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JP2012253013A - 発光素子、発光モジュール、発光パネル、発光装置 - Google Patents

発光素子、発光モジュール、発光パネル、発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子、または発光モジュール、または発光パネル、または発光装置を提供する。
【解決手段】金属を含む電極の表面と、発光性の有機化合物を含む層に着眼し、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子、該発光素子を用いた発光モジュール、該発光モジュールを用いた発光パネル、および該発光パネルを用いた発光装置に関する。特に一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子、該発光素子を用いた発光モジュール、該発光モジュールを用いた発光パネル、および該発光パネルを用いた発光装置に関する。
携帯電話、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、電子ブックなどの普及が進み、これらの電子機器が身近に置かれるようになっている。また、これらの電子機器は多機能化され、例えば従来であれば文具を用いていた比較的単純な用途（具体的には手帳を用いて行っていたスケジュール管理、住所録、メモ等）にも、用いられるようになっている。生活の中でこれらの電子機器を使用する頻度が高くなるほど、これらの機器を連続して長い時間使用できるように、その消費電力の低減が望まれている。
また、エネルギー問題の観点から、さまざまな機器において、その消費電力を低減する努力が払われている。例えば、照明機器が消費する電力を削減するために、エネルギーの変換効率のよい発光素子の検討が進められている。
また、一対の電極の間に膜状に広がる発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層ともいう）を備える発光素子が知られている。このような発光素子は例えば有機ＥＬ素子と呼ばれ、一対の電極の間に電圧を印加すると、発光性の有機化合物から発光が得られる。そして、有機ＥＬ素子を照明装置や、表示装置などに適用した発光装置が知られている。有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に開示されている。
また、素子基板とは逆側から発光を取り出す構造（トップエミッション構造）が提案され、アルミニウムを含む合金の膜に金属または金属酸化物を含む膜を積層した構成を一方の電極に用いる発明が、特許文献２に開示されている。
特開２００２−３２４６７３号公報 特開２０１０−１５３３６５号公報
ところで、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子において、一対の電極の一方に電気抵抗が低い金属を用いると、消費電力を少なくできるため好ましい。
しかし、一方の電極の、発光性の有機化合物を含む層が接する面に、高抵抗の酸化膜が形成されると、発光素子の駆動電圧が高くなってしまうという問題があった。
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。本発明の一態様は、電極の電気抵抗に起因する損失（電圧の低下）が低減された発光素子を提供することを課題の一とする。または、電極の電気抵抗に起因する損失が低減された発光モジュールを提供することを課題の一とする。または、電極の電気抵抗に起因する損失が低減された発光パネルを提供することを課題の一とする。または、電極の電気抵抗に起因する損失が低減された発光装置を提供することを課題の一とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様は、金属を含む電極の表面と、発光性の有機化合物を含む層に着眼した。そして、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する構成に想到し、上記課題の解決に至った。
すなわち、本発明の一態様は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と、可視光に対する透光性を有し且つ一方の電極と重なる他方の電極と、当該一方の電極と他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を有する。そして、当該介在物は第２の金属の酸化物を含み、第２の金属の酸化物と発光性の有機化合物を含む層の間に、キャリア注入層を備える発光素子である。
また、本発明の一態様は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と、可視光に対する透光性を有し且つ一方の電極と重なる他方の電極と、当該一方の電極と他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を有する。そして、当該介在物は第２の金属の酸化物を含み、第２の金属の酸化物は、発光性の有機化合物を含む層に設けられたキャリア注入層と接する発光素子である。
上記本発明の一態様の発光素子は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する。第１の金属を一方の電極に設けることで、一方の電極の電気抵抗が低減され、且つ導電性の介在物によりその表面に高抵抗の酸化皮膜が形成される現象を抑制できる。その結果、電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を提供できる。
また、本発明の一態様は、導電性の介在物に含まれる第２の金属が、チタン、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニウム、インジウム、ニッケル、亜鉛、およびスズから選ばれたいずれか一を含む上記の発光素子である。
上記本発明の一態様の発光素子は、酸化されても良好な導電性を示す金属を含む介在物が、一方の電極の表面が備える第１の金属に設けられている。これにより、第１の金属の酸化を防止できる。その結果、電気抵抗が高い酸化被膜が形成される金属であっても第１の金属に利用できる。
また、本発明の一態様は、導電性の介在物が第２の金属を含む層と、第２の金属の酸化物を含む層の積層体である上記の発光素子である。
また、本発明の一態様は、導電性の介在物が第２の金属を含む粒状体と、それを平坦に覆う第２の金属の酸化物を含む層の積層体である上記の発光素子である。
また、本発明の一態様は、導電性の介在物が第２の金属の酸化物を含む層を表面に備える第２の金属を含む粒状体である上記の発光素子である。
また、本発明の一態様は、キャリア注入層が酸化物導電膜、またはアクセプター性の材料を含む有機材料層であって、且つ可視光に対する透光性を有する、上記の発光素子である。
上記本発明の一態様の発光素子は、第１の金属に接して設けられた第２の金属と、その表面に第２の金属の酸化物を含む介在物を有する。これにより、第１の金属の酸化を防止できる。その結果、電気抵抗が高い酸化被膜が形成される金属であっても第１の金属に利用できる。
また、本発明の一態様は、第１の金属がアルミニウム、またはアルミニウムを含む合金であって、その厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、上記の発光素子である。
また、本発明の一態様は、第１の金属がアルミニウムと、ニッケルと、ランタンを含む合金である上記の発光素子である。
上記本発明の一態様の発光素子は、一方の電極の表面にアルミニウムを含む第１の金属を備える構成を有する。これにより、一方の電極の反射率を高められる。その結果、電極の吸収による光の損失が抑制された、効率のよい発光素子を提供できる。
また、本発明の一態様は、他方の電極が、可視光に対し反射率が１％以上１００％未満であって、透過率が１％以上１００％未満である上記の発光素子である。
上記本発明の一態様の発光素子は、一方の電極と他方の電極が微小共振器（マイクロキャビティともいう）を構成する。これにより、特定の波長の光を効率よく取り出すことができる。
また、本発明の一態様は、上記の発光素子と、それに重なるカラーフィルタとを有し、当該発光素子は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光と、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光と、を含む光を発するように発光性の有機化合物を含む層が設けられている、発光モジュールである。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、一対の電極の間に白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子と、それに重なるカラーフィルタを有する。これにより、白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層から、カラーフィルタで特定される波長の光をとりだすことができる。その結果、発光性の有機化合物を含む層を作り分けることなく、異なる色を呈する光を発する発光モジュールを提供できる。
また、本発明の一態様は、上記の発光モジュールを複数有する。そして、第１の発光モジュールは、赤色を呈する光を透過する第１のカラーフィルタを備え、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第１の一方の電極と半透過・半反射性の第１の他方の電極の間の光学距離が第１のキャリア注入層の厚さを用いて調整されている。
さらに、第２の発光モジュールは、緑色を呈する光を透過する第２のカラーフィルタを備え、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第２の一方の電極と半透過・半反射性の第２の他方の電極の間の光学距離が第２のキャリア注入層の厚さを用いて調整されている。
さらに、第３の発光モジュールは、青色を呈する光を透過する第３のカラーフィルタを備え、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第３の一方の電極と半透過・半反射性の第３の他方の電極の間の光学距離が第３のキャリア注入層の厚さを用いて調整されている。
また、本発明の一態様は、当該複数の発光モジュールは発光性の有機化合物を含む層が同一であり、第１の一方の電極と、第２の一方の電極と、第３の一方の電極が互いに独立している発光パネルである。
上記本発明の一態様の発光パネルは、赤色を呈する光を発する発光モジュールと、緑色を呈する光を発する発光モジュールと、青色を呈する光を発する発光モジュールとを有する。また、いずれの発光モジュールも発光性の有機化合物を含む層が同一の層であり、且つ電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を備える。これにより、それぞれの色を呈する発光モジュールを独立して駆動できる。その結果、さまざまな色を呈する光を発することが可能な発光パネルを提供できる。
また、本発明の一態様は、上記の発光パネルを備える発光装置である。
上記本発明の一態様の発光装置は、さまざまな色を呈する光を調光可能な発光パネルを有する。また、該発光パネルは電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を備える。これにより、照明装置や発光装置を提供できる。
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様によれば、電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を提供できる。または、電気抵抗に起因する損失が低減された発光モジュールを提供できる。または、電気抵抗に起因する損失が低減された発光パネルを提供できる。または、電気抵抗に起因する損失が低減された発光装置を提供できる。
実施の形態に係る発光素子の構成を説明する図。 実施の形態に係る微小共振器構造を有する発光素子の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光素子の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光素子の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルを説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子について図１を参照して説明する。具体的には、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と、可視光に対する透光性を有し且つ該一方の電極と重なる他方の電極と、そして一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を有する発光素子であって、該介在物は第２の金属の酸化物を含み、その第２の金属の酸化物と発光性の有機化合物を含む層の間に、キャリア注入層を備える発光素子について説明する。
本発明の一態様の発光素子の構成を図１に示す。図１（Ａ）乃至図１（Ｅ）に例示する発光素子は、いずれも一方の電極１０１と、他方の電極１０２と、その間に発光性の有機化合物を含む層１０３と、を有する。また、一方の電極１０１は表面に第１の金属１０１ｂを備え、例えば他の導電性材料１０１ａと積層されていてもよい。そして、第１の金属１０１ｂに接して介在物１１１が設けられ、介在物１１１はキャリア注入層１１３と接している。
なお、一方の電極１０１からは電子または正孔のいずれか一方のキャリア（白丸で示す）が、他方の電極１０２からは他方のキャリア（黒丸で示す）が発光性の有機化合物を含む層１０３に注入される（図１（Ａ）の右側を参照）。また、電子と正孔の再結合により生じたエネルギーにより励起された発光性の有機化合物が発する光の一部を鎖線の矢印で示す。
また、キャリア注入層１１３は、介在物１１１と発光性の有機化合物を含む層１０３に接して設けられている（図１（Ａ）参照）。なお、キャリア注入層１１３は、発光性の有機化合物を含む層１０３の一部に含まれる構成であってもよい（図１（Ｂ）参照）。
次に、本発明の一態様の発光素子の特徴を説明する。本実施の形態で例示する発光素子は、一方の電極がその表面に、導電性の介在物が設けられた第１の金属を備える構成に特徴がある。
＜一方の電極の構成＞
一方の電極１０１は導電率の高い材料、例えばアルミニウム、銀、金、白金、銅、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを含む合金材料を用いて、単層または積層体で構成される。
また、一方の電極１０１はその表面に第１の金属１０１ｂを備える。第１の金属１０１ｂは、可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。特に、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金材料は、導電率が高いこと、可視光に対する反射率が高いこと、入手が容易であること等の理由により、特に好ましくい。
アルミニウムの合金としては、例えば、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金を挙げることができる。また、銀を含む合金としては、例えば、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。
なお、一方の電極を反射電極として用いる場合は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以上好ましくは３０％以上１００％未満であると、発光性の有機化合物を含む層１０３が発する光を効率よく反射できるため好ましく、また、その厚さは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好適である。また、半透過・半反射膜として用いる場合は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光に対する反射率が１％以上好ましくは５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１％以上好ましくは１０％以上１００％未満であると好ましい。
＜介在物の構成＞
介在物１１１は、第２の金属の酸化物を含む。第２の金属としては、チタン、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニウム、インジウム、ニッケル、亜鉛、およびスズ等をその例に挙げることができ、酸化された状態であっても導電性を示す金属を選択して用いることができる。
また、介在物１１１は、第２の金属の酸化物を含む単層構造（図１（Ａ）または図１（Ｂ）参照）であっても、複数の層の積層構造（図１（Ｃ）参照）であってもよい。また、粒状の一の要素を他の要素が平坦に覆う構造（図１（Ｄ）参照）であっても、粒状の一の要素の表面に他の要素が形成された構造（図１（Ｅ）参照）であってもよい。
次に、介在物１１１を形成する方法について説明する。単層構造の介在物１１１は、第１の金属１０１ｂに接して、例えば数ｎｍ程度の極めて薄い厚さの第２の金属を成膜し、大気に曝す等の酸化処理により、第２の金属の酸化物からなる膜を形成すればよい。
また、複数の要素を含む介在物１１１を形成する場合について説明する。具体的には、第１の金属１０１ｂに接して層状の第２の金属１１１ａを設け、層状の第２の金属１１１ａに接して層状の第２の金属の酸化物１１１ｂを積層して、図１（Ｃ）に示す構造の介在物１１１を形成しても良い。または、第１の金属１０１ｂに接して粒状の第２の金属１１１ａを設け、粒状の第２の金属１１１ａに接して且つ平坦に覆う第２の金属の酸化物１１１ｂを積層して、図１（Ｄ）に示す構造の介在物１１１を形成しても良い。または、第１の金属１０１ｂに接して粒状の第２の金属１１１ａを設け、粒状の第２の金属１１１ａに接してその表面に第２の金属の酸化物１１１ｂを形成して、図１（Ｅ）に示す構造の介在物１１１を形成しても良い。
＜キャリア注入層の構成＞
キャリア注入層１１３は、一方の電極から発光性の有機化合物を含む層１０３へ、キャリアを注入し易くする層である。また、一方の電極と他方の電極の間の光学距離を調整する層としても機能する。キャリア注入層１１３として用いることができる材料としては、可視光に対する透光性を有する導電材料が好ましい。
具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、アルミニウムやガリウムを添加した酸化亜鉛等の透光性を有する酸化物導電材料を用いることができる。
または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いることができる。
または、発光性の有機化合物を含む層１０３の、一方の電極の側に設けられた正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層を、キャリア注入層１１３に用いることができる。
正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。また、アクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。なお、アクセプター性物質は、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率で添加する構成が好ましい。
＜発光性の有機化合物を含む層の構成＞
発光性の有機化合物を含む層１０３は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層を１つ以上備える。一方の電極および他方の電極から注入された電子と正孔は、発光性の有機化合物を含む発光層において再結合する。電子と正孔の再結合により生じたエネルギーにより励起された発光性の有機化合物が発光する。なお、発光性の有機化合物を含む層１０３の構成については、実施の形態２において詳細に説明する。
＜他方の電極の構成＞
他方の電極は、導電性と可視光に対する透光性を有する。例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。
また、光を透過する程度（好ましくは、厚さが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。なお、該金属薄膜は半透過・半反射電極として作用する。
半透過・半反射膜は、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光を一部反射し、一部を透過する。その結果、半透過・半反射膜から発光性の有機化合物を含む層１０３が発する光を取り出すことができる。特に、反射率が１％以上好ましくは５％以上１００％未満であって、且つ透過率が１％以上好ましくは１０％以上１００％未満であると、対をなす反射膜との間で微小共振器を構成できる。半透過・半反射膜と反射膜が、微小共振器を構成すると、半透過・半反射膜から特定の波長を取り出すことができる。
半透過・半反射膜には、波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の範囲の光を一部反射し、一部を透過する程度の厚さの金属膜を用いることができる。例えば、反射膜と同様の材料を用いて、厚さ０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満、好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度とすればよい。
＜変形例：微小共振器構造を有する発光素子＞
次に、本発明の一態様の発光素子である、一対の電極が微小共振器（マイクロキャビティともいう）を構成する発光素子について、図２を用いて説明する。
図２に例示する発光素子１６０は、可視光を反射する一方の電極１０１と、可視光を半透過・半反射する他方の電極１０２を備える。一対の電極をこのような構成とし、その間の光学距離を調整すると、特定の波長の光を強調できる。
光学距離が調節された反射性の一方の電極１０１と半透過・半反射性の他方の電極１０２の間を進行する光の挙動について、図２を用いて説明する。発光性の有機化合物を含む層１０３が発する光は、反射性の一方の電極１０１と、半透過・半反射性の他方の電極１０２の間で反射を繰り返す。
反射を繰り返す光の波長の１／２の整数倍が、微小共振器の一対の電極間の光学距離１３０と一致する場合、その光を少ない損失で他方の電極１０２側から取り出すことができる。なぜなら、微小共振器内で反射を繰り返す光が互いに強め合うように干渉するからである。
一方、反射を繰り返す光の波長の１／２の整数倍にその波長の１／４を加えたものが、一対の電極間の光学距離１３０と一致する場合、その光を他方の電極１０２側から取り出すことは難しい。なぜなら、微小共振器内で反射を繰り返す光が互いに打ち消し合うように干渉するからである。
このような作用により、発光性の有機化合物を含む層１０３が発する光から効率良く外部に取り出せる光の波長（図中λ０で示す）を、光学距離１３０を調整して制御できる。具体的には、キャリア注入層１１３や発光性の有機化合物を含む層１０３の厚さを変えて一対の電極の光学距離１３０を調整することにより、特定の波長を有する光を効率良く取り出す構成にできる。
次に、本発明の一態様の発光素子の作製方法を、図３を参照して説明する。本実施の形態で例示する発光素子の作製方法は、一方の電極の表面に設けられた第１の金属を大気などに曝すことなく、その上に介在物を形成する方法である。このような方法を用いることで、第１の金属の表面に高抵抗の酸化膜が形成されることなく、第１の金属と第２の金属が電気的に接続できる。
＜発光素子の作製方法＞
絶縁表面を有する基板１００上に一方の電極１０１を形成する。本実施の形態では、基板１００にガラス基板を用いる。また、一方の電極１０１は、導電性材料１０１ａにチタンを用い、その上に第１の金属１０１ｂとして、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金を積層する。いずれの導電膜もスパッタリング法を用いて成膜できるが、特に不活性気体中で連続して成膜する方法が好ましい。なぜなら、第１の金属１０１ｂが大気に暴露されて、その表面に電気抵抗の大きい酸化膜が形成される現象を防ぐことができるからである。
第１の金属１０１ｂはアルミニウムを主成分としているため、波長４００ｎｍから８００ｎｍの可視光に対し、高い反射率を有する。
次いで、一方の電極１０１の第１の金属１０１ｂを大気に曝すことなく、介在物１１１となる膜を連続して成膜する（図３（Ａ）参照）。本実施の形態では、介在物１１１となる第２の金属膜として厚さ６ｎｍのチタン膜を形成する。第１の金属１０１ｂは大気に曝されることなくその表面に介在物１１１となる第２の金属膜が形成されるため、第１の金属１０１ｂと介在物１１１となる第２の金属膜の間に、高抵抗な酸化膜が形成されることがない。
次いで、一方の電極１０１上に介在物１１１となる膜が形成された基板１００を成膜装置（本実施の形態においては、スパッタリング装置）から、大気中に搬出する。このとき介在物１１１が形成される。具体的には、第２の金属であるチタンが大気中の酸素と反応し、その表面に酸化チタンが生成する。この状態を模式的に図３（Ｂ）に示す。図３（Ｂ）において、介在物１１１は第１の金属１０１ｂ側に第２の金属１１１ａとしてチタンを用い、その上に第２の金属の酸化物１１１ｂとして、酸化チタン層が形成されている。なお、酸化チタン（ＴｉＯｘ）層は０＜ｘ＜２であり、導電性の金属酸化物である。
次いで、キャリア注入層１１３を介在物１１１上に成膜する。本実施の形態ではキャリア注入層１１３として、スパッタリング法を用いてインジウム−錫酸化物膜を成膜する（図３（Ｃ）参照）。インジウム−錫酸化物膜は酸素を含み、その成膜も、酸素を含むスパッタリングガスを用いる。従って、金属に接してインジウム−錫酸化物膜を成膜すると、界面が酸化され易い。しかし、本実施の形態において、一方の電極１０１はその表面にすでに酸化された介在物１１１が形成されているため、インジウム−錫酸化物膜を形成しても、高抵抗な酸化被膜が形成されない。
なお、キャリア注入層１１３に、アクセプター性の材料を含む有機材料層を形成する場合も同様に、高抵抗な酸化被膜が形成されない。
次いで、真空蒸着法を用いて発光性の有機化合物を含む層１０３を形成する。
次いで、真空蒸着法を用いてマグネシウムと銀を発光性の有機化合物を含む層１０３上に共蒸着して、他方の電極１０２として、半透過・半反射膜を形成する（図３（Ｄ）参照）。
＜変形例＞
なお、本実施の形態において、一方の電極１０１上に介在物１１１となる第２の金属膜が形成された基板１００を大気に曝すことなく、連続してキャリア注入層１１３を形成してもよい。この方法によれば、介在物１１１となる第２の金属膜が酸化される前に、キャリア注入層１１３を形成することになる。このような構成であっても、第２の金属を酸化する能力のあるキャリア注入層１１３（例えば、酸化物導電膜やアクセプター性の材料を含む有機材料層）を形成すると、介在物となる第２の金属の表面が酸化され、介在物１１１に導電性の酸化物が含まれることになり、同様の効果を奏する。
上記本発明の一態様の発光素子は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する。第１の金属を一方の電極に設けることで、一方の電極の電気抵抗が低減され、且つ導電性の介在物によりその表面に高抵抗の酸化皮膜が形成される現象を抑制できる。その結果、電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を提供できる。
上記本発明の一態様の発光素子は、酸化されても良好な導電性を示す金属を含む介在物が、一方の電極の表面が備える第１の金属に、設けられている。これにより、第１の金属の酸化を防止できる。その結果、電気抵抗が高い酸化被膜が形成される金属であっても第１の金属に利用できる。
上記本発明の一態様の発光素子は、第１の金属に接して設けられた第２の金属と、該第２の金属表面に第２の金属の酸化物を含む介在物を有する。これにより、第１の金属の酸化を防止できる。その結果、電気抵抗が高い酸化被膜が形成される金属であっても第１の金属に利用できる。
上記本発明の一態様の発光素子は、一方の電極の表面にアルミニウムを含む第１の金属を備える構成を有する。これにより、一方の電極の反射率を高められる。その結果、電極の吸収による光の損失が抑制された、効率のよい発光素子を提供できる。
上記本発明の一態様の発光素子は、一方の電極と他方の電極が微小共振器（またはマイクロキャビティ）を構成する。これにより、特定の波長の光を効率よく取り出すことができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子に用いることができる、一対の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層の構成の一例について図４を参照して説明する。
本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極または第２の電極のいずれか一方は陽極、他方が陰極として機能する。ＥＬ層は第１の電極と第２の電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。
＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図４（Ａ）に示す。図４（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１つ備えるということができる。
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。
＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図４（Ｃ）に示す。図４（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さらに、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例１の記載を参酌できる。
中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである。
＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図４（Ｄ）に示す。図４（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。
なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図４（Ｅ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。
また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細については、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。
発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。
＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、インジウム−亜鉛酸化物膜は、酸化インジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いても良い。
但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。
＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。
＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を陰極側に設ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となり、第２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
＜電子注入バッファーに用いることができる材料＞
電子注入バッファー１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
電子注入バッファー１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。
なお、白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものとする必要があり、例えば、青色、緑色、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える発光モジュールおよび発光パネルについて図５を参照して説明する。
具体的には、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光と、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光と、を含む光を発するように発光性の有機化合物を含む層が設けられている発光素子と、それに重なるカラーフィルタを有する発光モジュールについて説明する。また、該発光モジュールを複数有する発光パネルについて説明する。
本実施の形態で例示する発光モジュールと、発光モジュールを複数備える発光パネルを図５に示す。発光パネル４９０は、第１の発光モジュール４５０Ｒと、第２の発光モジュール４５０Ｇと、第３の発光モジュール４５０Ｂと、第４の発光モジュール４５０Ｒ２とを有する。
＜発光モジュールの構成＞
第１の発光モジュール４５０Ｒを用いて、発光モジュールの構成を説明する。第１の発光モジュール４５０Ｒは、第１の金属４０１ｂの表面に介在物４１１が設けられた第１の一方の電極と他方の電極４０２との間に、発光性の有機化合物を含む層４０３を備える。また、該介在物４１１は第２の金属の酸化物を含み、その第２の金属の酸化物と発光性の有機化合物を含む層の間に、キャリア注入層４１３を備える。ここで、基板４００上の第１の一方の電極と他方の電極４０２の間に発光性の有機化合物を含む層４０３が挟持され、発光素子が構成されている。そして、基板５００上に設けられたカラーフィルタ５４０Ｒが、該発光素子に重ねて他方の電極側に設けられている。なお、実施の形態１にて説明した発光素子は、本実施の形態で例示する発光モジュールに適用できる。
キャリア注入層４１３は第１の一方の電極と他方の電極４０２の間の光学距離を調整する光学調整層としても機能する。本実施の形態では、キャリア注入層４１３として、可視光に対して透光性を有する導電膜が介在物４１１に接して設けられている。
なお、キャリア注入層４１３上に開口部を有する隔壁４４０が、キャリア注入層４１３の端部を覆って設けられている。
発光性の有機化合物を含む層４０３は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光と、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光と、を含む白色を呈する光を発するように設けられている。なお、発光性の有機化合物を含む層４０３の詳細な説明は、実施の形態２を援用するものとする。
上記本発明の一態様の発光モジュールは、一対の電極の間に白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子と、それに重なるカラーフィルタを有する。これにより、白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層から、カラーフィルタで特定される波長の光をとりだすことができる。その結果、発光性の有機化合物を含む層を作り分けることなく、異なる色を呈する光を発する発光モジュールを提供できる。
＜発光パネルの構成＞
発光パネル４９０は、第１の発光モジュール４５０Ｒと、第２の発光モジュール４５０Ｇと、第３の発光モジュール４５０Ｂと、第４の発光モジュール４５０Ｒ２とを有する。
第１の発光モジュール４５０Ｒは、赤色を呈する光を透過する第１のカラーフィルタ５４０Ｒを備え、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第１の一方の電極と半透過・半反射性の第１の他方の電極の間の光学距離が第１のキャリア注入層の厚さを用いて調整されている。
第２の発光モジュール４５０Ｇは、緑色を呈する光を透過する第２のカラーフィルタ５４０Ｇを備え、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第２の一方の電極と半透過・半反射性の第２の他方の電極の間の光学距離が第２のキャリア注入層の厚さを用いて調整されている。
第３の発光モジュール４５０Ｂは、青色を呈する光を透過する第３のカラーフィルタ５４０Ｂを備え、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第３の一方の電極と半透過・半反射性の第３の他方の電極の間の光学距離が発光性の有機化合物を含む層４０３の厚さを用いて調整されている。
第４の発光モジュール４５０Ｒ２は、赤色を呈する光を透過する第４のカラーフィルタ５４０Ｒ２を備える他は、第１の発光モジュール４５０Ｒと同じ構成を備える。
なお、それぞれのカラーフィルタは遮光性の膜５１０（ブラックマトリクスともいう）で分離されている。また、本実施の形態において、一方の電極の第１の金属にＮｉ−Ａｌ−Ｌａを用い、第１の金属に接する第２の金属にチタン層を、そして介在物としてチタンの表面に酸化チタン（ＴｉＯｘ）（ただし、０＜ｘ＜２）が形成された構成を用いるのが好ましい。なぜなら、電気抵抗の高い酸化膜の形成を防ぎつつ、反射率が高いからである。また、発光モジュールのキャリア注入層はいずれもフォトリソグラフィ法を用いて加工されたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる。このような構成とすることで、発光色が異なる高精細な発光モジュールを集積して作製できる。
上記本発明の一態様の発光パネルは、赤色を呈する光を発する発光モジュールと、緑色を呈する光を発する発光モジュールと、青色を呈する光を発する発光モジュールとを有する。また、いずれの発光モジュールも発光性の有機化合物を含む層が同一の層であり、且つ電気抵抗に起因する損失が低減された発光素子を備える。これにより、それぞれの色を呈する発光モジュールを独立して駆動できる。その結果、さまざまな色を呈する光を調光可能な発光パネルを提供できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える発光パネルを用いた発光装置について図６、及び図７を参照して説明する。具体的には、アクティブマトリクス型及びパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。
＜アクティブマトリクス型の発光装置＞
アクティブマトリクス型の発光装置に適用した場合の構成を図６に示す。なお、図６（Ａ）は、発光装置の上面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）をＡ−Ｂ及びＣ−Ｄで切断した断面図である。
アクティブマトリクス型の発光装置１４００は、駆動回路部（ソース側駆動回路）１４０１、画素部１４０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１４０３、封止基板１４０４、シール材１４０５を備える（図６（Ａ）参照）。なお、シール材１４０５で囲まれた内側は、空間になっている。
発光装置１４００は外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣ又はＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、発光装置１４００の構成について図６（Ｂ）に示す断面図を用いて説明する。発光装置１４００は、素子基板１４１０上に図示されたソース側駆動回路１４０１を含む駆動回路部及び、図示された画素を含む画素部１４０２を備える。また、ソース側駆動回路１４０１及びゲート側駆動回路１４０３に入力される信号を伝送するための引き回し配線１４０８を備える。
なお、本実施の形態ではソース側駆動回路１４０１がｎチャネル型トランジスタ１４２３とｐチャネル型トランジスタ１４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む構成について例示するが、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で構成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
なお、トランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。
＜ＳＯＩ基板を用いる構成＞
また、トランジスタのチャネルが形成される領域に、単結晶半導体を用いることができる。単結晶半導体をチャネル形成領域に用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導体基板、化合物半導体基板（ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＧａＮ基板等）などの半導体基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。
ＳＯＩ基板の作製方法としては、鏡面研磨ウェハーに酸素イオンを注入した後、高温加熱することにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作る方法、水素イオン照射により形成された微小ボイドの熱処理による成長を利用して半導体基板を劈開する方法や、絶縁表面上に結晶成長により単結晶半導体層を形成する方法等を用いることができる。
本実施の形態では、単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、単結晶半導体基板の一つの面上、又は素子基板１４１０上のどちらか一方に絶縁層を形成する。単結晶半導体基板と素子基板１４１０を、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆弱化層に亀裂を生じさせ、単結晶半導体基板を脆弱化層で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より半導体層として単結晶半導体層を素子基板１４１０上に形成する。なお、素子基板１４１０としては、ガラス基板を用いることができる。
また、半導体基板に絶縁分離領域を形成し、絶縁分離された半導体領域を用いてトランジスタ１４１１、１４１２を形成してもよい。
単結晶半導体をチャネル形成領域として用いることで、結晶粒界における結合の欠陥に起因する、トランジスタのしきい値電圧等の電気的特性のばらつきを軽減できるため、本発明の一態様の表示装置は、各画素にしきい値電圧補償用の回路を配置しなくても正常に発光素子を動作させることができる。したがって、一画素における回路要素を削減することが可能となるため、レイアウトの自由度が向上する。よって、表示装置の高精細化を図ることができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり３５０以上含む（水平解像度が３５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）以上である）、さらに好ましくは４００以上含む（水平解像度が４００ｐｐｉ以上である）構成とすることが可能となる。
さらに、単結晶半導体をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、高い電流駆動能力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し、かつ表示装置の狭額縁化が達成できる。
＜画素部の構成＞
また、画素部１４０２は本発明の一態様の発光パネルを用いて形成されている。該発光パネルはスイッチング用トランジスタ１４１１と、電流制御用トランジスタ１４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１４１３とを含む複数の画素を有する。画素部１４０２に設けられる発光パネルの構成としては、例えば実施の形態３で例示した構成を適用できる。具体的には、実施の形態３で例示した発光パネルが備える発光素子のそれぞれに、スイッチング用のトランジスタを設ける構成とすればよい。なお、隔壁１４１４が第１の電極１４１３の端部を覆って形成されている。ここでは、ポジ型の感光性ポリイミド膜を用いることにより形成する。
また、隔壁１４１４の上端部又は下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁１４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁１４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁１４１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。なお、反射膜を覆う隔壁を遮光性とすると、反射膜による外光の反射を抑制できる。発光モジュールの外側に延在する反射膜が、外光を反射すると発光装置のコントラストが低下してしまうため、鮮やかな発光を得られない。遮光性の隔壁は、黒色に着色した樹脂層を用いて形成できる。
発光装置１４００は、第１の電極１４１３上に第２の電極１４１７を有し、第１の電極１４１３と第２の電極１４１７の間に発光性の有機化合物を含む層１４１６が設けられ、発光素子１４１８を構成している。発光素子１４１８の構成としては、例えば実施の形態３で例示した発光パネルが備える発光素子の構成を適用できる。
本実施の形態で例示する発光装置１４００は、素子基板１４１０、封止基板１４０４、及びシール材１４０５で囲まれた空間１４０７に本発明の一態様の発光パネルが備える発光素子１４１８を封止する構造になっている。なお、空間１４０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１４０５で充填される場合もある。また、乾燥剤など不純物の吸着材を設けても良い。
シール材１４０５及び封止基板１４０４は、大気中の不純物（例えば水分や酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。封止基板１４０４に用いる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板をその例に挙げることができ、シール材１４０５には代表的にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。
なお、封止基板１４０４には、発光素子１４１８と重なる位置にカラーフィルタ１４３４が設けられ、隣接する２つの発光素子の間に重なる位置に遮光性の膜１４３５（ブラックマトリクスともいう）が設けられている。
上述した本発明の一態様のアクティブマトリクス型の発光装置は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える発光パネルを用いている。その結果、電気抵抗に起因する損失が低減された発光装置を提供できる。
＜パッシブマトリクス型の発光装置＞
次に、パッシブマトリクス型の発光装置に適用した場合の構成を図７に示す。なお、図７（Ａ）は、発光装置が備える発光パネルを示す斜視図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）に示す切断線Ｘ−Ｙで発光装置を切断した断面図である。
パッシブマトリクス型の発光装置２５００は、基板２５０１上に第１の電極２５０２を備える。また、絶縁層２５０５が第１の電極２５０２の端部を覆って設けられており、隔壁層２５０６が絶縁層２５０５上に設けられている。
また、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｒと、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｇと、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｂと、がそれぞれ発光素子の上に設けられている。
発光装置２５００は、本発明の一態様の発光パネルを用いて形成されている。該発光パネルは、例えば実施の形態３で例示した構成を適用できる。第１の電極２５０２上に第２の電極２５０３を有し、第１の電極２５０２と第２の電極２５０３の間に発光性の有機化合物を含む層２５０４が設けられ、発光素子を構成している。発光素子の構成としては、例えば実施の形態３で例示した発光パネルが備える発光素子の構成を適用できる。なお、本実施の形態の発光パネルが備える発光モジュールは、一対の電極の間に白色を呈する光を発する発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子と、それに重なるカラーフィルタを有している。
隔壁層２５０６の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層２５０６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層２５０５の面方向と同様の方向を向き、絶縁層２５０５と接する辺）の方が上辺（絶縁層２５０５の面方向と同様の方向を向き、絶縁層２５０５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層２５０６を設けることで、電気的なクロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
上述した本発明の一態様のパッシブマトリクス型の発光装置は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える発光パネルを用いている。その結果、電気抵抗に起因する損失が低減された発光装置を提供できる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える本発明の一態様の発光パネルを搭載した発光装置の一例について、図８を用いて説明する。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図８に示す。
図８（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図８（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
図８（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図８（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図８（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図８（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光源として本発明の一態様の発光装置７５０３ａ〜７５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。
また、本発明の一態様の発光装置は、発光パネルが薄膜状であるため、曲面を有する基体に貼り付けることで、曲面を有する発光装置とすることができる。また、その発光装置を、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器または照明装置を実現することができる。
上述した本発明の一態様の発光装置は、導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と他方の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有する発光素子を備える本発明の一態様の発光パネルを搭載する。その結果、電気抵抗に起因する損失が低減された発光装置を提供できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
１００ 基板
１０１ 電極
１０１ａ 導電性材料
１０１ｂ 第１の金属
１０２ 電極
１０３ 発光性の有機化合物を含む層
１１１ 介在物
１１１ａ 第２の金属
１１１ｂ 第２の金属の酸化物
１１３ キャリア注入層
１３０ 光学距離
１６０ 発光素子
４００ 基板
４０１ｂ 第１の金属
４０２ 電極
４０３ 発光性の有機化合物を含む層
４１１ 介在物
４１３ キャリア注入層
４４０ 隔壁
４５０Ｂ 発光モジュール
４５０Ｇ 発光モジュール
４５０Ｒ 発光モジュール
４５０Ｒ２ 発光モジュール
４９０ 発光パネル
５００ 基板
５１０ 膜
５４０Ｂ カラーフィルタ
５４０Ｇ カラーフィルタ
５４０Ｒ カラーフィルタ
５４０Ｒ２ カラーフィルタ
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファー
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
１４００ 発光装置
１４０１ ソース側駆動回路
１４０２ 画素部
１４０３ ゲート側駆動回路
１４０４ 封止基板
１４０５ シール材
１４０７ 空間
１４０８ 配線
１４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１４１０ 素子基板
１４１１ スイッチング用トランジスタ
１４１２ 電流制御用トランジスタ
１４１３ 電極
１４１４ 隔壁
１４１６ 発光性の有機化合物を含む層
１４１７ 電極
１４１８ 発光素子
１４２３ ｎチャネル型トランジスタ
１４２４ ｐチャネル型トランジスタ
１４３４ カラーフィルタ
１４３５ 膜
２１４０Ｂ カラーフィルタ
２１４０Ｇ カラーフィルタ
２１４０Ｒ カラーフィルタ
２５００ 発光装置
２５０１ 基板
２５０２ 電極
２５０３ 電極
２５０４ 発光性の有機化合物を含む層
２５０５ 絶縁層
２５０６ 隔壁層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 入力手段（操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ〜７５０３ｄ 発光装置

Claims (13)

  1. 導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と、
    可視光に対する透光性を有し且つ前記一方の電極と重なる他方の電極と、
    前記一方の電極と前記他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を有し、
    前記介在物は第２の金属の酸化物を含み、
    前記第２の金属の酸化物と前記発光性の有機化合物を含む層の間に、キャリア注入層を備える発光素子。
  2. 導電性の介在物が設けられた第１の金属を表面に備える一方の電極と、
    可視光に対する透光性を有し且つ前記一方の電極と重なる他方の電極と、
    前記一方の電極と前記他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層と、を有し、
    前記介在物は第２の金属の酸化物を含み、
    前記第２の金属の酸化物は、前記発光性の有機化合物を含む層に設けられたキャリア注入層と接する発光素子。
  3. 前記導電性の介在物に含まれる前記第２の金属が、チタン、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニウム、インジウム、ニッケル、亜鉛、およびスズから選ばれたいずれか一を含む請求項１または請求項２記載の発光素子。
  4. 前記導電性の介在物が前記第２の金属を含む層と、前記第２の金属の酸化物を含む層の積層体である請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子。
  5. 前記導電性の介在物が前記第２の金属を含む粒状体と、それを平坦に覆う前記第２の金属の酸化物を含む層の積層体である請求項１または請求項３のいずれか一に記載の発光素子。
  6. 前記導電性の介在物が前記第２の金属の酸化物を含む層を表面に備える前記第２の金属を含む粒状体である請求項１または請求項３のいずれか一に記載の発光素子。
  7. 前記キャリア注入層が酸化物導電膜、またはアクセプター性の材料を含む有機材料層であって、且つ可視光に対する透光性を有する、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光素子。
  8. 前記第１の金属がアルミニウム、またはアルミニウムを含む合金であって、その厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光素子。
  9. 前記第１の金属がアルミニウムと、ニッケルと、ランタンを含む合金である請求項８記載の発光素子。
  10. 前記他方の電極が、可視光に対し反射率が１％以上１００％未満であって、透過率が１％以上１００％未満である請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子。
  11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の前記発光素子と、それに重なるカラーフィルタとを有し、
    前記発光素子は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光と、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光と、を含む光を発するように前記発光性の有機化合物を含む層が設けられている、発光モジュール。
  12. 請求項１１記載の発光モジュールを複数有し、
    第１の発光モジュールは、赤色を呈する光を透過する第１のカラーフィルタを備え、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第１の一方の電極と半透過・半反射性の第１の他方の電極の間の光学距離が第１のキャリア注入層の厚さを用いて調整され、
    第２の発光モジュールは、緑色を呈する光を透過する第２のカラーフィルタを備え、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第２の一方の電極と半透過・半反射性の第２の他方の電極の間の光学距離が第２のキャリア注入層の厚さを用いて調整され、
    第３の発光モジュールは、青色を呈する光を透過する第３のカラーフィルタを備え、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長を有する光を発するように一対の反射性の第３の一方の電極と半透過・半反射性の第３の他方の電極の間の光学距離が第３のキャリア注入層の厚さを用いて調整され、
    前記複数の発光モジュールは前記発光性の有機化合物を含む層が同一であり、
    前記第１の一方の電極と、前記第２の一方の電極と、前記第３の一方の電極が互いに独立している発光パネル。
  13. 請求項１２記載の発光パネルを備える発光装置。
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TW (1) TWI619284B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015130319A (ja) * 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2017212042A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社カネカ 有機ｅｌ素子
JP2018190637A (ja) * 2017-05-10 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、情報処理装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040244A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Sony Corp 発光素子
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
US9711110B2 (en) * 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI650580B (zh) 2012-05-09 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI588540B (zh) 2012-05-09 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
KR101934787B1 (ko) * 2012-07-25 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
KR101975309B1 (ko) 2012-07-25 2019-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
KR101954973B1 (ko) * 2012-09-19 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8766531B1 (en) * 2012-12-14 2014-07-01 Universal Display Corporation Wearable display
TW201429016A (zh) * 2013-01-09 2014-07-16 Ultimate Image Corp 應用於照明裝置之有機發光二極體元件
KR101998627B1 (ko) * 2013-01-25 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법
CN104143559A (zh) * 2013-05-09 2014-11-12 上海和辉光电有限公司 一种有机发光器件及制造方法及显示面板
US8816358B1 (en) * 2013-07-03 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasmonic nanostructures for organic image sensors
US9390649B2 (en) 2013-11-27 2016-07-12 Universal Display Corporation Ruggedized wearable display
US10680017B2 (en) * 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
JP2016110904A (ja) * 2014-12-09 2016-06-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子の製造方法および有機発光素子
FR3057995B1 (fr) * 2016-10-21 2019-03-29 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif
CN109119438B (zh) * 2017-06-26 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
KR20210014798A (ko) * 2019-07-30 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 표시패널
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004192890A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2005038642A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP2005122980A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
JP2005129496A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Hannstar Display Corp 有機発光素子
US20060279190A1 (en) * 2005-05-27 2006-12-14 Fuji Photo Film Co., Ltd Organic EL device
JP2007005784A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 有機ｅｌ素子

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
JP2001043980A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
SG113443A1 (en) 2001-12-05 2005-08-29 Semiconductor Energy Laboratao Organic semiconductor element
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US7030553B2 (en) 2003-08-19 2006-04-18 Eastman Kodak Company OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
CN1868240B (zh) 2003-09-19 2010-06-16 索尼株式会社 显示装置及其制造方法,有机发光装置及其制造方法
JP4453316B2 (ja) 2003-09-19 2010-04-21 ソニー株式会社 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置
JP4716699B2 (ja) * 2003-09-30 2011-07-06 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
KR20060046476A (ko) 2004-06-18 2006-05-17 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 패널
JP4731211B2 (ja) 2004-06-18 2011-07-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
US7554265B2 (en) 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
WO2006033472A1 (en) 2004-09-24 2006-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1803172B1 (en) 2004-09-24 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
WO2006035958A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
WO2006049323A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
KR101210858B1 (ko) 2004-11-05 2012-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 이를 이용하는 발광 장치
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP5207645B2 (ja) * 2006-03-29 2013-06-12 キヤノン株式会社 多色有機発光装置
US8330351B2 (en) * 2006-04-20 2012-12-11 Universal Display Corporation Multiple dopant emissive layer OLEDs
KR101434362B1 (ko) * 2007-10-17 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이 장치
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2010153365A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
KR101581989B1 (ko) * 2009-02-10 2015-12-31 가부시키가이샤 제이올레드 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법
WO2011024331A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20110039810A (ko) * 2009-10-12 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101097336B1 (ko) * 2010-02-26 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 전면발광형 유기 발광 소자
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004192890A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2005038642A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP2005122980A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
JP2005129496A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Hannstar Display Corp 有機発光素子
US20060279190A1 (en) * 2005-05-27 2006-12-14 Fuji Photo Film Co., Ltd Organic EL device
JP2007005784A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 有機ｅｌ素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015130319A (ja) * 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2020181823A (ja) * 2013-12-02 2020-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、テレビジョン装置
JP2017212042A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社カネカ 有機ｅｌ素子
JP2018190637A (ja) * 2017-05-10 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、情報処理装置

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