし、前者の記録方式では、
装置が大がかりになりコスト高になるという欠点があ
る。また、後者の記録方式では、大きな磁界を印加する
ときは高速の変調が出来ない。高速で変調するため磁気
ヘッドを媒体面に近づけると、回転している媒体と磁気
ヘッドとが接触してヘッドクラッシュを起こす、あるい
は媒体表面に付着したゴミの影響を受けやすいなどの、
本来の光磁気記録の長所をそこなう欠点がある。
【０００４】そこで、保磁力が大きくキュリー温度の低
い磁性層と保磁力が小さくキュリー温度が高い磁性層か
らなる二層構造の垂直磁化膜を用いて、比較的大きな磁
界を印加して保磁力の小さな層のみの磁化を一方向に揃
えた後、大きなレーザパワーを加えてこの層の磁化を反
転させる記録を行うか、比較的小さなレーザパワーを加
えて、保磁力の小さなキュリー温度の高い層の磁化反転
を行わずに、保磁力の大きなキュリー温度の低い層の磁
化を保磁力の小さな層の磁化方向に揃える記録を行うか
の２種の記録より重ね書きを実現する方法が考え出され
た。しかしこの方法では、両磁性層の間に磁壁が存在す
る記録状態があり記録ビットの安定性に問題があり、ま
た保磁力の小さな層の磁化の方向をそろえるための磁界
発生部が大がかりになるという欠点がある。
い磁性層と保磁力が小さくキュリー温度が高い磁性層か
らなる二層構造の垂直磁化膜を用いて、比較的大きな磁
界を印加して保磁力の小さな層のみの磁化を一方向に揃
えた後、大きなレーザパワーを加えてこの層の磁化を反
転させる記録を行うか、比較的小さなレーザパワーを加
えて、保磁力の小さなキュリー温度の高い層の磁化反転
を行わずに、保磁力の大きなキュリー温度の低い層の磁
化を保磁力の小さな層の磁化方向に揃える記録を行うか
の２種の記録より重ね書きを実現する方法が考え出され
た。しかしこの方法では、両磁性層の間に磁壁が存在す
る記録状態があり記録ビットの安定性に問題があり、ま
た保磁力の小さな層の磁化の方向をそろえるための磁界
発生部が大がかりになるという欠点がある。
【０００５】この他にも、例えば特開平３−１２７３４
７に示されるような、レーザビームを照射した部分の磁
化を周りからの反磁界で反転させる方法も考えられてい
る。しかし記録バイアス磁界と反磁界の大きさのバラン
スで記録する方法はノイズの発生が大きく、実用には難
しいと考えられる。
７に示されるような、レーザビームを照射した部分の磁
化を周りからの反磁界で反転させる方法も考えられてい
る。しかし記録バイアス磁界と反磁界の大きさのバラン
スで記録する方法はノイズの発生が大きく、実用には難
しいと考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の光強度変調記録法の欠点を排し、良好な重ね書き記録
を可能とした光磁気記録方法及び光磁気再生方法および
光磁気記録媒体を提供することにある。
の光強度変調記録法の欠点を排し、良好な重ね書き記録
を可能とした光磁気記録方法及び光磁気再生方法および
光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
せんとするもので、その要旨は相対的に保磁力が小さく
てキュリー温度が高い第一の磁性層と相対的に保磁力が
大きくキュリー温度が低い第二の磁性層との記録層を有
する光磁気記録媒体を用いて、記録前に一定方向に第一
の磁性層の磁化を着磁可能な磁界を印加後、反対方向に
記録バイアス磁界を印加しながら、記録情報に応じて第
一磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビームをＯＮ
／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連続して
照射するかの２通りの記録を行うことを特徴とする光磁
気記録方法及び前記の光磁気記録媒体を用いて記録前に
あらかじめ隣接する案内溝部を一定方向に着磁後、一定
方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁性層の
磁化反転可能なパワーのレーザビームを記録情報に応じ
てＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連
続して照射するかの２通りの記録を行うことを特徴とす
る光磁気記録方法及び室温とキュリー温度の間に補償温
度を有する第一の磁性層と相対的に保磁力が大きくキュ
リー温度が低い第二の磁性層の記録層を有する光磁気記
録媒体を用いて、一定方向に記録バイアス磁界を印加し
ながら、第一磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビ
ームを記録情報に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら
照射するか、ＯＮを連続して照射するかの２通りの記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法にある。また本
発明は上記各記録方法において、ＯＮ／ＯＦＦを繰り返
す記録では記録ビットは形成されず、ＯＮを連続する記
録では記録ビットが形成されるように、第一の磁性層の
キュリー温度、飽和磁化、膜厚など、変調するレーザの
周波数、印加する記録バイアス磁界の方向、大きさなど
を調整したことを特徴とする光磁気記録媒体および記録
方法にある。更に、本発明は、上記記録方法によって形
成された記録ビットを再生読みだしする際、印加した第
一磁性層着磁のための磁界を取り除き、界面磁壁を解消
可能な大きさの磁界を記録バイアス磁界と同方向に印加
することを特徴とする光磁気再生方法にある。
せんとするもので、その要旨は相対的に保磁力が小さく
てキュリー温度が高い第一の磁性層と相対的に保磁力が
大きくキュリー温度が低い第二の磁性層との記録層を有
する光磁気記録媒体を用いて、記録前に一定方向に第一
の磁性層の磁化を着磁可能な磁界を印加後、反対方向に
記録バイアス磁界を印加しながら、記録情報に応じて第
一磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビームをＯＮ
／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連続して
照射するかの２通りの記録を行うことを特徴とする光磁
気記録方法及び前記の光磁気記録媒体を用いて記録前に
あらかじめ隣接する案内溝部を一定方向に着磁後、一定
方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁性層の
磁化反転可能なパワーのレーザビームを記録情報に応じ
てＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連
続して照射するかの２通りの記録を行うことを特徴とす
る光磁気記録方法及び室温とキュリー温度の間に補償温
度を有する第一の磁性層と相対的に保磁力が大きくキュ
リー温度が低い第二の磁性層の記録層を有する光磁気記
録媒体を用いて、一定方向に記録バイアス磁界を印加し
ながら、第一磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビ
ームを記録情報に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら
照射するか、ＯＮを連続して照射するかの２通りの記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法にある。また本
発明は上記各記録方法において、ＯＮ／ＯＦＦを繰り返
す記録では記録ビットは形成されず、ＯＮを連続する記
録では記録ビットが形成されるように、第一の磁性層の
キュリー温度、飽和磁化、膜厚など、変調するレーザの
周波数、印加する記録バイアス磁界の方向、大きさなど
を調整したことを特徴とする光磁気記録媒体および記録
方法にある。更に、本発明は、上記記録方法によって形
成された記録ビットを再生読みだしする際、印加した第
一磁性層着磁のための磁界を取り除き、界面磁壁を解消
可能な大きさの磁界を記録バイアス磁界と同方向に印加
することを特徴とする光磁気再生方法にある。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】まず第一の記録方法の発明について記録過
程を図１をもとに説明する。ここでは第一磁性層と第二
磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁ができない）な場
合を考える。反平行が安定な場合も同様である。
程を図１をもとに説明する。ここでは第一磁性層と第二
磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁ができない）な場
合を考える。反平行が安定な場合も同様である。
【００１０】図１の（ａ）は記録が行われる前の状態で
ある。記録前に着磁用磁界Ｈｉ（ここでは下向き）によ
り第一磁性層の磁化を下向きにそろえる。ここで第二磁
性層は保磁力が十分大きいので磁化の向きは変わらな
い。（状態（ｂ））次に記録情報に応じて第一磁性層を
キュリー温度近傍に昇温せしめるパワーのレザーを記録
周波数より大きな周波数でＯＮ／ＯＦＦを繰返して照射
するか又は、ＯＮを連続して照射しながら記録バイアス
磁界Ｈｂ（ここでは上向き）を印加しながら記録を行
う。
ある。記録前に着磁用磁界Ｈｉ（ここでは下向き）によ
り第一磁性層の磁化を下向きにそろえる。ここで第二磁
性層は保磁力が十分大きいので磁化の向きは変わらな
い。（状態（ｂ））次に記録情報に応じて第一磁性層を
キュリー温度近傍に昇温せしめるパワーのレザーを記録
周波数より大きな周波数でＯＮ／ＯＦＦを繰返して照射
するか又は、ＯＮを連続して照射しながら記録バイアス
磁界Ｈｂ（ここでは上向き）を印加しながら記録を行
う。
【００１１】ここで前記いずれのレーザ照射状態におい
てもレーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層のキュリー
温度Ｔｃ２近傍の状態（ｃ）となる。ここでは第二磁性
層はそのキュリー温度Ｔｃ１を越え磁化が消失してい
る。第一磁性層のレーザ照射部位の磁化は記録バイアス
磁界Ｈｂの方向へならう。
てもレーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層のキュリー
温度Ｔｃ２近傍の状態（ｃ）となる。ここでは第二磁性
層はそのキュリー温度Ｔｃ１を越え磁化が消失してい
る。第一磁性層のレーザ照射部位の磁化は記録バイアス
磁界Ｈｂの方向へならう。
【００１２】レーザ照射位置から離れて降温が始まり、
第二磁性層のキュリー温度より下がり状態（ｄ）、
（ｄ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第一磁性層
と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁壁を形成
しないように）磁化が現れる。
第二磁性層のキュリー温度より下がり状態（ｄ）、
（ｄ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第一磁性層
と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁壁を形成
しないように）磁化が現れる。
【００１３】さらに室温まで降温する途中で２つの過程
にわかれる。これはレーザ照射時にレーザがＯＮになっ
たパルス時間と関係がある。つまりレーザがＯＮになっ
たパルス時間の短い記録ビットは、第一磁性層に形成さ
れた反転磁区一つ一つの長さ及び巾が狭い。ここではバ
イアス磁界も磁壁エネルギーも反転磁区を消滅させるよ
うに働き、保磁力エネルギーだけが磁区を残そうと働
く。そこで磁区の多くが磁壁であるような狭い反転磁区
は消滅し、状態（ｅ）となる。
にわかれる。これはレーザ照射時にレーザがＯＮになっ
たパルス時間と関係がある。つまりレーザがＯＮになっ
たパルス時間の短い記録ビットは、第一磁性層に形成さ
れた反転磁区一つ一つの長さ及び巾が狭い。ここではバ
イアス磁界も磁壁エネルギーも反転磁区を消滅させるよ
うに働き、保磁力エネルギーだけが磁区を残そうと働
く。そこで磁区の多くが磁壁であるような狭い反転磁区
は消滅し、状態（ｅ）となる。
【００１４】反対にパルス時間の長い記録ビットは、磁
壁の占める割合が減って反転磁区が保存され状態（ｆ）
となる。
壁の占める割合が減って反転磁区が保存され状態（ｆ）
となる。
【００１５】状態（ｅ）、（ｆ）が最終的な記録状態と
なるが、続いて着磁用磁界Ｈｉを通過すると再び状態
（ｂ）になる。ここでは第一磁性層の磁化が着磁方向に
そろってしまうため、再生信号への寄与がなく、さらに
第一磁性層側からレーザ光入射する場合には第二磁性層
からの光磁気再生信号を遮蔽してしまう。
なるが、続いて着磁用磁界Ｈｉを通過すると再び状態
（ｂ）になる。ここでは第一磁性層の磁化が着磁方向に
そろってしまうため、再生信号への寄与がなく、さらに
第一磁性層側からレーザ光入射する場合には第二磁性層
からの光磁気再生信号を遮蔽してしまう。
【００１６】そこで着磁用磁界Ｈｉを取り除いて、さら
に記録バイアス方向に磁壁が解消されるまでの磁界を印
加し、再び状態（ａ）として記録信号を再生することも
可能である。
に記録バイアス方向に磁壁が解消されるまでの磁界を印
加し、再び状態（ａ）として記録信号を再生することも
可能である。
【００１７】以上のように本発明の記録媒体を用いて、
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／ＯＦ
Ｆしながら照射するか、連続してを照射するかで、前の
記録状態によらず重ね書き可能であることが分かる。
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／ＯＦ
Ｆしながら照射するか、連続してを照射するかで、前の
記録状態によらず重ね書き可能であることが分かる。
【００１８】次に図２に基づき第２の記録方法の発明の
記録過程を説明する。図１の場合と同様に、ここでは第
一磁性層と第二磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁が
できない）な場合を考える。反平行が安定な場合も同様
である。
記録過程を説明する。図１の場合と同様に、ここでは第
一磁性層と第二磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁が
できない）な場合を考える。反平行が安定な場合も同様
である。
【００１９】図２の（ａ）は記録が行われる前の状態で
ある。記録前に記録トラックに隣接する案内溝部分の記
録層の磁化を一定方向に着磁（ここでは下向き）する。
これには例えば下向きの記録バイアス磁界を印加して案
内溝部分にレーザビームを集光消去を行えばよい。
ある。記録前に記録トラックに隣接する案内溝部分の記
録層の磁化を一定方向に着磁（ここでは下向き）する。
これには例えば下向きの記録バイアス磁界を印加して案
内溝部分にレーザビームを集光消去を行えばよい。
【００２０】次に第一の記録方法と同様のレーザ照射状
態で記録バイアス磁界Ｈｂ（ここでは上向き）を印加し
ながら記録を行う。
態で記録バイアス磁界Ｈｂ（ここでは上向き）を印加し
ながら記録を行う。
【００２１】ここでいずれのレーザ照射状態においても
レーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層のキュリー温度
Ｔｃ１近傍の状態（ｂ）となる。ここでは第二磁性層は
そのキュリー温度Ｔｃ２を越え磁化が消失している。第
一磁性層のレーザ照射部位の磁化は記録バイアス磁界Ｈ
ｂの方向へならう。
レーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層のキュリー温度
Ｔｃ１近傍の状態（ｂ）となる。ここでは第二磁性層は
そのキュリー温度Ｔｃ２を越え磁化が消失している。第
一磁性層のレーザ照射部位の磁化は記録バイアス磁界Ｈ
ｂの方向へならう。
【００２２】レーザ照射位置から離れて降温が始まり、
第二磁性層のキュリー温度より下がり状態（ｃ）、
（ｃ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第一磁性層
と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁壁を形成
しないように）磁化が現れる。
第二磁性層のキュリー温度より下がり状態（ｃ）、
（ｃ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第一磁性層
と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁壁を形成
しないように）磁化が現れる。
【００２３】さらに室温まで降温する途中で２つの過程
にわかれる。これはレーザがＯＮになったパルス時間と
関係がある。つまり隣接する案内トラック部分はすでに
下向きに磁化されているので、レーザがＯＮになったパ
ルス時間の短い記録ビットは、第一磁性層に形成された
反転磁区巾が狭いものである。ここでは磁壁エネルギー
が反転磁区を消滅させるように働き、保磁力エネルギー
とバイアス磁界が磁区を残そうと働く。そこで磁区の多
くが磁壁であるような狭い反転磁区は消滅し、状態
（ｄ）となる。
にわかれる。これはレーザがＯＮになったパルス時間と
関係がある。つまり隣接する案内トラック部分はすでに
下向きに磁化されているので、レーザがＯＮになったパ
ルス時間の短い記録ビットは、第一磁性層に形成された
反転磁区巾が狭いものである。ここでは磁壁エネルギー
が反転磁区を消滅させるように働き、保磁力エネルギー
とバイアス磁界が磁区を残そうと働く。そこで磁区の多
くが磁壁であるような狭い反転磁区は消滅し、状態
（ｄ）となる。
【００２４】反対にレーザがＯＮになったパルス時間の
長い記録ビットは、磁壁の占める割合が減って反転磁区
が保存され状態（ｅ）となる。
長い記録ビットは、磁壁の占める割合が減って反転磁区
が保存され状態（ｅ）となる。
【００２５】以上のように本発明の記録媒体を用いて、
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じてレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／Ｏ
ＦＦしながら照射するか、連続した長いパルスを照射す
るかで、前の記録状態によらず重ね書き可能であること
が分かる。
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じてレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／Ｏ
ＦＦしながら照射するか、連続した長いパルスを照射す
るかで、前の記録状態によらず重ね書き可能であること
が分かる。
【００２６】更に第３の記録方法の発明について図３に
基づき記録過程を説明する。尚、この第３の記録方法で
は前述の第一の記録方法における着磁用磁界を記録バイ
アス磁界で兼用できる。
基づき記録過程を説明する。尚、この第３の記録方法で
は前述の第一の記録方法における着磁用磁界を記録バイ
アス磁界で兼用できる。
【００２７】図１、２の場合と同様に、ここでも第一磁
性層と第二磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁ができ
ない）な場合を考える。反平行が安定な場合も同様であ
る。
性層と第二磁性層の磁化が平行のとき安定（磁壁ができ
ない）な場合を考える。反平行が安定な場合も同様であ
る。
【００２８】図３の（ａ）は記録が行われる前の状態で
ある。記録バイアス磁界Ｈｂ（ここでは上向き）の方向
へ第一磁性層の磁化をそろえる。ここで第二磁性層は保
磁力が十分大きいので磁化の向きは変わらない。次に第
一の記録方法と同様のレーザ照射状態で記録バイアス磁
界Ｈｂを印加しながら記録を行う。
ある。記録バイアス磁界Ｈｂ（ここでは上向き）の方向
へ第一磁性層の磁化をそろえる。ここで第二磁性層は保
磁力が十分大きいので磁化の向きは変わらない。次に第
一の記録方法と同様のレーザ照射状態で記録バイアス磁
界Ｈｂを印加しながら記録を行う。
【００２９】ここでいずれのレーザ照射状態においても
レーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層の補償温度Ｔco
mpを越え状態（ｂ）となる。ここでは第二磁性層はその
キュリー温度Ｔｃを超え磁化が消失している。第一磁性
層は副格子磁化が遷移金属原子優位となり、自発磁化の
方向が逆転している。
レーザ照射で昇温が始まり、第一磁性層の補償温度Ｔco
mpを越え状態（ｂ）となる。ここでは第二磁性層はその
キュリー温度Ｔｃを超え磁化が消失している。第一磁性
層は副格子磁化が遷移金属原子優位となり、自発磁化の
方向が逆転している。
【００３０】ここでバイアス磁界Ｈｂにより、第一磁性
層のレーザ照射部位の磁化はもう一度上向きに反転す
る。（状態（ｃ））レーザ照射位置から離れて降温が始
まり、第二磁性層のキュリー温度より下がり状態
（ｄ）、（ｄ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第
一磁性層と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁
壁を形成しないように）磁化が現れる。また第一磁性層
は補償温度Ｔcomp以下になったことで自発磁化が再び下
向きになっている。
層のレーザ照射部位の磁化はもう一度上向きに反転す
る。（状態（ｃ））レーザ照射位置から離れて降温が始
まり、第二磁性層のキュリー温度より下がり状態
（ｄ）、（ｄ’）のいずれかとなると、第二磁性層に第
一磁性層と副格子磁化の方向をそろえるように（界面磁
壁を形成しないように）磁化が現れる。また第一磁性層
は補償温度Ｔcomp以下になったことで自発磁化が再び下
向きになっている。
【００３１】さらに室温まで降温する途中で２つの過程
にわかれる。これはレーザがＯＮになったパルス時間と
関係がある。つまりレーザがＯＮになったパルス時間の
短い記録ビットは、第一磁性層に形成された反転磁区巾
が狭い。ここではバイアス磁界も磁壁エネルギーも反転
磁区を消滅させるように働き、保磁力エネルギーだけが
磁区を残そうと働く。そこで磁区の多くが磁壁であるよ
うな狭い反転磁区は消滅し、状態（ｅ）となる。
にわかれる。これはレーザがＯＮになったパルス時間と
関係がある。つまりレーザがＯＮになったパルス時間の
短い記録ビットは、第一磁性層に形成された反転磁区巾
が狭い。ここではバイアス磁界も磁壁エネルギーも反転
磁区を消滅させるように働き、保磁力エネルギーだけが
磁区を残そうと働く。そこで磁区の多くが磁壁であるよ
うな狭い反転磁区は消滅し、状態（ｅ）となる。
【００３２】反対にレーザがＯＮになったパルス時間の
長い記録ビットは、磁壁の占める割合が減って反転磁区
が保存され状態（ｆ）となる。
長い記録ビットは、磁壁の占める割合が減って反転磁区
が保存され状態（ｆ）となる。
【００３３】以上のように本発明の記録媒体を用いて、
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じてレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／Ｏ
ＦＦしながら照射するか、連続して照射するかで、前の
記録状態によらず重ね書き可能であることが分かる。
一定方向のバイアス磁界Ｈｂを印加しながら、記録情報
に応じてレーザを記録周波数より高い周波数でＯＮ／Ｏ
ＦＦしながら照射するか、連続して照射するかで、前の
記録状態によらず重ね書き可能であることが分かる。
【００３４】本発明の第一乃至第三の記録方法に用いら
れる記録媒体は例えば図４に示すような構成からなる。
透明基板１の上に保護膜２を設け、第一、第二磁性層
３、４を積層した後、保護膜５と金属反射膜６を設け
る。第一磁性層３と第二磁性層４は順序が逆でもよい。
また図２の基板を接着剤を介して、基板１が外を向くよ
うに貼りあわせ両面使用可能な記録媒体としてもよい。
れる記録媒体は例えば図４に示すような構成からなる。
透明基板１の上に保護膜２を設け、第一、第二磁性層
３、４を積層した後、保護膜５と金属反射膜６を設け
る。第一磁性層３と第二磁性層４は順序が逆でもよい。
また図２の基板を接着剤を介して、基板１が外を向くよ
うに貼りあわせ両面使用可能な記録媒体としてもよい。
【００３５】尚、第一磁性層は小さな保磁力と高いキュ
リー温度を有し、第二磁性層は第一磁性層に対して相対
的に大きな保磁力と低いキュリー温度を有する。
リー温度を有し、第二磁性層は第一磁性層に対して相対
的に大きな保磁力と低いキュリー温度を有する。
【００３６】また第一磁性層は、その磁区の大きさが小
さい場合は消滅するように設計する。そこで記録ビット
形状がきまる第二磁性層のキュリー温度Ｔｃ付近で、第
一磁性層の磁壁エネルギーσｗ１が十分に大きいこと、
つまり第一磁性層のキュリー温度が高いことが必要であ
る。また室温で保磁力の大きくなった第二磁性層のビッ
ト形状が第一磁性層に転写されるには、室温で第一磁性
層の保磁力は小さいこと、つまり磁気異方性が小さいこ
とが必要である。
さい場合は消滅するように設計する。そこで記録ビット
形状がきまる第二磁性層のキュリー温度Ｔｃ付近で、第
一磁性層の磁壁エネルギーσｗ１が十分に大きいこと、
つまり第一磁性層のキュリー温度が高いことが必要であ
る。また室温で保磁力の大きくなった第二磁性層のビッ
ト形状が第一磁性層に転写されるには、室温で第一磁性
層の保磁力は小さいこと、つまり磁気異方性が小さいこ
とが必要である。
【００３７】これらの条件から、第一磁性層のキュリー
温度は２００℃以上、保磁力は３ＫＯｅ以下が好まし
い。
温度は２００℃以上、保磁力は３ＫＯｅ以下が好まし
い。
【００３８】また、第二磁性層のキュリー温度は７０〜
２３０℃、保磁力は３ＫＯｅ以上が好ましい。
２３０℃、保磁力は３ＫＯｅ以上が好ましい。
【００３９】両磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示
し、かつ比較的大きな磁気光学効果を有するものが利用
できるが、第一磁性層には、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｃｏなどの比較的垂
直磁気異方性の小さな、希土類元素と遷移金属元素との
非晶質合金が好ましい。
し、かつ比較的大きな磁気光学効果を有するものが利用
できるが、第一磁性層には、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｃｏなどの比較的垂
直磁気異方性の小さな、希土類元素と遷移金属元素との
非晶質合金が好ましい。
【００４０】また形成された界面磁壁が安定に存在する
には飽和磁化が大きく、小さな保磁力であるが良好な垂
直磁化膜であるＰｔ／Ｃｏ多層膜も利用できる。
には飽和磁化が大きく、小さな保磁力であるが良好な垂
直磁化膜であるＰｔ／Ｃｏ多層膜も利用できる。
【００４１】また、第二磁性層には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ
−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの比較的垂直
磁気異方性の大きな、希土類元素と遷移金属元素との非
晶質合金が好ましい。
−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの比較的垂直
磁気異方性の大きな、希土類元素と遷移金属元素との非
晶質合金が好ましい。
【００４２】この他にも、ＭｎＢｉ、ＰｔＣｏなどの金
属間化合物を用いても良い。またガーネット、フェライ
トなどの酸化物結晶を用いても良い。
属間化合物を用いても良い。またガーネット、フェライ
トなどの酸化物結晶を用いても良い。
【００４３】保護膜材料としては、記録再生に用いられ
るレーザ光に対して透光性のものが望ましく、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4 、ＴｉＮ、Ｓｉ、ＳｉＣなどが用いられる。
るレーザ光に対して透光性のものが望ましく、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4 、ＴｉＮ、Ｓｉ、ＳｉＣなどが用いられる。
【００４４】金属反射層材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔあるいはこれらを主成分と
する合金などが用いられる。
ｕ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔあるいはこれらを主成分と
する合金などが用いられる。
【００４５】次に第３の記録方法の発明に用いられる光
磁気記録媒体の場合は、更に第一磁性層は室温とキュリ
ー温度の間に補償温度Ｔcompを有する。また第二磁性層
のキュリー温度Ｔｃは第一磁性層の補償温度Ｔcompより
低いことが好ましい。尚補償温度Ｔcompは１００〜２５
０℃が好ましい。
磁気記録媒体の場合は、更に第一磁性層は室温とキュリ
ー温度の間に補償温度Ｔcompを有する。また第二磁性層
のキュリー温度Ｔｃは第一磁性層の補償温度Ｔcompより
低いことが好ましい。尚補償温度Ｔcompは１００〜２５
０℃が好ましい。
【００４６】第１乃至第３の記録方法の発明において、
ＯＮ／ＯＦＦを繰り返す記録では記録ビットは形成され
ず、ＯＮを連続する記録では記録ビットが形成されるよ
うに、第一の磁性層のキュリー温度、飽和磁化及び膜厚
を適切に設定した光磁気記録媒体を用い、変調するレー
ザの周波数、印加する記録バイアス磁界の方向及びその
大きさを調整することによりノイズのないより良好な重
ね書きが可能である。
ＯＮ／ＯＦＦを繰り返す記録では記録ビットは形成され
ず、ＯＮを連続する記録では記録ビットが形成されるよ
うに、第一の磁性層のキュリー温度、飽和磁化及び膜厚
を適切に設定した光磁気記録媒体を用い、変調するレー
ザの周波数、印加する記録バイアス磁界の方向及びその
大きさを調整することによりノイズのないより良好な重
ね書きが可能である。
【００４７】また第一、第二磁性層の間に磁性材料ある
いは非磁性材料からなる中間層を設け、磁化の転写性
（それぞれの副格子磁化の向きを同じにそろえる）を調
整することも可能である。
いは非磁性材料からなる中間層を設け、磁化の転写性
（それぞれの副格子磁化の向きを同じにそろえる）を調
整することも可能である。
【００４８】次に本発明を実施例に基づき、更に詳細に
説明する。
説明する。
【００４９】
実施例１ スパッタ装置内に、プリグルーブ、プリフォーマット信
号の刻まれたポリカーボネイト製の円板をターゲットと
の距離が１０ｃｍであるようにセットし、前記基板を回
転させた。アルゴン中で第一のターゲットより、スパッ
タ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧５＊１０-1Ｐａ
で、６００Ａの厚さのＳｉ3 Ｎ4 を保護層として前記基
板上に設けた。次にアルゴン中で、第二のターゲットよ
りスパッタ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧６＊１０
-1Ｐａで、Ｇｄ２２Ｆｅ６８Ｃｏ１０（ａｔ％）合金
（副格子磁化はＦｅＣｏ原子優位）をスパッタし、膜厚
２５０Ａ、キュリー温度が約２７０℃、保磁力が１２０
０ Ｏｅの第一磁性層を形成した。
号の刻まれたポリカーボネイト製の円板をターゲットと
の距離が１０ｃｍであるようにセットし、前記基板を回
転させた。アルゴン中で第一のターゲットより、スパッ
タ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧５＊１０-1Ｐａ
で、６００Ａの厚さのＳｉ3 Ｎ4 を保護層として前記基
板上に設けた。次にアルゴン中で、第二のターゲットよ
りスパッタ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧６＊１０
-1Ｐａで、Ｇｄ２２Ｆｅ６８Ｃｏ１０（ａｔ％）合金
（副格子磁化はＦｅＣｏ原子優位）をスパッタし、膜厚
２５０Ａ、キュリー温度が約２７０℃、保磁力が１２０
０ Ｏｅの第一磁性層を形成した。
【００５０】次に、アルゴン中で、第三のターゲットよ
りＴｂ２４Ｆｅ６８Ｃｏ８（ａｔ％）合金（副格子磁化
はＴｂ原子優位）をスパッタし、膜厚２００Ａ、キュリ
ー温度が約１６０℃、保磁力が１５ＫＯｅの第二磁性層
を形成した。
りＴｂ２４Ｆｅ６８Ｃｏ８（ａｔ％）合金（副格子磁化
はＴｂ原子優位）をスパッタし、膜厚２００Ａ、キュリ
ー温度が約１６０℃、保磁力が１５ＫＯｅの第二磁性層
を形成した。
【００５１】さらにアルゴン中で第一のターゲットのＳ
ｉ3 Ｎ4 と第四のターゲットのＡｌをスパッタ圧５＊１
０-1Ｐａで順にスパッタ、４００ＡのＳｉ3 Ｎ4 保護層
と４００ＡのＡｌ金属層を形成した。
ｉ3 Ｎ4 と第四のターゲットのＡｌをスパッタ圧５＊１
０-1Ｐａで順にスパッタ、４００ＡのＳｉ3 Ｎ4 保護層
と４００ＡのＡｌ金属層を形成した。
【００５２】次に、ホットメルト接着剤を用いて、上記
の膜形成を終えた基板をポリカーボネイト製の貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ、光磁気ディスクサンプルを作製
した。
の膜形成を終えた基板をポリカーボネイト製の貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ、光磁気ディスクサンプルを作製
した。
【００５３】第一、第二磁性層はそれぞれ交換相互作用
により結合している。第一磁性層は、第二磁性層と強く
結合しているので安定化され界面磁壁のない状態から第
一磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界は約２ＫＯｅ
であった。
により結合している。第一磁性層は、第二磁性層と強く
結合しているので安定化され界面磁壁のない状態から第
一磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界は約２ＫＯｅ
であった。
【００５４】この光磁気ディスクを記録再生装置（ナカ
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、従来の消去、記録
のテストを行った。
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、従来の消去、記録
のテストを行った。
【００５５】記録の前に記録トラック部分に２．５ＫＯ
ｅの外部磁界を印加して第一磁性層を着磁後、反対方向
に記録バイアス磁界２００ Ｏｅを印加、線速度９ｍ／
ｓｅｃで回転させながら、約１．２μ直径に集光した波
長７８０ｎｍ、出力１０ｍＷの連続のレーザビームを照
射して消去（記録層を一方向に着磁）した。
ｅの外部磁界を印加して第一磁性層を着磁後、反対方向
に記録バイアス磁界２００ Ｏｅを印加、線速度９ｍ／
ｓｅｃで回転させながら、約１．２μ直径に集光した波
長７８０ｎｍ、出力１０ｍＷの連続のレーザビームを照
射して消去（記録層を一方向に着磁）した。
【００５６】次に同様に記録前に２．５ＫＯｅの外部磁
界で第一磁性層を着磁後、８ｍＷ出力のレーザを５０％
の時間比でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記
録バイアス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関
係を調べた。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを
照射した。結果を図５に示す。
界で第一磁性層を着磁後、８ｍＷ出力のレーザを５０％
の時間比でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記
録バイアス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関
係を調べた。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを
照射した。結果を図５に示す。
【００５７】ここでバイアス磁界のマイナスは消去方向
である。
である。
【００５８】図５を見ると、記録の周波数が大きくなる
（記録ビットの長さが短くなる）に従ってキャリアレベ
ルの立ち上がり始める（記録ビットが形成される）。バ
イアス磁界がプラス方向にシフトしていることが分か
る。
（記録ビットの長さが短くなる）に従ってキャリアレベ
ルの立ち上がり始める（記録ビットが形成される）。バ
イアス磁界がプラス方向にシフトしていることが分か
る。
【００５９】これは、消去（記録層を一方向に着磁）状
態では、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁界があり、例えば
長さ５．０μと３．３μの長いビットでは記録ビットの
中で磁壁の占める割合が小さく、レーザで昇温した部分
がそのまま記録ビットとして形成される。
態では、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁界があり、例えば
長さ５．０μと３．３μの長いビットでは記録ビットの
中で磁壁の占める割合が小さく、レーザで昇温した部分
がそのまま記録ビットとして形成される。
【００６０】次に、周波数が大きくなり、記録ビットの
中で磁壁の占める割合が大きくなると、磁壁エネルギー
から、もう一度記録ビット消滅させようとする力を受け
る。そこで記録バイアス磁界をプラス（書き込み）方向
に印加して補助しないと記録ビットが形成されないこと
になる。
中で磁壁の占める割合が大きくなると、磁壁エネルギー
から、もう一度記録ビット消滅させようとする力を受け
る。そこで記録バイアス磁界をプラス（書き込み）方向
に印加して補助しないと記録ビットが形成されないこと
になる。
【００６１】最後にビット長が、０．３３μ程度まで小
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
【００６２】次にレーザを５０％の時間比で周波数２０
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図５の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に第一磁性
層を初期化するプロセスを含めて、重ね書き記録の実験
を行ったところ、以前の記録信号は再生されず、再生信
号周波数１ＭＨｚの良好な再生信号が得られた。
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図５の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に第一磁性
層を初期化するプロセスを含めて、重ね書き記録の実験
を行ったところ、以前の記録信号は再生されず、再生信
号周波数１ＭＨｚの良好な再生信号が得られた。
【００６３】比較例１ 実施例１と同様の方法で、第二磁性層を設けない以外は
実施例１と同じ構成のサンプルディスクを作製した。ま
た実施例１と同じ条件で記録の実験を行ったところ、消
去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズが大きく
キャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、あるいは
重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなどの確認が
難しかった。
実施例１と同じ構成のサンプルディスクを作製した。ま
た実施例１と同じ条件で記録の実験を行ったところ、消
去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズが大きく
キャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、あるいは
重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなどの確認が
難しかった。
【００６４】これは第一磁性層を短い記録ビットでは記
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
【００６５】実施例２〜４ 実施例１と同じ構成で、第一磁性層の膜厚を変化させた
サンプルディスク（実施例２〜４）を作製し、実施例１
と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結果を表１
に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わり得る
が、第一磁性層が７５Ａ（実施例２）と、膜厚が小さく
なると、短いビットを消滅させる効果が弱まり重ね書き
で以前の記録ビットが消去されにくいことが分かる。ま
た第一磁性層が４００Ａ（実施例４）と膜厚が大きくな
ると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大きすぎてビ
ット形状が不安定になるためか記録ノイズの増大が著し
い。
サンプルディスク（実施例２〜４）を作製し、実施例１
と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結果を表１
に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わり得る
が、第一磁性層が７５Ａ（実施例２）と、膜厚が小さく
なると、短いビットを消滅させる効果が弱まり重ね書き
で以前の記録ビットが消去されにくいことが分かる。ま
た第一磁性層が４００Ａ（実施例４）と膜厚が大きくな
ると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大きすぎてビ
ット形状が不安定になるためか記録ノイズの増大が著し
い。
【００６６】実施例５〜６ 実施例１と同じ構成で、第一磁性層の材料組成を変えた
サンプルディスク（実施例５〜６）を作製し、実施例１
と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結果を表１
に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わり得る
が、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁性層の
キュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記録ビッ
トの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発生があ
り、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録ノイズ
が上昇してしまう（実施例６）ことが分かった。
サンプルディスク（実施例５〜６）を作製し、実施例１
と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結果を表１
に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わり得る
が、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁性層の
キュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記録ビッ
トの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発生があ
り、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録ノイズ
が上昇してしまう（実施例６）ことが分かった。
【００６７】実施例７〜９ 実施例１と同じ構成で、第一磁性層の材料としてＰｔと
Ｃｏの多層膜を用い膜厚条件を変えたサンプルディスク
（実施例７〜９）を作製し、実施例１と同様の条件で重
ね書き実験を行った。それぞれ良好な記録が行えた。
Ｃｏの多層膜を用い膜厚条件を変えたサンプルディスク
（実施例７〜９）を作製し、実施例１と同様の条件で重
ね書き実験を行った。それぞれ良好な記録が行えた。
【００６８】第一磁性層は次の様な条件で設けた。アル
ゴン中でスパッタ圧９＊１０-1Ｐａで第五のターゲット
よりＰｔを、第六のターゲットよりＰｄを、第七のター
ゲットよりＣｏをそれぞれ２０〜１００Ａ／ｍｉｎでス
パッタしながら、シャッター板を開閉してそれぞれ単一
の層厚が２〜５０Ａ程の膜を繰り返し積層し第一磁性層
とした。
ゴン中でスパッタ圧９＊１０-1Ｐａで第五のターゲット
よりＰｔを、第六のターゲットよりＰｄを、第七のター
ゲットよりＣｏをそれぞれ２０〜１００Ａ／ｍｉｎでス
パッタしながら、シャッター板を開閉してそれぞれ単一
の層厚が２〜５０Ａ程の膜を繰り返し積層し第一磁性層
とした。
【００６９】実施例７：Ｐｔ２０ＡとＣｏ４Ａの多層膜
でそれぞれ１０周期 実施例８：Ｐｄ１５ＡとＣｏ６Ａの多層膜でそれぞれ１
５周期 実施例９：Ｐｔ１０ＡとＣｏ４Ａの多層膜でそれぞれ１
５周期 の構成である。これらの実施例では第一磁性層
の保磁力が小さくなったことと、飽和磁化が大きくなっ
た為より小さい磁界で第一磁性層の着磁が可能になっ
た。実施例９では、着磁磁界３５０ Ｏｅ、記録バイア
ス磁界１５０ Ｏｅの組み合せで良好な記録が行えた。
でそれぞれ１０周期 実施例８：Ｐｄ１５ＡとＣｏ６Ａの多層膜でそれぞれ１
５周期 実施例９：Ｐｔ１０ＡとＣｏ４Ａの多層膜でそれぞれ１
５周期 の構成である。これらの実施例では第一磁性層
の保磁力が小さくなったことと、飽和磁化が大きくなっ
た為より小さい磁界で第一磁性層の着磁が可能になっ
た。実施例９では、着磁磁界３５０ Ｏｅ、記録バイア
ス磁界１５０ Ｏｅの組み合せで良好な記録が行えた。
【００７０】
【表１】 実施例１０ 実施例１で信号周波数１ＭＨｚで再生Ｃ／Ｎ比５２ｄＢ
の良好な記録が行われた領域に、第一磁性層だけを着磁
可能な磁界２．５ＫＯｅを印加すると、第一磁性層は再
生信号に寄与しなくなり、再生Ｃ／Ｎ比は３０ｄＢに低
下した。
の良好な記録が行われた領域に、第一磁性層だけを着磁
可能な磁界２．５ＫＯｅを印加すると、第一磁性層は再
生信号に寄与しなくなり、再生Ｃ／Ｎ比は３０ｄＢに低
下した。
【００７１】次に着磁磁界と反対極性の磁界を１．８Ｋ
Ｏｅまで印加すると形成された界面磁壁は解消され初め
の磁化状態となり、再生Ｃ／Ｎ比も５２ｄＢとなった。
Ｏｅまで印加すると形成された界面磁壁は解消され初め
の磁化状態となり、再生Ｃ／Ｎ比も５２ｄＢとなった。
【００７２】実施例１１ 実施例１と同様の操作で実施例１と同様の光磁気ディス
クサンプルを作成した。
クサンプルを作成した。
【００７３】第一、第二磁性層は実施例１の場合と同様
にそれぞれ交換相互作用により結合している。第一磁性
層は、第二磁性層と強く結合しているので安定化され界
面磁壁のない状態から第一磁性層を磁化反転させるのに
必要な磁界は実施例１の場合と同様に約２ＫＯｅであっ
た。
にそれぞれ交換相互作用により結合している。第一磁性
層は、第二磁性層と強く結合しているので安定化され界
面磁壁のない状態から第一磁性層を磁化反転させるのに
必要な磁界は実施例１の場合と同様に約２ＫＯｅであっ
た。
【００７４】この光磁気ディスクを記録再生装置（ナカ
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、実施例１と同様に
従来の消去、記録のテストを行った。案内溝部、記録ト
ラック部共に約０．７ミクロンの幅で、トラックピッチ
が約１．４ミクロンの幅の基板を用いた。
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、実施例１と同様に
従来の消去、記録のテストを行った。案内溝部、記録ト
ラック部共に約０．７ミクロンの幅で、トラックピッチ
が約１．４ミクロンの幅の基板を用いた。
【００７５】記録の前に案内溝部分に消去バイアス磁界
５００ Ｏｅを印加し、線速度９ｍ／ｓｅｃで回転させ
ながら、約１．２μ直径に集光した波長７８０ｎｍ、出
力１０ｍＷの連続レーザビームを照射して案内溝部分の
着磁を行った。次に同様にして、記録トラック部の消去
（着磁）を行った。次に反対方向に記録バイアス磁界２
００ Ｏｅを印加、８ｍＷ出力のレーザを５０％の時間
比でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記録バイ
アス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関係を調
べた。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを照射し
た。結果を図６に示す。
５００ Ｏｅを印加し、線速度９ｍ／ｓｅｃで回転させ
ながら、約１．２μ直径に集光した波長７８０ｎｍ、出
力１０ｍＷの連続レーザビームを照射して案内溝部分の
着磁を行った。次に同様にして、記録トラック部の消去
（着磁）を行った。次に反対方向に記録バイアス磁界２
００ Ｏｅを印加、８ｍＷ出力のレーザを５０％の時間
比でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記録バイ
アス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関係を調
べた。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを照射し
た。結果を図６に示す。
【００７６】ここでバイアス磁界のマイナスは消去方向
である。図６を見ると、実施例１と同様に記録の周波数
が大きくなる（記録ビットの長さが短くなる）に従って
キャリアレベルの立ち上がり始める（記録ビットが形成
される）。バイアス磁界がプラス方向にシフトしている
ことが分かる。
である。図６を見ると、実施例１と同様に記録の周波数
が大きくなる（記録ビットの長さが短くなる）に従って
キャリアレベルの立ち上がり始める（記録ビットが形成
される）。バイアス磁界がプラス方向にシフトしている
ことが分かる。
【００７７】これは、消去（記録層を一方向に着磁）状
態でも実施例１と同様に、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁
界があり、例えば長さ５．０μと３．３μの長いビット
では記録ビットの中で磁壁の占める割合が小さく、レー
ザで昇温した部分がそのまま記録ビットとして形成され
る。
態でも実施例１と同様に、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁
界があり、例えば長さ５．０μと３．３μの長いビット
では記録ビットの中で磁壁の占める割合が小さく、レー
ザで昇温した部分がそのまま記録ビットとして形成され
る。
【００７８】次に、周波数が大きくなり、記録ビットの
中で磁壁の占める割合が大きくなると、この場合も実施
例１と同様に磁壁エネルギーから、もう一度記録ビット
消滅させようとする力を受ける。そこで記録バイアス磁
界をプラス（書き込み）方向に印加して補助しないと記
録ビットが形成されないことになる。
中で磁壁の占める割合が大きくなると、この場合も実施
例１と同様に磁壁エネルギーから、もう一度記録ビット
消滅させようとする力を受ける。そこで記録バイアス磁
界をプラス（書き込み）方向に印加して補助しないと記
録ビットが形成されないことになる。
【００７９】最後にビット長が、０．３３μ程度まで小
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
【００８０】次にレーザを５０％の時間比で周波数２０
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図６の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に記録バイ
アスのみを印加して、重ね書き記録の実験を行ったとこ
ろ、以前の記録信号は再生されず、再生信号周波数１Ｍ
Ｈｚの良好な再生信号が得られた。
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図６の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に記録バイ
アスのみを印加して、重ね書き記録の実験を行ったとこ
ろ、以前の記録信号は再生されず、再生信号周波数１Ｍ
Ｈｚの良好な再生信号が得られた。
【００８１】比較例２ 実施例１１と同様の方法で、第二磁性層を設けない以外
は実施例１１と同じ構成のサンプルディスクを作製し
た。また実施例１１と同じ条件で記録の実験を行ったと
ころ、消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズ
が大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、
あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなど
の確認が難しかった。
は実施例１１と同じ構成のサンプルディスクを作製し
た。また実施例１１と同じ条件で記録の実験を行ったと
ころ、消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズ
が大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、
あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなど
の確認が難しかった。
【００８２】これは第一磁性層を短い記録ビットでは記
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
【００８３】比較例３ 実施例１のサンプルディスクの案内溝部分を消去する磁
界の向きを反対にして、記録バイアス磁界と同じ向きに
したほかは、実施例１１と同様に記録の実験を行った。
この結果消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイ
ズが大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大き
さ、あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたか
などの確認が難しかった。これは実施例１１では、レー
ザのＯＮ／ＯＦＦ記録で短いビット列を書き込み後、磁
壁エネルギーによってビットが消滅していたものが、隣
接する案内溝部の磁化が、記録ビットと同じ向きのため
短いビット列は案内溝部にひろがり安定化され、本来は
形成されないはずの微小磁区が残るためである。
界の向きを反対にして、記録バイアス磁界と同じ向きに
したほかは、実施例１１と同様に記録の実験を行った。
この結果消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイ
ズが大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大き
さ、あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたか
などの確認が難しかった。これは実施例１１では、レー
ザのＯＮ／ＯＦＦ記録で短いビット列を書き込み後、磁
壁エネルギーによってビットが消滅していたものが、隣
接する案内溝部の磁化が、記録ビットと同じ向きのため
短いビット列は案内溝部にひろがり安定化され、本来は
形成されないはずの微小磁区が残るためである。
【００８４】これから、あらかじめ記録トラック隣接部
を消去方向に磁化しておくことが必要であることがわか
る。
を消去方向に磁化しておくことが必要であることがわか
る。
【００８５】実施例１２〜１４ 実施例１１と同じ構成で、第一磁性層の膜厚を変化させ
たサンプルディスク（実施例１２〜１４）を作製し、実
施例１１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表２に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層が７５Ａ（実施例１２）と、膜厚
が小さくなると、短いビットを消滅させる効果が弱まり
重ね書きで以前の記録ビットが消去されにくいことが分
かる。また第一磁性層が４００Ａ（実施例１４）と膜厚
が大きくなると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大
きすぎてビット形状が不安定になるためか記録ノイズの
増大が著しい。
たサンプルディスク（実施例１２〜１４）を作製し、実
施例１１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表２に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層が７５Ａ（実施例１２）と、膜厚
が小さくなると、短いビットを消滅させる効果が弱まり
重ね書きで以前の記録ビットが消去されにくいことが分
かる。また第一磁性層が４００Ａ（実施例１４）と膜厚
が大きくなると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大
きすぎてビット形状が不安定になるためか記録ノイズの
増大が著しい。
【００８６】実施例１５〜１６ 実施例１１と同じ構成で、第一磁性層の材料組成を変え
たサンプルディスク（実施例１５〜１６）を作製し、実
施例１１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表２に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁
性層のキュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記
録ビットの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発
生があり、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録
ノイズが上昇してしまう（実施例１６）ことが分かっ
た。
たサンプルディスク（実施例１５〜１６）を作製し、実
施例１１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表２に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁
性層のキュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記
録ビットの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発
生があり、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録
ノイズが上昇してしまう（実施例１６）ことが分かっ
た。
【００８７】実施例１７〜１９ 実施例１１と同じ構成で、第一磁性層の材料としてＰｔ
とＣｏの多層膜を用い膜厚条件を変えたサンプルディス
ク（実施例１７〜１９）を作製し、実施例１１と同様の
条件で重ね書き実験を行った。それぞれ良好な記録が行
えた。
とＣｏの多層膜を用い膜厚条件を変えたサンプルディス
ク（実施例１７〜１９）を作製し、実施例１１と同様の
条件で重ね書き実験を行った。それぞれ良好な記録が行
えた。
【００８８】第一磁性層は次の様な条件で設けた。アル
ゴン中でスパッタ圧９＊１０-1Ｐａで第五のターゲット
よりＰｔを、第六のターゲットよりＰｄを、第七のター
ゲットよりＣｏをそれぞれ２０〜１００Ａ／ｍｉｎでス
パッタしながら、シャッター板を開閉してそれぞれ単一
の層厚が２〜５０Ａ程の膜を繰り返し積層し第一磁性層
とした。この結果を表２に示す。
ゴン中でスパッタ圧９＊１０-1Ｐａで第五のターゲット
よりＰｔを、第六のターゲットよりＰｄを、第七のター
ゲットよりＣｏをそれぞれ２０〜１００Ａ／ｍｉｎでス
パッタしながら、シャッター板を開閉してそれぞれ単一
の層厚が２〜５０Ａ程の膜を繰り返し積層し第一磁性層
とした。この結果を表２に示す。
【００８９】実施例１７：Ｐｔ２０ＡとＣｏ４Ａの多層
膜でそれぞれ１０周期 実施例１８：Ｐｄ１５ＡとＣｏ６Ａの多層膜でそれぞれ
１５周期 実施例１９：Ｐｔ１０ＡとＣｏ４Ａの多層膜でそれぞれ
１５周期 の構成である。これらの実施例では第一磁性
層の保磁力が小さくなったことと、飽和磁化が大きくな
った為より小さい記録バイアス磁界で安定に良好な記録
が行えた。
膜でそれぞれ１０周期 実施例１８：Ｐｄ１５ＡとＣｏ６Ａの多層膜でそれぞれ
１５周期 実施例１９：Ｐｔ１０ＡとＣｏ４Ａの多層膜でそれぞれ
１５周期 の構成である。これらの実施例では第一磁性
層の保磁力が小さくなったことと、飽和磁化が大きくな
った為より小さい記録バイアス磁界で安定に良好な記録
が行えた。
【００９０】
【表２】 実施例２０ 基板に設けた記録トラックの幅だけを変化させた基板を
用いて、実施例１１と同様の記録膜を設けたサンプルデ
ィスクを作製し、記録トラックの幅と記録特性の関係を
調べた。実施例１１と同じ条件で周波数１ＭＨｚ（記録
ビット長３．３ミクロン）の信号を記録後、周波数２Ｍ
Ｈｚ（記録ビット長１．６５ミクロン）の信号を重ね書
き記録した。表３に示すように、記録トラックの幅が小
さいほうが、周波数１ＭＨｚの信号の消え残りは少な
く、本発明の記録方法はトラックビッチの小さい高密度
記録に適していることがわかる。
用いて、実施例１１と同様の記録膜を設けたサンプルデ
ィスクを作製し、記録トラックの幅と記録特性の関係を
調べた。実施例１１と同じ条件で周波数１ＭＨｚ（記録
ビット長３．３ミクロン）の信号を記録後、周波数２Ｍ
Ｈｚ（記録ビット長１．６５ミクロン）の信号を重ね書
き記録した。表３に示すように、記録トラックの幅が小
さいほうが、周波数１ＭＨｚの信号の消え残りは少な
く、本発明の記録方法はトラックビッチの小さい高密度
記録に適していることがわかる。
【００９１】
【表３】 実施例２１ スパッタ装置内に、プリグルーブ、プリフォーマット信
号の刻まれたポリカーボネイト製の円板をターゲットと
の距離が１０ｃｍであるようにセットし、前記基板を回
転させた。アルゴン中で第一のターゲットより、スパッ
タ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧５＊１０-1Ｐａ
で、６００Ａの厚さのＳｉ3 Ｎ4 を保護層として前記基
板上に設けた。次にアルゴン中で、第二のターゲットよ
りスパッタ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧６＊１０
-1Ｐａで、Ｇｄ２５Ｆｅ６５Ｃｏ１０（ａｔ％）合金
（副格子磁化はＧｄ原子優位）をスパッタし、膜厚２５
０Ａ、キュリー温度が約２５０℃、補償温度が約２００
℃、保磁力が１２００ Ｏｅの第一磁性層を形成した。
号の刻まれたポリカーボネイト製の円板をターゲットと
の距離が１０ｃｍであるようにセットし、前記基板を回
転させた。アルゴン中で第一のターゲットより、スパッ
タ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧５＊１０-1Ｐａ
で、６００Ａの厚さのＳｉ3 Ｎ4 を保護層として前記基
板上に設けた。次にアルゴン中で、第二のターゲットよ
りスパッタ速度１００Ａ／ｍｉｎ、スパッタ圧６＊１０
-1Ｐａで、Ｇｄ２５Ｆｅ６５Ｃｏ１０（ａｔ％）合金
（副格子磁化はＧｄ原子優位）をスパッタし、膜厚２５
０Ａ、キュリー温度が約２５０℃、補償温度が約２００
℃、保磁力が１２００ Ｏｅの第一磁性層を形成した。
【００９２】次に、アルゴン中で、第三のターゲットよ
りＴｂ２４Ｆｅ６８Ｃｏ８（ａｔ％）合金（副格子磁化
はＴｂ原子優位）をスパッタし、膜厚２００Ａ、キュリ
ー温度が約１６０℃、保磁力が１５ＫＯｅの第二磁性層
を形成した。
りＴｂ２４Ｆｅ６８Ｃｏ８（ａｔ％）合金（副格子磁化
はＴｂ原子優位）をスパッタし、膜厚２００Ａ、キュリ
ー温度が約１６０℃、保磁力が１５ＫＯｅの第二磁性層
を形成した。
【００９３】さらにアルゴン中で第一のターゲットのＳ
ｉ3 Ｎ4 と第四のターゲットのＡｌをスパッタ圧５＊１
０-1Ｐａで順にスパッタ、４００ＡのＳｉ3 Ｎ4 保護層
と４００ＡのＡｌ金属層を形成した。
ｉ3 Ｎ4 と第四のターゲットのＡｌをスパッタ圧５＊１
０-1Ｐａで順にスパッタ、４００ＡのＳｉ3 Ｎ4 保護層
と４００ＡのＡｌ金属層を形成した。
【００９４】次に、ホットメルト接着剤を用いて、上記
の膜形成を終えた基板をポリカーボネイト製の貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ、光磁気ディスクサンプルを作製
した。
の膜形成を終えた基板をポリカーボネイト製の貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ、光磁気ディスクサンプルを作製
した。
【００９５】第一、第二磁性層はそれぞれ交換相互作用
により結合している。第一磁性層は、第二磁性層と強く
結合しているので安定化され界面磁壁のない状態から第
一磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界は約２ＫＯｅ
であった。
により結合している。第一磁性層は、第二磁性層と強く
結合しているので安定化され界面磁壁のない状態から第
一磁性層を磁化反転させるのに必要な磁界は約２ＫＯｅ
であった。
【００９６】この光磁気ディスクを記録再生装置（ナカ
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、従来の消去、記録
のテストを行った。消去バイアス磁界５００ Ｏｅを印
加、線速度９ｍ／ｓｅｃで回転させながら、約１．２μ
直径に集光した波長７８０ｎｍ、出力１０ｍＷの連続の
レーザビームを照射して消去（記録層を一方向に着磁）
した。
ミチＯＭＳ−２０００）にセットし、従来の消去、記録
のテストを行った。消去バイアス磁界５００ Ｏｅを印
加、線速度９ｍ／ｓｅｃで回転させながら、約１．２μ
直径に集光した波長７８０ｎｍ、出力１０ｍＷの連続の
レーザビームを照射して消去（記録層を一方向に着磁）
した。
【００９７】次に８ｍＷ出力のレーザを５０％の時間比
でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記録バイア
ス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関係を調べ
た。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを照射し
た。結果は図７に示す。
でＯＮ／ＯＦＦさせる周波数を変えながら、記録バイア
ス磁界の大きさと記録再生信号のキャリアの関係を調べ
た。なお信号再生のため１ｍＷの連続ビームを照射し
た。結果は図７に示す。
【００９８】ここでバイアス磁界のマイナスは消去方向
である。
である。
【００９９】図７を見ると、実施例１と同様に記録の周
波数が大きくなる（記録ビットの長さが短くなる）に従
ってキャリアレベルの立ち上がり始める（記録ビットが
形成される）。バイアス磁界がプラス方向にシフトして
いることが分かる。
波数が大きくなる（記録ビットの長さが短くなる）に従
ってキャリアレベルの立ち上がり始める（記録ビットが
形成される）。バイアス磁界がプラス方向にシフトして
いることが分かる。
【０１００】これは、消去（記録層を一方向に着磁）状
態では、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁界があり、例えば
長さ５．０μと３．３μの長いビットでは記録ビットの
中で磁壁の占める割合が小さく、レーザで昇温した部分
がそのまま記録ビットとして形成される。
態では、ほぼ５００ Ｏｅ程度の反磁界があり、例えば
長さ５．０μと３．３μの長いビットでは記録ビットの
中で磁壁の占める割合が小さく、レーザで昇温した部分
がそのまま記録ビットとして形成される。
【０１０１】次に、周波数が大きくなり、記録ビットの
中で磁壁の占める割合が大きくなると、磁壁エネルギー
から、もう一度記録ビット消滅させようとする力を受け
る。そこで記録バイアス磁界をプラス（書き込み）方向
に印加して補助しないと記録ビットが形成されないこと
になる。
中で磁壁の占める割合が大きくなると、磁壁エネルギー
から、もう一度記録ビット消滅させようとする力を受け
る。そこで記録バイアス磁界をプラス（書き込み）方向
に印加して補助しないと記録ビットが形成されないこと
になる。
【０１０２】最後にビット長が、０．３３μ程度まで小
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
さくなると、約４００ Ｏｅの記録バイアス磁界を印加
しても記録ビットは形成されなくなることがわかる。
【０１０３】次にレーザを５０％の時間比で周波数２０
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図５の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に、重ね書
き記録の実験を行ったところ、以前の記録信号は再生さ
れず、再生信号周波数１ＭＨｚの良好な再生信号が得ら
れた。
ＭＨｚ（記録ビット長０．１７μ）でＯＮ／ＯＦＦさせ
ながら、記録ビットを形成する信号に応じて２０対分を
ＯＮ／ＯＮの連続ビーム（周波数１ＭＨｚ、記録ビット
長３．３μに対応）として照射記録を行った。記録バイ
アス磁界は２００ Ｏｅ、記録パワーは８ｍＷである。
この結果信号周波数１ＭＨｚでＣ／Ｎ比５２ｄＢの良好
な記録再生信号を得た。また同様の条件で図５の記録を
行った領域（すでに記録ビットが存在する）に、重ね書
き記録の実験を行ったところ、以前の記録信号は再生さ
れず、再生信号周波数１ＭＨｚの良好な再生信号が得ら
れた。
【０１０４】比較例４ 実施例２１と同様の方法で、第二磁性層を設けない以外
は実施例２１と同じ構成のサンプルディスクを作製し
た。また実施例２１と同じ条件で記録の実験を行ったと
ころ、消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズ
が大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、
あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなど
の確認が難しかった。
は実施例２１と同じ構成のサンプルディスクを作製し
た。また実施例２１と同じ条件で記録の実験を行ったと
ころ、消去後記録でも、重ね書き記録でも、記録ノイズ
が大きくキャリアの立ち上がるバイアス磁界の大きさ、
あるいは重ね書き以前の信号が十分に消去されたかなど
の確認が難しかった。
【０１０５】これは第一磁性層を短い記録ビットでは記
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
録後消滅しやすい様に設定してある為で、形成した記録
ビットを安定化させる第二磁性層が必要であることを確
認した。
【０１０６】実施例２２〜２４ 実施例２１と同じ構成で、第一磁性層の膜厚を変化させ
たサンプルディスク（実施例２２〜２４）を作製し、実
施例２１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表４に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層が７５Ａ（実施例２２）と、膜厚
が小さくなると、短いビットを消滅させる効果が弱まり
重ね書きで以前の記録ビットが消去されにくいことが分
かる。また第一磁性層が４００Ａ（実施例２４）と膜厚
が大きくなると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大
きすぎてビット形状が不安定になるためか記録ノイズの
増大が著しい。
たサンプルディスク（実施例２２〜２４）を作製し、実
施例２１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表４に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層が７５Ａ（実施例２２）と、膜厚
が小さくなると、短いビットを消滅させる効果が弱まり
重ね書きで以前の記録ビットが消去されにくいことが分
かる。また第一磁性層が４００Ａ（実施例２４）と膜厚
が大きくなると、逆に記録ビットを消滅させる効果が大
きすぎてビット形状が不安定になるためか記録ノイズの
増大が著しい。
【０１０７】実施例２５〜２６ 実施例２１と同じ構成で、第一磁性層の材料組成を変え
たサンプルディスク（実施例２５〜２６）を作製し、実
施例２１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表４に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁
性層のキュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記
録ビットの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発
生があり、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録
ノイズが上昇してしまう（実施例２６）ことが分かっ
た。
たサンプルディスク（実施例２５〜２６）を作製し、実
施例２１と同様の条件で重ね書き実験を行った。この結
果を表４に示す。第二磁性層の材料、膜厚などでも変わ
り得るが、第一磁性層のキュリー温度が下がって第二磁
性層のキュリー温度に近づいてくると、第一磁性層で記
録ビットの形成が始まると同時に第二磁性層の磁化の発
生があり、短いビットを消滅させる効果もなくなり記録
ノイズが上昇してしまう（実施例２６）ことが分かっ
た。
【０１０８】
【表４】
【０１０９】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の第１
及び第２の記録方法の発明によれば、相対的に保磁力が
小さくてキュリー温度の高い第一の磁性層と、相対的に
保磁力が大きくキュリー温度が低い第二の磁性層との記
録層を有する光磁気記録媒体を用いて、記録前に第一磁
性層を一定方向に着磁後反対方向に記録バイアス磁界を
印加しながら、又は記録前に案内溝部を一定方向に着磁
後反対方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁
性層にまたは記録トラック部分に、記録情報に応じて第
一磁性層を磁化反転可能なパワーのレーザビームをＯＮ
／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連続して
照射するかの２通りの記録を行うことにより、良好な重
ね書き記録が可能となった。
及び第２の記録方法の発明によれば、相対的に保磁力が
小さくてキュリー温度の高い第一の磁性層と、相対的に
保磁力が大きくキュリー温度が低い第二の磁性層との記
録層を有する光磁気記録媒体を用いて、記録前に第一磁
性層を一定方向に着磁後反対方向に記録バイアス磁界を
印加しながら、又は記録前に案内溝部を一定方向に着磁
後反対方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁
性層にまたは記録トラック部分に、記録情報に応じて第
一磁性層を磁化反転可能なパワーのレーザビームをＯＮ
／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、ＯＮを連続して
照射するかの２通りの記録を行うことにより、良好な重
ね書き記録が可能となった。
【０１１０】本発明の第３の記録方法の発明によれば、
室温とキュリー温度の間に補償温度を有する第一の磁性
層と、相対的に保磁力が大きくキュリー温度が低い第二
の磁性層との記録層を有する光磁気記録媒体を用いて、
一定方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁性
層を磁化反転可能なパワーのレーザビームを、記録情報
に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、Ｏ
Ｎを連続して照射するかの２通りの記録を行うことによ
り、良好な重ね書き記録が可能となった。
室温とキュリー温度の間に補償温度を有する第一の磁性
層と、相対的に保磁力が大きくキュリー温度が低い第二
の磁性層との記録層を有する光磁気記録媒体を用いて、
一定方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一磁性
層を磁化反転可能なパワーのレーザビームを、記録情報
に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、Ｏ
Ｎを連続して照射するかの２通りの記録を行うことによ
り、良好な重ね書き記録が可能となった。
【０１１１】またＯＮ／ＯＦＦを繰り返す記録では記録
ビットが形成されず、ＯＮを連続する記録では記録ビッ
トが形成されるように第一の磁性層のキュリー温度、飽
和磁化及び膜厚を適切に設定した光磁気記録媒体を用
い、変調するレーザの周波数、印加する記録バイアス磁
界の方向及びその大きさを調整することによりノイズの
ない良好な重ね書きが可能となった。
ビットが形成されず、ＯＮを連続する記録では記録ビッ
トが形成されるように第一の磁性層のキュリー温度、飽
和磁化及び膜厚を適切に設定した光磁気記録媒体を用
い、変調するレーザの周波数、印加する記録バイアス磁
界の方向及びその大きさを調整することによりノイズの
ない良好な重ね書きが可能となった。
【０１１２】更に前記の記録方法で形成された記録ビッ
トを再生読み出しする際、印加した第一磁性層着磁のた
めの磁界を取り除き、界面磁壁を解消可能な大きさの磁
界を記録バイアス磁界と同方向に印加することによりノ
イズのない良好な再生信号が得られた。
トを再生読み出しする際、印加した第一磁性層着磁のた
めの磁界を取り除き、界面磁壁を解消可能な大きさの磁
界を記録バイアス磁界と同方向に印加することによりノ
イズのない良好な再生信号が得られた。
【図１】本発明の第１の発明の記録方法によって重ね書
き記録を行うときの記録過程を説明する図
き記録を行うときの記録過程を説明する図
【図２】本発明の第２の発明の記録方法によって重ね書
き記録を行うときの記録過程を説明する図
き記録を行うときの記録過程を説明する図
【図３】本発明の第３の発明の記録方法によって重ね書
き記録を行うときの記録過程を説明する図
き記録を行うときの記録過程を説明する図
【図４】本発明の記録方法に用いられる光磁気記録媒体
の構成例の一つを示す模式断面図
の構成例の一つを示す模式断面図
【図５】実施例１における記録バイアス磁界の大きさと
記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
【図６】実施例１１における記録バイアス磁界の大きさ
と記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
と記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
【図７】実施例２１における記録バイアス磁界の大きさ
と記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
と記録再生信号のキャリアの関係を示すグラフ
１ 基板 ２ 保護膜 ３ 第一磁性層 ４ 第二磁性層 ５ 保護膜 ６ 金属反射膜
Claims (7)
- 【請求項１】 相対的に保磁力が小さくてキュリー温度
が高い第一の磁性層と相対的に保磁力が大きくキュリー
温度が低い第二の磁性層との記録層を有する光磁気記録
媒体を用いて、記録前に一定方向に第一の磁性層の磁化
を着磁可能な磁界を印加後、反対方向に記録バイアス磁
界を印加しながら、記録情報に応じて第一磁性層の磁化
反転可能なパワーのレーザビームを照射しつつ、記録信
号に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射するか、
ＯＮを連続して照射するかの２通りの記録を行うことを
特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体を用いて
記録前にあらかじめ隣接する案内溝部を一定方向に着磁
後、一定方向に記録バイアス磁界を印加しながら、第一
磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビームを、記録
情報に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返しながら照射する
か、ＯＮを連続して照射するかの２通りの記録を行うこ
とを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項３】 室温とキュリー温度の間に補償温度を有
する第一の磁性層と相対的に保磁力が大きくキュリー温
度が低い第二の磁性層の記録層を有する光磁気記録媒体
を用いて、一定方向に記録バイアス磁界を印加しなが
ら、第一磁性層の磁化反転可能なパワーのレーザビーム
を照射しつつ、記録情報に応じてＯＮ／ＯＦＦを繰り返
しながら照射するか、ＯＮを連続して照射するかの２通
りの記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項４】 第一の磁性層がＰｔまたはＰｄとＣｏの
多層膜である媒体を用いることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の光磁気記録方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれか１つの記録
方法で形成された記録ビットを再生読みだしする際、印
加した第一磁性層着磁のための磁界を取り除き、界面磁
壁を解消可能な大きさの磁界を記録バイアス磁界と同方
向に印加することを特徴とする光磁気再生方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれか１つに記載
の記録方法であって、ＯＮ／ＯＦＦを繰り返す記録では
記録ビットは形成されず、ＯＮを連続する記録では記録
ビットが形成されるように、変調するレーザの周波数、
印加する記録バイアス磁界の方向、およびその大きさを
調整することを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし３のいずれか１つに記載
の記録方法に用いる光磁気記録媒体であって、ＯＮ／Ｏ
ＦＦを繰り返す記録では記録ビットは形成されず、ＯＮ
を連続する記録では記録ビットが形成されるように、第
一の磁性層のキュリー温度、飽和磁化、および膜厚が設
定されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023023A JPH06236589A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 |
| DE69421729T DE69421729T2 (de) | 1993-02-10 | 1994-02-07 | Überschreibungsfähiges magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren |
| EP94300876A EP0611120B1 (en) | 1993-02-10 | 1994-02-07 | Overwrite capable magnetooptical recording method |
| US08/610,845 US5652738A (en) | 1993-02-10 | 1996-03-05 | Magnetooptical recording method for overwriting information on a recording medium includes selecting one of two recording modes based on recording information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023023A JPH06236589A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236589A true JPH06236589A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12098892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023023A Pending JPH06236589A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5652738A (ja) |
| EP (1) | EP0611120B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06236589A (ja) |
| DE (1) | DE69421729T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10134372A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Sony Corp | 再生装置および方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| US5265073A (en) * | 1987-03-13 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same |
| JPS6452223A (en) * | 1987-05-14 | 1989-02-28 | Nippon Telegraph & Telephone | Magnetic card |
| DE3883349T2 (de) * | 1987-11-02 | 1993-12-02 | Fujitsu Ltd | Gleichzeitiges Löschen und erneutes Einschreiben einer Information in einen magnetooptischen Speicher. |
| US5163031A (en) * | 1988-12-07 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording tetra-value signal on magneto-optical recording medium with plural magnetic layers |
| US5233578A (en) * | 1988-12-28 | 1993-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording information on a recording medium having at least two magnetic layers |
| US5189649A (en) * | 1989-05-24 | 1993-02-23 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for directly overwriting magnetooptic data storage media |
| JPH03127347A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP2575511B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP3185932B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録再生方法ならびに光磁気記録再生装置 |
| JPH04134741A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| US5197048A (en) * | 1990-10-02 | 1993-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium, magneto-optic recording system and magneto-optic recording method |
| US5263015A (en) * | 1990-11-21 | 1993-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording media and overwrite recording method using the same |
| JP2567996B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1996-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP3359067B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JP3363923B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2003-01-08 | 富士通株式会社 | 光磁気ディスク記録再生装置 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP5023023A patent/JPH06236589A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-07 DE DE69421729T patent/DE69421729T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-07 EP EP94300876A patent/EP0611120B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-03-05 US US08/610,845 patent/US5652738A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5652738A (en) | 1997-07-29 |
| EP0611120A2 (en) | 1994-08-17 |
| DE69421729T2 (de) | 2000-05-18 |
| DE69421729D1 (de) | 1999-12-30 |
| EP0611120B1 (en) | 1999-11-24 |
| EP0611120A3 (en) | 1995-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| JP3277245B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| JPS63155449A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH0535494B2 (ja) | ||
| JPS6348637A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPH06236589A (ja) | 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 | |
| JPH0522301B2 (ja) | ||
| JPH0535498B2 (ja) | ||
| JPS63133338A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH04313833A (ja) | 光磁気記録媒体およびそれを用いた光磁気記録再生方法 | |
| JP2913875B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP3343617B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| JP2555272B2 (ja) | 光磁気記録再生方法 | |
| JPS63237242A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JPH01227245A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH0535493B2 (ja) | ||
| JPS63193351A (ja) | 光磁気記録媒体及び記録方式 | |
| JPH05182267A (ja) | 光磁気記録媒体およびその記録方法 | |
| JPH08147776A (ja) | 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 | |
| JPH087884B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH03263634A (ja) | 光磁気記録媒体およびその記録方法 | |
| JPH0536147A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH06338083A (ja) | 両面タイプのオーバーライト可能な光磁気記録媒体 及びその製造方法 | |
| JPH09282726A (ja) | 光磁気記録媒体 |