JP3324119B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
液晶装置及び電子機器Info
- Publication number
- JP3324119B2 JP3324119B2 JP52819499A JP52819499A JP3324119B2 JP 3324119 B2 JP3324119 B2 JP 3324119B2 JP 52819499 A JP52819499 A JP 52819499A JP 52819499 A JP52819499 A JP 52819499A JP 3324119 B2 JP3324119 B2 JP 3324119B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display
- reflective
- reflective electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
- G02F1/133531—Polarisers characterised by the arrangement of polariser or analyser axes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133626—Illuminating devices providing two modes of illumination, e.g. day-night
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
- G02F1/133638—Waveplates, i.e. plates with a retardation value of lambda/n
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/34—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 reflector
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/09—Function characteristic transflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、液晶装置の技術分野に関し、特に、反射型
表示と透過型表示とを切り換えて表示することのできる
液晶装置の構造及びこの液晶装置を用いた電子機器の技
術分野に関する。
表示と透過型表示とを切り換えて表示することのできる
液晶装置の構造及びこの液晶装置を用いた電子機器の技
術分野に関する。
背景技術 従来、反射型液晶装置は消費電力が小さいために携帯
機器や装置の付属的表示部などに多用されているが、外
光を利用して表示を視認可能にしているため、暗い場所
では表示を読みとることができないという問題点があっ
た。このため、明るい場所では通常の反射型液晶装置と
同様に外光を利用するが、暗い場所では内部の光源によ
り表示を視認可能にした形式の液晶装置が提案されてい
る。これは、特開昭57−049271号公報、特開昭57−0492
71号公報、特開昭57−049271号公報などに記載されてい
るように、液晶パネルの観察側と反対側の外面に偏光
板、半透過反射板、バックライトを順次配置した構成を
している。この液晶装置では、周囲が明るい場合には外
光を取り入れて半透過反射板にて反射された光を利用し
て反射型表示を行い、周囲が暗くなるとバックライトを
点灯して半透過反射板を透過させた光により表示を視認
可能とした透過型表示を行う。
機器や装置の付属的表示部などに多用されているが、外
光を利用して表示を視認可能にしているため、暗い場所
では表示を読みとることができないという問題点があっ
た。このため、明るい場所では通常の反射型液晶装置と
同様に外光を利用するが、暗い場所では内部の光源によ
り表示を視認可能にした形式の液晶装置が提案されてい
る。これは、特開昭57−049271号公報、特開昭57−0492
71号公報、特開昭57−049271号公報などに記載されてい
るように、液晶パネルの観察側と反対側の外面に偏光
板、半透過反射板、バックライトを順次配置した構成を
している。この液晶装置では、周囲が明るい場合には外
光を取り入れて半透過反射板にて反射された光を利用し
て反射型表示を行い、周囲が暗くなるとバックライトを
点灯して半透過反射板を透過させた光により表示を視認
可能とした透過型表示を行う。
別の液晶装置としては、反射型表示の明るさを向上さ
せた特開平８−292413号公報に記載されたものがある。
この液晶装置は、液晶パネルの観察側と反対側の外面に
半透過反射板、偏光板、バックライトを順次配置した構
成をしている。周囲が明るい場合には外光を取り入れて
半透過反射板にて反射された光を利用して反射型表示を
行い、周囲が暗くなるとバックライトを点灯して偏光板
と半透過反射板を透過させた光により表示を視認可能と
した透過型表示を行う。このような構成にすると、液晶
セルと半透過反射板の間に偏光板がないため、前述した
液晶装置よりも明るい反射型表示が得られる。
せた特開平８−292413号公報に記載されたものがある。
この液晶装置は、液晶パネルの観察側と反対側の外面に
半透過反射板、偏光板、バックライトを順次配置した構
成をしている。周囲が明るい場合には外光を取り入れて
半透過反射板にて反射された光を利用して反射型表示を
行い、周囲が暗くなるとバックライトを点灯して偏光板
と半透過反射板を透過させた光により表示を視認可能と
した透過型表示を行う。このような構成にすると、液晶
セルと半透過反射板の間に偏光板がないため、前述した
液晶装置よりも明るい反射型表示が得られる。
発明の開示 しかしながら、上記特開平８−292413号公報に記載さ
れた液晶装置では、液晶層と半透過反射板との間に透明
基板が介在するため、二重映りや表示のにじみなどが発
生してしまうという問題点がある。
れた液晶装置では、液晶層と半透過反射板との間に透明
基板が介在するため、二重映りや表示のにじみなどが発
生してしまうという問題点がある。
更に、近年の携帯機器やOA機器の発展に伴って液晶表
示のカラー化が要求されるようになっており、反射型液
晶装置を用いるような機器においてもカラー化が必要な
場合が多い。ところが、上記公報に記載されている液晶
装置とカラーフィルタを組み合わせた方法では、半透過
反射板を液晶パネルの後方に配置しているため、液晶層
やカラーフィルタと半透過反射板との間に液晶パネルの
厚い透明基板が介在し、視差によって二重映りや表示の
にじみなどが発生してしまい、十分な発色を得ることが
できないという問題点がある。
示のカラー化が要求されるようになっており、反射型液
晶装置を用いるような機器においてもカラー化が必要な
場合が多い。ところが、上記公報に記載されている液晶
装置とカラーフィルタを組み合わせた方法では、半透過
反射板を液晶パネルの後方に配置しているため、液晶層
やカラーフィルタと半透過反射板との間に液晶パネルの
厚い透明基板が介在し、視差によって二重映りや表示の
にじみなどが発生してしまい、十分な発色を得ることが
できないという問題点がある。
この問題を解決するために、特開平９−258219号公報
では、液晶層と接するように反射板を配置する反射型カ
ラー液晶装置が提案されている。しかしながら、この液
晶装置では、周囲が暗くなると表示を認識することがで
きない。
では、液晶層と接するように反射板を配置する反射型カ
ラー液晶装置が提案されている。しかしながら、この液
晶装置では、周囲が暗くなると表示を認識することがで
きない。
他方、特開平７−318929号公報では、液晶セルの内面
に半透過反射膜を兼ねる画素電極を設けた半透過反射型
の液晶装置が提案されている。しかしながら、この液晶
装置では、孔欠陥、凹入欠陥等の微細な欠陥部や微細な
開口を点在させた金属薄膜等の半透過反射膜を用いるた
め、欠陥部や開口部の周囲に生じる斜め電界の影響によ
り液晶の配向不良が発生して、十分なコントラスト比や
明るさが得られなかったり、反射型表示と透過型表示と
の両方において光の波長分散に起因した色付きを防止す
るの困難であったり、画素電極の間隙における白抜け防
止又はコントラストの向上と反射型表示時における明る
さの向上とを両立させるのが困難であるなど技術的な問
題点が数多く存在するため、高品位の画像表示を行えな
いという問題点がある。更に、その製造についても特殊
な工程が付加的に必要となり、当該技術分野における製
造コストの削減という一般的要請に応えることも困難で
ある。
に半透過反射膜を兼ねる画素電極を設けた半透過反射型
の液晶装置が提案されている。しかしながら、この液晶
装置では、孔欠陥、凹入欠陥等の微細な欠陥部や微細な
開口を点在させた金属薄膜等の半透過反射膜を用いるた
め、欠陥部や開口部の周囲に生じる斜め電界の影響によ
り液晶の配向不良が発生して、十分なコントラスト比や
明るさが得られなかったり、反射型表示と透過型表示と
の両方において光の波長分散に起因した色付きを防止す
るの困難であったり、画素電極の間隙における白抜け防
止又はコントラストの向上と反射型表示時における明る
さの向上とを両立させるのが困難であるなど技術的な問
題点が数多く存在するため、高品位の画像表示を行えな
いという問題点がある。更に、その製造についても特殊
な工程が付加的に必要となり、当該技術分野における製
造コストの削減という一般的要請に応えることも困難で
ある。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、反
射型表示と透過型表示とを切換え可能な液晶装置におい
て、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生せ
ず、高品位の画像表示が可能な半透過反射型の液晶装置
及びその液晶装置を用いた電子機器を提供することを課
題とする。
射型表示と透過型表示とを切換え可能な液晶装置におい
て、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生せ
ず、高品位の画像表示が可能な半透過反射型の液晶装置
及びその液晶装置を用いた電子機器を提供することを課
題とする。
本発明の上記課題は、透明な一対の第１及び第２基板
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極と、
前記第２基板の前記液晶層側の面に形成されており長方
形のスリットが開口された反射電極と、前記第２基板の
前記液晶層と反対側に配置された照明装置とを備えた第
１液晶装置によって達成される。
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極と、
前記第２基板の前記液晶層側の面に形成されており長方
形のスリットが開口された反射電極と、前記第２基板の
前記液晶層と反対側に配置された照明装置とを備えた第
１液晶装置によって達成される。
本発明の第１液晶装置によれば、反射型表示時には、
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ第２基板側から入射した光源光を、
スリットを介して液晶層側に透過する。従って、暗所で
は光源光を用いて明るい表示が可能となる。
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ第２基板側から入射した光源光を、
スリットを介して液晶層側に透過する。従って、暗所で
は光源光を用いて明るい表示が可能となる。
特に反射電極には、長方形のスリットが開口されてい
るので、比較的離れて対向配置されたスリットの短辺を
規定する反射電極の縁部（即ち、スリットの長辺の両端
で相対向する反射電極の縁部）と透明電極との間で斜め
電界（以下、スリット短辺による斜め電界という）が、
液晶層に印加される。同時に、比較的近接して対向配置
されたスリットの長辺を規定する反射電極の縁部（即
ち、スリットの短辺の両端で相対向する反射電極の縁
部）と透明電極との間で斜め電界（以下、スリット長辺
による斜め電界という）が、液晶層に印加される。そし
て、これらスリット短辺による斜め電界とスリット長辺
による斜め電界とは、基板面内成分の方向が相互に直交
する。従って、これら２種類の斜め電界がスリット付近
の液晶分子に作用すると、各位置におけるこれら２種類
の斜め電界の強さに応じて液晶分子の動く方向が規定さ
れる。ここで仮に、スリットが正方形であったとすれ
ば、これら２種類の斜め電界が均等に存在することとな
り、それらの強さ関係が逆転する位置があったりして液
晶分子の動く方向が各位置で一定とならず、液晶の配向
不良が比較的大きなドメインとして現れる結果を招く。
即ち、その領域で表示欠陥が生じてしまう。そして、こ
のような配向不良は、これら２種類の斜め電界が同じ強
さで作用する場合が最も顕著に現れる。逆にどちらか一
方が他方よりも強ければ、両者が作用する領域における
液晶分子の動きは、その強い方の斜め電界に支配されて
より一定となる。しかるに本発明では、スリットの短辺
による（基板面内成分がスリットの長手方向に平行な）
斜め電界は、スリットの長辺の長さに応じて弱められ
る。これに対して、スリットの長辺による（基板面内成
分がスリットの長手方向に直交する）斜め電界は、スリ
ット短辺の短さに応じて相対的に強められる。このため
本発明では、液晶分子の動きは、スリット長辺による斜
め電界により支配されるようになる。従って、このスリ
ット付近の領域における液晶の配向不良を低減でき、表
示欠陥を低減可能となる。更にスリット長辺による斜め
電界を利用して液晶駆動を部分的に行うことにより、液
晶駆動時のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置
の低消費電力化を図ることも可能となる。
るので、比較的離れて対向配置されたスリットの短辺を
規定する反射電極の縁部（即ち、スリットの長辺の両端
で相対向する反射電極の縁部）と透明電極との間で斜め
電界（以下、スリット短辺による斜め電界という）が、
液晶層に印加される。同時に、比較的近接して対向配置
されたスリットの長辺を規定する反射電極の縁部（即
ち、スリットの短辺の両端で相対向する反射電極の縁
部）と透明電極との間で斜め電界（以下、スリット長辺
による斜め電界という）が、液晶層に印加される。そし
て、これらスリット短辺による斜め電界とスリット長辺
による斜め電界とは、基板面内成分の方向が相互に直交
する。従って、これら２種類の斜め電界がスリット付近
の液晶分子に作用すると、各位置におけるこれら２種類
の斜め電界の強さに応じて液晶分子の動く方向が規定さ
れる。ここで仮に、スリットが正方形であったとすれ
ば、これら２種類の斜め電界が均等に存在することとな
り、それらの強さ関係が逆転する位置があったりして液
晶分子の動く方向が各位置で一定とならず、液晶の配向
不良が比較的大きなドメインとして現れる結果を招く。
即ち、その領域で表示欠陥が生じてしまう。そして、こ
のような配向不良は、これら２種類の斜め電界が同じ強
さで作用する場合が最も顕著に現れる。逆にどちらか一
方が他方よりも強ければ、両者が作用する領域における
液晶分子の動きは、その強い方の斜め電界に支配されて
より一定となる。しかるに本発明では、スリットの短辺
による（基板面内成分がスリットの長手方向に平行な）
斜め電界は、スリットの長辺の長さに応じて弱められ
る。これに対して、スリットの長辺による（基板面内成
分がスリットの長手方向に直交する）斜め電界は、スリ
ット短辺の短さに応じて相対的に強められる。このため
本発明では、液晶分子の動きは、スリット長辺による斜
め電界により支配されるようになる。従って、このスリ
ット付近の領域における液晶の配向不良を低減でき、表
示欠陥を低減可能となる。更にスリット長辺による斜め
電界を利用して液晶駆動を部分的に行うことにより、液
晶駆動時のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置
の低消費電力化を図ることも可能となる。
特に、スリット短辺による斜め電界については考慮し
なくても、スリット長辺による斜め電界に対してのみ、
斜め電界に対する対策或いは有効利用（例えば、斜め電
界に起因した液晶の配向不良の表示画像への悪影響を実
用上低減するため或いは斜め電界で良好に液晶を駆動す
るための、各種の動作パラメータ設定、構成要素や部材
の仕様設定、装置設計等）を図れば、全体として斜め電
界に起因した液晶の配向不良を低減できるか或いは積極
的に斜め電界を利用しての良好な液晶駆動が可能とな
る。仮に、スリットが正方形であったとすれば、斜め電
界に対処するためには、２種類の斜め電界に対処する必
要があり、液晶装置の設計、製造等が非常に困難とな
り、更に２種類の斜め電界の両者を積極的に利用するこ
とは実用上不可能に近い。
なくても、スリット長辺による斜め電界に対してのみ、
斜め電界に対する対策或いは有効利用（例えば、斜め電
界に起因した液晶の配向不良の表示画像への悪影響を実
用上低減するため或いは斜め電界で良好に液晶を駆動す
るための、各種の動作パラメータ設定、構成要素や部材
の仕様設定、装置設計等）を図れば、全体として斜め電
界に起因した液晶の配向不良を低減できるか或いは積極
的に斜め電界を利用しての良好な液晶駆動が可能とな
る。仮に、スリットが正方形であったとすれば、斜め電
界に対処するためには、２種類の斜め電界に対処する必
要があり、液晶装置の設計、製造等が非常に困難とな
り、更に２種類の斜め電界の両者を積極的に利用するこ
とは実用上不可能に近い。
このような反射電極の材料としては、Al（アルミニウ
ム）が主成分の金属が用いられるが、Cr（クロム）やAg
（銀）などの可視光領域の外光を反射させることのでき
る金属であれば、その材料は特に限定されるものではな
い。特に、反射電極が外光を反射する機能と液晶に電圧
を印加する機能との両方を有するので、反射膜と画素電
極とを別途形成する場合と比較して、装置構成上も製造
上或いは設計上も有利であり、低コスト化を図れる。
ム）が主成分の金属が用いられるが、Cr（クロム）やAg
（銀）などの可視光領域の外光を反射させることのでき
る金属であれば、その材料は特に限定されるものではな
い。特に、反射電極が外光を反射する機能と液晶に電圧
を印加する機能との両方を有するので、反射膜と画素電
極とを別途形成する場合と比較して、装置構成上も製造
上或いは設計上も有利であり、低コスト化を図れる。
また、長方形のスリットは、レジストを用いたフォト
工程／現像工程／剥離工程で容易に作製することができ
る。即ち、反射電極を形成するときに同時にスリットを
形成できるので、製造工程数を増やさず済む。スリット
の幅は、0.01μｍ以上20μｍ以下であることが好まし
い。更に１μｍ以上５μｍ以下が特に好ましい。このよ
うにすることで、人間が認識することが困難であり、ス
リットを設けたことで生じる表示品質の劣化を抑えつ
つ、反射型表示と透過型表示を同時に実現できる。ま
た、スリットは反射電極に対して、５％以上30％以下の
面積比で形成することが好ましい。このようにすること
で、反射型表示の明るさの低下を抑えることができと共
に、反射電極のスリットを介して液晶層に導入される光
によって透過型表示が実現できる。
工程／現像工程／剥離工程で容易に作製することができ
る。即ち、反射電極を形成するときに同時にスリットを
形成できるので、製造工程数を増やさず済む。スリット
の幅は、0.01μｍ以上20μｍ以下であることが好まし
い。更に１μｍ以上５μｍ以下が特に好ましい。このよ
うにすることで、人間が認識することが困難であり、ス
リットを設けたことで生じる表示品質の劣化を抑えつ
つ、反射型表示と透過型表示を同時に実現できる。ま
た、スリットは反射電極に対して、５％以上30％以下の
面積比で形成することが好ましい。このようにすること
で、反射型表示の明るさの低下を抑えることができと共
に、反射電極のスリットを介して液晶層に導入される光
によって透過型表示が実現できる。
なお、第１液晶装置の駆動方式としては、パッシブマ
トリクス駆動方式、TFT（Thin Film Diode）アクティブ
マトリクス駆動方式、TFD（Thin Film Diode）アクティ
ブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の公知の
各種駆動方式を採用可能である。
トリクス駆動方式、TFT（Thin Film Diode）アクティブ
マトリクス駆動方式、TFD（Thin Film Diode）アクティ
ブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の公知の
各種駆動方式を採用可能である。
本発明の第１液晶装置の一の態様では、前記反射電極
は、所定間隙でライン状に複数形成されており、前記ス
リットは、前記反射電極の長手方向に伸びる。
は、所定間隙でライン状に複数形成されており、前記ス
リットは、前記反射電極の長手方向に伸びる。
この態様によれば、スリット長辺による斜め電界に対
処すれば、同時に反射電極の間隙に起因した斜め電界に
ついても対処可能であり、更に、反射電極形成時に容易
にスリットを形成することができると共にこの時に必要
となるフォトマスクの設計も簡単になるため、装置構成
上や製造上或いは設計上大変有利である。
処すれば、同時に反射電極の間隙に起因した斜め電界に
ついても対処可能であり、更に、反射電極形成時に容易
にスリットを形成することができると共にこの時に必要
となるフォトマスクの設計も簡単になるため、装置構成
上や製造上或いは設計上大変有利である。
この反射電極がライン状に形成された態様では、前記
透明電極は、前記反射電極に交差する方向に所定間隙で
ライン状に複数形成されており、前記スリットは、前記
透明電極の間隙に対向する位置まで伸びてよい。
透明電極は、前記反射電極に交差する方向に所定間隙で
ライン状に複数形成されており、前記スリットは、前記
透明電極の間隙に対向する位置まで伸びてよい。
このように構成すれば、比較的離れて対向配置された
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、透明電極
の形成されていない領域に位置する、即ち透明電極と反
射電極との間で電圧が印加される反射電極部分から外れ
て位置するので、前述のように本発明では小さい程よい
スリット短辺による斜め電界による影響を極めて顕著に
低減できる。
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、透明電極
の形成されていない領域に位置する、即ち透明電極と反
射電極との間で電圧が印加される反射電極部分から外れ
て位置するので、前述のように本発明では小さい程よい
スリット短辺による斜め電界による影響を極めて顕著に
低減できる。
この反射電極がライン状に形成された態様では、前記
スリットは、複数画素に跨って伸びてよい。
スリットは、複数画素に跨って伸びてよい。
このように構成すれば、比較的離れて対向配置された
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、各画素毎
に存在しないので、当該反射電極の縁部と透明電極との
間で液晶層に印加される、前述のように本発明では小さ
い程よいスリット短辺による斜め電界による影響を極め
て顕著に低減できる。
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、各画素毎
に存在しないので、当該反射電極の縁部と透明電極との
間で液晶層に印加される、前述のように本発明では小さ
い程よいスリット短辺による斜め電界による影響を極め
て顕著に低減できる。
この場合更に、前記スリットは、画像表示領域外まで
伸びてよい。
伸びてよい。
このように構成すれば、比較的離れて対向配置された
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、画像表示
領域内には存在しないので、前述のように小さい程よい
スリット短辺による斜め電界による影響をほぼ完璧に低
減できる。
スリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、画像表示
領域内には存在しないので、前述のように小さい程よい
スリット短辺による斜め電界による影響をほぼ完璧に低
減できる。
この反射電極がライン状に形成された態様では、前記
スリットの幅と前記反射電極の間隙とは略等しくてよ
い。
スリットの幅と前記反射電極の間隙とは略等しくてよ
い。
このように構成すれば、スリット長辺による斜め電界
に対する対策或いは積極利用を図れば、ほぼ同様に反射
電極の間隙に起因した斜め電界に対する対策或いは積極
利用を図れるので、更に、反射電極形成時に非常に容易
にスリットを形成することができると共にこの時に必要
となるフォトマスクの設計も簡単になるため、装置構成
上や製造或いは設計上大変有利である。ここに、「略等
しい」とは、斜め電界に対する同じ対策を施した場合
に、スリット長辺による斜め電界の影響と反射電極の間
隙に起因した斜め電界の影響とが、表示上等しく現れる
程度にスリット幅と反射電極の間隙とが等しいか或い
は、同じ線幅のフォトマスクで形成可能な程度に等しい
という意である。
に対する対策或いは積極利用を図れば、ほぼ同様に反射
電極の間隙に起因した斜め電界に対する対策或いは積極
利用を図れるので、更に、反射電極形成時に非常に容易
にスリットを形成することができると共にこの時に必要
となるフォトマスクの設計も簡単になるため、装置構成
上や製造或いは設計上大変有利である。ここに、「略等
しい」とは、斜め電界に対する同じ対策を施した場合
に、スリット長辺による斜め電界の影響と反射電極の間
隙に起因した斜め電界の影響とが、表示上等しく現れる
程度にスリット幅と反射電極の間隙とが等しいか或い
は、同じ線幅のフォトマスクで形成可能な程度に等しい
という意である。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記スリット
の幅は、４μｍ以下である。
の幅は、４μｍ以下である。
本願発明者らによる実験及び研究の結果、スリットの
幅に応じて、液晶の閾値電圧が変化することが判明して
おり、より具体的には、スリット幅が４μｍより広い
と、反射型表示時と透過型表示時との間で液晶の閾値電
圧が大きく相異なるようになるため、これら両方の表示
時において良好なコントラストや濃度変化を得ることが
可能な駆動電圧の設定が困難或いは不可能となることが
判明している。この原因は、スリットの幅が４μｍを超
えると、スリットに対向する液晶部分を駆動するために
強い電界が必要となるためと考えられる。しかるに、こ
の態様によれば、スリットの幅は４μｍ以下であるた
め、液晶の閾値電圧を、反射型表示時と透過型表示時と
で同程度にできる。例えば、スリットの幅を２μｍと
し、反射電極の幅を10μｍとすれば、両方の表示時に、
十分なコントラストや濃度変化を得ることが可能な駆動
電圧を比較的容易に設定できる。
幅に応じて、液晶の閾値電圧が変化することが判明して
おり、より具体的には、スリット幅が４μｍより広い
と、反射型表示時と透過型表示時との間で液晶の閾値電
圧が大きく相異なるようになるため、これら両方の表示
時において良好なコントラストや濃度変化を得ることが
可能な駆動電圧の設定が困難或いは不可能となることが
判明している。この原因は、スリットの幅が４μｍを超
えると、スリットに対向する液晶部分を駆動するために
強い電界が必要となるためと考えられる。しかるに、こ
の態様によれば、スリットの幅は４μｍ以下であるた
め、液晶の閾値電圧を、反射型表示時と透過型表示時と
で同程度にできる。例えば、スリットの幅を２μｍと
し、反射電極の幅を10μｍとすれば、両方の表示時に、
十分なコントラストや濃度変化を得ることが可能な駆動
電圧を比較的容易に設定できる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記透明電極
と前記反射電極との略中心位置の液晶分子の配向方向
と、前記スリットの長手方向とのなす角度をξとしたと
きに、−60゜≦ξ≦60゜である。
と前記反射電極との略中心位置の液晶分子の配向方向
と、前記スリットの長手方向とのなす角度をξとしたと
きに、−60゜≦ξ≦60゜である。
この態様によれば、透明電極と反射電極との略中心位
置にあり最も動き易い液晶分子の配向方向とスリットの
長手方向とが、直交から30゜以上離れているので、液晶
分子は、透明電極と反射電極との間での電圧印加により
ティルトドメインの発生を殆ど伴うことなく良好にその
配向状態が変化する。このため、液晶駆動時のしきい値
電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図
れる。さらに、液晶層におけるティルトドメインによる
ディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが可
能となる。仮に、この角度ξが、−60゜≦ξ≦60゜の範
囲にないと、液晶分子の配向方向とスリットの長手方向
がほぼ直交になるので、ティルトドメインが激しく発生
してしまう。これにより、駆動電圧も上昇してしまう。
特に、−30゜≦ξ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大
限に発揮される。なお、ティルトドメインについては、
日本学術振興会第142委員会編「液晶デバイスハンドブ
ック」（日刊工業新聞社）の254ページに記載されてい
る現象と同じ現象であるが、本明細書のティルトドメイ
ンはプレティルト角の大小によって発生するものではな
く、電界の印加方向により発生する現象のことである。
置にあり最も動き易い液晶分子の配向方向とスリットの
長手方向とが、直交から30゜以上離れているので、液晶
分子は、透明電極と反射電極との間での電圧印加により
ティルトドメインの発生を殆ど伴うことなく良好にその
配向状態が変化する。このため、液晶駆動時のしきい値
電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図
れる。さらに、液晶層におけるティルトドメインによる
ディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが可
能となる。仮に、この角度ξが、−60゜≦ξ≦60゜の範
囲にないと、液晶分子の配向方向とスリットの長手方向
がほぼ直交になるので、ティルトドメインが激しく発生
してしまう。これにより、駆動電圧も上昇してしまう。
特に、−30゜≦ξ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大
限に発揮される。なお、ティルトドメインについては、
日本学術振興会第142委員会編「液晶デバイスハンドブ
ック」（日刊工業新聞社）の254ページに記載されてい
る現象と同じ現象であるが、本明細書のティルトドメイ
ンはプレティルト角の大小によって発生するものではな
く、電界の印加方向により発生する現象のことである。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
近傍の液晶分子の配向方向と前記スリットの長手方向と
のなす角度をδとしたとき、−30゜≦δ≦30゜である。
近傍の液晶分子の配向方向と前記スリットの長手方向と
のなす角度をδとしたとき、−30゜≦δ≦30゜である。
この態様によれば、所定のプレティルト角が付与され
る反射電極近傍の液晶分子の配向方向とスリットの長手
方向とが、直交よりも平行に近いので、基板界面におけ
る液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトする可能性が
殆ど無くなる。このため、逆ティルトに起因したティル
トドメインによるディスクリネーションなどの表示欠陥
をなくすことが可能となる。これによって、液晶駆動時
のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費
電力化が図れる。仮に、この角度σが、−30゜≦δ≦30
゜以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が斜
め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠陥
が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が上
昇してしまう。特に、−10゜≦δ≦10゜の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
る反射電極近傍の液晶分子の配向方向とスリットの長手
方向とが、直交よりも平行に近いので、基板界面におけ
る液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトする可能性が
殆ど無くなる。このため、逆ティルトに起因したティル
トドメインによるディスクリネーションなどの表示欠陥
をなくすことが可能となる。これによって、液晶駆動時
のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費
電力化が図れる。仮に、この角度σが、−30゜≦δ≦30
゜以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が斜
め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠陥
が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が上
昇してしまう。特に、−10゜≦δ≦10゜の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、非駆動時が暗
（黒）状態である。
（黒）状態である。
この態様によれば、非駆動時が暗状態であるので、透
過型表示時に液晶が駆動されない画素間またはドット間
からの光漏れを抑えることができ、コントラストが高い
透過型表示を得ることができる。また、反射型表示時
に、画素間やドット間からの表示に不要な反射光を抑え
ることができるので、コントラストが高い表示を得るこ
とができる。
過型表示時に液晶が駆動されない画素間またはドット間
からの光漏れを抑えることができ、コントラストが高い
透過型表示を得ることができる。また、反射型表示時
に、画素間やドット間からの表示に不要な反射光を抑え
ることができるので、コントラストが高い表示を得るこ
とができる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
の間隙を少なくとも部分的に覆うように前記第１基板の
前記液晶層側の面及び前記第２基板の前記液晶層側の面
のうち少なくとも一方に遮光層が形成されている。
の間隙を少なくとも部分的に覆うように前記第１基板の
前記液晶層側の面及び前記第２基板の前記液晶層側の面
のうち少なくとも一方に遮光層が形成されている。
この態様によれば、透過型表示時に液晶が駆動されな
い画素間またはドット間からの光漏れを抑えることがで
き、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
い画素間またはドット間からの光漏れを抑えることがで
き、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記第１基板
の前記液晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記
第１基板と前記第１偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第１位相差板とを更に備える。
の前記液晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記
第１基板と前記第１偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第１位相差板とを更に備える。
この態様によれば、主に第１偏光板により反射型表示
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記第２基板
と前記照明装置との間に配置された第２偏光板と、前記
第２基板と前記第２偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第２位相差板とを更に備える。
と前記照明装置との間に配置された第２偏光板と、前記
第２基板と前記第２偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第２位相差板とを更に備える。
この態様によれば、主に第２偏光板により透過型表示
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
この態様によれば、半透過反射型の薄い層厚の反射電
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
この態様によれば、外光による反射型カラー表示と照
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記第１基板
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を散乱板によっ
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
が凹凸を有する。
が凹凸を有する。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を凹凸によって
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
本発明の第１液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
この態様によれば、スリットが開口された反射電極を
反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光を
反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印加
する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極が得
られる。
反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光を
反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印加
する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極が得
られる。
本発明の上記課題は、上述した本発明の第１液晶装置
を備えた第１電子機器によっても達成される。
を備えた第１電子機器によっても達成される。
本発明の第１電子機器によれば、視差による二重映り
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
本発明の上記課題は、透明な一対の第１及び第２基板
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極と、
前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された半透過反
射層からなる反射電極と、前記第２基板の前記液晶層と
反対側に配置された照明装置と、前記第１基板の前記液
晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記第１基板
と前記第１偏光板との間に配置された少なくとも１枚の
第１位相差板と、前記第２基板と前記照明装置との間に
配置された第２偏光板と、前記第２基板と前記第２偏光
板との間に配置された少なくとも１枚の第２位相差板と
を備えた第２液晶装置によっても達成される。
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極と、
前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された半透過反
射層からなる反射電極と、前記第２基板の前記液晶層と
反対側に配置された照明装置と、前記第１基板の前記液
晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記第１基板
と前記第１偏光板との間に配置された少なくとも１枚の
第１位相差板と、前記第２基板と前記照明装置との間に
配置された第２偏光板と、前記第２基板と前記第２偏光
板との間に配置された少なくとも１枚の第２位相差板と
を備えた第２液晶装置によっても達成される。
本発明の第２液晶装置によれば、反射型表示時には、
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、半透過反射層からなる反射電極を介して液晶層側に
透過する。従って、暗所では光源光を用いて明るい表示
が可能となる。このような半透過反射層は、上述した本
発明の第１液晶装置と同様に長方形のスリットや正方形
の微細な開口等が設けられ一部の領域を光が透過可能と
された反射膜から構成してもよいし、孔欠陥、凹入欠陥
等の微細な欠陥部を点在させた金属薄膜等の半透過反射
膜から構成してもよいし、全領域において半透過反射性
を示す膜から構成してもよい。或いは、後述のように所
定間隙で複数形成されたライン状や島状等の反射電極か
ら構成してもよい。
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、半透過反射層からなる反射電極を介して液晶層側に
透過する。従って、暗所では光源光を用いて明るい表示
が可能となる。このような半透過反射層は、上述した本
発明の第１液晶装置と同様に長方形のスリットや正方形
の微細な開口等が設けられ一部の領域を光が透過可能と
された反射膜から構成してもよいし、孔欠陥、凹入欠陥
等の微細な欠陥部を点在させた金属薄膜等の半透過反射
膜から構成してもよいし、全領域において半透過反射性
を示す膜から構成してもよい。或いは、後述のように所
定間隙で複数形成されたライン状や島状等の反射電極か
ら構成してもよい。
第２液晶装置では特に、第１偏光板及び第１位相差板
並びに第２偏光板及び第２位相差板を備えるので、第１
及び第２偏光板により反射型表示と透過型表示とのいず
れにおいても良好な表示制御ができる。そして、第１位
相差板により反射型表示時における光の波長分散に起因
する色付きなどの色調への影響を低減すると共に、第２
位相差板により透過型表示時における光の波長分散に起
因する色付きなどの色調への影響を低減することが可能
となる。なお、第２液晶装置の駆動方式としては、パッ
シブマトリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆
動方式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメン
ト駆動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。
並びに第２偏光板及び第２位相差板を備えるので、第１
及び第２偏光板により反射型表示と透過型表示とのいず
れにおいても良好な表示制御ができる。そして、第１位
相差板により反射型表示時における光の波長分散に起因
する色付きなどの色調への影響を低減すると共に、第２
位相差板により透過型表示時における光の波長分散に起
因する色付きなどの色調への影響を低減することが可能
となる。なお、第２液晶装置の駆動方式としては、パッ
シブマトリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆
動方式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメン
ト駆動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。
本発明の第２液晶装置の一の態様では、非駆動時が暗
（黒）状態である。
（黒）状態である。
この態様によれば、非駆動時が暗状態であるので、透
過型表示時に液晶が駆動されない画素間またはドット間
からの光漏れを抑えることができ、コントラストが高い
透過型表示を得ることができる。また、反射型表示時
に、画素間やドット間からの表示に不要な反射光を抑え
ることができるので、コントラストが高い表示を得るこ
とができる。
過型表示時に液晶が駆動されない画素間またはドット間
からの光漏れを抑えることができ、コントラストが高い
透過型表示を得ることができる。また、反射型表示時
に、画素間やドット間からの表示に不要な反射光を抑え
ることができるので、コントラストが高い表示を得るこ
とができる。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記反射電極
の間隙を少なくとも部分的に覆うように前記第１基板の
前記液晶層側の面及び前記第２基板の前記液晶層側の面
のうち少なくとも一方に遮光層が形成されている。
の間隙を少なくとも部分的に覆うように前記第１基板の
前記液晶層側の面及び前記第２基板の前記液晶層側の面
のうち少なくとも一方に遮光層が形成されている。
この態様によれば、透過型表示時に液晶が駆動されな
い画素間またはドット間からの光漏れを抑えることがで
き、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
い画素間またはドット間からの光漏れを抑えることがで
き、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
この態様によれば、半透過反射型の薄い層厚の反射電
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記反射電極
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
この態様によれば、外光による反射型カラー表示と照
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記第１基板
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を散乱板によっ
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記反射電極
が凹凸を有する。
が凹凸を有する。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を凹凸によって
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
本発明の第２液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
この態様によれば、反射電極を構成する半透過反射層
を反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光
を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印
加する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極を
構成する半透過反射層が得られる。
を反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光
を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印
加する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極を
構成する半透過反射層が得られる。
本発明の上記課題は、上述した本発明の第２液晶装置
を備えた第２電子機器によっても達成される。
を備えた第２電子機器によっても達成される。
本発明の第２電子機器によれば、視差による二重映り
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
本発明の上記課題は、透明な一対の第１及び第２基板
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第２基板の前記液晶層側の面に相互に所定間隙を隔てて
複数形成された反射電極と、前記第１基板の前記液晶層
側の面に、前記反射電極に対向する位置及び前記反射電
極の間隙に対向する位置に形成された透明電極と、前記
第２基板の前記液晶層と反対側に配置された照明装置と
を備えた第３液晶装置によっても達成される。
と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記
第２基板の前記液晶層側の面に相互に所定間隙を隔てて
複数形成された反射電極と、前記第１基板の前記液晶層
側の面に、前記反射電極に対向する位置及び前記反射電
極の間隙に対向する位置に形成された透明電極と、前記
第２基板の前記液晶層と反対側に配置された照明装置と
を備えた第３液晶装置によっても達成される。
本発明の第３液晶装置によれば、反射型表示時には、
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、反射電極の間隙を介して液晶層側に透過する。ここ
で特に、反射電極の間隙に対向する透明電極部分と反射
電極との間で生じる斜め電界によって、液晶を駆動する
ことができる。従って、暗所では、反射電極の間隙を透
過する光源光を斜め電界を用いて駆動することにより、
明るい表示が可能となる。同時に、反射電極の間隙に対
向する液晶部分が駆動されずに白抜けすることを阻止で
き、反射電極の間隙に係る表示欠陥を低減可能となる。
逆に、一般にブラックマトリクス或いはブラックマスク
と称される遮光膜で反射電極の間隙を覆うことも不要と
なるので、装置構成上や製造上或いは設計上有利であ
る。
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、反射電極の間隙を介して液晶層側に透過する。ここ
で特に、反射電極の間隙に対向する透明電極部分と反射
電極との間で生じる斜め電界によって、液晶を駆動する
ことができる。従って、暗所では、反射電極の間隙を透
過する光源光を斜め電界を用いて駆動することにより、
明るい表示が可能となる。同時に、反射電極の間隙に対
向する液晶部分が駆動されずに白抜けすることを阻止で
き、反射電極の間隙に係る表示欠陥を低減可能となる。
逆に、一般にブラックマトリクス或いはブラックマスク
と称される遮光膜で反射電極の間隙を覆うことも不要と
なるので、装置構成上や製造上或いは設計上有利であ
る。
なお、第３液晶装置の駆動方式としては、パッシブマ
トリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆動方
式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆
動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。従っ
て、反射電極は、採用する駆動方式に応じて、ライン状
に複数形成したり、矩形状に複数形成する。
トリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆動方
式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆
動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。従っ
て、反射電極は、採用する駆動方式に応じて、ライン状
に複数形成したり、矩形状に複数形成する。
なお、反射電極の間隙の幅は、0.01μｍ以上20μｍ以
下であることが好ましく、特に１μｍ以上５μｍ以下が
好ましい。このようにすることで、人間が認識すること
が困難であり、間隙を設けたことで生じる表示品質の劣
化を抑えることができ、反射型表示と透過型表示を同時
に実現できる。また、間隙は反射電極に対して、５％以
上30％以下の面積比で形成することが好ましい。このよ
うにすることで、反射型表示の明るさの低下を抑えるこ
とができとともに、反射電極の間隙から液晶層に導入さ
れる光によって透過型表示が実現できる。特に、透過型
表示時において斜め電界によって駆動される液晶部分が
液晶層全体に占める割合が低くても、照明装置による光
源の輝度を上げることにより、この液晶部分により十分
に明るく高品位の表示が可能となる。
下であることが好ましく、特に１μｍ以上５μｍ以下が
好ましい。このようにすることで、人間が認識すること
が困難であり、間隙を設けたことで生じる表示品質の劣
化を抑えることができ、反射型表示と透過型表示を同時
に実現できる。また、間隙は反射電極に対して、５％以
上30％以下の面積比で形成することが好ましい。このよ
うにすることで、反射型表示の明るさの低下を抑えるこ
とができとともに、反射電極の間隙から液晶層に導入さ
れる光によって透過型表示が実現できる。特に、透過型
表示時において斜め電界によって駆動される液晶部分が
液晶層全体に占める割合が低くても、照明装置による光
源の輝度を上げることにより、この液晶部分により十分
に明るく高品位の表示が可能となる。
本発明の第３液晶装置の一の態様では、前記反射電極
は長手状に複数形成されており、前記透明電極と前記反
射電極との略中心位置の液晶分子の配向方向と前記反射
電極の長手方向とのなす角度をφとしたとき、−60゜≦
φ≦60゜である。
は長手状に複数形成されており、前記透明電極と前記反
射電極との略中心位置の液晶分子の配向方向と前記反射
電極の長手方向とのなす角度をφとしたとき、−60゜≦
φ≦60゜である。
この態様によれば、反射電極はライン状、矩形等の長
手状に形成されており、透明電極と反射電極との略中心
位置にあり最も動き易い液晶分子の配向方向と反射電極
の長手方向とが、直交から30゜以上離れているので、液
晶分子は、透明電極と反射電極との間での電圧印加によ
りティルトドメインの発生を殆ど伴うことなく良好にそ
の配向状態が変化する。このため、液晶駆動時のしきい
値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を
図れる。さらに、液晶層におけるティルトドメインによ
るディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが
可能となる。仮に、この角度φが、−60゜≦φ≦60゜の
範囲にないと、液晶分子の配向方向と反射電極の長手方
向がほぼ直交になるので、ティルトドメインが激しく発
生してしまう。これにより、駆動電圧も上昇してしま
う。特に、−30゜≦φ≦30゜の範囲で、上述した効果が
最大限に発揮される。
手状に形成されており、透明電極と反射電極との略中心
位置にあり最も動き易い液晶分子の配向方向と反射電極
の長手方向とが、直交から30゜以上離れているので、液
晶分子は、透明電極と反射電極との間での電圧印加によ
りティルトドメインの発生を殆ど伴うことなく良好にそ
の配向状態が変化する。このため、液晶駆動時のしきい
値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を
図れる。さらに、液晶層におけるティルトドメインによ
るディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが
可能となる。仮に、この角度φが、−60゜≦φ≦60゜の
範囲にないと、液晶分子の配向方向と反射電極の長手方
向がほぼ直交になるので、ティルトドメインが激しく発
生してしまう。これにより、駆動電圧も上昇してしま
う。特に、−30゜≦φ≦30゜の範囲で、上述した効果が
最大限に発揮される。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記反射電極
近傍の液晶分子の配向方向と前記反射電極の長手方向と
のなす角度をΨとしたとき、−30゜≦Ψ≦30゜である。
近傍の液晶分子の配向方向と前記反射電極の長手方向と
のなす角度をΨとしたとき、−30゜≦Ψ≦30゜である。
この態様によれば、所定のプレティルト角が付与され
る反射電極近傍の液晶分子の配向方向と反射電極の長手
方向とが、直交よりも平行に近いので、基板界面におけ
る液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトする可能性が
殆ど無くなる。このため、逆ティルトに起因したティル
トドメインによるディスクリネーションなどの表示欠陥
をなくすことが可能となる。これによって、液晶駆動時
のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費
電力化が図れる。仮に、この角度Ψが、−30゜≦Ψ≦30
゜以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が斜
め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠陥
が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が上
昇してしまう。特に、−10゜≦Ψ≦10゜の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
る反射電極近傍の液晶分子の配向方向と反射電極の長手
方向とが、直交よりも平行に近いので、基板界面におけ
る液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトする可能性が
殆ど無くなる。このため、逆ティルトに起因したティル
トドメインによるディスクリネーションなどの表示欠陥
をなくすことが可能となる。これによって、液晶駆動時
のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費
電力化が図れる。仮に、この角度Ψが、−30゜≦Ψ≦30
゜以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が斜
め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠陥
が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が上
昇してしまう。特に、−10゜≦Ψ≦10゜の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記第１基板
の前記液晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記
第１基板と前記第１偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第１位相差板とを更に備える。
の前記液晶層と反対側に配置された第１偏光板と、前記
第１基板と前記第１偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第１位相差板とを更に備える。
この態様によれば、主に第１偏光板により反射型表示
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記第２基板
と前記照明装置との間に配置された第２偏光板と、前記
第２基板と前記第２偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第２位相差板とを更に備える。
と前記照明装置との間に配置された第２偏光板と、前記
第２基板と前記第２偏光板との間に配置された少なくと
も１枚の第２位相差板とを更に備える。
この態様によれば、主に第２偏光板により透過型表示
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
この態様によれば、半透過反射型の薄い層厚の反射電
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記反射電極
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
と前記第１基板との間に、カラーフィルタを更に備え
る。
この態様によれば、外光による反射型カラー表示と照
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記第１基板
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
の前記液晶層と反対側に、散乱板を更に備える。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を散乱板によっ
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記反射電極
が凹凸を有する。
が凹凸を有する。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を凹凸によって
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
本発明の第３液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
この態様によれば、反射電極を反射性且つ導電性の単
一膜から構成しなくても、外光を反射する機能を反射層
に持たせ且つ液晶駆動電圧を印加する機能を透明電極層
に持たせれば、当該反射電極が得られる。
一膜から構成しなくても、外光を反射する機能を反射層
に持たせ且つ液晶駆動電圧を印加する機能を透明電極層
に持たせれば、当該反射電極が得られる。
本発明の上記課題は、上述した本発明の第３液晶装置
を備えた第３電子機器によっても達成される。
を備えた第３電子機器によっても達成される。
本発明の第３電子機器によれば、視差による二重映り
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
本発明の上記課題は、（ｉ）透明な一対の第１及び第
２基板と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層
と、前記第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明
電極と、前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された
半透過反射層からなる反射電極と、前記第２基板の前記
液晶層と反対側に配置された照明装置とを備えた半透過
反射型の液晶パネルと、（ii）前記透明電極及び反射電
極を駆動する駆動手段とを備えており、該液晶パネルは
非駆動時が暗（黒）状態である第４液晶装置によっても
達成される。
２基板と、該第１及び第２基板間に挟持された液晶層
と、前記第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明
電極と、前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された
半透過反射層からなる反射電極と、前記第２基板の前記
液晶層と反対側に配置された照明装置とを備えた半透過
反射型の液晶パネルと、（ii）前記透明電極及び反射電
極を駆動する駆動手段とを備えており、該液晶パネルは
非駆動時が暗（黒）状態である第４液晶装置によっても
達成される。
本発明の第４液晶装置によれば、反射型表示時には、
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、半透過反射層からなる反射電極を介して液晶層側に
透過する。従って、暗所では光源光を用いて明るい表示
が可能となる。このような半透過反射層は、上述した本
発明の第１液晶装置と同様に長方形のスリットや正方形
の微細な開口等が設けられ一部の領域を光が透過可能と
された反射膜から構成してもよいし、孔欠陥、凹入欠陥
等の微細な欠陥部を点在させた金属薄膜等の半透過反射
膜から構成してもよいし、全領域において半透過反射性
を示す膜から構成してもよい。或いは、本発明の第３液
晶装置のように所定間隙で複数形成されたライン状や島
状等の反射電極から構成してもよい。
反射電極は、第１基板側から入射した外光を液晶層側に
反射する。この際、反射電極は、第２基板の液晶層側に
配置されているため、液晶層と反射電極との間に間隙が
殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映りや表
示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時には、照
明装置から発せられ、第２基板側から入射した光源光
を、半透過反射層からなる反射電極を介して液晶層側に
透過する。従って、暗所では光源光を用いて明るい表示
が可能となる。このような半透過反射層は、上述した本
発明の第１液晶装置と同様に長方形のスリットや正方形
の微細な開口等が設けられ一部の領域を光が透過可能と
された反射膜から構成してもよいし、孔欠陥、凹入欠陥
等の微細な欠陥部を点在させた金属薄膜等の半透過反射
膜から構成してもよいし、全領域において半透過反射性
を示す膜から構成してもよい。或いは、本発明の第３液
晶装置のように所定間隙で複数形成されたライン状や島
状等の反射電極から構成してもよい。
第４液晶装置では特に、駆動手段により透明電極及び
反射電極が駆動される液晶パネルは、非駆動時に暗状態
である。即ちノーマリーブラックモードで駆動される。
従って、透過型表示時に液晶が駆動されない画素間また
はドット間からの光漏れを抑えることができ、コントラ
ストが高い透過型表示を得ることができる。また、反射
型表示時に、画素間やドット間からの表示に不要な反射
光を抑えることができるので、コントラストが高い表示
を得ることができる。このように一般にブラックマトリ
クス或いはブラックマスクと称される遮光膜を反射電極
の間隙に対向する位置に設けることなく、透過型表示時
及び反射型表示時におけるコントラストを向上させるこ
とが可能となる。加えて、このような遮光膜を設けるこ
とにより反射型表示時の明るさが低下する事態を未然に
防ぐこともできる。
反射電極が駆動される液晶パネルは、非駆動時に暗状態
である。即ちノーマリーブラックモードで駆動される。
従って、透過型表示時に液晶が駆動されない画素間また
はドット間からの光漏れを抑えることができ、コントラ
ストが高い透過型表示を得ることができる。また、反射
型表示時に、画素間やドット間からの表示に不要な反射
光を抑えることができるので、コントラストが高い表示
を得ることができる。このように一般にブラックマトリ
クス或いはブラックマスクと称される遮光膜を反射電極
の間隙に対向する位置に設けることなく、透過型表示時
及び反射型表示時におけるコントラストを向上させるこ
とが可能となる。加えて、このような遮光膜を設けるこ
とにより反射型表示時の明るさが低下する事態を未然に
防ぐこともできる。
なお、第４液晶装置の駆動方式としては、パッシブマ
トリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆動方
式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆
動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。
トリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆動方
式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆
動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。
本発明の第４液晶装置の一の態様では、前記液晶パネ
ルは、前記第１基板の前記液晶層と反対側に配置された
第１偏光板と、前記第１基板と前記第１偏光板との間に
配置された少なくとも１枚の第１位相差板とを更に備え
る。
ルは、前記第１基板の前記液晶層と反対側に配置された
第１偏光板と、前記第１基板と前記第１偏光板との間に
配置された少なくとも１枚の第１位相差板とを更に備え
る。
この態様によれば、主に第１偏光板により反射型表示
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きるとともに、主に第１位相差板により光の波長分散に
起因する色付きなどの色調への影響を低減することがで
きる。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記液晶パネ
ルは、前記第２基板と前記照明装置との間に配置された
第２偏光板と、前記第２基板と前記第２偏光板との間に
配置された少なくとも１枚の第２位相差板とを更に備え
る。
ルは、前記第２基板と前記照明装置との間に配置された
第２偏光板と、前記第２基板と前記第２偏光板との間に
配置された少なくとも１枚の第２位相差板とを更に備え
る。
この態様によれば、主に第２偏光板により透過型表示
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
において良好な表示制御ができるとともに、主に第２位
相差板により光の波長分散に起因する色付きなどの色調
への影響を低減することができる。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
は、95重量％以上のAlを含み、かつ層厚が10nm以上40nm
以下である。
この態様によれば、半透過反射型の薄い層厚の反射電
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
極が形成できる。実験によると、この層厚の範囲で、透
過率が１％以上40％以下であり、反射率が50％以上95％
以下である半透過反射型の反射電極が作製できる。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記液晶パネ
ルは、前記反射電極と前記第１基板との間に、カラーフ
ィルタを更に備える。
ルは、前記反射電極と前記第１基板との間に、カラーフ
ィルタを更に備える。
この態様によれば、外光による反射型カラー表示と照
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
明装置を利用した透過型カラー表示を行うことができ
る。カラーフィルタは、380nm以上780nm以下の波長範囲
のすべての光に対して25％以上の透過率を有しているの
が好ましい。このようにすることで、明るい反射型カラ
ー表示と透過型カラー表示を実現できる。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記液晶パネ
ルは、前記第１基板の前記液晶層と反対側に、散乱板を
更に備える。
ルは、前記第１基板の前記液晶層と反対側に、散乱板を
更に備える。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を散乱板によっ
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
て散乱面（白色面）に見せることができる。また、散乱
板による散乱によって、広視野角の表示が可能となる。
なお、散乱板の位置は、第１基板の液晶層と反対側であ
れば、どの位置にあっても特に構わない。散乱板の後方
散乱（外光が入射した場合、入射光側への散乱）の影響
を考えると、偏光板と第１基板との間に配置するのが望
ましい。後方散乱は、液晶装置の表示には関係のない散
乱光であり、この後方散乱が存在すると、反射型表示時
のコントラストを低下させる。偏光板と第１基板との間
に配置させることで、後方散乱光の光量を偏光板によっ
て約半分にすることができる。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記反射電極
が凹凸を有する。
が凹凸を有する。
この態様によれば、反射電極の鏡面感を凹凸によって
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
なくし、散乱面（白色面）に見せることができる。ま
た、凹凸による散乱によって、広視野角の表示が可能と
なる。この凹凸形状は、反射電極の下地に感光性のアク
リル樹脂等を用いて形成したり、下地のガラス基板自身
をフッ酸によって荒らしたりすることによって形成する
ことができる。尚、反射電極の凹凸表面上に透明な平坦
化膜を更に形成して、液晶層に面する表面（配向膜を形
成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配向不良を
防ぐ観点から望ましい。
本発明の第４液晶装置の他の態様では、前記反射電極
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
は、反射層と透明電極層との積層体からなる。
この態様によれば、反射電極を構成する半透過反射層
を反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光
を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印
加する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極を
構成する半透過反射層が得られる。
を反射性且つ導電性の単一膜から構成しなくても、外光
を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆動電圧を印
加する機能を透明電極層に持たせれば、当該反射電極を
構成する半透過反射層が得られる。
本発明の上記課題は、上述した本発明の第４液晶装置
を備えた第４電子機器によっても達成される。
を備えた第４電子機器によっても達成される。
本発明の第４電子機器によれば、視差による二重映り
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
や表示のにじみがなく、反射型表示と透過型表示とを切
り換えて表示することのできる半透過反射型液晶装置や
半透過反射型カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を
実現できる。このような電子機器は、明るい場所でも暗
い場所でも、周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現
できる。
図面の簡単な説明 図1aは、本発明に係る液晶装置の第１及び第２実施例
の概略構造を示す概略縦断面図である。
の概略構造を示す概略縦断面図である。
図1bは、第１及び第２実施例の概略構造を示す概略平
面図である。
面図である。
図２は、第２実施例の偏光板、位相差板及び液晶セル
のラビング方向の関係を示す説明図とその時の液晶装置
の駆動電圧−反射率R/透過率Ｔ特性を示す特性図であ
る。
のラビング方向の関係を示す説明図とその時の液晶装置
の駆動電圧−反射率R/透過率Ｔ特性を示す特性図であ
る。
図３は、本発明に係る液晶装置の第３実施例における
第２透明基板上の概略構造を示す概略拡大断面図であ
る。
第２透明基板上の概略構造を示す概略拡大断面図であ
る。
図４は、本発明に係る液晶装置の第４実施例の概略構
造を示す概略縦断面図である 図5aは、本発明に係る液晶装置の第５実施例の概略構
造を示す概略縦断面図である。
造を示す概略縦断面図である 図5aは、本発明に係る液晶装置の第５実施例の概略構
造を示す概略縦断面図である。
図5bは、本発明に係る液晶装置の第５実施例の概略構
造を示す概略平面図である。
造を示す概略平面図である。
図６は、本発明に係る液晶装置の第６実施例における
スリットが開口された反射電極の一例を示す平面図であ
る。
スリットが開口された反射電極の一例を示す平面図であ
る。
図７は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図８は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図９は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図10は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図11は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図12は、第６実施例におけるスリットが開口された反
射電極の他の例を示す平面図である。
射電極の他の例を示す平面図である。
図13は、本発明に係る液晶装置の第７及び第９実施例
における基板間中央部の液晶の配向方向を説明するため
の概念図である。
における基板間中央部の液晶の配向方向を説明するため
の概念図である。
図14は、本発明の第８実施例の液晶装置の構造を示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
図15は、第８実施例における反射電極の具体的な一構
成例を示す平面図である。
成例を示す平面図である。
図16は、第８実施例における反射電極の具体的な他の
構成例を示す平面図である。
構成例を示す平面図である。
図17は、第８実施例における反射電極の具体的な他の
構成例を示す平面図である。
構成例を示す平面図である。
図18は、第８実施例における反射電極の変形例を示す
平面図である。
平面図である。
図19は、本発明に係る第９実施例における角度φを変
化させた場合の反射型表示にコントラスト及び透過型表
示にコントラストを示す図表である。
化させた場合の反射型表示にコントラスト及び透過型表
示にコントラストを示す図表である。
図20は、第９実施例における角度Ψを変化させた場合
の反射型表示にコントラスト及び透過型表示にコントラ
ストを示す図表である。
の反射型表示にコントラスト及び透過型表示にコントラ
ストを示す図表である。
図21aは、本発明に係る第10実施例のTFD駆動素子を画
素電極等と共に模式的に示す平面図である。
素電極等と共に模式的に示す平面図である。
図21bは、図21aのＢ−B'断面図である。
図22は、第10実施例における液晶素子を駆動回路と共
に示した等価回路図である。
に示した等価回路図である。
図23は、第10実施例における液晶素子を模式的に示す
部分破断斜視図である。
部分破断斜視図である。
図24は、本発明に係る第11実施例の液晶装置の画像表
示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路である。
示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路である。
図25は、第11実施例におけるデータ線、走査線、画素
電極等が形成された透明基板の相隣接する複数の画素群
の平面図である。
電極等が形成された透明基板の相隣接する複数の画素群
の平面図である。
図26は、図25のＣ−C'断面図である。
図27は、第１から第５実施例におけるカラーフィルタ
の着色層毎の光透過率を示すグラフである。
の着色層毎の光透過率を示すグラフである。
図28は、本発明に係る第12実施例の各種の電子機器の
概略斜視図である 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明を実施するための最良の形態について実
施例毎に図面に基づいて説明する。
概略斜視図である 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明を実施するための最良の形態について実
施例毎に図面に基づいて説明する。
（第１実施例） 本発明に係る液晶装置の第１実施例を図1a及び図1bを
参照して説明する。図1aは、本発明の第１実施例の構造
を示す概略縦断面図であり、図1bは、図1aに示した第１
実施例の概略平面図である。図1bでは、電極配置を見易
くするために図1aに示したカラーフィルタ及びブラック
マトリクス層を省略しており、また、説明の便宜上スト
ライプ状の電極についても縦横３本ずつのみ示してある
が、実際の液晶装置では遥かに多い数のストライプ状の
電極が設けらる。尚、第１実施例は基本的に単純マトリ
クス型の液晶表示装置に関するものであるが、同様の構
成によりアクティブマトリクス型の装置や他のセグメン
ト型の装置、その他の液晶装置にも適用することは可能
である。
参照して説明する。図1aは、本発明の第１実施例の構造
を示す概略縦断面図であり、図1bは、図1aに示した第１
実施例の概略平面図である。図1bでは、電極配置を見易
くするために図1aに示したカラーフィルタ及びブラック
マトリクス層を省略しており、また、説明の便宜上スト
ライプ状の電極についても縦横３本ずつのみ示してある
が、実際の液晶装置では遥かに多い数のストライプ状の
電極が設けらる。尚、第１実施例は基本的に単純マトリ
クス型の液晶表示装置に関するものであるが、同様の構
成によりアクティブマトリクス型の装置や他のセグメン
ト型の装置、その他の液晶装置にも適用することは可能
である。
図1a及び図1bに示すように、第１実施例では、２枚の
透明基板１及び２の間に液晶層３が枠状のシール材４に
よって封止された液晶セルが形成されている。液晶層３
は、所定のツイスト角を持つネマチック液晶で構成され
ている。前方の透明基板１の内面上にはカラーフィルタ
５が形成され、このカラーフィルタ５には、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層が所定パターンで配
列されている。カラーフィルタ５の表面上には透明な保
護膜10が被覆されており、保護膜10の表面上に複数のス
トライプ状の透明電極６がITO（Indium Tin Oxide）膜
などにより形成されている。透明電極６の表面上には配
向膜９が形成され、所定方向にラビング処理が施されて
いる。
透明基板１及び２の間に液晶層３が枠状のシール材４に
よって封止された液晶セルが形成されている。液晶層３
は、所定のツイスト角を持つネマチック液晶で構成され
ている。前方の透明基板１の内面上にはカラーフィルタ
５が形成され、このカラーフィルタ５には、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層が所定パターンで配
列されている。カラーフィルタ５の表面上には透明な保
護膜10が被覆されており、保護膜10の表面上に複数のス
トライプ状の透明電極６がITO（Indium Tin Oxide）膜
などにより形成されている。透明電極６の表面上には配
向膜９が形成され、所定方向にラビング処理が施されて
いる。
一方、後方の透明基板２の内面上には、上記カラーフ
ィルタ５の着色層毎に形成されたストライプ状の反射電
極７が上記透明電極６と交差するように複数配列されて
いる。TFD素子やTFT素子を備えたアクティブマトリクス
型の装置である場合には、各反射電極７は矩形状に形成
され、アクティブ素子を介して配線に接続される。この
反射電極７はCrやAlなどにより形成され、その表面は透
明基板１の側から入射する光を反射する反射面となって
いる。反射電極７の表面上には上記と同様の配向膜19が
形成される。反射電極７には、２μｍ径の開口部7b（図
1b参照）が多数設けてあり、開口部7bの総面積は反射電
極７の総面積に対して約10％の割合で設けてある。
ィルタ５の着色層毎に形成されたストライプ状の反射電
極７が上記透明電極６と交差するように複数配列されて
いる。TFD素子やTFT素子を備えたアクティブマトリクス
型の装置である場合には、各反射電極７は矩形状に形成
され、アクティブ素子を介して配線に接続される。この
反射電極７はCrやAlなどにより形成され、その表面は透
明基板１の側から入射する光を反射する反射面となって
いる。反射電極７の表面上には上記と同様の配向膜19が
形成される。反射電極７には、２μｍ径の開口部7b（図
1b参照）が多数設けてあり、開口部7bの総面積は反射電
極７の総面積に対して約10％の割合で設けてある。
前方の透明基板１の外面上に偏光板11が配置され、偏
光板11と透明電極１との間に位相差板13が配置されてい
る。また、液晶セルの後方には、透明基板２の背後に位
相差板14が配置され、この位相差板14の背後に偏光板12
が配置されている。そして、偏光板12の後方には、白色
光を発する蛍光管15aと、この蛍光管15aに沿った入射端
面を備えた導光板15bとを有するバックライト15が配置
されている。導光板15bは裏面全体に散乱用の粗面が形
成され、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹
脂板などの透明体であり、光源である蛍光管15aの光を
端面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出する
ように構成されている。その他のバックライトとして
は、LED（発光ダイオード）やEL（エレクトロルミネセ
ンス）などを用いることができる。
光板11と透明電極１との間に位相差板13が配置されてい
る。また、液晶セルの後方には、透明基板２の背後に位
相差板14が配置され、この位相差板14の背後に偏光板12
が配置されている。そして、偏光板12の後方には、白色
光を発する蛍光管15aと、この蛍光管15aに沿った入射端
面を備えた導光板15bとを有するバックライト15が配置
されている。導光板15bは裏面全体に散乱用の粗面が形
成され、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹
脂板などの透明体であり、光源である蛍光管15aの光を
端面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出する
ように構成されている。その他のバックライトとして
は、LED（発光ダイオード）やEL（エレクトロルミネセ
ンス）などを用いることができる。
第１実施例では、透過型表示のときに各反射電極７の
間の領域7aから光が漏れるのを防ぐために、カラーフィ
ルタ５の各着色層の間に形成された遮光部であるブラッ
クマトリクス層5aが平面的にほぼ対応して設けられてい
る。ブラックマトリクス層5aはCr層を被着したり、感光
性ブラック樹脂で形成する。
間の領域7aから光が漏れるのを防ぐために、カラーフィ
ルタ５の各着色層の間に形成された遮光部であるブラッ
クマトリクス層5aが平面的にほぼ対応して設けられてい
る。ブラックマトリクス層5aはCr層を被着したり、感光
性ブラック樹脂で形成する。
次に以上のように構成された第１実施例の動作につい
て説明する。
て説明する。
先ず、反射型表示について説明する。外光は図１にお
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極７によって反射
され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶層
３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）及
び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御す
る。
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極７によって反射
され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶層
３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）及
び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御す
る。
次に、透過型表示について説明する。バックライト15
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
となり、反射電極７の開口部7bより液晶層３に導入さ
れ、液晶層３を通過後、カラーフィルタ５、位相差板13
をそれぞれ透過する。このとき、液晶層３への印加電圧
に応じて、偏光板11の透過（明状態）及び吸収（暗状
態）並びにそれらの中間の明るさを制御する。
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
となり、反射電極７の開口部7bより液晶層３に導入さ
れ、液晶層３を通過後、カラーフィルタ５、位相差板13
をそれぞれ透過する。このとき、液晶層３への印加電圧
に応じて、偏光板11の透過（明状態）及び吸収（暗状
態）並びにそれらの中間の明るさを制御する。
上述した本実施例によれば、二重映りや表示のにじみ
のない反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示する
ことのできるカラー液晶装置が実現できる。
のない反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示する
ことのできるカラー液晶装置が実現できる。
第１実施例では特に、第１偏光板の一例たる偏光板11
及び第１位相差板の一例たる位相差板13並びに第２偏光
板の一例たる偏光板12及び第２位相差板の一例たる位相
差板14を備えるので、偏光板11及び12により反射型表示
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きる。そして、位相差板13により反射型表示時における
光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低
減する（即ち、位相差板13を用いて反射型表示時におけ
る表示の最適化を図る）と共に、位相差板14により透過
型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの
色調への影響を低減する（即ち、位相差板14を用いて、
位相差板13により反射型表示時における表示の最適化を
図った条件下で、更に、位相差板14による透過型表示時
における表示の最適化を図る）ことが可能となる。な
お、位相差板13及び14については本実施例では１枚とし
てあるが、液晶セルの着色補償、もしくは視角補償によ
りそれぞれの位置に複数枚位相差板を配置することも可
能である。位相差板を複数枚用いれば着色補償或いは視
覚補償の最適化をより容易に行える。
及び第１位相差板の一例たる位相差板13並びに第２偏光
板の一例たる偏光板12及び第２位相差板の一例たる位相
差板14を備えるので、偏光板11及び12により反射型表示
と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御がで
きる。そして、位相差板13により反射型表示時における
光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低
減する（即ち、位相差板13を用いて反射型表示時におけ
る表示の最適化を図る）と共に、位相差板14により透過
型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの
色調への影響を低減する（即ち、位相差板14を用いて、
位相差板13により反射型表示時における表示の最適化を
図った条件下で、更に、位相差板14による透過型表示時
における表示の最適化を図る）ことが可能となる。な
お、位相差板13及び14については本実施例では１枚とし
てあるが、液晶セルの着色補償、もしくは視角補償によ
りそれぞれの位置に複数枚位相差板を配置することも可
能である。位相差板を複数枚用いれば着色補償或いは視
覚補償の最適化をより容易に行える。
尚、第１実施例において反射電極７に設けられる開口
部7bは、例えば反射電極７の面上に規則的に配置された
正方形の微細な開口又は長方形のスリット等から構成さ
れ、或いは反射電極７に点在する孔欠陥、凹入欠陥等の
微細な欠陥部から構成され、この部分で光が反射電極７
を透過可能とされる。このような開口部7bの構成につい
ては、後述する第６実施例から第８実施例（図７から図
11参照）において詳述するため、ここではその詳細説明
については省略する。
部7bは、例えば反射電極７の面上に規則的に配置された
正方形の微細な開口又は長方形のスリット等から構成さ
れ、或いは反射電極７に点在する孔欠陥、凹入欠陥等の
微細な欠陥部から構成され、この部分で光が反射電極７
を透過可能とされる。このような開口部7bの構成につい
ては、後述する第６実施例から第８実施例（図７から図
11参照）において詳述するため、ここではその詳細説明
については省略する。
また、第１実施例では、バックライト15から反射電極
７に設けられた開口部7bを介して光を導入して透過型表
示を行っているが、反射電極７の間隙7aを介して光を導
入して透過型表示を行う構成においても（後述する第13
実施例参照）、偏光板11及び位相差板13並びに偏光板12
及び位相差板14により反射型表示と透過型表示とのいず
れにおいても良好な表示制御を行えると共に光の波長分
散に起因する色付きを低減できる効果は同様得られる。
７に設けられた開口部7bを介して光を導入して透過型表
示を行っているが、反射電極７の間隙7aを介して光を導
入して透過型表示を行う構成においても（後述する第13
実施例参照）、偏光板11及び位相差板13並びに偏光板12
及び位相差板14により反射型表示と透過型表示とのいず
れにおいても良好な表示制御を行えると共に光の波長分
散に起因する色付きを低減できる効果は同様得られる。
（第２実施例） 本発明に係る液晶装置の第２実施例を図1a及び図1bを
参照して説明する。即ち、第２実施例の基本構成は、第
１実施例と同様であり、第２実施例は、第１実施例にお
ける液晶、反射電極、配向膜及び偏光板の材質や特性等
を具体的に限定した実施例である。尚、第２実施例は基
本的に単純マトリクス型の液晶表示装置に関するもので
あるが、同様の構成によりアクティブマトリクス型の装
置や他のセグメント型の装置、その他の液晶装置にも適
用することは可能である。
参照して説明する。即ち、第２実施例の基本構成は、第
１実施例と同様であり、第２実施例は、第１実施例にお
ける液晶、反射電極、配向膜及び偏光板の材質や特性等
を具体的に限定した実施例である。尚、第２実施例は基
本的に単純マトリクス型の液晶表示装置に関するもので
あるが、同様の構成によりアクティブマトリクス型の装
置や他のセグメント型の装置、その他の液晶装置にも適
用することは可能である。
図1a及び図1bにおいて、第２実施例では特に、透明電
極６の表面上に形成された配向膜９には、所定方向にラ
ビング処理が施されており、このラビング処理によっ
て、液晶層３の液晶分子はラビング方向に約85度のプレ
ティルト角を有している。反射電極７の表面上には、上
記と同様の配向膜19が形成されるが、この配向膜19には
ラビング処理を施さない。反射電極７としては、1.0重
量％のNdを添加したAlを25nmの厚みでスパッタした金属
膜を用い、このAlは95重量％以上の材料を用い、かつそ
の膜厚を10nm以上40nm以下に設定する。なお、前述の第
１実施例においても、このような反射電極７を用いてよ
い。位相差板13及び14として、特に1/4波長板が夫々用
いられる。
極６の表面上に形成された配向膜９には、所定方向にラ
ビング処理が施されており、このラビング処理によっ
て、液晶層３の液晶分子はラビング方向に約85度のプレ
ティルト角を有している。反射電極７の表面上には、上
記と同様の配向膜19が形成されるが、この配向膜19には
ラビング処理を施さない。反射電極７としては、1.0重
量％のNdを添加したAlを25nmの厚みでスパッタした金属
膜を用い、このAlは95重量％以上の材料を用い、かつそ
の膜厚を10nm以上40nm以下に設定する。なお、前述の第
１実施例においても、このような反射電極７を用いてよ
い。位相差板13及び14として、特に1/4波長板が夫々用
いられる。
更に第２実施例では特に、偏光板11と偏光板12の透過
軸P1,P2は図２（ａ）に示すように同方向に設定されて
いる。これらの偏光板11及び12の透過軸P1及びP2に対し
て、位相差板（即ち、1/4波長板）13及び14の遅相軸C1
及びC2の方向は夫々、θ＝45度時計方向に回転した方向
に設定されている。さらに、透明基板１の内面上の配向
膜９のラビング処理の方向R1もまた、位相差板（即ち、
1/4波長板）13及び14の遅相軸C1及びC2の方向と一致す
る方向に施されている。このラビング方向R1は、液晶層
３の電界印加時における倒れる方向を規定する。液晶層
３には、誘電異方性が負のネマティック液晶を用いる。
軸P1,P2は図２（ａ）に示すように同方向に設定されて
いる。これらの偏光板11及び12の透過軸P1及びP2に対し
て、位相差板（即ち、1/4波長板）13及び14の遅相軸C1
及びC2の方向は夫々、θ＝45度時計方向に回転した方向
に設定されている。さらに、透明基板１の内面上の配向
膜９のラビング処理の方向R1もまた、位相差板（即ち、
1/4波長板）13及び14の遅相軸C1及びC2の方向と一致す
る方向に施されている。このラビング方向R1は、液晶層
３の電界印加時における倒れる方向を規定する。液晶層
３には、誘電異方性が負のネマティック液晶を用いる。
図２（ｂ）は、以上のように構成された第２実施例に
おける反射型表示時の反射率Ｒの駆動電圧特性と、透過
型表示時の透過率Ｔの駆動電圧特性とを示す。この場
合、電界無印加時の表示状態は暗（黒）である。即ち、
ノーマリーブラックモードにより当該液晶装置は駆動さ
れる。このように駆動すれば、液晶が駆動されない反射
電極７の間隙7aからの光漏れや不要な反射光を抑えるこ
とができるので、ブラックマトリクス層5aを形成する必
要がなくなる。
おける反射型表示時の反射率Ｒの駆動電圧特性と、透過
型表示時の透過率Ｔの駆動電圧特性とを示す。この場
合、電界無印加時の表示状態は暗（黒）である。即ち、
ノーマリーブラックモードにより当該液晶装置は駆動さ
れる。このように駆動すれば、液晶が駆動されない反射
電極７の間隙7aからの光漏れや不要な反射光を抑えるこ
とができるので、ブラックマトリクス層5aを形成する必
要がなくなる。
次に以上のように構成された第２実施例の動作につい
て説明する。
て説明する。
先ず、反射型表示について説明する。外光は図１にお
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極７によって反射
され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶層
３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）及
び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御す
る。
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極７によって反射
され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶層
３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）及
び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御す
る。
次に、透過型表示について説明する。バックライト15
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
（円偏光、楕円偏光又は直線偏光）となり、反射電極７
の開口部7bより液晶層３に導入され、液晶層３を通過
後、カラーフィルタ５、位相差板13をそれぞれ透過す
る。このとき、液晶層３への印加電圧に応じて、偏光板
11の透過（明状態）と吸収（暗状態）、及びその中間の
明るさを制御することができる。
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
（円偏光、楕円偏光又は直線偏光）となり、反射電極７
の開口部7bより液晶層３に導入され、液晶層３を通過
後、カラーフィルタ５、位相差板13をそれぞれ透過す
る。このとき、液晶層３への印加電圧に応じて、偏光板
11の透過（明状態）と吸収（暗状態）、及びその中間の
明るさを制御することができる。
上述したような本実施例の構成によれば、二重映りや
表示のにじみのない反射型表示と透過型表示とを切り換
えて表示することのできるカラー液晶装置が実現でき
る。
表示のにじみのない反射型表示と透過型表示とを切り換
えて表示することのできるカラー液晶装置が実現でき
る。
（第３実施例） 本発明に係る液晶装置の第３実施例を図３を参照して
説明する。図３は、第３実施例において透明基板２の内
面上に形成された構造を示す拡大断面図である。
説明する。図３は、第３実施例において透明基板２の内
面上に形成された構造を示す拡大断面図である。
図３に示すように、第３実施例は、第１実施例と比べ
て反射電極７に代えて反射電極17を備えており、その他
の構成については、第１実施例と同様である。尚、第３
実施例は基本的に単純マトリクス型の液晶表示装置に関
するものであるが、同様の構成によりアクティブマトリ
クス型の装置や他のセグメント型の装置、その他の液晶
装置にも適用することは可能である。
て反射電極７に代えて反射電極17を備えており、その他
の構成については、第１実施例と同様である。尚、第３
実施例は基本的に単純マトリクス型の液晶表示装置に関
するものであるが、同様の構成によりアクティブマトリ
クス型の装置や他のセグメント型の装置、その他の液晶
装置にも適用することは可能である。
即ち、第３実施例では、反射電極17は、例えば、高低
差が約0.8μｍの凹凸を有する。従って、反射電極17の
鏡面感を凹凸によってなくし、散乱面（白色面）に見せ
ることができる。また、凹凸による散乱によって、広視
野角の表示が可能となる。
差が約0.8μｍの凹凸を有する。従って、反射電極17の
鏡面感を凹凸によってなくし、散乱面（白色面）に見せ
ることができる。また、凹凸による散乱によって、広視
野角の表示が可能となる。
次に、反射電極17の製造方法について説明する。
反射電極17は、図１に示す透明基板２の内面上に感光
性レジストをスピンコートなどにより塗布し、微細な開
口部を有するマスクを介して調整された光量にて露光す
る。その後、必要に応じて感光性レジストの焼成を行
い、現像する。現像によってマスクの開口部に対応した
部分が部分的に除去され、図示のような波形の断面形状
を備えた支持層16が形成される。ここで、上記フォトリ
ソグラフィ工程によってマスクの開口部に対応する部分
のみを除去したり、マスクの開口部に対応した部分のみ
を残したりし、その後、エッチングや加熱などによって
凹凸形状を滑らかにして図示の支持層16のような波形の
断面形状を形成してもよく、また、一旦形成した上記支
持層の表面状にさらに別の層を積層して表面をより滑ら
かに形成してもよい。
性レジストをスピンコートなどにより塗布し、微細な開
口部を有するマスクを介して調整された光量にて露光す
る。その後、必要に応じて感光性レジストの焼成を行
い、現像する。現像によってマスクの開口部に対応した
部分が部分的に除去され、図示のような波形の断面形状
を備えた支持層16が形成される。ここで、上記フォトリ
ソグラフィ工程によってマスクの開口部に対応する部分
のみを除去したり、マスクの開口部に対応した部分のみ
を残したりし、その後、エッチングや加熱などによって
凹凸形状を滑らかにして図示の支持層16のような波形の
断面形状を形成してもよく、また、一旦形成した上記支
持層の表面状にさらに別の層を積層して表面をより滑ら
かに形成してもよい。
次に、支持層16の表面上に金属を蒸着、スパッタリン
グなどによって薄膜状に被着して反射面を備えた反射電
極17を形成する。金属としては、Al、CrAg、Auなどが用
いられる。反射電極17は、支持層16の表面の波形凹凸に
従った形状を反映して形成されるため、表面が全体的に
粗面化されている。その後、必要に応じて透明樹脂から
なる平坦化膜18を被着し、さらにその上に配向膜19を積
層する。
グなどによって薄膜状に被着して反射面を備えた反射電
極17を形成する。金属としては、Al、CrAg、Auなどが用
いられる。反射電極17は、支持層16の表面の波形凹凸に
従った形状を反映して形成されるため、表面が全体的に
粗面化されている。その後、必要に応じて透明樹脂から
なる平坦化膜18を被着し、さらにその上に配向膜19を積
層する。
上述のような反射電極17を備えていることにより、反
射型表示を行う場合において、直接反射により外光の映
り込みが発生することを防止することができるので、表
示の明るさを減ずることなく視認性を向上させることが
できる。
射型表示を行う場合において、直接反射により外光の映
り込みが発生することを防止することができるので、表
示の明るさを減ずることなく視認性を向上させることが
できる。
なお、この場合に、反射電極17と同形状の反射層を形
成した上にさらに透明電極を形成してもよい。このよう
に、反射電極を反射層と透明電極層との積層体から構成
して、外光を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆
動電圧を印加する機能を透明電極層に持たせれば、凹凸
を有する反射電極を構成する半透過反射層が得られる。
成した上にさらに透明電極を形成してもよい。このよう
に、反射電極を反射層と透明電極層との積層体から構成
して、外光を反射する機能を反射層に持たせ且つ液晶駆
動電圧を印加する機能を透明電極層に持たせれば、凹凸
を有する反射電極を構成する半透過反射層が得られる。
（第４実施例） 本発明に係る液晶装置の第４実施例を図４を参照して
説明する。図４は、本発明の第４実施例の構造を示す概
略縦断面図である。図４中、図1aに示した第１実施例と
同じ構成要素については同じ参照符号を付し、その説明
は省略する。
説明する。図４は、本発明の第４実施例の構造を示す概
略縦断面図である。図４中、図1aに示した第１実施例と
同じ構成要素については同じ参照符号を付し、その説明
は省略する。
図４に示すように、第４実施例では、第１実施例と同
様の構成に加えて、位相差板13と透明基板１との間に透
過型の光拡散板21を配置したものである。光拡散板21と
しては、アクリル樹脂などの透明基体中に屈折率の異な
る透明な粒子を分散させた内部拡散形のものや、透明基
体の表面上を粗面化（マット化）した表面拡散形のもの
を用いることができる。その他の構成については、第１
実施例と同様である。
様の構成に加えて、位相差板13と透明基板１との間に透
過型の光拡散板21を配置したものである。光拡散板21と
しては、アクリル樹脂などの透明基体中に屈折率の異な
る透明な粒子を分散させた内部拡散形のものや、透明基
体の表面上を粗面化（マット化）した表面拡散形のもの
を用いることができる。その他の構成については、第１
実施例と同様である。
光拡散板21によっても、反射型表示を行う場合に、反
射電極７の直接反射による外光の映り込みを防止し、視
認性を向上させることができる。なお、光拡散板21は、
反射層よりも前方に配置されていれば、図４に示す配置
に限らず用いることができ、反射電極や反射層の表面上
に光拡散層として形成されていてもよい。
射電極７の直接反射による外光の映り込みを防止し、視
認性を向上させることができる。なお、光拡散板21は、
反射層よりも前方に配置されていれば、図４に示す配置
に限らず用いることができ、反射電極や反射層の表面上
に光拡散層として形成されていてもよい。
（第５実施例） 本発明に係る液晶装置の第５実施例を図5a及び図5bを
参照して説明する。図5aは、本発明の第５実施例の構造
を示す概略縦断面図であり、図5bは、図5aに示した第５
実施例の概略平面図である。図5bでは、電極配置を見易
くするために図5aに示したカラーフィルタ及びブラック
マトリクス層を省略しており、また、説明の便宜上スト
ライプ状の電極についても縦横３本ずつのみ示してある
が、実際の液晶装置では遥かに多い数のストライプ状の
電極が設けらる。図5a及び図5b中、図1a及び1bに示した
第１実施例と同じ構成要素については同じ参照符号を付
し、その説明は省略する。尚、第５実施例は基本的に単
純マトリクス型の液晶表示装置に関するものであるが、
同様の構成によりアクティブマトリクス型の装置や他の
セグメント型の装置、その他の液晶装置にも適用するこ
とは可能である。
参照して説明する。図5aは、本発明の第５実施例の構造
を示す概略縦断面図であり、図5bは、図5aに示した第５
実施例の概略平面図である。図5bでは、電極配置を見易
くするために図5aに示したカラーフィルタ及びブラック
マトリクス層を省略しており、また、説明の便宜上スト
ライプ状の電極についても縦横３本ずつのみ示してある
が、実際の液晶装置では遥かに多い数のストライプ状の
電極が設けらる。図5a及び図5b中、図1a及び1bに示した
第１実施例と同じ構成要素については同じ参照符号を付
し、その説明は省略する。尚、第５実施例は基本的に単
純マトリクス型の液晶表示装置に関するものであるが、
同様の構成によりアクティブマトリクス型の装置や他の
セグメント型の装置、その他の液晶装置にも適用するこ
とは可能である。
図5a及び図5bに示すように、第５実施例では、第１実
施例と比べて、反射電極７の代わりに、微細な細孔17'a
を多数形成した反射電極17'を設けた点が異なり、その
他の構成については同様である。微細な細孔17'aによっ
て、透過型表示を行う際にバックライト15からの光が反
射電極17'を透過し、液晶表示を視認可能としている。
細孔17'aは、反射電極17'を蒸着やスパッタリングなど
により被着してから、開口部を備えたレジスト層をフォ
トリソグラフィにより形成してエッチングするなどの方
法により形成できる。
施例と比べて、反射電極７の代わりに、微細な細孔17'a
を多数形成した反射電極17'を設けた点が異なり、その
他の構成については同様である。微細な細孔17'aによっ
て、透過型表示を行う際にバックライト15からの光が反
射電極17'を透過し、液晶表示を視認可能としている。
細孔17'aは、反射電極17'を蒸着やスパッタリングなど
により被着してから、開口部を備えたレジスト層をフォ
トリソグラフィにより形成してエッチングするなどの方
法により形成できる。
第５実施例では、細孔17'aによって透過型表示を行う
際に表示を明るくすることができるとともに、第３実施
例と同様に反射型表示を行う際に外光の映り込みを防止
できる。
際に表示を明るくすることができるとともに、第３実施
例と同様に反射型表示を行う際に外光の映り込みを防止
できる。
（第６実施例） 本発明に係る液晶装置の第６実施例を図６から図12を
参照して説明する。第６実施例の基本構成は、第１実施
例と同様であり、第６実施例は、第１実施例における反
射電極７に係る構成を具体的に限定した実施例である。
図６から図12は夫々、各種のスリットが開口された反射
電極を示す平面図である。尚、第６実施例は基本的に単
純マトリクス型の液晶表示装置に関するものであるが、
同様の構成によりアクティブマトリクス型の装置や他の
セグメント型の装置、その他の液晶装置にも適用するこ
とは可能である。
参照して説明する。第６実施例の基本構成は、第１実施
例と同様であり、第６実施例は、第１実施例における反
射電極７に係る構成を具体的に限定した実施例である。
図６から図12は夫々、各種のスリットが開口された反射
電極を示す平面図である。尚、第６実施例は基本的に単
純マトリクス型の液晶表示装置に関するものであるが、
同様の構成によりアクティブマトリクス型の装置や他の
セグメント型の装置、その他の液晶装置にも適用するこ
とは可能である。
図６において、第６実施例では特に、透明基板１（図
１参照）の内面には透明電極６の一例である走査線とし
ての透明電極801が複数本ストライプ状に形成されてい
る。透明基板２（図１参照）の内面上には反射電極７の
一例であるデータ線としての反射電極802が形成されて
いる。反射電極（データ線）802には、開口部7bの一例
であるスリット803が設けられている。Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）及びＢ（青）用に割り当てられた反射電極802が
夫々、１本の透明電極801と重なる領域により１ドット
が構成され、相隣接するRGBの３ドットでほぼ正方形の
１画素が構成される。各反射電極802には、各ドット毎
に、４本のスリット803が開口されている。
１参照）の内面には透明電極６の一例である走査線とし
ての透明電極801が複数本ストライプ状に形成されてい
る。透明基板２（図１参照）の内面上には反射電極７の
一例であるデータ線としての反射電極802が形成されて
いる。反射電極（データ線）802には、開口部7bの一例
であるスリット803が設けられている。Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）及びＢ（青）用に割り当てられた反射電極802が
夫々、１本の透明電極801と重なる領域により１ドット
が構成され、相隣接するRGBの３ドットでほぼ正方形の
１画素が構成される。各反射電極802には、各ドット毎
に、４本のスリット803が開口されている。
第６実施例では特に、反射電極802には、長方形のス
リット803が開口されているので、スリット803の短辺80
3aによる（基板内成分がスリット803の長手方向に平行
な）斜め電界は、スリット803の長辺803bの長さに応じ
て弱められる。即ち、スリット803の長辺803bによる
（基板内成分がスリット803の長手方向に直交する）斜
め電界により、スリット付近における液晶分子の動きは
支配される。このため、スリット803の短辺803aによる
斜め電界が、長辺803bによる斜め電界と一致していない
ことによる液晶の配向不良を低減でき、全体として、ス
リット803による斜め電界に起因した液晶の配向不良を
低減可能となり、更に進んで長辺803bによる斜め電界を
液晶駆動用に積極利用することも可能となる。
リット803が開口されているので、スリット803の短辺80
3aによる（基板内成分がスリット803の長手方向に平行
な）斜め電界は、スリット803の長辺803bの長さに応じ
て弱められる。即ち、スリット803の長辺803bによる
（基板内成分がスリット803の長手方向に直交する）斜
め電界により、スリット付近における液晶分子の動きは
支配される。このため、スリット803の短辺803aによる
斜め電界が、長辺803bによる斜め電界と一致していない
ことによる液晶の配向不良を低減でき、全体として、ス
リット803による斜め電界に起因した液晶の配向不良を
低減可能となり、更に進んで長辺803bによる斜め電界を
液晶駆動用に積極利用することも可能となる。
この結果、第６実施例によれば、表示欠陥を低減可能
となり、同時に液晶駆動時のしきい値電圧を下げること
により液晶装置の低消費電力化を図ることも可能とな
る。特に、スリット803の短辺803aによる斜め電界を考
慮すること無く、スリット803の長辺803bによる斜め電
界に対してのみ斜め電界に対する対策を施せば全体とし
て斜め電界に起因した液晶の配向不良を更に低減でき、
或いは、スリット803の長辺803bによる斜め電界の積極
利用を図れば全体としてスリット803に起因する斜め電
界の効率的な積極利用を図ることもできる。
となり、同時に液晶駆動時のしきい値電圧を下げること
により液晶装置の低消費電力化を図ることも可能とな
る。特に、スリット803の短辺803aによる斜め電界を考
慮すること無く、スリット803の長辺803bによる斜め電
界に対してのみ斜め電界に対する対策を施せば全体とし
て斜め電界に起因した液晶の配向不良を更に低減でき、
或いは、スリット803の長辺803bによる斜め電界の積極
利用を図れば全体としてスリット803に起因する斜め電
界の効率的な積極利用を図ることもできる。
このような長方形のスリット803は、レジストを用い
たフォト工程／現像工程／剥離工程で容易に作製するこ
とができる。即ち、反射電極802を形成するときに同時
にスリット803を形成できる。スリット803の幅は、0.01
μｍ以上20μｍ以下であることが好ましく、特に４μｍ
以下であることが好ましい。このようにすることで、人
間が認識することが困難であり、スリット803を設けた
ことで生じる表示品質の劣化を抑えつつ、反射型表示と
透過型表示を同時に実現できる。また、スリット803は
反射電極802に対して、５％以上30％以下の面積比で形
成することが好ましい。このようにすることで、反射型
表示の明るさの低下を抑えることができと共に、反射電
極802のスリット803を介して液晶層に導入される光によ
って透過型表示が実現できる。
たフォト工程／現像工程／剥離工程で容易に作製するこ
とができる。即ち、反射電極802を形成するときに同時
にスリット803を形成できる。スリット803の幅は、0.01
μｍ以上20μｍ以下であることが好ましく、特に４μｍ
以下であることが好ましい。このようにすることで、人
間が認識することが困難であり、スリット803を設けた
ことで生じる表示品質の劣化を抑えつつ、反射型表示と
透過型表示を同時に実現できる。また、スリット803は
反射電極802に対して、５％以上30％以下の面積比で形
成することが好ましい。このようにすることで、反射型
表示の明るさの低下を抑えることができと共に、反射電
極802のスリット803を介して液晶層に導入される光によ
って透過型表示が実現できる。
第６実施例では特に、反射電極802は、所定間隙でラ
イン状に複数形成されており、スリット803は、反射電
極802の長手方向（即ち、図６中で縦方向）に伸びる。
従って、スリット803に起因した斜め電界に対処すれ
ば、同時に反射電極802の間隙802bに起因した斜め電界
にも対処できる。更に、反射電極802の形成時に容易に
スリット803を形成できると共にこの時に必要となるフ
ォトマスクの設計も簡単になる。より具体的には、スリ
ット803を設ける工程は、特別に設定するのではなく、
反射電極802を形成するフォトマスクにスリット803のパ
ターンも入れておくようにすれば良い。
イン状に複数形成されており、スリット803は、反射電
極802の長手方向（即ち、図６中で縦方向）に伸びる。
従って、スリット803に起因した斜め電界に対処すれ
ば、同時に反射電極802の間隙802bに起因した斜め電界
にも対処できる。更に、反射電極802の形成時に容易に
スリット803を形成できると共にこの時に必要となるフ
ォトマスクの設計も簡単になる。より具体的には、スリ
ット803を設ける工程は、特別に設定するのではなく、
反射電極802を形成するフォトマスクにスリット803のパ
ターンも入れておくようにすれば良い。
更に第６実施例では、スリット803は、透明電極801の
間隙801bに対向する位置まで伸びている。従って、比較
的離れて対向配置されたスリット803の短辺803aを規定
する反射電極802の縁部は、透明電極801の間隙801bに位
置する、即ち透明電極801と反射電極802との間で電圧が
印加される領域から外れて位置するので、液晶の配向不
良の原因となるスリット803の短辺803aによる斜め電界
による影響を極めて顕著に低減できる。
間隙801bに対向する位置まで伸びている。従って、比較
的離れて対向配置されたスリット803の短辺803aを規定
する反射電極802の縁部は、透明電極801の間隙801bに位
置する、即ち透明電極801と反射電極802との間で電圧が
印加される領域から外れて位置するので、液晶の配向不
良の原因となるスリット803の短辺803aによる斜め電界
による影響を極めて顕著に低減できる。
この観点からは、第６実施例の変形例として、図７に
示すように、スリット803は、複数画素に跨って伸びて
よく、更に画像表示領域外まで伸びてもよい。このよう
に構成すれば、比較的離れて対向配置されたスリット80
3の短辺803a（図７には示されていない）を規定する反
射電極802の縁部は、各画素毎に存在しないので或いは
画像表示領域内に存在しないので、液晶の配向不良の原
因となるスリット803の短辺803aによる斜め電界による
影響を極めて顕著に低減できる。
示すように、スリット803は、複数画素に跨って伸びて
よく、更に画像表示領域外まで伸びてもよい。このよう
に構成すれば、比較的離れて対向配置されたスリット80
3の短辺803a（図７には示されていない）を規定する反
射電極802の縁部は、各画素毎に存在しないので或いは
画像表示領域内に存在しないので、液晶の配向不良の原
因となるスリット803の短辺803aによる斜め電界による
影響を極めて顕著に低減できる。
尚、第６実施例における長方形のスリット803の変形
例としては、例えば、図８に示すような各ドット毎に２
つのスリット803、図９に示すような長手方向が反射電
極702に直角（即ち、透明電極701に平行）である各ドッ
ト毎に２つのスリット703、図10に示すような長手方向
が反射電極902に斜め（即ち、透明電極901に斜め）であ
る各ドット毎に１つのスリット903、図11に示すような
長手方向が反射電極1002に平行及び直交（即ち、透明電
極1001に直交及び平行）である複数の長方形のスリット
が連結されてなるスリット1003などが考えられる。
例としては、例えば、図８に示すような各ドット毎に２
つのスリット803、図９に示すような長手方向が反射電
極702に直角（即ち、透明電極701に平行）である各ドッ
ト毎に２つのスリット703、図10に示すような長手方向
が反射電極902に斜め（即ち、透明電極901に斜め）であ
る各ドット毎に１つのスリット903、図11に示すような
長手方向が反射電極1002に平行及び直交（即ち、透明電
極1001に直交及び平行）である複数の長方形のスリット
が連結されてなるスリット1003などが考えられる。
更に、第６実施例では、図12に示すように、反射電極
1201に開口するスリット1202の幅と反射電極1201の間隙
（ドット間領域）1203とは略等しくなるように構成して
もよい。即ち、間隙1203の幅をL1とし、スリット1202の
幅をL2としたとき、概ねL1＝L2とすれば、フォトマスク
の設計精度を高める必要がなく、設計を容易にすること
ができた。また、スリット1202を設けることによるコス
トアップが殆どない。
1201に開口するスリット1202の幅と反射電極1201の間隙
（ドット間領域）1203とは略等しくなるように構成して
もよい。即ち、間隙1203の幅をL1とし、スリット1202の
幅をL2としたとき、概ねL1＝L2とすれば、フォトマスク
の設計精度を高める必要がなく、設計を容易にすること
ができた。また、スリット1202を設けることによるコス
トアップが殆どない。
また、第６実施例においても、第２から第４実施例の
ように、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱
板を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノ
ーマリーブラックモードで駆動する場合には、ブラック
マトリクス層5aを設けなくてもよい。
ように、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱
板を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノ
ーマリーブラックモードで駆動する場合には、ブラック
マトリクス層5aを設けなくてもよい。
（第７実施例） 本発明に係る液晶装置の第７実施例を図13及び図６か
ら図10を参照して説明する。
ら図10を参照して説明する。
第７実施例では、第６の実施例と同様の液晶装置にお
いて、２枚の透明基板間に挟持された液晶層の中央部の
液晶分子の配向方向に注目する。
いて、２枚の透明基板間に挟持された液晶層の中央部の
液晶分子の配向方向に注目する。
先ず、図13は基板間中央部の液晶の配向方向を説明す
るための概略縦断面図である。２枚の基板501、502間に
液晶503が所定のツイスト配向をしている。この時、概
ね基板間中央部に位置する液晶分子504の分子長軸方向
を配向方向505と定義する。
るための概略縦断面図である。２枚の基板501、502間に
液晶503が所定のツイスト配向をしている。この時、概
ね基板間中央部に位置する液晶分子504の分子長軸方向
を配向方向505と定義する。
第７実施例では、前述した図６において、長方形のス
リット803上の液晶は、反射電極（データ線）802と透明
電極（走査線）801に電位差が生じると、斜め電界が発
生し、この斜め電界によってスリット803上の液晶を駆
動させ、透過型表示を可能にする。ここで、図６中に示
すように反射電極802のスリット803の長手方向（図６中
のｙ方向）と上述した基板間中央部の液晶分子の配向方
向804とがなす角度をξと定義する。−90゜≦ξ＜−60
゜と60゜＜ξ≦90゜の範囲では、リバースティルトドメ
インによる表示欠陥（ディスクリネーション）が発生し
てしまい、明るく高画質な透過型表示を得ることができ
ない。この原因としては、基板間中央部の液晶分子の配
向方向と反射電極の長手方向がほぼ直交してしまうの
で、ティルトドメインが現れるためである。また、これ
らの範囲では表示欠陥が発生するために液晶駆動時のし
きい値電圧が上がってしまう。−60゜≦ξ≦60゜の範囲
では、リバースティルトドメインによるディスクリネー
ションなどの表示欠陥をなくすことが可能となり、明る
く高画質な透過型表示を得ることができる。さらに、表
示欠陥が発生しにくいので、液晶駆動時のしきい値電圧
を下げることができ、液晶装置の低消費電力化が図れ
る。特に、−30゜≦ξ≦30゜の範囲で、上述した効果が
最大限に発揮される。
リット803上の液晶は、反射電極（データ線）802と透明
電極（走査線）801に電位差が生じると、斜め電界が発
生し、この斜め電界によってスリット803上の液晶を駆
動させ、透過型表示を可能にする。ここで、図６中に示
すように反射電極802のスリット803の長手方向（図６中
のｙ方向）と上述した基板間中央部の液晶分子の配向方
向804とがなす角度をξと定義する。−90゜≦ξ＜−60
゜と60゜＜ξ≦90゜の範囲では、リバースティルトドメ
インによる表示欠陥（ディスクリネーション）が発生し
てしまい、明るく高画質な透過型表示を得ることができ
ない。この原因としては、基板間中央部の液晶分子の配
向方向と反射電極の長手方向がほぼ直交してしまうの
で、ティルトドメインが現れるためである。また、これ
らの範囲では表示欠陥が発生するために液晶駆動時のし
きい値電圧が上がってしまう。−60゜≦ξ≦60゜の範囲
では、リバースティルトドメインによるディスクリネー
ションなどの表示欠陥をなくすことが可能となり、明る
く高画質な透過型表示を得ることができる。さらに、表
示欠陥が発生しにくいので、液晶駆動時のしきい値電圧
を下げることができ、液晶装置の低消費電力化が図れ
る。特に、−30゜≦ξ≦30゜の範囲で、上述した効果が
最大限に発揮される。
また、図７及び図８に第６実施例の変形例として示し
た長方形のスリット803の場合にも、図６の場合と同様
に、その長手方向が反射電極802と平行であり、同様
に、−60゜≦ξ≦60゜の範囲では、明るく高画質な透過
型表示を得ることができる。特に、−30゜≦ξ≦30゜の
範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
た長方形のスリット803の場合にも、図６の場合と同様
に、その長手方向が反射電極802と平行であり、同様
に、−60゜≦ξ≦60゜の範囲では、明るく高画質な透過
型表示を得ることができる。特に、−30゜≦ξ≦30゜の
範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
更に図９及び図10に第６実施例の変形例として夫々示
したスリット703及び903の場合にも、同様に、反射電極
702のスリット703の長手方向（図でＸ方向）と上述した
基板間中央部の液晶分子の配向方向704とがなす角度を
ξと定義し、反射電極902のスリット903の長手方向904
と上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向905とが
なす角度をξと定義したとき、角度ξは夫々、−60゜以
上60゜以下が好ましい範囲であり、特に、−30゜≦ξ≦
30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
したスリット703及び903の場合にも、同様に、反射電極
702のスリット703の長手方向（図でＸ方向）と上述した
基板間中央部の液晶分子の配向方向704とがなす角度を
ξと定義し、反射電極902のスリット903の長手方向904
と上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向905とが
なす角度をξと定義したとき、角度ξは夫々、−60゜以
上60゜以下が好ましい範囲であり、特に、−30゜≦ξ≦
30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
以上第７実施例で述べてきた本発明の効果は、図13に
おける基板502近傍の液晶分子配向方向506を規定するこ
とで、さらに効果を確実にすることができる。具体的に
は、図６における下側基板近傍の液晶分子配向方向805
とスリット703の長手方向（図６中のＹ方向）とのなす
角度をδと定義したとき、−30゜≦δ≦30゜が望ましい
範囲である。この理由としては、−30゜≦δ≦30゜以外
の範囲では、基板界面における液晶分子が斜め電界の影
響 で逆ティルトしてしまい、表示欠陥が生じるからであ
る。角度δを−30゜以上30゜以下に限定することによっ
て、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることができ、液
晶装置の低消費電力化を図れる。特に、−10゜≦δ≦10
゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
おける基板502近傍の液晶分子配向方向506を規定するこ
とで、さらに効果を確実にすることができる。具体的に
は、図６における下側基板近傍の液晶分子配向方向805
とスリット703の長手方向（図６中のＹ方向）とのなす
角度をδと定義したとき、−30゜≦δ≦30゜が望ましい
範囲である。この理由としては、−30゜≦δ≦30゜以外
の範囲では、基板界面における液晶分子が斜め電界の影
響 で逆ティルトしてしまい、表示欠陥が生じるからであ
る。角度δを−30゜以上30゜以下に限定することによっ
て、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることができ、液
晶装置の低消費電力化を図れる。特に、−10゜≦δ≦10
゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
同様に図７から図10に示した変形例においても、下側
基板近傍の液晶分子配向方向とスリットの長手方向との
なす角度をδと定義したとき、角度δを−30゜以上30゜
以下に限定することによって、液晶駆動時のしきい値電
圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図れ
る。この場合にも、特に、−10゜≦δ≦10゜の範囲で、
上述した効果が最大限に発揮される。
基板近傍の液晶分子配向方向とスリットの長手方向との
なす角度をδと定義したとき、角度δを−30゜以上30゜
以下に限定することによって、液晶駆動時のしきい値電
圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図れ
る。この場合にも、特に、−10゜≦δ≦10゜の範囲で、
上述した効果が最大限に発揮される。
尚、第６実施例においても、第２から第４実施例のよ
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
（第８実施例） 本発明に係る液晶装置の第８実施例を図14から図18を
参照して説明する。図14は、本発明の第８実施例の構造
を示す概略縦断面図である。図14中、図1aに示した第１
実施例と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、
その説明は省略する。また、図15から図17は、反射電極
の具体的な構成例を示す平面図であり、図18は、反射電
極の変形例を示す平面図である。
参照して説明する。図14は、本発明の第８実施例の構造
を示す概略縦断面図である。図14中、図1aに示した第１
実施例と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、
その説明は省略する。また、図15から図17は、反射電極
の具体的な構成例を示す平面図であり、図18は、反射電
極の変形例を示す平面図である。
図14に示すように、第８実施例では、第１実施例と比
べて反射電極107は、透明電極６よりも一回り小さく構
成されている。また、TFD素子やTFT素子を備えたアクテ
ィブマトリクス型の装置である場合には、反射電極114
は矩形状に形成され、アクティブ素子を介して配線に接
続される。その他の構成については第１実施例と同様で
ある。
べて反射電極107は、透明電極６よりも一回り小さく構
成されている。また、TFD素子やTFT素子を備えたアクテ
ィブマトリクス型の装置である場合には、反射電極114
は矩形状に形成され、アクティブ素子を介して配線に接
続される。その他の構成については第１実施例と同様で
ある。
即ち第８実施例では、透明基板１内面の透明電極６よ
りも透明基板２内面の反射電極107を小さい面積で形成
して、両電極間に生じる斜め電界を用いて反射電極107
が形成されていない（従って、バックライト15からの光
が透過可能な）間隙部分107bに対向する液晶層３部分を
駆動するように構成されている。
りも透明基板２内面の反射電極107を小さい面積で形成
して、両電極間に生じる斜め電界を用いて反射電極107
が形成されていない（従って、バックライト15からの光
が透過可能な）間隙部分107bに対向する液晶層３部分を
駆動するように構成されている。
次に以上のように構成された第８実施例の動作につい
て説明する。
て説明する。
先ず、反射型表示について説明する。外光は図14にお
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極107によって反
射され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶
層３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）
及び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御
する。
ける偏光板11、位相差板13、カラーフィルタ５をそれぞ
れ透過し、液晶層３を通過後、反射電極107によって反
射され、再び偏光板11から出射される。このとき、液晶
層３への印加電圧に応じて、偏光板11の透過（明状態）
及び吸収（暗状態）並びにそれらの中間の明るさを制御
する。
次に、透過型表示について説明する。バックライト15
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
となり、反射電極107が形成されていない間隙部分107b
から液晶層３に導入され、液晶層３を通過後、カラーフ
ィルタ５、位相差板13をそれぞれ透過する。このとき、
液晶層３に導入された光は、大きさが異なる反射電極10
7と透明電極６とによる斜め電界で液晶層３が駆動さ
れ、この結果、液晶層３への印加電圧に応じて、偏光板
11の透過（明状態）及び吸収（暗状態）並びにそれらの
中間の明るさを制御する。
からの光は偏光板12及び位相差板14によって所定の偏光
となり、反射電極107が形成されていない間隙部分107b
から液晶層３に導入され、液晶層３を通過後、カラーフ
ィルタ５、位相差板13をそれぞれ透過する。このとき、
液晶層３に導入された光は、大きさが異なる反射電極10
7と透明電極６とによる斜め電界で液晶層３が駆動さ
れ、この結果、液晶層３への印加電圧に応じて、偏光板
11の透過（明状態）及び吸収（暗状態）並びにそれらの
中間の明るさを制御する。
上述した本実施例によれば、二重映りや表示のにじみ
のない反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示する
ことのできるカラー液晶装置が実現できる。
のない反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示する
ことのできるカラー液晶装置が実現できる。
第８実施例において、このように斜め電界を生じさせ
る透明電極６と反射電極107の具体的な構成例を、図15
から図17に示す。
る透明電極６と反射電極107の具体的な構成例を、図15
から図17に示す。
先ず、図15は、TFDアクティブマトリクス液晶装置に
本発明を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上
には走査線202が形成され、さらに各ドットに対応してT
FD素子203及び反射電極204が形成されている。上側基板
内面にはデータ線としての透明電極201が形成されてい
る。特に、透明電極201は、各画素において、反射電極2
04よりも面積が大きく、反射電極204が形成されていな
い対向領域にも形成されている。従って液晶駆動電圧の
印加時には、反射電極204と透明電極201の電位差により
反射電極204が形成されていない間隙部分205（反射電極
204のエッジ部分）に斜め電界が生じる。この斜め電界
によって反射電極204近傍の液晶を駆動させ、透過型表
示が可能となる。
本発明を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上
には走査線202が形成され、さらに各ドットに対応してT
FD素子203及び反射電極204が形成されている。上側基板
内面にはデータ線としての透明電極201が形成されてい
る。特に、透明電極201は、各画素において、反射電極2
04よりも面積が大きく、反射電極204が形成されていな
い対向領域にも形成されている。従って液晶駆動電圧の
印加時には、反射電極204と透明電極201の電位差により
反射電極204が形成されていない間隙部分205（反射電極
204のエッジ部分）に斜め電界が生じる。この斜め電界
によって反射電極204近傍の液晶を駆動させ、透過型表
示が可能となる。
図16は、単純（パッシブ）マトリクス型液晶装置に本
発明を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上に
はデータ線としての反射電極302が形成されている。上
側電極内面には走査線としての透明電極301が複数本ス
トライプ状に形成されている。反射電極302の間隙であ
って且つ上側基板に透明電極（走査線）301が形成され
た間隙部分303では、反射電極302と透明電極301に電位
差が生じると、斜め電界が発生し、この斜め電界によっ
て間隙部分303に対向する液晶を駆動させ、透過型表示
が可能となる。
発明を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上に
はデータ線としての反射電極302が形成されている。上
側電極内面には走査線としての透明電極301が複数本ス
トライプ状に形成されている。反射電極302の間隙であ
って且つ上側基板に透明電極（走査線）301が形成され
た間隙部分303では、反射電極302と透明電極301に電位
差が生じると、斜め電界が発生し、この斜め電界によっ
て間隙部分303に対向する液晶を駆動させ、透過型表示
が可能となる。
図17は、TFTアクティブマトリクス液晶装置に本発明
を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上にはゲ
ート線403及び信号線402が形成され、さらに各ドットに
対応してTFT素子404及び反射電極405が形成されてい
る。上側基板内面には共通電極（対向電極）としての透
明電極401が形成され、透明電極401は、各画素について
反射電極405よりも面積が大きく、反射電極405が形成さ
れていない対向領域にも形成されている。従って、反射
電極405と透明電極401の電位差により反射電極405が形
成されていない間隙部分406（反射電極405のエッジ部
分）に斜め電界が生じる。この斜め電界によって反射電
極405近傍の液晶を駆動させ、透過型表示が可能とな
る。
を適用したときの構成例を示す。下側基板内面上にはゲ
ート線403及び信号線402が形成され、さらに各ドットに
対応してTFT素子404及び反射電極405が形成されてい
る。上側基板内面には共通電極（対向電極）としての透
明電極401が形成され、透明電極401は、各画素について
反射電極405よりも面積が大きく、反射電極405が形成さ
れていない対向領域にも形成されている。従って、反射
電極405と透明電極401の電位差により反射電極405が形
成されていない間隙部分406（反射電極405のエッジ部
分）に斜め電界が生じる。この斜め電界によって反射電
極405近傍の液晶を駆動させ、透過型表示が可能とな
る。
また、第８実施例の変形例として、図18に示すよう
に、反射電極602に開口部603を設けて、開口部603と対
向する領域にも透明電極601を形成してもよい。このよ
うに構成しても、開口部603では、反射電極602と透明電
極601に電位差が生じると、斜め電界が発生し、この斜
め電界によって開口部603の液晶を駆動させ、透過型表
示が可能となる。
に、反射電極602に開口部603を設けて、開口部603と対
向する領域にも透明電極601を形成してもよい。このよ
うに構成しても、開口部603では、反射電極602と透明電
極601に電位差が生じると、斜め電界が発生し、この斜
め電界によって開口部603の液晶を駆動させ、透過型表
示が可能となる。
尚、第８実施例においても、第２から第４実施例のよ
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
（第９実施例） 本発明に係る液晶装置の第９実施例を図13から図17を
参照して説明する。
参照して説明する。
第９実施例では、図13に示した第８の実施例と同様の
液晶装置において、２枚の透明基板間に挟持された液晶
層の中央部の液晶分子の配向方向に注目する。
液晶装置において、２枚の透明基板間に挟持された液晶
層の中央部の液晶分子の配向方向に注目する。
第９実施例では、先ず図15の電極配置を採用する場合
には、図15中に示すように反射電極204の長手方向（図1
5中のＹ方向）と上述した基板間中央部の液晶分子の配
向方向206とがなす角度をφと定義する。−90゜≦φ＜
−60゜と60゜＜φ≦90゜の範囲では、リバースティルト
ドメインによる表示欠陥（ディスクリネーション）が発
生してしまい、明るく高画質な透過型表示を得ることが
できない。この原因としては、基板間中央部の液晶分子
の配向方向と反射電極の長手方向がほぼ直交してしまう
ので、ティルトドメインが現れるためである。また、こ
の範囲では表示欠陥が発生するために液晶駆動時のしき
い値電圧が上がってしまう。
には、図15中に示すように反射電極204の長手方向（図1
5中のＹ方向）と上述した基板間中央部の液晶分子の配
向方向206とがなす角度をφと定義する。−90゜≦φ＜
−60゜と60゜＜φ≦90゜の範囲では、リバースティルト
ドメインによる表示欠陥（ディスクリネーション）が発
生してしまい、明るく高画質な透過型表示を得ることが
できない。この原因としては、基板間中央部の液晶分子
の配向方向と反射電極の長手方向がほぼ直交してしまう
ので、ティルトドメインが現れるためである。また、こ
の範囲では表示欠陥が発生するために液晶駆動時のしき
い値電圧が上がってしまう。
ここで、図19の表に、上述のように定義した角度φを
変化させた場合の反射型表示にコントラスト（即ち、黒
表示時の反射率に対する白表示時の反射率の比率）及び
透過型表示にコントラスト（即ち、黒表示時の透過率に
対する白表示時の透過率の比率）を示す。この場合、液
晶モードは、255度の左ツイストとする。図19の表から
分かるように、反射型表示による高品位な画像表示に必
要とされるコントラスト10以上を得ると共に透過型表示
による高品位な画像表示に必要とされるコントラスト５
以上を得るためには−60゜≦φ≦60゜が条件となる。即
ち、−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティルトド
メインによるディスクリネーションなどの表示欠陥をな
くすことが可能となり、明るく高画質な透過型表示を得
ることができるのである。更に、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され、
極めて高コントラストで高品位の画像表示を行える。
変化させた場合の反射型表示にコントラスト（即ち、黒
表示時の反射率に対する白表示時の反射率の比率）及び
透過型表示にコントラスト（即ち、黒表示時の透過率に
対する白表示時の透過率の比率）を示す。この場合、液
晶モードは、255度の左ツイストとする。図19の表から
分かるように、反射型表示による高品位な画像表示に必
要とされるコントラスト10以上を得ると共に透過型表示
による高品位な画像表示に必要とされるコントラスト５
以上を得るためには−60゜≦φ≦60゜が条件となる。即
ち、−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティルトド
メインによるディスクリネーションなどの表示欠陥をな
くすことが可能となり、明るく高画質な透過型表示を得
ることができるのである。更に、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され、
極めて高コントラストで高品位の画像表示を行える。
また図16の電極配置を採用する場合には、図16中に示
すように反射電極302の長手方向（図16中のＹ方向）と
上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向304とがな
す角度をφと定義する。−90゜≦φ＜−60゜と60゜＜φ
≦90゜の範囲では、リバースティルトドメインによる表
示欠陥（ディスクリネーション）が発生してしまい、明
るく高画質な透過型表示を得ることができない。この原
因としては、基板間中央部の液晶分子の配向方向と反射
電極の長手方向がほぼ直交してしまうので、ティルトド
メインが現れるためである。また、この範囲では表示欠
陥が発生するために液晶駆動時のしきい値電圧が上がっ
てしまう。−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティ
ルトドメインによるディスクリネーションなどの表示欠
陥をなくすことが可能となり、明るく高画質な透過型表
示を得ることができる。さらに、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され
る。
すように反射電極302の長手方向（図16中のＹ方向）と
上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向304とがな
す角度をφと定義する。−90゜≦φ＜−60゜と60゜＜φ
≦90゜の範囲では、リバースティルトドメインによる表
示欠陥（ディスクリネーション）が発生してしまい、明
るく高画質な透過型表示を得ることができない。この原
因としては、基板間中央部の液晶分子の配向方向と反射
電極の長手方向がほぼ直交してしまうので、ティルトド
メインが現れるためである。また、この範囲では表示欠
陥が発生するために液晶駆動時のしきい値電圧が上がっ
てしまう。−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティ
ルトドメインによるディスクリネーションなどの表示欠
陥をなくすことが可能となり、明るく高画質な透過型表
示を得ることができる。さらに、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され
る。
更に図17の電極配置を採用する場合には、図17中に示
すように反射電極405の長手方向（図17中のＹ方向）と
上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向407とがな
す角度をφと定義する。−90゜≦φ＜−60゜と60゜＜φ
≦90゜の範囲では、リバースティルトドメインによる表
示欠陥（ディスクリネーション）が発生してしまい、明
るく高画質な透過型表示を得ることができない。この原
因としては、基板間中央部の液晶分子の配向方向と反射
電極の長手方向がほぼ直交してしまうので、ティルトド
メインが現れるためである。また、この範囲では表示欠
陥が発生するために液晶駆動時のしきい値電圧が上がっ
てしまう。−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティ
ルトドメインによるディスクリネーションなどの表示欠
陥をなくすことが可能となり、明るく高画質な透過型表
示を得ることができる。さらに、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され
る。
すように反射電極405の長手方向（図17中のＹ方向）と
上述した基板間中央部の液晶分子の配向方向407とがな
す角度をφと定義する。−90゜≦φ＜−60゜と60゜＜φ
≦90゜の範囲では、リバースティルトドメインによる表
示欠陥（ディスクリネーション）が発生してしまい、明
るく高画質な透過型表示を得ることができない。この原
因としては、基板間中央部の液晶分子の配向方向と反射
電極の長手方向がほぼ直交してしまうので、ティルトド
メインが現れるためである。また、この範囲では表示欠
陥が発生するために液晶駆動時のしきい値電圧が上がっ
てしまう。−60゜≦φ≦60゜の範囲では、リバースティ
ルトドメインによるディスクリネーションなどの表示欠
陥をなくすことが可能となり、明るく高画質な透過型表
示を得ることができる。さらに、表示欠陥が発生しにく
いので、液晶駆動時のしきい値電圧を下げることがで
き、液晶装置の低消費電力化が図れる。特に、−30゜≦
φ≦30゜の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され
る。
第９実施例で述べてきた本発明の効果は、図13におけ
る基板502近傍の液晶分子配向方向506を規定すること
で、さらに効果を確実にすることができる。具体的に
は、図15における下側基板（TFD基板）近傍の液晶分子
配向方向207と反射電極204の長手方向とのなす角度をΨ
と定義したとき、−30゜≦Ψ≦30゜が望ましい範囲であ
る。この理由としては、−30゜≦Ψ≦30゜以外の範囲で
は、基板界面における液晶分子が斜め電界の影響で逆テ
ィルトしてしまい、表示欠陥が生じるからである。
る基板502近傍の液晶分子配向方向506を規定すること
で、さらに効果を確実にすることができる。具体的に
は、図15における下側基板（TFD基板）近傍の液晶分子
配向方向207と反射電極204の長手方向とのなす角度をΨ
と定義したとき、−30゜≦Ψ≦30゜が望ましい範囲であ
る。この理由としては、−30゜≦Ψ≦30゜以外の範囲で
は、基板界面における液晶分子が斜め電界の影響で逆テ
ィルトしてしまい、表示欠陥が生じるからである。
ここで、図20の表に、上述のように定義した角度Ψを
変化させた場合の反射型表示のコントラスト（即ち、黒
表示時の反射率に対する白表示時の反射率の比率）及び
透過型表示のコントラスト（即ち、黒表示時の透過率に
対する白表示時の透過率の比率）を示す。この場合、液
晶モードは、70度の左ツイストとする。図20の表から分
かるように、反射型表示による高品位な画像表示に必要
とされるコントラスト10以上を得ると共に透過型表示に
よる高品位な画像表示に必要とされるコントラスト５以
上を得るためには−30゜≦Ψ≦30゜が条件となる。即
ち、−30゜≦Ψ≦30゜の範囲では、基板界面における液
晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトすることが殆ど無
く、表示欠陥が殆ど生じないのである。同様に、図16と
図17における下側基板近傍の液晶分子配向方向305及び4
08が反射電極302及び405の長手方向となす角度Ψが夫
々、−30゜以上30゜以下のときティルトドメインによる
ディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが可
能となる。これによって、液晶駆動時のしきい値電圧を
下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図れる。
特に、−10゜≦Ψ≦10゜の範囲で、上述した効果が最大
限に発揮される。
変化させた場合の反射型表示のコントラスト（即ち、黒
表示時の反射率に対する白表示時の反射率の比率）及び
透過型表示のコントラスト（即ち、黒表示時の透過率に
対する白表示時の透過率の比率）を示す。この場合、液
晶モードは、70度の左ツイストとする。図20の表から分
かるように、反射型表示による高品位な画像表示に必要
とされるコントラスト10以上を得ると共に透過型表示に
よる高品位な画像表示に必要とされるコントラスト５以
上を得るためには−30゜≦Ψ≦30゜が条件となる。即
ち、−30゜≦Ψ≦30゜の範囲では、基板界面における液
晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトすることが殆ど無
く、表示欠陥が殆ど生じないのである。同様に、図16と
図17における下側基板近傍の液晶分子配向方向305及び4
08が反射電極302及び405の長手方向となす角度Ψが夫
々、−30゜以上30゜以下のときティルトドメインによる
ディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが可
能となる。これによって、液晶駆動時のしきい値電圧を
下げることができ、液晶装置の低消費電力化を図れる。
特に、−10゜≦Ψ≦10゜の範囲で、上述した効果が最大
限に発揮される。
尚、第９実施例においても、第２から第４実施例のよ
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
うに、ノーマリーブラックモードで駆動したり、散乱板
を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノー
マリーブラックモードで駆動する場合には、ブラックマ
トリクス層5aを設けなくてもよい。
（第10実施例） 本発明に係る液晶装置の第10実施例を図21aから図23
を参照して説明する。第10実施例は、本発明が好適に適
用されるTFDアクティブマトリクス液晶装置の実施例で
ある。
を参照して説明する。第10実施例は、本発明が好適に適
用されるTFDアクティブマトリクス液晶装置の実施例で
ある。
先ず、本実施例に用いられる２端子型非線形素子の一
例としてのTFD駆動素子付近における構成について図21a
及び図21bを参照して説明する。ここに、図21aは、TFD
駆動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図であ
り、図21bは、図21aのＢ−B'断面図である。尚、図21b
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめ
てある。
例としてのTFD駆動素子付近における構成について図21a
及び図21bを参照して説明する。ここに、図21aは、TFD
駆動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図であ
り、図21bは、図21aのＢ−B'断面図である。尚、図21b
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめ
てある。
図21a及び図21bにおいて、TFD駆動素子40は、透明基
板２上に形成された絶縁膜41を下地として、その上に形
成されており、絶縁膜41の側から順に第１金属膜42、絶
縁層44及び第２金属膜46から構成され、TFD構造（Thin
Film Diode）或いはMIM構造（Metal Insulator Metal
構造）を持つ。そして、TFD駆動素子40の第１金属膜42
は、透明基板２上に形成された走査線61に接続されてお
り、第２金属膜46は、反射電極の他の一例である導電性
の反射膜からなる画素電極62に接続されている。尚、走
査線61に代えてデータ線（後述する）を透明基板２上に
形成し、画素電極62に接続して、走査線61を対向基板側
に設けてもよい。
板２上に形成された絶縁膜41を下地として、その上に形
成されており、絶縁膜41の側から順に第１金属膜42、絶
縁層44及び第２金属膜46から構成され、TFD構造（Thin
Film Diode）或いはMIM構造（Metal Insulator Metal
構造）を持つ。そして、TFD駆動素子40の第１金属膜42
は、透明基板２上に形成された走査線61に接続されてお
り、第２金属膜46は、反射電極の他の一例である導電性
の反射膜からなる画素電極62に接続されている。尚、走
査線61に代えてデータ線（後述する）を透明基板２上に
形成し、画素電極62に接続して、走査線61を対向基板側
に設けてもよい。
透明基板２は、例えばガラス、プラスチックなどの絶
縁性及び透明性を有する基板等からなる。下地をなす絶
縁膜41は、例えば酸化タンタルからなる。但し、絶縁膜
41は、第２金属膜46の堆積後等に行われる熱処理により
第１金属膜42が下地から剥離しないこと及び下地から第
１金属膜42に不純物が拡散しないことを主目的として形
成されるものである。従って、透明基板２を、例えば石
英基板等のように耐熱性や純度に優れた基板から構成す
ること等により、これらの剥離や不純物の拡散が問題と
ならない場合には、絶縁膜41は省略することができる。
第１金属膜42は、導電性の金属薄膜からなり、例えば、
タンタル単体又はタンタル合金からなる。絶縁膜44は、
例えば化成液中で第１金属膜42の表面に陽極酸化により
形成された酸化膜からなる。第２金属膜46は、導電性の
金属薄膜からなり、例えば、クロム単体又はクロム合金
からなる。
縁性及び透明性を有する基板等からなる。下地をなす絶
縁膜41は、例えば酸化タンタルからなる。但し、絶縁膜
41は、第２金属膜46の堆積後等に行われる熱処理により
第１金属膜42が下地から剥離しないこと及び下地から第
１金属膜42に不純物が拡散しないことを主目的として形
成されるものである。従って、透明基板２を、例えば石
英基板等のように耐熱性や純度に優れた基板から構成す
ること等により、これらの剥離や不純物の拡散が問題と
ならない場合には、絶縁膜41は省略することができる。
第１金属膜42は、導電性の金属薄膜からなり、例えば、
タンタル単体又はタンタル合金からなる。絶縁膜44は、
例えば化成液中で第１金属膜42の表面に陽極酸化により
形成された酸化膜からなる。第２金属膜46は、導電性の
金属薄膜からなり、例えば、クロム単体又はクロム合金
からなる。
本実施例では特に、画素電極62は、上述した各実施例
のように長方形や正方形のスリット、微細な開口等の光
が透過する領域が設けられているか或いは、画素毎に対
向基板上の透明電極よりも小さく形成されてその間隙を
介して光が透過可能に構成されている。
のように長方形や正方形のスリット、微細な開口等の光
が透過する領域が設けられているか或いは、画素毎に対
向基板上の透明電極よりも小さく形成されてその間隙を
介して光が透過可能に構成されている。
更に、画素電極62、TFD駆動素子40、走査線61等の液
晶に面する側（図中上側表面）には、透明絶縁膜29が設
けられており、その上に例えばポリイミド薄膜などの有
機薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜19が設けられている。
晶に面する側（図中上側表面）には、透明絶縁膜29が設
けられており、その上に例えばポリイミド薄膜などの有
機薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜19が設けられている。
以上、２端子型非線形素子としてTFD駆動素子の幾つ
かの例について説明したが、ZnO（酸化亜鉛）バリス
タ、MSI（Metal Semi−Insulator）駆動素子、RD（Rin
g Diode）などの双方向ダイオード特性を有する２端子
型非線形素子を本実施例の反射型液晶装置に適用可能で
ある。
かの例について説明したが、ZnO（酸化亜鉛）バリス
タ、MSI（Metal Semi−Insulator）駆動素子、RD（Rin
g Diode）などの双方向ダイオード特性を有する２端子
型非線形素子を本実施例の反射型液晶装置に適用可能で
ある。
次に、以上のように構成されたTFD駆動素子を備えて
構成される第10実施例であるTFDアクティブマトリクス
駆動方式の半透過反射型液晶装置の構成及び動作につい
て図22及び図23を参照して説明する。ここに、図22は、
液晶素子を駆動回路と共に示した等価回路図であり、図
23は、液晶素子を模式的に示す部分破断斜視図である。
構成される第10実施例であるTFDアクティブマトリクス
駆動方式の半透過反射型液晶装置の構成及び動作につい
て図22及び図23を参照して説明する。ここに、図22は、
液晶素子を駆動回路と共に示した等価回路図であり、図
23は、液晶素子を模式的に示す部分破断斜視図である。
図22において、TFDアクティブマトリクス駆動方式の
半透過反射型液晶装置は、透明基板２上に配列された複
数の走査線61が、走査線駆動回路の一例を構成するＹド
ライバ回路100に接続されており、その対向基板上に配
列された複数のデータ線60が、データ線駆動回路の一例
を構成するＸドライバ回路110に接続されている。尚、
Ｙドライバ回路100及びＸドライバ回路110は、透明基板
２又はその対向基板上に形成されていてもよく、この場
合には、駆動回路内蔵型の半透過反射型液晶装置とな
る。或いは、Ｙドライバ回路100及びＸドライバ回路110
は、半透過反射型液晶装置とは独立した外部ICから構成
され、所定の配線を経て走査線61やデータ線60に接続さ
れてもよく、この場合には、駆動回路を含まない半透過
反射型液晶装置となる。
半透過反射型液晶装置は、透明基板２上に配列された複
数の走査線61が、走査線駆動回路の一例を構成するＹド
ライバ回路100に接続されており、その対向基板上に配
列された複数のデータ線60が、データ線駆動回路の一例
を構成するＸドライバ回路110に接続されている。尚、
Ｙドライバ回路100及びＸドライバ回路110は、透明基板
２又はその対向基板上に形成されていてもよく、この場
合には、駆動回路内蔵型の半透過反射型液晶装置とな
る。或いは、Ｙドライバ回路100及びＸドライバ回路110
は、半透過反射型液晶装置とは独立した外部ICから構成
され、所定の配線を経て走査線61やデータ線60に接続さ
れてもよく、この場合には、駆動回路を含まない半透過
反射型液晶装置となる。
マトリクス状の各画素領域において、走査線60は、TF
D駆動素子40の一方の端子に接続されており（図21a及び
図21b参照）、データ線60は、液晶層３及び画素電極62
を介してTFD駆動素子40の他方の端子に接続されてい
る。従って、各画素領域に対応する走査線61に走査信号
が供給され、データ線60にデータ信号が供給されると、
当該画素領域におけるTFD駆動素子40がオン状態とな
り、TFD駆動素子40を介して、画素電極62及びデータ線6
0間にある液晶層３に駆動電圧が印加される。そして、
明所では外光を画素電極62が反射することにより反射型
表示が行われ、暗所ではバックライトからの光源光を画
素電極62のスリット等が透過することにより透過型表示
が行われる。
D駆動素子40の一方の端子に接続されており（図21a及び
図21b参照）、データ線60は、液晶層３及び画素電極62
を介してTFD駆動素子40の他方の端子に接続されてい
る。従って、各画素領域に対応する走査線61に走査信号
が供給され、データ線60にデータ信号が供給されると、
当該画素領域におけるTFD駆動素子40がオン状態とな
り、TFD駆動素子40を介して、画素電極62及びデータ線6
0間にある液晶層３に駆動電圧が印加される。そして、
明所では外光を画素電極62が反射することにより反射型
表示が行われ、暗所ではバックライトからの光源光を画
素電極62のスリット等が透過することにより透過型表示
が行われる。
図23において、半透過反射型液晶装置は、透明基板２
と、これに対向配置される透明基板（対向基板）１とを
備えている。透明基板１は、例えばガラス基板からな
る。透明基板２には、マトリクス状に画素電極62が設け
られており、各画素電極62は、走査線61に接続されてい
る。透明基板１には、走査線61と交差する方向に伸びて
おり、短冊状に配列された透明電極としての複数のデー
タ線60が設けられている。データ線60は、例えばITO（I
ndium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。
データ線60の下側には、例えばポリイミド薄膜などの有
機薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜９が設けられている。更に、透明基板１に
は、その用途に応じて、ストライプ状、モザイク状、ト
ライアングル状等に配列された色材膜からなる不図示の
カラーフィルタが設けられる。
と、これに対向配置される透明基板（対向基板）１とを
備えている。透明基板１は、例えばガラス基板からな
る。透明基板２には、マトリクス状に画素電極62が設け
られており、各画素電極62は、走査線61に接続されてい
る。透明基板１には、走査線61と交差する方向に伸びて
おり、短冊状に配列された透明電極としての複数のデー
タ線60が設けられている。データ線60は、例えばITO（I
ndium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。
データ線60の下側には、例えばポリイミド薄膜などの有
機薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施さ
れた配向膜９が設けられている。更に、透明基板１に
は、その用途に応じて、ストライプ状、モザイク状、ト
ライアングル状等に配列された色材膜からなる不図示の
カラーフィルタが設けられる。
以上説明したように、第10実施例のTFDアクティブマ
トリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、二
重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型表示と
を切り換えて表示することのできるカラー液晶装置が実
現できる。特に駆動手段の一例を構成するＸ及びＹドラ
イバ回路110及び100における電圧制御により半透過反射
型液晶装置をノーマリーブラックモードで駆動できる。
トリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、二
重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型表示と
を切り換えて表示することのできるカラー液晶装置が実
現できる。特に駆動手段の一例を構成するＸ及びＹドラ
イバ回路110及び100における電圧制御により半透過反射
型液晶装置をノーマリーブラックモードで駆動できる。
（第11実施例） 本発明に係る液晶装置の第11実施例を図24から図26を
参照して説明する。第11実施例は、本発明が好適に適用
されるTFTアクティブマトリクス液晶装置の実施例であ
る。図24は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路であり、図25は、データ線、走査線、画素
電極等が形成された透明基板の相隣接する複数の画素群
の平面図であり、図26は、図25のＣ−C'断面図である。
尚、図26においては、各層や各部材を図面上で認識可能
な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異
ならしめてある。
参照して説明する。第11実施例は、本発明が好適に適用
されるTFTアクティブマトリクス液晶装置の実施例であ
る。図24は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路であり、図25は、データ線、走査線、画素
電極等が形成された透明基板の相隣接する複数の画素群
の平面図であり、図26は、図25のＣ−C'断面図である。
尚、図26においては、各層や各部材を図面上で認識可能
な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異
ならしめてある。
図24において、第11実施例のTFTアクティブマトリク
ス方式の半透過反射型液晶装置では、マトリクス状に配
置された反射電極の他の一例である画素電極62を制御す
るためのTFT130がマトリクス状に複数形成されており、
画像信号が供給されるデータ線135がTFT130のソースに
電気的に接続されている。データ線135に書き込む画像
信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線135同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TF
T130のゲートに走査線131が電気的に接続されており、
所定のタイミングで、走査線131にパルス的に走査信号G
1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構
成されている。画素電極62は、TFT130のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130を
一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ
線135から供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定の
タイミングで書き込む。画素電極62を介して液晶に書き
込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向
基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）と
の間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信
号がリークするのを防ぐために、画素電極62と対向電極
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170を付
加する。
ス方式の半透過反射型液晶装置では、マトリクス状に配
置された反射電極の他の一例である画素電極62を制御す
るためのTFT130がマトリクス状に複数形成されており、
画像信号が供給されるデータ線135がTFT130のソースに
電気的に接続されている。データ線135に書き込む画像
信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線135同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TF
T130のゲートに走査線131が電気的に接続されており、
所定のタイミングで、走査線131にパルス的に走査信号G
1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構
成されている。画素電極62は、TFT130のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130を
一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ
線135から供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定の
タイミングで書き込む。画素電極62を介して液晶に書き
込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向
基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）と
の間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信
号がリークするのを防ぐために、画素電極62と対向電極
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170を付
加する。
図25において、TFTアレイ基板としての透明基板２上
には、マトリクス状に反射膜からなる画素電極62（その
輪郭62aが図中点線で示されている）が設けられてお
り、画素電極62の縦横の境界に各々沿ってデータ線13
5、走査線131及び容量線132が設けられている。データ
線135は、コンタクトホール85を介してポリシリコン膜
等からなる半導体層81aのうちソース領域に電気的接続
されている。画素電極62は、コンタクトホール88を介し
て半導体層81aのうちドレイン領域に電気的接続されて
いる。容量線132は、絶縁膜を介して半導体層1aのうち
のドレイン領域から延設された第１蓄積容量電極に対向
配置しており、蓄積容量170を構成する。また、半導体
層81aのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル
領域81a'に対向するように走査線131が配置されてお
り、走査線131はゲート電極として機能する。このよう
に、走査線131とデータ線135との交差する個所には夫
々、チャネル領域81a'に走査線131がゲート電極として
対向配置されたTFT130が設けられている。
には、マトリクス状に反射膜からなる画素電極62（その
輪郭62aが図中点線で示されている）が設けられてお
り、画素電極62の縦横の境界に各々沿ってデータ線13
5、走査線131及び容量線132が設けられている。データ
線135は、コンタクトホール85を介してポリシリコン膜
等からなる半導体層81aのうちソース領域に電気的接続
されている。画素電極62は、コンタクトホール88を介し
て半導体層81aのうちドレイン領域に電気的接続されて
いる。容量線132は、絶縁膜を介して半導体層1aのうち
のドレイン領域から延設された第１蓄積容量電極に対向
配置しており、蓄積容量170を構成する。また、半導体
層81aのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル
領域81a'に対向するように走査線131が配置されてお
り、走査線131はゲート電極として機能する。このよう
に、走査線131とデータ線135との交差する個所には夫
々、チャネル領域81a'に走査線131がゲート電極として
対向配置されたTFT130が設けられている。
図26に示すように、液晶装置は、透明基板２と、これ
に対向配置される透明基板（対向基板）１とを備えてい
る。これらの透明基板１及び２は夫々、例えば石英、ガ
ラス、プラスチックなどの絶縁性及び透明性を有する基
板等からなる。
に対向配置される透明基板（対向基板）１とを備えてい
る。これらの透明基板１及び２は夫々、例えば石英、ガ
ラス、プラスチックなどの絶縁性及び透明性を有する基
板等からなる。
本実施例では特に、画素電極62は、上述した各実施例
のように長方形や正方形のスリット、微細な開口等の光
が透過する領域が設けられているか或いは、画素毎に対
向基板上の透明電極よりも小さく形成されてその間隙を
介して光が透過可能に構成されている。
のように長方形や正方形のスリット、微細な開口等の光
が透過する領域が設けられているか或いは、画素毎に対
向基板上の透明電極よりも小さく形成されてその間隙を
介して光が透過可能に構成されている。
更に、画素電極62、TFT130等の液晶に面する側（図中
上側表面）には、透明絶縁膜29が設けられており、その
上に例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜からなりラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜19が設け
られている。
上側表面）には、透明絶縁膜29が設けられており、その
上に例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜からなりラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜19が設け
られている。
他方、透明基板１には、そのほぼ全面に透明電極の他
の一例としての対向電極121が設けられており、各画素
の非開口領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリ
クスと称される第２遮光膜122が設けられている。対向
電極121の下側には、例えばポリイミド薄膜などの有機
薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施され
た配向膜９が設けられている。更に、透明基板１には、
その用途に応じて、ストライプ状、モザイク状、トライ
アングル状等に配列された色材膜からなる不図示のカラ
ーフィルタが設けらる。
の一例としての対向電極121が設けられており、各画素
の非開口領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリ
クスと称される第２遮光膜122が設けられている。対向
電極121の下側には、例えばポリイミド薄膜などの有機
薄膜からなりラビング処理等の所定の配向処理が施され
た配向膜９が設けられている。更に、透明基板１には、
その用途に応じて、ストライプ状、モザイク状、トライ
アングル状等に配列された色材膜からなる不図示のカラ
ーフィルタが設けらる。
透明基板２には、各画素電極62に隣接する位置に、各
画素電極62をスイッチング制御する画素スイッチング用
TFT130が設けられている。
画素電極62をスイッチング制御する画素スイッチング用
TFT130が設けられている。
このように構成され、画素電極62と対向電極121とが
対面するように配置された一対の透明基板１及び２との
間には、第１実施例の場合と同様にシール材により囲ま
れた空間に液晶が封入され、液晶層３が形成される。
対面するように配置された一対の透明基板１及び２との
間には、第１実施例の場合と同様にシール材により囲ま
れた空間に液晶が封入され、液晶層３が形成される。
更に、複数の画素スイッチング用TFT30の下には、第
１層間絶縁膜112が設けられている。第１層間絶縁膜112
は、透明基板２の全面に形成されることにより、画素ス
イッチング用TFT30のための下地膜として機能する。第
１層間絶縁膜112は、例えば、NSG（ノンドープトシリケ
ートガラス）、PSG（リンシリケートガラス）、BSG（ボ
ロンシリケートガラス）、BPSG（ボロンリンシリケート
ガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜等からなる。
１層間絶縁膜112が設けられている。第１層間絶縁膜112
は、透明基板２の全面に形成されることにより、画素ス
イッチング用TFT30のための下地膜として機能する。第
１層間絶縁膜112は、例えば、NSG（ノンドープトシリケ
ートガラス）、PSG（リンシリケートガラス）、BSG（ボ
ロンシリケートガラス）、BPSG（ボロンリンシリケート
ガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜等からなる。
図26において、画素スイッチング用TFT130は、コンタ
クトホール85を介してデータ線135に接続されたソース
領域、走査線131にゲート絶縁膜を介して対向配置され
たチャネル領域81a'及びコンタクトホール88を介して画
素電極62に接続されたドレイン領域を含んで構成されて
いる。データ線131は、Al等の低抵抗な金属膜や金属シ
リサイド等の合金膜などの遮光性且つ導電性の薄膜から
構成されている。また、その上には、コンタクトホール
85及び88が開孔された第２層間絶縁膜114が形成されて
おり、更に、その上には、コンタクトホール88が開孔さ
れた第３層間絶縁膜117が形成されている。これら第２
及び第３層間絶縁膜114及び117についても、第１層間絶
縁膜112と同様に、NSG、PSG、BSG、BPSGなどの高絶縁性
ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からな
る。
クトホール85を介してデータ線135に接続されたソース
領域、走査線131にゲート絶縁膜を介して対向配置され
たチャネル領域81a'及びコンタクトホール88を介して画
素電極62に接続されたドレイン領域を含んで構成されて
いる。データ線131は、Al等の低抵抗な金属膜や金属シ
リサイド等の合金膜などの遮光性且つ導電性の薄膜から
構成されている。また、その上には、コンタクトホール
85及び88が開孔された第２層間絶縁膜114が形成されて
おり、更に、その上には、コンタクトホール88が開孔さ
れた第３層間絶縁膜117が形成されている。これら第２
及び第３層間絶縁膜114及び117についても、第１層間絶
縁膜112と同様に、NSG、PSG、BSG、BPSGなどの高絶縁性
ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からな
る。
画素スイッチング用TFT130は、LDD構造、オフセット
構造、セルフアライン構造等いずれの構造のTFTであっ
てもよい。更に、シングルゲート構造の他、デュアルゲ
ート或いはトリプルゲート以上でTFT130を構成してもよ
い。
構造、セルフアライン構造等いずれの構造のTFTであっ
てもよい。更に、シングルゲート構造の他、デュアルゲ
ート或いはトリプルゲート以上でTFT130を構成してもよ
い。
以上説明したように、第11実施例のTFTアクティブマ
トリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、画
素電極62と対向電極121との間で、各画素電極62におけ
る液晶部分に電界を順次印加することにより各液晶部分
の配向状態を制御可能となり、明所では外光を画素電極
62が反射することにより反射型表示が行われ、暗所では
バックライトからの光源光を画素電極62のスリット等が
透過することにより透過型表示が行われる。この結果、
二重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型表示
とを切り換えて表示することのできるカラー液晶装置が
実現できる。特に、TFT130を介して各画素電極62に電力
を供給するため、画素電極62間におけるクロストークを
低減でき、より高品位の画像表示が可能となる。
トリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、画
素電極62と対向電極121との間で、各画素電極62におけ
る液晶部分に電界を順次印加することにより各液晶部分
の配向状態を制御可能となり、明所では外光を画素電極
62が反射することにより反射型表示が行われ、暗所では
バックライトからの光源光を画素電極62のスリット等が
透過することにより透過型表示が行われる。この結果、
二重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型表示
とを切り換えて表示することのできるカラー液晶装置が
実現できる。特に、TFT130を介して各画素電極62に電力
を供給するため、画素電極62間におけるクロストークを
低減でき、より高品位の画像表示が可能となる。
尚、透明基板１上に対向電極を設けることなく、透明
基板２上の画素電極62間における基板に平行な横電界で
駆動してもよい。
基板２上の画素電極62間における基板に平行な横電界で
駆動してもよい。
ここで、以上説明した第１から第11実施例に用いるカ
ラーフィルタ５の着色層について図27を参照して説明す
る。図27は、カラーフィルタ５の各着色層の透過率を示
す特性図である。各実施例においては、反射型表示を行
う場合、入射光が一旦カラーフィルタ５のいずれかの着
色層を透過した後、液晶層３を通過して反射電極７、17
又は17'によって反射され、再び着色層を透過してから
放出される。したがって、通常の透過型の液晶装置とは
異なり、カラーフィルタを二回通過することになるた
め、通常のカラーフィルタでは表示が暗くなり、コント
ラストが低下する。そこで、各実施例では、図27に示す
ように、カラーフィルタ５のＲ、Ｇ、Ｂの各着色層の可
視領域における最低透過率61が25〜50％になるように淡
色化して形成している。着色層の淡色化は、着色層の膜
厚を薄くしたり、着色層に混合する顔料若しくは染料の
濃度を低くしたりすることによってなされる。このこと
によって、反射型表示を行う場合に表示の明るさを低下
させないように構成することができる。
ラーフィルタ５の着色層について図27を参照して説明す
る。図27は、カラーフィルタ５の各着色層の透過率を示
す特性図である。各実施例においては、反射型表示を行
う場合、入射光が一旦カラーフィルタ５のいずれかの着
色層を透過した後、液晶層３を通過して反射電極７、17
又は17'によって反射され、再び着色層を透過してから
放出される。したがって、通常の透過型の液晶装置とは
異なり、カラーフィルタを二回通過することになるた
め、通常のカラーフィルタでは表示が暗くなり、コント
ラストが低下する。そこで、各実施例では、図27に示す
ように、カラーフィルタ５のＲ、Ｇ、Ｂの各着色層の可
視領域における最低透過率61が25〜50％になるように淡
色化して形成している。着色層の淡色化は、着色層の膜
厚を薄くしたり、着色層に混合する顔料若しくは染料の
濃度を低くしたりすることによってなされる。このこと
によって、反射型表示を行う場合に表示の明るさを低下
させないように構成することができる。
このカラーフィルタ５の淡色化は、透過型表示を行う
場合にはカラーフィルタ５を一回しか透過しないため、
表示の淡色化をもたらすが、各実施例では反射電極によ
ってバックライトの光が多く遮られることが多いため、
表示の明るさを確保する上でむしろ好都合である。
場合にはカラーフィルタ５を一回しか透過しないため、
表示の淡色化をもたらすが、各実施例では反射電極によ
ってバックライトの光が多く遮られることが多いため、
表示の明るさを確保する上でむしろ好都合である。
（第12実施例） 本発明の第12実施例を図28を参照して説明する。第12
実施例は、以上説明した第１から第11実施例のいずれか
一つを備えた電子機器の実施例である。即ち、第12実施
例は、上述した第１から第11実施例に示した液晶装置を
様々な環境下で低消費電力が必要とされる携帯機器の表
示部として好適に用いた各種電子機器に係わる。図28に
本発明の電子機器の例を３つ示す。
実施例は、以上説明した第１から第11実施例のいずれか
一つを備えた電子機器の実施例である。即ち、第12実施
例は、上述した第１から第11実施例に示した液晶装置を
様々な環境下で低消費電力が必要とされる携帯機器の表
示部として好適に用いた各種電子機器に係わる。図28に
本発明の電子機器の例を３つ示す。
図28（ａ）は、携帯電話を示し、本体71の前面上方部
に表示部72が設けられる。携帯電話は、屋内屋外を問わ
ずあらゆる環境で利用される。特に自動車内で利用され
ることが多いが、夜間の車内は大変暗い。従って携帯電
話に利用される表示装置は、消費電力が低い反射型表示
をメインに、必要に応じて補助光を利用した透過型表示
ができる半透過反射型液晶装置が望ましい。上記した第
１実施例乃至第11実施例に記載の液晶装置を携帯電話の
表示部72として用いれば、反射型表示でも透過型表示で
も従来より明るく、コントラスト比が高い形態電話が得
られる。
に表示部72が設けられる。携帯電話は、屋内屋外を問わ
ずあらゆる環境で利用される。特に自動車内で利用され
ることが多いが、夜間の車内は大変暗い。従って携帯電
話に利用される表示装置は、消費電力が低い反射型表示
をメインに、必要に応じて補助光を利用した透過型表示
ができる半透過反射型液晶装置が望ましい。上記した第
１実施例乃至第11実施例に記載の液晶装置を携帯電話の
表示部72として用いれば、反射型表示でも透過型表示で
も従来より明るく、コントラスト比が高い形態電話が得
られる。
図28（ｂ）は、ウォッチを示し、本体の中央73に表示
部74が設けられる。ウォッチ用途における重要な観点
は、高級感である。本発明の第１実施例乃至第14実施例
に記載の液晶をウォッチの表示部74として用いれば、明
るくコントラストが高いことはもちろん、光の波長によ
る特性変化が少ないために色づきも小さい。従って、従
来のウォッチと比較して、大変に高級感あるカラー表示
が得られる。
部74が設けられる。ウォッチ用途における重要な観点
は、高級感である。本発明の第１実施例乃至第14実施例
に記載の液晶をウォッチの表示部74として用いれば、明
るくコントラストが高いことはもちろん、光の波長によ
る特性変化が少ないために色づきも小さい。従って、従
来のウォッチと比較して、大変に高級感あるカラー表示
が得られる。
図28（ｃ）は、携帯情報機器を示し、本体75の上側に
表示部76、下側に入力部77が設けられる。また表示部76
の前面にはタッチ・キーを設けることが多い。通常のタ
ッチ・キーは表面反射が多いため、表示が見づらい。従
って、従来は携帯型と言えども透過型液晶装置を表示部
として利用することが多い。ところが透過型液晶装置
は、常時バックライトを利用するため消費電力が大き
く、電池寿命が短かい。このような場合にも上記した第
１実施例乃至第11実施例の液晶装置を携帯情報機器の表
示部76として用いれば、反射型でも半透過反射型でも、
透過型でも表示が明るく鮮やかな携帯情報機器を得るこ
とができる。
表示部76、下側に入力部77が設けられる。また表示部76
の前面にはタッチ・キーを設けることが多い。通常のタ
ッチ・キーは表面反射が多いため、表示が見づらい。従
って、従来は携帯型と言えども透過型液晶装置を表示部
として利用することが多い。ところが透過型液晶装置
は、常時バックライトを利用するため消費電力が大き
く、電池寿命が短かい。このような場合にも上記した第
１実施例乃至第11実施例の液晶装置を携帯情報機器の表
示部76として用いれば、反射型でも半透過反射型でも、
透過型でも表示が明るく鮮やかな携帯情報機器を得るこ
とができる。
本発明の液晶装置は、上述した各実施例に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう液晶装置もまた本発明の
技術的範囲に含まれるものである。
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう液晶装置もまた本発明の
技術的範囲に含まれるものである。
産業上の利用可能性 本発明に係る液晶装置は、暗所及び明所のいずれでも
明るく高品位の画像表示が可能な各種の表示用装置とし
て利用可能であり、更に、各種の電子機器の表示部を構
成する液晶装置として利用可能である。また、本発明に
係る電子機器は、このような液晶装置を用いて構成され
た液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型の
ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネル等とし
て利用可能である。
明るく高品位の画像表示が可能な各種の表示用装置とし
て利用可能であり、更に、各種の電子機器の表示部を構
成する液晶装置として利用可能である。また、本発明に
係る電子機器は、このような液晶装置を用いて構成され
た液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型の
ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネル等とし
て利用可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 治 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイ コーエプソン株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−318929（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−137619（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−211476（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−194656（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−234414（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−86912（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−292413（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−123337（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1335 G02F 1/13357 G02F 1/13363
Claims (1)
- 【請求項１】透明な一対の第１及び第２基板と、 該第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、 前記第１基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極
と、 前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された複数の反
射電極と、 前記第２基板の前記液晶層側と反対側に配置された照明
装置とを備えており、 前記第１基板に形成された前記透明電極と前記第２基板
に形成された前記反射電極との重なる領域が長方形状で
あり、前記反射電極には、前記照明装置からの光を前記
液晶層側に透過させる長方形のスリットが開口されてい
るとともに、前記スリットの長辺が前記領域の長手方向
に沿って形成されていることを特徴とする液晶装置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2365698 | 1998-02-04 | ||
| JP10-157622 | 1998-06-05 | ||
| JP15762298 | 1998-06-05 | ||
| JP10-23656 | 1998-08-28 | ||
| PCT/JP1999/000311 WO1999040479A1 (fr) | 1998-02-04 | 1999-01-26 | Dispositif a cristaux liquides et dispositif electronique |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017621A Division JP2001066619A (ja) | 1998-02-04 | 2000-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2001330671A Division JP3472927B2 (ja) | 1998-02-04 | 2001-10-29 | 液晶装置 |
| JP2002127508A Division JP3491161B2 (ja) | 1998-02-04 | 2002-04-26 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3324119B2 true JP3324119B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=26361060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52819499A Expired - Lifetime JP3324119B2 (ja) | 1998-02-04 | 1999-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6628357B1 (ja) |
| EP (3) | EP1550902A3 (ja) |
| JP (1) | JP3324119B2 (ja) |
| KR (2) | KR100728506B1 (ja) |
| CN (1) | CN1311279C (ja) |
| DE (1) | DE69929001T2 (ja) |
| TW (1) | TW451097B (ja) |
| WO (1) | WO1999040479A1 (ja) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6628357B1 (en) * | 1998-02-04 | 2003-09-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic device |
| TW548450B (en) | 1998-04-08 | 2003-08-21 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal apparatus and electronic machine |
| US20040244249A1 (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-09 | Yu Zheng | Collapsible structures supported on a pole |
| US6909481B2 (en) * | 2000-11-07 | 2005-06-21 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic appliance |
| US20070076161A1 (en) * | 2000-06-07 | 2007-04-05 | Kabushiki Kaisha Advanced Display | Liquid-crystal display device and process of fabricating it |
| JP2002090730A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置並びに半透過型反射体 |
| JP4543530B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2010-09-15 | ソニー株式会社 | 半透過型液晶表示装置の製造方法 |
| US6998775B2 (en) * | 2000-10-25 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered, light-emitting element |
| US6831721B2 (en) | 2000-11-07 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus incorporating the liquid crystal display |
| WO2002042841A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
| JP3941481B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
| TW552434B (en) * | 2001-06-04 | 2003-09-11 | Toray Industries | Color filter and liquid display element |
| JP3895952B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2007-03-22 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW574533B (en) * | 2001-10-23 | 2004-02-01 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device structure |
| CN1209664C (zh) * | 2001-11-29 | 2005-07-06 | 京瓷株式会社 | 液晶显示装置 |
| JP3674581B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2005-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板、その製造方法、液晶表示パネルおよび電子機器 |
| WO2003054621A1 (fr) * | 2001-12-11 | 2003-07-03 | Sony Corporation | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| JP3895600B2 (ja) * | 2002-01-04 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
| JPWO2003069399A1 (ja) * | 2002-02-14 | 2005-06-09 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN100386676C (zh) * | 2002-04-30 | 2008-05-07 | 中佛罗里达大学 | 具有部分转变的半透反射式液晶显示器 |
| CN100389331C (zh) * | 2002-06-04 | 2008-05-21 | 东丽株式会社 | 用于液晶显示装置的滤色器及半透射型液晶显示装置 |
| US20040080684A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Soo-Guy Rho | Color filter panel, manufacturing method thereof, and liquid crystal display including color filter panel |
| JP3778185B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2006-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
| US7359022B2 (en) * | 2002-11-22 | 2008-04-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Wire structure of display device |
| JP2004279669A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 表示システム |
| US6965423B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-11-15 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| DE602004014000D1 (de) * | 2003-09-19 | 2008-07-03 | Tpo Hong Kong Holding Ltd | Transflektives display mit verbessertem kontrast |
| ATE380357T1 (de) * | 2003-09-23 | 2007-12-15 | Tpo Hong Kong Holding Ltd | Lichtwiederverwendung in einem transflektiven lcd |
| TWI279918B (en) | 2005-06-29 | 2007-04-21 | Quanta Display Inc | A method for forming a liquid crystal display |
| JP5077734B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-11-21 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置、及び、その駆動方法 |
| JP4061416B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2008-03-19 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN101059626A (zh) * | 2006-04-19 | 2007-10-24 | 群康科技(深圳)有限公司 | 穿透式液晶显示装置 |
| TW200745689A (en) * | 2006-06-06 | 2007-12-16 | Toppoly Optoelectronics Corp | Systems for displaying images |
| KR100837738B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-06-13 | 주식회사 애트랩 | 전자 장치 및 이 장치의 터치패널 배치 방법 |
| KR101293949B1 (ko) * | 2006-10-19 | 2013-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시장치 |
| CN101334558B (zh) * | 2007-06-29 | 2011-04-20 | 群康科技(深圳)有限公司 | 背光模组及液晶显示器 |
| GB2457692A (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | Sharp Kk | A display device with a plurality of viewing modes |
| JP2011207964A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujifilm Corp | セルロースアシレートフィルム、位相差板、偏光板、及び液晶表示装置 |
| JP5516319B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 照明装置および表示装置 |
| KR101773514B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2017-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치스크린 일체형 평판표시장치 |
| CN103187407A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 李克新 | 漫射激发荧光剂的发光模块的封装方法及结构 |
| TWI545377B (zh) * | 2012-05-11 | 2016-08-11 | Sony Corp | Lighting device and display device |
| US8911931B2 (en) | 2012-07-18 | 2014-12-16 | Lockheed Martin Corporation | Spiral design graphene nanoribbon |
| CN103293765B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶屏 |
| JP5894560B2 (ja) | 2013-06-28 | 2016-03-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半透過型液晶表示装置及び電子機器 |
| CN103700628B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置 |
| JP2015206879A (ja) * | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| CN104216178B (zh) | 2014-09-09 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示装置 |
| JP2017054079A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102374120B1 (ko) * | 2015-09-23 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 거울 디스플레이 및 그 제조 방법 |
| CN110223644B (zh) * | 2018-03-02 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、虚拟现实设备及驱动方法 |
| CN108649343B (zh) * | 2018-06-08 | 2020-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可调极化变换器和电子装置 |
| CN110618564B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极结构、阵列基板及显示装置 |
| DE102023116688A1 (de) * | 2023-06-26 | 2025-01-02 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Beleuchtungsvorrichtung für ein Fahrzeug |
Family Cites Families (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US568200A (en) * | 1896-09-22 | Xhe n nqrris petebs co | ||
| US493431A (en) * | 1893-03-14 | Electric motor for dental work | ||
| US747830A (en) * | 1903-05-05 | 1903-12-22 | Augustine P Zink | Spark arrester and extinguisher. |
| DE2264702C3 (de) * | 1971-08-18 | 1978-08-31 | Dai Nippon Toryo K.K., Osaka (Japan) | Flüssigkristallelement |
| JPS5153183Y2 (ja) * | 1972-02-26 | 1976-12-18 | ||
| JPS4899739A (ja) | 1972-03-31 | 1973-12-17 | ||
| JPS6271925A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Canon Inc | 画像投影撮影装置 |
| GB2195956B (en) * | 1986-10-07 | 1991-02-13 | Seiko Epson Corp | Thermal transfer printer |
| FR2618587B1 (fr) * | 1987-07-20 | 1992-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| JPH0323337A (ja) * | 1989-06-17 | 1991-01-31 | Toyota Motor Corp | 吸気制御装置の故障診断装置 |
| GB2244860A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-11 | Philips Electronic Associated | Fabricating mim type device array and display devices incorporating such arrays |
| JP2869829B2 (ja) * | 1991-10-14 | 1999-03-10 | キヤノン株式会社 | 液晶表示素子 |
| US5771082A (en) * | 1991-10-11 | 1998-06-23 | Thomson-Lcd | Active matrix display utilizing an embedded ground plane |
| JPH05142530A (ja) | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Ricoh Co Ltd | カラー液晶表示素子 |
| JPH05150209A (ja) | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 画像表示装置およびその表示方法 |
| KR0125452B1 (ko) * | 1991-11-20 | 1997-12-19 | 순페이 야마자끼 | 화상표시방법 및 화상표시장치 |
| EP0549283B1 (en) * | 1991-12-20 | 1997-07-23 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device with differing alignment domains |
| JP2619579B2 (ja) | 1991-12-20 | 1997-06-11 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2796210B2 (ja) * | 1992-01-30 | 1998-09-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| DE69318865T2 (de) * | 1992-03-03 | 1998-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Verdrillt-nematische Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
| US5309264A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal displays having multi-domain cells |
| JP3108768B2 (ja) | 1992-12-24 | 2000-11-13 | スタンレー電気株式会社 | Ｔｎ液晶表示素子 |
| US5739889A (en) * | 1993-04-27 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and a production method for the same |
| JPH06313899A (ja) | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06337432A (ja) | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用背面電極板 |
| JP3529434B2 (ja) | 1993-07-27 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 液晶表示素子 |
| US5907378A (en) * | 1993-12-15 | 1999-05-25 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Normally white twisted nematic liquid crystal display including retardation films for improving viewing characteristics |
| US5570214A (en) * | 1993-12-15 | 1996-10-29 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Normally white twisted nematic LCD with retardation films on opposite sides of liquid crystal material for improved viewing zone |
| JPH07244212A (ja) * | 1994-01-11 | 1995-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラーフイルター用感光材料とそれを用いたカラーフイルターの製造方法 |
| JPH07218929A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-18 | Lg Electron Inc | 薄膜トランジスターのアレイ構造 |
| US5724112A (en) * | 1994-03-28 | 1998-03-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Color liquid crystal apparatus |
| JPH07318929A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3301219B2 (ja) | 1994-06-09 | 2002-07-15 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5753937A (en) * | 1994-05-31 | 1998-05-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Color liquid crystal display device having a semitransparent layer on the inner surface of one of the substrates |
| JPH0886912A (ja) | 1994-09-20 | 1996-04-02 | Casio Comput Co Ltd | カラーフィルタの形成方法 |
| US5638200A (en) * | 1995-02-03 | 1997-06-10 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Liquid crystal display with tilted retardation film |
| JPH08248410A (ja) | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | カラー画像表示装置 |
| JP2985763B2 (ja) * | 1995-03-22 | 1999-12-06 | 凸版印刷株式会社 | 多層導電膜、並びにこれを用いた透明電極板および液晶表示装置 |
| JPH08292413A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR0153059B1 (ko) * | 1995-06-12 | 1998-11-16 | 김광호 | 색상조절상태를 온 스크린 디스플레이하는 컬러영상기기 |
| JP3575024B2 (ja) | 1995-07-17 | 2004-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 反射型カラー液晶装置及びこれを用いた電子機器 |
| JP3184771B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
| JPH103078A (ja) | 1995-10-17 | 1998-01-06 | Seiko Epson Corp | 反射型液晶装置及びこれを用いた電子機器 |
| JP3026936B2 (ja) | 1996-02-05 | 2000-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 電極分割型液晶表示装置 |
| JP2870500B2 (ja) * | 1996-08-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| WO1998032046A1 (fr) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique pourvu de ce dispositif |
| JPH10260403A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-09-29 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2878231B2 (ja) | 1997-04-03 | 1999-04-05 | 新潟日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6067136A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Birefringence-type color liquid crystal display device |
| US6330047B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| JP2955277B2 (ja) | 1997-07-28 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6195140B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| US6144430A (en) * | 1997-11-13 | 2000-11-07 | Industrial Technology Research Institute | Reflective-type liquid crystal display with single polarizer and an inner metallic reflector |
| CN1246931A (zh) * | 1997-12-04 | 2000-03-08 | 平板展示(Fpd)有限公司 | 显示装置 |
| JP3410665B2 (ja) | 1997-12-26 | 2003-05-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6281952B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US6295109B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions |
| JP4167335B2 (ja) | 1998-01-30 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN1145069C (zh) | 1998-02-04 | 2004-04-07 | 精工爱普生株式会社 | 液晶装置以及电子设备 |
| US6628357B1 (en) | 1998-02-04 | 2003-09-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic device |
| JP3690421B2 (ja) | 1998-04-08 | 2005-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP3987231B2 (ja) | 1998-04-08 | 2007-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| TW548450B (en) | 1998-04-08 | 2003-08-21 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal apparatus and electronic machine |
| JP3406515B2 (ja) | 1998-04-24 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6124907A (en) * | 1998-04-24 | 2000-09-26 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Liquid crystal display with internal polarizer and method of making same |
| US6285425B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-09-04 | Motorola, Inc. | Ridged reflector for an optical display having a curved and a planar facet for each ridge |
| KR100279525B1 (ko) * | 1998-09-18 | 2001-02-01 | 윤덕용 | 측대역 전치 필터쌍을 이용한 cap 방식을 위한 심볼 타이밍복원 장치 |
| KR100681764B1 (ko) * | 1999-12-06 | 2007-02-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 투과반사형 액정표시장치 |
| KR100700635B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2007-03-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과형 액정표시장치용 컬러필터 및 그의 제조방법 |
| JP2004125915A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Asahi Glass Co Ltd | 半透過半反射型液晶表示パネル |
-
1999
- 1999-01-26 US US09/402,557 patent/US6628357B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-26 JP JP52819499A patent/JP3324119B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-26 KR KR1019997009013A patent/KR100728506B1/ko active IP Right Grant
- 1999-01-26 WO PCT/JP1999/000311 patent/WO1999040479A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-01-26 DE DE69929001T patent/DE69929001T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-26 KR KR1020067012821A patent/KR100755201B1/ko active IP Right Grant
- 1999-01-26 EP EP05075481A patent/EP1550902A3/en not_active Withdrawn
- 1999-01-26 CN CNB998004510A patent/CN1311279C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-26 EP EP05075482A patent/EP1550903A3/en not_active Withdrawn
- 1999-01-26 EP EP99900683A patent/EP0973058B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-28 TW TW088101318A patent/TW451097B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-18 US US10/368,191 patent/US20040008300A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-07-13 US US11/457,175 patent/US20060274241A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-06-26 US US11/821,881 patent/US7535529B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0973058B1 (en) | 2005-12-21 |
| KR20060093133A (ko) | 2006-08-23 |
| US20040008300A1 (en) | 2004-01-15 |
| CN1311279C (zh) | 2007-04-18 |
| WO1999040479A1 (fr) | 1999-08-12 |
| EP1550903A2 (en) | 2005-07-06 |
| KR100728506B1 (ko) | 2007-06-15 |
| EP0973058A4 (en) | 2004-07-14 |
| TW451097B (en) | 2001-08-21 |
| DE69929001T2 (de) | 2006-06-22 |
| KR100755201B1 (ko) | 2007-09-05 |
| EP1550902A3 (en) | 2006-03-01 |
| US20060274241A1 (en) | 2006-12-07 |
| US6628357B1 (en) | 2003-09-30 |
| DE69929001D1 (de) | 2006-01-26 |
| CN1262746A (zh) | 2000-08-09 |
| US7535529B2 (en) | 2009-05-19 |
| EP1550902A2 (en) | 2005-07-06 |
| EP0973058A1 (en) | 2000-01-19 |
| US20070247575A1 (en) | 2007-10-25 |
| KR20010005936A (ko) | 2001-01-15 |
| EP1550903A3 (en) | 2006-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3324119B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| US7483100B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| US7576818B2 (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
| US20060279677A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| JP2000019563A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000066199A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2001083494A (ja) | 半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器 | |
| KR100500482B1 (ko) | 액정 장치 및 이를 사용한 전자 기기 | |
| JP3726569B2 (ja) | 半透過反射型及び反射型液晶装置並びにこれらを用いた電子機器 | |
| JP3690421B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2001125096A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3557933B2 (ja) | 液晶装置及びこれを用いた電子機器 | |
| JP3799883B2 (ja) | 半透過反射型及び反射型の液晶装置並びにこれらを用いた電子機器 | |
| JP2005055645A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3617520B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP3491161B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP3472926B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP2001066619A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP4042757B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3472927B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP2007316645A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2009237019A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| JP2011002855A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |