JP2001083494A - 半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半透過反射型の液晶装置において、視差によ
る二重映りや表示のにじみなどを発生させずに、反射型
表示時にも透過型表示時にも明るく高品位の画像表示を
行う。 【解決手段】 半透過反射型の液晶装置は、第１基板
（１０）上の液晶層（５０）に面する側に、第２絶縁膜
（１３）、開口部が設けられた半透過反射電極板（１
１）、第１絶縁膜（１２）及び配向膜（１５）をこの順
に備える。半透過反射電極板、第１絶縁膜及び配向膜の
各膜厚及び各屈折率は、反射領域における半透過反射電
極板、第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体の反射率を
最適化するように設定されており、第２絶縁膜の膜厚及
び屈折率は、透過領域における第２絶縁膜、第１絶縁膜
及び配向膜からなる積層体の透過率を最適化するように
設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パッシブマトリク
ス駆動方式、アクティブマトリクス駆動方式、セグメン
ト駆動方式等の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技
術分野に属し、特に基板の液晶に面する側に反射電極層
を設けた内面反射方式を採る、反射型表示と透過型表示
とを切り換えて表示可能な半透過反射型の液晶装置、更
にこのような液晶装置を用いた電子機器の技術分野に属
する。

【０００２】

【背景技術】従来、バックライト等の光源を用いること
なく、外光を利用して表示を行う反射型液晶装置は、低
消費電力化、小型軽量化等の観点から有利であるが、外
光を利用して表示を視認可能にしており暗い場所では表
示を読みとることができないため、明るい場所で通常の
反射型液晶装置と同様に外光を利用すると共に暗い場所
で内部の光源により表示を視認可能にした形式の半透過
反射型の液晶装置が提案されている。これは、実開昭５
７−０４９２７１号公報に記載されているように、液晶
パネルの観察側と反対側の外面に偏光板、半透過反射
板、バックライトを順次配置した構成をしている。この
液晶装置では、周囲が明るい場合には外光を取り入れて
半透過反射板にて反射された光を利用して反射型表示を
行い、周囲が暗くなるとバックライトを点灯して半透過
反射板を透過させた光により表示を視認可能とした透過
型表示を行う。

【０００３】別の半透過反射型の液晶装置としては、反
射型表示の明るさを向上させた特開平８−２９２４１３
号公報に記載されたものがある。この液晶装置は、液晶
パネルの観察側と反対側の外面に半透過反射板、偏光
板、バックライトを順次配置しているので、液晶セルと
半透過反射板の間に偏光板がないため、前述した実開昭
５７−０４９２７１号公報に記載の液晶装置よりも明る
い反射型表示が得られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平８−２９２４１３号公報等に記載された半透過反射
型の液晶装置では、液晶層と半透過反射板との間に透明
基板が介在するため、二重映りや表示のにじみなどが発
生してしまう。更にカラーフィルタを組み合わせると、
半透過反射板を液晶パネルの後方に配置しているため、
液晶層やカラーフィルタと半透過反射板との間に厚い透
明基板が介在するため、視差によって二重映りや表示の
にじみなどが発生し、十分な発色を得ることができない
という問題点がある。

【０００５】これに対し特開平７−３１８９２９号公報
では、液晶セルの内面に半透過反射膜を兼ねる画素電極
を設けた半透過反射型の液晶装置が提案されており、金
属膜からなる半透過反射膜上に、ＩＴＯ膜からなる透明
画素電極を絶縁膜を介して重ねた構成を開示している。
しかしながら、この液晶装置では、半透過反射膜を兼ね
る画素電極に対して或いは透明画素電極が重ねられる半
透過反射膜に対して、孔欠陥、凹入欠陥等の微細な欠陥
部や微細な開口部を多数設ける必要が有るため、装置構
成が複雑化すると共にその製造において特殊な工程が付
加的に必要となってしまう。そして、この液晶装置で
は、一方で基板上に形成された積層体の反射型表示にお
ける反射率を高めるように該積層体を構成する各膜の膜
厚や屈折率を設定することは可能であり、他方で、該積
層体の透過型表示における透過率を高めるように該積層
体を構成する各膜の膜厚や屈折率を設定することは可能
であるが、これらの反射率及び透過率の両者の最適化を
同時に行うことは一般にほぼ不可能である（即ち、両者
を同時に最適化するような各膜及各屈折率の条件は一般
に存在しない）。この結果、明るい反射型表示と明るい
透過型表示との両方を可能ならしめる半透過反射型の液
晶装置を実現することは困難であるという問題点があ
る。

【０００６】加えて、本願出願人は、特願平１０−２３
６５６号や特願平１０−１６０８６６号により夫々、新
規な半透過反射型の液晶装置を発明しているが、これら
の液晶装置の場合にも、やはり基板上に形成された積層
体の反射型表示時における反射率及び透過型表示におけ
る透過率の両者の最適化を同時に行うことは一般にほぼ
不可能であり、明るい反射型表示と明るい透過型表示と
の両方を可能ならしめる半透過反射型の液晶装置を実現
することは困難であるという同様の問題点がある。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生
せず、しかも明るい反射型表示及び明るい透過型表示の
両者を可能ならしめる半透過反射型の液晶装置及びこれ
を用いた電子機器を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半透過反射型の
液晶装置は上記課題を解決するために、透明の第１基板
と、該第１基板に対向配置された透明の第２基板と、前
記第１及び第２基板間に挟持された液晶と、前記第１基
板の前記液晶と反対側に設けられた光源と、前記第１基
板の前記第２基板に対向する側に配置された透明の第２
絶縁膜と、該第２絶縁膜上に配置されていると共に前記
光源からの光を透過する開口部が設けられている反射電
極層と、該反射電極層上に配置された透明の第１絶縁膜
と、該第１絶縁膜上に配置された配向膜とを備える。

【０００９】本発明の半透過反射型の液晶装置によれ
ば、第１基板上には、第２絶縁膜、反射電極層、第１絶
縁膜及び配向膜からなる積層体が設けられている。ここ
で、反射電極層と配向膜とは、第１絶縁膜により相互に
絶縁されているため、反射電極層或いはその配線におけ
る漏電や対向電極との短絡などの欠陥が発生する可能性
は低減され、全体として装置信頼性が高まる。

【００１０】このように構成された半透過反射型の液晶
装置によれば、反射型表示時には、第２基板側から外光
が入射すると、この外光は、第２基板及び液晶を介し
て、反射電極層（但し、開口部を除く部分）並びにこの
上に積層された第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体に
より反射され、再び液晶及び第２基板を介して第２基板
側から出射される。従って、例えば第２基板の外面側
（即ち、液晶と反対側）に偏光板を配置すれば、反射電
極層を用いての電界印加により液晶の配向状態を制御す
ることで、反射後に液晶を介して表示光として出射され
る外光強度を制御できる。即ち、反射型表示を行える。

【００１１】他方、透過型表示時には、光源から発せら
れた光源光が第１基板に入射すると、この光源光は、反
射電極層の開口部に位置する第２絶縁膜、第１絶縁膜及
び配向膜を透過し、液晶及び第２基板を介して第２基板
側から出射される。従って、例えば第１基板及び第２基
板の外面側（即ち、液晶と反対側）に偏光板を夫々配置
すれば、反射電極層を用いての電界印加により液晶の配
向状態を制御することで、透過後に液晶を介して表示光
として出射される光源光強度を制御できる。即ち、透過
型表示を行える。

【００１２】従って、液晶からの外光入射に対する反射
電極層、第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体の反射率
を高めるように、これら各膜の膜厚及び屈折率を設定
し、同時にこのように設定された膜厚及び屈折率を固定
した条件下で、第１基板から液晶へ透過する光源光に対
する第２絶縁膜、第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体
の透過率を高めるように、外光反射と関係の無い第２絶
縁膜の膜厚及び屈折率を設定することが可能となる。言
い換えれば、第２絶縁膜を第１基板と反射電極層との間
に配置することにより、第２絶縁膜と無関係に反射型表
示における反射率の最適化を図ることが可能となると同
時に、第２絶縁膜の膜厚及び屈折率を調整することによ
り透過型表示における透過率の最適化を図ることが可能
となるのである。

【００１３】以上の結果、本発明によれば、反射型表示
時でも透過型表示時でも、前述した従来の実開昭５７−
０４９２７１号公報、特開平８−２９２４１３号公報等
のように液晶層と半透過反射板との間の透明基板の存在
により二重映りや表示のにじみなどが発生することはな
くなりカラー化した場合にも十分な発色を得ることが可
能となり、更に、反射型表示時でも透過型表示時でも明
るい表示が可能とる。

【００１４】本発明の半透過反射型の液晶装置の駆動方
式としては、パッシブマトリクス駆動方式、ＴＦＴ（Th
in Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式、
ＴＦＤ（Thin Film Diode）アクティブマトリクス駆動
方式、セグメント駆動方式等の公知の各種駆動方式を採
用可能である。この際、反射型表示と透過型表示とでは
液晶セルの電圧−反射率（透過率）特性が異なる場合が
多いので、反射型表示時と透過型表示時とで駆動電圧を
相異ならせ、各々で最適化した方が好ましい。また、第
２基板（対向基板）上には、駆動方式に応じて適宜、複
数のストライプ状やセグメント状の透明電極が形成され
たり、第２基板のほぼ全面に透明電極が形成されたりす
る。或いは、第２基板上に対向電極を設けることなく、
第１基板上の反射電極層からなる画素電極間における基
板に平行な横電界で駆動してもよい。更に、液晶装置に
は、表示方式に応じて適宜、第１基板や第２基板の外面
に、偏光板や位相差板などが夫々配置される。また透過
型表示時に点灯される光源としては、小型の液晶装置用
には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子、ＥＬ（El
ectro-Luminescence）素子等が適しており、大型の液晶
装置用には、導光板を介して側方から光を導入する蛍光
管等が適している。

【００１５】本発明の半透過反射型の液晶装置の一の態
様では、前記開口部は、前記反射電極層に開けられた複
数の貫通穴からなる。

【００１６】この態様によれば、反射電極層は例えば、
正方形、長方形、多角形、円形等のスリット、若しくは
規則的又は不規則な微細孔等の貫通穴が複数開口されて
おり、反射型表示時には、このような貫通穴を除く反射
電極層部分で外光が反射され、透過型表示時には、この
ような貫通穴を介して光源光が透過される。従って、前
述のように反射電極層、第１絶縁膜及び配向膜からなる
積層体の反射率の最適化を図りつつ、（液晶側から見て
貫通穴内にのみ見える）第２絶縁膜により第２絶縁膜、
第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体の透過率の最適化
を図れば、反射型表示時でも透過型表示時でも明るい表
示が可能とる。

【００１７】或いは本発明の半透過反射型の液晶装置の
他の態様では、前記反射電極層は、前記第２基板に垂直
な方向から平面的に見て相互に分断された複数の反射板
からなり、前記開口部は、前記複数の反射板の間隙から
なる。

【００１８】この態様によれば、反射電極層は例えば、
画像信号が供給される単位毎に分断された複数のストラ
イプ状やアイランド状の反射板（即ち、画素電極）から
なり、反射型表示時には、複数の反射板で外光が反射さ
れ、透過型表示時には、複数の反射板の間隙を介して光
源光が透過される。従って、前述のように反射電極層、
第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体の反射率の最適化
を図りつつ、（液晶側から見て複数の反射板の間隙にの
み見える）第２絶縁膜により第２絶縁膜、第１絶縁膜及
び配向膜からなる積層体の透過率の最適化を図れば、反
射型表示時でも透過型表示時でも明るい表示が可能と
る。この態様によれば特に、前述した従来の特開平７−
３１８９２９号公報に記載された半透過反射型の液晶装
置のように、装置構成や製造プロセスの複雑化を招く微
細な欠陥部や微細な開口部を多数設けなくても半透過反
射層を構成できるため、実用上有利であり、装置信頼性
や製造歩留まりを向上させることも可能となる。

【００１９】本発明の半透過反射型の液晶装置の他の態
様では、前記光源と前記第１基板との間に位相差板を更
に備える。

【００２０】この態様によれば、位相差板を備えるの
で、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても良好
な表示制御ができる。より具体的には、第２基板側に設
けられる偏光板、位相差板等の光学素子により、反射型
表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの色
調への影響を低減すると共に、当該光源と第１基板との
間に備えられる位相差板により、透過型表示時における
光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低
減することが可能となる。更にまた、第２基板側に設け
られる偏光板、位相差板等の光学素子、液晶及び反射電
極層における光学特性を反射型表示時におけるコントラ
ストを高める設定とすると共に、この条件下で当該光源
と第１基板との間に備えられる位相差板における光学特
性を透過型表示時におけるコントラストを高める設定と
することにより、反射型表示と透過型表示とのいずれに
おいても高いコントラスト特性を得ることができる。

【００２１】本発明の半透過反射型の液晶装置の他の態
様では、前記液晶側からの波長５５０ｎｍ付近の光に対
する前記反射電極層、前記第１絶縁膜及び前記配向膜か
らなる積層体の反射率が最も高くなるように前記反射電
極層、前記第１絶縁膜及び前記配向膜の各膜厚及び各屈
折率が設定されており、前記第１基板側からの波長５５
０ｎｍ付近の光に対する前記第２絶縁膜、前記第１絶縁
膜及び前記配向膜からなる積層体の透過率が最も高くな
るように前記第２絶縁膜、前記第１絶縁膜及び前記配向
膜の各膜厚及び各屈折率が設定されている。

【００２２】この態様によれば、液晶からの波長５５０
ｎｍ（即ち、人間の視覚上で感度が高く表示画像の明る
さを定める上で重要な緑色光に対応する波長）付近の光
に対する反射電極層、第１絶縁膜及び配向膜からなる積
層体の反射率がこれら各膜の膜厚及び屈折率により最適
化され、同時に、このように反射率を最適化するように
固定された膜厚及び屈折率の条件下で、第１基板から液
晶へ透過する波長５５０ｎｍ付近の光に対する第２絶縁
膜、第１絶縁膜及び配向膜からなる積層体の透過率を最
適化するように、外光反射と関係の無い第２絶縁膜の膜
厚及び屈折率が設定される。従って反射型表示時でも透
過型表示時でも特に人間の視覚上で非常に明るい表示が
可能とる。

【００２３】この態様では、前記第１絶縁膜の屈折率
は、１．４〜１．６の範囲内に有り、前記第２絶縁膜の
屈折率は、前記第１絶縁膜の屈折率とは異なり且つ１．
４〜１．６の範囲内に有ってもよい。

【００２４】このように構成すれば、実用上比較的容易
に、反射型表示における波長５５０ｎｍ付近の光に対す
る反射率を最も高めると同時に、透過型表示における波
長５５０ｎｍ付近の光に対する透過率を最も高めること
ができる。例えば、酸化シリコン膜の屈折率は、約１．
４６であり、Ａｌ（アルミニウム）酸化膜の屈折率は、
約１．７であり、ゾルゲル法を用いて両者間にある所望
の屈折率を持つ絶縁膜を第１又は第２絶縁膜として形成
可能である。

【００２５】本発明の半透過反射型の液晶装置の他の態
様では、前記第１及び第２絶縁膜は夫々、酸化シリコン
を主成分とする。

【００２６】この態様によれば、酸化シリコンを主成分
とする透明の第１及び第２絶縁膜を形成すればよいの
で、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低コストで、
第１基板上における積層体の外光に対する反射率を高め
られ且つ光源光に対する透過率を高められる。

【００２７】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の半透過反射型の液晶装置を備え
る。

【００２８】本発明の電子機器によれば、視差による二
重映りや表示のにじみがなく、明るい反射型表示と明る
い透過型表示とを切り換えて表示することのできる半透
過反射型の液晶装置を用いた携帯電話、腕時計、電子手
帳、ノートパソコン等の各種の電子機器を実現できる。

【００２９】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００３１】（第１実施形態）先ず、本発明による液晶
装置の第１実施形態の構成について、図１から図３を参
照して説明する。第１実施形態は、本発明をパッシブマ
トリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装置に適用した
ものである。尚、図１は、液晶装置を対向基板上に形成
されるカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側か
ら見た様子を示す図式的平面図であり、図２は、図１の
Ａ−Ａ’断面をカラーフィルタを含めて示す液晶装置の
図式的断面図である。また、図３は、図２に示された半
透過反射電極板付近における外光を反射し且つ光源光を
透過する構成を拡大して示す図式的拡大断面図である。
尚、図１では、説明の便宜上ストライプ状電極を縦横６
本づつ図式的に示しているが実際には、多数本の電極が
存在しており、図２及び図３においては、各層や各部材
を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や
各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００３２】図１及び図２において、第１実施形態にお
ける液晶装置は、第１基板１０と、第１基板１０に対向
配置された透明の第２基板２０と、第１基板１０及び第
２基板２０間に挟持された液晶層５０と、第１基板１０
の第２基板２０に対向する側（即ち、図２で上側表面）
に配置された透明の第２絶縁膜１３と、第２絶縁膜１３
上に配置された複数のストライプ状の半透過反射電極板
１１と、半透過反射電極板１１上に配置された透明の第
１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置された配向膜
１５とを備える。液晶装置はまた、第２基板上の第１基
板１０に対向する側（即ち、図２で下側表面）に配置さ
れたカラーフィルタ２３と、カラーフィルタ２３上に配
置されたカラーフィルタ平坦化膜２４と、カラーフィル
タ平坦化膜２４上に半透過反射電極板１１と相交差する
ように配置された複数のストライプ状の透明電極２１
と、透明電極２１上に配置された配向膜２５とを備えて
構成されている。第１基板１０及び第２基板２０は、液
晶層５０の周囲において、シール材３１により貼り合わ
されており、液晶層５０は、シール材３１及び封止材３
２により、第１基板１０及び第２基板２０間に封入され
ている。液晶装置は更に、第１基板１０の液晶層５０と
反対側に、偏光板１０７及び位相差板１０８を備えてい
ると共に第２基板２０の液晶層５０と反対側に、偏光板
１０５及び位相差板１０６を備えている。偏光板１０７
の外側には、蛍光管１１９と蛍光管１１９からの光を偏
光板１０７から液晶パネル内に導くための導光板１１８
とを備えて構成されている。

【００３３】ここに本実施形態における半透過反射電極
板１１とは、第１基板１０側からの光源光を透過するた
めのスリット又は微細孔などの開口部が設けられた反射
板であって、液晶駆動用の画素電極としての機能をも果
たすものをいう。

【００３４】即ち、図３に拡大して示すように、半透過
反射電極板１１は、ＡｇやＡｌなどにより形成され、透
過領域Ａ２において第１基板１０側からの光源光Ｌ２を
透過するための２μｍ径の開口部１１ａが多数設けてあ
る。半透過反射電極板１１の表面は、開口部１１ａを除
く反射領域Ａ１において、第２基板２０の側から入射す
る外光Ｌ１を反射する反射面となっている。透過領域Ａ
２の総面積は反射領域Ａ１の総面積に対して約１０％の
割合となるように開口部１１ａをランダム或いは規則的
に設けてある。このような半透過反射電極板１１は、蒸
着やスパッタ等により形成される。

【００３５】再び図１及び図２において、第１基板１０
及び第２基板２０は夫々、可視光に対して透明或いは少
なくとも半透明であることが要求されており、例えばガ
ラス基板や石英基板等からなる。

【００３６】配向膜１５及び２５は夫々、ポリイミド薄
膜などの有機薄膜からなり、スピンコート又はフレキソ
印刷により形成され、ラビング処理等の所定の配向処理
が施されている。

【００３７】液晶層５０は、半透過反射電極板１１及び
透明電極２１間で電界が印加されていない状態で配向膜
１５及び２５により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。

【００３８】シール材３１は、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤である。特に、当該液晶装置
が対角数インチ程度以下の小型の場合には、シール材中
に両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバ
ー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混
入される。但し、このようなギャップ材は、当該液晶装
置が対角数インチ〜１０インチ程度或いはそれ以上の大
型の場合には、液晶層５０内に混入されてもよい。ま
た、封止材３２は、シール材３１の注入口を介して液晶
を真空注入した後に、当該注入口を封止する樹脂性接着
剤等からなる。

【００３９】カラーフィルタ２３は、青色光、緑色光及
び赤色光を画素毎に夫々透過する色材膜と共に各画素の
境界にブラックマスク或いはブラックマトリクスと称さ
れる遮光膜が形成されて各画素間の混色を防止するよう
に構成されたデルタ配列、ストライプ配列、モザイク配
列、トライアングル配列等の公知のカラーフィルタであ
る。また遮光膜は形成されていなくても良い。また図１
及び図２では省略しているが、シール材５２の内側に並
行して、例えばカラーフィルタ２３中の遮光膜と同じ或
いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する
額縁としての遮光膜が設けられてもよい。或いはこのよ
うな額縁は、液晶装置を入れる遮光性のケースの縁によ
り規定してもよい。

【００４０】蛍光管１１９と共にバックライトを構成す
る導光板１１８は、裏面全体に散乱用の粗面が形成さ
れ、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹脂板
などの透明体であり、光源である蛍光管１１９の光を端
面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出するよ
うになっている。

【００４１】ここで、本実施形態における半透過反射電
極板１１の開口部１１ａ（図３参照）の各種具体例につ
いて図４を参照して説明する。

【００４２】図４（ａ）に示すように各画素毎に４つの
矩形スロットを４方に開口部１１ａとして配置してもよ
いし、図４（ｂ）に示すように各画素毎に４つの矩形ス
ロットを横並びに開口部１１ａとして配置してもよい
し、図４（ｃ）示すように各画素毎に多数の円形開口を
開口部１１ａとして離散配置してもよいし、図４（ｄ）
示すように各画素毎に１つの比較的大きな矩形スロット
を開口部１１ａとして配置してもよい。このような開口
部１１ａは、レジストを用いたフォト工程／現像工程／
剥離工程で容易に作製することができる。開口部１１ａ
の平面形状は図示のほかにも、正方形でもよいし、或い
は、多角形、楕円形、不規則形でもよいし、複数の画素
に跨って延びるスリット状でもよい。また、図１に示し
た如きストライプ状の半透過反射電極板１１をパターニ
ングするときに同時に開口部１１ａを開孔することも可
能であり、このようにすれば製造工程数を増やさず済
む。また、いずれの形状であっても、開口部１１ａの径
は、０．０１μｍ以上２０μｍ以下とされ、更に開口部
１１ａは、反射領域Ａ１に対して透過領域Ａ２が５％以
上３０％以下の面積比で形成されるように開口されるの
が好ましい。

【００４３】尚、このような半透過反射電極板１１は、
第２基板２０に垂直な方向から平面的に見て相互に分断
されており相互間隙が透過領域Ａ２となる（即ち、この
間隙に対面する液晶部分を半透過反射電極板１１による
斜め電界にて駆動する）ように構成されてもよい。この
ように構成すれば、装置構成や製造プロセスの複雑化を
招く微細な欠陥部や微細な開口部を多数設けなくても半
透過反射電極板１１を構成できるため、実用上有利であ
り、装置信頼性や製造歩留まりを向上させることも可能
となる。

【００４４】次に、以上の如く構成された第１実施形態
の半透過反射型の液晶装置の動作について図２及び図３
を参照して説明する。

【００４５】先ず反射型表示について説明する。この場
合には、第２基板２０の側から外光Ｌ１が入射すると、
第２基板２０及び液晶層５０を介して、反射領域Ａ１に
おける第１基板１０上に設けられた配向膜１５、第１絶
縁膜１２及び半透過反射電極板１１からなる積層体によ
り多重反射され、再び液晶層５０及び第２基板２０を介
して第２基板２０側から出射される。従って、外部回路
から半透過反射電極板１１及び透明電極２１に、画像信
号及び走査信号を所定タイミングで供給すれば、半透過
反射電極板１１及び透明電極２１が交差する個所におけ
る液晶層５０部分には、行毎又は列毎若しくは画素毎に
電界が順次印加される。これにより液晶層５０の配向状
態を各画素単位で制御することにより、外光Ｌ１を変調
し、階調表示が可能となる。

【００４６】次に透過型表示について説明する。この場
合には、第１基板１０の下側から光源光Ｌ２が入射する
と、透過領域Ａ２（即ち、半透過反射電極板１１の開口
部１１ａ）における第１基板１０上に設けられた第２絶
縁膜１３、第１絶縁膜１２及び配向膜１５を透過し、液
晶層５０及び第２基板２０を介して第２基板２０側から
出射される。従って、外部回路から半透過反射電極板１
１及び透明電極２１に、画像信号及び走査信号を所定タ
イミングで供給すれば、半透過反射電極板１１及び透明
電極２１が交差する個所における液晶層５０部分には、
行毎又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。
これにより液晶層５０の配向状態を各画素単位で制御す
ることにより、光源光Ｌ２を変調し、階調表示が可能と
なる。

【００４７】以上の如く動作する第１実施形態では特
に、図３に示したように反射領域Ａ１において液晶層５
０からの波長５５０ｎｍ付近の外光Ｌ１の入射に対する
半透過反射電極板１１、第１絶縁膜１２及び配向膜１５
からなる積層体の反射率Ｒ１を最適化するように、これ
ら各膜の膜厚及び屈折率が設定される。そして、このよ
うに設定された膜厚及び屈折率を固定した条件下で、透
過領域Ａ２において第１基板１０から液晶層５０へ透過
する波長５５０ｎｍ付近の光源光Ｌ２に対する第２絶縁
膜１３、第１絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体
の透過率Ｔ２を最適化するように、反射領域Ａ１におけ
る外光Ｌ１の反射と無関係である第２絶縁膜１３の膜厚
及び屈折率が設定される。

【００４８】次に、反射領域Ａ１において半透過反射
電極板１１の上に形成される第１絶縁膜１２及び配向膜
１５（合計２層）からなる積層体が液晶層５０に面して
いる系における当該積層体の外光Ｌ１に対する反射率Ｒ
１を求めるシミュレーションと、透過領域Ａ２におい
て第２絶縁膜１３、第１絶縁膜１２及び配向膜１５（合
計３層）からなる積層体が入射側で第１基板１０に面し
ており且つ出射側で液晶層５０に面している系における
当該積層体の光源光Ｌ２に対する透過率Ｔ２を求めるた
めのシミュレーションとについて説明を加える。

【００４９】 反射率Ｒ１を求めるためのシミュレー
ション：ここでは、半透過反射板１１、第１絶縁膜１２
及び配向膜１５からなる積層体が媒質（液晶層５０）中
にあるときの反射率Ｒ１をＲｏｕａｒｄの方法により求
めることにする。

【００５０】先ず、一般に金属膜や半導体膜などの吸収
体の屈折率ｎ^＊は、次式の如く複素数で表される。

【００５１】ｎ^＊＝ｎ−ｉｋ 但し、ｎ、ｋ：吸収体の光学定数 これらの光学定数ｎ、ｋは、各吸収体に固有のものであ
り、波長依存性がある。また、成膜条件によっても変化
する。従って、吸収体並びにその成膜条件が決まれば、
経験的、実験的或いはシミュレーションにより一義的に
定めることができる。ここでは、第１実施形態における
半透過反射電極板１１を構成するアルミニウムについて
の光学定数ｎ、ｋを求めるためのチャートの一例を図５
に示す。

【００５２】図５において、横軸として光の波長（ｎ
ｍ）が示されており、縦軸として光学定数ｎ（左側）及
びｋ（右側）が示されており、実線の曲線が、光学定数
ｎの波長依存性を示す曲線であり、点線の曲線が、光学
定数ｋの波長依存性を示す曲線である。従って、アルミ
ニウムについて、例えば、波長６５０ｎｍ（赤色光）で
あれば、チャート中矢印で示したように、実線の曲線と
波長６５０ｎｍとの交点をたどることにより、ｎ＝１．
３が求まり、例えば、波長７００ｎｍであれば、チャー
ト中矢印で示したように、点線の曲線と波長７００ｎｍ
との交点をたどることにより、ｋ＝６．８が求まるとい
う具合に、図５に示したチャートを用いて任意の光の波
長について光学定数ｎ、ｋを簡単に求めることが出来
る。尚、銀についての光学定数ｎ，ｋも同様にして求め
ることができ、波長５５０ｎｍでの値はｎ＝０．０５５
でｋ＝３．３２である。

【００５３】次に、本実施形態における半透過反射電極
板１１、第１絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体
が液晶層５０に面している系における半透過反射電極板
１１（吸収体）の光学定数をｎ、ｋとし、第１絶縁膜１
２（誘電体）の屈折率をｎ_２とすると共にその膜厚をｄ
_２とし、配向膜１５（誘電体）の屈折率をｎ_１とすると
共にその膜厚をｄ_１とし、液晶層５０の液晶（媒質）の
屈折率をｎ_０とすると、振幅反射率ｒは、次式で表され
る。

【００５４】ｒ＝（ｒ_１＋ｒ_２ｅ^−ｉθ１＋ｒ_３ｅ
^{−ｉ（θ１＋θ２）}＋ｒ_１ｒ_２ｒ_３ｅ^−ｉθ２）／（１
＋ｒ_１ｒ_２ｅ^−ｉθ１＋ｒ_１ｒ_３ｅ^{−ｉ（θ１＋θ２）}
＋ｒ_２ｒ_３ｅ^−ｉθ２） 但し、 ｒ_１＝（ｎ_１−ｎ_０）／（ｎ_１＋ｎ_０） ｒ_２＝（ｎ_２−ｎ_１）／（ｎ_２＋ｎ_１） ｒ_３＝（ｎ−ｎ_２−ｉｋ）／（ｎ＋ｎ_２−ｉｋ） θ_１＝４πｎ_１ｄ_１／λ θ_２＝４πｎ_２ｄ_２／λ 従って、反射領域Ａ１におけるエネルギ反射率Ｒ１（＝
反射率）は、上記振幅反射率ｒに、ｒ_１、ｒ_２、ｒ_３を
代入し、その分母と分子で夫々実数項と虚数項とにまと
めて、その共役複素数を乗じることにより得られる。

【００５５】 透過率Ｔ２を求めるためのシミュレー
ション：この場合には、光源光Ｌ２に対する透過率Ｔ２
の代わりに、先ず透過領域Ａ２において第２絶縁膜１
３、第１絶縁膜１２、配向膜１５（合計３層）からなる
積層体が入射側で第１基板１０に面しており且つ出射側
で液晶層５０に面している系における当該積層体の光源
光Ｌ２に対する反射率Ｒ２とこれら各層の膜厚及び各屈
折率との関係を求めることにする。すると、この反射率
Ｒ２と相補関係にある透過率Ｔ２（＝１−Ｒ２）は直ぐ
に求まる。従って、この透過率Ｔ２（反射率Ｒ２）につ
いても、上述した反射率Ｒ１を求めるためのシミュレー
ションの場合と同様の手法により求めることができる。

【００５６】即ち、ここでは液晶層５０上に設置された
３層（第２絶縁膜１３、第１絶縁膜１２及び配向膜１
５）からなる積層体が媒質（第１基板１０）中にあると
きの反射率Ｒ２をＲｏｕａｒｄの方法により求めること
にする。

【００５７】先ず、上述した反射率Ｒ１を求める際に図
５を参照して説明したのと同様に、第１実施形態におけ
る液晶層５０を構成する液晶についての光学定数ｎ、ｋ
を求める。ここで、液晶層５０は誘電体（吸収が無い）
と見なせるためにｋ＝０とすることができる。このため
液晶層５０の光学定数はｎ（屈折率）のみで決定され
る。

【００５８】次に、透過領域Ａ２で液晶層５０上に配向
膜１５、第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３が積層され
てなる積層体が第１基板１０に面している系における液
晶層５０の光学定数をｎ、ｋ（液晶層５０の屈折率をｎ
とし、ｋ＝０とする）とし、第１基板１０（媒質）の屈
折率をｎ_０とすると、振幅反射率ｒは、次式で表され
る。（但しこの場合には、下層から順に、第２絶縁膜１
３の屈折率をｎ_１とすると共に膜厚をｄ_１とし、第１絶
縁膜１２の屈折率をｎ_２とすると共に膜厚をｄ_２とし、
配向膜１５の屈折率をｎ_３とすると共に膜厚をｄ_３とす
る。） ｒ＝（ｒ_１＋ｒ_ａｅ^−ｉθ１）／（１＋ｒ_１ｒ_ａｅ
^−ｉθ１） 但し、 ｒ_ａ＝（ｒ_２＋ｒ_ｂｅ^−ｉθ２）／（１＋ｒ_２ｒ_ｂｅ
^−ｉθ２） ｒ_ｂ＝（ｒ_３＋ｒ_ｃｅ^−ｉθ３）／（１＋ｒ_３ｒ_ｃｅ
^−ｉθ３） ｒ_１＝（ｎ_１−ｎ_０）／（ｎ_１＋ｎ_０） ｒ_２＝（ｎ_２−ｎ_１）／（ｎ_２＋ｎ_１） ｒ_３＝（ｎ_３−ｎ_２）／（ｎ_３＋ｎ_２） ｒ_４＝（ｎ−ｎ_３−ｉｋ）／（ｎ＋ｎ_３−ｉｋ） θ_１＝４πｎ_１ｄ_１／λ θ_２＝４πｎ_２ｄ_２／λ θ_３＝４πｎ_３ｄ_３／λ 従って、エネルギ反射率Ｒ２（＝反射率）は、各膜の屈
折率及び膜厚を代入して上記θ_１〜θ_３及びｒ_１〜ｒ_４
を先ず計算し、次にこれらの値を代入してｒ_ａからｒ_ｂ
の値を順次計算し、次にｒ_１とｒ_ａを代入することによ
りｒを計算し、得られた振幅反射率ｒにｒの共役複素数
を乗じることにより得られる。この結果、透過率Ｔ２
（＝１−Ｒ２）が得られる。

【００５９】以上及びのシミュレーションを用いれ
ば、第１絶縁膜１２及び配向膜１５における反射率Ｒ１
を最適化する（即ち、最も高める）ための各膜厚及び各
屈折率の条件が求まり、この条件下で、反射率Ｒ１に影
響を与えない第２絶縁膜１３における反射率Ｒ２を最適
化する（即ち、最も低める）膜厚及び屈折率の条件が求
まる。

【００６０】以上のようにのシミュレーションにより
求めた反射率Ｒ２と第２絶縁膜１３の膜厚及び屈折率と
の関係を図６から図８に示す。ここでは、人間の視覚上
で感度が高く表示画像の明るさを定める上で重要な緑色
光に対応する波長５５０ｎｍの光に対する積層体の反射
率（Ｒ２）を求めることとし、本シュミレーションの条
件は以下の通りとする。

【００６１】 液晶層５０の屈折率 ＝１．６ 配向膜１５の屈折率 ＝１．６５ 配向膜１５の膜厚 ＝３０．０ｎｍ 配向膜１５の光学膜厚 ＝５０．１ 第１絶縁膜１２の屈折率 ＝１．６０ ：図６の場合 ＝１．５４ ：図７の場合 ＝１．４６ ：図８の場合 第１絶縁膜１２の膜厚 ＝９０．０ｎｍ 第１絶縁膜１２の光学膜厚＝１４４．０：図６の場合 ＝１３８．６：図７の場合 ＝１３１．４：図８の場合 そして第２絶縁膜１３の屈折率を、図６から図８に夫々
示すように、１．２〜２．２まで変化させつつ、第２絶
縁膜１３の膜厚に関しては５０ｎｍ、７５ｎｍ及び１０
０ｎｍの夫々について、反射率Ｒ２をシミュレーション
により求める。

【００６２】図６から図８に示すように、第１絶縁膜１
２の屈折率や膜厚を変化させても、第２絶縁膜１３の屈
折率を変化させることにより、反射率Ｒ２を十分に低く
すること（即ち、透過型表示における透過率Ｔ２を十分
に高くすること）が可能である。

【００６３】特に図６に示すように、第１絶縁膜１２の
屈折率が１．６０であれば、第２絶縁膜１３の膜厚に殆
ど依存することなく、第２絶縁膜１３の屈折率が約１．
５０〜１．６０の範囲で、反射率Ｒ２を極小的に低く抑
えることができる。即ち、第２絶縁膜１３の膜厚を調整
することなく、その屈折率のみを調整することで、反射
率Ｒ２（透過率Ｔ２）の最適化を容易に図れる。

【００６４】また図７に示すように、第１絶縁膜１２の
屈折率が１．５４であれば、やはり第２絶縁膜１３の膜
厚に殆ど依存することなく、第２絶縁膜１３の屈折率が
約１．４５〜１．５５の範囲で、反射率Ｒ２を極小的に
低く抑えることができる。即ち、第２絶縁膜１３の膜厚
を調整することなく、その屈折率のみを調整すること
で、反射率Ｒ２（透過率Ｔ２）の最適化を容易に図れ
る。

【００６５】更に図８に示すように、第１絶縁膜１２の
屈折率が１．４６であれば、反射率Ｒ２の極小値は、第
２絶縁膜１３の膜厚に若干依存するものの、当該極小値
を与える（即ち、反射率Ｒ２を最適化する）第２絶縁膜
１３の屈折率は約１．４０〜１．５０の範囲であり、や
はり最適化する際の第２絶縁膜１３の膜厚依存性は低
い。即ち、第２絶縁膜１３の膜厚を調整することなく、
その屈折率のみを調整することで、実践的な意味におけ
る反射率Ｒ２（透過率Ｔ２）の最適化を容易に図れる。

【００６６】仮に透過領域Ａ２において第２絶縁膜１３
が存在しないとすれば、第１基板１０と第１絶縁膜１２
との界面が存在しているため、反射率Ｒ１を最適化する
ようにこれらの光学特性を設定した場合には、両者間の
屈折率の相違により反射率Ｒ２が高くなってしまう（即
ち、透過率Ｔ２が低くなってしまう）ことも多く、少な
くとも反射率Ｒ２（透過率Ｔ２）も偶然に最適化される
ような可能性は殆どない。しかるに、本実施形態によれ
ば、透過領域Ａ２に第１絶縁膜１２と屈折率の異なる第
２絶縁膜１３を配置することで、反射率Ｒ１と無関係に
第２絶縁膜１３の膜厚や屈折率を調整できるので、反射
率Ｒ２を低める（即ち、透過率Ｔ２を高める）ことが可
能となるのである。

【００６７】本実施形態では、第１絶縁膜１２及び第２
絶縁膜１３は夫々、上述の条件を満たすように、例えば
酸化シリコンを主成分としており、液晶の屈折率１．６
０及び配向膜１５の屈折率１．６５に対して、第１絶縁
膜１２及び第２絶縁膜１３の屈折率は相互に異なり且つ
夫々約１．４〜１．６の範囲内の値とされている。この
ように構成すれば、実用上比較的容易に、反射型表示に
おける波長５５０ｎｍ付近の光に対する反射率Ｒ１を最
も高めると同時に、透過型表示における波長５５０ｎｍ
付近の光に対する透過率Ｔ２を最も高めることができ
る。例えば、酸化シリコン膜の屈折率は、約１．４６で
あり、Ａｌ（アルミニウム）酸化膜の屈折率は、約１．
７であり、ゾルゲル法を用いて両者間にある所望の屈折
率を持つ絶縁膜を第１絶縁膜１２又は第２絶縁膜１３と
して形成可能である。この場合、第１基板１０としては
例えば、屈折率が約１．５４の無アルカリガラス基板或
いは約１．５２〜１．５５のソーダガラスなどを用いれ
ばよい。

【００６８】尚、配向膜１５の膜厚については、配向膜
として良好に機能するように、例えば１０〜８０ｎｍ程
度に設定すればよく、半透過反射電極板１１の膜厚につ
いては、画素電極として良好に機能するように例えば１
０〜３００ｎｍに設定すればよい。

【００６９】以上のように本実施形態によれば、波長５
５０ｎｍ（即ち、人間の視覚上で感度が高く表示画像の
明るさを定める上で重要な緑色光に対応する波長）付近
の光に対する反射型表示における反射率Ｒ１が最適化さ
れており同時に透過型表示における透過率Ｔ２も最適化
されているので、反射型表示時でも透過型表示時でも特
に人間の視覚上で非常に明るい表示が可能とる。

【００７０】しかも本実施形態によれば、第１基板の外
側に設けた反射板により反射する伝統的な液晶装置と比
べて、第１基板１０の上側における半透過反射電極板１
１、第１絶縁膜１２及び配向膜１５からなる積層体によ
る多重反射により外光を反射するので、光路が短くなる
分だけ表示画像における視差が低減され且つ表示画像に
おける明るさも向上する。

【００７１】加えて、仮に第１基板１０上に、第１絶縁
膜１２を介在させることなく、半透過反射電極板１１及
び配向膜１５を形成したのでは、特に、液晶層５０中又
はシール材３１中のギャップ材（スペーサ）より大きな
サイズの導電性の異物が液晶層５０中に混入した場合
に、配向膜１５及び２５を破って、半透過反射電極板１
１と透明電極２１とがショートする、即ち、装置欠陥が
発生する可能性が高い。しかしながら、第１実施形態に
よれば、配向膜１５よりも強度が高い第１絶縁膜１２の
存在により、或いは、配向膜１５と第１絶縁膜１２との
協動によりこのような装置欠陥の発生確率を顕著に低減
し得る。

【００７２】また、第１実施形態では上述のように、第
１絶縁膜１２や第２絶縁膜１３は酸化シリコンを主成分
とし、反射板１４は、アルミニウムを主成分とするの
で、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低コストで反
射率の向上を図れる。但し、反射板１４の主成分を銀や
クロム等の他の金属としても、上述の如き第１実施形態
における効果は得られる。

【００７３】以上説明した第１実施形態では、第１絶縁
膜１２及び第２絶縁膜１３は、好ましくは、平均粒径が
５０ｎｍ以下の無機酸化物粒子を含有する。このように
構成すれば、第１絶縁膜１２上に形成される配向膜１５
との接着性及び第２絶縁膜１３上に形成される第１絶縁
膜１２との接着性が良くなり、比較的容易に当該液晶装
置を製造できると共に装置信頼性を高められる。このよ
うな無機酸化物粒子は、例えば酸化シリコン粒子、酸化
アルミニウム粒子、酸化スズ粒子、酸化インジウム粒子
等からなり、例えばゾルゲル法により、このような無機
酸化物粒子を絶縁膜中に比較的容易に含有させることが
できる。

【００７４】以上説明した第１実施形態では、半透過反
射電極板１１の第１基板１０上の端子領域に引き出され
た端子部及び透明電極２１の第２基板２０上の端子領域
に引き出された端子部には、例えばＴＡＢ（Tape Autom
ated bonding)基板上に実装されており、半透過反射電
極板１１及び透明電極２１に画像信号や走査信号を所定
タイミングで供給するデータ線駆動回路や走査線駆動回
路を含む駆動用ＬＳＩを、異方性導電フィルムを介して
電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。或い
は、シール材３１の外側の第１基板１０又は第２基板２
０上の周辺領域に、このようなデータ線駆動回路や走査
線駆動回路を形成して所謂駆動回路内蔵型の液晶装置と
して構成してもよく、更に、製造途中や出荷時の当該液
晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形
成して所謂周辺回路内蔵型の液晶装置としてもよい。

【００７５】また、第１基板１０や第２基板２０の外面
側には、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｖ
Ａ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dis
persed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノー
マリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別
に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板など
が所定の方向で配置される。更に、第１基板１０又は第
２基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレン
ズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光
効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。
更にまた、第２基板２０上に、何層もの屈折率の相違す
る干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧ
Ｂ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよ
い。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれ
ば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。

【００７６】次に、第１実施形態における偏光板１０
５、位相差板１０６、偏光板１０７及び位相差板１０８
（図２参照）の光学設定について、図９及び図１０を参
照して説明する。

【００７７】第１実施形態では、位相差板１０６により
反射型表示時における光の波長分散に起因する色付きな
どの色調への影響を低減する（即ち、位相差板１０６を
用いて反射型表示時における表示の最適化を図る）と共
に、位相差板１０８により透過型表示時における光の波
長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減する
（即ち、位相差板１０６により反射型表示時における表
示の最適化を図った条件下で、更に、位相差板１０８に
より透過型表示時における表示の最適化を図る）ことが
可能となる。なお、位相差板１０６及び１０８について
は夫々、液晶セルの着色補償、もしくは視角補償により
複数枚位相差板を配置することも可能である。このよう
に位相差板１０６又は１０８として、位相差板を複数枚
用いれば着色補償或いは視覚補償の最適化をより容易に
行える。

【００７８】更にまた、偏光板１０５、位相差板１０
６、液晶層５０及び半透過反射電極板１１における光学
特性を反射型表示時におけるコントラストを高める設定
とすると共に、この条件下で偏光板１０７及び位相差板
１０８における光学特性を透過型表示時におけるコント
ラストを高める設定とすることにより、反射型表示と透
過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性を
得ることができる。例えば、反射型表示時には、外光
が、偏光板１０５を通って直線偏光となり、更に位相差
板１０６及び電圧非印加状態（暗表示状態）にある液晶
層５０部分を通って右円偏光となって半透過反射電極板
１１に達し、ここで反射されて進行方向が逆転すると共
に左円偏光に変換され、再び電圧非印加状態にある液晶
層５０部分を通って直線偏光に変換され、偏光板１０５
で吸収される（即ち、暗くなる）ように偏光板１０５、
位相差板１０６、液晶層５０及び半透過反射電極板１１
における光学特性が設定される。この時、電圧印加状態
（明表示状態）にある液晶層５０部分を通る外光は、液
晶層５０部分を素通りするため、半透過反射電極板１１
で反射されて偏光板１０５から出射される（即ち、明る
くなる）。他方で、透過型表示時には、バックライトか
ら発せられ、偏光板１０７及び位相差板１０８を介して
半透過反射電極板１１の開口部１１ａを透過する光源光
が、上述した反射型表示時における半透過反射電極板１
１で反射される左円偏光と同様な光となるように、偏光
板１０７及び位相差板１０８の光学特性が設定される。
すると、反射型表示時と比べて光源及び光路が異なるに
も拘わらず、透過型表示時における半透過反射電極板１
１の開口部１１ａを透過する光源光は、反射型表示時に
おける半透過反射電極板１１で反射する外光と同様に電
圧非印加状態（暗表示状態）にある液晶層５０部分を通
って直線偏光に変換され、偏光板１０５で吸収される
（即ち、暗くなる）。この時、電圧印加状態（明表示状
態）にある液晶層５０部分を通る光は、液晶層５０部分
を素通りして偏光板１０５から出射される（即ち、明る
くなる）。

【００７９】このように反射型表示と透過型表示とのい
ずれにおいても高いコントラスト特性が得られる偏光板
１０５、位相差板１０６、液晶層５０、半透過反射電極
板１１、偏光板１０７及び位相差板１０８における光学
特性についての二つの具体例を図９及び図１０に示す。
尚、図９及び図１０において夫々、積層された５枚の長
方形は、上から順に偏光板１０５、位相差板１０６、液
晶層５０等を含む液晶セル、位相差板１０８及び偏光板
１０７の各層を示し、各長方形に描いた矢印によって軸
方向を示している。また図９及び図１０に示す例では夫
々、液晶セルの上側の位相差板１０６が２枚の位相差板
からなる（以下、第１位相差板１０６ａ及び第２位相差
板１０６ｂとする）ものとし、更に図１０に示す例で
は、液晶セルの下側の位相差板１０８が２枚の位相差板
からなる（第３位相差板１０８ａ及び第４位相差板１０
８ｂとする）ものとする。

【００８０】図９において、偏光板１０５の吸収軸１３
０１はパネル長手方向に対して左３５．５度である。第
１位相差板１０６ａの遅延軸方向１３０２は、パネル長
手方向に対して左１０２．５度であり、そのリターデー
ションは４５５ｎｍである。第２位相差板１０６ｂの遅
延軸方向１３０３は、パネル長手方向に対して左４８．
５度であり、そのリターデーションは５４４ｎｍであ
る。液晶セルの透明基板２０側の配向膜のラビング方向
１３０４は、パネル長手方向に対して右３７．５度であ
る。液晶セルの透明基板１０側のラビング方向１３０５
は、パネル長手方向に対して左３７．５度である。液晶
は、透明基板２０から透明基板１０に向って左回りに２
５５度ツイストしている。また、液晶の複屈折Δｎとセ
ルギャップｄの積は、０．９０μｍである。位相差板１
０８の遅延軸方向１３０６は、パネル長手方向に対して
右０．５度であり、そのリターデーションは１４０ｎｍ
である。偏光板１０７の吸収軸１３０７はパネル長手方
向に対して左４９．５度である。この条件下では、バッ
クライトから発せられた光は、波長５６０ｎｍの緑色光
が、楕円率が０．８５の楕円偏光の状態で、液晶セル内
に配置された半透過反射電極板１１の開口部１１ａを通
過する。また、その回転方向は右回りであり、偏光板１
０５側から入射し、暗表示状態にある液晶層を通って半
透過反射電極板１１で反射した外光とほぼ同一の偏光状
態となる。よって、この例の如く光学特性を設定すれ
ば、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高い
コントラスト特性が得られる。

【００８１】図１０において、偏光板１０５の吸収軸１
４０１はパネル長手方向に対して左１１０度である。第
１位相差板１０６ａの遅延軸方向１４０２は、パネル長
手方向に対して左１２７．５度であり、そのリターデー
ションは２７０ｎｍである。第２位相差板１０６ｂの遅
延軸方向１４０３は、パネル長手方向に対して左１０度
であり、そのリターデーションは１４０ｎｍである。液
晶セルの透明基板２０側の配向膜のラビング方向１４０
４は、パネル長手方向に対して右５１度である。液晶セ
ルの透明基板１０側のラビング方向１４０５は、パネル
長手方向に対して左５０度である。液晶は、透明基板２
０から透明基板１０に向って右回りに７９度ツイストし
ている。また、液晶の複屈折Δｎとセルギャップｄの積
は、０．２４μｍである。第３位相差板１０８ａの遅延
軸方向１４０６は、パネル長手方向に対して左１００度
であり、そのリターデーションは１４０ｎｍである。第
４位相差板１０８ｂの遅延軸方向１４０７は、パネル長
手方向に対して左３７．５度であり、そのリターデーシ
ョンは２７０ｎｍである。偏光板１０８の吸収軸１４０
８はパネル長手方向に対して左２０度である。この条件
下では、バックライトから発せられた光は、波長５６０
ｎｍの緑色光を中心とする比較的広い波長範囲で、楕円
率が最大０．９６という極めて円偏光に近い楕円偏光の
状態で液晶セル内に配置された半透過反射電極板１１の
開口部１１ａを通過する。またその回転方向は左回りで
あり、偏光板１０５側から入射し、暗表示状態にある液
晶層を通って半透過反射電極板１１で反射した外光とほ
ぼ同一の偏光状態となる。よって、この例の如く光学特
性を設定すれば、反射型表示と透過型表示とのいずれに
おいても高いコントラスト特性が得られる。

【００８２】以上の図９及び図１０を参照して説明した
ように、本発明の液晶装置では、偏光板１０５及び位相
差板１０６並びに偏光板１０７及び位相差板１０８を備
えるので、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいて
も良好な色補償と高いコントラスト特性を得ることが可
能となる。尚、これらの光学特性の設定については、図
９及び図１０に例示したものに限られる訳ではなく、実
験的又は理論的に若しくはシミュレーション等により、
液晶装置の仕様上要求される明るさやコントラスト比に
見合った設定とすることができる。

【００８３】尚、第１及び第２実施形態において、半透
過反射電極板１１の液晶層５０に面する表面を凹凸に構
成して、これらの鏡面感を無くし、散乱面（白色面）に
見せるようにしてもよい。また、凹凸による散乱によっ
て視野角を広げてもよい。この凹凸形状は、半透過反射
電極板１１及び第２絶縁膜１３の下地に感光性のアクリ
ル樹脂等を用いて形成したり、下地の基板自身をフッ酸
によって荒らすこと等によって形成することができる。
尚、半透過反射電極板１１の凹凸表面上に透明な平坦化
膜（絶縁膜）を形成して、液晶層５０に面する表面（配
向膜を形成する表面）を平坦化しておくことが液晶の配
向不良を防ぐ観点から望ましい。

【００８４】（第２実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第２実施形態について、図１１から図１４を参照
して説明する。第２実施形態は、本発明をＴＦＤアクテ
ィブマトリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装置に適
用したものである。

【００８５】先ず、本実施の形態に用いられるＴＦＤ駆
動素子付近における構成について図１１及び図１２を参
照して説明する。ここに、図１１は、ＴＦＤ駆動素子を
画素電極等と共に模式的に示す平面図であり、図１２
は、図１１のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図１２におい
ては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【００８６】図１１及び図１２において、ＴＦＤ駆動素
子４０は、第１基板の他の一例であるＴＦＤアレイ基板
１０’上に形成された第２絶縁膜１３を下地として、そ
の上に形成されており、第２絶縁膜１３の側から順に第
１金属膜４２、絶縁層４４及び第２金属膜４６から構成
され、ＴＦＤ構造或いはＭＩＭ構造を持つ。そして、Ｔ
ＦＤ駆動素子４０の第１金属膜４２は、ＴＦＤアレイ基
板１０’上に形成された走査線６１に接続されており、
第２金属膜４６は、画素電極６２に接続されている。
尚、走査線６１に代えてデータ線（後述する）をＴＦＤ
アレイ基板１０’上に形成し、画素電極６２に接続し
て、走査線６１を対向基板側に設けてもよい。

【００８７】ＴＦＤアレイ基板１０’は、例えばガラ
ス、プラスチックなどの絶縁性及び透明性を有する基板
等からなる。このように本実施形態では、第２絶縁膜１
３は、ＴＦＤ素子４０の下地膜としても機能するが、第
２絶縁膜１３とは異なる下地膜専用の絶縁膜を酸化タン
タル等から形成しても良いし、或いは、ＴＦＤアレイ基
板１０’の表面状態に問題が無ければ、このような下地
膜は省略することも可能である。第１金属膜４２は導電
性の金属薄膜からなり、例えばタンタル単体又はタンタ
ル合金からなる。絶縁膜４４は、例えば化成液中で第１
金属膜４２の表面に陽極酸化により形成された酸化膜か
らなる。第２金属膜４６は導電性の金属薄膜からなり、
例えばクロム単体又はクロム合金からなる。

【００８８】本実施形態では特に、画素電極６２は、第
１実施形態における開口部１１ａ（図４参照）が設けら
れた半透過反射電極板１１と同様に、第２絶縁膜１３上
に形成されており、例えばＡｌ等の反射性且つ導電性の
金属膜からなりスリット又は微細孔などの開口部６２ａ
が設けられている。尚、第２実施形態において、画素電
極６２を各画素領域よりも一回り小さい島状に形成し
て、画素電極６２間の間隙が各画素領域における光透過
領域として機能するように構成してもよい。

【００８９】更に、画素電極６２、ＴＦＤ駆動素子４
０、走査線６１等の液晶に面する側（図中上側表面）に
は、第１実施形態の場合と同様に第１絶縁膜１２が設け
られており、その上に配向膜１５が設けられている。

【００９０】以上、２端子型非線形素子としてＴＦＤ駆
動素子について説明したが、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バリス
タ、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）駆動素子、ＲＤ
（Ring Diode）などの双方向ダイオード特性を有する
２端子型非線形素子を本実施形態の液晶装置に適用可能
である。

【００９１】次に、以上のように構成されたＴＦＤ駆動
素子を備えて構成される第２実施形態であるＴＦＤアク
ティブマトリクス駆動方式の液晶装置の構成及び動作に
ついて図１３及び図１４を参照して説明する。ここに、
図１３は、液晶素子を駆動回路と共に示した等価回路図
であり、図１４は、液晶素子を模式的に示す部分破断斜
視図である。

【００９２】図１３において、ＴＦＤアクティブマトリ
クス駆動方式の液晶装置は、ＴＦＤアレイ基板１０’上
に配列された複数の走査線６１が、Ｙドライバ回路１０
０に接続されており、その対向基板上に配列された複数
のデータ線７１が、Ｘドライバ回路１１０に接続されて
いる。尚、Ｙドライバ回路１００及びＸドライバ回路１
１０は、ＴＦＤアレイ基板１０’又はその対向基板上に
形成されていてもよいし、液晶装置とは独立した外部Ｉ
Ｃから構成され、所定の配線を経て走査線６１やデータ
線７１に接続されてもよい。

【００９３】マトリクス状の各画素領域において、走査
線６１は、ＴＦＤ駆動素子４０の一方の端子に接続され
ており（図１１及び図１２参照）、データ線７１は、液
晶層５０及び画素電極６２を介してＴＦＤ駆動素子４０
の他方の端子に接続されている。従って、各画素領域に
対応する走査線６１に走査信号が供給され、データ線７
１にデータ信号が供給されると、当該画素領域における
ＴＦＤ駆動素子４０がオン状態となり、ＴＦＤ駆動素子
４０を介して、画素電極６２及びデータ線７１間にある
液晶層５０に駆動電圧が印加される。

【００９４】図１４において、液晶装置は、ＴＦＤアレ
イ基板１０’と、これに対向配置される透明な第２基板
（対向基板）２０とを備えている。

【００９５】第２基板２０には、走査線６１と交差する
方向に伸びており短冊状に配列された複数のデータ線７
１が設けられている。データ線７１の下側には、配向膜
２５が設けられている。データ線７１は、例えばＩＴＯ
膜などの透明導電性薄膜からなる。尚、図１４では、光
源、偏光板等の光学要素については省略している。

【００９６】以上説明したように、第２実施形態のＴＦ
Ｄアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置によれば、
画素電極６２とデータ線７１との間で、各画素電極６２
における液晶部分に電界を順次印加することにより、各
液晶部分の配向状態を制御可能となり、各液晶部分を介
して表示光として出射される外光強度や光源光強度を制
御できる。ここで第１実施形態の場合と同様に、各画素
電極６２の反射領域においては、液晶層５０側から順に
配向膜１５、第１絶縁膜１２及び画素電極６２が形成さ
れており、これらの各層における膜厚及び屈折率は、液
晶層５０から入射される外光に対する反射率を最適化す
るように設定されているので、反射型表示時には高い反
射率を得ることが出来る。しかも、透過領域において
は、ＴＦＤアレイ基板１０’側から順に第２絶縁膜１
３、第１絶縁膜１２及び配向膜１５が形成されており、
反射率とは無関係の第２絶縁膜１３を利用して、光源光
に対する透過率を最適化するので、透過型表示時にも高
い透過率を得ることが出来る。特に、ＴＦＤ４０を介し
て各画素電極６２に電力を供給するため、画素電極６２
間におけるクロストークを低減でき、より高品位の画像
表示が可能となる。

【００９７】（第３実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第３実施形態について、図１５から図１７を参照
して説明する。第３実施形態は、本発明をＴＦＴアクテ
ィブマトリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装置に適
用したものである。図１５は、液晶装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路であり、図１６は、デー
タ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基
板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１７
は、図１６のＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１７におい
ては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【００９８】図１５において、第３実施形態のＴＦＴア
クティブマトリクス方式の液晶装置では、画素電極６２
を制御するためのＴＦＴ１３０がマトリクス状に複数形
成されており、画像信号が供給されるデータ線１３５が
ＴＦＴ１３０のソースに電気的に接続されている。デー
タ線１３５に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線１３５同士に対して、グループ毎に供
給するようにしても良い。また、ＴＦＴ１３０のゲート
に走査線１３１が電気的に接続されており、所定のタイ
ミングで、走査線１３１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ
２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成
されている。画素電極６２は、ＴＦＴ１３０のドレイン
に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴ
ＦＴ１３０を一定期間だけそのスイッチを開けることに
より、データ線１３５から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極
６２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ１３０のスイッチが閉
じられた後、対向電極との間で一定期間保持される。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極６２と対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量１７０を付加する。

【００９９】図１６において、ＴＦＴアレイ基板上に
は、マトリクス状の画素電極６２（その輪郭６２ａが図
中点線で示されている）が設けられており、画素電極６
２の縦横の境界に各々沿ってデータ線１３５、走査線１
３１及び容量線１３２が設けられている。データ線１３
５は、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等か
らなる半導体層１ａのうちソース領域に電気的接続され
ている。画素電極６２は、コンタクトホール８を介して
半導体層１ａのうちドレイン領域に電気的接続されてい
る。容量線１３２は、絶縁膜を介して半導体層１ａのう
ちのドレイン領域から延設された第１蓄積容量電極に対
向配置しており、蓄積容量１７０を構成する。また、半
導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャ
ネル領域１ａ’に対向するように走査線１３１が配置さ
れており、走査線１３１はゲート電極として機能する。
このように、走査線１３１とデータ線１３５との交差す
る個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線１３１が
ゲート電極として対向配置されたＴＦＴ１３０が設けら
れている。

【０１００】図１６に示すように、液晶装置は、第１基
板の他の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０”と、こ
れに対向配置される透明な第２基板（対向基板）２０と
を備えている。

【０１０１】本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１
０”に設けられる画素電極６２は、第１実施形態におけ
る開口部１１ａ（図４参照）が設けられた半透過反射電
極板１１と同様に、第２絶縁膜１３上に形成されてお
り、例えばＡｌ等の反射性且つ導電性の金属膜からなり
スリット又は微細孔などの開口部６２ａが設けられてい
る。尚、第３実施形態において、画素電極６２を各画素
領域よりも一回り小さい島状に形成して、画素電極６２
間の間隙が各画素領域における光透過領域として機能す
るように構成してもよい。

【０１０２】画素電極６２、ＴＦＴ１３０等の液晶に面
する側（図中上側表面）には、第１実施形態の場合と同
様に第１絶縁膜１２及び配向膜１５が設けられている。

【０１０３】他方、第２基板２０には、そのほぼ全面に
透明電極の他の一例としての対向電極１２１が設けられ
ており、各画素の非開口領域に、ブラックマスク或いは
ブラックマトリクスと称される第２遮光膜１２２が設け
られている。対向電極１２１の下側には、配向膜２５が
設けられている。

【０１０４】ＴＦＴアレイ基板１０”には、各画素電極
６２に隣接する位置に、各画素電極６２をスイッチング
制御する画素スイッチング用ＴＦＴ１３０が設けられて
いる。

【０１０５】このように画素電極６２と対向電極１２１
とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０”
と第２基板２０との間には、第１実施形態の場合と同様
にシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶
層５０が形成される。

【０１０６】更に、複数の画素スイッチング用ＴＦＴ１
３０の下には、第１層間絶縁膜１１２が設けられてい
る。第１層間絶縁膜１１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の
全面に形成されることにより、ＴＦＴ３０のための下地
膜として機能する。

【０１０７】図１７において、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ１３０は、コンタクトホール５を介してデータ線１３
５に接続されたソース領域、走査線１３１にゲート絶縁
膜を介して対向配置されたチャネル領域１ａ’及びコン
タクトホール８を介して画素電極６２に接続されたドレ
イン領域を含んで構成されている。走査線１３１は、Ａ
ｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜など
の遮光性且つ導電性の薄膜から構成されている。また、
その上には、コンタクトホール５及び８が開孔された第
２層間絶縁膜１１４が形成されており、更に、その上に
は、コンタクトホール８が開孔された第３層間絶縁膜１
１７が形成されている。

【０１０８】画素スイッチング用ＴＦＴ１３０は、ＬＤ
Ｄ構造、オフセット構造、セルフアライン構造等いずれ
の構造のＴＦＴであってもよい。更にシングルゲート構
造の他、デュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴ
ＦＴ１３０を構成してもよい。

【０１０９】以上説明したように、第３実施形態のＴＦ
Ｔアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置によれば、
画素電極６２と対向電極１２１との間で、各画素電極６
２における液晶部分に電界を順次印加することにより、
各液晶部分の配向状態を制御可能となり、各液晶部分を
介して表示光として出射される外光強度又は光源光強度
を制御できる。ここで第１実施形態の場合と同様に、各
画素電極６２の反射領域においては、液晶層５０側から
順に配向膜１５、第１絶縁膜１２及び画素電極６２が形
成されており、これらの各層における膜厚及び屈折率
は、液晶層５０から入射される外光に対する反射率を最
適化するように設定されているので、反射型表示時には
高い反射率を得ることが出来る。しかも、透過領域にお
いては、ＴＦＴアレイ基板１０”側から順に第２絶縁膜
１３、第１絶縁膜１２及び配向膜１５が形成されてお
り、反射率とは無関係の第２絶縁膜１３を利用して、光
源光に対する透過率を最適化するので、透過型表示時に
も高い透過率を得ることが出来る。特に、ＴＦＴ１３０
を介して各画素電極６２に電力を供給するため、画素電
極６２間におけるクロストークを低減でき、より高品位
の画像表示が可能となる。

【０１１０】（第４実施形態）次に、本発明による液晶
装置の第４実施形態について、図１８を参照して説明す
る。第４実施形態は、上述した本発明の第１から第３実
施形態の半透過反射型の液晶装置を適用した各種の電子
機器からなる。

【０１１１】先ず、第１から第３実施形態における液晶
装置を、例えば図１８（ａ）に示すような携帯電話１０
００の表示部１００１に適用すれば、反射型表示時にも
透過型表示時にも明るく高コントラストであり、しかも
視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エ
ネルギ型の携帯電話を実現できる。

【０１１２】また、図１８（ｂ）に示すような腕時計１
１００の表示部１１０１に適用すれば、反射型表示時に
も透過型表示時にも明るく高コントラストであり、しか
も視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省
エネルギ型の腕時計を実現できる。

【０１１３】更に、図１８（ｃ）に示すようなパーソナ
ルコンピュータ（或いは、情報端末）１２００におい
て、キーボード１２０２付きの本体１２０４に開閉自在
に取り付けられるカバー内に設けられる表示画面１２０
６に適用すれば、反射型表示時にも透過型表示時にも明
るく高コントラストであり、しかも視差が殆ど無く高精
細の白黒又はカラー表示を行う省エネルギ型の省エネル
ギ型のパーソナルコンピュータを実現できる。

【０１１４】以上図１８に示した電子機器の他にも、液
晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデ
オテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワー
クステーション（ＥＷＳ）、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、第１
から第３実施形態の半透過反射型の液晶装置を適用可能
である。

【０１１５】尚、本発明は、以上説明した実施形態に限
るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で実施形
態を適宜変更して実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態であるパッシブマトリク
ス駆動方式の液晶装置を、対向基板上に形成されるカラ
ーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見た様子
を示す図式的平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’断面をカラーフィルタを含めて
示す液晶装置の図式的断面図である。

【図３】図２に示された半透過反射電極板付近における
外光を反射し且つ光源光を透過する構成を拡大して示す
図式的拡大断面図である。

【図４】第１実施形態の半透過反射電極板に設けられる
開口部に係る各種具体例を示す拡大平面図である。

【図５】第１実施形態における半透過反射電極板を構成
するアルミニウムについての光学定数ｎ、ｋを求めるた
めのチャートの一例を示す特性図である。

【図６】第１実施形態においてシュミレーションで得ら
れる、透過領域における反射率と第２絶縁膜の膜厚及び
屈折率との関係を示す特性図（その１）である。

【図７】第１実施形態においてシュミレーションで得ら
れる、透過領域における反射率と第２絶縁膜の膜厚及び
屈折率との関係を示す特性図（その２）である。

【図８】第１実施形態においてシュミレーションで得ら
れる、透過領域における反射率と第２絶縁膜の膜厚及び
屈折率との関係を示す特性図（その３）である。

【図９】第１実施形態において好適な光学特性の設定パ
ターンの一例を示す概念図である。

【図１０】第１実施形態において好適な光学特性の設定
パターンの他の例を示す概念図である。

【図１１】本発明の第２実施形態であるＴＦＤアクティ
ブマトリクス駆動方式の液晶装置に用いられるＴＦＤ駆
動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図である。

【図１２】図１１のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１３】第２実施形態の液晶装置の画素部の等価回路
を周辺駆動回路と共に示す等価回路図である。

【図１４】第２実施形態の液晶装置を模式的に示す部分
破断斜視図である。

【図１５】本発明の第３実施形態であるＴＦＴアクティ
ブマトリクス駆動方式の液晶装置の画素部の等価回路図
である。

【図１６】第３実施形態の液晶装置の画素部の平面図で
ある。

【図１７】図１６のＣ−Ｃ’断面図である。

【図１８】本発明の第４実施形態である各種電子機器の
外観図である。

【符号の説明】

１０…第１基板 １１…半透過反射電極板 １１ａ…開口部 １２…第１絶縁膜 １３…第２絶縁膜 １５…配向膜 ２０…第２基板 ２５…配向膜 ３１…シール材 ３２…封止材

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HA04 HA08 HB03X HB06X HB17X HD04 HD06 HD08 JA06 JA09 LA04 LA06 LA20 2H091 FA08X FA08Z FA15Y FA37Y FB06 FB13 FD08 FD10 GA02 GA06 GA07 GA13 KA01 KA02 LA03 LA17 2H092 GA13 GA15 GA17 JA03 JA24 JB05 JB06 JB07 JB56 KB25 NA01 PA12

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明の第１基板と、 該第１基板に対向配置された透明の第２基板と、 前記第１及び第２基板間に挟持された液晶と、 前記第１基板の前記液晶と反対側に設けられた光源と、 前記第１基板の前記第２基板に対向する側に配置された
   透明の第２絶縁膜と、 該第２絶縁膜上に配置されていると共に前記光源からの
   光を透過する開口部が設けられている反射電極層と、 該反射電極層上に配置された透明の第１絶縁膜と、 該第１絶縁膜上に配置された配向膜とを備えたことを特
   徴とする半透過反射型の液晶装置。
2. 【請求項２】 前記開口部は、前記反射電極層に開けら
   れた複数の貫通穴からなることを特徴とする請求項１に
   記載の半透過反射型の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記反射電極層は、前記第２基板に垂直
   な方向から平面的に見て相互に分断された複数の反射板
   からなり、 前記開口部は、前記複数の反射板の間隙からなることを
   特徴とする請求項１に記載の半透過反射型の液晶装置。
4. 【請求項４】 前記光源と前記第１基板との間に位相差
   板を更に備えたことを特徴とする請求項１から３のいず
   れか一項に記載の半透過反射型の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記液晶側からの波長５５０ｎｍ付近の
   光に対する前記反射電極層、前記第１絶縁膜及び前記配
   向膜からなる積層体の反射率が最も高くなるように前記
   反射電極層、前記第１絶縁膜及び前記配向膜の各膜厚及
   び各屈折率が設定されており、 前記第１基板側からの波長５５０ｎｍ付近の光に対する
   前記第２絶縁膜、前記第１絶縁膜及び前記配向膜からな
   る積層体の透過率が最も高くなるように前記第２絶縁
   膜、前記第１絶縁膜及び前記配向膜の各膜厚及び各屈折
   率が設定されていることを特徴とする請求項１から４の
   いずれか一項に記載の半透過反射型の液晶装置。
6. 【請求項６】 前記第１絶縁膜の屈折率は、１．４〜
   １．６の範囲内に有り、 前記第２絶縁膜の屈折率は、前記第１絶縁膜の屈折率と
   は異なり且つ１．４〜１．６の範囲内に有ることを特徴
   とする請求項５に記載の半透過反射型の液晶装置。
7. 【請求項７】 前記第１及び第２絶縁膜は夫々、酸化シ
   リコンを主成分とすることを特徴とする請求項１から６
   のいずれか一項に記載の半透過反射型の液晶装置。
8. 【請求項８】 請求項１から７のいずれか一項に記載の
   半透過反射型の液晶装置を備えたことを特徴とする電子
   機器。