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TWI833894B - 放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置 Download PDF

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TWI833894B
TWI833894B TW109103972A TW109103972A TWI833894B TW I833894 B TWI833894 B TW I833894B TW 109103972 A TW109103972 A TW 109103972A TW 109103972 A TW109103972 A TW 109103972A TW I833894 B TWI833894 B TW I833894B
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牛倉信一
加藤宗貴
赤松圭一
中津川晴康
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日商富士軟片股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異之放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置，該放射線檢測器的製造方法具備：在支撐體上經由剝離層設置撓性基材，且在基材的像素區域中形成設置有複數個像素之TFT基板之製程；在基材的第1面上形成將放射線轉換成光之轉換層之製程；在轉換層的與TFT基板側的面相反的一側的表面上設置第1補強基板之製程；從支撐體剝離設置有轉換層及第1補強基板之TFT基板之製程；在從支撐體剝離之TFT基板的從支撐體剝離之面亦即第2面上設置第2補強基板之製程；及在第2補強基板配置製程之後，從設置有轉換層之TFT基板剝離第1補強基板之製程。

Description

放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置
本揭示有關一種放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置。
先前，已知有一種以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在該等放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線而生成放射線圖像之放射線檢測器(例如，參閱日本特開2009-133837號公報及日本特開2012-112725號公報)。
作為該種放射線檢測器，存在如下者，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換成光；及基板，在基材的像素區域中設置有蓄積依據由轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素。作為該種放射線檢測器的基板的基材，已知有使用了撓性基材者，撓性基材中連接有用於讀取蓄積於像素中之電荷之電纜。
藉由使用撓性基材，例如能夠使放射線圖像攝影裝置(放射線檢測器)輕型化，並且有時容易拍攝被攝體。
在使用了撓性基材之放射線圖像攝影裝置的製程的中途等中，受撓性基材撓曲之影響而導致轉換層從基板剝離或者像素損壞等，存在放射 線檢測器的基板上產生缺陷之慮。
在日本特開2009-133837號公報中所記載的技術中，在轉換層中之與基板側的面對向之一側的表面上設置有覆蓋轉換層之撓性支撐體。又，在日本特開2012-112725號公報中所記載的技術中，在製造製程中為了保護轉換層及像素，設置有覆蓋轉換層及像素之抗蝕劑。然而，在日本特開2009-133837號公報及日本特開2012-112725號公報中所記載的技術中，未充分地考慮到放射線檢測器的基材撓曲情況，從而不足以抑制在基板上產生缺陷。因此，在日本特開2009-133837號公報中之撓性支撐體或日本特開2012-112725號公報中之抗蝕劑中，在放射線檢測器的製造過程中，存在無法充分地抑制受基材撓曲之影響而產生之基板的缺陷之慮。
又，有時由於與基材連接之電纜的連接不良等而需要對電纜進行再加工。在基板的轉換層側設置了補強基板之狀態下，進行再加工時補強基板成為妨礙，有時再加工性降低。
本揭示提供一種能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異之放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置。
本揭示的第1態樣的放射線檢測器的製造方法具備：在支撐體上經由剝離層設置撓性基材，且在基材的像素區域中形成設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程；在基材的設置有像素之表面上形成將放射線轉換成光之轉換層之製程；在轉換層的與基板側的面相反的一側的表面上設置第1補強基板之製程；從支撐體剝離設置有轉換層及第1補強基板之基板之製程；在從支撐體剝離之基板的從支撐 體剝離之表面上設置第2補強基板之製程；及在設置第2補強基板之製程之後，從設置有轉換層之基板剝離第1補強基板之製程。
本揭示的第2態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣的放射線檢測器的製造方法中，在從支撐體剝離基板之製程之前，還包括將與讀取蓄積於複數個像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於基板的端子區域之製程。
本揭示的第3態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣的放射線檢測器的製造方法中，在設置第1補強基板之製程之前，還包括將與讀取蓄積於複數個像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於基板的端子區域之製程。
本揭示的第4態樣的放射線檢測器的製造方法在第2態樣或第3態樣的放射線檢測器的製造方法中，還包括在配線及電路部中的至少一者中產生缺陷時，在設置有支撐體或第2補強基板之狀態下對配線進行再加工之製程。
本揭示的第5態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第1補強基板的轉換層側之面的大小小於基材的設置有像素之面的大小。
本揭示的第6態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基板的端子區域包括由第1補強基板覆蓋之第1區域及未由第1補強基板覆蓋之第2區域。
本揭示的第7態樣的放射線檢測器的製造方法在第6態樣的放射線檢測器的製造方法中，第1區域小於第2區域。
本揭示的第8態樣的放射線檢測器的製造方法在第6態樣的放射線檢測器的製造方法中，第1區域中之從基材的內部側的一端部至基材的外緣側的另一端部的長度為端子區域中之從基材的內部側的一端部至基材的外緣側的另一端部的長度的1/4以下。
本揭示的第9態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第1補強基板在與基板的端子區域對應之位置上設置有切口部。
本揭示的第10態樣的放射線檢測器的製造方法中，在第1態樣的放射線檢測器的製造方法中，在設置第2補強基板之製程之後，還包括將與讀取蓄積於複數個像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於基板的端子區域之製程。
本揭示的第11態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，在從支撐體剝離基板之製程中，在使基板撓曲之狀態下進行從支撐體的剝離。
本揭示的第12態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，在設置第1補強基板之製程中，藉由照射紫外線而失去接著性之分解性接著劑來進行接著，藉此設置第1補強基板，在剝離第1補強基板之製程中，從第1補強基板的與轉換層側的面相反的一側的表面照射紫外線，藉此進行第1補強基板的剝離。
本揭示的第13態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第1補強基板的厚度薄於第2補強基板的厚度。
本揭示的第14態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板的剛性高於基材。
本揭示的第15態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板為使用了彎曲彈性模數為1000MPa以上且2500MPa以下的材料之補強基板。
本揭示的第16態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板的彎曲剛性為540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
本揭示的第17態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板的彎曲剛性為基材的彎曲剛性的100倍以上。
本揭示的第18態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板的熱膨脹係數相對於轉換層的熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。
本揭示的第19態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
本揭示的第20態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板包含具有降伏點之材料。
本揭示的第21態樣的放射線檢測器的製造方法在第20態樣的放 射線檢測器的製造方法中，具有降伏點之材料為聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個。
本揭示的第22態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材為樹脂製且具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒之微粒層。
本揭示的第23態樣的放射線檢測器的製造方法在第22態樣的放射線檢測器的製造方法中，在形成基板之製程中，以基材的設置有微粒層面成為支撐體側之狀態形成基材。
本揭示的第24態樣的放射線檢測器的製造方法在第22態樣或第23態樣的放射線檢測器的製造方法中，微粒包含原子序數大於構成基材之元素且原子序數為30以下的元素。
本揭示的第25態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材在300℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下。
本揭示的第26態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材在厚度為25μm的狀態下，滿足在400℃下之熱收縮率為0.5%以下及在500℃下之彈性模數為1GPa以上中的至少一者。
本揭示的第27態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材的與第2補強基板對向之面的大小大於第2補強基板的與基材對向之面的大小。
本揭示的第28態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第 3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，第2補強基板具有沿在基板上積層之積層方向所積層之複數個層且複數個層的一部分的大小大於基材的與第2補強基板對向之面的大小。
本揭示的第29態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材的與第2補強基板對向之面的大小小於第2補強基板的與基材對向之面的大小。
本揭示的第30態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材的端部中的至少一部分位於比第2補強基板的端部更靠外部之位置。
本揭示的第31態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，在形成轉換層之製程中，在基材的設置有像素之表面上設置緩衝轉換層的熱膨脹係數與基板的熱膨脹係數之差之緩衝層之後，在緩衝層上形成轉換層。
本揭示的第32態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，在形成轉換層之製程中，藉由氣相沉積法在基板上直接形成CsI的柱狀結晶。
又，本揭示的第33態樣的放射線圖像攝影裝置具備：放射線檢測器，藉由第1態樣至第3態樣中的任一態樣中所述之放射線檢測器的製造方法來進行製造；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素中之電荷之控制訊號；及電路部，藉由電纜與放射線檢測器電連接且依據控制訊號從複數個像素讀取電荷。
本揭示的第34態樣的放射線圖像攝影裝置在第33態樣的放射線 圖像攝影裝置中，還具備具有放射線所照射之照射面且以放射線檢測器中之基板及轉換層中基板與照射面對向之狀態收納放射線檢測器之框體。
依本揭示能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異。
1:放射線圖像攝影裝置
10:放射線檢測器
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
11L:微粒層
11P:微粒
12:TFT基板
13:緩衝層
14:轉換層
14A:中央部
14B:周緣部
22:保護層
30:像素
31:像素陣列
32:開關元件(TFT)
34:感測器部
35:像素區域
36:訊號配線
38:掃描配線
39:共用配線
40:第1補強基板
40A:切口部
40C:第1層第1補強基板
40D:第2層第1補強基板
40E:第3層第1補強基板
40H:貫通孔
42:第2補強基板
42A:第1層
42B:第2層
47:接著層
48:接著層
49:間隔物
51:接著層
52:補強構件
54、541~5411:斷片
60:黏著層
61:開口
62:反射層
63:槽
64:接著層
65:保護層
80:閘極電極
81:汲極電極
82:源極電極
90:基於無機材料之層
103:驅動部
104:訊號處理部
108:電源部
109:防濕絕緣膜
110:控制基板
111、111A、111B:端子區域
111C:第1區域
111D:第2區域
112:柔性電纜
113:端子
114:電源線
116:薄片
117:保護層
118:基台
120:框體
120A:攝影面
120B:邊界部
120C:部分
202:驅動基板
212:驅動電路部
243、243A、243B:連接區域
250、250A~250I:驅動零件
304:訊號處理基板
314:訊號處理電路部
330:連接器
350、350A~350I:訊號處理零件
380:圖像記憶體
382:控制部
400:支撐體
402:剝離層
D:剝離方向
h、H:長度
R:放射線
Rb:後方散射線
S:被攝體
X:交叉方向
Y:撓曲方向
圖1係表示實施形態的放射線檢測器中之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板的結構的一例之結構圖。
圖2係從設置有轉換層之一側觀察實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖4A係用於說明基材的一例之剖面圖。
圖4B係用於說明由於透射了被攝體之放射線而在具有微粒層之基材內產生之後方散射線之說明圖。
圖4C係用於說明由於透射了被攝體之放射線而在不具有微粒層之基材內產生之後方散射線之說明圖。
圖5係從TFT基板的第1面側觀察實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖6A係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之TFT基板形成製程的一例之圖。
圖6B係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之轉換層基板形成製程的一例之圖。
圖6C係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之配線連接形成製程的一例之圖。
圖6D係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之第1補強基板配置製程的一例之圖。
圖6E係圖6D所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖6F係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之支撐體剝離製程的一例之圖。
圖6G係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之第2補強基板配置製程的一例之圖。
圖6H係說明實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例中之第1補強基板剝離製程的一例之圖。
圖7A係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖7B係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖7C係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖7D係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖7E係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖8A係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的 另一例的剖面之剖面圖。
圖8B係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面之剖面圖。
圖9係從設置有轉換層之一側觀察實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖10係圖9所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖11係從設置有轉換層之一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖12A係圖11所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖12B係圖11所示之放射線檢測器的B-B線剖面圖。
圖13係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖14係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖15係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖16係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖17係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖18係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖19係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖20係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖21係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖22係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖23係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖24係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖25係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖26係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖27係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖28係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖29係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖30係表示實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。
圖31A係表示在實施形態的放射線檢測器中第2補強基板的大小不同之形態的一例之剖面圖。
圖31B係表示在實施形態的放射線檢測器中由複數個層構成第2補強基板之一例之剖面圖。
圖31C係表示在實施形態的放射線檢測器中由複數個層構成第2補強基板之另一例之剖面圖。
圖32係表示在實施形態的放射線檢測器中第2補強基板的大小不同之形態的另一例之剖面圖。
圖33係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖34係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖35係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖36係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖37係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖38係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖39係針對實施形態的放射線檢測器的另一例的一像素部分之剖面圖。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本實施形態並不限定本發明。
本實施形態的放射線圖像攝影裝置的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本實施形態的放射線檢測器具備TFT(Thin Film Transistor)基板及將放射線轉換成光之轉換層(參閱圖3的放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14)。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線檢測器中之TFT基板12的構成的一例進行說明。再者，本實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35中形成有包含複數個像素30之像素陣列31之基板。因此，以下將“像素區域35”的表述用作與“像素陣列31”相同含義。本實施形態的TFT基板12為揭示的技術的基板的一例。
各像素30包括感測器部34及開關元件32。感測器部34依據由轉換層轉換之光產生電荷並蓄積。開關元件32讀取在感測器部34中蓄積之電荷。在本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體(TFT)用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30在TFT基板12的像素區域35中沿一個方向(與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”)及與行方向交叉之方向(與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”)配置成二維狀。在圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉地設置有用於控制TFT32的開關狀態(導通及關斷)之複數個掃描配線38和針對像素30的每一列設置之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38中的每一個分別經由柔性電纜112(參閱圖3及圖5)與放射線檢測器10的外部的驅動部103(參閱圖5)連接，藉此從驅動部103輸出之控制TFT32的開關狀態之控制訊號流動。又，複數個訊號配線36中的每一個分別經由柔性電纜112(參閱圖3及圖5)與放射線檢測器10的外部的訊號處理部104(參閱圖5)連接，藉此從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部104。
又，為了向各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置於TFT基板12上之端子(省略圖示)與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
進而，對本實施形態的放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖3係圖2中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
在基材11的第1面11A上設置有像素區域35及端子區域111，該像素區域35中設置有上述像素30。
基材11為具有撓性且包含例如PI(PolyImide：聚醯亞胺)等塑膠之樹脂片。基材11的厚度只要為依據材質的硬度及TFT基板12的大小(第1面11A或第2面11B的面積)等而可獲得所期望的撓性之厚度即可。作為具有撓性之例子，是指在矩形的基材11為單體的情況下，固定了基材 11的一邊之狀態下，在從所固定之邊遠離10cm之位置上基材11以基於基材11的自重的重力垂下2mm以上(變得低於所固定之邊的高度)者。作為基材11為樹脂片的情況的具體例，只要為厚度為5μm~125μm者即可，厚度為20μm~50μm者為更佳。
再者，基材11具有能夠承受像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT(a-Si TFT)的製造之特性。作為該種基材11所具有之特性，在300℃~400℃下之熱膨脹係數(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)為與非晶矽(a-Si)晶圓相同程度(例如，±5ppm/K)為較佳。具體而言，基材11在30℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下，在400℃下之熱收縮率為0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性模數在300℃~400℃之間的溫度區域內不具有通常的PI所具有之轉移點，在500℃下之彈性模數為1GPa以上為較佳。
又，如圖4A及圖4B所示，本實施形態的基材11具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒11P之微粒層11L為較佳。再者，圖4B表示將本實施形態的放射線檢測器10適用於從TFT基板12側照射放射線R之ISS(Irradiation Side Sampling：照射側取樣)方式的放射線檢測器中之情況的例子。
如圖4B及圖4C所示，在基材11中，由於透射了被攝體S之放射線R而產生後方散射線Rb。在基材11為PI等樹脂製的情況下係有機物，因此構成有機物之原子序數相對較小之C、H、O及N等原子由於康普頓效應而後方散射線Rb變多。
如圖4B所示，相較於基材11不具有微粒層11L之情況(參閱圖4C)，在基材11具有包含吸收基材11內所產生之後方散射線Rb之微粒11P之微粒層11L之情況下，抑制透射基材11並向後方散射之後方散射線Rb，因此為較佳。
作為該種微粒11P，包含自身的後方散射線Rb的產生量少且吸收後方散射線Rb而透射了被攝體S之放射線R的吸收少之原子之無機物為較佳。再者，後方散射線Rb的抑制與放射線R的透射性處於權衡關係。從抑制後方散射線Rb的觀點考慮，微粒11P包含原子序數大於構成基材11的樹脂之C、H、O及N等的元素為較佳。另一方面，原子序數越大，吸收後方散射線Rb之能力變得越高，但是若原子序數超過30，則放射線R的吸收量增加而到達轉換層14之放射線R的線量顯著減少，因此非較佳。因此，在為樹脂性基材11的情況下，微粒11P使用原子序數大於構成基材11之有機物之原子且原子序數為30以下之無機物為較佳。作為該種微粒11P的具體例，可舉出原子序數為14的Si的氧化物亦即SiO2、原子序數為12的Mg的氧化物亦即MgO、原子序數為13的Al的氧化物亦即Al2O3及原子序數為22的Ti的氧化物亦即TiO2等。
作為具有該等特性之樹脂片的具體例，可舉出XENOMAX(註冊商標)。
再者，使用測微器(micrometer)測定了本實施形態中之上述厚度。依據JIS K7197：1991測定了熱膨脹係數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，測定所切取之各試驗片之熱膨脹係數並將最高值設為基材11的熱膨脹係數。分別在MD(Machine Direction：縱向)方向及TD(Transverse Direction：橫向)方向上，在-50℃~450℃下以10℃間隔進行熱膨脹係數的測定，並將(ppm/℃)換算成(ppm/K)。關於熱膨脹係數的測量，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm、將樣本寬度設為2mm、將初始負載設為34.5g/mm2、將升溫速度設為5℃/min及將環境設為氬氣。依據JIS K 7171：2016測定了彈性模數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，對所切取之各試驗片進行拉伸試驗並將最高值設為基材11的彈性模數。
再者，由於微粒層11L中所包含之微粒11P，有時在基材11的表面上產生凹凸。如此在基材11的表面上產生了凹凸之狀態下，有時難以形成像素30。因此，如圖4B所示，基材11在與形成像素30之第1面11A相反的一側的第2面11B上具有微粒層11L為較佳。換言之，基材11在與設置有轉換層14之第1面11A相反的一側的第2面11B上具有微粒層11L為較佳。
又，為了充分吸收基材11內所產生之後方散射線Rb，在基材11中靠近被攝體S之一側的表面上具有微粒層11L為較佳。如圖4B所示，在ISS方式的放射線檢測器10中，在第2面11B上具有微粒層11L為較佳。
如此在ISS方式的放射線檢測器10中，基材11在第2面11B上具有微粒層11L，藉此能夠高精度地形成像素30，並且能夠有效地抑制後方散射線Rb。
再者，作為具有所期望的撓性之基材11，並不限定於樹脂片等樹 脂製者。例如，基材11可以為厚度相對薄之玻璃基板等。作為基材11為玻璃基板的情況的具體例，通常一邊為43cm左右的尺寸時，若厚度為0.3mm以下則具有撓性，因此只要為厚度為0.3mm以下者則可以為所期望的玻璃基板。
如圖2及圖3所示，在本實施形態的像素區域35中設置有轉換層14。轉換層14設置於基材11的第1面11A中之包括像素區域35之一部分的區域中。如此，本實施形態的轉換層14未設置於基材11的第1面11A的外周部的區域中。再者，在此，在放射線檢測器10的構造中稱為“上”之情況下，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中位於上方。例如，轉換層14設置於TFT基板12上。
在本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了包括CsI(碘化銫)之閃爍器。作為該等閃爍器，例如包含照射X射線時之發光光譜為400nm~700nm之CsI：Tl(添加有鉈之碘化銫)或CsI：Na(添加有鈉之碘化銫)為較佳。再者，CsI：Tl之可見光區域內之發光峰值波長為565nm。
在本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上直接形成為長條狀的柱狀結晶(省略圖示)。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出真空蒸鍍法，其在使用CsI：Tl作為轉換層14之情況下，在真空度0.01Pa~10Pa的環境下藉由電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI：Tl進行加熱而使其氣化，並使TFT基板12的溫度成為室溫(20℃)~300℃而使CsI：Tl沉積於TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100μm~800μm為較佳。
在本實施形態中，作為一例，如圖3所示，在TFT基板12與轉換層14之間設置有緩衝層13。緩衝層13具有緩衝轉換層14的熱膨脹係數與基材11的熱膨脹係數之差之功能。再者，與本實施形態的放射線檢測器10不同地，可以設為不設置緩衝層13之構成，但是轉換層14的熱膨脹係數與基材11的熱膨脹係數之差越大，設置緩衝層13越為較佳。例如，在將上述XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，相較於其他材質，與轉換層14的熱膨脹係數之差變大，因此如圖3所示之放射線檢測器10那樣設置緩衝層13為較佳。作為緩衝層13，使用PI膜或聚對二甲苯(註冊商標)膜。
保護層22具有從濕氣等水分保護轉換層14之功能。作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜，具體而言，可舉出基於PET(Polyethylene terephthalate：聚對酞酸乙二酯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：雙軸延伸之聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯)及PI等之單層膜或積層膜。又，作為保護層22，可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可舉出在PET等絕緣性薄片(薄膜)上接著鋁箔等來積層了鋁之Alpet(註冊商標)薄片。
在基材11的第2面11B中，遍及整體地設置有第2補強基板42。再者，在基材11的第2面11B與第2補強基板42之間可以設置有用於設置第2補強基板42之黏著層或具有防濕功能之保護膜等。
第2補強基板42的彎曲剛性高於基材11，且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方 向施加於基材11的第2面11B之力之尺寸變化。具體而言，第2補強基板42的彎曲剛性為基材11的彎曲剛性的100倍以上為較佳。又，本實施形態的第2補強基板42的厚度厚於基材11的厚度。例如，在將XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，第2補強基板42的厚度為0.2mm~0.25mm左右為較佳。再者，在此所言之彎曲剛性是指彎曲難度，表示彎曲剛性越高越難以彎曲。
具體而言，本實施形態的第2補強基板42使用彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下的材料為較佳。彎曲彈性模數的測量方法例如基於JIS K 7171：2016基準。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，第2補強基板42的彎曲剛性高於基材11為較佳。再者，若彎曲彈性模數降低則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚第2補強基板42的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述第2補強基板42的材料，則在要獲得超過140000Pacm4之彎曲剛性之情況下，第2補強基板42的厚度存在相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於第2補強基板42之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，第2補強基板42的彎曲剛性為540Pacm4以上且140000Pacm4以下為較佳。
又，本實施形態的第2補強基板42的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳。第2補強基板42的熱膨脹係數相對於轉換層14的熱膨脹係數之比(第2補強基板42的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數)為0.5以上且2以下為更佳。作為該種第2補強基板42的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14以CsI：Tl 為材料之情況下，轉換層14的熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為相對接近於轉換層14之材料，可舉出熱膨脹係數為60ppm/K~80ppm/K之PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)、熱膨脹係數為70ppm/K~80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K~70ppm/K之PET、熱膨脹係數為65ppm/K之PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)及熱膨脹係數為45ppm/K~70ppm/K之鐵氟龍(註冊商標)等。
進而，若考慮上述彎曲彈性模數，則作為第2補強基板42的材料為包含PET及PC中的至少一者之材料為更佳。
從彈性的觀點考慮，第2補強基板42包含具有降伏點之材料為較佳。再者，在本實施形態中，“降伏點”是指，在拉伸材料之情況下，應力突然急劇下降之現象，在表示應力與變形的關係之曲線上，應力未增加而變形增加之點，在進行材料之拉伸強度試驗時的應力-變形曲線中之頂部。作為具有降伏點之樹脂，通常可舉出硬且黏性強之樹脂及柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂。作為硬且黏性強之樹脂，例如可舉出PC等。又，作為柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂，例如可舉出聚丙烯等。
本實施形態的第2補強基板42為將塑膠作為材料之基板。依上述理由，成為第2補強基板42的材料之塑膠為熱塑性樹脂為較佳，可舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、工程塑料(engineering plastic)及聚苯醚中的至少一個。再者，第2補強基板42在該等之中為聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一個為較佳，為苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，為PC及PET中的至少一個為 進一步較佳。
又，如圖2及圖3所示，在基材11的端子區域111中設置有連接柔性電纜112之端子113。本實施形態中之端子區域111是指至少包括設置有端子113之區域且端子區域111的面積為端子113的面積以上。依據柔性電纜112的再加工的容易性來確定端子區域111的範圍。具體而言，端子區域111的範圍(面積)藉由柔性電纜112和端子113中的每一個面積、在對柔性電纜112進行再加工之情況下的柔性電纜112與端子113的連接偏移及再加工的方法等來確定。再者，“再加工”是指，由於缺陷或位置偏移等而卸下與基材11(TFT基板12)連接之電纜或零件並重新進行連接之情況。端子113例如使用各向異性導電薄膜等。
再者，以下中將柔性電纜112連接於端子區域111中的端子113上之情況簡稱為將柔性電纜112連接於端子區域111中。又，在本實施形態中，包括柔性電纜112，關於稱為“電纜”之零件之連接，若無特別說明則表示電連接。再者，柔性電纜112包括由導體構成之訊號線(省略圖示)，且藉由該訊號線與端子113連接來進行電連接。以下中稱為“電纜”之情況是指柔性(具有撓性)電纜。
如上所述，柔性電纜112與驅動部103及訊號處理部104(均參閱圖5)中的至少一者連接。圖5中示出從基材11的第1面11A的一側觀察在本實施形態的放射線檢測器10中藉由柔性電纜112連接有驅動部103及訊號處理部104之狀態的一例之俯視圖。本實施形態的驅動部103及訊號處理部104為本揭示的電路部的一例。
如圖5所示之一例，在端子區域111(111A)的端子113(在圖5 中省略圖示)上熱壓接有複數個(在圖5中，4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112具有連接驅動部103與掃描配線38(參閱圖1)之功能。柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)經由端子區域111(111A)與TFT基板12的掃描配線38(參閱圖1)連接。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於驅動基板202的外周的區域中之連接區域243(243A)熱壓接。柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)經由連接區域243與搭載於驅動基板202上之電路及元件等亦即驅動零件250連接。
在圖5中，作為一例，示出了9個驅動零件250(250A~250I)搭載於驅動基板202上之狀態。如圖5所示，本實施形態的驅動零件250沿與撓曲方向Y交叉之方向亦即交叉方向X配置，該撓曲方向Y為沿與基材11的端子區域111(111A)對應之邊之方向。例如，在驅動零件250具有長邊及短邊之情況下，驅動零件250配置成長邊沿交叉方向X之狀態。
本實施形態之驅動基板202為撓性PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)基板，所謂之柔性基板。搭載於驅動基板202上之驅動零件250為主要用於進行數位訊號的處理之零件(以下，稱為“數位零件”)。作為驅動零件250的具體例，可舉出數位緩衝器、旁路電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻及EMC(Electro Magnetic Compatibility，電磁相容性)對策晶片零件等。再者，驅動基板202可以不一定為撓性基板，亦可以設為後述之非撓性剛性基板。
數位零件存在面積(大小)相對小於後述之類比零件之傾向。又，與類比零件相比，數位零件存在不太容易受電干擾(換言之，雜訊)的影響 之傾向。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將隨著TFT基板12之撓曲而撓曲之一側之基板設為搭載有驅動零件250之驅動基板202。
又，在與驅動基板202連接之柔性電纜112上搭載有驅動電路部212。驅動電路部212與柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)連接。
在本實施形態中，藉由搭載於驅動基板202上之驅動零件250和驅動電路部212實現驅動部103。驅動電路部212為包括實現驅動部103之各種電路及元件中與搭載於驅動基板202上之驅動零件250不同之電路之IC(Integrated Circuit，積體電路)。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與驅動基板202電連接，藉此驅動部103與各掃描配線38連接。
另一方面，在基材11的端子區域111(111B)中熱壓接有複數個(在圖5中，4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)經由端子區域111(111B)與訊號配線36(參閱圖1)連接。柔性電纜112具有連接訊號處理部104與訊號配線36(參閱圖1)之功能。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於訊號處理基板304的連接區域243(243B)中之連接器330電連接。柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)經由連接器330與搭載於訊號處理基板304上之電路及元件等亦即訊號處理零件350連接。作為連接器330，例如可舉出Z IF(Zero Insertion Force，零插力)構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器。在圖5中，作為一例，示出了9個訊號處理零件350(350A~350I)搭載於訊號處理基板304上之狀態。如圖5所示，本實施形態的訊號處理零件350沿交叉方向X而配置，該交叉方向X為沿設置有基材11的端子區域111(111B)之基材11的邊之方向。例如，在訊號處理零件350具有長邊及短邊之情況下，訊號處理零件350配置成長邊沿交叉方向X之狀態。
再者，本實施形態的訊號處理基板304無需一定使用柔性基板，可以為非撓性PCB基板，亦可以為所謂之剛性基板。在將剛性基板用作訊號處理基板304之情況下，訊號處理基板304的厚度厚於驅動基板202的厚度。又，剛性高於驅動基板202。
搭載於訊號處理基板304上之訊號處理零件350為主要用於進行類比訊號的處理之零件(以下，稱為“類比零件”)。作為訊號處理零件350的具體例，可舉出運算放大器、類比數位轉換器(ADC)、數位類比轉換器(DAC)及電源IC等。又，本實施形態之訊號處理零件350還包括零件尺寸相對較大的電源周圍的線圈及平滑用大容量電容器。
如上所述，類比零件存在面積(大小)相對大於數位零件之傾向。又，與數位零件相比，類比零件存在容易受電干擾(換言之，雜訊)的影響之傾向。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將未撓曲之(不受撓曲的影響之)一側的基板設為搭載有訊號處理零件350之訊號處理基板304。
又，與訊號處理基板304連接之柔性電纜112上搭載有訊號處理電路部314。訊號處理電路部314中連接有柔性電纜112中所包括之複數個 訊號線(省略圖示)。
在本實施形態中，藉由搭載於訊號處理基板304上之訊號處理零件350和訊號處理電路部314實現訊號處理部104。訊號處理電路部314為包括實現訊號處理部104之各種電路及元件中與搭載於訊號處理基板304之訊號處理零件350不同之電路之IC。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與訊號處理基板304電連接，藉此訊號處理部104與各訊號配線36連接。
接著，參閱圖6A~圖6H，對本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例進行說明。
預先準備在製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之第1補強基板40上塗佈了接著層48之狀態者。接著層48為由接著劑構成之層，且該接著劑能夠在將在後面進行詳細敘述之第1補強基板配置製程(參閱圖6D及圖6E)中將第1補強基板40接著於TFT基板12上，並且能夠在將在後面進行詳細敘述之第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中從TFT基板12剝離第1補強基板40。作為該種的接著劑，可舉出分解性接著劑。分解性接著劑的種類、具體而言、失去分解性接著劑的接著性之方法取決於在第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中之第1補強基板40的剝離方法。
首先，藉由圖6A所示之基板形成製程來形成TFT基板12。在本實施形態中，作為一例，在厚度厚於基材11之玻璃基板等支撐體400上經由剝離層402形成基材11。在藉由層合法形成基材11之情況下，在支撐體400上貼合作為基材11之薄片。與基材11的第2面11B對應之面成為支 撐體400側，並與剝離層402接觸。
進而，在基材11的像素區域35中形成複數個像素30。再者，在本實施形態中，作為一例，經由使用了SiN等之底塗層(省略圖示)在基材11的像素區域35中形成複數個像素30。
接著，藉由圖6B所示之轉換層形成製程，在像素區域35中形成轉換層14。作為一例，在本實施形態中，首先在基材11的第1面11A中之設置轉換層14之區域中形成緩衝層13。之後，藉由真空沉積法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上(更具體而言，在緩衝層13上)直接形成CsI轉換層14作為柱狀結晶。此時，轉換層14的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向基點側。
再者，如此，藉由氣相沉積法在TFT基板12上直接設置了CsI轉換層14之情況下，轉換層14的與和TFT基板12接觸之一側相反的一側的表面上，例如可以設置有具有反射由轉換層14轉換之光之功能之反射層(省略圖示)。反射層可以直接設置於轉換層14，亦可以經由黏合層等設置。作為反射層的材料，使用了有機系材料者為較佳，例如，將白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等中的至少一個用作材料者為較佳。尤其，從反射率的觀點考慮，將白PET用作材料者為較佳。再者，聚酯系高反射薄片是指具有重疊複數個較薄之聚酯薄片而成之多層構造之薄片(薄膜)。
又，在將CsI閃爍器用作轉換層14之情況下，還能夠藉由與本實施形態不同之方法在TFT基板12上形成轉換層14。例如，可以準備藉 由氣相沉積法在鋁板等上沉積CsI而成者，並藉由黏著性薄片等貼合CsI的未與鋁板接觸之一側和TFT基板12的像素30，藉此在TFT基板12上形成轉換層14。此時，將由保護膜覆蓋還包括鋁板之狀態的轉換層14整體之狀態者與TFT基板12的像素區域35進行貼合為較佳。再者，此時，轉換層14中之與像素區域35接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向的前端側。
又，與本實施形態之放射線檢測器10不同地，可以將GOS(Gd2O2S：Tb)等用作轉換層14來代替CsI。此時，例如準備藉由黏著層等在由白PET等形成之支撐體上貼合使GOS分散於樹脂等黏合劑中而得之薄片而成者，藉由黏著性薄片等貼合GOS的未貼合支撐體之一側和TFT基板12的像素區域35，藉此能夠在TFT基板12上形成轉換層14。再者，相較於使用GOS之情況，在轉換層14中使用CsI之情況下，從放射線向可見光的轉換效率變高。
進而，藉由塗佈或貼合設置保護層22，且覆蓋轉換層14的上表面(與基材11側的面相反的一側的表面)及側面。
接著，藉由圖6C所示之配線連接製程，將柔性電纜112連接於基材11的端子113上。作為一例，在本實施形態中，將柔性電纜112熱壓接於基材11的端子區域111中的端子113上，使柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)與基材11的端子區域111電連接。
進而，將柔性電纜112熱壓接於驅動基板202的連接區域243(243A)中，使柔性電纜112中所包括之複數個訊號線(省略圖示)與搭載於驅動基板202上之驅動零件250電連接，從而成為圖5所示之狀態。
接著，藉由圖6D及圖6E所示之第1補強基板配置製程，在轉 換層14上設置第1補強基板40。再者，圖6D係從基材11的第1面11A側觀察本製程中之放射線檢測器10之俯視圖。又，圖6E係圖6D中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖6D及圖6E所示，在本實施形態中，藉由實施第1補強基板配置製程，在由保護層22覆蓋之轉換層14的與TFT基板12側的面相反的一側的表面上、更具體而言、在保護層22上藉由接著層48設置有第1補強基板40。
作為一例，在本實施形態中，將預先準備之第1補強基板40貼合於形成有轉換層14且與柔性電纜112連接之TFT基板12上。藉由第1補強基板40密封轉換層14。再者，在進行上述貼合之情況下，會在大氣壓下或減壓下(真空下)進行，但是為了抑制空氣等進入所貼合之部位之間，在減壓下進行為較佳。
在本製程之後進行之支撐體剝離製程(參閱圖6F，詳細後述)中，第1補強基板40具有抑制在TFT基板12、更具體而言、TFT基板12及轉換層14的積層體撓曲之情況下產生之TFT基板12的缺陷之功能。在TFT基板12大幅度撓曲之情況下，存在TFT基板12上產生缺陷之慮。例如，存在轉換層14從TFT基板12上剝離之慮，尤其，轉換層14的端部變得容易從TFT基板12剝離。又例如，TFT基板12撓曲，其結果，存在像素30損壞之慮。
因此，在本實施形態中，將第1補強基板40設置於TFT基板12上之第1補強基板配置製程在支撐體剝離製程之前實施，該第1補強基板40用於抑制TFT基板12大幅度撓曲，且即使在TFT基板12撓曲之情況 下亦抑制在TFT基板12中產生缺陷。
與第2補強基板42相同地，第1補強基板40的剛性高於基材11，相對於沿垂直方向施加於與第1面11A對向之面之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方向施加於基材11中第1面11A之力之尺寸變化。又，本實施形態的第1補強基板40的厚度厚於基材11的厚度且薄於第2補強基板42的厚度。例如，在將XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，如上述若將第2補強基板42的厚度設為0.2mm~0.25mm左右，則第1補強基板40的厚度為0.1mm左右為較佳。
又，在本實施形態中，第1補強基板40的彎曲剛性小於第2補強基板42的彎曲剛性。在本實施形態中，在將在後面進行詳細敘述之支撐體剝離製程(參閱圖6F)中從支撐體400剝離TFT基板12之情況及在將在後面進行詳細敘述之第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中從TFT基板12剝離第1補強基板40之情況下，使第1補強基板40撓曲。因此，本實施形態的第1補強基板40容易撓曲成能夠進行上述剝離之程度，並且為了抑制在TFT基板12中產生缺陷，具有能夠抑制TFT基板12大幅度撓曲之高度彎曲剛性。
另一方面，與第1補強基板40不同，第2補強基板42無需撓曲，並且需要確保在與柔性電纜112連接之狀態的TFT基板12的剛性。因此，本實施形態的第2補強基板42的彎曲剛性大於第1補強基板40的彎曲剛性。
具體而言，與第2補強基板42相同地，本實施形態的第1補強基板40使用彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下的材料為較佳。 從上述觀點考慮，第1補強基板40的彎曲剛性為540Pacm4以上且140000Pacm4以下，並且小於第2補強基板42的彎曲剛性為較佳。
又，與第2補強基板42相同地，第1補強基板40的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為，第1補強基板40的熱膨脹係數相對於轉換層14的熱膨脹係數之比(第1補強基板40的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數)為0.5以上且2以下為較佳。進而，從彈性的觀點考慮，與第2補強基板42相同地，第1補強基板40包含具有降伏點之材料為較佳。
第1補強基板40的材質等選擇與將在後面進行詳細敘述之第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中之第1補強基板40的剝離方法相應之材料，但是若考慮上述特性的觀點，則包含PET及PC中的至少一者之材料為較佳。
又，如圖6D及圖6E所示，本實施形態的第1補強基板40的轉換層14側之面的大小小於設置有基材11的像素30之第1面11A的大小，端子區域111未由第1補強基板40覆蓋。
接著，藉由圖6F所示之支撐體剝離製程，從支撐體400剝離放射線檢測器10。作為一例，在本實施形態中，藉由機械剝離來進行支撐體400的剝離。在藉由機械剝離來進行剝離之情況下，在圖6F所示之一例中，將TFT基板12的基材11中之與連接有柔性電纜112之邊對向之邊設為剝離的起點。從成為起點之邊朝向連接有柔性電纜112之邊從支撐體400沿圖6F所示之箭頭D方向緩慢地剝離TFT基板12，藉此進行機械剝離，從而可獲得連接有柔性電纜112之狀態的放射線檢測器10。
再者，作為剝離的起點之邊為俯視TFT基板12時之與最長邊交叉之邊為較佳。換言之，沿由於剝離而產生撓曲之撓曲方向Y之邊為TFT基板12中之最長邊為較佳。在本實施形態中，驅動基板202藉由柔性電纜112連接之邊長於訊號處理基板304側藉由柔性電纜112連接之邊。因此，以與設置有端子區域111(111B)之邊對向之邊為剝離的起點。
在本實施形態中，在從支撐體400剝離TFT基板12之後，進一步電連接放射線檢測器10之柔性電纜112與訊號處理基板304之連接器330。
接著，藉由圖6G所示之第2補強基板配置製程，在TFT基板12上設置第2補強基板42。作為一例，在本實施形態中，在基材11的第2面11B上貼合設置有雙面膠帶等黏著層之第2補強基板42。
接著，藉由圖6H所示之第1補強基板剝離製程，從TFT基板12剝離第1補強基板40，從而製造出本實施形態的放射線檢測器10。
作為一例，在本實施形態中，將藉由照射UV(ultraviolet：紫外線)而失去接著性之分解性接著劑用作接著層48，並且從第1補強基板40的與接著於TFT基板12之面相反的一側的表面照射UV而失去接著層48的接著性，藉此從TFT基板12剝離第1補強基板40。因此，本形態中之第1補強基板40使用使UV透射之材料。
接著，對本實施形態的放射線檢測器10中之第1補強基板40及第2補強基板42的作用進行說明。
如上所述，關於第1補強基板40，在支撐體剝離製程(參閱圖6F)中從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，基材11具有撓性，因此T FT基板12容易撓曲。在TFT基板12大幅度撓曲之情況下，存在TFT基板12上產生缺陷之慮。例如，存在轉換層14從TFT基板12上剝離之慮，尤其，轉換層14的端部變得容易從TFT基板12剝離。又例如，TFT基板12大幅度撓曲，其結果，存在像素30損壞之慮。
相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，第1補強基板40設置於基材11的第1面11A上。因此，依本實施形態的放射線檢測器10，在從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，能夠抑制TFT基板12大幅度撓曲。因此，本實施形態的放射線檢測器10能夠抑制在TFT基板12上產生缺陷。
又，如圖6D及圖6E所示，本實施形態的第1補強基板40的轉換層14側之面的大小小於設置有基材11的像素30之第1面11A的大小，第1補強基板40未覆蓋端子區域111。因此，在第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中剝離第1補強基板40之情況下，能夠抑制與端子區域111中的端子113連接之柔性電纜112引起連接偏移或者剝離。
又，並不限定於從支撐體400剝離TFT基板12之情況，在放射線圖像攝影裝置1的製程的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，與上述相同地，由於撓曲TFT基板12，存在TFT基板12上產生缺陷之慮。相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，在第2補強基板配置製程之後，實施第1補強基板剝離製程，因此成為第1補強基板40及第2補強基板42中的至少一者設置於TFT基板12上之狀態。因此，依本實施形態的放射線檢測器10，即使在單獨處理放射線檢測器10之情況下，亦能夠抑制TFT基板12大幅度撓曲，從而能夠抑制TFT基板12上產 生缺陷。
又，在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，藉由第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)剝離第1補強基板40，因此最終可獲得之放射線檢測器10不具備第1補強基板40。通常，已知有彎曲剛性與其物體的厚度的三次方成比例。
其中，作為比較例，可考慮與本實施形態的放射線檢測器10不同之、將如圖6G所示之狀態那樣在TFT基板12上設置有第1補強基板40及第2補強基板42這兩者之狀態的放射線檢測器10收納於框體中之放射線圖像攝影裝置(參閱圖7A及圖8A、框體120及放射線圖像攝影裝置1)。如此，在TFT基板12上設置有第1補強基板40及第2補強基板42這兩者之狀態下，藉由第1補強基板40及第2補強基板42來確保彎曲剛性。關於藉由第1補強基板40及第2補強基板42可獲得之彎曲剛性，若將第1補強基板40的厚度設為T1且將第2補強基板42的厚度設為T2，則與厚度T1的三次方和厚度T2的三次方相加而獲得之值(T13+T23)成比例。
另一方面，在本實施形態的放射線檢測器10中，在如圖2、圖3及圖6H等中所示之狀態那樣在TFT基板12上僅設置有第2補強基板42之狀態下，藉由第2補強基板42來確保彎曲剛性。其中，在將收納放射線檢測器10之框體(參閱圖7A及圖8A、框體120)的厚度設為與上述比較例相同之情況下，能夠將第2補強基板42的厚度設為厚度T1和厚度T2相加而獲得之厚度(T1+T2)。關於藉由此時的第2補強基板42可獲得之彎曲剛性，與厚度T1和厚度T2相加而獲得之值的三次方((T1+T2)3)成比例。
厚度T1和厚度T2相加而獲得之值的三次方((T1+T2)3)大於厚度T1的三次方和厚度T2的三次方相加而獲得之值(T13+T23)((T1+T2)3>T13+T23)。因此，相較於上述比較例的情況，本實施形態的放射線檢測器10的彎曲剛性變高。
另一方面，在欲在第2補強基板42中獲得藉由上述比較例中之第1補強基板40及第2補強基板42這兩者確保之彎曲剛性之情況下，第2補強基板42的厚度成為厚度T1的三次方和厚度T2的三次方相加而獲得之值(T13+T23)的三次方根，亦即，(T13+T23)1/3。
厚度T1的三次方和厚度T2的三次方相加而獲得之值(T13+T23)的三次方根小於厚度T1和厚度T2相加而獲得之值(T1+T2)((T1+T2)>(T13+T23)1/3)。亦即，在僅設置有第2補強基板42之情況下的補強基板整體的厚度((T13+T23)的三次方根)小於在設置有第1補強基板40及第2補強基板42之情況下的補強基板整體的厚度(T1+T2)。因此，相較於上述比較例的情況，本實施形態的放射線檢測器10能夠減小放射線檢測器10整體的厚度。
又，本實施形態的放射線檢測器10中，能夠藉由第2補強基板42調整在使放射線檢測器10撓曲之情況下產生之應力中性面的位置。放射線檢測器10中之“應力中性面”是指即使放射線檢測器撓曲也不會拉伸亦不會收縮之面，在應力中性面中，應力成為0。向TFT基板12與轉換層14的界面施加應力，藉此轉換層14變得容易從TFT基板12剝離。再者，在本實施形態中“界面”是指轉換層14的與TFT基板12對向之面。因此，在使放射線檢測器10撓曲之情況下的應力中性面越靠近TFT基板12與轉換層 14的界面，向TFT基板12與轉換層14的界面施加之應力變得越小，從而轉換層14變得難以從TFT基板12剝離。
在使TFT基板12撓曲之情況下，應力中性面的位置依據整體的厚度來確定，且在比TFT基板12與轉換層14的界面更靠上側的厚度和更靠下側的厚度相同之情況下，被視為應力中性面的位置和TFT基板12與轉換層14的界面的位置一致之狀態。
在本實施形態的放射線檢測器10中，比TFT基板12與轉換層14的界面更靠上側之轉換層14的厚度相對較厚，且比TFT基板12與轉換層14的界面更靠下側之TFT基板12的厚度相對較薄。因此，在放射線檢測器10中，藉由設置第2補強基板42來增加比TFT基板12與轉換層14的界面更靠下側的厚度，從而調整應力中性面的位置且能夠靠近TFT基板12與轉換層14的界面。再者，在放射線檢測器10的製造製程的中途，在設置有第1補強基板40及第2補強基板42這兩者之狀態(參閱圖6G)下，亦為了使應力中性面更加靠近TFT基板12與轉換層14的界面而使第2補強基板42的厚度厚於第1補強基板40的厚度為較佳。
如此，依放射線檢測器10，能夠藉由第2補強基板42調整應力中性面的位置來使其靠近TFT基板12與轉換層14的界面，因此即使在TFT基板12撓曲之情況下，亦能夠抑制在TFT基板12上產生缺陷。
又，在本實施形態的放射線檢測器10中，存在柔性電纜112從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之慮。尤其，在支撐體剝離製程(參閱圖6F)中使TFT基板12撓曲之情況下，柔性電纜112變得容易從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移。
又，並不限於支撐體剝離製程(參閱圖6F)，在放射線圖像攝影裝置1的製造製程的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，由於TFT基板12撓曲，存在柔性電纜112從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之慮。在柔性電纜112從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之情況下，需要將柔性電纜112再加工至端子區域111中。
相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，如上述第1補強基板40覆蓋基材11(TFT基板12)的第1面11A的一部分而未覆蓋端子區域111。因此，在設置有第1補強基板40之狀態下將柔性電纜112再加工至端子區域111之情況下，本實施形態的放射線檢測器10能夠不被第1補強基板40阻擋而進行再加工，因此再加工性優異。又，在剝離第1補強基板40之後進行柔性電纜112的再加工之情況下，在放射線檢測器10上設置有第2補強基板42，且藉由第2補強基板42確保剛性，因此再加工性優異。
再者，實施配線連接製程(參閱圖6C)之時刻並不限定於本實施形態中所例示之時刻。例如，配線連接製程(參閱圖6C)可以在第1補強基板配置製程(參閱圖6D及圖6E)與支撐體剝離製程(參閱圖6F)之間的時刻實施。
又例如，亦可以在第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)之後的時刻實施配線連接製程(參閱圖6C)。此時，在第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)中，不存在柔性電纜112引起連接偏移等之慮。又，在進行柔性電纜112的再加工之情況下，即使第1補強基板40的轉換層14側之面的大小不小於基材11的第1面11A的大小，第1補強基板40亦不會妨礙進 行再加工。因此，在第1補強基板剝離製程(參閱圖6H)之後的時刻實施配線連接製程(參閱圖6C)之情況下，第1補強基板40的大小可以不考慮端子區域111的位置或大小及柔性電纜112的再加工性。例如，可以將第1補強基板40的轉換層14側之面的大小設為基材11的第1面11A的大小以上，又例如，亦可以設為藉由第1補強基板40覆蓋端子區域111之狀態。
又例如，亦可以在使放射線檢測器10的柔性電纜112與訊號處理基板304的連接器330電連接之後，進行上述機械剝離。
再者，本實施形態的放射線檢測器10可以適用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置中，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線之PSS(Penetration Side Sampling：穿透側取樣)方式的放射線圖像攝影裝置中。
在圖7A中示出將本實施形態的放射線檢測器10適用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置1中之狀態的一例的剖面圖。又，在圖7B中示出將本實施形態的放射線檢測器10適用於PSS方式的放射線圖像攝影裝置1中之狀態的一例的剖面圖。
如圖7A所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。在圖7A所示之例子中，放射線檢測器10設置成像素陣列31的未設置轉換層14之一側與透射了被攝體之放射線所照射之框體120的攝影面120A側對向之狀態。另一方面，在圖7B所示之例子中，放射線檢測器10設置成轉換層14與攝影面120A側對向之狀態。本實施形態的攝影面120A為本揭示的照射面的一例。
控制基板110為形成有存儲與從像素陣列31的像素30讀取之電 荷相應之圖像資料之圖像記憶體380和控制來自像素30之電荷的讀取等之控制部382等之基板。控制基板110藉由包括複數個訊號配線之柔性電纜112與像素陣列31的像素30電連接。再者，在圖7A及圖7B所示之放射線圖像攝影裝置1中，設為在柔性電纜112上設置藉由控制部382的控制而控制像素30的TFT32的開關狀態之驅動部103及生成並輸出與從像素30讀取之電荷相應之圖像資料之訊號處理部104之所謂之COF(Chip On Film，薄膜覆晶)，但是亦可以在控制基板110上形成驅動部103及訊號處理部104中的至少一者。
又，控制基板110藉由電源線114與向形成於控制基板110之圖像記憶體380或控制部382等供給電源之電源部108連接。
框體120為輕型，放射線R之尤其X射線的吸收率低且為高剛性為較佳，由彈性模數充分高之材料構成為較佳。作為框體120的材料，使用彎曲彈性模數為10000MPa以上之材料為較佳。作為框體120的材料，能夠較佳地使用具有20000~60000MPa左右的彎曲彈性模數之碳或CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics：碳纖維強化塑膠)。
在基於放射線圖像攝影裝置1之放射線圖像的拍攝中，對框體120的攝影面120A施加來自被攝體之負載。在框體120的剛性不足之情況下，由於來自被攝體的負載而在TFT基板12上產生撓曲，有可能產生像素30損傷等缺陷。在由具有10000MPa以上的彎曲彈性模數之材料構成之框體120內部收容有放射線檢測器10，藉此能夠抑制由來自被攝體之負載引起之TFT基板12的撓曲。
在圖7A及圖7B所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內， 在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片由於入射放射線而難以產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。再者，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的表面整體，並且覆蓋轉換層14整體為較佳。
又，圖7A及圖7B所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在放射線所入射之一側(攝影面120A側)還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用在絕緣性薄片(薄膜)上接著鋁箔等來積層了鋁之Alpet(註冊商標)薄片、Parylene(註冊商標)膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117對像素陣列31具有防濕功能及防靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素陣列31的放射線所入射之一側的表面整體為較佳，覆蓋放射線所入射之一側的TFT基板12的表面整體為較佳。
再者，在圖7A及圖7B中，示出了將電源部108及控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10的一側、具體而言、設置於矩形的像素陣列31的一個邊側之形態，但是設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖7A及圖7B所示之形態。例如，可以將電源部108及控制基板110分開設置於像素陣列31的2個對向之邊的各邊，亦可以分開設置於相鄰之2個邊的各邊。
電源部108及控制基板110中的每一個具有厚於放射線檢測器10之厚度之情況較多。該種情況下，如圖7C所示之例，設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度可以薄於分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分的厚度。再者，如此，在分別設置有電源部108及控 制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度不同之情況下，若在兩個部分的邊界部中產生段差，則存在使與邊界部120B接觸之被檢者感到不舒服等之慮，因此邊界部120B的形態設為具有傾斜之狀態為較佳。
藉此，能夠構成與放射線檢測器10的厚度相應之極薄型便捷式電子匣。
又例如，此時，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分中框體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分可以分開配置。
又，如上所述，框體120的放射線R之尤其X射線的吸收率低且為高剛性為較佳，由彈性模數充分高之材料構成為較佳，但是如圖7D所示之例子，亦可以與框體120的攝影面120A對應之部分120C的放射線R的吸收率低且為高剛性，由彈性模數充分高之材料構成，而其他部分由與部分120C不同之材料、例如彈性模數低於部分120C之材料構成。
又，如圖7D所示之例子，放射線檢測器10與框體120的內壁面可以接觸。此時，放射線檢測器10與框體120的內壁面可以經由接著層接著，亦可以只是簡單地接觸而不經由接著層。如此，藉由放射線檢測器10與框體120的內壁面接觸，進一步確保放射線檢測器10的剛性。
又，在圖8A中示出將本實施形態的放射線檢測器10適用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置1中之狀態的另一例的剖面圖。進而，在圖8B中示出將本實施形態的放射線檢測器10適用於PSS方式的放射線圖像攝 影裝置1中之狀態的另一例的剖面圖。
如圖8A及圖8B所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有電源部108及控制基板110，沿放射線的入射方向排列設置有放射線檢測器10和電源部108及控制基板110。
又，在圖8A及圖8B所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10及控制基板110之基座118。基座118例如使用碳等。
依圖8A及圖8B所示之結構，相較於放射線檢測器10、控制基板110及電源部108在圖中沿橫向並列設置之情況(參閱圖7A~圖7E)，能夠縮小俯視放射線圖像攝影裝置1時之尺寸。
如以上所說明，本實施形態的放射線檢測器10具備在基材11的第1面11A的像素區域35中形成有複數個像素30之TFT基板12、轉換層14及第2補強基板42。又，放射線檢測器10的製造方法具備基板形成製程、轉換層形成製程、第1補強基板配置製程、支撐體剝離製程、第2補強基板配置製程及第1補強基板剝離製程。
在基板形成製程中，在支撐體400上經由剝離層102設置撓性基材11，且在基材11的像素區域35中形成設置有蓄積依據從放射線R轉換之光產生之電荷之複數個像素30之TFT基板12。在轉換層形成製程中，在設置有基材11的像素30之第1面11A上形成將放射線R轉換成光之轉換層14。在第1補強基板配置製程中，在轉換層14的與TFT基板12側的面相反的一側的表面上設置第1補強基板40。在支撐體剝離製程中，從支撐體400剝離設置有轉換層14及第1補強基板40之TFT基板12。在第2 補強基板配置製程中，在從支撐體400剝離之TFT基板12的從支撐體400剝離之面亦即第2面11B上設置第2補強基板42。在第1補強基板剝離製程中，在第2補強基板配置製程之後，從設置有轉換層14之TFT基板12剝離第1補強基板40。
如上所述，本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，依序實施上述第1補強基板配置製程、支撐體剝離製程、第2補強基板配置製程及第1補強基板剝離製程，因此能夠抑制在TFT基板12中產生缺陷，並且再加工性優異。
再者，放射線檢測器10及放射線檢測器10的製造方法並不限定於上述各實施形態中所說明之形態。
例如，第1補強基板剝離製程中之第1補強基板40的剝離方法並不限定於UV的照射。例如，亦可以設為設置由藉由加熱來失去接著性之分解性(demounting)接著劑構成之接著層48，且藉由加熱來從TFT基板12剝離第1補強基板40之方法。再者，不易影響TFT基板12等之方法為較佳，尤其不易影響接著層48所接觸之保護層22之方法為較佳。因此，相較於藉由加熱來進行剝離，藉由UV的照射來進行剝離為較佳。在藉由加熱來進行第1補強基板40的剝離之情況下，在第1補強基板40中，可以使用不透射UV之材料。例如，在第1補強基板40中，可以使用碳等。再者，此時，在放射線檢測器10的製造過程中，能夠再利用第1補強基板40。
又，在本實施形態中，轉換層14為CsI，且CsI硬而脆(對撓曲弱)，因此將第2補強基板42的彎曲剛性設為高、例如設為基材11的彎曲 剛性的100倍以上。然而，在轉換層14使用另一種材料、例如GOS等比CsI更耐撓曲之材料之情況下，可以使第2補強基板42的彎曲剛性低於上述彎曲剛性。又，轉換層14的厚度越薄，進而像素30的大小越小，在撓曲之情況下變得越不易損傷，因此能夠相對減小第2補強基板42的彎曲剛性。如此，只要依據轉換層14及像素30的相對於撓曲之耐性來確定第2補強基板42的彎曲剛性即可。
又，在上述支撐體剝離製程中，對藉由機械剝離從支撐體400剝離TFT基板12之製程進行了說明，但是剝離方法並不限定於所說明之形態。例如，亦可以設為如下形態：進行從支撐體400的與形成有TFT基板12的面相反的一側的表面照射雷射而進行TFT基板12的剝離之所謂之雷射剝離。
又，第1補強基板40的大小及形狀並不限定於上述形態(參閱圖6D及圖6E)。例如，可以由第1補強基板40覆蓋端子區域111中的一部分的區域。圖9係從基材11的第1面11A側觀察由第1補強基板40覆蓋端子區域111中的一部分的區域之形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖10係圖9中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如上所述，第1補強基板40的轉換層14側之面的大小越大，在確保剛性之方面越為較佳，但是若覆蓋端子區域111的整體，則第1補強基板40成為妨礙而損害柔性電纜112的再加工性。因此，圖9及圖10所示之放射線檢測器10的第1補強基板40覆蓋至端子區域111中的一部分的區域。具體而言，端子區域111具有由第1補強基板40覆蓋之第1區域111C及未由第1補強基板40覆蓋之第2區域111D。
第1區域111C的大小(面積)變得越大，換言之，由第1補強基板40覆蓋之端子區域111的部分變得越大，損害再加工性之憂慮變高。考慮到再加工性之情況下，第1區域111C的大小小於第2區域111D為較佳。又，第1區域111C中之從基材11的內部側的一端部至基材11的外緣側的另一端部的長度h為端子區域111中之從基材11的內部側的一端部至基材11的外緣側的另一端部的長度H的1/4以下(h≦1/4×H)為更佳。
又，例如，第1補強基板40可以覆蓋除了基材11(TFT基板12)的端子區域111以外的所有區域。圖11係從基材11的第1面11A側觀察由第1補強基板40覆蓋除了基材11的端子區域111以外的所有區域之形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖12A係圖11中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖，圖12B係圖11中之放射線檢測器10的B-B線剖面圖。
如圖11及圖12A所示，第1補強基板40在與端子區域111對應之位置上設置有切口部40A而未覆蓋與端子區域111對應之區域。另一方面，如圖11及圖12B所示，第1補強基板40在未設置有端子區域111之區域中覆蓋至基材11(TFT基板12)的端部(外緣)。
如此，在圖11、圖12A及圖12B所示之放射線檢測器10中，在第1補強基板40的與端子區域111對應之區域中設置切口部40A，藉此端子區域111並列之基材11的邊中之端子區域111與端子區域111之間的區域亦由第1補強基板40覆蓋。因此，由第1補強基板40覆蓋TFT基板12(基材11)之面積變大，因此能夠確保更高的剛性。又，端子區域111未由第1補強基板40覆蓋，因此不會損害柔性電纜112的再加工性。
又，第1補強基板40亦可以設為如下形態。
再者，在使用氣相沉積法形成了轉換層14之情況下，如圖13~圖24所示，轉換層14形成為具有厚度朝向其外緣逐漸變薄之傾斜度。以下，將在忽略製造誤差及測定誤差之情況下的厚度被視為大致恆定之轉換層14的中央區域稱為中央部14A。又，將相對於轉換層14的中央部14A的平均厚度例如具有90%以下的厚度之轉換層14的外周區域稱為周緣部14B。亦即，轉換層14在周緣部14B中具有相對於TFT基板12傾斜之傾斜面。
如圖13~圖24所示，可以在轉換層14與第1補強基板40之間設置有黏著層60、反射層62、接著層64、保護層65及接著層48。
黏著層60覆蓋包括轉換層14的中央部14A及周緣部14B之轉換層14的表面整體。黏著層60具有將反射層62固定於轉換層14上之功能。黏著層60具有光透射性為較佳。作為黏著層60的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及矽酮系接著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出胺基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧樹脂丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可舉出EVA(乙烯/乙烯酯共聚物樹脂)、EAA(乙烯與丙烯酸的共聚物樹脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等熱塑性塑膠。黏著層60的厚度為2μm以上且7μm以下為較佳。將黏著層60的厚度設為2μm以上，藉此能夠充分發揮將反射層62固定於轉換層14上之效果。進而，能夠抑制在轉換層14與反射層62之間形成空氣層之風險。若在轉換層14與反射層62之間形成空氣層，則從轉換層14射出之光有可能在空氣層與轉換層14之間及空氣層與反射層62之間反覆反射而發生多重反射。又，將黏著層6 0的厚度設為7μm以下，藉此能夠抑制MTF(Modulation Transfer Function：調製傳遞函數)及DQE(Detective Quantum Efficiency：探測量子效率)的降低。
反射層62覆蓋黏著層60的表面整體。反射層62具有反射由轉換層14轉換之光之功能。反射層62由有機系材料構成為較佳。作為反射層62的材料，例如能夠使用白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等。反射層62的厚度為10μm以上且40μm以下為較佳。
接著層64覆蓋反射層62的表面整體。接著層64的端部延伸至TFT基板12的表面。亦即，接著層64在其端部中接著至TFT基板12。接著層64具有將反射層62及保護層65固定於轉換層14上之功能。作為接著層64的材料，能夠使用與黏著層60的材料相同的材料，但是接著層64所具有之接著力大於黏著層60所具有之接著力為較佳。
保護層65具有相當於上述各實施形態的放射線檢測器10中之保護層22之功能，且覆蓋接著層64的表面整體。亦即，保護層65設置成覆蓋轉換層14的整體且其端部覆蓋TFT基板12的一部分。保護層65作為防止水分浸入到轉換層14之防濕膜而發揮功能。作為保護層65的材料，例如能夠使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有機材料之有機膜。又，作為保護層65，可以使用Alpet(註冊商標)的薄片。
第1補強基板40經由接著層48設置於保護層65的表面上。作為接著層48的材料，例如能夠使用與黏著層60及接著層48的材料相同的材料。
在圖13所示之例子中，第1補強基板40延伸至與轉換層14的中央部14A及周緣部14B對應之區域，第1補強基板40的外周部以沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜之狀態彎曲。在與轉換層14的中央部14A對應之區域及與周緣部14B對應之區域這兩者中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著。在圖13所示之例子中，第1補強基板40的端部配置於與轉換層14的周緣部14B對應之區域。
如圖14所示，第1補強基板40可以僅設置於與轉換層14的中央部14A對應之區域。此時，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著。
如圖15所示，在第1補強基板40延伸至與轉換層14的中央部14A及周緣部14B對應之區域之情況下，第1補強基板40可以不具有沿轉換層14的外周部中之傾斜而彎曲之彎曲部。此時，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著。在與轉換層14的周緣部14B對應之區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
又，如圖16所示，第1補強基板40可以設置成其端部配置於比轉換層14的端部更靠外側之位置，且與延伸至TFT基板12上之接著層64及保護層65的端部對齊。再者，第1補強基板40的端部的位置與接著層64及保護層65的端部的位置無需完全一致。
在圖16所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著，在與轉換層14的 周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
又，如圖17及圖18所示，第1補強基板40可以設置成其端部位於比延伸至TFT基板12上之接著層64及保護層65的端部更靠外側且比TFT基板12的端部更靠內側之位置。
在圖17所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖17所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與TFT基板12的基材11的第1面11A連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。藉由間隔物49支撐在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部，從而能夠使基於第1補強基板40之撓曲抑制效果發揮至TFT基板12的端部附近。
在圖18所示之例子中，第1補強基板40的外周部以沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜之狀態彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65覆蓋TFT基板12上之部分及其外側的TFT基板12上。亦即，接著層64及保護層65的端部由第1補強基板40密封。在第1補強基板40的TFT基板12上延伸之部分經由接著層48與TFT基板12接著。如此，由第1補強 基板40覆蓋接著層64及保護層65的端部，藉此即使在從支撐體400剝離TFT基板12之製程中TFT基板12撓曲之情況下，亦能夠抑制保護層65的剝離。
又，如圖19及圖20所示，第1補強基板40可以設置成其端部與TFT基板12的端部對齊。再者，第1補強基板40的端部的位置與TFT基板12的端部的位置無需完全一致。
在圖19所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖19所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與設置於TFT基板12的端部上之柔性電纜112連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。藉由間隔物49支撐在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部，從而能夠使基於第1補強基板40之撓曲抑制效果發揮至TFT基板12的端部附近。
又，在將柔性電纜112連接於端子113中之後從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，即使TFT基板12撓曲，亦能夠發揮抑制柔性電纜112的連接不良之效果。
在圖20所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜之狀態而彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65 覆蓋TFT基板12上之部分、其外側的基板上及端子113與柔性電纜112的連接部。在第1補強基板40的TFT基板12上及柔性電纜112上延伸之部分分別經由接著層48與TFT基板12及柔性電纜112接著。柔性電纜112與端子113的連接部由第1補強基板40覆蓋，藉此，在將柔性電纜112連接於端子113中之後從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，即使TFT基板12撓曲，亦能夠發揮抑制柔性電纜112的連接不良之效果。
又，如圖21~圖23所示，第1補強基板40可以設置成其端部位於比TFT基板12的端部更靠外側之位置之狀態。
在圖21所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由接著層48與保護層65接著，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖22所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與設置於TFT基板12的端部上之柔性電纜112連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。藉由間隔物49支撐在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部，從而能夠使基於第1補強基板40之撓曲抑制效果發揮至TFT基板12的端部附近。
又，在將柔性電纜112連接於端子113中之後從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，即使TFT基板12撓曲，亦能夠發揮抑制柔性電纜112的連接不良之效果。
在圖23所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜之狀態而彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65覆蓋TFT基板12上之部分、其外側的基板上及端子113與柔性電纜112的連接部。在第1補強基板40的TFT基板12上及柔性電纜112上延伸之部分分別經由接著層48與TFT基板12及柔性電纜112接著。柔性電纜112與端子113的連接部由第1補強基板40覆蓋，藉此，在將柔性電纜112連接於端子113中之後從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，即使TFT基板12撓曲，亦能夠發揮抑制柔性電纜112的連接不良之效果。
又，第1補強基板40並不限於單獨的層(單層)，可以由多層構成。例如，在圖24所示之例子中，示出將放射線檢測器10的第1補強基板40設為從靠近轉換層14者依次積層了第1層第1補強基板40C、第2層第1補強基板40D及第3層第1補強基板40E而成之3層的多層膜之形態。
在將第1補強基板40設為多層之情況下，第1補強基板40中所包括之各層具有不同之功能為較佳。例如，在圖24所示之一例中，將第1層第1補強基板40C及第3層第1補強基板40E設為具有非導電性的抗靜電功能之層，並將第2補強基板40D設為導電性的層，藉此可以對第1補強基板40賦予電磁屏蔽功能。作為該情況下的第1層第1補強基板40C及第3層第1補強基板40E，例如可舉出使用了抗靜電塗料“Colcoat”(商品名：Colcoat Co,.Ltd.製)之膜等抗靜電膜。又，作為第2層第1補強基板40D，例如可舉出導電性薄片或Cu等導電性網片等。
又，圖25係表示第1補強基板40的構造的一例之俯視圖。第1 補強基板40可以在其主表面上具有複數個貫通孔40H。貫通孔40H的大小及間距確定成可以在第1補強基板40中獲得所期望的剛性。
第1補強基板40具有複數個貫通孔40H，藉此能夠使導入到第1補強基板40與轉換層14的接合面之空氣從貫通孔40H排出。藉此，能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。
在不存在排出導入到第1補強基板40與轉換層14的接合面之空氣之方法之情況下，上述接合面上有可能產生氣泡。例如，若在上述接合面上出現之氣泡由於放射線圖像攝影裝置1工作時之熱而膨脹，則降低第1補強基板40與轉換層14的密接性。藉此，有可能無法充分地發揮基於第1補強基板40之撓曲抑制效果。如圖25所示，藉由使用具有複數個貫通孔40H之第1補強基板40，如上所述，能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生，因此能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，並能夠維持基於第1補強基板40之撓曲抑制效果。
圖27係表示第1補強基板40的構造的另一例之立體圖。在圖27所示之例子中，第1補強基板40在與轉換層14的接合面上具有凹凸構造。如圖27所示，該凹凸構造可以構成為包括複數個相互平行配置之槽63。例如，如圖26所示，第1補強基板40的具有基於複數個槽63之凹凸構造之面與由反射層62覆蓋之轉換層14接合。如此，第1補強基板40在與轉換層14的接合面上具有凹凸構造，藉此能夠使導入到第1補強基板40與轉換層14的接合部之空氣從槽63排出。藉此，與圖25所示之形態相同地，能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。藉此，能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，從而能夠維持第1 補強基板40之撓曲抑制效果。
圖28及圖29係分別表示第1補強基板40的構造的另一例之俯視圖。如圖28及圖29所示，第1補強基板40可以分割為複數個斷片54。如圖28所示，第1補強基板40亦可以分割成複數個斷片54(圖545~圖5411)沿一個方向排列。又，如圖29所示，第1補強基板40可以分割成複數個斷片54(圖541~圖544)沿縱向及橫向排列。
第1補強基板40的面積變得越大，越容易在第1補強基板40與轉換層14的接合面產生氣泡。如圖28及圖29所示，將第1補強基板40分割為複數個斷片54，藉此能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。藉此，能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，從而能夠維持第1補強基板40之撓曲抑制效果。又，可獲得促進第1補強基板40(斷片54)從TFT基板12剝離之效果。
又例如，如圖30所示，由防濕絕緣膜109覆蓋放射線檢測器10的柔性電纜112的周邊為較佳。在圖30所示之例子中，在端子113上連接有柔性電纜112之狀態下，防濕絕緣膜109從柔性電纜112上覆蓋與基材11的端子區域111對應之區域整體。作為防濕絕緣膜109，例如能夠利用FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)用防濕絕緣材料亦即Tuffy(註冊商標)等。
又，在本實施形態的放射線檢測器10中，對TFT基板12(基材11)與第2補強基板42的大小相同之形態進行了說明，但是TFT基板12與第2補強基板42之大小可以不同。
例如，將放射線檢測器10適用於放射線圖像攝影裝置1之情況 下，有時將放射線檢測器10固定在收納放射線檢測器10之框體120(參閱圖7A及圖8A)等上來進行使用。該種情況下，例如，如圖31A所示之一例，可以使第2補強基板42大於TFT基板12，設置折板等，並使用折板等部分來進行放射線檢測器10的固定。例如，亦可以設為在第2補強基板42的折板部分中設置孔且使用貫通孔之螺絲與框體120(參閱圖7A及圖8A)進行固定之形態。
再者，使第2補強基板42大於TFT基板12之形態並不限定於圖31A所示之形態。亦可以設為由所積層之複數個層構成第2補強基板42且使一部分的層大於TFT基板12之形態。例如，如圖31B所示，亦可以將第2補強基板42設為具有與TFT基板12(基材11)相同程度的大小之第1層42A及大於TFT基板12之第2層42B的雙層構造。藉由雙面膠帶或黏著層等(省略圖示)貼合第1層42A與第2層42B。作為第1層42A，例如由與上述第2補強基板42相同的材質形成且具有與第2補強基板42相同的性質為較佳。又，藉由雙面膠帶或黏著層等(省略圖示)將第2層42B貼合於基材11的第2面11B上。作為第2層42B，例如能夠適用Alpet(註冊商標)。又，在由複數個層構成第2補強基板42之情況下，與圖31B所示之形態相反地，如圖31C所示，亦可以設為將第1層42A貼合於基材11的第2面11B之形態。
如上所述，在使用設置於第2補強基板42之折板等來將放射線檢測器10固定於框體120(參閱圖7A及圖8A)等之情況下，有時將折板部分以彎曲之狀態進行固定。彎曲部分的厚度變得越薄，第2補強基板42的折板部分變得越容易彎曲，能夠不影響放射線檢測器10主體而僅彎曲折 板部分。因此，在彎曲折板部分等之情況下，如圖31B及圖31C所示之一例，設為由所積層之複數個層構成第2補強基板42且使一部分的層大於TFT基板12之形態為較佳。
又，如圖32所示之例子，與上述圖31A~圖31C的放射線檢測器10相反地，可以使第2補強基板42小於TFT基板12。TFT基板12的端部位於比第2補強基板42的端部更靠外部之位置，藉此例如在將放射線檢測器10收納於框體120(參閱圖7A及圖8A)等進行組裝之情況下，變得容易確認TFT基板12的端部的位置，因此能夠提高定位的精度。再者，並不限定於圖32所示之形態，只要TFT基板12(基材11)的端部中的至少一部分位於比第2補強基板42更靠外部之位置，則可以獲得相同的效果，因此為較佳。
又，可以在第2補強基板42的與和TFT基板12(第2面11B)接觸之一側相反的一側上設置補強構件52。圖33~圖38係分別表示補強構件52的設置形態的一例之剖面圖。
在圖33~圖37所示之例子中，在第2補強基板42的與TFT基板12側的面相反的一側的表面上經由接著層51積層有補強構件52。補強構件52可以由與第1補強基板40相同的材料構成。在將放射線檢測器10用作ISS方式之情況下，為了使補強構件52與像素區域35重疊之部分的面積極小化，補強構件52僅設置於TFT基板12的外周部為較佳。亦即，如圖33~圖37所示，補強構件52可以為在與像素區域35對應之部分中具有開口61之環狀。如此，在TFT基板12的外周部形成基於第2補強基板42及補強構件52之積層構造，藉此能夠加強相對容易產生撓曲之TFT基 板12的外周部的剛性。
在圖33~圖35所示之例子中，補強構件52設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域中。放射線檢測器10的轉換層14的端部中，TFT基板12的撓曲量相對較大。在與轉換層14的端部對應之區域中形成基於第2補強基板42及補強構件52之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。
如圖33所示，在將放射線檢測器10用作ISS方式之情況下，當補強構件52的一部分與像素區域35重疊時，依據補強構件52的材質而有可能影響圖像。因此，在補強構件52的一部分與像素區域35重疊之情況下，將塑膠用作補強構件52的材料為較佳。
如圖34及圖35所示，補強構件52橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)且不與像素區域35重疊之形態(亦即，補強構件52的開口61的端部配置於像素區域35的外側之形態)為最佳。在圖34所示之例子中，補強構件52的開口61的端部的位置與像素區域35的端部的位置大致一致。在圖35所示之例子中，補強構件52的開口61的端部配置於像素區域35的端部與轉換層14的端部之間。
又，關於補強構件52的開口61的端部的位置，可以如圖36所示那樣與轉換層14的端部的位置大致一致，並且亦可以如圖37所示那樣配置在比轉換層14的端部更靠外側的位置。此時，補強構件52不是橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之構造，因此抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果有可能降低。然而，在存在柔性電纜112與端子113的連接部之TFT基板12的外周部中形成基於第2補強基板42及補強構 件52之積層構造，藉此維持抑制柔性電纜112與端子113的連接部中之TFT基板12的撓曲之效果。
再者，在補強構件52的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式中的任一者中放射線R均被補強構件52吸收而到達轉換層14之放射線R減少。因此，如圖38所示，亦可以將補強構件52設為不具有開口61之形狀。換言之，補強構件52可以覆蓋像素區域35中的至少一部分。再者，圖38所示之補強構件52遍及第2補強基板42的整個表面而設置。補強構件52的彎曲彈性模數大於第1補強基板40及第2補強基板42中的每一個為較佳。作為補強構件52的彎曲彈性模數的較佳具體例，可舉出8000MPa以上。
又，如圖39所示之一例，基材11與像素30尤其像素30的TFT32的閘極電極80之間設置有基於無機材料之層90為較佳。作為圖39所示之一例的情況的無機材料，可舉出SiNx或SiOx等。TFT32的汲極電極81和源極電極82形成於相同的層，形成有汲極電極81及源極電極82之層與基材11之間形成有閘極電極80。又，基材11與閘極電極80之間設置有基於無機材料之層90。
又，在上述各實施形態中，如圖1所示，對像素30二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但是並不限定於此，例如亦可以為一維排列，還可以為蜂窩排列。又，像素30的形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，像素陣列31(像素區域35)的形狀亦無限定，這是不言而喻的。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各實施形態。在上述各 實施形態中，對轉換層14的形狀與像素陣列31(像素區域35)的形狀相同地為矩形之態樣進行了說明，但是轉換層14的形狀亦可以為不同於像素陣列31(像素區域35)之形狀。又，像素陣列31(像素區域35)的形狀例如可以為其他多邊形，亦可以為圓形，而非矩形。
此外，上述各實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例，能夠在不脫離本發明的宗旨之範圍內根據狀況進行變更，這是不言而喻的。
2019年2月8日申請的日本專利申請2019-022119號的揭示的其整體被作為參閱而編入本說明書中。
本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術規格與具體且單獨記載每個文獻、專利申請及技術規格被作為參閱而編入之情況相同程度地，作為參閱而編入本說明書中。
10:放射線檢測器
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
12:TFT基板
13:緩衝層
14:轉換層
22:保護層
31:像素陣列
35:像素區域
42:第2補強基板
111:端子區域
112:柔性電纜
113:端子

Claims (32)

  1. 一種放射線檢測器的製造方法，其具備：在支撐體上經由剝離層設置撓性基材，且在該基材的像素區域中形成設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程；在該基材的設置有該像素之表面上形成將該放射線轉換成光之轉換層之製程；在該轉換層的與該基板側的面相反的一側的表面上設置第1補強基板之製程；從該支撐體剝離設置有該轉換層及該第1補強基板之該基板之製程；在從該支撐體剝離之該基板的從該支撐體剝離之表面上設置第2補強基板之製程；及在設置該第2補強基板之製程之後，從設置有該轉換層之該基板剝離該第1補強基板之製程。
  2. 如請求項1所述之放射線檢測器的製造方法，其中在從該支撐體剝離該基板之製程之前，還包括將與讀取蓄積於該複數個像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於該基板的端子區域之製程。
  3. 如請求項1所述之放射線檢測器的製造方法，其中在設置該第1補強基板之製程之前，還包括將與讀取蓄積於該複數個像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於該基板的端子區域之製程。
  4. 如請求項2或請求項3所述之放射線檢測器的製造方法， 其還包括在該配線及該電路部中的至少一者中產生缺陷時，在設置有該支撐體或該第2補強基板之狀態下對該配線進行再加工之製程。
  5. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第1補強基板的該轉換層側之面的大小小於該基材的設置有該像素之面的大小。
  6. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基板的端子區域包括由該第1補強基板覆蓋之第1區域及未由該第1補強基板覆蓋之第2區域。
  7. 如請求項6所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第1區域小於該第2區域。
  8. 如請求項6所述之放射線檢測器的製造方法，其中從該第1區域中之該基材的內部側的一端部至該基材的外緣側的另一端部的長度為從該端子區域中之該基材的內部側的一端部至該基材的外緣側的另一端部的長度的1/4以下。
  9. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第1補強基板在與該基板的端子區域對應之位置上設置有切口部。
  10. 如請求項1所述之放射線檢測器的製造方法，其中在設置該第2補強基板之製程之後，還包括將與讀取蓄積於該複數個 像素中之電荷之電路部連接之撓性配線的一端連接於該基板的端子區域之製程。
  11. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中在從該支撐體剝離該基板之製程中，在使該基板撓曲之狀態下進行從該支撐體的剝離。
  12. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中在設置該第1補強基板之製程中，藉由照射紫外線而失去接著性之分解性接著劑來進行接著，藉此設置第1補強基板，在剝離該第1補強基板之製程中，從該第1補強基板的與轉換層側的面相反的一側的表面照射紫外線，藉此進行該第1補強基板的剝離。
  13. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第1補強基板的厚度薄於該第2補強基板的厚度。
  14. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板的剛性高於該基材。
  15. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板為使用了彎曲彈性模數為1000MPa以上且2500MPa以下的材料之補強基板。
  16. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板的彎曲剛性為540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
  17. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板的彎曲剛性為該基材的彎曲剛性的100倍以上。
  18. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板的熱膨脹係數相對於該轉換層的熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。
  19. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
  20. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板包含具有降伏點之材料。
  21. 如請求項20所述之放射線檢測器的製造方法，其中具有該降伏點之材料為聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個。
  22. 如請求項1所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材為樹脂製且具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒之微粒層。
  23. 如請求項22所述之放射線檢測器的製造方法，其中 在形成該基板之製程中，以該基材的設置有該微粒層之面成為該支撐體側之狀態形成該基材。
  24. 如請求項22或請求項23所述之放射線檢測器的製造方法，其中該微粒包含原子序數大於構成該基材之元素且原子序數為30以下的元素。
  25. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材在300℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下。
  26. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材在厚度為25μm的狀態下，滿足在400℃下之熱收縮率為0.5%以下及在500℃下之彈性模數為1GPa以上中的至少一者。
  27. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材的與該第2補強基板對向之面的大小大於該第2補強基板的與該基材對向之面的大小。
  28. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該第2補強基板具有沿在該基板上積層之積層方向所積層之複數個層且該複數個層的一部分的大小大於該基材的與該第2補強基板對向之面的大小。
  29. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材的與該第2補強基板對向之面的大小小於該第2補強基板的與該基材對向之面的大小。
  30. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中該基材的端部中的至少一部分位於比該第2補強基板的端部更靠外部之位置。
  31. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中在形成該轉換層之製程中，在該基材的設置有該像素之表面上設置緩衝該轉換層的熱膨脹係數與該基板的熱膨脹係數之差之緩衝層之後，在該緩衝層上形成該轉換層。
  32. 如請求項1至請求項3中任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中在形成該轉換層之製程中，藉由氣相沉積法在該基板上直接形成CsI的柱狀結晶。
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