JP2012112725A5 - - Google Patents
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Description
上記課題を解決するために、本発明の放射線検出装置は、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された可視光を電気信号に変換する画素が基板に２次元アレイ状に複数配置された光電変換部と、放射線吸収部材と放射線透過部材とが交互に配置された散乱放射線除去用のグリッドと、を含む放射線検出装置であって、前記放射線検出装置の放射線が照射される側から、前記グリッド、前記基板、前記光電変換部、前記シンチレータの順に配置されていることを特徴とする。
Claims (9)
- 照射された放射線を可視光に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された可視光を電気信号に変換する画素が基板に２次元アレイ状に複数配置された光電変換部と、放射線吸収部材と放射線透過部材とが交互に配置された散乱放射線除去用のグリッドと、を含む放射線検出装置であって、
前記放射線検出装置の放射線が照射される側から、前記グリッド、前記基板、前記光電変換部、前記シンチレータの順に配置されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記基板の前記放射線が照射される側の表面とは反対側の表面に前記光電変換部が設けられており、前記基板の放射線が照射される側の表面に前記グリッドが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
- 前記グリッドは、前記基板の前記放射線が照射される側の表面の少なくとも一部に接して、又は、前記基板の前記放射線が照射される側の表面上に接着されて配置されており、前記グリッドの厚さをｈ、前記放射線透過部材を挟む複数の前記放射線吸収部材の間の間隔をＤ、前記放射線吸収部材の厚さをｄ、前記基板の厚さをＴ、前記光電変換部の厚さをｔ、前記画素の画素ピッチをＰとした場合、前記グリッドの前記放射線が照射される側の表面とは反対側の表面と前記シンチレータの前記放射線が照射される側の表面との間の距離Ｌは、
ｔ＋Ｔ ＜ Ｌ ＜ ４×Ｐ×ｈ／Ｄ
を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。 - 前記放射線検出装置に要求される検出量子効率をＤＱＥとすると、前記距離Ｌは、
ｔ＋Ｔ ＜ Ｌ ＜ ＤＱＥ×ｈ／Ｄ
を満たすことを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。 - 前記基板は、前記放射線が入射される側から薄膜化加工が施されて形成された表面を有し、前記基板の厚さＴは、０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出装置。
- 前記基板と前記光電変換部と前記シンチレータと前記グリッドとを収容する筐体を更に有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
- 前記筐体は、前記シンチレータの放射線が入射される側の表面とは反対側の表面を固定して支持する支持基台を備えた外装箱と、前記外装箱の放射線入射側に配置されたカバーと、を有し、
前記光電変換部を駆動するための駆動回路及び前記光電変換部からの電気信号を読み取る読出回路の少なくとも一方を制御する制御回路が配置されたプリント回路基板がフレキシブル配線基板を介して前記基板の端部に実装されており、
前記プリント回路基板は、前記支持基台の前記放射線が入射される側とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の放射線検出装置。 - 前記シンチレータは、前記放射線が入射される側に設けられ前記放射線を前記可視光に変換する蛍光体層と、前記放射線が入射される側とは反対側に設けられ前記蛍光体層を保護する部材と、を含み、
前記支持基台に前記シンチレータの前記保護する部材が設けられた側の表面が固定されることを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置。 - 請求項１〜８に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。
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