JP2578941B2 - アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非線形抵抗素子を用いたアクティブマトリ
クス液晶表示装置の駆動方法に関する。
クス液晶表示装置の駆動方法に関する。
〔従来の技術〕 近年、ツィスト・ネマティック型（TN型）を中心とし
た液晶表示装置（LCD）の応用が発展し、腕時計や電卓
の分野で大量に用いられている。それに加え、近年、文
字，図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ
始めている。このマトリクス型LCDの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のLCDの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はないので、表示容量を増加させるためにマルチプレッ
クス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選択
画素との各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択
画素の透過率増加と非選択画素の透過率低下というクロ
ストークが生じる。その結果、表示コントラストが著し
く低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も
著しく狭くなる。従って、従来のLCDでは走査本数は、6
0本ぐらいが限界である。このような従来のLCDを、次に
述べるアクティブマトリクスLCDと比較して、単純マト
リクスLCDと称する。
た液晶表示装置（LCD）の応用が発展し、腕時計や電卓
の分野で大量に用いられている。それに加え、近年、文
字，図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ
始めている。このマトリクス型LCDの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のLCDの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はないので、表示容量を増加させるためにマルチプレッ
クス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選択
画素との各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択
画素の透過率増加と非選択画素の透過率低下というクロ
ストークが生じる。その結果、表示コントラストが著し
く低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角も
著しく狭くなる。従って、従来のLCDでは走査本数は、6
0本ぐらいが限界である。このような従来のLCDを、次に
述べるアクティブマトリクスLCDと比較して、単純マト
リクスLCDと称する。
マトリクス型LCDの表示容量を大幅に増加させるため
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置した
アクティブマトリクスLCDが考案されている。これまで
に発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品のスイ
ッチング素子には、アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（TFT）が
多く用いられている。また一方では、製造法及び構造が
比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき、高歩留
り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下TFD
と略す）を用いたアクティブマトリクスLCDも注目され
ている。
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置した
アクティブマトリクスLCDが考案されている。これまで
に発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品のスイ
ッチング素子には、アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（TFT）が
多く用いられている。また一方では、製造法及び構造が
比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき、高歩留
り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下TFD
と略す）を用いたアクティブマトリクスLCDも注目され
ている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスLC
D（以下TFD−LCDと略す）において、一番実用化に近い
と考えられているLCDは、TFDに金属−絶縁体−金属素子
（以下MIM素子又はMIMと略す）を用いたLCDである。TFD
として、MIMの他には、アモルファスSiのpinダイオード
２個を極性逆向きに並列接続したダイオードリング、及
び、同じくpinダイオード２個を極性逆向きに直列接続
したバック・ツー・バック・ダイオードが知られてい
る。
D（以下TFD−LCDと略す）において、一番実用化に近い
と考えられているLCDは、TFDに金属−絶縁体−金属素子
（以下MIM素子又はMIMと略す）を用いたLCDである。TFD
として、MIMの他には、アモルファスSiのpinダイオード
２個を極性逆向きに並列接続したダイオードリング、及
び、同じくpinダイオード２個を極性逆向きに直列接続
したバック・ツー・バック・ダイオードが知られてい
る。
以上のTFDは、全て、回路的には非線形抵抗素子であ
り、素子両端への印加電圧の増加に伴い、電流が非線形
的に急激に増加する。このようなTFDを液晶と直列に接
続することにより、電圧−透過率変化特性の立上りは急
峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
り、素子両端への印加電圧の増加に伴い、電流が非線形
的に急激に増加する。このようなTFDを液晶と直列に接
続することにより、電圧−透過率変化特性の立上りは急
峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
このようなMIMを用いたLCDの従来例は、論文ではディ
・アールバラフ、他、著「ジ・オプティマイゼーション
・オブ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア
・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレック
スド・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・エレク
トロン・デバイシーズ、28巻、６号、頁736−739（1981
年発行）〔D.R.Baraff,et al.,“The Optimization of
Metal−Insulator−Metal Nonlinear Devices for Use
in Multiplexed Liquid Crystal Displays,"IEEE Tran
s.Electron Devices,vol.ED−28,pp.736−739（198
1）〕、及び両角伸治、他、著「250×240画素のラテラ
ルMIM−LCD」テレビジョン学会技術報告（IPD83−８）,
pp39−44,（1983年12月発行）に代表的に示され、特許
公開公報では特開昭52−149090号公報、及び特開昭55−
161273号公報中に代表的に示され、その動作原理につい
ても詳細に述べられている。
・アールバラフ、他、著「ジ・オプティマイゼーション
・オブ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア
・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレック
スド・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・エレク
トロン・デバイシーズ、28巻、６号、頁736−739（1981
年発行）〔D.R.Baraff,et al.,“The Optimization of
Metal−Insulator−Metal Nonlinear Devices for Use
in Multiplexed Liquid Crystal Displays,"IEEE Tran
s.Electron Devices,vol.ED−28,pp.736−739（198
1）〕、及び両角伸治、他、著「250×240画素のラテラ
ルMIM−LCD」テレビジョン学会技術報告（IPD83−８）,
pp39−44,（1983年12月発行）に代表的に示され、特許
公開公報では特開昭52−149090号公報、及び特開昭55−
161273号公報中に代表的に示され、その動作原理につい
ても詳細に述べられている。
MIMにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは、
絶縁体層の材料にタンタル（Ta）又はシリコンの酸化物
又は窒化物が主として用いられるがこれに限定されな
い。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可能で
あるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは、
絶縁体層の材料にタンタル（Ta）又はシリコンの酸化物
又は窒化物が主として用いられるがこれに限定されな
い。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可能で
あるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
非線形抵抗素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、種々
の形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が
知られている。
の形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が
知られている。
Ｉ＝Ａ・Ｖα ここで、Ｉは電流、Ｖは電圧、αは非線形係数、Ａは
比例定数である。既に述べたMIM素子等においては、α
は６以上の値をもつ。
比例定数である。既に述べたMIM素子等においては、α
は６以上の値をもつ。
以上述べたTFD−LCDにおいて、従来は、TN型単純マト
リクスLCDに用いられている駆動法と実質的には同一の
駆動方法が用いられている。従来の駆動方法について
は、エレクトロニクス昭和63年４月号pp42−46に詳述さ
れている。
リクスLCDに用いられている駆動法と実質的には同一の
駆動方法が用いられている。従来の駆動方法について
は、エレクトロニクス昭和63年４月号pp42−46に詳述さ
れている。
第２図は、注目している画素が選択画素であり、デー
タ信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在す
る場合の駆動信号である。走査信号（ａ）、データ信号
（ｂ）は、負・正の各フレームで第１表のような値をと
る。負・正の各１フレームで、１画素の走査を行い、表
示内容を書き込む。アドレス時が各画素への書き込み区
間、非アドレス時が各画素の電荷保持区間である。VDと
VPの比（VD／VP）は通常一定であり、バイアス比とよば
れる。
タ信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在す
る場合の駆動信号である。走査信号（ａ）、データ信号
（ｂ）は、負・正の各フレームで第１表のような値をと
る。負・正の各１フレームで、１画素の走査を行い、表
示内容を書き込む。アドレス時が各画素への書き込み区
間、非アドレス時が各画素の電荷保持区間である。VDと
VPの比（VD／VP）は通常一定であり、バイアス比とよば
れる。
TFD−LCDパネル１画素の等価回路は、第３図のごと
く、非線形抵抗素子13と液晶素子14とが直列に接続さ
れ、データ信号線15と走査信号線16が両端に接続され
る。これが逆でも全く問題ない。
く、非線形抵抗素子13と液晶素子14とが直列に接続さ
れ、データ信号線15と走査信号線16が両端に接続され
る。これが逆でも全く問題ない。
画素印加信号（ｃ）は、（データ信号）−（走査信
号）であり、第２表の値をとる。それに対応して、液晶
電圧（ｄ）が変化し、表示コントラストとなる。理想的
には、非線形素子のＩ−Ｖ特性は、電圧の正負に対して
対称のはずであるが、実際のMIM素子は非対称性が大き
い。即ち、（１）式でαは同じでもＶ＞０の時のＡの値
A+とＶ＜０の時のＡの値A-とは異なりる。A-＞A+の時、
液晶に印加される電圧は、負フレームの方が、絶対値が
大きくなる。液晶のコントラストは、液晶電圧（ｄ）の
実効値で決まるため、このような場合は、画面のチラツ
キ、即ち、フリッカが目につきやすくなる。尚、第２表
中で、非アドレス時の値が、全て〔〕付になっているの
は、データ信号の内容が、選択か、非選択からにより、
画素印加電圧が〔〕内の値をとる、という意味である。
号）であり、第２表の値をとる。それに対応して、液晶
電圧（ｄ）が変化し、表示コントラストとなる。理想的
には、非線形素子のＩ−Ｖ特性は、電圧の正負に対して
対称のはずであるが、実際のMIM素子は非対称性が大き
い。即ち、（１）式でαは同じでもＶ＞０の時のＡの値
A+とＶ＜０の時のＡの値A-とは異なりる。A-＞A+の時、
液晶に印加される電圧は、負フレームの方が、絶対値が
大きくなる。液晶のコントラストは、液晶電圧（ｄ）の
実効値で決まるため、このような場合は、画面のチラツ
キ、即ち、フリッカが目につきやすくなる。尚、第２表
中で、非アドレス時の値が、全て〔〕付になっているの
は、データ信号の内容が、選択か、非選択からにより、
画素印加電圧が〔〕内の値をとる、という意味である。
以上述べたように、従来のTFD−LCDにはフリッカが起
こりやすいという欠点があった。
こりやすいという欠点があった。
また、これを解決する方法として、画素に印加する電
圧を非線形素子の非対称特性に合わせてシフトさせる方
法が、特開昭58−14891号公報、特開昭61−256325号公
報に記載されている。しかし、この方法ではコントラス
ト調整のためには、画素印加電圧調整と同時にバイアス
電圧も変える必要があるため、駆動回路は複雑になり、
コントラスト調整は非常に困難である。
圧を非線形素子の非対称特性に合わせてシフトさせる方
法が、特開昭58−14891号公報、特開昭61−256325号公
報に記載されている。しかし、この方法ではコントラス
ト調整のためには、画素印加電圧調整と同時にバイアス
電圧も変える必要があるため、駆動回路は複雑になり、
コントラスト調整は非常に困難である。
本発明の目的は、フリッカが生じないTFD−LCDの駆動
方法を提供すると同時に、容易にコントラスト調整ので
きる駆動方法を提供することにある。
方法を提供すると同時に、容易にコントラスト調整ので
きる駆動方法を提供することにある。
本発明によれば、非線形抵抗素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置の駆動方法において、バイアス
化を一定に保ち、画素印加電圧をフレームごとに極性が
反転し、かつ、その絶対値の比が表示最適比値に設定さ
れた画素印加電圧とすることを特徴とするアクティブマ
トリクス液晶表示装置の駆動方法が得られる。
マトリクス液晶表示装置の駆動方法において、バイアス
化を一定に保ち、画素印加電圧をフレームごとに極性が
反転し、かつ、その絶対値の比が表示最適比値に設定さ
れた画素印加電圧とすることを特徴とするアクティブマ
トリクス液晶表示装置の駆動方法が得られる。
本発明による駆動方法を第１図に示す。基本的には、
第２図の従来例と同じであるが、負フレームと正フレー
ムとで、走査信号（ａ）とデータ信号（ｂ）の差である
画素印加電圧（ｃ）の絶対値を変えた点が特徴である。
即ち、VPの値は正フレームと負フレームでVPとVP′とに
なり、VDの値はVDとVD′になる。A-＞A+を仮定すると、
VP＞VP′，VD＞VD′と設定すると、正・負フレーム間の
液晶電圧（ｄ）の絶対値は等しくすることが可能にな
る。これらの値は、第３表にまとめてある。
第２図の従来例と同じであるが、負フレームと正フレー
ムとで、走査信号（ａ）とデータ信号（ｂ）の差である
画素印加電圧（ｃ）の絶対値を変えた点が特徴である。
即ち、VPの値は正フレームと負フレームでVPとVP′とに
なり、VDの値はVDとVD′になる。A-＞A+を仮定すると、
VP＞VP′，VD＞VD′と設定すると、正・負フレーム間の
液晶電圧（ｄ）の絶対値は等しくすることが可能にな
る。これらの値は、第３表にまとめてある。
バイアス比は正・負フレームで一定にする（VD／VP＝
VD′／VP′）。
VD′／VP′）。
正・負フレーム間の画素印加電圧の絶対値の比である
VP／VP′，（VP−２VD）／（VP′−２VD′）を各々調整
することにより、フリッカが無くなる比が見つけられ
る。この比を表示最適比値とよぶ。バイアス比が一定の
場合は、VP／VP′を表示最適比値に設定すればよい。
VP／VP′，（VP−２VD）／（VP′−２VD′）を各々調整
することにより、フリッカが無くなる比が見つけられ
る。この比を表示最適比値とよぶ。バイアス比が一定の
場合は、VP／VP′を表示最適比値に設定すればよい。
画素印加電圧（ｃ）は、（データ信号）−（走査信
号）であり、第４表にまとめた。
号）であり、第４表にまとめた。
〔実施例〕 以下、実施例に基づいて説明する。
〔実施例１〕 代表的なMIM−LCDの構造、作製法は以下のとうりであ
る。
る。
まず、下部ガラス基板１上の膜形成、MIM素子の製作
について述べる。第４図において、下部ガラス基板１を
Ta2O5，SiO2等のガラス保護膜２で被覆する。この保護
膜２は、不可欠なものではないので、被覆を省略するこ
ともできる。次にこの上にリード電極３、絶縁体層４を
形成する。
について述べる。第４図において、下部ガラス基板１を
Ta2O5，SiO2等のガラス保護膜２で被覆する。この保護
膜２は、不可欠なものではないので、被覆を省略するこ
ともできる。次にこの上にリード電極３、絶縁体層４を
形成する。
絶縁体層４の窒化シリコンは、種々の方法で形成する
ことが可能であるが、本実施例においては、窒素ガス、
シランガス、水素ガスなどの混合ガスによるプラズマCV
D法を用いて約1000Åに形成した。
ことが可能であるが、本実施例においては、窒素ガス、
シランガス、水素ガスなどの混合ガスによるプラズマCV
D法を用いて約1000Åに形成した。
上部電極５はCrとし、抵抗加熱法により形成し、通常
のフォトリングラフィによりパターン化した。下部透明
電極６は、酸化インジウム−酸化スズ（通称ITO）と
し、マグネティック・スパッタリングにより形成し、通
常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
のフォトリングラフィによりパターン化した。下部透明
電極６は、酸化インジウム−酸化スズ（通称ITO）と
し、マグネティック・スパッタリングにより形成し、通
常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
上部ガラス基板７上の膜形成、パターン化は通常の単
純マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板７は、SiO2等のガラス保護膜８で被覆されてい
るが、この保護膜８は不可欠ではない。上部透明電極９
も、下部透明電極６と同じく酸化インジウム−酸化スズ
であり、マグネティック・スパッタリングにより形成し
通常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
純マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板７は、SiO2等のガラス保護膜８で被覆されてい
るが、この保護膜８は不可欠ではない。上部透明電極９
も、下部透明電極６と同じく酸化インジウム−酸化スズ
であり、マグネティック・スパッタリングにより形成し
通常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
下部ガラス基板１と上部ガラス基板７とは、ガラスフ
ァイバー等のスペーサを介して張り合わされ、通常のエ
ポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は８μｍとし
た。
ァイバー等のスペーサを介して張り合わされ、通常のエ
ポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は８μｍとし
た。
両ガラス基板1,7はラビングにより配向処理をした。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第４図では省略した。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第４図では省略した。
上記のセルに、ツィスト・ネマティック型液晶である
ZLI−1565（メルク製）を注入孔より注入して、液晶層1
0とした。注入孔を接着剤で封止することによりTFD−LC
Dを完成した。
ZLI−1565（メルク製）を注入孔より注入して、液晶層1
0とした。注入孔を接着剤で封止することによりTFD−LC
Dを完成した。
第５図に、下部ガラス基板１上の１画素の素子パター
ンを示す。このように下部透明電極６は、１画素毎に分
離されている。リード電極３は陽極酸化により前面が絶
縁体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画
素に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極
11は、上部電極５と交差しており、この交差部がMIM素
子になっている。
ンを示す。このように下部透明電極６は、１画素毎に分
離されている。リード電極３は陽極酸化により前面が絶
縁体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画
素に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極
11は、上部電極５と交差しており、この交差部がMIM素
子になっている。
第６図に、本実施例TFD−LCDの構造の一部を示す。こ
のように、第５図に示した下部ガラス基板１上の各画素
が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端部で
端子部12を構成している。第４図における上部ガラス基
板７上の上部透明電極９は、図示のように各画素を縦に
つなげた形で帯状に形成されている。この上部透明電極
９の形状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形
状とほぼ同一である。
のように、第５図に示した下部ガラス基板１上の各画素
が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端部で
端子部12を構成している。第４図における上部ガラス基
板７上の上部透明電極９は、図示のように各画素を縦に
つなげた形で帯状に形成されている。この上部透明電極
９の形状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形
状とほぼ同一である。
第６図の構造のパネルに、第３図の電圧印加方法をと
る場合、上部透明電極が走査信号線であり、リード電極
がデータ信号線である。
る場合、上部透明電極が走査信号線であり、リード電極
がデータ信号線である。
第１図に示された本発明の駆動法において、VP＝16V,
VP′＝19V,バイアス比＝９とした駆動波形を、上記パネ
ルに印加することにより、コントラスト比20以上で、ク
ロストークが無く、フリッカも全く無い高コントラスト
の表示が得られた。即ち、この場合、表示最適比値（＝
VP／VP′）は0.842であった。
VP′＝19V,バイアス比＝９とした駆動波形を、上記パネ
ルに印加することにより、コントラスト比20以上で、ク
ロストークが無く、フリッカも全く無い高コントラスト
の表示が得られた。即ち、この場合、表示最適比値（＝
VP／VP′）は0.842であった。
ここで、第１図に示された本発明の駆動法では、走査
信号もデータ信号も、Ｏを中心に信号がふれている（こ
の電圧を中心電圧とよぶ）。しかし、この方法では、正
負両電源が必要であるので、複雑になる。又、通常、TN
型単純マトリクスLCD駆動方法においては、第１図の液
晶印加信号を電位差としては変えないようにして、フレ
ームごとに、走査信号、データ信号各々の中心電圧をか
えることにより、必要な電源の数を減らしている（いわ
ゆる位相差駆動法）。このような方法は、本発明の駆動
方法にも適用可能である。
信号もデータ信号も、Ｏを中心に信号がふれている（こ
の電圧を中心電圧とよぶ）。しかし、この方法では、正
負両電源が必要であるので、複雑になる。又、通常、TN
型単純マトリクスLCD駆動方法においては、第１図の液
晶印加信号を電位差としては変えないようにして、フレ
ームごとに、走査信号、データ信号各々の中心電圧をか
えることにより、必要な電源の数を減らしている（いわ
ゆる位相差駆動法）。このような方法は、本発明の駆動
方法にも適用可能である。
〔実施例２〕 本発明による駆動法に位相差駆動法を適用した場合の
走査信号とデータ信号を第５表に記す。これを、実施例
１のTFT−LCDパネルに印加した場合、VP＝16V,VP′＝19
V,バイアス比＝９の条件で、コントラスト比が20以上
で、クロストークが無く、フリッカも全く無い高コント
ラスト表示が得られた。
走査信号とデータ信号を第５表に記す。これを、実施例
１のTFT−LCDパネルに印加した場合、VP＝16V,VP′＝19
V,バイアス比＝９の条件で、コントラスト比が20以上
で、クロストークが無く、フリッカも全く無い高コント
ラスト表示が得られた。
〔実施例３〕 実施例２の選択画素のデータ信号の時間幅を階調に応
じて変調する方法（即ち、パルス幅変調方式）により、
中間調を実現した。即ち、映像信号を４ビットのA/D変
換により、ディジタル化し、液晶のコントラスト曲線に
合わせてパルス幅を変化させ、16階調を実現した。
じて変調する方法（即ち、パルス幅変調方式）により、
中間調を実現した。即ち、映像信号を４ビットのA/D変
換により、ディジタル化し、液晶のコントラスト曲線に
合わせてパルス幅を変化させ、16階調を実現した。
更にA/D変換のビット数を増加させれば、より高階調
が可能になった。
が可能になった。
尚、上記いずれの実施例においてもVP／VP′の値は液
晶表示装置の画面を見ながら、フリッカが無くなるよう
調整して定めた。
晶表示装置の画面を見ながら、フリッカが無くなるよう
調整して定めた。
本発明の駆動法を用いれば、非対称Ｉ−Ｖ特性の非線
形抵抗素子を用いたTFD−LCDパネルにおいてもフリッカ
の全く無い高コントラストの表示が得られる。
形抵抗素子を用いたTFD−LCDパネルにおいてもフリッカ
の全く無い高コントラストの表示が得られる。
また、本発明の駆動方法は、極性の異なる画素印加電
圧の絶対値の比を、フリッカがなくなるように調整、固
定してあるので、印加電圧を変えてもフリッカは発生し
ない。従って、印加電圧を調整することで容易に各使用
者にあったコントラスト特性にすることができる。これ
に対し、従来からある画素電圧にオフセット電圧を加え
てフリッカ発生を抑制する方法では、画素印加電圧を変
えると同時にバイアス電圧も変える必要があるため、こ
のようなコントラスト調整は困難である。
圧の絶対値の比を、フリッカがなくなるように調整、固
定してあるので、印加電圧を変えてもフリッカは発生し
ない。従って、印加電圧を調整することで容易に各使用
者にあったコントラスト特性にすることができる。これ
に対し、従来からある画素電圧にオフセット電圧を加え
てフリッカ発生を抑制する方法では、画素印加電圧を変
えると同時にバイアス電圧も変える必要があるため、こ
のようなコントラスト調整は困難である。
又、以上の実施例においては、非線形素子に窒化シリ
コン系MIM素子を用いた例のみ述べた。しかし、非線形
素子に他の材料のMIM素子、及び、ダイオード・リング
・、バック・ツー・バック・ダイオードを用いても、ほ
ぼ同じフリッカの無い表示性能が得られた。
コン系MIM素子を用いた例のみ述べた。しかし、非線形
素子に他の材料のMIM素子、及び、ダイオード・リング
・、バック・ツー・バック・ダイオードを用いても、ほ
ぼ同じフリッカの無い表示性能が得られた。
第１図は、本発明による駆動法の一実施例の波形図、第
２図は従来の駆動法の例を示す図、第３図は１画素の等
価回路を示す図、第４図は実施例に用いたMIM−LCDパネ
ルの断面図、第５図は実施例に用いたパネルの１画素の
構造平面図、第６図は実施例に用いたパネル一部分の透
視構造平面図である。 １……下部ガラス基板、2,8……ガラス保護膜、３……
リード電極、４……絶縁体層、５……上部電極、６……
下部透明電極、７……上部ガラス基板、９……上部透明
電極、10……液晶層、11……突起状の電極、12……端子
部、13……非線形抵抗素子、14……液晶素子、15……デ
ータ信号線、16……走査信号線。
２図は従来の駆動法の例を示す図、第３図は１画素の等
価回路を示す図、第４図は実施例に用いたMIM−LCDパネ
ルの断面図、第５図は実施例に用いたパネルの１画素の
構造平面図、第６図は実施例に用いたパネル一部分の透
視構造平面図である。 １……下部ガラス基板、2,8……ガラス保護膜、３……
リード電極、４……絶縁体層、５……上部電極、６……
下部透明電極、７……上部ガラス基板、９……上部透明
電極、10……液晶層、11……突起状の電極、12……端子
部、13……非線形抵抗素子、14……液晶素子、15……デ
ータ信号線、16……走査信号線。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶素子から成る各画素に、非線形抵抗素
子から成るスイッチング素子が直列に設定されているア
クティブマトリクス液晶表示装置の各画素に印加する画
素印加電圧をフレームごとに極性を反転する駆動方法に
おいて、バイアス比を一定に保ち、極性の異なる画素印
加電圧の絶縁値の比が、液晶素子に加わる電圧の絶対値
が各フレーム間で等しくなるように設定されたことを特
徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237034A JP2578941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
| US07/407,429 US5117298A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-14 | Active matrix liquid crystal display with reduced flickers |
| DE68920935T DE68920935T2 (de) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit reduziertem Flimmern. |
| EP89309439A EP0360523B1 (en) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Active matrix liquid crystal display with reduced flicker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237034A JP2578941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283526A JPH0283526A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2578941B2 true JP2578941B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=17009417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237034A Expired - Lifetime JP2578941B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578941B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782166B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-09-06 | セイコー電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814891A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JP2583211B2 (ja) * | 1985-05-10 | 1997-02-19 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237034A patent/JP2578941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0283526A (ja) | 1990-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 Year of fee payment: 11 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |