JP2018107159A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】積層セラミック電子部品を薄型にした場合でも、部品本体内への湿気浸入を極力防止できる積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０のコンデンサ本体１１の第３方向の一面には、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ａ１およびＡ２を有する第１絶縁体層１３-1が設けられ、コンデンサ本体１１の第３方向の他面には、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ａ３およびＡ４を有する第２絶縁体層１３-1が設けられている。【選択図】図３

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電子部品に関する。

積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電子部品、例えば積層セラミックコンデンサは、一般に、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有する略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体に設けられた１対の外部電極とを備えている。外部電極の一方には複数の内部電極層の一部が接続され、外部電極の他方には複数の内部電極層の残部が接続されている。

前掲の積層セラミックコンデンサの実装形態には、回路基板の表面に配置して配線に接続する実装形態の他、回路基板の内部に配置して配線に接続する実装形態があり、とりわけ後者の実装形態では薄型の積層セラミックコンデンサが要求されている（後記特許文献１を参照）。ところが、このような薄型の積層セラミックコンデンサであっても求められている静電容量は概して大きい。

薄型の積層セラミックコンデンサにおいて極力大きな容量を得る方法としては、コンデンサ本体の容量部を構成する内部電極層の厚さと誘電体層の厚さを極力小さくする方法がある。ところが、この方法には技術的限界があるため、容量部の両側に存する誘電体マージン部の厚さを極力小さくする方法が併用されている場合が多い。

しかしながら、前記各誘電体マージン部の厚さを小さくすると、例えば１０μｍ以下にすると、各誘電体マージン部を通じてコンデンサ本体内に湿気が浸入しやすくなるために、この湿気によって内部電極層に腐食を生じて機能障害を生じる懸念が高くなる。すなわち、積層セラミックコンデンサを薄型にする場合には、コンデンサ本体内への湿気浸入を極力防止できる構造的な工夫が必要である。

なお、先に述べた湿気による機能障害は、積層セラミックコンデンサに限らず、内部導体層を有する略直方体状の部品本体に外部電極を設けた積層セラミックインダクタ等の他の積層セラミック電子部品、とりわけ薄型の積層セラミック電子部品においても同様に生じ得る。

特開２０１６−１４９４８７号公報

本発明が解決しようとする課題は、積層セラミック電子部品を薄型にした場合でも、部品本体内への湿気浸入を極力防止できる積層セラミック電子部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミック電子部品は、内部導体層を有する略直方体状の部品本体に外部電極を設けた積層セラミック電子部品であって、前記部品本体の６つの面のうち、相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、前記外部電極は、前記部品本体の第３方向の一面に存する第１部分を有しており、前記部品本体の第３方向の一面には、前記外部電極の第１部分によって覆われた部分を有する絶縁体層が設けられている。

本発明に係る積層セラミック電子部品によれば、積層セラミック電子部品を薄型にした場合でも、部品本体内への湿気浸入を極力防止することができる。

図１は本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの平面図である。 図２は図１に示した積層セラミックコンデンサの側面図である。 図３は図１のＳ１１−Ｓ１１線に沿う断面図である。 図４は図３のＳ１２−Ｓ１２線に沿う断面図である。 図５は図３の要部拡大図である。 図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は図１〜図５に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図７は本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの平面図である。 図８は図７に示した積層セラミックコンデンサの側面図である。 図９は図７のＳ２１−Ｓ２１線に沿う断面図である。 図１０は図８のＳ２２−Ｓ２２線に沿う断面図である。 図１１は図９の要部拡大図である。 図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）は図７〜図１１に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。 図１３は本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサの図１１対応図である。 図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は図１３に示した積層セラミックコンデンサの製造方法例の説明図である。

《第１実施形態》
この第１実施形態は、本発明を積層セラミックコンデンサに適用したものである。まず、図１〜図５を用いて、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の構造について説明する。なお、以下の説明では、便宜上、後述の略直方体状のコンデンサ本体１１の６つの面のうち、相対する２つの面の対向方向（図１の左右方向に相当）を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向（図１の上下方向に相当）を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向（図２の上下方向に相当）を第３方向と表記するとともに、各方向に沿う寸法を第１方向寸法と第２方向寸法と第３方向寸法と表記する。参考までに、図１〜図５の基になっている試作品（積層セラミックコンデンサ）の第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈは、それぞれ１０００μｍと５００μｍと１５０μｍである。

この積層セラミックコンデンサ１０は、略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の第１方向の両端部（図１〜図４の左端部および右端部）それぞれに設けられた外部電極１２の他に、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図２、図３および図５の下面）に設けられた第１絶縁体層１３-1と、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図２、図３および図５の上面）に設けられた第２絶縁体層１３-2とを備えている。

コンデンサ本体１１は、複数の内部電極層１１ａ１が誘電体層１１ａ２を介して積層された容量部１１ａと、容量部１１ａの第３方向の両側に設けられた誘電体マージン部１１ｂとを有している（図３および図５を参照）。複数の内部電極層１１ａ１の一部（図３の上から奇数番目）は外部電極１２の一方（図３の左側の外部電極１２）に接続され、複数の内部電極層１１ａ１の残部（図３の上から偶数番目）は外部電極１２の他方（図３の右側の外部電極１２）に接続されている。なお、図２、図３および図５には、図示の便宜上、計６個の内部電極層１１ａ１を描いているが、内部電極層１１ａ１の数に特段の制限はない。

各内部電極層１１ａ１は、略矩形状の外形を有している。各内部電極層１１ａ１の第１方向寸法Ｌ１ａは、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１よりも小さい（図３および図５を参照）。各内部電極層１１ａ１の｛第１方向寸法Ｌ１−第１方向寸法Ｌ１ａ｝に該当する第１方向寸法Ｌ１ｂの部分は、隣接する内部電極層１１ａ１が対向しない引出部分である。すなわち、各内部電極層１１ａ１はこの引出部分を介して各外部電極１２に接続されている。各内部電極層１１ａ１の第２方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）よりも小さい（図４を参照）。各内部電極層１１ａ１の第３方向寸法（符号省略）は、例えば０．３〜３μｍの範囲内で設定されている。

各誘電体層１１ａ２は、略矩形状の外形を有している。各誘電体層１１ａ２の第１方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１と略同じである（図３および図５を参照）。各誘電体層１１ａ２の第２方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）と略同じである（図４を参照）。各誘電体層１１ａ２の第３方向寸法（符号省略）は、例えば０．３〜３μｍの範囲内で設定されている。

各誘電体マージン部１１ｂは、略矩形状の外形を有している。各誘電体マージン部１１ｂの第１方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１と略同じである（図３および図５を参照）。各誘電体マージン部１１ｂの第２方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）と略同じである。各誘電体マージン部１１ｂの第３方向寸法（符号省略）は、例えば５〜１０μｍの範囲内で設定されている。

各内部電極層１１ａ１の主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料である。各誘電体層１１ａ２の主成分と各誘電体マージン部１１ｂの主成分、すなわち、コンデンサ本体１１の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等の誘電体材料（誘電体セラミック材料）である。なお、各誘電体層１１ａ２の主成分と各誘電体マージン部１１ｂの主成分は同じであってもよいし、異なっていてもよい。

各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の第１方向の一面（図３および図４の左面）または第１方向の他面（図３および図４の右面）に存する基礎部分１２ａと、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図３の下面）に存する第１部分１２ｂと、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図３の上面）に存する第２部分１２ｃと、コンデンサ本体１１の第２方向の一面（図４の下面）に存する第３部分１２ｄと、コンデンサ本体１１の第２方向の他面（図４の上面）に存する第４部分１２ｅとを連続して有している（図３〜図５を参照）。各外部電極１２の第１部分１２ｂ〜第４部分１２ｅの第１方向寸法Ｌ２は、例えば積層セラミックコンデンサ１０の第１方向寸法Ｌの１／５〜２／５の範囲内で設定されている。各外部電極１２の基礎部分１２ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１と、第３部分１２ｄおよび第４部分１２ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば３〜３０μｍの範囲内で設定されている。

各外部電極１２は、図３〜図５から分かるように、下地導体膜１４と、下地導体膜１４を覆う表面導体膜１５とから構成されている。

各下地導体膜１４は、コンデンサ本体１１の第１方向の一面（図３および図４の左面）または第１方向の他面（図３および図４の右面）に密着した基礎部分１４ａと、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図３の下面）に密着した第１部分１４ｂと、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図３の上面）に密着した第２部分１４ｃと、コンデンサ本体１１の第２方向の一面（図４の下面）に密着した第３部分１４ｄと、コンデンサ本体１１の第２方向の他面（図４の上面）に密着した第４部分１４ｅとを連続して有している（図３〜図５を参照）。各下地導体膜１４の基礎部分１４ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃの第３方向寸法ｔ１ａと、第３部分１４ｄおよび第４部分１４ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば２〜１５μｍの範囲内で設定されている。

各表面導体膜１５は、各下地導体膜１４の基礎部分１４ａの表面に密着した基礎部分１５ａと、各下地導体膜１４の第１部分１４ｂの表面に密着した第１部分１５ｂと、各下地導体膜１４の第２部分１４ｃの表面に密着した第２部分１５ｃと、各下地導体膜１４の第３部分１４ｄの表面に密着した第３部分１５ｄと、各下地導体膜１４の第４部分１４ｅの表面に密着した第４部分１５ｅとを連続して有している（図３〜図５を参照）。各表面導体膜１５の基礎部分１５ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１５ｂおよび第２部分１５ｃの第３方向寸法ｔ１ｂと、第３部分１５ｄおよび第４部分１５ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。

各下地導体膜１４の主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料である。また、各表面導体膜１５の主成分は、例えば銅、ニッケル、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等の金属材料である。なお、図３〜図５には、図示の便宜上、各外部電極１２として下地導体膜１４と表面導体膜１５とから構成されたものを描いたが、下地導体膜１４と表面導体膜１５との間に主成分が異なる１以上の中間導体膜を介在させた構成を各外部電極１２に採用してもよい。また、各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面に現れる凹凸を２μｍ未満になるようにして表面平坦性を高めれば、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板（図示省略）の内部に配置して配線に接続するときに、配線側のビア導体と各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面との接合を良好に行うことができるとともに、回路基板（図示省略）の内部に積層セラミックコンデンサ１０を配置した後にレーザー加工によって前記ビア導体用のスルーホールを形成するときに、各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面に現れる凹凸の影響を受けることなく、当該スルーホールの形成を良好に行うことができる。

第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2は、略矩形状の外形を有している。第１絶縁体層１３-1の第１方向寸法Ｌ３は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１よりも小さく、かつ、各外部電極１２の第１部分１２ｂの第１方向の相互間隔ＩＮよりも大きい（図３および図５を参照）。第２絶縁体層１３-2の第１方向寸法Ｌ３は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１よりも小さく、かつ、各外部電極１２の第２部分１２ｃの第１方向の相互間隔ＩＮよりも大きい（図３および図５を参照）。第１絶縁体層１３-1および第２絶縁体層１３-2の第２方向寸法（符号省略）それぞれは、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）と略同じである。第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２は、各外部電極１２の第１部分１２ｂの第３方向寸法ｔ１、詳しくは各下地導体膜１４の第１部分１４ｂの第３方向寸法ｔ１ａよりも小さい（図３および図５を参照）。第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２は、各外部電極１２の第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１、詳しくは各下地導体膜１４の第２部分１４ｃの第３方向寸法ｔ１ａよりも小さい（図３および図５を参照）。第１絶縁体層１３-1および第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２それぞれは、例えば１〜６μｍの範囲内で設定されている。

すなわち、第１絶縁体層１３-1は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ａ１およびＡ２を有している（図３を参照）。詳しくは、これら部分Ａ１およびＡ２は、第３方向の他面（図３の上面）をコンデンサ本体１１の第３方向の一面（図３の下面）に接し、かつ、第３方向の一面（図３の下面）を各下地導体膜１４の第１部分１４ｂに接触状態で覆われている。一方、第２絶縁体層１３-2は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ａ３およびＡ４を有している（図３を参照）。詳しくは、これら部分Ａ３およびＡ４は、第３方向の一面（図３の下面）をコンデンサ本体１１の第３方向の他面（図３の上面）に接し、かつ、第３方向の他面（図３の上面）を各下地導体膜１４の第２部分１４ｃに接触状態で覆われている。

部分Ａ１〜Ａ４の第１方向寸法Ｌ３ａは、例えば５〜１５μｍの範囲内で設定されている（図５を参照）。部分Ａ１〜Ａ４の第１方向寸法Ｌ３ａは、全てが同じ寸法であってもよいし、全てが異なる寸法であってもよいし、部分Ａ１〜Ａ４のうちの２つが同じ寸法で残りの２つが同じ寸法または異なる寸法であってもよいし、部分Ａ１〜Ａ４のうちの３つが同じ寸法で残りが異なる寸法であってもよい。

第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等の誘電体材料（誘電体セラミック材料）であり、好ましくはコンデンサ本体１１の各誘電体マージン部１１ｂの主成分と同じである。なお、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は、各誘電体マージン部１１ｂの主成分と異なっていてもよい。また、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は同じであってもよいし、異なっていてもよい。さらに、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分には、誘電体材料以外の絶縁体材料、例えば合成樹脂材料やガラス材料等を用いてもよい。

次に、図６を用い、かつ、図１〜図５に示した符号を引用して、前記積層セラミックコンデンサ１０の製造方法例、詳しくはコンデンサ本体１１の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分がチタン酸バリウム、各内部電極層１１ａ１の主成分と各下地導体膜１４の主成分がニッケル、各表面導体膜１５の主成分がスズである場合の製造方法例について説明する。ここで説明する製造方法はあくまでも一例であって、前記積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を制限するものではない。

製造に際しては、まず、チタン酸バリウム粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有したセラミックスラリーと、ニッケル粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有した電極ペーストとを用意する。

続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、キャリアフィルムの表面にグリーンシートが形成された第１シートを作製する。また、第１シートのグリーンシートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にマトリクス配列または千鳥配列の未焼成の内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。さらに、第１シートのグリーンシートの表面にセラミックスラリーを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にストライプ配列の未焼成の絶縁体層パターン群が形成された第３シートを作製する。

続いて、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、一方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、第２シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量部１１ａに対応した部位を形成する。そして、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、他方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、その積み重ね方向の両面それぞれに、第３シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の絶縁体層パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着し、最後に、全体に対して熱圧着を施すことにより、未焼成の積層シートを作製する（図６（Ａ）を参照）。なお、図６（Ａ）には、図示の便宜上、未焼成の積層シートとして前記積層セラミックコンデンサ１０の１個に対応したものを描いているが、実際の未焼成の積層シートは多数個取りに対応したサイズを有している。

続いて、多数個取りに対応したサイズを有する未焼成の積層シートを格子状に切断することにより、未焼成のコンデンサ本体（１１）を作製する（図６（Ａ）を参照）。この未焼成のコンデンサ本体（１１）の第３方向の一面（図６（Ａ）の下面）には未焼成の第１絶縁体層（１３-1）が設けられ、第３方向の他面（図６（Ａ）の上面）には未焼成の第２絶縁体層（１３-2）が設けられている。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥することにより、未焼成の下地導体膜（１４）を作製する（図６（Ｂ）を参照）。この未焼成の下地導体膜（１４）の作製時には、未焼成の下地導体膜（１４）それぞれの第１部分（１４ｂ）と第２部分（１４ｃ）が、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）の第１方向の両端部と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）の第１方向の両端部のそれぞれを僅かに覆うようにする。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）と２個の未焼成の下地導体膜（１４）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）を焼成炉に投入し、還元雰囲気においてチタン酸バリウムとニッケルに応じた温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）することにより、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2と２個の下地導体膜１４とを有するコンデンサ本体１１を作製する（図６（Ｂ）を参照）。

続いて、湿式めっき法または乾式めっき法によって、各下地導体膜１４の表面を覆う表面導体膜１５（主成分はスズ）を作製する（図６（Ｃ）を参照）。以上で、前記積層セラミックコンデンサ１０の製造が完了する。

なお、各下地導体膜１４は、図６（Ａ）に示した未焼成のコンデンサ本体（１１）に焼成を施して、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-２とを有するコンデンサ本体１１を作製してから、このコンデンサ本体１１の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥し、これらに焼き付け処理を施すこと、によって作製してもよい。

次に、前記積層セラミックコンデンサ１０によって得られる効果について説明する。

［効果１-1］積層セラミックコンデンサ１０を薄型にした場合、詳しくは各誘電体マージン部１１ｂの第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ａ１およびＡ２を有する第１絶縁体層１３-1と、コンデンサ本体１１の第３方向の他面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ａ３およびＡ４を有する第２絶縁体層１３-2とによって、コンデンサ本体１１の第３方向の両面からコンデンサ本体１１内への湿気侵入を極力防止することができる。しかも、第１絶縁体層１３-1の部分Ａ１およびＡ２は、第３方向の他面をコンデンサ本体１１の第３方向の一面に接し、かつ、第３方向の一面を下地導体膜１４の第１部分１４ｂに接触状態で覆われており、第２絶縁体層１３-2の部分Ａ３およびＡ４は、第３方向の一面をコンデンサ本体１１の第３方向の他面に接し、かつ、第３方向の他面（図３の上面）を下地導体膜１４の第２部分１４ｃに接触状態で覆われているため、第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端付近と第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端付近からコンデンサ本体１１内への湿気侵入をも極力防止することができる。

［効果１-2］また、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第１部分１２ｂの第３方向寸法ｔ１よりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１よりも小さいため、詳しくは、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各下地導体膜１４の第１部分１４ｂの第３方向寸法ｔ１ａよりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各下地導体膜１４の第２部分１４ｃの第３方向寸法ｔ１ａよりも小さいため、各外部電極１２の第１部分１２ｂそれぞれの第３方向寸法ｔ１と第２部分１２ｃそれぞれの第３方向寸法ｔ１が増加すること、換言すれば積層セラミックコンデンサ１０の第３方向寸法Ｈが増加することを確実に抑制することができる。

［効果１-3］さらに、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けた第１絶縁体層１３-1と第３方向の他面に設けた第２絶縁体層１３-2によって、コンデンサ本体１１の強度を補う作用も得られるため、積層セラミックコンデンサ１０を薄型にするに際してコンデンサ本体１１の第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の強度向上を図ることができる。

［効果１-4］さらに、第１絶縁体層１３-1の部分Ａ１およびＡ２が各外部電極１２の下地導体膜１４の第１部分１４ｂによって覆われ、第２絶縁体層１３-2の部分Ａ３およびＡ４が各外部電極１２の下地導体膜１４の第２部分１４ｃによって覆われているので、各下地導体膜１４の表面に表面導体膜１５を湿式めっき法または乾式めっき法にて作製する場合でも各表面導体膜１５の作製を的確に行うことができる。

《第２実施形態》
この第２実施形態は、本発明を積層セラミックコンデンサに適用したものである。まず、図７〜図１１を用いて、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２０の構造について説明する。なお、以下の説明では、便宜上、後述の略直方体状のコンデンサ本体１１の６つの面のうち、相対する２つの面の対向方向（図７の左右方向に相当）を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向（図７の上下方向に相当）を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向（図８の上下方向に相当）を第３方向と表記するとともに、各方向に沿う寸法を第１方向寸法と第２方向寸法と第３方向寸法と表記する。また、図７〜図１１では、前記積層セラミックコンデンサ１０と同じ名称部分に同じ符号を用いる。参考までに、図７〜図１１の基になっている試作品（積層セラミックコンデンサ）の第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈは、それぞれ１０００μｍと５００μｍと１５０μｍである。

この積層セラミックコンデンサ２０は、略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の第１方向の両端部（図７〜図１０の左端部および右端部）それぞれに設けられた外部電極１２の他に、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図８、図９および図１１の下面）に設けられた第１絶縁体層１３-1と、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図８、図９および図１１の上面）に設けられた第２絶縁体層１３-2とを備えている。

コンデンサ本体１１の構造は、前記積層セラミックコンデンサ１０のコンデンサ本体１１の構造と同じであるため、その説明を省略する。

各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の第１方向の一面（図９および図１０の左面）または第１方向の他面（図９および図１０の右面）に存する基礎部分１２ａと、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図９の下面）に存する第１部分１２ｂと、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図９の上面）に存する第２部分１２ｃと、コンデンサ本体１１の第２方向の一面（図１０の下面）に存する第３部分１２ｄと、コンデンサ本体１１の第２方向の他面（図１０の上面）に存する第４部分１２ｅとを連続して有している（図９〜図１１を参照）。各外部電極１２の第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第１方向寸法Ｌ２は、例えば積層セラミックコンデンサ１０の第１方向寸法Ｌの１／５〜２／５の範囲内で設定されている。各外部電極１２の第３部分１２ｄおよび第４部分１２ｅの第１方向寸法（符号省略）は、第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第１方向寸法Ｌ２よりも小さい。各外部電極１２の基礎部分１２ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１と、第３部分１２ｄおよび第４部分１２ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば３〜３０μｍの範囲内で設定されている。

各外部電極１２は、図９〜図１１から分かるように、下地導体膜１４と、２個の第２の下地導体膜１６と、下地導体膜１４および２個の第２の下地導体膜１６を覆う表面導体膜１５とから構成されている。２個の第２の下地導体膜１６は、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図９および図１１の下面）と第３方向の他面（図９および図１１の上面）にそれぞれ設けられている。

各下地導体膜１４は、コンデンサ本体１１の第１方向の一面（図９および図１０の左面）または第１方向の他面（図９および図１０の右面）に密着した基礎部分１４ａと、コンデンサ本体１１の第３方向の一面（図９の下面）に密着した第１部分１４ｂと、コンデンサ本体１１の第３方向の他面（図９の上面）に密着した第２部分１４ｃと、コンデンサ本体１１の第２方向の一面（図１０の下面）に密着した第３部分１４ｄと、コンデンサ本体１１の第２方向の他面（図１０の上面）に密着した第４部分１４ｅとを連続して有している（図９〜図１１を参照）。各下地導体膜１４の第１部分１４ｂ〜第４部分１４ｅの第１方向寸法（符号省略）は、例えば各外部電極１２の第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第１方向寸法Ｌ２の１／５〜４／５の範囲内で設定されている。各下地導体膜１４の基礎部分１４ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃの第３方向寸法ｔ１ａと、第３部分１４ｄおよび第４部分１４ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば２〜１５μｍの範囲内で設定されている。

各第２の下地導体膜１６は、略矩形状の外形を有している。各外部電極１２において、各第２の下地導体膜１６は各下地導体膜１４の第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃよりも間隔ＣＬだけ内側に離れており、第１絶縁体層１３-1および第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端部それぞれを接触状態で覆っている（図９および図１１を参照）。各第２の下地導体膜１６の第１方向寸法（符号省略）は、各外部電極１２の第１部分１２ｂおよび第２部分１２ｃの第１方向寸法Ｌ２よりも小さい。各第２の下地導体膜１６の第２方向寸法（符号省略）は、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）と略同じである。間隔ＣＬは、各下地導体膜１４の第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃと各第２の下地導体膜１６とが接触しない最低限の寸法、例えば４μｍ前後に設定されている。各第２の下地導体膜１６の第３方向寸法ｔ１ｃは、例えば２〜１５μｍの範囲内で設定されている。

各表面導体膜１５は、各下地導体膜１４の基礎部分１４ａの表面に密着した基礎部分１５ａと、各下地導体膜１４の第１部分１４ｂの表面と第２の下地導体膜１６（図９および図１１の下側の第２の下地導体膜１６）の表面とに密着した第１部分１５ｂと、各下地導体膜１４の第２部分１４ｃの表面と第２の下地導体膜１６（図９および図１１の上側の第２の下地導体膜１６）の表面に密着した第２部分１５ｃと、各下地導体膜１４の第３部分１４ｄの表面に密着した第３部分１５ｄと、各下地導体膜１４の第４部分１４ｅの表面に密着した第４部分１５ｅとを連続して有している（図９〜図１１を参照）。各表面導体膜１５の基礎部分１５ａの第１方向寸法（符号省略）と、第１部分１５ｂおよび第２部分１５ｃの第３方向寸法ｔ１ｂと、第３部分１５ｄおよび第４部分１５ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれは、例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。

先に述べたように、各外部電極１２において、各下地導体膜１４の第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃと各第２の下地導体膜１６との間それぞれには両者を非接触とするための間隔ＣＬが設けられているため、表面導体膜１５の作製手法にかかわらず、各表面導体膜１５の第１部分１５ｂと第２回部分１５ｃの表面それぞれに間隔ＣＬに基づく溝（符号無し）が現れる。この溝の第３方向寸法は、前記間隔ＣＬを各下地導体膜１４の第１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃと各第２の下地導体膜１６とが接触しない最低限の寸法とすれば、１μｍ以下にすることもできる。すなわち、積層セラミックコンデンサ２０を回路基板（図示省略）の表面や内部に配置して配線に接続するときに、各表面導体膜１５の第１部分１５ｂと第２部分１５ｃの表面それぞれに現れる溝が接続の支障となることはない。

各下地導体膜１４の主成分と各第２の下地導体膜１６の主成分は、例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等の金属材料である。なお、各下地導体膜１４の主成分と各第２の下地導体膜１６の主成分は同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、各表面導体膜１５の主成分は、例えば銅、ニッケル、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等の金属材料である。なお、図９〜図１１には、図示の便宜上、各外部電極１２として下地導体膜１４と第２の下地導体膜１６と表面導体膜１５とから構成されたものを描いたが、下地導体膜１４および第２の下地導体膜１６と表面導体膜１５との間に主成分が異なる１以上の中間導体膜を介在させた構成を各外部電極１２に採用してもよい。また、各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面に現れる凹凸を２μｍ未満になるようにして表面平坦性を高めれば、積層セラミックコンデンサ２０を回路基板（図示省略）の内部に配置して配線に接続するときに、配線側のビア導体と各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面との接合を良好に行うことができるとともに、回路基板（図示省略）の内部に積層セラミックコンデンサ２０を配置した後にレーザー加工によって前記ビア導体用のスルーホールを形成するときに、各外部電極１２の第１部分１２ｂの表面および第２部分１２ｃの表面に現れる凹凸の影響を受けることなく、当該スルーホールの形成を良好に行うことができる。

第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2は、略矩形状の外形を有している。第１絶縁体層１３-1の第１方向寸法Ｌ３は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１よりも小さく、かつ、各外部電極１２の第１部分１２ｂの第１方向の相互間隔ＩＮよりも大きい（図９および図１１を参照）。第２絶縁体層１３-2の第１方向寸法Ｌ３は、コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｌ１よりも小さく、かつ、各外部電極１２の第２部分１２ｃの第１方向の相互間隔ＩＮよりも大きい（図９および図１１を参照）。第１絶縁体層１３-1および第２絶縁体層１３-2の第２方向寸法（符号省略）それぞれは、コンデンサ本体１１の第２方向寸法（符号省略）と略同じである。第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２は、各外部電極１２の第１部分１２ｂの第３方向寸法ｔ１、詳しくは各第２の下地導体膜１６の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さい（図９および図１１を参照）。第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２は、各外部電極１２の第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１、詳しくは各第２の下地導体膜１６の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さい（図９および図１１を参照）。第１絶縁体層１３-1および第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２それぞれは、例えば１〜６μｍの範囲内で設定されている。

すなわち、第１絶縁体層１３-1は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ｂ１およびＢ２を有している（図９を参照）。詳しくは、これら部分Ｂ１およびＢ２は、第３方向の他面（図９の上面）をコンデンサ本体１１の第３方向の一面（図９の下面）に接し、かつ、第３方向の一面（図９の下面）を各第２の下地導体膜１６に接触状態で覆われている。一方、第２絶縁体層１３-2は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ｂ３およびＢ４を有している（図９を参照）。詳しくは、これら部分Ｂ３およびＢ４は、第３方向の一面（図３の下面）をコンデンサ本体１１の第３方向の他面（図９の上面）に接し、かつ、第３方向の他面（図９の上面）を各第２の下地導体膜１６に接触状態で覆われている。

部分Ｂ１〜Ｂ４の第１方向寸法Ｌ３ａは、例えば５０〜１５０μｍの範囲内で設定されている（図５を参照）。部分Ｂ１〜Ｂ４の第１方向寸法Ｌ３ａは、全てが同じ寸法であってもよいし、全てが異なる寸法であってもよいし、部分Ｂ１〜Ｂ４のうちの２つが同じ寸法で残りの２つが同じ寸法または異なる寸法であってもよいし、部分Ｂ１〜Ｂ４のうちの３つが同じ寸法で残りが異なる寸法であってもよい。

第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等の誘電体材料（誘電体セラミック材料）であり、好ましくはコンデンサ本体１１の各誘電体マージン部１１ｂの主成分と同じである。なお、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は、各誘電体マージン部１１ｂの主成分と異なっていてもよい。また、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分は同じであってもよいし、異なっていてもよい。さらに、第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分には、誘電体材料以外の絶縁体材料、例えば合成樹脂材料やガラス材料等を用いてもよい。

次に、図１２を用い、かつ、図７〜図１１に示した符号を引用して、前記積層セラミックコンデンサ２０の製造方法例、詳しくはコンデンサ本体１１の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分がチタン酸バリウム、各内部電極層１１ａ１の主成分と各下地導体膜１４の主成分と各第２の下地導体膜１６の主成分がニッケル、各表面導体膜１５の主成分がスズである場合の製造方法例について説明する。ここで説明する製造方法はあくまでも一例であって、前記積層セラミックコンデンサ２０の製造方法を制限するものではない。

製造に際しては、まず、チタン酸バリウム粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有したセラミックスラリーと、ニッケル粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有した電極ペーストとを用意する。

続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、キャリアフィルムの表面にグリーンシートが形成された第１シートを作製する。また、第１シートのグリーンシートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にマトリクス配列または千鳥配列の未焼成の内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。さらに、第１シートのグリーンシートの表面にセラミックスラリーを印刷して乾燥した後、電極ペーストを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にストライプ配列の未焼成の絶縁体層パターン群が形成され、かつ、各未焼成の絶縁体層パターンの第１方向の両端部が帯状を成す未焼成の第２の下地導体膜パターンで覆われた第３シートを作製する。

続いて、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、一方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、第２シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量部１１ａに対応した部位を形成する。そして、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、他方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、その積み重ね方向の両面それぞれに、第３シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の絶縁体層パターン群と未焼成の第２の下地導体膜パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着し、最後に、全体に対して熱圧着を施すことにより、未焼成の積層シートを作製する（図１２（Ａ）を参照）。なお、図１２（Ａ）には、図示の便宜上、未焼成の積層シートとして前記積層セラミックコンデンサ２０の１個に対応したものを描いているが、実際の未焼成の積層シートは多数個取りに対応したサイズを有している。

続いて、多数個取りに対応したサイズを有する未焼成の積層シートを格子状に切断することにより、未焼成のコンデンサ本体（１１）を作製する（図１２（Ａ）を参照）。この未焼成のコンデンサ本体（１１）の第３方向の一面（図１２（Ａ）の下面）には未焼成の第１絶縁体層（１３-1）とその第１方向の両端部それぞれを覆う未焼成の第２の下地導体膜（１６）が設けられ、第３方向の他面（図１２（Ａ）の上面）には未焼成の第２絶縁体層（１３-2）とその第１方向の両端部それぞれを覆う未焼成の第２の下地導体膜（１６）が設けられている。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）と４個の未焼成の第２の下地導体膜（１６）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥することにより、未焼成の下地導体膜（１４）を作製する（図１２（Ｂ）を参照）。この未焼成の下地導体膜（１４）の作製時には、未焼成の下地導体膜（１４）それぞれの第１部分（１４ｂ）の端と第２部分（１４ｃ）の端が、未焼成の第２の下地導体膜（１６）の端それぞれと接しないようにして図１１に示した間隔ＣＬが確保できるようにする。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）と４個の未焼成の第２の下地導体膜（１６）と２個の未焼成の下地導体膜（１４）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）を焼成炉に投入し、還元雰囲気においてチタン酸バリウムとニッケルに応じた温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）することにより、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2と４個の第２の下地導体膜１６と２個の下地導体膜１４とを有するコンデンサ本体１１を作製する（図１２（Ｂ）を参照）。

続いて、湿式めっき法または乾式めっき法によって、各下地導体膜１４の表面と各第２の下地導体膜１６の表面とを連続して覆う表面導体膜１５（主成分はスズ）を作製する（図１２（Ｃ）を参照）。以上で、前記積層セラミックコンデンサ２０の製造が完了する。

なお、各下地導体膜１４は、図１２（Ａ）に示した未焼成のコンデンサ本体（１１）に焼成を施して、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-２と４個の第２の下地導体膜１６とを有するコンデンサ本体１１を作製してから、このコンデンサ本体１１の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥し、これらに焼き付け処理を施すこと、によって作製してもよい。また、各第２の下地導体膜１６は、図１２（Ｂ）に示したコンデンサ本体１１から各第２の下地導体膜１６を除いたコンデンサ本体１１を作製してから、このコンデンサ本体１１の第３方向の両面それぞれに電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥し、これらに焼き付け処理を施すこと、あるいは、このコンデンサ本体１１の第３方向の両面それぞれに各第２の下地導体膜１６となる導体膜を乾式めっき法によって形成すること、によって作製してもよい。

次に、前記積層セラミックコンデンサ２０によって得られる効果について説明する。

［効果２-1］積層セラミックコンデンサ２０を薄型にした場合、詳しくは各誘電体マージン部１１ｂの第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ｂ１およびＢ２を有する第１絶縁体層１３-1と、コンデンサ本体１１の第３方向の他面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ｂ３およびＢ４を有する第２絶縁体層１３-2とによって、コンデンサ本体１１の第３方向の両面からコンデンサ本体１１内への湿気侵入を極力防止することができる。しかも、第１絶縁体層１３-1の部分Ｂ１およびＢ２は、第３方向の他面をコンデンサ本体１１の第３方向の一面に接し、かつ、第３方向の一面を第２の下地導体膜１６に接触状態で覆われ、第２絶縁体層１３-2の部分Ｂ３およびＢ４は、第３方向の一面をコンデンサ本体１１の第３方向の他面に接し、かつ、第３方向の他面を第２の下地導体膜１６に接触状態で覆われているため、第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端付近と第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端付近からコンデンサ本体１１内への湿気侵入をも極力防止することができる。

［効果２-2］また、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第１部分１２ｂの第３方向寸法ｔ１よりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１よりも小さいため、詳しくは、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各第２の下地導体膜１６の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各第２の下地導体膜１６の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さいため、各外部電極１２の第１部分１２ｂそれぞれの第３方向寸法ｔ１と第２部分１２ｃそれぞれの第３方向寸法ｔ１が増加すること、換言すれば積層セラミックコンデンサ１０の第３方向寸法Ｈが増加することを確実に抑制することができる。

［効果２-3］さらに、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けた第１絶縁体層１３-1と第３方向の他面に設けた第２絶縁体層１３-2によって、コンデンサ本体１１の強度を補う作用も得られるため、積層セラミックコンデンサ１０を薄型にするに際してコンデンサ本体１１の第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の強度向上を図ることができる。

［効果２-4］さらに、第１絶縁体層１３-1の部分Ｂ１およびＢ２が各外部電極１２の第２の下地導体膜１６によって覆われ、第２絶縁体層１３-2の部分Ｂ３およびＢ４が各外部電極１２の第２の下地導体膜１６によって覆われているので、各第２の下地導体膜１６および各下地導体膜１４の表面に表面導体膜１５を湿式めっき法または乾式めっき法にて作製する場合でも各表面導体膜１５の作製を的確に行うことができる。

《第３実施形態》
この第３実施形態は、本発明を積層セラミックコンデンサに適用したものである。まず、図１３および図１４（Ｃ）を用いて、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサ３０の構造について説明する。なお、以下の説明では、便宜上、後述の略直方体状のコンデンサ本体１１の６つの面のうち、相対する２つの面の対向方向（図１４（Ｃ）の左右方向に相当）を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向（図１４（Ｃ）の前後方向に相当）を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向（図１４（Ｃ）の上下方向に相当）を第３方向と表記するとともに、各方向に沿う寸法を第１方向寸法と第２方向寸法と第３方向寸法と表記する。また、図１３および図１４（Ｃ）では、前記積層セラミックコンデンサ２０と同じ名称部分に同じ符号を用いる。参考までに、図１３および図１４（Ｃ）の基になっている試作品（積層セラミックコンデンサ）の第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈは、それぞれ１０００μｍと５００μｍと１５０μｍである。

この積層セラミックコンデンサ３０は各外部電極１２の構造が、前記積層セラミックコンデンサ２０の各外部電極１２の構造と相違する。他は前記積層セラミックコンデンサ２０の構造と同じであるため、同じ符号を用いてその説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ３０の各外部電極１２は、図１３および図１４（Ｃ）から分かるように、下地導体膜１４と、第２の下地導体膜１６’と、第２の下地導体膜１６’を覆う表面導体膜１５とから構成されており、
・各外部電極１２の下地導体膜１４の基礎部分１４ａの第１方向寸法（符号省略）と、第
１部分１４ｂおよび第２部分１４ｃの第３方向寸法ｔ１ａと、第３部分１４ｄおよび第
４部分１４ｅの第２方向寸法（符号省略）のそれぞれを小さくした点
・各外部電極１２の第２の下地導体膜１６’を延長して、各下地導体膜１４の表面をも覆
うようにした点
において、前記積層セラミックコンデンサ２０の各外部電極１２と構造を相違している。

すなわち、各第２の下地導体膜１６’は、各下地導体膜１４の基礎部分１４ａの表面に密着した基礎部分（符号省略）と、各下地導体膜１４の第１部分１４ｂの表面に密着し、かつ、第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端部それぞれを接触状態で覆う第１部分（符号省略）と、各下地導体膜１４の第２部分１４ｃの表面と密着し、かつ、第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端部それぞれを接触状態で覆う第２部分（符号省略）と、各下地導体膜１４の第３部分１４ｄの表面に密着した第３部分（符号省略）と、各下地導体膜１４の第４部分１４ｅの表面に密着した第４部分（符号省略）とを連続して有している。各第２の下地導体膜１６’の各下地導体膜１４の表面を覆う部分の寸法（第１部分の一部と第２部分の一部の第３方向寸法と、第３部分および第４部分の第２方向寸法）は、各第２の下地導体膜１６’の第１部分が第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端部それぞれを覆う残部の第３方向寸法ｔ１ｃ、ならびに、各第２の下地導体膜１６’の第２部分が第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端部それぞれを覆う残部の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さい。

また、第１絶縁体層１３-1は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ｃ１およびＣ２を有している（図１４（Ｃ）を参照）。詳しくは、これら部分Ｃ１およびＣ２は、第３方向の他面（図１４（Ｃ）の上面）をコンデンサ本体１１の第３方向の一面（図１４（Ｃ）の下面）に接し、かつ、第３方向の一面（図１４（Ｃ））を各第２の下地導体膜１６’の第１部分の前記残部に接触状態で覆われている。一方、第２絶縁体層１３-2は、その第１方向の両端部それぞれに、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ｃ３およびＣ４を有している（図１４（Ｃ）を参照）。詳しくは、これら部分Ｃ３およびＣ４は、第３方向の一面（図１４（Ｃ）の下面）をコンデンサ本体１１の第３方向の他面（図１４（Ｃ）の上面）に接し、かつ、第３方向の他面（図１４（Ｃ）の上面）を各第２の下地導体膜１６’の第２部分の前記残部に接触状態で覆われている。に接触状態で覆われている。さらに、第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端部それぞれは各下地導体膜１４の第１部分１４ｂと離れており、第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端部それぞれは各下地導体膜１４の第２部分１４ｃと離れている。

次に、図１４を用い、かつ、図１３に示した符号を引用して、前記積層セラミックコンデンサ３０の製造方法例、詳しくはコンデンサ本体１１の内部電極層１１ａ１を除く部分の主成分と第１絶縁体層１３-1の主成分と第２絶縁体層１３-2の主成分がチタン酸バリウム、各内部電極層１１ａ１の主成分と各下地導体膜１４の主成分と各第２の下地導体膜１６’の主成分がニッケル、各表面導体膜１５の主成分がスズである場合の製造方法例について説明する。ここで説明する製造方法はあくまでも一例であって、前記積層セラミックコンデンサ３０の製造方法を制限するものではない。

製造に際しては、まず、チタン酸バリウム粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有したセラミックスラリーと、ニッケル粉末と有機溶剤と有機バインダーと分散剤等を含有した電極ペーストとを用意する。

続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、キャリアフィルムの表面にグリーンシートが形成された第１シートを作製する。また、第１シートのグリーンシートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にマトリクス配列または千鳥配列の未焼成の内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。さらに、第１シートのグリーンシートの表面にセラミックスラリーを印刷して乾燥することにより、第１シートのグリーンシートの表面にストライプ配列の未焼成の絶縁体層パターン群が形成された第３シートを作製する。

続いて、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、一方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、第２シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量部１１ａに対応した部位を形成する。そして、第１シートのグリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、他方の誘電体マージン部１１ｂに対応した部位を形成する。そして、その積み重ね方向の両面それぞれに、第３シートのグリーンシートから取り出した単位シート（未焼成の絶縁体層パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着し、最後に、全体に対して熱圧着を施すことにより、未焼成の積層シートを作製する（図１４（Ａ）を参照）。なお、図１４（Ａ）には、図示の便宜上、未焼成の積層シートとして前記積層セラミックコンデンサ３０の１個に対応したものを描いているが、実際の未焼成の積層シートは多数個取りに対応したサイズを有している。

続いて、多数個取りに対応したサイズを有する未焼成の積層シートを格子状に切断することにより、未焼成のコンデンサ本体（１１）を作製する（図１４（Ａ）を参照）。この未焼成のコンデンサ本体（１１）の第３方向の一面（図１４（Ａ）の下面）には未焼成の第１絶縁体層（１３-1）が設けられ、第３方向の他面（図１４（Ａ）の上面）には未焼成の第２絶縁体層（１３-2）が設けられている。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）の第１方向の両端部に電極ペーストをディップまたは塗布して乾燥することにより、未焼成の下地導体膜（１４）を作製する（図１４（Ｂ）を参照）。この未焼成の下地導体膜（１４）の作製時には、未焼成の下地導体膜（１４）それぞれの第１部分（１４ｂ）の端と第２部分（１４ｃ）の端が、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）のそれぞれと接しないようにする。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）と２個の未焼成の下地導体膜（１４）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）の第１方向の両端部に電極ペーストを塗布して乾燥することにより、未焼成の第２の下地導体膜（１６’）を作製する（図１４（Ｂ）を参照）。この未焼成の第２の下地導体膜（１６’）の作製時には、未焼成の第２の下地導体膜（１６’）それぞれの第１部分の前記残部と第２部分の前記残部が、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）の第１方向の両端部と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）の第１方向の両端部のそれぞれを覆うようにする。

続いて、未焼成の第１絶縁体層（１３-1）と未焼成の第２絶縁体層（１３-2）と２個の未焼成の下地導体膜（１４）と２個の未焼成の第２の下地導体膜（１６’）とを有する未焼成のコンデンサ本体（１１）を焼成炉に投入し、還元雰囲気においてチタン酸バリウムとニッケルに応じた温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）することにより、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2と２個の下地導体膜１４と２個の第２の下地導体膜１６’とを有するコンデンサ本体１１を作製する（図１４（Ｂ）を参照）。

続いて、湿式めっき法または乾式めっき法によって、各第２の下地導体膜１６’の表面を覆う表面導体膜１５（主成分はスズ）を作製する（図１４（Ｃ）を参照）。以上で、前記積層セラミックコンデンサ３０の製造が完了する。

なお、各下地導体膜１４と各第２の下地導体膜１６’は、図１４（Ａ）に示した未焼成のコンデンサ本体（１１）に焼成を施して、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-２とを有するコンデンサ本体１１を作製してから、このコンデンサ本体１１の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストを塗布して乾燥し、これらに焼き付け処理を施すことによって作製してもよい。また、各第２の下地導体膜１６’は、図１４（Ｂ）に示したコンデンサ本体１１から各第２の下地導体膜１６’を除いたコンデンサ本体１１を作製してから、このコンデンサ本体１１の第１方向の両端部それぞれに電極ペーストを塗布して乾燥し、これらに焼き付け処理を施すこと、あるいは、このコンデンサ本体１１の第１方向の両端部それぞれに各第２の下地導体膜１６’となる導体膜を乾式めっき法によって形成すること、によって作製してもよい。

次に、前記積層セラミックコンデンサ３０によって得られる効果について説明する。

［効果３-1］前記積層セラミックコンデンサ３０を薄型にした場合、詳しくは各誘電体マージン部１１ｂの第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第１部分１２ｂによって覆われた部分Ｃ１およびＣ２（図１４（Ｃ）を参照）を有する第１絶縁体層１３-1と、コンデンサ本体１１の第３方向の他面に設けられ、かつ、各外部電極１２の第２部分１２ｃによって覆われた部分Ｃ３およびＣ４（図１４（Ｃ）を参照）を有する第２絶縁体層１３-2とによって、コンデンサ本体１１の第３方向の両面からコンデンサ本体１１内への湿気侵入を極力防止することができる。しかも、第１絶縁体層１３-1の部分Ｃ１およびＣ２は、第３方向の他面をコンデンサ本体１１の第３方向の一面に接し、かつ、第３方向の一面をコンデンサ本体１１の各第２の下地導体膜１６’の第１部分の前記残部に接触状態で覆われ、第２絶縁体層１３-2の部分Ｃ３およびＣ４は、第３方向の一面をコンデンサ本体１１の第３方向の他面に接し、かつ、第３方向の他面を各第２の下地導体膜１６’の第２部分の前記残部に接触状態で覆われているため、第１絶縁体層１３-1の第１方向の両端付近と第２絶縁体層１３-2の第１方向の両端付近からコンデンサ本体１１内への湿気侵入をも極力防止することができる。

［効果３-2］また、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第１部分１２ｂの第３方向寸法ｔ１よりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各外部電極１２の第２部分１２ｃの第３方向寸法ｔ１よりも小さいため、詳しくは、第１絶縁体層１３-1の第３方向寸法ｔ２が各第２の下地導体膜１６’の第１部分の前記残部の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さく、第２絶縁体層１３-2の第３方向寸法ｔ２が各第２の下地導体膜１６’の第１部分の前記残部の第３方向寸法ｔ１ｃよりも小さいため、各外部電極１２の第１部分１２ｂそれぞれの第３方向寸法ｔ１と第２部分１２ｃそれぞれの第３方向寸法ｔ１が増加すること、換言すれば積層セラミックコンデンサ１０の第３方向寸法Ｈが増加することを確実に抑制することができる。

［効果３-3］さらに、コンデンサ本体１１の第３方向の一面に設けた第１絶縁体層１３-1と第３方向の他面に設けた第２絶縁体層１３-2によって、コンデンサ本体１１の強度を補う作用も得られるため、積層セラミックコンデンサ１０を薄型にするに際してコンデンサ本体１１の第３方向寸法を小さくした場合でも、コンデンサ本体１１の強度向上を図ることができる。

［効果３-4］さらに、第１絶縁体層１３-1の部分Ｃ１およびＣ２が各外部電極１２の第２の下地導体膜１６’の第１部分の前記残部によって覆われ、第２絶縁体層１３-2の部分Ｃ３およびＣ４が各外部電極１２の第２の下地導体膜１６’の第２部分の前記残部によってによって覆われているので、各第２の下地導体膜１６’および各下地導体膜１４の表面に表面導体膜１５を湿式めっき法または乾式めっき法にて作製する場合でも各表面導体膜１５の作製を的確に行うことができる。

《他の実施形態》
（Ｍ１）第１実施形態〜第３実施形態では、コンデンサ本体１１の第３方向の両面それぞれに第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2を設けた積層セラミックコンデンサ１０、２０および３０を示したが、第１絶縁体層１３-1と第２絶縁体層１３-2の一方を排除した構造としてもよい。

（Ｍ２）第１実施形態〜第３実施形態では、基礎部１２ａと第１部分１２ｂ〜第４部分１２ｅを連続して有する外部電極１２を示したが、積層セラミックコンデンサ１０、２０および３０を回路基板の表面や内部に配置して配線に接続するときに各外部電極１２の第１部分１２ｂまたは第２部分１２ｃを利用する場合には、各外部電極１２を第３部分１２ｄおよび第４部分１２ｅを有しない形状としてもよい。

（Ｍ３）第１実施形態〜第３実施形態では、第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈがそれぞれ１０００μｍと５００μｍと１５０μｍの試作品に基づく積層セラミックコンデンサ１０、２０および３０を示したが、第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈをこれら数値以外の数値としてもよい。

（Ｍ４）第１実施形態〜第３実施形態では、第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈがそれぞれ１０００μｍと５００μｍと１５０μｍの試作品に基づく積層セラミックコンデンサ１０、２０および３０を示したが、第１方向寸法Ｌと第２方向寸法Ｗと第３方向寸法Ｈの関係を、Ｌ＞Ｗ＝Ｈ、Ｌ＞Ｈ＞Ｗ、Ｗ＞Ｌ＞Ｈ、Ｗ＞Ｌ＝Ｈ、Ｗ＞Ｈ＞Ｌ等の関係としてもよい。

（Ｍ５）第１実施形態〜第３実施形態では、本発明を積層セラミックコンデンサに適用した場合の構造等について説明したが、本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、内部導体層を有する略直方体状の部品本体に外部電極を設けた積層セラミックインダクタ等の他の積層セラミック電子部品にも適用可能である。

１０，２０，３０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１１ａ…容量部、１１ａ１…内部電極層、１１ａ２…誘電体層、１１ｂ…誘電体マージン部、１２…外部電極、１２ａ…外部電極の基礎部分、１２ｂ…外部電極の第１部分、１２ｃ…外部電極の第２部分、１２ｄ…外部電極の第３部分、１２ｅ…外部電極の第４部分、１３-1…第１絶縁体層、Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２…第１絶縁体層の外部電極で覆われた部分、１３-2…第２絶縁体層、Ａ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４，Ｃ３，Ｃ４…第２絶縁体層の外部電極で覆われた部分、１４…外部電極の下地導体膜、１４ａ…下地導体膜の基礎部分、１４ｂ…下地導体膜の第１部分、１４ｃ…下地導体膜の第２部分、１４ｄ…下地導体膜の第３部分、１４ｅ…下地導体膜の第４部分、１５…外部電極の表面導体膜、１５ａ…表面導体膜の基礎部分、１５ｂ…下地導体膜の第１部分、１５ｃ…下地導体膜の第２部分、１５ｄ…下地導体膜の第３部分、１５ｅ…下地導体膜の第４部分、１６，１６’…外部電極の第２の下地導体膜、１６ａ…第２の下地導体膜の基礎部分、１６ｂ…第２の下地導体膜の第１部分、１６ｃ…第２の下地導体膜の第２部分、１６ｄ…第２の下地導体膜の第３部分、１６ｅ…第２の下地導体膜の第４部分。

Claims (11)

1. 内部導体層を有する略直方体状の部品本体に外部電極を設けた積層セラミック電子部品であって、
   前記部品本体の６つの面のうち、相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、
   前記外部電極は、前記部品本体の第３方向の一面に存する第１部分を有しており、
   前記部品本体の第３方向の一面には、前記外部電極の第１部分によって覆われた部分を有する絶縁体層が設けられている、
   積層セラミック電子部品。
2. 前記絶縁体層の第３方向寸法は、前記外部電極の第１部分の第３方向寸法よりも小さい、
   請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
3. 前記外部電極の第１部分は、下地導体膜と前記下地導体膜を覆う表面導体膜とを有しており、
   前記絶縁体層の第３方向寸法は、前記外部電極の第１部分における前記下地導体膜の第３方向寸法よりも小さい、
   請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。
4. 前記外部電極は、前記部品本体の第１方向の両端部それぞれに設けられており、
   前記絶縁体層は、その第１方向の両端部それぞれに、前記外部電極それぞれの第１部分によって覆われた部分を有している、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
5. 前記絶縁体層の第１方向寸法は、前記部品本体の第１方向寸法よりも小さく、かつ、前記外部電極それぞれの第１部分の第１方向の相互間隔よりも大きい、
   請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
6. 前記外部電極は、前記部品本体の第３方向の他面に存する第２部分を有しており、
   前記部品本体の第３方向の他面には、前記外部電極の第２部分によって覆われた部分を有する第２の絶縁体層が設けられている、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
7. 前記第２の絶縁体層の第３方向寸法は、前記外部電極の第２部分の第３方向寸法よりも小さい、
   請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
8. 前記外部電極の第２部分は、下地導体膜と前記下地導体膜を覆う表面導体膜とを有しており、
   前記第２の絶縁体層の第３方向寸法は、前記外部電極の第２部分における前記下地導体膜の第３方向寸法よりも小さい、
   請求項６または７に記載の積層セラミック電子部品。
9. 前記外部電極は、前記部品本体の第１方向の両端部それぞれに設けられており、
   前記第２の絶縁体層は、その第１方向の両端部それぞれに、前記外部電極それぞれの第２部分によって覆われた部分を有している、
   請求項６〜８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
10. 前記第２の絶縁体層の第１方向寸法は、前記部品本体の第１方向寸法よりも小さく、かつ、前記外部電極それぞれの第２部分の第１方向の相互間隔よりも大きい、
    請求項９に記載の積層セラミック電子部品。
11. 前記積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサであり、
    前記部品本体は、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有するコンデンサ本体である、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

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