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JP3229345B2 - 不揮発性ｉｃメモリ - Google Patents

不揮発性ｉｃメモリ

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JP3229345B2
JP3229345B2 JP25960591A JP25960591A JP3229345B2 JP 3229345 B2 JP3229345 B2 JP 3229345B2 JP 25960591 A JP25960591 A JP 25960591A JP 25960591 A JP25960591 A JP 25960591A JP 3229345 B2 JP3229345 B2 JP 3229345B2
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JP25960591A
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▲博▼巳 上野山
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G11C16/105—Circuits or methods for updating contents of nonvolatile memory, especially with 'security' features to ensure reliable replacement, i.e. preventing that old data is lost before new data is reliably written
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、不揮発性ＩＣメモリ
に関し、詳しくは、フラッシュメモリ等の大容量で書き
換え可能な不揮発性メモリでありながら、データの消去
がブロック単位でなければならないために、それを使用
する側への負担の大きいメモリＩＣの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】不揮発性メモリには、書き換え不可能な
マスクＲＯＭと、書き換え可能なＰＲＯＭとがあり、そ
のＰＲＯＭには、消去して書き換え得るＥＰＲＯＭ、さ
らに、電気的に消去して書き換え得るＥＥＰＲＯＭがあ
ることは周知である。このＥＥＰＲＯＭの特徴として
は、比較的多数回（１０〜１０００００程度）の書き換
えに耐えうること、オンボードでの書き換えが可能であ
ること等の長所があり、マイコンを中心とする回路等に
多用されている。
【０００３】しかし、従来から普及しているＥＥＰＲＯ
Ｍは、複数トランジスタ／セル型のものが主流であり、
マスクＲＯＭや紫外線消去ＥＰＲＯＭ等の１トランジス
タ／セル型のものに比べ、容量の面で見劣りしていた。
これに対し、メモリの大容量化は時代の趨勢であり、こ
の短所を解決するものとして、近年、１トランジスタ／
セル型のＥＥＰＲＯＭの代表としていわゆる一括消去が
できるフラッシュメモリの開発が積極的に行われ、現
在、実用の域に至っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、複数トラン
ジスタ／セル型から１トランジスタ／セル型にしたこと
で、容量の問題をクリアできるという効果は得られた
が、その裏返しとして、複数トランジスタ／セル型の構
成に当然に付随する特徴を失うこととなった。具体的に
は、選択トランジスタを持たないため、個別のセルを特
定してそのセルのデータのみを消去することが、実用的
には出来ない。つまり、再書込み等のためにデータを消
去する場合には、ＩＣ内の全メモリセル又はそれが幾つ
かに分割されたブロック毎に、消去が行われなければな
らない。
【０００５】そのため、この種の不揮発性ＩＣメモリの
データの書き換えにあっては、ビット又はワード（通常
４あるいは８ビット）単位では行えず、少なくともブロ
ック（通常数千ビット以上）単位で行わなければならな
い。このことは、不揮発性ＩＣメモリを使用する側への
新たな制約条件を付加することであり、使用する側の選
択の幅を狭めてしまうので、結果としてフラッシュメモ
リの普及の妨げとなり、好ましくない。この発明は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、オ
ンボードで多数回書き換え得る大容量のＥＥＰＲＯＭの
持つ書き換え時の制約条件を克服し、あたかも従来のＲ
ＡＭの如き使用が可能な不揮発性ＩＣメモリを実現する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のこの発明の不揮発性ＩＣメモリの構成は、ブロック単
位でデータの消去をする再書込み可能なＰＲＯＭ領域
と、前記ＰＲＯＭ領域内のブロックの容量以上の容量の
ＲＡＭと、ブロックアドレスを受けて前記ＰＲＯＭ領域
内で前記ブロックアドレスに対応するブロックを選択す
るブロックアドレスデコーダと、ローカルアドレスを受
けて前記選択されたブロック内及び前記ＲＡＭ内で前記
ブロックアドレスに対応する該当個所を選択するローカ
ルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けてそ
れをラッチし保持するアドレスラッチと、外部からのデ
ータを受けてそれをラッチし保持するデータラッチと、
アドレスコントロール手段とリードコントロール手段と
ライトコントロール手段とイレーズコントロール手段と
を有するコントローラとを備えている。そして、前記リ
ードコントロール手段は、前記アドレスコントロール手
段を制御して前記アドレスラッチの保持値に基づいて前
記ＰＲＯＭ領域内の該当個所を選択し、それを読出し、
前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロー
ル手段を制御して前記ＰＲＯＭ領域内で前記アドレスラ
ッチの保持値に対応するブロックのデータを読み出し、
そのデータを前記ＲＡＭに記憶し、前記ＲＡＭの該当個
所を前記データラッチの保持値で更新し、前記イレーズ
コントロール手段によるブロックのデータ消去後に前記
アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラッ
チの保持値に基づいて前記の読出しブロックに前記ＲＡ
Ｍのデータを再書込みし、前記イレーズコントロール手
段は、前記ライトコントロール手段により前記ブロック
から読出されたのデータが前記ＲＡＭに記憶された後に
おける前記ライトコントロール手段の前記データラッチ
の保持値による更新と並行して、データが読出された前
記ブロックのデータを消去するものである。
【０００７】また、この発明の他の不揮発性ＩＣメモリ
の構成は、ブロック単位でデータの消去をする再書込み
可能なＰＲＯＭ領域と、前記ＰＲＯＭ領域内のブロック
の容量以上の容量のＲＡＭと、ブロックアドレスを受け
て前記ＰＲＯＭ領域内で前記ブロックアドレスに対応す
るブロックを選択するブロックアドレスデコーダと、ロ
ーカルアドレスを受けて前記選択されたブロック内及び
前記ＲＡＭ内で前記ローカルアドレスに対応する該当個
所を選択するローカルアドレスデコーダと、外部からの
アドレスを受けてそれをラッチし保持するアドレスラッ
チと、前記アドレスラッチの保持値からのブロックアド
レス相当分を受けてそれをラッチし保持するブロックア
ドレスラッチと、外部からのデータを受けてそれをラッ
チし保持するデータラッチと、アドレスコントロール手
段とリードコントロール手段とライトコントロール手段
とイレーズコントロール手段とを有するコントローラと
を備えている。そして、前記リードコントロール手段
は、前記アドレスコントロール手段を制御して前記ブロ
ックアドレスラッチと前記アドレスラッチの保持値に基
づいて前記ＰＲＯＭ領域内の該当個所を選択し、それを
読出し、前記ライトコントロール手段は、前記リードコ
ントロール手段を制御して前記ＰＲＯＭ領域内で前記ブ
ロックアドレスラッチの保持値に対応するブロックのデ
ータを読み出し、そのデータを前記ＲＡＭに記憶し、前
記ＲＡＭの該当個所を前記データラッチの保持値で更新
し、さらに前記の読出しブロック内への外部からの書込
みデータが有ればそれに応じて前記更新を行い、前記イ
レーズコントロール手段によるブロックのデータ消去後
に前記アドレスコントロール手段を制御して前記ブロッ
クアドレスラッチと前記アドレスラッチの保持値に基づ
いて前記の読出しブロックに前記ＲＡＭのデータを再書
込みし、前記イレーズコントロール手段は、前記ライト
コントロール手段により前記ブロックから読出されたの
データが前記ＲＡＭに記憶された後における前記ライト
コントロール手段の前記データラッチの保持値による更
新と並行して、データが読出された前記ブロックのデー
タを消去するものである。さらに他の発明の構成として
前記ライトコントロール手段は、前記ＲＡＭの該当個所
を前記データラッチの保持値で更新後に、さらに前記外
部からの書込みデータが有る場合においてこの書込デー
タが前記読出しブロックと異なるブロックを対象とする
ときには、ビジー信号を外部に出力するものである。
【０００８】
【作用】このような構成の不揮発性ＩＣメモリにあって
は、ＩＣ内の書き換え対象のＰＲＯＭ領域部が、データ
の書き換えをブロック単位でしかできないので、ワード
単位での書き換えが直接には行えないことは従来通りで
ある。しかし一方では、アドレスラッチとデータラッチ
とを設けたことにより、外部とのアドレスやデータのや
り取りは、あたかも従来のＲＡＭ如く行える。そして、
外部からアドレスとデータを受けた後は、コントローラ
が、該当アドレスに対応するブロックのデータをＲＡＭ
へ読出し、このＲＡＭ上で該当個所を更新し、この更新
のときに同時に読出もとのブロックに記憶されているデ
ータを消去する。その後、ＲＡＭのデータを該当ブロッ
クへ書き戻す。これにより処理効率が向上し、使用上の
サイクルタイムも短くなる。
【０００９】そうすると、ＲＡＭ上で更新された該当個
所以外は従前のデータを保持するから、その結果とし
て、ＰＲＯＭ領域内の対応する該当個所のみが書き換え
られたことと等価となる。よって、外部からビット又は
ワード単位での書き換えができるので、この不揮発性Ｉ
Ｃメモリは、使用に際して、単にサイクルタイムが長い
ということを除き、不揮発性ＲＡＭの如く扱い得る。
【００１０】また、アドレスラッチとデータラッチに加
えブロックアドレスラッチをも設けた構成の不揮発性Ｉ
Ｃメモリにあっては、ＩＣ内の書き換え対象のＰＲＯＭ
領域部がブロック単位でのデータ更新しかできないこと
はやはり従来通りであるが、やはり一方では、アドレス
ラッチとデータラッチとを設けたことにより、外部との
アドレスやデータのやり取りは、あたかも従来のＲＡＭ
如く行える。そして、外部からアドレスとデータを受け
た後は、コントローラが、該当アドレスに対応するブロ
ックのデータをＲＡＭへ読出し、このＲＡＭ上で該当個
所を更新する。このとき更新のときに同時に読出もとの
ブロックに記憶されているデータを消去する。これによ
り処理効率が向上し、使用上のサイクルタイムも短くな
る。ここで、前記の更新にあっては、ブロックアドレス
ラッチが該当するブロックのブロックアドレスを保持す
るので、外部から次のアドレスとデータを受けることが
でき、それが同一ブロック内の更新であれば引き続きＲ
ＡＭ上で高速に処理できる。
【００１１】その後、ＲＡＭのデータを該当ブロックへ
書き戻す。そうすると、ＲＡＭ上で更新された該当個所
以外は従前のデータを保持するから、その結果として、
ＰＲＯＭ領域内の対応する該当個所のみが書き換えられ
たことと等価となる。よって、外部からビット又はワー
ド単位での書き換えができ、しかも、同一ブロック内で
あればそれが高速にできるので、ほとんどの場合サイク
ルタイムが気になることもなく、この不揮発性ＩＣメモ
リは、使用に際して、あたかも不揮発性ＲＡＭの如く扱
い得る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して詳細に説明する。図１は、この発明の不揮発性Ｉ
Ｃメモリの構成を示すブロック図である。この不揮発性
ＩＣメモリ１０は、ＰＲＯＭ領域１、ＲＡＭ領域２、ロ
ーカルアドレスデコーダ３、ブロックアドレスデコーダ
４、コントローラ５、リードコントロール６、イレース
コントロール７、アドレスコントール８、アドレスラッ
チ８ａ、ライトコントロール９を備えるものである。
【００１３】ＰＲＯＭ領域１には、具体例として、ブロ
ック単位でデータの消去ができてその後そこに再書込み
ができる大容量のメモリセルが、配置されている。ＲＡ
Ｍ領域２には、ＰＲＯＭ領域１内の最大のブロックの容
量以上の容量のＲＡＭが、各ブロック内のローカルアド
レスに対応する形で、配置されている。ブロックアドレ
スデコーダ４は、ブロックアドレスＢＡを受けて、ＰＲ
ＯＭ領域１内の対応するブロックを選択する。
【００１４】ローカルアドレスデコーダ３は、ローカル
アドレスＬＡを受けて、ブロックアドレスデコーダ４の
選択したブロック内及びＲＡＭ領域２内であって、ロー
カルアドレスＬＡに対応する該当個所を選択する。アド
レスラッチ８ａは、ＩＣ１０の複数の端子を介して外部
からのアドレスＡを受け、そのアドレスＡをライトイネ
ーブルＷＥのタイミングに従ってラッチし、その値を保
持する。データラッチ９ａは、ＩＣ１０の端子を介して
外部からのデータＤをを受け、そのデータＤをライトイ
ネーブルＷＥのタイミングに従ってラッチし、その値を
保持する。
【００１５】コントローラ５は、ＩＣ１０の端子を介し
て、チップイネーブルＣＥとライトイネーブルＷＥを受
け、出力信号ＲＢにレディ又はビジーを出力して、外部
とのやり取りをＲＡＭの如く行うためのタイミングを図
る。コントローラ５は、さらに、リードコントロール
６、イレースコントロール７、アドレスコントロール
８、ライトコントロール９を有して、ＰＲＯＭ領域１内
であってアドレスラッチ８ａの保持するアドレスＡに対
する該当個所を、データラッチ９ａの保持するデータＤ
により更新するが、この手順を図２のフローチャートを
参照しながら、詳しく説明する。
【００１６】先ず、電源が投入されるとコントローラ５
は作動を開始する（ステップ１０１）が、この状態では
コントローラ５は未だ処理すべきことがないので、出力
信号ＲＢをレディにして待ち状態であることを示し（ス
テップ１０２）、チップイネーブルＣＥを監視すること
で外部からのアクセスを待つ（ステップ１０３）。そし
て、チップイネーブルＣＥを受けると、書き換えの場合
には、さらにライトイネーブルＷＥが送られてくるの
で、そのライトイネーブルＷＥの始端でアドレスＡをア
ドレスラッチ８ａがラッチし、その終端でデータＤをデ
ータラッチ９ａがラッチすることで、外部から書き換え
の情報を受け取る。一方、この情報の処理が終了するま
で、次の情報が送られて来ないように、出力信号ＲＢを
ビジーにしておく（ステップ１０４）。
【００１７】次に、リードコントロール６が起動され、
ＰＲＯＭ領域１内のブロックで、アドレスＡに対応する
ブロックのデータを読み出して、ＲＡＭ領域２へ複写
し、以後の消去と再書込みに備える（ステップ１０
５）。準備ができたところで、イレースコントロール７
が起動されて、前記の該当ブロックのデータを消去する
（ステップ１０６）。このとき処理効率を上げるため
に、できるだけ並行に、ライトコントロール９が働い
て、ＲＡＭ領域２内でのアドレスＡへの該当個所の内容
を、データＤで更新する（ステップ１０７）。
【００１８】その後、ライトコントロール９が働いて、
ＲＡＭ領域２のデータで、前記の該当ブロックのデータ
を更新する（ステップ１０８）。以上の処理により、Ｐ
ＲＯＭ領域１内でのアドレスＡへの該当個所の内容のみ
が、データＤで更新されたので、次の情報を受けるため
にステップ１０２から繰り返す。このように、不揮発性
ＩＣメモリ１０の内部では、複雑な動作を行っている
が、外部からは、従来のＲＡＭにおける標準の信号Ｃ
Ｅ，ＷＥ，ＲＢを用いて、アドレスＡとデータＤを送り
付けるだけで、ワード単位の書き換えができるので、あ
たかもＲＡＭ如く取り扱うことができる。
【００１９】また、上述の実施例の構成に加えて、アド
レスラッチ８ａからブロックアドレスＢＡに相当する部
分を受けてこれをラッチし保持するブロックアドレスラ
ッチ８ｂをも有する構成の他の実施例の動作を、図３の
フローチャートを参照しながら、詳しく説明する。ここ
で、電源の投入（ステップ１０１）から、該当ブロック
のデータのＲＡＭ領域２への複写（ステップ１０５、但
し、図３ではステップ２０５の後半のみ）までは、既に
詳述したので、ここではその説明を割愛する。ただし、
この実施例では、（ステップ２０５の前半において、）
アドレスラッチ８ａが保持するアドレスＡを、ブロック
アドレスラッチ８ｂにも保持させている。
【００２０】そして、準備ができたところで、イレース
コントロール７が働いて、前記の該当ブロックのデータ
を消去する（ステップ１０６）とともに、ライトコント
ロール９が働いて、ＲＡＭ領域２内でのアドレスＡへの
該当個所の内容を、データＤで更新する（ステップ１０
７）。さらに、引き続きチップイネーブルＣＥを受けて
いる場合には（ステップ２１７）、外部からの他の書き
換え情報があるので、コントローラ５は、出力信号ＲＢ
をレディにして外部へ次の情報を要求し、次のライトイ
ネーブルＷＥの始端及び終端で次のアドレス及びデータ
をアドレスラッチ８ａ及びデータラッチ９ａにラッチさ
せる（ステップ２２７）。
【００２１】このとき、ブロックアドレスラッチ８ｂに
は前のアドレスＡが待避されているので、アドレスラッ
チ８ａの保持する次のアドレスと前のアドレスＡとの比
較が可能であり、これらのブロックアドレス部分を比較
することで、同一ブロックに対する更新かどうかが区別
できる（ステップ２３７）。同一ブロックを対象とする
場合には、既に、ＲＡＭ領域２上に準備ができているの
で、（ステップ１０７から繰り返すことで、）高速にデ
ータ更新を繰り返し行う。
【００２２】異なるブロックを対象とする場合には、次
の情報が送られて来ないように、出力信号ＲＢをビジー
にしておく（ステップ２４７）。その後、ライトコント
ロール９が働いて、ＲＡＭ領域２のデータで、前記の該
当ブロックの全データを再書込みにより更新する（ステ
ップ１０８）。以上の処理により、ＰＲＯＭ領域１内で
の該当個所の内容のみが更新されたのであるが、次の情
報を既に受け取っているかどうかに応じて、受け取って
いる場合はそれの処理を継続するためにステップ２０５
から繰り返し、受け取っていない場合には次の情報を受
けるためにステップ１０２から繰り返す。このように、
ブロックアドレスラッチをも有する構成の不揮発性ＩＣ
メモリでは、近接したアドレスに対する書き換えは、通
常のＲＡＭと同等の速度で処理される。
【００２３】なお、データの単なる読出しに関しては、
構成、処理手順ともに、従来例と同様であるので、その
説明は、割愛する。ところで、実施例では、イレースコ
ントロール手段を設けているが、そのわけは、“０”及
び“１”のいづれか一方の値しか書き込めないため予め
一括消去によりブロック内の全データを“０”及び
“１”のいづれか他方の値に揃えてから書込みを行うタ
イプのメモリが普及しているので、これを具体例として
採用している。また、この実施例では各ブロックのサイ
ズが等しい場合を具体例として説明しているが、ブロッ
クのサイズが異なる場合には、ＲＡＭの容量が、最大の
ブロックの容量以上であればよい。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明の不揮発性ＩＣメモリにあっては、内部のＰＲＯＭ
部分の持つ制約条件が外部仕様に与える影響を、ブロッ
ク相当の容量のＲＡＭを介して再書込みを行うことによ
り、ＩＣの内部で吸収することができる。したがって、
ＲＡＭを使用するが如く容易に使用できてオンボードで
多数回書き換え得る大容量の不揮発性ＩＣメモリを実現
することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の不揮発性ＩＣメモリの構成を示すブ
ロック図。
【図２】この発明の一実施例の不揮発性ＩＣメモリにお
ける処理手順を示す。
【図３】この発明の他の実施例の不揮発性ＩＣメモリに
おける処理手順を示す。
【符号の説明】
１…ＰＲＯＭ領域、 ２…ＲＡＭ領域、 ３…ローカルアドレスデコーダ、 ４…ブロックアドレスデコーダ、 ５…コントローラ、 ６…リードコントロール、 ７…イレースコントロール、 ８…アドレスコントール、 ８ａ…アドレスラッチ、 ８ｂ…ブロックアドレスラッチ、 ９…ライトコントロール、 １０…不揮発性ＩＣメモリ、 １０１…電源投入、 １０２…処理、 １０３…判断、 １０４，１０５，１０６，１０７，１０８…処理、 ２０５，２２７，２４７…処理、 ２０８，２１７，２３７…判断。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ブロック単位でデータの消去をする再書込
    み可能なＰＲＯＭ領域を有する不揮発性ＩＣメモリにお
    いて、 前記ＰＲＯＭ領域内のブロックの容量以上の容量のＲＡ
    Ｍと、ブロックアドレスを受けて前記ＰＲＯＭ領域内の
    対応するブロックを選択するブロックアドレスデコーダ
    と、ローカルアドレスを受けて前記選択されたブロック
    内及び前記ＲＡＭ内の対応する該当個所を選択するロー
    カルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けて
    ラッチするアドレスラッチと、外部からのデータを受け
    てラッチするデータラッチと、アドレスコントロール手
    段とリードコントロール手段とライトコントロール手段
    とイレーズコントロール手段とを有するコントローラと
    を備え、 前記リードコントロール手段は、前記アドレスコントロ
    ール手段を制御して前記アドレスラッチの保持値に基づ
    いて前記ＰＲＯＭ領域内の該当個所を選択し、それを読
    出し、 前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロー
    ル手段を制御して前記ＰＲＯＭ領域内で前記アドレスラ
    ッチの保持値に対応するブロックのデータを読み出し、
    そのデータを前記ＲＡＭに記憶し、前記ＲＡＭの該当個
    所を前記データラッチの保持値で更新し、前記イレーズ
    コントロール手段によるブロックのデータ消去後に前記
    アドレスコントロール手段を制御して前記アドレスラッ
    チの保持値に基づいて前記の読出しブロックに前記ＲＡ
    Ｍのデータを再書込みし、 前記イレーズコントロール手段は、前記ライトコントロ
    ール手段により前記ブロックから読出されたのデータが
    前記ＲＡＭに記憶された後における前記ライトコントロ
    ール手段の前記データラッチの保持値による更新と並行
    して、データが読出された前記ブロックのデータを消去
    することを特徴とする不揮発性ＩＣメモリ。
  2. 【請求項２】ブロック単位でデータの消去をする再書込
    み可能なＰＲＯＭ領域を有する不揮発性ＩＣメモリにお
    いて、 前記ＰＲＯＭ領域内のブロックの容量以上の容量のＲＡ
    Ｍと、ブロックアドレスを受けて前記ＰＲＯＭ領域内の
    対応するブロックを選択するブロックアドレスデコーダ
    と、ローカルアドレスを受けて前記選択されたブロック
    内及び前記ＲＡＭ内の対応する該当個所を選択するロー
    カルアドレスデコーダと、外部からのアドレスを受けて
    ラッチするアドレスラッチと、前記アドレスラッチの保
    持値からのブロックアドレス相当分を受けてラッチする
    ブロックアドレスラッチと、外部からのデータを受けて
    ラッチするデータラッチと、アドレスコントロール手段
    とリードコントロール手段とライトコントロール手段と
    イレーズコントロール手段とを有するコントローラとを
    備え、 前記リードコントロール手段は、前記アドレスコントロ
    ール手段を制御して前記ブロックアドレスラッチと前記
    アドレスラッチの保持値に基づいて前記ＰＲＯＭ領域内
    の該当個所を選択し、それを読出し、 前記ライトコントロール手段は、前記リードコントロー
    ル手段を制御して前記ＰＲＯＭ領域内で前記ブロックア
    ドレスラッチの保持値に対応するブロックのデータを読
    み出し、そのデータを前記ＲＡＭに記憶し、前記ＲＡＭ
    の該当個所を前記データラッチの保持値で更新し、さら
    に前記の読出しブロック内への外部からの書込みデータ
    が有ればそれに応じて前記更新を行い、前記イレーズコ
    ントロール手段によるブロックのデータ消去後に前記ア
    ドレスコントロール手段を制御して前記ブロックアドレ
    スラッチと前記アドレスラッチの保持値に基づいて前記
    の読出しブロックに前記ＲＡＭのデータを再書込みし、 前記イレーズコントロール手段は、前記ライトコントロ
    ール手段により前記ブロックから読出されたのデータが
    前記ＲＡＭに記憶された後における前記ライトコントロ
    ール手段の前記データラッチの保持値による更新と並行
    して、データが読出された前記ブロックのデータを消去
    することを特徴とする不揮発性ＩＣメモリ。
  3. 【請求項３】前記ライトコントロール手段は、前記ＲＡ
    Ｍの該当個所を前記データラッチの保持値で更新後に、
    さらに前記外部からの書込みデータが有る場合において
    この書込データが前記読出しブロックと異なるブロック
    を対象とするときには、ビジー信号を外部に出力する請
    求項２記載の不揮発性ＩＣメモリ。
JP25960591A 1991-09-11 1991-09-11 不揮発性ｉｃメモリ Expired - Fee Related JP3229345B2 (ja)

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JP25960591A JP3229345B2 (ja) 1991-09-11 1991-09-11 不揮発性ｉｃメモリ
US07/943,559 US5305276A (en) 1991-09-11 1992-09-11 Non-volatile IC memory

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