JP2808480B2 - 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 - Google Patents
液晶カラー表示素子用基板の製造方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は液晶カラー表示素子用基板の製造方法に関
し、特にカラーフィルター上にITO(Indium Tin Oxide:
インジウム チン オキサイド)の電極パターンを形成
した液晶表示素子用基板の製造方法に関するものであ
る。
し、特にカラーフィルター上にITO(Indium Tin Oxide:
インジウム チン オキサイド)の電極パターンを形成
した液晶表示素子用基板の製造方法に関するものであ
る。
[従来の技術] 従来より、カラーフィルターとしては、基板上にゼラ
チン,カゼイン,グリューあるいはポリビニルアルコー
ル等の親水性高分子物質から成る媒染層を設け、その媒
染層を色素で染色して着色層を形成する染色カラーフィ
ルターが知られている。
チン,カゼイン,グリューあるいはポリビニルアルコー
ル等の親水性高分子物質から成る媒染層を設け、その媒
染層を色素で染色して着色層を形成する染色カラーフィ
ルターが知られている。
このような染色法により形成されるカラーフィルター
においては、染色に使用可能な色素の耐熱性が150℃程
度以下と比較的低く、該カラーフィルター熱処理を必要
とする場合、例えばカラーフィルター上にITO等の透明
導電膜を成膜するような場合には使用が困難であった。
においては、染色に使用可能な色素の耐熱性が150℃程
度以下と比較的低く、該カラーフィルター熱処理を必要
とする場合、例えばカラーフィルター上にITO等の透明
導電膜を成膜するような場合には使用が困難であった。
また、カラーフィルター上にITO等を成膜する場合、
カラーフィルターの耐熱性を考慮して低温で成膜される
ことが一般的である。しかしながら、スパッタリング法
等によるITOの成膜を低温下で行なうと、ITOの結晶構造
が特定化することができず、その結果通常のITOのエッ
チング液(例えば、塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−
硝酸系)では極めて長時間のエッチングが必要とされ
る。そのために、ITOの電極パターンの形状を制御する
ことは極めて困難になり、かつ長時間のエッチングの結
果、ITOの下に形成されたカラーフィルター層へのダメ
ージも大きく実用化するのに大きな障壁となっていた。
カラーフィルターの耐熱性を考慮して低温で成膜される
ことが一般的である。しかしながら、スパッタリング法
等によるITOの成膜を低温下で行なうと、ITOの結晶構造
が特定化することができず、その結果通常のITOのエッ
チング液(例えば、塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−
硝酸系)では極めて長時間のエッチングが必要とされ
る。そのために、ITOの電極パターンの形状を制御する
ことは極めて困難になり、かつ長時間のエッチングの結
果、ITOの下に形成されたカラーフィルター層へのダメ
ージも大きく実用化するのに大きな障壁となっていた。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、上記の従来例の持つ欠点、すなわちカラー
フィルターの耐熱性及び低温下でのITOの成膜とエッチ
ング性に対する問題点を解消せしめ、簡便な製造工程に
よりパターンが形成でき、耐熱性にも優れたカラーフィ
ルターを用い、かつ低温下で成膜されたITOを成膜後の
後処理によりエッチング性を良好なものとし、更にはエ
ッチング時に発生するカラーフィルターへのダメージを
解消せしめたカラーフィルター上にITOの電極パターン
を形成した液晶カラー表示素子用基板の製造方法を提供
することを目的とするものである。
フィルターの耐熱性及び低温下でのITOの成膜とエッチ
ング性に対する問題点を解消せしめ、簡便な製造工程に
よりパターンが形成でき、耐熱性にも優れたカラーフィ
ルターを用い、かつ低温下で成膜されたITOを成膜後の
後処理によりエッチング性を良好なものとし、更にはエ
ッチング時に発生するカラーフィルターへのダメージを
解消せしめたカラーフィルター上にITOの電極パターン
を形成した液晶カラー表示素子用基板の製造方法を提供
することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段] 即ち、本発明は、基板上に、フォトリソ工程により感
光性を有する基を分子内に有するポリアミド系樹脂中に
着色材料を分散してなる着色樹脂からなるカラーフィル
ターを形成し、該カラーフィルター上に感光性ポリアミ
ド系樹脂からなる保護層を介してITO膜を成膜した後、
該ITO膜を200〜300℃まで徐加熱し、その温度に一定時
間温度保持した後、徐冷してアフターアニールしてエッ
チング性を良好にし、次いでヨウ化水素酸またはヨウ化
水素酸−塩化第二鉄系のエッチング液によりエッチング
してITOの電極パターンを形成することを特徴とする液
晶カラー表示素子用基板の製造方法である。
光性を有する基を分子内に有するポリアミド系樹脂中に
着色材料を分散してなる着色樹脂からなるカラーフィル
ターを形成し、該カラーフィルター上に感光性ポリアミ
ド系樹脂からなる保護層を介してITO膜を成膜した後、
該ITO膜を200〜300℃まで徐加熱し、その温度に一定時
間温度保持した後、徐冷してアフターアニールしてエッ
チング性を良好にし、次いでヨウ化水素酸またはヨウ化
水素酸−塩化第二鉄系のエッチング液によりエッチング
してITOの電極パターンを形成することを特徴とする液
晶カラー表示素子用基板の製造方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の液晶カラー表示素子用基板の製造方法におい
ては、先ず、基板上にフォトリソ工程により感光性を有
する基を分子内に有するポリアミド系樹脂中に着色材料
を分散してなる着色樹脂からなるカラーフィルターを形
成する。
ては、先ず、基板上にフォトリソ工程により感光性を有
する基を分子内に有するポリアミド系樹脂中に着色材料
を分散してなる着色樹脂からなるカラーフィルターを形
成する。
また、基板には、ガラス等のものを用いることができ
る。
る。
前記の着色樹脂を用いて基板上にフォトリソ工程によ
りカラーフィルターを形成するが、フォトリソ工程は通
常の方法により行なうことができる。
りカラーフィルターを形成するが、フォトリソ工程は通
常の方法により行なうことができる。
次に、上記の様にして形成されたカラーフィルター上
に感光性ポリアミド系樹脂からなる保護層を設け、該保
護層の上にITOを成膜した後、該ITO膜をアフターアニー
ルする。
に感光性ポリアミド系樹脂からなる保護層を設け、該保
護層の上にITOを成膜した後、該ITO膜をアフターアニー
ルする。
本発明においては、カラーフィルターとして耐熱性に
優れた感光性ポリアミド着色樹脂を用いているため、一
般のフォトリソ工程により形成されたカラーフィルター
上に270℃以下、好ましくは250℃以下の温度でITO膜を
スパッタリング法等により成膜することが可能である。
優れた感光性ポリアミド着色樹脂を用いているため、一
般のフォトリソ工程により形成されたカラーフィルター
上に270℃以下、好ましくは250℃以下の温度でITO膜を
スパッタリング法等により成膜することが可能である。
また、本発明におけるITOの成膜条件のように270℃以
下の低温では、ITOの結晶構造は特定し難くアモルファ
スに近い状態で存在しているため、通常のエッチング液
によるエッチングではエッチング時間にばらつきがあり
完全にエッチングを終了させるためには極めて長時間の
エッチングが必要となり、製品の品質を著しく低下させ
ることになる。
下の低温では、ITOの結晶構造は特定し難くアモルファ
スに近い状態で存在しているため、通常のエッチング液
によるエッチングではエッチング時間にばらつきがあり
完全にエッチングを終了させるためには極めて長時間の
エッチングが必要となり、製品の品質を著しく低下させ
ることになる。
しかしながら、本発明では、上記ITOの成膜条件によ
るITO成膜の後、前記ITO成膜済み基板を200〜300℃、好
ましくは250℃まで徐加熱し、さらにその温度に一定時
間保持した後、徐冷してアフターアニールを施すことに
より、極めて良好なエッチング性を持ったITO膜にする
ことができる。
るITO成膜の後、前記ITO成膜済み基板を200〜300℃、好
ましくは250℃まで徐加熱し、さらにその温度に一定時
間保持した後、徐冷してアフターアニールを施すことに
より、極めて良好なエッチング性を持ったITO膜にする
ことができる。
次に、ヨウ化水素酸またはヨウ化水素酸−塩化第二鉄
系のエッチング液によりエッチングして、カラーフィル
ター上にITOの電極パターンを形成することにより液晶
カラー表示素子用基板を得ることができる。
系のエッチング液によりエッチングして、カラーフィル
ター上にITOの電極パターンを形成することにより液晶
カラー表示素子用基板を得ることができる。
本発明におけるエッチング液としては、ヨウ化水素酸
またはヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合液を用い
ており、通常用いられているITOのエッチング液、すな
わち塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−硝酸系と比較し
てITOの電極パターンの形状の制御が容易であり、か
つ、ITO膜の下に形成されている感光性ポリアミド着色
樹脂によるカラーフィルター層へのダメージを取り除
き、極めて良好な形状を持ったITOの電極パターンを高
い歩留まりで製造することを可能とする。
またはヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液の混合液を用い
ており、通常用いられているITOのエッチング液、すな
わち塩酸−塩化第二鉄系、または塩酸−硝酸系と比較し
てITOの電極パターンの形状の制御が容易であり、か
つ、ITO膜の下に形成されている感光性ポリアミド着色
樹脂によるカラーフィルター層へのダメージを取り除
き、極めて良好な形状を持ったITOの電極パターンを高
い歩留まりで製造することを可能とする。
エッチング液のヨウ化水素酸の濃度は55〜58wt%のも
のが好ましい。また、ヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液
の混合物は、容積比でヨウ化水素酸(55〜58wt%):塩
化第二鉄水溶液(35wt%)=2:1〜3:1の混合割合のもが
好ましい。
のが好ましい。また、ヨウ化水素酸と塩化第二鉄水溶液
の混合物は、容積比でヨウ化水素酸(55〜58wt%):塩
化第二鉄水溶液(35wt%)=2:1〜3:1の混合割合のもが
好ましい。
[実施例] 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例1 第1図(a)〜(m)は本発明の液晶カラー表示素子
用基板の製造方法の一実施例を示す工程図である。同図
において、先ず、ガラス基板1上に感光性ポリアミド着
色樹脂の赤,緑,青(PA−1012R,PA−1012G,PA−1012
B、宇部興産社製)を塗布して着色樹脂膜2を形成し
(第2図(a)参照)、フォトリソ工程により約1.5μ
mの膜厚でカラーフィルターパターン赤、緑、青をそれ
ぞれ形成し、この上に感光性ポリアミド樹脂(PA−1000
C 宇部興産社製)の保護層7を約2μmの厚さに積層
した(第1図(a)〜(f)参照)。
用基板の製造方法の一実施例を示す工程図である。同図
において、先ず、ガラス基板1上に感光性ポリアミド着
色樹脂の赤,緑,青(PA−1012R,PA−1012G,PA−1012
B、宇部興産社製)を塗布して着色樹脂膜2を形成し
(第2図(a)参照)、フォトリソ工程により約1.5μ
mの膜厚でカラーフィルターパターン赤、緑、青をそれ
ぞれ形成し、この上に感光性ポリアミド樹脂(PA−1000
C 宇部興産社製)の保護層7を約2μmの厚さに積層
した(第1図(a)〜(f)参照)。
次に、上記カラーフィルターパターン形成済基板にIT
O8を厚さ約1000Åにスパッタリング法により250℃の加
熱温度で成膜した。その後、上記ITO成膜済基板をクリ
ーンオーブに投入し、2時間で250℃まで昇温したの
ち、1時間前記その温度を保持し、4時間徐冷を行った
(アフターアニール処理、第1図(g)参照)。
O8を厚さ約1000Åにスパッタリング法により250℃の加
熱温度で成膜した。その後、上記ITO成膜済基板をクリ
ーンオーブに投入し、2時間で250℃まで昇温したの
ち、1時間前記その温度を保持し、4時間徐冷を行った
(アフターアニール処理、第1図(g)参照)。
このようにして得られたカラーフィルター上のITO膜
付け基板にフォトレジスト9を約1μmの厚さに塗布し
(第1図(h)参照)、所定の電極パターンマスクにて
露光(第1図(i)参照)、現像した(第1図(j)参
照)後、これを遮光下で、40℃のヨウ化水素酸中で2分
間エッチングを行い(第1図(k)参照)、フォトレジ
スト9を剥離してITOの電極パターンを形成した(第1
図(l)〜(m)参照)。
付け基板にフォトレジスト9を約1μmの厚さに塗布し
(第1図(h)参照)、所定の電極パターンマスクにて
露光(第1図(i)参照)、現像した(第1図(j)参
照)後、これを遮光下で、40℃のヨウ化水素酸中で2分
間エッチングを行い(第1図(k)参照)、フォトレジ
スト9を剥離してITOの電極パターンを形成した(第1
図(l)〜(m)参照)。
このようにして形成されたITOの電極パターンは、エ
ッチングによるパターンの細りや形状の不良を招くこと
なく、良好なパターンとして形成され、更には、電極間
の隣接ショートの発生も極めて少なかった。
ッチングによるパターンの細りや形状の不良を招くこと
なく、良好なパターンとして形成され、更には、電極間
の隣接ショートの発生も極めて少なかった。
また、エッチング液としてヨウ化水素酸を用いること
により、ITO膜の下に形成された感光性ポリアミドの着
色樹脂で形成されたカラーフィルターパターンは、全く
ダメージを受けることがなかった。
により、ITO膜の下に形成された感光性ポリアミドの着
色樹脂で形成されたカラーフィルターパターンは、全く
ダメージを受けることがなかった。
実施例2 第1図に示す様に、ガラス基板1上に感光性ポリアミ
ド着色樹脂の赤,緑,青(PA−1012R,PA−1012G,PA−10
12B 宇部興産社製)を塗布し、フォトリソ工程により
約1.5μmの膜厚でカラーフィルターパターン赤、緑、
青をそれぞれ形成し、この上に感光性ポリアミド樹脂
(PA−1000C 宇部興産社製)の保護膜を約2μmの厚
さに積層した(第1図(a)〜(f)参照)。
ド着色樹脂の赤,緑,青(PA−1012R,PA−1012G,PA−10
12B 宇部興産社製)を塗布し、フォトリソ工程により
約1.5μmの膜厚でカラーフィルターパターン赤、緑、
青をそれぞれ形成し、この上に感光性ポリアミド樹脂
(PA−1000C 宇部興産社製)の保護膜を約2μmの厚
さに積層した(第1図(a)〜(f)参照)。
上記カラーフィルターパターン形成済み基板にITOを
約1000Åの厚さにスパッタリング法により250℃の加熱
温度で成膜した。その後、上記ITO成膜済基板をクリー
ンオーブに投入し、2時間で250℃まで昇温したのち、
1時間前記温度を保持し、4時間徐冷を行った(アフタ
ーアニール処理、第1図(g)参照) このようにして得られたカラーフィルター上のITO膜
付け基板にフォトレジスト約1μm塗布(第1図(h)
参照)し、所定の電極パターンマスクにて露光(第1図
(i)参照)、現像した(第1図(j)参照)後、これ
を遮光下、40℃のヨウ化水素酸−塩化第二鉄水溶液の混
合液(塩化第二鉄35wt%水溶液30vol%)で2.5分間エッ
チングを行い(第1図(k)参照)、ITOの電極パター
ンを形成した(第1図(l)〜(m)参照)。
約1000Åの厚さにスパッタリング法により250℃の加熱
温度で成膜した。その後、上記ITO成膜済基板をクリー
ンオーブに投入し、2時間で250℃まで昇温したのち、
1時間前記温度を保持し、4時間徐冷を行った(アフタ
ーアニール処理、第1図(g)参照) このようにして得られたカラーフィルター上のITO膜
付け基板にフォトレジスト約1μm塗布(第1図(h)
参照)し、所定の電極パターンマスクにて露光(第1図
(i)参照)、現像した(第1図(j)参照)後、これ
を遮光下、40℃のヨウ化水素酸−塩化第二鉄水溶液の混
合液(塩化第二鉄35wt%水溶液30vol%)で2.5分間エッ
チングを行い(第1図(k)参照)、ITOの電極パター
ンを形成した(第1図(l)〜(m)参照)。
このようにして形成されたITOの電極パターンはエッ
チングによるパターンの細りや形状の不良を招くことな
く、良好なパターンとして形成され、更には電極間の隣
接ショートの発生も極めて少なかった。
チングによるパターンの細りや形状の不良を招くことな
く、良好なパターンとして形成され、更には電極間の隣
接ショートの発生も極めて少なかった。
また、エッチング液としてヨウ化水素酸−塩化第二鉄
水溶液を用いることによりITO膜の下に形成された感光
性ポリアミドの保護層および感光性ポリアミド着色樹脂
で形成されたカラーフィルターパターンは、全くダメー
ジを受けることがなかった。
水溶液を用いることによりITO膜の下に形成された感光
性ポリアミドの保護層および感光性ポリアミド着色樹脂
で形成されたカラーフィルターパターンは、全くダメー
ジを受けることがなかった。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の製造方法によれば、カ
ラーフィルターとして耐熱性に優れた感光性ポリアミド
着色樹脂を用い、一般的なフォトリソ工程によりパター
ンを形成した後、低温下でITOを成膜し、かつこれをア
フターアニールすることによってITOのエッチング性を
良好なものとし、更にITOのエッチング液としてヨウ化
水素酸またはヨウ化水素酸−塩化第二鉄系のエッチング
液を用いることにより、従来困難であったITOパターン
形状を制御しやすくし、かつITO膜の下に形成された感
光性ポリアミド着色樹脂によるカラーフィルターパター
ンへのダメージを取り除き、極めて信頼性に優れたITO
の電極パターンを形成したカラー表示素子用基板を高歩
留まりで製造することができる効果が得られた。
ラーフィルターとして耐熱性に優れた感光性ポリアミド
着色樹脂を用い、一般的なフォトリソ工程によりパター
ンを形成した後、低温下でITOを成膜し、かつこれをア
フターアニールすることによってITOのエッチング性を
良好なものとし、更にITOのエッチング液としてヨウ化
水素酸またはヨウ化水素酸−塩化第二鉄系のエッチング
液を用いることにより、従来困難であったITOパターン
形状を制御しやすくし、かつITO膜の下に形成された感
光性ポリアミド着色樹脂によるカラーフィルターパター
ンへのダメージを取り除き、極めて信頼性に優れたITO
の電極パターンを形成したカラー表示素子用基板を高歩
留まりで製造することができる効果が得られた。
第1図(a)〜(m)は本発明の液晶カラー表示素子用
基板の製造方法の一実施例を示す工程図である。 1……ガラス基板 2……着色樹脂膜 2a……光硬化部材 3,10……フォトマスク 4,5,6……パターン状着色樹脂層 7……保護層 8……ITO 9……フォトレジスト 11……ヨウ化水素酸またはヨウ化水素酸+塩化第二鉄水
溶液
基板の製造方法の一実施例を示す工程図である。 1……ガラス基板 2……着色樹脂膜 2a……光硬化部材 3,10……フォトマスク 4,5,6……パターン状着色樹脂層 7……保護層 8……ITO 9……フォトレジスト 11……ヨウ化水素酸またはヨウ化水素酸+塩化第二鉄水
溶液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−145529(JP,A) 特開 昭62−55896(JP,A) 特開 昭63−129321(JP,A) 特開 昭63−203757(JP,A) 特開 昭63−213293(JP,A) 特開 平1−259320(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/1343
Claims (2)
- 【請求項1】基板上に、フォトリソ工程により感光性を
有する基を分子内に有するポリアミド系樹脂中に着色材
料を分散してなる着色樹脂からなるカラーフィルターを
形成し、該カラーフィルター上に感光性ポリアミド系樹
脂からなる保護層を介してITO膜を成膜した後、該ITO膜
を200〜300℃まで徐加熱し、その温度に一定時間温度保
持した後、徐冷してアフターアニールしてエッチング性
を良好にし、次いでヨウ化水素酸またはヨウ化水素酸−
塩化第二鉄系のエッチング液によりエッチングしてITO
の電極パターンを形成することを特徴とする液晶カラー
表示素子用基板の製造方法。 - 【請求項2】前記ITO膜を270℃以下の加熱温度にて成膜
する請求項1記載の液晶カラー表示素子用基板の製造方
法。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2187936A JP2808480B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
US07/728,707 US5185059A (en) | 1990-07-18 | 1991-07-11 | Process for producing electrode plate structure for liquid crystal color display device |
KR91012113A KR960008978B1 (en) | 1990-07-18 | 1991-07-16 | Making method of electrode plate structure for liquid crystal color display device |
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