JPS63237242A - 光磁気記録方式 - Google Patents
光磁気記録方式Info
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- JPS63237242A JPS63237242A JP62070278A JP7027887A JPS63237242A JP S63237242 A JPS63237242 A JP S63237242A JP 62070278 A JP62070278 A JP 62070278A JP 7027887 A JP7027887 A JP 7027887A JP S63237242 A JPS63237242 A JP S63237242A
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- Japan
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- temperature
- recording
- coercive force
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、磁気カー効果を利用して読み出しすることの
できるキュリー点及び補償点記録タイプの光磁気記録媒
体を使用した、重ね古き可能な光磁気記録方式に関する
。
できるキュリー点及び補償点記録タイプの光磁気記録媒
体を使用した、重ね古き可能な光磁気記録方式に関する
。
（従来の技術）
消去可能な尤メモリとして光磁気メモリが知られている
。光磁気メモリは、従来の磁気ヘッドを使った磁気記録
媒体と比べて高密度記録、非接触での記録再生などが可
能であるという長所がある反面、記録面に一度記録部分
を消去しなければならない（一方向に着磁しなければな
らない）という欠点があった。この欠点を補う為に、記
録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設ける方式、あ
るいは、レーザーの連続ビームを照射すると同時に磁場
を変調しながら印加して記録する方式などが提案されて
いる。
。光磁気メモリは、従来の磁気ヘッドを使った磁気記録
媒体と比べて高密度記録、非接触での記録再生などが可
能であるという長所がある反面、記録面に一度記録部分
を消去しなければならない（一方向に着磁しなければな
らない）という欠点があった。この欠点を補う為に、記
録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設ける方式、あ
るいは、レーザーの連続ビームを照射すると同時に磁場
を変調しながら印加して記録する方式などが提案されて
いる。
しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。
本発明は上述従来例の欠点を除去し、従来の光磁気メモ
リの装置構成に簡易な構造の磁界発生手段を付設するだ
けで、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーライド
）を可能とした、光磁気記録方式を提供することを目的
とする。
リの装置構成に簡易な構造の磁界発生手段を付設するだ
けで、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーライド
）を可能とした、光磁気記録方式を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
Ｆ記目的達成可能な本発明は、
低いキュリー温度（”ｒｔ、 ’）と高い保磁力（Ｈｕ
）を有する第１磁性層と、この磁性層に比べて相対的に
高いキュリー温度（ＴＨ）と低い保磁力（ＨＬ）を＜ｒ
Ｌ且つ室温とキュリー温度（Ｔｏ）の間に補償温度（
ＴＣＯＭＰ）を有する第２磁性層とからなる、交換結合
をした二層構造の垂直磁化膜をＪ！：板ヒに有して成る
光磁気記録媒体を使用して、第１磁性層から記録情報を
読み出すようにした、次の二値の記録を行なうこを特徴
とする記録方式である。
）を有する第１磁性層と、この磁性層に比べて相対的に
高いキュリー温度（ＴＨ）と低い保磁力（ＨＬ）を＜ｒ
Ｌ且つ室温とキュリー温度（Ｔｏ）の間に補償温度（
ＴＣＯＭＰ）を有する第２磁性層とからなる、交換結合
をした二層構造の垂直磁化膜をＪ！：板ヒに有して成る
光磁気記録媒体を使用して、第１磁性層から記録情報を
読み出すようにした、次の二値の記録を行なうこを特徴
とする記録方式である。
（ａ）該媒体に対して記録用ヘッドと異なる場所で、保
磁力ＨＢの第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保
磁力Ｈ１１の第１磁性層の磁化の向きを反転させること
のない大きさの外部磁界ＨＥを加え、 （ｂ）次に記録用ヘッドにより、バイアス磁界Ｈ８を印
加すると同時に低いキュリー温度（ＴＬ）付近まで且つ
補償温度（Ｔｃｏｖｐ）付近まで該媒体が昇温するだけ
のレーザーパワーを照射するとにより、第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
１種の記録と、補償温度（ＴＣＯＭＰ）以トに該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより第
２磁性層の磁化の向きを反転させ、「１η記第１種の記
録と反対方向に第１磁性層の磁化の向きをそろえる第２
種の記録と、の二値の記録 ［実施態様と作用］ 本発明に用いる光磁気メモリ用媒体の基本的構成は、透
光性基板りに第１＠性層と第２磁性層を順次６１層した
ものである。第１＠性層は低りキュリー温度（ＴＬ）と
高い保磁力（ＨＨ）を有し、第２磁性層は、高いキュリ
ー温度（ＴＨ）と低い保磁力（ｔ’ｔｔ、 ）を有しか
つ室温とキュリー温度との間に補償温度（ＴＣＱＭＰ）
をイｒする。ここで「高いＪ、「低い」とは両磁性層を
比較した場合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温に
おける比較）。ただし、通常は第１＠性層のＴＬは７０
〜１８０℃、）Ｉｎは、３〜２０にＯｅ 、第２磁性層
のＴ１１は１５０〜４００℃、Ｈｌ、は１〜３にＯｃ、
ＴｃｏＭＰはＴ５．程度の範囲内にするとよい。 丼磁
性層の材料には、ｉ］ｊ直磁電磁気異方性し［つ比較的
大きな磁気光学効果を■するものが利用できるが、第１
磁性層にはＴｂ−Ｆｃ 、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−
Ｆｅ、Ｔｂ−Ｐｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−１’ｅ−Ｇｏ
、 Ｄｙ−Ｆｅ−（：ｏ等、第２磁性層には。
磁力ＨＢの第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保
磁力Ｈ１１の第１磁性層の磁化の向きを反転させること
のない大きさの外部磁界ＨＥを加え、 （ｂ）次に記録用ヘッドにより、バイアス磁界Ｈ８を印
加すると同時に低いキュリー温度（ＴＬ）付近まで且つ
補償温度（Ｔｃｏｖｐ）付近まで該媒体が昇温するだけ
のレーザーパワーを照射するとにより、第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
１種の記録と、補償温度（ＴＣＯＭＰ）以トに該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより第
２磁性層の磁化の向きを反転させ、「１η記第１種の記
録と反対方向に第１磁性層の磁化の向きをそろえる第２
種の記録と、の二値の記録 ［実施態様と作用］ 本発明に用いる光磁気メモリ用媒体の基本的構成は、透
光性基板りに第１＠性層と第２磁性層を順次６１層した
ものである。第１＠性層は低りキュリー温度（ＴＬ）と
高い保磁力（ＨＨ）を有し、第２磁性層は、高いキュリ
ー温度（ＴＨ）と低い保磁力（ｔ’ｔｔ、 ）を有しか
つ室温とキュリー温度との間に補償温度（ＴＣＱＭＰ）
をイｒする。ここで「高いＪ、「低い」とは両磁性層を
比較した場合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温に
おける比較）。ただし、通常は第１＠性層のＴＬは７０
〜１８０℃、）Ｉｎは、３〜２０にＯｅ 、第２磁性層
のＴ１１は１５０〜４００℃、Ｈｌ、は１〜３にＯｃ、
ＴｃｏＭＰはＴ５．程度の範囲内にするとよい。 丼磁
性層の材料には、ｉ］ｊ直磁電磁気異方性し［つ比較的
大きな磁気光学効果を■するものが利用できるが、第１
磁性層にはＴｂ−Ｆｃ 、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｄｙ−
Ｆｅ、Ｔｂ−Ｐｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−１’ｅ−Ｇｏ
、 Ｄｙ−Ｆｅ−（：ｏ等、第２磁性層には。
Ｔｂ−Ｆｅ 、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−ｒｅ ％
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−（：ｏ、
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ 、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｇｏ 、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｇｄ−
ＤｙＦｅ−Ｇｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶
質磁性合金が好ましい。
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−（：ｏ、
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ 、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｇｏ 、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｇｄ−
ＤｙＦｅ−Ｇｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶
質磁性合金が好ましい。
なお、透光性の基板と磁性層の間や、磁性層の、該基板
と反対側に、耐久性を向トさせるための、あるいは記録
消去感度と磁気光学効果を向トさせるための適当な誘電
体層、あるいは反射層を設けてもよい。
と反対側に、耐久性を向トさせるための、あるいは記録
消去感度と磁気光学効果を向トさせるための適当な誘電
体層、あるいは反射層を設けてもよい。
上述したような光磁気メモリ用媒体を用いることにより
実施できる本発明を以下、図面を参１１ｑシて詳細に説
明する。
実施できる本発明を以下、図面を参１１ｑシて詳細に説
明する。
図１は本発明における記録過程を説明する図である。１
が第１磁性層、２が第２磁性層を示１−０（ａ）〜（ｇ
）の丼々は、両磁性層の磁化の状態を示す。記録過程中
、記録用ヘッドと異なる場所で、保磁力ＨＬの第２磁性
層を一方向に磁化するのに充分で保磁力Ｈ１，の第１磁
性層の磁化の向きを反転させることのない大きさの外部
磁界ＨＢが下方に印加されていて、さらに、記録用ヘッ
ドの場所において第２＠性層への記録を助けるバイアス
磁界Ｈｎが下方に印加されている。
が第１磁性層、２が第２磁性層を示１−０（ａ）〜（ｇ
）の丼々は、両磁性層の磁化の状態を示す。記録過程中
、記録用ヘッドと異なる場所で、保磁力ＨＬの第２磁性
層を一方向に磁化するのに充分で保磁力Ｈ１，の第１磁
性層の磁化の向きを反転させることのない大きさの外部
磁界ＨＢが下方に印加されていて、さらに、記録用ヘッ
ドの場所において第２＠性層への記録を助けるバイアス
磁界Ｈｎが下方に印加されている。
記録過程をその過程に従って説明する何に、その理解の
助けとなるように、まず、（ａ）〜 （ｇ）により表わ
される状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等につ
いて説明しておく。
助けとなるように、まず、（ａ）〜 （ｇ）により表わ
される状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等につ
いて説明しておく。
（ａ）と（ｇ）は室温における２値の記録状態を示して
いて、レーザー光により加熱によって、（ｂ）（ｃ）
（ｄ）と温度が上昇する。（ｂ）と （「）、（Ｃ）と
（ｅ）はほぼ同じ温度での別の状態を示しいる。図中、
←は温度に対して可逆的な磁化過程を示し、→や←は非
可逆的な磁化過程を示す。また、（ｂ）ト（ｃ）、ある
いは（ｅ）と （ｆ）の間には、第２！ｆｉ性層の補償
温度が存在する。図１の例では、第１＆ｆｉ性層が希土
類格子磁化優勢であって、第２磁性層も希り類格子磁化
優勢の場合を示している。この場合には、両層間の交換
相互作用によって両層の磁化か平行な（ｇ）が安定状態
であり、反平行である（ａ）が不安定状態であって、こ
の不安定状態（ａ）では界面磁壁か存在する。ただし、
電界零でも不安定状態を保持することが可能であるよう
に、第２＠性層の保磁力を調整する必要がある。室温状
態Ｈａ） 、 （ｇ） ）では保磁力の小さい第２磁
性層の磁化は外部磁界Ｈ６によって常に図で下向きとな
っている。
いて、レーザー光により加熱によって、（ｂ）（ｃ）
（ｄ）と温度が上昇する。（ｂ）と （「）、（Ｃ）と
（ｅ）はほぼ同じ温度での別の状態を示しいる。図中、
←は温度に対して可逆的な磁化過程を示し、→や←は非
可逆的な磁化過程を示す。また、（ｂ）ト（ｃ）、ある
いは（ｅ）と （ｆ）の間には、第２！ｆｉ性層の補償
温度が存在する。図１の例では、第１＆ｆｉ性層が希土
類格子磁化優勢であって、第２磁性層も希り類格子磁化
優勢の場合を示している。この場合には、両層間の交換
相互作用によって両層の磁化か平行な（ｇ）が安定状態
であり、反平行である（ａ）が不安定状態であって、こ
の不安定状態（ａ）では界面磁壁か存在する。ただし、
電界零でも不安定状態を保持することが可能であるよう
に、第２＠性層の保磁力を調整する必要がある。室温状
態Ｈａ） 、 （ｇ） ）では保磁力の小さい第２磁
性層の磁化は外部磁界Ｈ６によって常に図で下向きとな
っている。
次に記録過程をその過程に従って説明する（ａ）の状態
から温度を上げると、図３に示すように第１磁性層の保
磁力が低下し、第２磁性層の保磁力が大きくなる。する
と、交換相互作用により両層の磁化が平行になろうとす
るために、第１磁性層の磁化が反転し下を向く（ｂ）。
から温度を上げると、図３に示すように第１磁性層の保
磁力が低下し、第２磁性層の保磁力が大きくなる。する
と、交換相互作用により両層の磁化が平行になろうとす
るために、第１磁性層の磁化が反転し下を向く（ｂ）。
この状態から温度を下げると、磁化状態が変化しないま
ま冷え、（ｇ）の状態に移る。（ｇ）の状態から温度を
トげ、（ｂ）の状態になった後、温度を下げてもやはり
（ｇ）の状態に移る。即ち、（ｂ）の温度に相当するレ
ーザーパワーの印加によって、（ａ）の状態も（ｇ）の
状態もすべて（ｇ）の状態に移る。
ま冷え、（ｇ）の状態に移る。（ｇ）の状態から温度を
トげ、（ｂ）の状態になった後、温度を下げてもやはり
（ｇ）の状態に移る。即ち、（ｂ）の温度に相当するレ
ーザーパワーの印加によって、（ａ）の状態も（ｇ）の
状態もすべて（ｇ）の状態に移る。
次に、（ｂ）の状態からさらに温度をトげ、第２磁性層
の補償温度ＴＣＯＭ＋−を越して（Ｃ）の状態になると
、第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を
Ｌげると第２磁、竹屑の保磁力が小さくなり、バイアス
磁界Ｈ８により反転する（ｄ）。この状態から温度を下
げると磁化状態が変化しないまま冷えＴＣＯＭＰを越す
と第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。その前後で、
交換相互作用により第１磁性層の磁化が−Ｆ向きに生じ
、そのまま室温にまで冷え、第２磁性層が再び小さな保
磁力となり、外部磁界ＨＥにより反転する。ただし、こ
の際には第１磁性層の保磁力は大きいので、外部磁界Ｈ
Ｅによっては反転せず、記録状態を保持している。即ち
、（ｄ）の温度に相当するレーザーパワーの印加によっ
て（ａ）の状態も（ｇ）の状態もすべて（ａ）の状態に
移る。
の補償温度ＴＣＯＭ＋−を越して（Ｃ）の状態になると
、第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を
Ｌげると第２磁、竹屑の保磁力が小さくなり、バイアス
磁界Ｈ８により反転する（ｄ）。この状態から温度を下
げると磁化状態が変化しないまま冷えＴＣＯＭＰを越す
と第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。その前後で、
交換相互作用により第１磁性層の磁化が−Ｆ向きに生じ
、そのまま室温にまで冷え、第２磁性層が再び小さな保
磁力となり、外部磁界ＨＥにより反転する。ただし、こ
の際には第１磁性層の保磁力は大きいので、外部磁界Ｈ
Ｅによっては反転せず、記録状態を保持している。即ち
、（ｄ）の温度に相当するレーザーパワーの印加によっ
て（ａ）の状態も（ｇ）の状態もすべて（ａ）の状態に
移る。
従って、異なるレーザーパワーの印加によって異なる磁
化状態を取ることができ、即ちこれはＩｌｌね古き（オ
ーバーライド）が実現したことになる。
化状態を取ることができ、即ちこれはＩｌｌね古き（オ
ーバーライド）が実現したことになる。
図２の例では第１磁性層が遷移金属副格子磁化優勢で、
第２磁性層が希土類副格子磁化優勢の場合を示している
。この場合には、両層間の交換相互作用によって、両層
の磁化が反平行な（ａ）が安定状態であり、平行である
（ｇ）が不安定状態であって、この不安定状態（ｇ）で
は界面壁が存在する。図１の場合と同様、（ｂ）の温度
に相当するレーザーパワーの印加によって、（ａ）の状
態も（ｇ）の状態もすべて（ａ）の状態に移り、（ｄ）
の温度に相当するレーザーパワーの印加によって、（ａ
）の状態も（ｇ）の状態もすべて（ｇ）の状態に移る。
第２磁性層が希土類副格子磁化優勢の場合を示している
。この場合には、両層間の交換相互作用によって、両層
の磁化が反平行な（ａ）が安定状態であり、平行である
（ｇ）が不安定状態であって、この不安定状態（ｇ）で
は界面壁が存在する。図１の場合と同様、（ｂ）の温度
に相当するレーザーパワーの印加によって、（ａ）の状
態も（ｇ）の状態もすべて（ａ）の状態に移り、（ｄ）
の温度に相当するレーザーパワーの印加によって、（ａ
）の状態も（ｇ）の状態もすべて（ｇ）の状態に移る。
従って、やはり異なるレーザーパワーの印加によって異
なる磁化状態を取ることができる。即ち、これは重ね書
き（オーバーライド）が実現したことになる。
なる磁化状態を取ることができる。即ち、これは重ね書
き（オーバーライド）が実現したことになる。
なお、ＨＢの大きさはＨｌ：の大きさよりも小さい。Ｈ
Ｂの方がＨＥよりも大きければＨ６は必要ないが、媒体
の組成や膜厚の制御がむずかしくなかなり大きくなり、
そのような磁界の下で、図１の（ｆ）や図２の（ｂ）の
状態を磁界に逆って交換力によって実現するのはかなり
難しい。また、第２磁性層が補償温度を有することによ
って、図１の（ｆ）や図２の（ｆ）の状態の第２ｆｆｌ
性層の磁化の向きが、ＨＨに対して安定である効果があ
る。
Ｂの方がＨＥよりも大きければＨ６は必要ないが、媒体
の組成や膜厚の制御がむずかしくなかなり大きくなり、
そのような磁界の下で、図１の（ｆ）や図２の（ｂ）の
状態を磁界に逆って交換力によって実現するのはかなり
難しい。また、第２磁性層が補償温度を有することによ
って、図１の（ｆ）や図２の（ｆ）の状態の第２ｆｆｌ
性層の磁化の向きが、ＨＨに対して安定である効果があ
る。
（実施例）
実施例１
３元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット１３号の刻まれたポリカーボ
ネート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距１
１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
ループ、プリフォーマット１３号の刻まれたポリカーボ
ネート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距１
１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ
でＳｉ３Ｎ、を保護層として７００人の厚さに設けた。
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ
でＳｉ３Ｎ、を保護層として７００人の厚さに設けた。
次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５×ｌＯ°３Ｔｏｒｒで
ＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚５００人、ＴＬ＝約１
３０℃、Ｈ７１＝約５ ＫＯｅのＴｂ副格−ｆ磁化優勢
の第１１１Ｉｉ性層を形成した。
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５×ｌＯ°３Ｔｏｒｒで
ＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚５００人、ＴＬ＝約１
３０℃、Ｈ７１＝約５ ＫＯｅのＴｂ副格−ｆ磁化優勢
の第１１１Ｉｉ性層を形成した。
次に、アルゴン中で、第３のターゲットよりスパッタ速
度１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ ＩＱ−’ Ｔｏ
ｒｒでＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ金合金スパッタし、膜厚
８００人。
度１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ ＩＱ−’ Ｔｏ
ｒｒでＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ金合金スパッタし、膜厚
８００人。
Ｔ、、＝約２２０℃、ＨＢ、＝約１．５にＯｅ 、ＴＣ
ＯＭＰ＝約１４０℃のＧｄＴｂ副格子磁化優勢の第２磁
性層を形成した。
ＯＭＰ＝約１４０℃のＧｄＴｂ副格子磁化優勢の第２磁
性層を形成した。
次にアルゴン中で第１のターゲットよりスパッタ速度
！００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
で、Ｓｉ３Ｎ、を保護層として７００人の厚さに設けた
。
！００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
で、Ｓｉ３Ｎ、を保護層として７００人の厚さに設けた
。
次に、上記の膜形成を終えた基板を、ホットメルト接着
剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼
り合わせ光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディス
クを記録再生装置にセットし、２０００ｅのバイアス磁
界と２にＯｅの外部磁界を印加しつつ、線速度約８ｍ／
ｓｅｃ、約１．５μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレ
ーザービームを５０％のデユーティで２ＭＩ＋７．で変
調させながら、２．７ｍＷと５゜５ｍ１ｆの２値のレー
ザーパワーで記録を行なった。
剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼
り合わせ光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディス
クを記録再生装置にセットし、２０００ｅのバイアス磁
界と２にＯｅの外部磁界を印加しつつ、線速度約８ｍ／
ｓｅｃ、約１．５μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレ
ーザービームを５０％のデユーティで２ＭＩ＋７．で変
調させながら、２．７ｍＷと５゜５ｍ１ｆの２値のレー
ザーパワーで記録を行なった。
その後１ｍＷのレーザービームを照射して再生を行なっ
たところ、２値の１８号の再生ができた。
たところ、２値の１８号の再生ができた。
次に、上記お実験を行なった後、同一トラックヒに３Ｍ
１ｌｚ、同一、パワーで記録を行なった。この結果、餌
に記録された１３号は検出されず、オーバーライドがｎ
１能であることが確認された。
１ｌｚ、同一、パワーで記録を行なった。この結果、餌
に記録された１３号は検出されず、オーバーライドがｎ
１能であることが確認された。
実施例２
第１磁性層として、第２のターゲットよりスパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
でＴｂ−Ｆｅ合金をスパッタし、ｎｑ膜厚５００人ＴＬ
＝約１２５℃、Ｈｌ、＝約４にＯＣのＦｅ副格子磁化優
勢の磁性層を形成した以外は実施例１と同様な光磁気デ
ィスクを作製し、同様の実験を行な、つた。
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
でＴｂ−Ｆｅ合金をスパッタし、ｎｑ膜厚５００人ＴＬ
＝約１２５℃、Ｈｌ、＝約４にＯＣのＦｅ副格子磁化優
勢の磁性層を形成した以外は実施例１と同様な光磁気デ
ィスクを作製し、同様の実験を行な、つた。
その結果、やはりオーバーライドが可能であることが確
認された。
認された。
以ト詳細に説明したように、光磁気メモリ用媒体として
、低いキュリー温度（ＴＬ）と高い保磁力（ＨＨ）を有
する第１磁性層と、この磁性層に比べて相対的に高いキ
ュリー温度（Ｔ１１）と低い保磁力（ＨＬ）を存し且つ
室温とキュリー温度（Ｔ、、）の間に補償温度を有する
第２磁性層とからなる。交換結合をした二層構造の電電
磁化膜を基板トに有して成る媒体を用い、記録時に、記
録用ヘッドと異なる場所に磁界発生部を設け、２値のレ
ーザーパワーで記録することにより、重ね計さくオーバ
ーライド）が可能になった。
、低いキュリー温度（ＴＬ）と高い保磁力（ＨＨ）を有
する第１磁性層と、この磁性層に比べて相対的に高いキ
ュリー温度（Ｔ１１）と低い保磁力（ＨＬ）を存し且つ
室温とキュリー温度（Ｔ、、）の間に補償温度を有する
第２磁性層とからなる。交換結合をした二層構造の電電
磁化膜を基板トに有して成る媒体を用い、記録時に、記
録用ヘッドと異なる場所に磁界発生部を設け、２値のレ
ーザーパワーで記録することにより、重ね計さくオーバ
ーライド）が可能になった。
【図面の簡単な説明】
図１９図２は本発明の記録過程を説明するための図、図
３は第１磁性層と第２磁性層の保磁力と温度との関係を
示す概略図である。 １．３＝第１磁性層 ２．４：第２磁性層
３は第１磁性層と第２磁性層の保磁力と温度との関係を
示す概略図である。 １．３＝第１磁性層 ２．４：第２磁性層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）低いキュリー温度（Ｔ＿Ｌ）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ
）を有する第１磁性層と、この磁性層に比べて相対的に
高いキュリー温度（Ｔ＿Ｈ）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ）を
有し且つ室温とキュリー温度（Ｔ＿Ｈ）の間に補償温度
（Ｔ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ）を有する第２磁性層とからなる
、交換結合をした二層構造の垂直磁化膜を基板上に有し
て成る光磁気記録媒体を使用して、第１磁性層から記録
情報を読み出すようにした、次の二値の記録を行なうこ
を特徴とする記録方式。 （ａ）該媒体に対して記録用ヘッドと異なる場所で、保
磁力Ｈ＿Ｌの第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で
保磁力Ｈ＿Ｈの第１磁性層の磁化の向きを反転させるこ
とのない大きさの外部磁界Ｈ＿εを加え、 （ｂ）次に記録用ヘッドにより、バイアス磁界Ｈ＿Ｂを
印加すると同時に低いキュリー温度（Ｔ＿Ｌ）付近まで
且つ補償温度（Ｔ＿Ｃ＿Ｏ＿Ｍ＿Ｐ）付近まで、該媒体
が昇温するだけのレーザーパワーを照射するとにより、
第１磁性層の磁化の向きを第２磁性層に対して安定な向
きにそろえる第１種の記録と、補償温度（Ｔ＿Ｃ＿Ｏ＿
Ｍ＿Ｐ）以上に該媒体が昇温するだけのレーザーパワー
を照射することにより第２磁性層の磁化の向きを反転さ
せ、前記第１種の記録と反対方向に第１磁性層の磁化の
向きをそろえる第２種の記録と、の二値の記録
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070278A JPS63237242A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 光磁気記録方式 |
| CA 541367 CA1340058C (en) | 1986-07-08 | 1987-07-06 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with tow or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| AU75306/87A AU593364C (en) | 1986-07-08 | 1987-07-07 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| AT87306038T ATE172047T1 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| EP87306038A EP0258978B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| KR1019870007322A KR960003420B1 (ko) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | 2층이상의 자성막을 가지고 중복기록이 가능한 광자기 기록매체 및 그의 매체를 사용한 기록방법 |
| AT98200007T ATE216528T1 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| EP98200006A EP0838814B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| DE3752222T DE3752222T2 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetoptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode |
| EP98200007A EP0838815B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Apparatus and system for recording on a magnetooptical recording medium |
| US07/475,941 US5132945A (en) | 1986-07-08 | 1990-01-30 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US08/296,163 US5525378A (en) | 1986-07-08 | 1994-08-26 | Method for producing a magnetooptical recording medium |
| US08/312,930 US5481410A (en) | 1986-07-08 | 1994-09-30 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US08/613,431 US5783300A (en) | 1986-06-18 | 1996-02-29 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US09/080,215 US6028824A (en) | 1986-07-08 | 1998-05-18 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070278A JPS63237242A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 光磁気記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237242A true JPS63237242A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13426874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62070278A Pending JPS63237242A (ja) | 1986-06-18 | 1987-03-26 | 光磁気記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464152A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-10 | Nippon Telegraph & Telephone | Magneto-optical recording system |
| US5599619A (en) * | 1991-10-18 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Write once magneto-optic media and system |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP62070278A patent/JPS63237242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464152A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-10 | Nippon Telegraph & Telephone | Magneto-optical recording system |
| US5599619A (en) * | 1991-10-18 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Write once magneto-optic media and system |
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