JPH03127347A - 光磁気記録方法及び装置 - Google Patents
光磁気記録方法及び装置Info
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- JPH03127347A JPH03127347A JP1265308A JP26530889A JPH03127347A JP H03127347 A JPH03127347 A JP H03127347A JP 1265308 A JP1265308 A JP 1265308A JP 26530889 A JP26530889 A JP 26530889A JP H03127347 A JPH03127347 A JP H03127347A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、レーザ光を用いて情報の書込・消去を行なう
光磁気記録に係り、特に単一ビーム源を用いたオーバー
ライトが可能な光磁気記録方法及び装置に関する。
光磁気記録に係り、特に単一ビーム源を用いたオーバー
ライトが可能な光磁気記録方法及び装置に関する。
Ｂ、従来触術
書き換え可能な光記録の方式として光磁気記録が実用化
されつつある。光磁気記録は、磁界変調方式と光変調方
式の２つに大別される。
されつつある。光磁気記録は、磁界変調方式と光変調方
式の２つに大別される。
磁界変調方式は、単一のビーム源を使って通常の磁気記
録のようにオーバーライトを容易に行えるけれども、レ
ーザ光と同期して移動する磁気ヘッドが必要であり、装
置が複雑になるという問題点がある。これに対し、光変
調方式では、磁気ヘッドは不要であるものの、単一のビ
ーム源を使ってオーバーライトを容易に行なうことがで
きないという問題点がある。
録のようにオーバーライトを容易に行えるけれども、レ
ーザ光と同期して移動する磁気ヘッドが必要であり、装
置が複雑になるという問題点がある。これに対し、光変
調方式では、磁気ヘッドは不要であるものの、単一のビ
ーム源を使ってオーバーライトを容易に行なうことがで
きないという問題点がある。
そこで、近年、光変調方式のこのような問題点を克服す
るための研究が進められている。以下、代表例を２つ取
り上げて説明する。まず、特開昭６２−１７５９４８号
公報では、記録媒体として磁気特性の異なる二層膜を用
い、書込時には高パワーのレーザ光を照射し、消去時に
は低パワーのレーザー光を照射する方式が開示されてい
る。しかしながら、この方式では、外部磁界印加手段と
して記録磁界印加手段の他に初期補助磁界印加手段を設
けなければならず、装置が複雑になるという問題点があ
る。また、各々特性が調製された二つの磁性層を積層し
た媒体を用意しなければならないという煩雑さもある。
るための研究が進められている。以下、代表例を２つ取
り上げて説明する。まず、特開昭６２−１７５９４８号
公報では、記録媒体として磁気特性の異なる二層膜を用
い、書込時には高パワーのレーザ光を照射し、消去時に
は低パワーのレーザー光を照射する方式が開示されてい
る。しかしながら、この方式では、外部磁界印加手段と
して記録磁界印加手段の他に初期補助磁界印加手段を設
けなければならず、装置が複雑になるという問題点があ
る。また、各々特性が調製された二つの磁性層を積層し
た媒体を用意しなければならないという煩雑さもある。
Ｈａｎｇ−Ｐｉｎｇ Ｄ、５ｈｉａｈ等著の“Ｏｐｅｒ
ａｔｉｎｇ Ｍａｒｇｉｎｓｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｏ−
Ｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
ｗｉｔｈＤｉｒｅｃｔ ０ｖｅｒｔｚｒｉｔｅ Ｃａ
ｐａｂｉｌｉｔｙ”、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔ−１
ｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎａｔｉｃｓ、Ｖｏ ｌ 、
ＭＡＧ−２３，Ｍａｌ。
ａｔｉｎｇ Ｍａｒｇｉｎｓｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｏ−
Ｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
ｗｉｔｈＤｉｒｅｃｔ ０ｖｅｒｔｚｒｉｔｅ Ｃａ
ｐａｂｉｌｉｔｙ”、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔ−１
ｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎａｔｉｃｓ、Ｖｏ ｌ 、
ＭＡＧ−２３，Ｍａｌ。
１９８７年１月では、以下のような方法が開示されてい
る。
る。
（１）補償温度Ｔｃｏｍｐが４０℃以上１３０℃以下を
有する希土類リッチ側の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ
）非晶質膜を記録膜として用いる。
有する希土類リッチ側の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ
）非晶質膜を記録膜として用いる。
（２）書き込みに１００〜４００ｎｓｅｃの長いパルス
を、消去に２５〜８０ｎｓｅｃの短いパルスを用いる。
を、消去に２５〜８０ｎｓｅｃの短いパルスを用いる。
第６図及び第７図を参照しつつ、この方法にょる書込・
消去の原理について説明する。第６図は、室温以上の補
償温度を有するＲＥ−７Ｍ膜の磁気特性を一般的に示す
ものである。同図に示されるように、この種のＲＥ−７
Ｍ膜では、補償温度Ｔｃａｍｐ以上の温度領域において
、保磁力（Ｈｃ）が温度の上昇につれて単調に減少する
のに対し、飽和磁化（Ｍ ｓ ）は−旦単調に増加した
後単調減少に転する。第６図の温度範囲Ｘでは、保磁力
ＨＣは小さいけれども、飽和磁化Ｍｓは大きく、したが
って反磁場４ ％ Ｍ ｓ ”もまた大きい、それ故。
消去の原理について説明する。第６図は、室温以上の補
償温度を有するＲＥ−７Ｍ膜の磁気特性を一般的に示す
ものである。同図に示されるように、この種のＲＥ−７
Ｍ膜では、補償温度Ｔｃａｍｐ以上の温度領域において
、保磁力（Ｈｃ）が温度の上昇につれて単調に減少する
のに対し、飽和磁化（Ｍ ｓ ）は−旦単調に増加した
後単調減少に転する。第６図の温度範囲Ｘでは、保磁力
ＨＣは小さいけれども、飽和磁化Ｍｓは大きく、したが
って反磁場４ ％ Ｍ ｓ ”もまた大きい、それ故。
反磁場によってＲＥ−７Ｍ膜の磁化が反転する可能性が
出でくる。５ｈｉｅｈ等は、上記（１）の特性を持つＲ
Ｅ−７Ｍ膜を温度範囲Ｘにまで加熱したときに反磁場に
よって磁化が反転することを確認したものと思われる。
出でくる。５ｈｉｅｈ等は、上記（１）の特性を持つＲ
Ｅ−７Ｍ膜を温度範囲Ｘにまで加熱したときに反磁場に
よって磁化が反転することを確認したものと思われる。
５ｈｉｅｈ等の方法は、磁化したＲＥ−ＴＭ膜自身の作
る反磁場を利用すること、及び外部磁界を印加しないこ
とに特徴がある。以下、書込及び消去の各ステップにつ
いて説明する。
る反磁場を利用すること、及び外部磁界を印加しないこ
とに特徴がある。以下、書込及び消去の各ステップにつ
いて説明する。
まず、ＲＥ−７Ｍ膜は、上向きに初期磁化されているも
のとする。上向きの磁化を“Ｏ”の記憶に対応させ、下
向きの磁化を１′１ｎの記憶に対応させる。書込とは磁
化の向きを上向きから下向きに反転させることであり、
消去とは磁化の向きを下向きから上向きに再度反転させ
ることとする。
のとする。上向きの磁化を“Ｏ”の記憶に対応させ、下
向きの磁化を１′１ｎの記憶に対応させる。書込とは磁
化の向きを上向きから下向きに反転させることであり、
消去とは磁化の向きを下向きから上向きに再度反転させ
ることとする。
書込時には、後で消去のために用いるレーザ・パルスＬ
′よりも時間巾の長い（１００〜４００ｎｓ）パルスＬ
をＲＥ−７Ｍ膜に照射する（第７図Ａ）、その結果、周
囲の磁化の作る反磁場Ｈ′によって、レーザ・パルスＬ
で照射された領域Ｐにおいて磁化が反転し、“工”が書
き込まれる（第７図Ｂ）。
′よりも時間巾の長い（１００〜４００ｎｓ）パルスＬ
をＲＥ−７Ｍ膜に照射する（第７図Ａ）、その結果、周
囲の磁化の作る反磁場Ｈ′によって、レーザ・パルスＬ
で照射された領域Ｐにおいて磁化が反転し、“工”が書
き込まれる（第７図Ｂ）。
次に、消去時には、時間巾の短い（２５〜８０ｎｓｅｃ
）パルスＬ′を、上記領域Ｐの中央の領域Ｑめがけて照
射する（第７図Ｃ）。その結果。
）パルスＬ′を、上記領域Ｐの中央の領域Ｑめがけて照
射する（第７図Ｃ）。その結果。
まず周囲の磁化の作る反磁場Ｈ１１によって、領域Ｑの
磁化が再反転する。それのみならず、再反転領域が拡大
しく第７図Ｄ）、ついには領域Ｐ全体が再反転し、消去
が完了する（第７図Ｅ）。
磁化が再反転する。それのみならず、再反転領域が拡大
しく第７図Ｄ）、ついには領域Ｐ全体が再反転し、消去
が完了する（第７図Ｅ）。
この方法は、補助磁場（外部磁場）を印加しなくてよい
というメリットを持つけれども、次のような問題点も有
する。
というメリットを持つけれども、次のような問題点も有
する。
（ａ）消去時に、短い巾のパルスを、消去予定領域の内
側に照射しなければならないので、消去前に消去予定領
域の位置を確かめるために媒体を余分に１回転させなけ
ればならない、これでは厳密にはオーバーライトと言え
ない。
側に照射しなければならないので、消去前に消去予定領
域の位置を確かめるために媒体を余分に１回転させなけ
ればならない、これでは厳密にはオーバーライトと言え
ない。
（ｂ）書込予定領域は長い巾のパルスで形成される大き
なものとなるので、記録密度を向上させることができな
い。
なものとなるので、記録密度を向上させることができな
い。
Ｃ１発明が解決しようとする課題
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、単層のＲＥ
−７Ｍ膜からなる記録媒体と単一のビーム源を用いる光
変調方式を組み合わせて真にオーバーライトを行うこと
の可能な光磁気記録方法及び装置を提供することを目的
とする。
−７Ｍ膜からなる記録媒体と単一のビーム源を用いる光
変調方式を組み合わせて真にオーバーライトを行うこと
の可能な光磁気記録方法及び装置を提供することを目的
とする。
本発明はまた。構成が簡単であり、かつ記録密度の高い
光変調方式のオーバーライト可能な光磁気記録方法及び
装置を提供することを目的とする。
光変調方式のオーバーライト可能な光磁気記録方法及び
装置を提供することを目的とする。
００課題を解決するための手段
本発明の発明者は、反磁場による磁化の反転は、加熱時
に保磁力Ｈｃが十分小さくなっても、なお飽和磁化Ｍｓ
が十分高いＲＥ−７Ｍ膜に本質的に起こる現象であるこ
とを見い出すとともに、かかる特性を持つ膜に新規な記
録方式を組み合わせることにより、上記従来の問題点を
生じさせることなくオーバーライトが可能であることを
見い出した。
に保磁力Ｈｃが十分小さくなっても、なお飽和磁化Ｍｓ
が十分高いＲＥ−７Ｍ膜に本質的に起こる現象であるこ
とを見い出すとともに、かかる特性を持つ膜に新規な記
録方式を組み合わせることにより、上記従来の問題点を
生じさせることなくオーバーライトが可能であることを
見い出した。
好ましくは、記録膜としては、キュリー温度が約３００
℃以上である、すなわち２００℃近辺でも飽和磁化Ｍｓ
が十分大きな値を持つものを用いる。これに加えて、２
００℃近辺まで加熱されると、反磁場によって磁化の反
転が起きてしまう程度にまで保磁力Ｈｅが減少する特性
が、記録膜には要求される。２００℃で保磁力Ｈａが５
００Ｏｅ以下になるならば十分である。このような特性
を満たすならば、記録膜の組成は、遷移金属元素の副格
子磁化が優勢である、すなわちＴＭリッチ側であっても
よいし、希土類元素の副格子磁化が優勢である。すなわ
ちＲＥリッチ側であってもよい。従来、ＴＭリッチ側の
ＲＥ−ＴＭ単層膜は、例えばＳ、Ｔａｋａｙａｍａ等に
よる“阿ａｇｎｅｔｉｃ ａｎｄ ｍａｇ−ｎｅｔｏ
ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ ａｍｏｒｐｈｏ−ｕｓ ｆｉｌｍｓ”、
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、６１ （７） 、Ｉ Ａｐ
ｒｉｌ １９８７にいくつかの例が記載されている通
り公知であるけれども、これを使った光変調方式のオー
バーライトは全く実現されていなかった０本発明によれ
ば、ＴＭリッチ側のＲＥ−ＴＭ単層膜を使った光変調方
式のオーバーライトが可能になる。
℃以上である、すなわち２００℃近辺でも飽和磁化Ｍｓ
が十分大きな値を持つものを用いる。これに加えて、２
００℃近辺まで加熱されると、反磁場によって磁化の反
転が起きてしまう程度にまで保磁力Ｈｅが減少する特性
が、記録膜には要求される。２００℃で保磁力Ｈａが５
００Ｏｅ以下になるならば十分である。このような特性
を満たすならば、記録膜の組成は、遷移金属元素の副格
子磁化が優勢である、すなわちＴＭリッチ側であっても
よいし、希土類元素の副格子磁化が優勢である。すなわ
ちＲＥリッチ側であってもよい。従来、ＴＭリッチ側の
ＲＥ−ＴＭ単層膜は、例えばＳ、Ｔａｋａｙａｍａ等に
よる“阿ａｇｎｅｔｉｃ ａｎｄ ｍａｇ−ｎｅｔｏ
ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ ａｍｏｒｐｈｏ−ｕｓ ｆｉｌｍｓ”、
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、６１ （７） 、Ｉ Ａｐ
ｒｉｌ １９８７にいくつかの例が記載されている通
り公知であるけれども、これを使った光変調方式のオー
バーライトは全く実現されていなかった０本発明によれ
ば、ＴＭリッチ側のＲＥ−ＴＭ単層膜を使った光変調方
式のオーバーライトが可能になる。
なお、ＲＥ−ＴＭ膜は、全体にわたって１１０ Ｉｔの
向きに磁化された後、記録に用いられる。次に、記録方
式について述べると、′Ｏ”の向きの弱い補助磁場の存
在下で、書込時には、キュリー点ＴＣを下回る適当な温
度、すなわち記録膜の保持力Ｈａは十分低下するけれど
も飽和磁化Ｍｓはなお十分大きい温度にまで加熱し、消
去時には、さらにキュリー点Ｔｃ近傍またはそれよりも
高い温度にまで加熱する。したがって、単一レーザー・
ビーム源を用いた場合には、消去時にパワー・レベルを
最高にし、書込時にはパワー・レベルを低くし、磁化を
反転させる必要のない読取時にはパワー・レベルをさら
に低くすればよい。
向きに磁化された後、記録に用いられる。次に、記録方
式について述べると、′Ｏ”の向きの弱い補助磁場の存
在下で、書込時には、キュリー点ＴＣを下回る適当な温
度、すなわち記録膜の保持力Ｈａは十分低下するけれど
も飽和磁化Ｍｓはなお十分大きい温度にまで加熱し、消
去時には、さらにキュリー点Ｔｃ近傍またはそれよりも
高い温度にまで加熱する。したがって、単一レーザー・
ビーム源を用いた場合には、消去時にパワー・レベルを
最高にし、書込時にはパワー・レベルを低くし、磁化を
反転させる必要のない読取時にはパワー・レベルをさら
に低くすればよい。
第１図は、本発明の記録方式を、上記従来の５ｈｉｅｈ
等の方法（第７図）と対比させて説明したものである。
等の方法（第７図）と対比させて説明したものである。
まず、第１のパワー・レベルでレーザー・ビームＬを照
射し、書込みを行なう（第１図Ａ）。補助磁場Ｈｅｘは
弱いので、加熱されたスポットでは周囲及び自分自身の
十分大きな磁化の作る反磁場Ｈ′によって磁化が反転す
る（第１図Ｂ）０次に、第１のパワー・レベルより大な
る第２のパワー・レベルでレーザー・ビームＬを照射し
、消去を行なう（第１図Ｃ）、膜はキュリー点近傍又は
それよりも高い温度にまで加熱されるので１弱いけれど
も補助磁場Ｈｅｘが作用して磁化が再反転する（第１図
Ｄ）。
射し、書込みを行なう（第１図Ａ）。補助磁場Ｈｅｘは
弱いので、加熱されたスポットでは周囲及び自分自身の
十分大きな磁化の作る反磁場Ｈ′によって磁化が反転す
る（第１図Ｂ）０次に、第１のパワー・レベルより大な
る第２のパワー・レベルでレーザー・ビームＬを照射し
、消去を行なう（第１図Ｃ）、膜はキュリー点近傍又は
それよりも高い温度にまで加熱されるので１弱いけれど
も補助磁場Ｈｅｘが作用して磁化が再反転する（第１図
Ｄ）。
また、′工”が書き込まれている状態、すなわち第１図
Ｂの状態において、第１のパワー・レベルでレーザー・
ビームが照射された場合には、被照射領域の磁化の向き
は周囲の依然として十分大きな磁化の作る反磁場Ｈ″の
向きに揃うので、“工”のままである。
Ｂの状態において、第１のパワー・レベルでレーザー・
ビームが照射された場合には、被照射領域の磁化の向き
は周囲の依然として十分大きな磁化の作る反磁場Ｈ″の
向きに揃うので、“工”のままである。
Ｉｔ ＯＩｔが書き込まれている状態、すなわち第１図
りの状態において、第２のパワー・レベルでレーザー・
ビームが照射された場合には、被照射領域の周囲の磁化
が低下しており、補助磁場Ｈａｘが作用するので、当該
領域の磁化の向きは゛Ｏ″のままである。
りの状態において、第２のパワー・レベルでレーザー・
ビームが照射された場合には、被照射領域の周囲の磁化
が低下しており、補助磁場Ｈａｘが作用するので、当該
領域の磁化の向きは゛Ｏ″のままである。
以上より、本発明のオーバーライトの概要が理解されよ
う、しかしながら、本発明の原理の詳細はなお不明な部
分が多く、シたがって第１図の説明も推測をまじえたも
のである。
う、しかしながら、本発明の原理の詳細はなお不明な部
分が多く、シたがって第１図の説明も推測をまじえたも
のである。
本発明によれば、１ビツトの情報を書込み又は消去する
ためにレーザー・ビームを照射する領域をどちらも小さ
くすることができるので、記録密度を上げることができ
る。
ためにレーザー・ビームを照射する領域をどちらも小さ
くすることができるので、記録密度を上げることができ
る。
消去時には補助磁場の助けを借りるので、消去ビームが
書込スポットに完全に一致しなくても消去が可能である
。すなわち、消去ビームを照射する前に消去予定領域の
位置を確かめなくてもよく、真の意味でのオーバーライ
トが可能になる。
書込スポットに完全に一致しなくても消去が可能である
。すなわち、消去ビームを照射する前に消去予定領域の
位置を確かめなくてもよく、真の意味でのオーバーライ
トが可能になる。
Ｅ、実施例
まず、発明者が行った実験の詳細を、−の組成に関連し
て述べる。ＴＭリッチ側であるＴｂ工、Ｆｅ４ｓＣｏ２
ｇＣｒ７なる組成のＲＥ−ＴＭ膜が、ＤＣマグネトロン
・スパッタ法を用いて５インチ・ガラス基板上に作製さ
れた。第２図は、この膜の保磁力Ｈｅ及び飽和磁化Ｍｓ
のそれぞれの温度変化を示す。図かられかるように、こ
の膜のキュリー温度Ｔｃは３００℃を越えており、かつ
２００℃以上の高温で保持力は５００Ｏｅを下回ってい
る。
て述べる。ＴＭリッチ側であるＴｂ工、Ｆｅ４ｓＣｏ２
ｇＣｒ７なる組成のＲＥ−ＴＭ膜が、ＤＣマグネトロン
・スパッタ法を用いて５インチ・ガラス基板上に作製さ
れた。第２図は、この膜の保磁力Ｈｅ及び飽和磁化Ｍｓ
のそれぞれの温度変化を示す。図かられかるように、こ
の膜のキュリー温度Ｔｃは３００℃を越えており、かつ
２００℃以上の高温で保持力は５００Ｏｅを下回ってい
る。
この記録媒体を９ｍ／ｓｅｃの線速度で移動させながら
、波長８２２ｎｍの半導体レーザー・ビームを照射する
。第３図に示すように、情報を記録すべき場所にレーザ
ー光のスポットが来ると、パワーを、読み出しレベルよ
りも高い書込みレベルと、それよりもさらに高い消去レ
ベルとの間で。
、波長８２２ｎｍの半導体レーザー・ビームを照射する
。第３図に示すように、情報を記録すべき場所にレーザ
ー光のスポットが来ると、パワーを、読み出しレベルよ
りも高い書込みレベルと、それよりもさらに高い消去レ
ベルとの間で。
情報信号（１１１ＩＴかｌ（ＯＩＴか）のみに応じて変
動させる。パワー・レベルは、読出しレベルを１゜５ｍ
Ｗ、書込みレベルを６ｍＷ、消去レベルを８ｍＷにそれ
ぞれ設定した。また、補助磁場は、レーザー光のスポッ
トがあたる地点で消去方向に１００Ｏｅを印加した。第
４図は、このような方式で形成された書込みビットの外
観を示す。このように１本発明によれば、任意の大きさ
のビットを書込み・消去できることが確認された。
動させる。パワー・レベルは、読出しレベルを１゜５ｍ
Ｗ、書込みレベルを６ｍＷ、消去レベルを８ｍＷにそれ
ぞれ設定した。また、補助磁場は、レーザー光のスポッ
トがあたる地点で消去方向に１００Ｏｅを印加した。第
４図は、このような方式で形成された書込みビットの外
観を示す。このように１本発明によれば、任意の大きさ
のビットを書込み・消去できることが確認された。
第１表は、上述の例と同じ条件の下でオーバーライトが
確認されたＴＭリッチ側の組成を示す。
確認されたＴＭリッチ側の組成を示す。
第２表は、やはり同じ条件の下でオーバーライトが確認
されたＲＥリッチ側の組成を示す。表中、保磁力の数値
は、室温で測定されたものである。
されたＲＥリッチ側の組成を示す。表中、保磁力の数値
は、室温で測定されたものである。
第１表
オーバーライトを確認したＴＭリッチ側組成組 或
保磁力、Ｈｃ キュリー温度（ＫＯｅ） Ｔ
ｃ （’Ｃ） Ｔｂ、７Ｆｅ、、Ｃｏ、、 ２ ４００Ｔ
ｂｔａＧｄ２ＦｅｓａＣｏｚ。 ４ ３８０Ｔｂ、Ｎ
ｄ、Ｆｅ、、Ｃｏ３．３ ４５０Ｔｂ、、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、２Ｃｏ、、 ５ ３３０Ｔｂ、Ｆｅ４ｓＣｏ
、。Ｎｂ、 ５ ３５０Ｔｂｉ、Ｆｅ４．Ｃｏ
ｚ、Ｃｒ、 ４ ４００Ｔｂ、、Ｆｅ４．Ｃｏ２
．Ｔａ７ ３ ３００Ｔｂ、、Ｐｒ、Ｆｅ、、Ｃｏ
、、 ３ ４００Ｄｙ２．Ｆｅ４３Ｃｏｇ＠
２ ３５０第２表 オーバーライトを確認したＲＥリッチ側組戒保磁力
補償温度 Ｈｅ （ＫＯｅ）Ｔｃｏｍｐ （’Ｃ） Ｔｂ２．Ｆｅ４３Ｃｏ、、 ３ １５０Ｔｂ
、、Ｆｅ、、Ｃｏ１． ５ １００Ｔｂ２３Ｇ
ｄ、Ｆｅ４ｖＣｏ２ｓ ３ １００Ｔｂ、、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、、Ｃｏｗｓ ２ １００Ｔｂ２．Ｆｅ、、Ｃｏ
□。Ｃｒ、 ３ １２０キユリ一温度 Ｔｃ （’Ｃ） ００ ００ ００ ５０ ５０ ｆｔオ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａは、耐食性を向上させる目的
で添加された遷移金属元素である。同じ目的に資する他
の元素、例えばＴｉやｐｔと適宜置換することも可能で
ある。
保磁力、Ｈｃ キュリー温度（ＫＯｅ） Ｔ
ｃ （’Ｃ） Ｔｂ、７Ｆｅ、、Ｃｏ、、 ２ ４００Ｔ
ｂｔａＧｄ２ＦｅｓａＣｏｚ。 ４ ３８０Ｔｂ、Ｎ
ｄ、Ｆｅ、、Ｃｏ３．３ ４５０Ｔｂ、、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、２Ｃｏ、、 ５ ３３０Ｔｂ、Ｆｅ４ｓＣｏ
、。Ｎｂ、 ５ ３５０Ｔｂｉ、Ｆｅ４．Ｃｏ
ｚ、Ｃｒ、 ４ ４００Ｔｂ、、Ｆｅ４．Ｃｏ２
．Ｔａ７ ３ ３００Ｔｂ、、Ｐｒ、Ｆｅ、、Ｃｏ
、、 ３ ４００Ｄｙ２．Ｆｅ４３Ｃｏｇ＠
２ ３５０第２表 オーバーライトを確認したＲＥリッチ側組戒保磁力
補償温度 Ｈｅ （ＫＯｅ）Ｔｃｏｍｐ （’Ｃ） Ｔｂ２．Ｆｅ４３Ｃｏ、、 ３ １５０Ｔｂ
、、Ｆｅ、、Ｃｏ１． ５ １００Ｔｂ２３Ｇ
ｄ、Ｆｅ４ｖＣｏ２ｓ ３ １００Ｔｂ、、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、、Ｃｏｗｓ ２ １００Ｔｂ２．Ｆｅ、、Ｃｏ
□。Ｃｒ、 ３ １２０キユリ一温度 Ｔｃ （’Ｃ） ００ ００ ００ ５０ ５０ ｆｔオ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａは、耐食性を向上させる目的
で添加された遷移金属元素である。同じ目的に資する他
の元素、例えばＴｉやｐｔと適宜置換することも可能で
ある。
第５図は、光磁気記録装置の全体構成を示すブロック図
である。
である。
この装置は、記録媒体１ｏを移動させる手段の１例とし
ての回転手段１２、補助磁場印加手段１４、レーザー・
ビーム光源１６、記録媒体１２に記録すべき２値化情報
に応じて、ビームのパワー・レベルを、書込みに適した
第１のパワー・レベルと消去に適した第２のパワー・レ
ベルとにパルス状に変調する手段１８からなる。もちろ
ん、レーザー・ビーム光源１６と記録媒体１２との間に
は公知の光学系が介在していても差し支えない。
ての回転手段１２、補助磁場印加手段１４、レーザー・
ビーム光源１６、記録媒体１２に記録すべき２値化情報
に応じて、ビームのパワー・レベルを、書込みに適した
第１のパワー・レベルと消去に適した第２のパワー・レ
ベルとにパルス状に変調する手段１８からなる。もちろ
ん、レーザー・ビーム光源１６と記録媒体１２との間に
は公知の光学系が介在していても差し支えない。
補助磁場印加手段１４としては、電磁石又は好ましくは
永久磁石が用いられる。
永久磁石が用いられる。
記録媒体を初期磁化するためには、例えばレーザー・ビ
ーム光源１６によって、記録媒体１４に対してレーザー
・ビームを第２のパワー・レベルで連続的に照射すれば
よい。
ーム光源１６によって、記録媒体１４に対してレーザー
・ビームを第２のパワー・レベルで連続的に照射すれば
よい。
Ｆ、効果
本発明によれば、単層のＲＥ−ＴＭ膜からなる記録媒体
と単一のレーザー・ビーム源を用いる光変調方式を組み
合わせて真にオーバーライトを行うことの可能な光磁気
記録方法及び装置が得られる。
と単一のレーザー・ビーム源を用いる光変調方式を組み
合わせて真にオーバーライトを行うことの可能な光磁気
記録方法及び装置が得られる。
第１図は、本発明による光磁気記録の書込及び消去ステ
ップの説明図である。 第２図は、 Ｔ ｂ、、Ｆ ｅ４ｓＣｏ２．Ｃｒ’ｔの
保持力と飽和磁化の温度変化を示すグラフである。 第３図は、レーザー・ビームのパワー・レベルの変調の
１例を示すグラフである。 第４図は、本発明に従って書き込まれた記録媒体上のビ
ットの外観を再現した図である。第５図は１本発明によ
る光磁気記録装置を示すブロック図である。 第６図は、補償点を持つＲＥ−ＴＭ膜の保持力と飽和磁
化の温度変化を一般的に示すグラフである。 第７９図は、 従来のＲＥ−ＴＭ単層膜を用いた光 磁気記録方法の一連のステップの説明図である。
ップの説明図である。 第２図は、 Ｔ ｂ、、Ｆ ｅ４ｓＣｏ２．Ｃｒ’ｔの
保持力と飽和磁化の温度変化を示すグラフである。 第３図は、レーザー・ビームのパワー・レベルの変調の
１例を示すグラフである。 第４図は、本発明に従って書き込まれた記録媒体上のビ
ットの外観を再現した図である。第５図は１本発明によ
る光磁気記録装置を示すブロック図である。 第６図は、補償点を持つＲＥ−ＴＭ膜の保持力と飽和磁
化の温度変化を一般的に示すグラフである。 第７９図は、 従来のＲＥ−ＴＭ単層膜を用いた光 磁気記録方法の一連のステップの説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）加熱されると、キュリー温度より低い温度領域に
て飽和磁化は依然として大きな値を示すけれども保磁力
は加熱領域の磁化の向きが反磁場の向きに揃ってしまう
ほどに低下する特性を持つ希土類−遷移金属非晶質膜か
らなる記録媒体と、パルス状のレーザー・ビームをその
パワー・レベルを変調して照射する手段と、 所定の向きの補助磁場を印加する手段 を用いて行うオーバーライト可能な光磁気記録方法であ
って、 上記記録媒体全体を上記所定の向きに磁化させ、上記レ
ーザー・ビーム照射手段に対して上記記録媒体を相対的
に移動させ、 上記記録媒体に２値化情報の一方を記憶すべき場合は、
上記キュリー点より低い温度領域の温度にまで上記記録
媒体を加熱するのに十分なパワー・レベルでパルス状の
レーザー・ビームを照射し、上記記録媒体に２値化情報
の他方を記憶すべき場合は、キュリー点近傍又はそれよ
り高い温度にまで上記記録媒体を加熱するのに十分なパ
ワー・レベルでパルス状のレーザー・ビームを照射する
ことを特徴とする方法。 （２）キュリー点が３００℃以上である希土類−遷移金
属非晶質膜からなる記録媒体を用いる、特許請求の範囲
第１項記載の方法。 （３）２００℃以上に加熱されると保磁力が約５００Ｏ
ｅ以下になる希土類−遷移金属非晶質膜からなる記録媒
体を用いる、特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方
法。 （４）上記希土類−遷移金属非晶質膜は遷移金属リッチ
である、特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の方法。 （５）上記希土類−遷移金属非晶質膜は希土類リッチで
ある、特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の方法。 （６）上記希土類−遷移金属非晶質の単層膜からなる記
録媒体を用いる、特許請求の範囲第１項乃至第５項記載
の方法。 （７）単一のレーザー・ビーム源を含むレーザー・ビー
ム照射手段を用いる、特許請求の範囲第１項乃至第７項
記載の方法。 （８）加熱されると、キュリー温度より低い温度領域に
て飽和磁化は依然として大きな値を示すけれども保持力
は加熱領域の磁化の向きが反磁場の向きに揃ってしまう
ほどに低下する特性を持つ希土類−遷移金属非晶質膜か
らなる記録媒体を用いてオーバーライト可能な光磁気記
録を行うための装置であって、 レーザー・ビームの照射手段と、 所定の向きの補助磁場を印加する手段と、 上記レーザー・ビーム照射手段に対して上記記録媒体を
相対的に移動させる手段と、 上記記録媒体に記憶すべき２値化情報に応じて、上記キ
ュリー点より低い温度領域の温度にまで上記記録媒体を
パルス状のレーザー・ビームによって加熱する第一の加
熱態様と、上記キュリー点近傍またはそれより高い温度
にまで上記記録媒体をパルス状のレーザー・ビームによ
って加熱する第二の加熱態様を、選択的に切り替える手
段、を具備する装置。（９）キュリー点が３００℃以上
である希土類−遷移金属非晶質膜からなる記録媒体を用
いる、特許請求の範囲第８項記載の装置。 （１０）２００℃以上に加熱されると保磁力が約５００
Ｏｅ以下になる希土類−遷移金属非晶質膜からなる記録
媒体を用いる、特許請求の範囲第８項又は第９項記載の
装置。 （１１）上記希土類−遷移金属非晶質膜は遷移金属リッ
チである、特許請求の範囲第８項乃至第１０項記載の装
置。 （１２）上記希土類−遷移金属非晶質膜は希土類リッチ
である、特許請求の範囲第８項乃至第１０項記載の装置
。 （１３）希土類−遷移金属非晶質の単層膜からなる記録
媒体を用いる、特許請求の範囲第８項乃至第１２項記載
の装置。 （１４）上記加熱態様の切り替えは、レーザー・ビーム
のパワー・レベルの切替えによって行なう、特許請求の
範囲第８項乃至第１３項記載の装置。 （１５）上記レーザー・ビーム照射手段は単一のレーザ
ー・ビーム源を含む 特許請求の範囲第８項乃至第１４項記載の装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265308A JPH03127347A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光磁気記録方法及び装置 |
| EP90310193A EP0422783B1 (en) | 1989-10-13 | 1990-09-18 | Magneto-optical recording |
| DE69023606T DE69023606T2 (de) | 1989-10-13 | 1990-09-18 | Magnetooptische Aufzeichnung. |
| US07/594,514 US5091896A (en) | 1989-10-13 | 1990-10-09 | Method and apparatus for magneto-optical recording using a demagnetization field and erasing using external magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265308A JPH03127347A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光磁気記録方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127347A true JPH03127347A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17415395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265308A Pending JPH03127347A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 光磁気記録方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091896A (ja) |
| EP (1) | EP0422783B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03127347A (ja) |
| DE (1) | DE69023606T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5652738A (en) * | 1993-02-10 | 1997-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording method for overwriting information on a recording medium includes selecting one of two recording modes based on recording information |
| US6826129B1 (en) | 1999-09-03 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for recording magnetized mark utilizing magnetic field generated by adjacent magnetized mark to reduce energy level for generating pulsed magnetic field |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| US5488709A (en) * | 1990-06-27 | 1996-01-30 | Mos Electronics, Corp. | Cache including decoupling register circuits |
| JP2733127B2 (ja) * | 1990-08-07 | 1998-03-30 | シャープ株式会社 | 光磁気記録装置 |
| CA2080981C (en) * | 1991-10-21 | 1999-02-16 | Junji Hirokane | Magneto-optical recording method and magneto-optical memory device |
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| JPH07176107A (ja) * | 1993-01-12 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録装置 |
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| JPH01125747A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Hitachi Ltd | 光磁気記録方法 |
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| JPS59113507A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-06-30 | Nec Corp | 光磁気記録再生消去方法及びその装置 |
| JPS6079702A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
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| US4995024A (en) * | 1987-10-30 | 1991-02-19 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording element |
| EP0315415B1 (en) * | 1987-11-02 | 1993-08-18 | Fujitsu Limited | Overwriting information in magneto-optical memory |
| EP0316188A3 (en) * | 1987-11-12 | 1990-10-31 | MOVID Information Technology, Inc. | Method and apparatus for direct overwriting of digital data recorded on magneto-optical recording media including a direct overwrite magneto-optic system for strip erasing and recording elongated domains and a single-head, direct overwrite magneto-optic system |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1265308A patent/JPH03127347A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-18 DE DE69023606T patent/DE69023606T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-18 EP EP90310193A patent/EP0422783B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-09 US US07/594,514 patent/US5091896A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0422783A3 (en) | 1992-08-26 |
| DE69023606D1 (de) | 1995-12-21 |
| EP0422783A2 (en) | 1991-04-17 |
| US5091896A (en) | 1992-02-25 |
| DE69023606T2 (de) | 1996-06-20 |
| EP0422783B1 (en) | 1995-11-15 |
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