JP2861346B2 - 電流ミラー回路 - Google Patents
電流ミラー回路Info
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電流ミラーに関する。さらに詳しくは、バ
イポーラ技術において実現できる低電圧電流ミラーに関
する。
イポーラ技術において実現できる低電圧電流ミラーに関
する。
(従来の技術) 単一の電流ミラー、たとえば第1図に示す単一電流ミ
ラーは、当業によく知られている。しかし、このような
配列は、精度が不十分である場合が多く、特に、2個の
横型pnpトランジスタ4と6のような低ゲイン素子と共
に用いられるときは、精度が低い。電流ミラー素子2の
出力電流I2の、入力電流I1に対する比率は、以下の式で
与えられる: ただし、βはpnpトランジスタの電流ゲインである。こ
のように、小さなβの値に対しては、電流ミラー素子の
精度は低い。
ラーは、当業によく知られている。しかし、このような
配列は、精度が不十分である場合が多く、特に、2個の
横型pnpトランジスタ4と6のような低ゲイン素子と共
に用いられるときは、精度が低い。電流ミラー素子2の
出力電流I2の、入力電流I1に対する比率は、以下の式で
与えられる: ただし、βはpnpトランジスタの電流ゲインである。こ
のように、小さなβの値に対しては、電流ミラー素子の
精度は低い。
この問題を解決するために通常用いられる、2種類の
回路10及び20を、第2a図及び第2b図に示す。しかし、こ
れらの回路は、入力ノードにおいて、2つのベース/エ
ミッタ接合が直列になっているという、大きな欠点を持
っている。たとえば、第2a図のトランジスタ12及び14の
ベース/エミッタ接合は、第1図の電流ミラー素子と比
較して、必要な入力電圧が2倍になる。
回路10及び20を、第2a図及び第2b図に示す。しかし、こ
れらの回路は、入力ノードにおいて、2つのベース/エ
ミッタ接合が直列になっているという、大きな欠点を持
っている。たとえば、第2a図のトランジスタ12及び14の
ベース/エミッタ接合は、第1図の電流ミラー素子と比
較して、必要な入力電圧が2倍になる。
さらに、第2a図の電流ミラー10は、トランジスタ14
を、トランジスタ12及び16のベース電流によってのみバ
イアスさせているので、電流ミラー10はスルー・レート
(slew−rate)の問題が起きる。
を、トランジスタ12及び16のベース電流によってのみバ
イアスさせているので、電流ミラー10はスルー・レート
(slew−rate)の問題が起きる。
(発明の概要) 本発明の目的は、上記の欠点を克服する改良された電
流ミラーを提供することである。
流ミラーを提供することである。
本発明に従った電流ミラー回路は以下の要素から構成
される。
される。
入力ノード; 第1半導体型の第1の電流ミラー素子であって、前記
入力ノードに結合された入力と、出力とを有する第1電
流ミラー素子; 第2の半導体型の第2の電流ミラー素子であって、前
記第1電流ミラー素子の前記出力に結合された入力と、
出力とを有する第2電流ミラー素子; 前記第1半導体型の第3電流ミラー素子であって、前
記第2電流ミラー素子の前記出力に結合された入力と、
前記入力ノードに結合された出力とを有する、第3電流
ミラー素子;および 前記第2電流ミラー素子に結合された出力ノードであ
って、前記第2電流ミラー素子の共通端子内に流れる入
力電流及び出力電流との和を受ける出力ノード。
入力ノードに結合された入力と、出力とを有する第1電
流ミラー素子; 第2の半導体型の第2の電流ミラー素子であって、前
記第1電流ミラー素子の前記出力に結合された入力と、
出力とを有する第2電流ミラー素子; 前記第1半導体型の第3電流ミラー素子であって、前
記第2電流ミラー素子の前記出力に結合された入力と、
前記入力ノードに結合された出力とを有する、第3電流
ミラー素子;および 前記第2電流ミラー素子に結合された出力ノードであ
って、前記第2電流ミラー素子の共通端子内に流れる入
力電流及び出力電流との和を受ける出力ノード。
好適な実施例においては、第1及び第3電流ミラー素
子はpnp型バイポーラ・トランジスタによって構成さ
れ、第2電流ミラー素子はnpn型バイポーラ・トランジ
スタによって構成される。しかし、これらの反対型のト
ランジスタを、各電流ミラー素子に対して用いることが
できる。
子はpnp型バイポーラ・トランジスタによって構成さ
れ、第2電流ミラー素子はnpn型バイポーラ・トランジ
スタによって構成される。しかし、これらの反対型のト
ランジスタを、各電流ミラー素子に対して用いることが
できる。
(実施例) 第3図の電流ミラー回路28は、第1電流ミラー素子3
0、第2電流ミラー素子32及び第3電流ミラー素子34と
によって構成されている。好適な実施例においては、第
1電流ミラー素子30と第3電量ミラー素子34とは、pnp
型であり、第2電流ミラー素子32はnpn型である。
0、第2電流ミラー素子32及び第3電流ミラー素子34と
によって構成されている。好適な実施例においては、第
1電流ミラー素子30と第3電量ミラー素子34とは、pnp
型であり、第2電流ミラー素子32はnpn型である。
第1電流ミラー30は、第1及び第2pnp型トランジスタ
36,38によって構成されている。第1トランジスタ36
は、ダイオードとして結合されている。第1トランジス
タ36のエミッタ電極は、第2トランジスタのエミッタ電
極と共に、正の供給ライン40に結合されており、第1及
び第2トランジスタの両ベース電極は、互いに結合され
ている。第1トランジスタ36のコレクタ電極は、第1電
流ミラー素子30の入力を形成しており、これは入力ノー
ド29に結合されている。また、第2トランジスタ38のコ
レクタ電極は、第1電流ミラー素子30の出力を形成して
おり、これはノード33において第2電流ミラー素子32の
入力に結合されている。
36,38によって構成されている。第1トランジスタ36
は、ダイオードとして結合されている。第1トランジス
タ36のエミッタ電極は、第2トランジスタのエミッタ電
極と共に、正の供給ライン40に結合されており、第1及
び第2トランジスタの両ベース電極は、互いに結合され
ている。第1トランジスタ36のコレクタ電極は、第1電
流ミラー素子30の入力を形成しており、これは入力ノー
ド29に結合されている。また、第2トランジスタ38のコ
レクタ電極は、第1電流ミラー素子30の出力を形成して
おり、これはノード33において第2電流ミラー素子32の
入力に結合されている。
第2電流ミラー素子32は、第3および第4npn型トラン
ジスタ42,44によって構成されている。第3トランジス
タ42は、ダイオードとして結合されている。第3トラン
ジスタ42のエミッタ電極は、第4トランジスタ44のエミ
ッタ電極と共に、出力ノード31に接続されている共通端
子37に結合されている。第3及び第4トランジスタの両
ベース電極は、互いに結合されている。第3トランジス
タ42のコレクタ電極は、第2電流ミラー素子32の入力を
形成しており、第4トランジスタ44のコレクタ電極は、
第2電流ミラー素子32の出力を形成していて、これは、
ノード35において第3電流ミラー素子34の入力に結合さ
れている。
ジスタ42,44によって構成されている。第3トランジス
タ42は、ダイオードとして結合されている。第3トラン
ジスタ42のエミッタ電極は、第4トランジスタ44のエミ
ッタ電極と共に、出力ノード31に接続されている共通端
子37に結合されている。第3及び第4トランジスタの両
ベース電極は、互いに結合されている。第3トランジス
タ42のコレクタ電極は、第2電流ミラー素子32の入力を
形成しており、第4トランジスタ44のコレクタ電極は、
第2電流ミラー素子32の出力を形成していて、これは、
ノード35において第3電流ミラー素子34の入力に結合さ
れている。
第3電流ミラー素子34は、第5及び第6pnp型トランジ
スタ46,48によって構成されている。第5トランジスタ4
6は、ダイオードとして結合されている。第5トランジ
スタ46のエミッタ電極は、第6トランジスタ48のエミッ
タ電極と共に、正の供給ライン40に結合されており、第
5及び第6トランジスタの両ベース電極は、互いに結合
されている。第5トランジスタ46のコレクタ電極は、第
3電流ミラー素子34の入力を形成しており、第6トラン
ジスタ48のコレクタ電極は、第3電流ミラー素子34の出
力を形成していて、これは入力ノード29に結合されてい
る。
スタ46,48によって構成されている。第5トランジスタ4
6は、ダイオードとして結合されている。第5トランジ
スタ46のエミッタ電極は、第6トランジスタ48のエミッ
タ電極と共に、正の供給ライン40に結合されており、第
5及び第6トランジスタの両ベース電極は、互いに結合
されている。第5トランジスタ46のコレクタ電極は、第
3電流ミラー素子34の入力を形成しており、第6トラン
ジスタ48のコレクタ電極は、第3電流ミラー素子34の出
力を形成していて、これは入力ノード29に結合されてい
る。
初歩的な分析により、ミラー素子30,32及び34の電流
ゲインが、それぞれM1,M2及びM3であるとすると、全体
の電流ゲイン、すなわち、回路28の出力電流I2の入力電
流I1に対する比率は、以下の式によって与えられること
がわかる: pnpおよびnpn型電流ミラーのゲインが、それぞれ: であれば、回路の全体的なゲインは: となる。
ゲインが、それぞれM1,M2及びM3であるとすると、全体
の電流ゲイン、すなわち、回路28の出力電流I2の入力電
流I1に対する比率は、以下の式によって与えられること
がわかる: pnpおよびnpn型電流ミラーのゲインが、それぞれ: であれば、回路の全体的なゲインは: となる。
これを配列しなおすと、以下の式が得られる: このように、ゲイン誤差は、単一ミラー(式(1))
に比較すると、以下の式で表される因子だけ低くなる: 第3図を調べると、出力ノード31において印加される
電圧の変動はすべて、トランジスタ38および44とエミッ
タ端子とコレクタ端子との間にのみ現れることがわか
る。第1電流ミラー素子30及び第2電流ミラー素子32の
ゲインM1,M2は結果としてそれぞれ、初期効果により、
出力ノード31に印加される電圧に反応して変調され、そ
の結果、回路は有限な出力インピーダンスを持つように
なる。式(2)を参照して、好適な実施例の場合と同様
に、電流ミラーが均一の公称ゲインを有するとすると
(すなわち、M1,M2,M3=1)、M2の変動は、全体のゲイ
ンに対してはほとんど影響を及ぼさず、全体のゲインを
M1の変動による約1/2だけ変動させることがわかる。そ
れゆえに、回路の出力インピーダンスは、第1電流ミラ
ー素子30のインピーダンスの約2倍になることになる。
第1電流ミラー素子30は、入力電流I1の約1/2の電流で
動作して、第2及び第3電流ミラー素子32及び34も同様
なので、電流ミラー回路28の出力インピーダンスは、第
1図に示される電流ミラー素子2の出力インピーダンス
の約4倍になることになる。
に比較すると、以下の式で表される因子だけ低くなる: 第3図を調べると、出力ノード31において印加される
電圧の変動はすべて、トランジスタ38および44とエミッ
タ端子とコレクタ端子との間にのみ現れることがわか
る。第1電流ミラー素子30及び第2電流ミラー素子32の
ゲインM1,M2は結果としてそれぞれ、初期効果により、
出力ノード31に印加される電圧に反応して変調され、そ
の結果、回路は有限な出力インピーダンスを持つように
なる。式(2)を参照して、好適な実施例の場合と同様
に、電流ミラーが均一の公称ゲインを有するとすると
(すなわち、M1,M2,M3=1)、M2の変動は、全体のゲイ
ンに対してはほとんど影響を及ぼさず、全体のゲインを
M1の変動による約1/2だけ変動させることがわかる。そ
れゆえに、回路の出力インピーダンスは、第1電流ミラ
ー素子30のインピーダンスの約2倍になることになる。
第1電流ミラー素子30は、入力電流I1の約1/2の電流で
動作して、第2及び第3電流ミラー素子32及び34も同様
なので、電流ミラー回路28の出力インピーダンスは、第
1図に示される電流ミラー素子2の出力インピーダンス
の約4倍になることになる。
本発明による電流ミラー回路は、フィードバック・ル
ープの開ループ・ゲインが均一なので、無条件に安定で
ある。さらに、全ての素子が、入力電流の約1/2におい
て動作するために、スルー・レートの問題は起きない。
ープの開ループ・ゲインが均一なので、無条件に安定で
ある。さらに、全ての素子が、入力電流の約1/2におい
て動作するために、スルー・レートの問題は起きない。
まとめると、本発明は、低入力電圧を必要とし、高出
力インピーダンスを有する電流ミラー回路を提供する。
本発明のフィードバック配列により、ゲイン誤差が小さ
くなり、そのために、出力電流が入力電流をさらに正確
に反映する、改良された電流ミラー回路を可能にする。
力インピーダンスを有する電流ミラー回路を提供する。
本発明のフィードバック配列により、ゲイン誤差が小さ
くなり、そのために、出力電流が入力電流をさらに正確
に反映する、改良された電流ミラー回路を可能にする。
本発明は、第1及び第3電流ミラー素子がpnp型で、
第2電流ミラー素子がnpn型である場合の解説がなされ
ているが、pnp型電流ミラーをnpn型電流ミラーに、npn
型電流ミラーをpnp型電流ミラーに置き換えても、本発
明が同様に実現できることを、当業者であれば理解でき
るであろう。
第2電流ミラー素子がnpn型である場合の解説がなされ
ているが、pnp型電流ミラーをnpn型電流ミラーに、npn
型電流ミラーをpnp型電流ミラーに置き換えても、本発
明が同様に実現できることを、当業者であれば理解でき
るであろう。
第1図は、既知の電流ミラー素子回路である。 第2a図及び第2b図は、複雑な従来技術の電流ミラー回路
を示す;および 第3図は、本発明に従った電流ミラー回路を示す。 28……電流ミラー回路、 29,31,33,35……ノード、 30,32,34……電流ミラー素子、 36,38,42,44,46,48……トランジスタ、 37……端子、 40……供給ライン。
を示す;および 第3図は、本発明に従った電流ミラー回路を示す。 28……電流ミラー回路、 29,31,33,35……ノード、 30,32,34……電流ミラー素子、 36,38,42,44,46,48……トランジスタ、 37……端子、 40……供給ライン。
Claims (4)
- 【請求項1】電流ミラー回路であって: 入力ノード; 前記入力ノードに結合された入力と、出力とを有する、
第1半導体型の第1電流ミラー素子; 前記第1電流ミラー素子の前記出力に結合された入力
と、出力とを有する、第2半導体型の第2電流ミラー素
子; 前記第2電流ミラー素子の前記出力に結合された入力
と、前記入力ノードに結合された出力とを有する、前記
第1半導体型の第3電流ミラー素子;および 前記第2電流ミラー素子に結合された出力ノードであっ
て、共通端子内を流れる前記第2電流ミラー素子の入力
と出力電流との和を受ける出力ノード; によって構成されることを特徴とする電流ミラー回路。 - 【請求項2】前記第1電流ミラー素子が共通ベース電極
を有する第1及び第2トランジスタによって構成され、
前記第1トランジスタのコレクタ電極が前記共通ベース
電極に結合しかつ当該第1電流ミラー素子の入力を形成
し、前記第2トランジスタのコレクタ電極が当該第1電
流ミラー素子の出力を形成し、前記第1及び第2トラン
ジスタのエミッタ電極が共に第1基準電位ラインに結合
されている、ところの請求項1記載の電流ミラー回路。 - 【請求項3】前記第2電流ミラー素子が共通ベース電極
を有する第3及び第4トランジスタによって構成され、
前記第3トランジスタのコレクタ電極が前記共通ベース
電極に結合しかつ当該第2電流ミラー素子の入力を形成
し、前記第4トランジスタのコレクタ電極が当該第2電
流ミラー素子の出力を形成し、前記第3及び第4トラン
ジスタのエミッタ電極が前記共通端子に共に結合され、
その共通端子が当該電流ミラー回路の前記出力ノードに
結合されている、ところの請求項1または2記載の電流
ミラー回路。 - 【請求項4】前記第3電流ミラー素子が共通ベース電極
を有する第5及び第6トランジスタによって構成され、
前記第5トランジスタのコレクタ電極が前記共通ベース
電極に結合しかつ当該第3電流ミラー素子の入力を形成
し、前記第6トランジスタのコレクタ電極が当該第3電
流ミラー素子の出力を形成し、前記第5及び第6トラン
ジスタのエミッタ電極が共に第2基準電位ラインに結合
されている、ところの請求項1,2または3記載の電流ミ
ラー回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8921799.6 | 1989-09-27 | ||
GB8921799A GB2236444A (en) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | Current mirror |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03119814A JPH03119814A (ja) | 1991-05-22 |
JP2861346B2 true JP2861346B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=10663682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2255458A Expired - Lifetime JP2861346B2 (ja) | 1989-09-27 | 1990-09-27 | 電流ミラー回路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5057792A (ja) |
EP (1) | EP0419819B1 (ja) |
JP (1) | JP2861346B2 (ja) |
KR (1) | KR940006365B1 (ja) |
DE (1) | DE69001795T2 (ja) |
GB (1) | GB2236444A (ja) |
HK (1) | HK183495A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2684205A1 (fr) * | 1991-11-22 | 1993-05-28 | Thomson Composants Militaires | Miroir de courant a faible erreur de recopie. |
JP2748950B2 (ja) * | 1991-12-25 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | パワーオンリセット回路 |
JP2882163B2 (ja) * | 1992-02-26 | 1999-04-12 | 日本電気株式会社 | 比較器 |
TW236047B (ja) * | 1992-12-21 | 1994-12-11 | Philips Electronics Nv | |
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FR2750515A1 (fr) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Philips Electronics Nv | Generateur de tension de reference regulee en fonction de la temperature |
IT1303950B1 (it) | 1998-10-02 | 2001-03-01 | Magneti Marelli Spa | Motore a scoppio con valvole ad azionamento elettromagnetico . |
US6417702B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-07-09 | Concordia University | Multi-mode current-to-voltage converter |
KR20030002122A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고속 동작을 위한 소오스 폴로우 장치 |
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1989
- 1989-09-27 GB GB8921799A patent/GB2236444A/en not_active Withdrawn
-
1990
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