[go: up one dir, main page]

TWI834890B - 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI834890B
TWI834890B TW109123037A TW109123037A TWI834890B TW I834890 B TWI834890 B TW I834890B TW 109123037 A TW109123037 A TW 109123037A TW 109123037 A TW109123037 A TW 109123037A TW I834890 B TWI834890 B TW I834890B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation detector
neutral plane
cable
stress neutral
base material
Prior art date
Application number
TW109123037A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202109447A (zh
Inventor
牛倉信一
加藤宗貴
谷本達教
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW202109447A publication Critical patent/TW202109447A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI834890B publication Critical patent/TWI834890B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/44—Constructional features of apparatus for radiation diagnosis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本發明提供一種放射線檢測器及放射線圖像撮影裝置，感測器基板在可撓性基材的第1表面的像素區域形成複數個像素並且在第1表面的端子區域設置有用於電連接電纜之端子部。轉換層設置於基材的端子區域外部，並且將放射線轉換成光。加強構件設置於基材的第2表面，並且加強基材的強度。應力中立面調整構件設置於端子區域內並且對應於與端子部電連接之電纜的端子區域內之至少一部分，調整對應於積層體之區域中的應力中立面的位置，能夠簡便地抑制電纜與端子部的電連接被斷開，前述積層體積層有加強構件、感測器基板的端子部及與端子部電連接之電纜。

Description

放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
本發明係關於一種放射線檢測器及放射線圖像撮影裝置。
先前，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在該種放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並產生放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在如下者，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換成光；及基板，設置有蓄積根據由轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素。
已知有如下問題：有時在放射線檢測器的端部彎曲之方向上作用力，應力施加到與放射線檢測器的端部電連接之電纜，放射線檢測器與電纜的電連接被斷開等。作為解決本問題之技術，例如在日本特開2018-119891號公報中所記載的技術中，將放射線檢測器的端部及電纜（柔性配線基板）固定於基座的側面，藉此抑制放射線檢測器的端部的翹曲。
但是，已知有作為放射線檢測器在基板上使用可撓性基材者。藉由使用撓性基材，例如能夠使放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置輕型化，並且有時容易拍攝被攝體。
使用可撓性基材之基板容易撓曲。尤其，在放射線圖像撮影裝置的製造步驟的過程等中，在電纜與設置於放射線檢測器之端子部電連接之狀態下，基板容易撓曲。在日本特開2018-119891號公報中所記載之技術中，存在無法充分抑制具備使用可撓性基材之基板之放射線檢測器中的翹曲（撓曲）之情況。
本發明提供一種能夠簡便地抑制電纜與端子部的電連接被斷開之放射線檢測器及放射線圖像撮影裝置。
本發明的第1態樣的放射線檢測器具備：基板，在可撓性基材的第1表面的像素區域形成蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素並且在第1表面的端子區域設置有用於電連接電纜之端子部；轉換層，設置於基材的第1表面中的端子區域外部且將放射線轉換成光；加強構件，設置於基材的與第1表面相反的一側的第2表面且加強基材的強度；及應力中立面調整構件，設置於對應於與端子部電連接之電纜的端子區域內之至少一部分，並且調整對應於積層體之區域中的應力中立面的位置，前述積層體積層有加強構件、基板的端子部及與端子部電連接之電纜。
又，本發明的第2態樣的放射線檢測器在第1態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件在從電纜與端子部電連接之界面預定之範圍內對應力中立面的積層體的積層方向上的位置進行調整。
又，本發明的第3態樣的放射線檢測器在第2態樣的放射線檢測器中，在預定之範圍內之位置係積層體內的位置。
又，本發明的第4態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中任一態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件的彎曲剛性係540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下。
又，本發明的第5態樣的放射線檢測器在第1態樣至第4態樣中任一態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件的彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下。
又，本發明的第6態樣的放射線檢測器在第1態樣至第5態樣中任一態樣的放射線檢測器中，基板上設置有複數個端子部，應力中立面調整構件設置於至少1個以上的端子部上。
又，本發明的第7態樣的放射線檢測器在第1態樣至第6態樣中任一態樣的放射線檢測器中，還具備強化電纜與端子部的電連接之強化構件，應力中立面調整構件設置於由強化構件覆蓋之電纜中的至少一部分。
又，本發明的第8態樣的放射線檢測器在第7態樣的放射線檢測器中，強化構件還具有防濕性。
又，本發明的第9態樣的放射線檢測器在第1態樣至第6態樣中任一態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件還強化電纜與端子部的電連接。
又，本發明的第10態樣的放射線檢測器在第9態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件還具有防濕性。
又，本發明的第11態樣的放射線檢測器在第1態樣至第10態樣中任一態樣的放射線檢測器中，應力中立面調整構件還與轉換層的端部接觸。
又，本發明的第12態樣的放射線檢測器在第1態樣至第11態樣中任一態樣的放射線檢測器中，還具備加強層，其設置於轉換層中的與基材側的面相反一側的面，並且剛性比基材高。
又，本發明的第13態樣的放射線圖像撮影裝置具備：第1態樣至第12態樣中任一態樣的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素之電荷之控制訊號；驅動部，經由電纜與放射線檢測器的端子部電連接，並且依據控制訊號，輸出用於從複數個像素讀取電荷之驅動訊號；及訊號處理部，經由電纜與放射線檢測器的端子部電連接，輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出。
又，本發明的第14態樣的放射線圖像撮影裝置在第13態樣的放射線圖像撮影裝置中，還具備殼體，其具有照射放射線之照射面，在放射線檢測器中的感測器基板及轉換層中，以感測器基板與照射面對向之狀態收容放射線檢測器。 [發明效果]
依據本發明，能夠簡便地抑制電纜與端子部的電連接被斷開。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細地說明。另外，本實施形態並不限定本發明。
本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像訊息之功能。本實施形態的放射線檢測器具備感測器基板及將放射線轉換成光之轉換層（參閱圖2中放射線檢測器10的感測器基板12及轉換層14）。本實施形態的感測器基板12係本發明的基板的一例。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線圖像撮影裝置中的電氣系統的結構的一例的概要進行說明。圖1係示出本實施形態的放射線圖像撮影裝置中的電氣系統的主要構成的一例之方塊圖。
如圖1所示，本實施形態的放射線圖像撮影裝置1具備放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108。
放射線檢測器10具備感測器基板12及將放射線轉換成光之轉換層（參閱圖2）。感測器基板12具備可撓性基材11及設置於基材11的第1表面11A之複數個像素30。另外，以下，關於複數個像素30，有時簡稱為“像素30”。
如圖1所示，本實施形態的各像素30具備依據由轉換層轉換之光產生電荷並蓄積之感測部34及讀取藉由感測部34蓄積之電荷之開關元件32。本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT：Thin Film Transistor）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。本實施形態中，形成感測部34及TFT32，進而作為平坦化之層設置在基材11的第1表面11A形成有像素30之層。
像素30在感測器基板12的像素區域35沿著一個方向（與圖1的橫方向對應之掃描配線方向，以下還稱為“行方向”）及與行方向交叉之交叉方向（與圖1的縱方向對應之訊號配線方向，以下還稱為“列方向”）二維狀地配置。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如在行方向及列方向上配置1024個×1024個像素30。
又，放射線檢測器10中相互交叉而設置有複數個掃描配線38和複數個訊號配線36，該複數個掃描配線38存在於像素30的每一行並且用於控制TFT32的開關狀態（開啟及關閉），該複數個訊號配線36存在於像素30的每一行並且讀取蓄積在感測部34之電荷。複數個掃描配線38的每一個分別經由電纜112A（參閱圖2）與驅動部102連接，藉此從驅動部102輸出之驅動TFT32來控制開關狀態之驅動訊號流過複數個掃描配線38的每一個。又，複數個訊號配線36的每一個分別經由電纜112B（參閱圖2）與訊號處理部104連接，藉此從各像素30讀取之電荷作為電訊號而輸出至訊號處理部104。訊號處理部104產生與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出。
後述之控制部100與訊號處理部104連接，從訊號處理部104輸出之圖像資料依序輸出至控制部100。圖像記憶體106與控制部100連接，從訊號處理部104依序輸出之圖像資料藉由基於控制部100之控制依序儲存至圖像記憶體106。圖像記憶體106具有能夠儲存預定片數量的圖像資料之儲存容量，每次進行放射線圖像的攝影時，藉由撮影而獲得之圖像資料依序儲存至圖像記憶體106。
控制部100具備CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）100A、包括ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）及RAM（Random Access Memory，隨機存取存貯器）等之記憶體100B及快閃記憶體等永久性存儲器100C。作為控制部100的一例，可舉出微電腦等。控制部100控制放射線圖像撮影裝置1的整體的動作。
另外，本實施形態的放射線圖像撮影裝置1中，圖像記憶體106及控制部100等形成於控制基板110。
又，在各像素30的感測部34中，為了向各像素30施加偏壓，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39與感測器基板12的外部的偏壓電源（省略圖示）連接，藉此從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件或各種電路供給電力。另外，圖1中，為了避免衝突，省略連接電源部108與各種元件或各種電路之配線的圖示。
另外，對放射線圖像撮影裝置1進行詳細說明。圖2係從基材11的第1表面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖的一例。又，圖3A係圖2中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖的一例。另外，圖3B係圖2中的放射線檢測器10的B-B線剖面圖的一例。
基材11的第1表面11A分為設置有端子部60之端子區域60A及未設置端子部60之端子區域外60B。端子區域外60B上設置有設置上述像素30之像素區域35。
基材11具有可撓性，例如係包含PI（PolyImide：聚醯亞胺）等塑膠之樹脂薄片。基材11的厚度只要是依據材質的硬度及感測器基板12的尺寸（第1表面11A或第2表面11B的面積）等可獲得所期望的可撓性之厚度即可。作為具有可撓性之例係指，在矩形狀的基材11單體的情況下，在固定基材11的1個邊之狀態下，在距離所固定之邊10cm之位置上基於基材11的自重之重力為2mm以上且基材11下垂（變得低於所固定之邊的高度）者。作為基材11係樹脂薄片時的具體例，厚度係5μm～125μm即可，厚度係20μm～50μm為更佳。
另外，基材11具有能夠承受像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT（a-Si TFT）的製造之特性。作為該種基材11所具有之特性，在300℃～400℃下的熱膨脹係數（CTE：Coefficient of Thermal Expansion）與非晶矽（Si）晶圓相同程度（例如，±5ppm/K）為較佳，具體而言，20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下，在400℃下的熱收縮率係0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性模數在300℃～400℃之間的溫度區域內不具有通常的PI所具有之轉移點，在500℃下的彈性模數為1GPa以上為較佳。
又，為了抑制基於自身之後向散射線，本實施形態的基材11具有微粒子層為較佳，該微粒子層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下並且吸收後向散射線之無機的微粒子。另外，作為該等無機的微粒子，在樹脂性的基材11的情況下，使用原子號碼大於構成基材11之有機物之原子且30以下之無機物為較佳。作為該種微粒的具體例，可舉出原子號碼為14的Si的氧化物亦即SiO2 、原子號碼為12的Mg的氧化物亦即MgO、原子號碼為13的Al的氧化物亦即Al2 O3 及原子號碼為22的Ti的氧化物亦即TiO2 等。作為具有該等特性之樹脂片的具體例，可舉出XENOMAX（註冊商標）。
另外，使用測微器（micrometer）測量了本實施形態中之上述厚度。依據JIS K7197：1991測量了熱膨脹係數。另外，關於測量，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，測量所切取之各試驗片之熱膨脹係數並將最高值設為基材11的熱膨脹係數。分別在MD（Machine Direction）方向及TD（Transverse Direction：橫向）方向上，在-50℃～450℃下以10℃間隔進行熱膨脹係數的測量，並將（ppm/℃）換算成（ppm/K）。關於熱膨脹係數的測量，使用MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm、將樣品寬度設為2mm、將初始負載設為34.5g/mm2 、將升溫速度設為5℃/min及將環境設為氬氣。
作為具有所期望的可撓性之基材11，並不限定於樹脂薄片等樹脂製基材。例如，基材11可以為厚度相對薄之玻璃基板等。作為基材11係玻璃基板時的具體例，通常一邊為43cm左右的尺寸中若厚度為0.3mm以下則具有可撓性，因此厚度只要為0.3mm以下，則可以為所期望的玻璃基板。
如圖2及圖3A所示，複數個像素30設置於基材11的第1表面11A中的端子區域外60B的內側的一部分的區域。又，本實施形態的感測器基板12中，基材11的第1表面11A中的端子區域60A上未設置像素30。本實施形態中，將設置有基材11的第1表面11A中的像素30之區域設為像素區域35。
又，如圖2及圖3A所示，本實施形態的轉換層14覆蓋像素區域35。本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用包含CsI（碘化銫）之閃爍體。作為該種閃爍體，例如包含照射X射線時的發射光譜為400nm～700nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。另外，CsI:Tl的可見光區域上的發射峰值波長為565nm。
如圖3A所示，本實施形態的轉換層14之上設置有黏著層40、反射層42、接著層44及保護層46。
黏著層40覆蓋轉換層14的整個表面。黏著層40具有將反射層42固定於轉換層14上之功能。黏著層40具有透光性為較佳。作為黏著層40的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及聚矽氧系接著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出聚胺酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可舉出EVA（乙烯･乙酸乙烯酯共聚樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱塑性塑膠。黏著層40的厚度係2μm以上且7μm以下為較佳。藉由將黏著層40的厚度設為2μm以上，能夠充分發揮將反射層42固定於轉換層14上之效果。另外，能夠抑制在轉換層14與反射層42之間形成空氣層之危險。若在轉換層14與反射層42之間形成空氣層，則具有產生從轉換層14發射之光在空氣層與轉換層14之間及空氣層與反射層42之間重複反射之多重反射之虞。又，藉由將黏著層40的厚度設為7μm以下，能夠抑制MTF（Modulation Transfer Function，調變轉換函數）及DQE（Detective Quantum Efficiency，量子檢測效率）的降低。
反射層42覆蓋黏著層40的整個表面。反射層42具有反射由轉換層14轉換之光之功能。反射層42藉由有機系材料構成為較佳。作為反射層42的材料，例如能夠使用白色PET（Polyethylene Terephthalate：聚對酞酸乙二酯）、TiO2 、Al2 O3 、發泡白色PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等。白色PET係向PET添加TiO2 或硫酸鋇等白色顏料者，發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。又，聚酯系高反射薄片係指具有疊加有複數個薄的聚酯薄片之多層結構之薄片（薄膜）。反射層42的厚度係10μm以上且40μm以下為較佳。
接著層44覆蓋反射層42的整個表面。接著層44的端部延伸至感測器基板12的表面。亦即，接著層44在其端部與感測器基板12接著。接著層44具有將反射層42及保護層46固定於轉換層14之功能。作為接著層44的材料，能夠使用與黏著層40的材料相同的材料，但是接著層44所具有之接著力大於黏著層40所具有之接著力為較佳。
保護層46覆蓋轉換層14整體，並且設置成其端部覆蓋感測器基板12的一部分。保護層46作為防止水分浸入轉換層14之防濕膜而發揮功能。作為保護層46的材料，例如亦能夠使用PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide：聚伸苯基硫化物）、OPP（Oriented PolyPropylene：二軸延伸聚丙烯薄膜）、PEN（PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯）、PI等包含有機材料之有機膜或PARYLENE（註冊商標）。又，作為保護層46，亦可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可舉出ALPET（註冊商標）的薄片。
又，如圖3A及圖3B所示，本實施形態的放射線檢測器10的感測器基板12中的基材11的第2表面11B側經由防靜電層54及黏著劑52設置有加強構件50。
加強構件50具有加強基材11的強度之功能。本實施形態的加強構件50的彎曲剛性高於基材11，相對於沿與轉換層14對向之面沿垂直方向施加之力之尺寸變化（變形）小於相對於與基材11的第2表面11B沿垂直方向施加之力之尺寸變化。具體而言，加強構件50的彎曲剛性係基材11的彎曲剛性的100倍以上為較佳。又，本實施形態的加強構件50的厚度比基材11的厚度厚。例如，作為基材11使用XENOMAX（註冊商標）之情況下，加強構件50的厚度係0.2mm～0.25mm左右為較佳。
具體而言，本實施形態的加強構件50使用彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下的原材料為較佳。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，加強構件50的彎曲剛性高於基材11為較佳。另外，若彎曲彈性模數降低則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚加強構件50的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述加強構件50的材料，則在欲獲得超過140000Pacm4 之彎曲剛性之情況下，加強構件50的厚度具有相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於加強構件50之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，加強構件50的彎曲剛性為540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下為較佳。
又，本實施形態的加強構件50的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為加強構件50的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（加強構件50的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）係0.5以上且2以下為較佳。作為該等加強構件50的熱膨脹係數，30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14將CsI：Tl作為材料之情況下，熱膨脹係數係50ppm/K。該情況下，作為相對與轉換層14接近之材料，可舉出熱膨脹係數係60ppm/K～80ppm/K之PVC（Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯）、熱膨脹係數係70ppm/K～80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數係65ppm/K～70ppm/K之PET、熱膨脹係數係65ppm/K之PC（Polycarbonate：聚碳酸酯）及熱膨脹係數係45ppm/K～70ppm/K之Teflon（註冊商標）等。進而，若考慮上述之彎曲彈性模數，則作為加強構件50的材料，包含PET及PC中的至少一者之材料為更佳。
從彈性的觀點考慮，加強構件50包含具有降伏點之材料為較佳。另外，本實施形態中，“降伏點”係指拉伸材料之情況下，應力暫時急劇下降之現象，係指在表示應力與應變的關係之曲線上應變增加而應力未增加之點，係指對材料進行拉伸強度試驗時的應力-應變曲線中的頂部。作為具有降伏點之樹脂，通常可舉出硬且黏度強之樹脂及柔軟且黏度強並且中等強度的樹脂。作為硬且黏度強之樹脂，例如可舉出PC等。又，作為柔軟且黏度強並且中等強度的樹脂，例如可舉出聚丙烯等。
本實施形態的加強構件50係將塑膠作為材料之基板。從上述之理由考慮，成為加強構件50的材料之塑膠係熱塑性的樹脂為較佳，PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、工程塑料（engineering plastic）及聚伸苯基醚中的至少一個。另外，加強構件50在該等之中為聚丙烯、ABS、步驟塑料、PET及聚苯醚中的至少一種為較佳，苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一種為更佳，PC及PET中的至少一種為進一步較佳。
另一方面，在本實施形態的放射線檢測器10的端子區域60A設置有複數個（本實施形態中合計為16個）的端子部60。如圖2所示，端子區域60A設置於矩形狀感測器基板12（基材11）的交叉之兩個邊的每一個邊。另外，端子區域60A係指基材11的第1表面11A中的設置有複數個端子部60之區域，至少包含端子部60與第1表面11A接觸之區域。作為一例，本實施形態中，將遍及感測器基板12（基材11）中的設置有端子部60之邊的整體而至少包含端子部60與第1表面11A接觸之區域稱為端子區域60A。
如圖2所示，電纜112與設置於基材11的端子區域60A之端子部60每一個電連接。具體而言，如圖2所示，電纜112A與設置於基材11的一邊之複數個（圖2中為8個）的端子部60的每一個熱壓接。電纜112A係所謂之COF（Chip on Film，膜上芯片），電纜112A上裝載有驅動IC（Integrated Circuit，集成電路）210。驅動IC210與電纜112A中所包含之複數個訊號線（參閱圖4、訊號線113）連接。另外，本實施形態中，關於電纜112A及後述之電纜112B，將其無區別地統稱之情況下，簡稱為“電纜112”。
電纜112A中的與感測器基板12的端子部60電連接之一端相反的一側的另一端與驅動基板200的連接區域202電連接。作為一例，本實施形態中，電纜112A中所包含之複數個訊號線（參閱圖4A、訊號線113）與驅動基板200熱壓接，藉此與裝載於驅動基板200之電路及元件等（省略圖示）連接。另外，電連接驅動基板200與電纜112A之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器來電連接之形態。作為該等連接器，可舉出ZIF（Zero Insertion Force）結構的連接器或Non-ZIF結構的連接器等。
本實施形態的驅動基板200係可撓性的PCB（Printed Circuit Board）基板，係所謂之柔性基板。又，裝載於驅動基板200之電路零件（省略圖示）係主要用於處理數字訊號之零件（以下，稱為“數字系零件”）。數字系零件具有相對面積（尺寸）小於後述之模擬系零件之傾向。作為數字系零件的具體例，可舉出數字緩衝器、旁通電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻及EMC（Electro Magnetic Compatibility，電磁兼容性）對策芯片零件及電源IC等。另外，驅動基板200不一定是柔性基板，可以為非可撓性剛性基板，亦可以使用軟硬基板。
本實施形態中，藉由驅動基板200及裝載於電纜112A之驅動IC210來實現驅動部102。另外，驅動IC210中，實現驅動部102之各種電路及元件中包括與裝載於驅動基板200之數字系零件不同之電路。
另一方面，電纜112B電連接於複數個（圖2中為8個）的端子部60的每一個，前述端子部60設置於與電連接有電纜112A之基材11的一邊交叉之邊。與電纜112A同樣地，電纜112B係所謂之COF（Chip on Film），電纜112B上裝載有訊號處理IC310。訊號處理IC310與電纜112B中所包含之複數個訊號線（參閱圖4、訊號線113）連接。
電纜112B中的與感測器基板12的端子部60電連接之一端相反的一側的另一端與訊號處理基板300的連接區域302電連接。作為一例，本實施形態中，電纜112B中所包含之複數個訊號線（參閱圖4A、訊號線113）與訊號處理基板300熱壓接，藉此與裝載於訊號處理基板300之電路及元件等（省略圖示）連接。另外，電連接訊號處理基板300與電纜112B之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器來電連接之形態。作為該等連接器，可舉出ZIF（Zero Insertion Force）結構的連接器或Non-ZIF結構的連接器等。又，電連接電纜112A與驅動基板200之方法及電連接電纜112B與訊號處理基板300之方法可以為相同亦可以不同。例如，可以設為電纜112A與驅動基板200藉由熱壓接電連接且電纜112B與訊號處理基板300藉由連接器電連接之形態。
與上述之驅動基板200同樣地，本實施形態的訊號處理基板300係可撓性PCB基板，係所謂之柔性基板。裝載於訊號處理基板300之電路零件（省略圖示）係主要用於處理模擬訊號之零件（以下，稱為“模擬系零件”）。作為模擬系零件的具體例，可舉出電荷放大器、模擬數字轉換器（ADC）、數字模擬轉換器（DAC）及電源IC等。又，本實施形態的電路零件亦包括圍繞相對零件尺寸較大之電源的線圈及平滑用大容量電容器。另外，訊號處理基板300不一定是柔性基板，亦可以使用非可撓性剛性基板，亦可以使用軟硬基板。
本實施形態中，藉由訊號處理基板300及裝載於電纜112B之訊號處理IC310來實現訊號處理部104。另外，訊號處理IC310中，實現訊號處理部104之各種電路及元件中包括與裝載於訊號處理基板300之模擬系零件不同之電路。
另外，本實施形態中，對分別設置有複數個（圖2中為每兩個）驅動基板200及訊號處理基板300之形態進行了說明，但是驅動基板200及訊號處理基板300的數量並不限定於本實施形態。例如，可以為將驅動基板200及訊號處理基板300中的任一者作為一個基板之形態。
另一方面，如圖3A及圖3B所示，本實施形態的放射線檢測器10中，經由連接層62將電纜112與端子部60熱壓接，藉此電纜112與端子部60電連接。另外，圖3A及圖3B係表示和電纜112A與放射線檢測器10的電連接有關之結構的一例之圖，但是和本實施形態的電纜112B與放射線檢測器10的電連接有關之結構亦與例示於圖3A及圖3B之形態相同。
連接層62具有電連接端子部60與電纜112之功能。作為連接層62，例如可舉出各向異性導電膜等，能夠使用將導電性粒子（參閱圖4A、導電性粒子62A）分散於藉由熱量來硬化之接著劑而成之ACF（Anisotropic Conductive Film，各向異性導電膜）。
如圖3A及圖3B所示，積層有端子部60、連接層62及電纜112之積層體63中的基材11的第1表面11A側藉由強化構件64來覆蓋。又，積層有端子部60、連接層62及電纜112之積層體的側面及基材11的側面藉由強化構件65來覆蓋。強化構件64及強化構件65具有強化端子部60與電纜112的電連接之功能。又，本實施形態的強化構件64及強化構件65具有防濕性。作為強化構件64及強化構件65，例如能夠使用防濕絕緣膜，能夠利用FPD（Flat Panel Display）用防濕絕緣材料之TUFFY：Tuffy（註冊商標）等。另外，強化構件64及強化構件65的每一個可以為基於同樣的材料之構件，亦可以為基於不同之材料之構件。
此外，如圖3A及圖3B所示，藉由強化構件64來覆蓋之積層體63上經由黏著劑66設置有應力中立面調整構件70。應力中立面調整構件70調整在彎曲放射線檢測器10時的設置有放射線檢測器10的積層體63之區域中的相對於應力中立面71（參閱圖5，詳細內容後述）的積層體63的積層方向P之位置。本實施形態中，作為應力中立面調整構件70的一例使用PET，亦可以使用白色PET或發泡白色PET等。又，作為應力中立面調整構件70的另一例，可舉出PC、LDPE（Low Density Polyethylene：低密度聚乙烯）、PPS、OPP、PEN及PI等有機膜等。
又，本實施形態的應力中立面調整構件70使用彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下的原材料為較佳。彎曲彈性模數的測量方法例如基於JIS K 7171：2016基準。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，應力中立面調整構件70的彎曲剛性高於基材11為較佳。另外，在此所述之彎曲剛性係指彎曲難度，表示彎曲剛性愈高愈難以彎曲。若彎曲彈性模數降低，則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚應力中立面調整構件70的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述應力中立面調整構件70的材料，則在欲獲得超過140000Pacm4 之彎曲剛性之情況下，應力中立面調整構件70的厚度具有相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於應力中立面調整構件70之原材料的彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，應力中立面調整構件70的彎曲剛性係540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下為較佳。
又，本實施形態的應力中立面調整構件70的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為應力中立面調整構件70的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（應力中立面調整構件70的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）係0.5以上且4以下為較佳。作為該等應力中立面調整構件70的熱膨脹係數，30ppm/K以上且200ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14將CsI：Tl作為材料之情況下，熱膨脹係數係50ppm/K。該情況下，熱膨脹係數係100ppm/K～200ppm/K之LDPE、熱膨脹係數係60ppm/K～80ppm/K之PVC、熱膨脹係數係70ppm/K～80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數係65ppm/K～70ppm/K之PET、熱膨脹係數係65ppm/K之PC及熱膨脹係數係45ppm/K～70ppm/K之Teflon（註冊商標）等作為應力中立面調整構件70的材料而舉出。
進而，若考慮上述之彎曲彈性模數，則作為應力中立面調整構件70的材料，包含PET、PC及LDPE中的至少一個之材料為更佳。
另外，應力中立面調整構件70除了調整應力中立面的位置之功能以外，還具有防靜電功能或防濕功能等其他功能為較佳。
參閱圖4A、圖4B及圖5對本實施形態的放射線檢測器10中的應力中立面調整構件70的作用進行說明。另外，圖4A、圖4B及圖5中為了簡略化，僅示意性地圖示放射線檢測器10中需要說明應力中立面調整構件70的作用的結構。
如圖4A所示，連接層62包含導電性粒子62A。導電性粒子62A配置於設置於基材11的第1表面11A之端子部60與訊號線113之間，藉此電連接端子部60與電纜112的訊號線113。
圖4B示出未設置本實施形態的應力中立面調整構件70之狀態。如圖4B所示，在感測器基板12（基材11）的第2表面11B設置有加強構件50之狀態下，例如向積層體63的積層方向施加荷重W之情況或藉由膜應力進行作用來撓曲感測器基板12及加強構件50。在設置有加強構件50且未設置應力中立面調整構件70之狀態下，彎曲感測器基板12及加強構件50時所產生之應力中立面71的積層方向P中的位置成為比端子部60與連接層62的導電性粒子62A接觸之界面67更靠加強構件50側之位置。在圖4B所示之例中，示出應力中立面71位於加強構件50內之狀態。另外，“應力中立面71”係指，即使彎曲感測器基板12及加強構件50亦不會延伸和收縮之面、換言之與積層方向P交叉之方向的面。應力中立面71中，應力成為0。
在圖4B所示之例中，應力中立面71的位置係相對界面67較遠之位置，因此端子部60亦依據感測器基板12及加強構件50的撓曲而撓曲。具體而言，界面67撓曲。因此，如圖4B所示，端子部60及導電性粒子62A成為非接觸狀態，端子部60與電纜112的電連接被斷開。端子部60與電纜112的電連接被斷開之情況下，有藉由放射線檢測器10獲得之放射線圖像的畫質降低之情況，例如有產生所謂之線缺陷之情況。
另一方面，本實施形態的放射線檢測器10中，將應力中立面調整構件70設置於積層體63上，因此應力中立面71的位置與未設置應力中立面調整構件70之情況相比更靠積層體63側移動。
如圖5所示，設置應力中立面調整構件70之情況下，能夠將應力中立面71與界面67的間隔設為小於未設置應力中立面調整構件70之情況（圖4B的情況）。換言之，設置應力中立面調整構件70之情況下，能夠將應力中立面71的位置與界面67的位置之差設為小於未設置應力中立面調整構件70之情況（圖4B的情況）。藉由使應力中立面71的位置接近界面67的位置，能夠降低撓曲感測器基板12及加強構件50時的界面67中的應力，因此端子部60與連接層62的導電性粒子62A難以成為非接觸狀態。因此，端子部60與電纜112的電連接難以斷開。
另外，應力中立面71的位置係積層體63內的位置為較佳。關於應力中立面71的位置，本實施形態中的積層體63內係本發明的預定之範圍內的一例。
又，如圖5所示，應力中立面71的位置與界面67的位置一致為更佳。該情況下，即使感測器基板12及加強構件50撓曲之情況下，亦能夠將界面67中的應力設為0，因此端子部60與連接層62的導電性粒子62A更難以成為非接觸狀態。因此，端子部60與電纜112的電連接更難以斷開。
如上所述，本實施形態的放射線檢測器10中，將應力中立面調整構件70設置於感測器基板12（基材11）的第1表面11A中的積層有端子部60、連接層62及電纜112而成之積層體63上，藉此能夠將應力中立面71的積層方向P中的位置調整為界面67的附近。藉此，本實施形態的放射線檢測器10中，在感測器基板12及加強構件50撓曲之情況下，能夠將界面67中所產生之應力接近於0，因此端子部60與電纜112的電連接難以斷開。
另外，應力中立面調整構件70的厚度根據作為應力中立面71距界面67的位置而能夠允許之範圍來確定。作為能夠允許之範圍，例如如上述可舉出積層體63內。具體的應力中立面調整構件70的厚度根據連接層62的導電性粒子62A與端子部60的接觸成為非接觸狀態之容易性及預定之撓曲的程度等來確定。例如，加強構件50的厚度愈厚，應力中立面調整構件70的厚度亦愈厚為較佳。
參閱圖6A～圖6E對本實施形態的放射線檢測器10之製造方法進行說明。
如圖6A所示，在厚度與基材11相比厚之玻璃基板等支撐體400上藉由剝離層402形成基材11。例如，藉由層壓法形成基材11之情況下，將成為基材11之薄片貼合於支撐體400上。基材11的第2表面11B與剝離層402接觸。另外，形成基材11之方法並不限定於本實施形態，例如可以為藉由塗佈法形成基材11之形態。
進而，在基材11的第1表面11A的端子區域外60B形成像素30。另外，本實施形態中，作為一例，在基材11的第1表面11A經由使用SiN等之底塗層（省略圖示）形成像素30。
進而，在形成像素30之層（以下，簡稱為“像素30”）上形成轉換層14。本實施形態中，感測器基板12上藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）法等氣相沉積法而直接形成作為柱狀結晶的CsI的轉換層14。該情況下，轉換層14中的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的成長方向基點側。
另外，作為轉換層14使用CsI的閃爍器之情況下，藉由與本實施形態不同之方法亦能夠在感測器基板12形成轉換層14。例如，準備藉由氣相沉積法使CsI蒸鍍於鋁板等者，藉由黏著性薄片等將CsI不與鋁板接觸之側與感測器基板12的像素30貼合，藉此可以在感測器基板12形成轉換層14。該情況下，使藉由保護層46覆蓋亦包括鋁板之狀態的轉換層14整體之狀態者與感測器基板12的像素30貼合為較佳。另外，該情況下，轉換層14中的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的成長方向的前端側。
又，與本實施形態的放射線檢測器10不同，作為轉換層14亦可以使用GOS（Gd2 O2 S：Tb）等來代替CsI。該情況下，例如，準備將使GOS分散於樹脂等黏合劑而成之薄片藉由黏著層等貼合於藉由白色PET等形成之支撐體者，藉由黏著性薄片等將GOS的未貼合支撐體之一側與感測器基板12的像素30貼合，藉此能夠在感測器基板12形成轉換層14。另外，與使用GOS之情況相比，在轉換層14使用CsI之情況下，從放射線到可見光的轉換效率變高。
又，在形成於感測器基板12之轉換層14上經由黏著層40設置反射層42，進而經由接著層44設置保護層46。又，在基材11的第1表面11A的端子區域60A形成有端子部60。
接著，如圖6B所示，經由連接層62使電纜112與端子部60熱壓接，電連接端子部60及連接層62。進而，藉由強化構件64來覆蓋積層體63。
接著，如圖6C所示，藉由黏著劑66在被強化構件64覆蓋之積層體63上設置應力中立面調整構件70。
設置應力中立面調整構件70之後，將在轉換層14及端子部60電連接電纜112之狀態的感測器基板12從支撐體400剝離，成為圖6D所示之狀態。例如，在層壓法中，將感測器基板12（基材11）的四邊中的任一個作為剝離的起點，從成為起點之邊朝向對向之邊逐漸將感測器基板12從支撐體400剝離，藉此進行機械剝離。
進而，從支撐體400剝離感測器基板12之後，如圖6ED所示，經由防靜電層54及黏著劑52，並且藉由黏接等在基材11的第2表面11B形成加強構件50。如上所述，製造本實施形態的放射線檢測器10。
另外，本實施形態的放射線檢測器10例如亦可以設為以下的變形例1～變形例5所示之形態。另外，亦可以設為適當組合變形例1～變形例5中的每一個之形態。
（變形例1） 圖7中示出相當於上述圖3B所示之放射線檢測器10的B-B線剖面圖之本變形例的放射線檢測器10的剖面圖的一例。另外，圖7中省略黏著劑52、防靜電層54及黏著劑66的記載。
上述圖3B所示之放射線檢測器10中，強化構件64覆蓋每個積層體63、換言之每個端子部60，但是如圖7所示，本變形例的放射線檢測器10中，強化構件64共同覆蓋整個複數個積層體63中的每一個。因此，藉由強化構件64成為積層體63彼此之間被填充之狀態。因此，本變形例的放射線檢測器10中，複數個積層體63成為一體地固定於感測器基板12之狀態。另外，關於強化構件64共同覆蓋幾個積層體63並無特別限定。例如，藉由電纜112而電連接之驅動基板200或訊號處理基板300亦可以設為強化構件64共同覆蓋相同的積層體63彼此之形態。又，例如亦可以設為強化構件64共同覆蓋基於設置於感測器基板12（基材11）的一邊之所有端子部60之積層體63之形態。
（變形例2） 圖8A及圖8B中示出相當於上述圖3B所示之放射線檢測器10的B-B線剖面圖之本變形例的放射線檢測器10的剖面圖的一例。另外，圖8A及圖8B中省略黏著劑52、防靜電層54及黏著劑66的記載。
圖8A所示之本變形例的放射線檢測器10中，藉由應力中立面調整構件70成為藉由強化構件64覆蓋之積層體63彼此之間被填充之狀態，直至應力中立面調整構件70到達感測器基板12（基材11）的第1表面11A。
藉由到達基材11的第1表面11A之應力中立面調整構件70，成為積層體63彼此之間被填充之狀態，藉此藉由應力中立面調整構件70強化端子部60與電纜112的電連接。
另外，如圖8B所示，可以設為未設置強化構件64且應力中立面調整構件70共同覆蓋整個複數個積層體63中的每一個之狀態。圖8B所示之形態之情況下，應力中立面調整構件70並不限定於基於上述之材料之構件，可以為基於與強化構件64相同的材料之構件。亦即，圖8B所示之形態之情況下，可以將強化構件64作為應力中立面調整構件70。
（變形例3） 圖9中示出相當於上述圖2所示之放射線檢測器10的俯視圖之本變形例的放射線檢測器10的俯視圖的一例。
上述圖2所示之放射線檢測器10中，應力中立面調整構件70設置於感測器基板12（基材11）的與端子區域60A對應之每個邊。換言之，圖2所示之放射線檢測器10中，應力中立面調整構件70設置於與電纜112A對應之積層體63（參閱圖3B等）及與電纜112B對應之積層體63（參閱圖3B等）的每一個。
然而，應力中立面調整構件70設置於至少1個以上的積層體63（端子部60）即可，其數量並無限定。例如，圖9所示之本變形例的放射線檢測器10中，示出關於電纜112A側及電纜112B側中的每一個分別設置有兩個應力中立面調整構件70之狀態。另外，並不限定於本變形例，亦可以設為每個各積層體63（端子部60）上設置應力中立面調整構件70之狀態。應力中立面調整構件70設置於複數個積層體63（端子部60），藉此能夠進一步抑制端子部60與電纜112被電斷開。另一方面，設置複數個應力中立面調整構件70，藉此能夠使應力中立面調整構件70輕質化，因此能夠使放射線檢測器10整體輕質化。
如上所述，應力中立面調整構件70亦可以不設置於端子區域60A整體。又，應力中立面調整構件70亦可以不設置於每個積層體63的上面的整體。
（變形例4） 圖10中示出相當於上述圖3A所示之放射線檢測器10的A-A線剖面圖之本變形例的放射線檢測器10的剖面圖的一例。
如圖10所示，本變形例的放射線檢測器10中，被保護層46覆蓋之轉換層14上還設置有加強層48。
加強層48的彎曲剛性高於基材11，相對於與轉換層14對向之面沿垂直方向施加之力之尺寸變化（變形）小於相對於與基材11的第1表面11A沿垂直方向施加之力之尺寸變化。又，本變形例的加強層48的厚度厚於基材11的厚度。
作為加強層48較佳之特性係與上述之加強層48相同的特性。本變形例的加強層48使用彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下的原材料為較佳。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，加強層48的彎曲剛性高於基材11為較佳。另外，若彎曲彈性模數降低則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚加強層48的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮加強層48的材料，則在欲獲得超過140000Pacm4 之彎曲剛性之情況下，加強層48的厚度具有相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於加強層48之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，加強層48的彎曲剛性為540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下為較佳。
又，加強層48的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為加強層48的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（加強層48的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）係0.5以上且2以下為較佳。作為該等加強層48的熱膨脹係數，30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14將CsI：Tl作為材料之情況下，熱膨脹係數係50ppm/K。該情況下，作為相對接近轉換層14之材料，可舉出PVC、丙烯酸、PET、PC及Teflon（註冊商標）等。進而，若考慮上述之彎曲彈性模數，則作為加強層48的材料包含PET及PC中的至少一者之材料為更佳。又，從彈性的觀點考慮，加強層48包含具有降伏點之材料為較佳。
本變形例的加強層48係將塑膠作為材料之基板。從上述之理由考慮，成為加強層48的材料之塑膠係熱塑性的樹脂為較佳，可舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS、工程塑料（engineering plastic）及聚伸苯基醚中的至少一個。另外，加強層48在該等之中為聚丙烯、ABS、步驟塑料、PET及聚苯醚中的至少一種為較佳，苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一種為更佳，PC及PET中的至少一種為更佳。
另外，加強層48與加強構件50的具體的特性及材料等可以為相同，亦可以為不同。
使用氣相沉積法形成轉換層14之情況下，如圖10及上述圖3A所示，轉換層14具有厚度朝向其外緣逐漸變薄之傾斜而形成。以下，將無視製造誤差及測量誤差時的厚度視為大致恆定之轉換層14的中央區域稱為中央部。又，將相對於轉換層14的中央部的平均厚度具有例如90%以下的厚度之轉換層14的外周區域稱為周緣部。亦即，轉換層14在周緣部具有相對於感測器基板12傾斜之傾斜面。如圖10所示，本變形例的加強層48覆蓋轉換層14的中央部整體及周緣部的一部分。換言之，加強層48的外緣位於轉換層14的周緣部的傾斜面上。
另外，設置加強層48之位置等並不限定於本變形例。例如，加強層48可以為覆蓋轉換層14的整體之形態。又，例如如圖10所示，本變形例中，加強層48設置成沿著轉換層14的傾斜部彎曲之狀態，但是亦可以設為以無彎曲之板狀在轉換層14的傾斜部與加強層48之間設置空間之狀態。
如上所述，藉由在轉換層14上設置加強層48，進一步加強基材11的強度。
又，本變形例中，與例如將應力中立面調整構件70延伸至轉換層14的上部而具有作為加強層48的功能之情況相比，藉由個別設置加強層48及應力中立面調整構件70，使放射線檢測器10輕質化。
（變形例5） 圖11中示出相當於上述圖3A所示之放射線檢測器10的A-A線剖面圖之本變形例的放射線檢測器10的剖面圖的一例。
如圖11所示，本變形例的放射線檢測器10中，藉由保護膜49覆蓋整個設置有轉換層14、積層體63及應力中立面調整構件70之感測器基板12（基材11）的第1表面11A側。如圖11所示，本變形例的放射線檢測器10中，藉由黏著層57在轉換層14設置有保護膜49，藉由黏著層72在應力中立面調整構件70設置有保護膜49。
保護膜49係厚度相對薄之具有防濕功能之膜。與例如上述變形例4的放射線檢測器10中的加強層48相比，厚度相對薄。作為保護膜49，例如可使用PARYLENE（註冊商標）、聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片及ALPET（註冊商標）薄片等防濕膜。另外，保護膜49可以代替防濕功能或與防濕功能一同具有防靜電功能。
如上所述，藉由保護膜49覆蓋整個設置有轉換層14、積層體63及應力中立面調整構件70之感測器基板12（基材11）的第1表面11A側，藉此提高放射線檢測器10整體的防濕性。
又，依據本變形例的放射線檢測器10，藉由保護膜49應力中立面調整構件70與轉換層14連接，因此能夠提高基於應力中立面調整構件70之應力中立面71的調整功能。
如以上說明，上述各形態的放射線檢測器10具備感測器基板12、轉換層14、加強構件50及應力中立面調整構件70。感測器基板12中，可撓性基材11的第1表面11A的像素區域35形成蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素30並且在第1表面11A的端子區域60A設置有用於電連接電纜112之端子部60。轉換層14設置於基材11的第1表面11A中的端子區域外60B並且將放射線轉換成光。加強構件50設置於基材11的與第1表面11A相反的一側的第2表面11B，加強基材11的強度。應力中立面調整構件70設置於端子區域60A內且對應於與端子部60電連接之電纜112的端子區域60A內之至少一部分，調整對應於積層體63之區域中的應力中立面71的位置，前述積層體63積層有加強構件50、感測器基板12的端子部60及與端子部60電連接之電纜112。
在感測器基板12使用可撓性基材11之放射線檢測器10中，存在藉由設置加強構件50，感測器基板12及加強構件50撓曲而引起之端子部60與電纜112的電連接容易斷開之情況。
相對於此，依據本實施形態及上述各變形例的放射線檢測器10，在積層體63上設置有應力中立面調整構件70，因此能夠將應力中立面71的位置設為端子部60與連接層62的導電性粒子62A接觸之界面67的附近。藉此，依據本實施形態及上述各變形例的放射線檢測器10，能夠減小界面67中的應力，因此端子部60與連接層62的導電性粒子62A難以成為非接觸狀態。
因此，依據本實施形態及上述各變形例的放射線檢測器10，能夠簡便地抑制端子部60與電纜112的電連接被斷開。尤其，本實施形態及上述各變形例的放射線檢測器10中，即使感測器基板12及加強構件50撓曲之情況下，亦能夠抑制端子部60與電纜112的電連接被斷開。
另外，放射線檢測器10並不限定於在本實施形態及上述各變形例中所說明之形態。例如，上述之放射線檢測器10中，設置於基於與電纜112A電連接之端子部60之積層體63上之應力中立面調整構件70和設置於基於與電纜112B電連接之端子部60之積層體63上之應力中立面調整構件70的每一個可以為基於相同的材料之構件，亦可以基於不同之材料之構件。
又，上述之放射線檢測器10中，設為在基於與電纜112A電連接之端子部60之積層體63及基於與電纜112B電連接之端子部60之積層體63該兩者設置應力中立面調整構件70之形態，但是亦可以設為僅在其中任一者設置應力中立面調整構件70之形態。該情況下，如圖12所示，具有模擬系零件比數字系零件重之傾向，因此在用於與作為模擬系零件之訊號處理基板300及訊號處理IC310電連接之電纜112B被電連接之端子部60設置應力中立面調整構件70為較佳。
又，如圖13所示之一例，應力中立面調整構件70還可以設置成與轉換層14的端部接觸之狀態。變形例2（參閱圖8B）中如上述，應力中立面調整構件70例如如上述TUFFY（註冊商標）那樣塗佈時具有流動性之情況下，越過積層體63上並且在端子區域60A整個表面進而如圖13所示那樣與轉換層14的端部接觸之情況。如上所述，可以為應力中立面調整構件70與轉換層14的端部接觸之形態。另外，“轉換層14的端部”至少包含上述之轉換層14的傾斜部，還可以包含比轉換層14的中央部的與像素區域35對應之區域更靠外緣之區域。
另外，如圖14～圖15所示，使用上述本實施形態及各變形例的放射線檢測器10等之放射線圖像撮影裝置1可以在收容於殼體120之狀態下使用。
圖14中示出從基材11的第2表面11B側照射放射線之ISS（Irradiation Side Sampling）方式的放射線圖像撮影裝置1的一例的剖面圖。如圖14所示，在框體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10在感測器基板12中的基材11的第1表面11A側所對向之狀態下配置於透射被攝體之照射放射線之殼體120的照射面120A側。
又，圖15中示出從轉換層14側照射放射線之PSS（Penetration Side Sampling）方式的放射線圖像撮影裝置1的一例的剖面圖。如圖15所示，在框體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10在感測器基板12中的基材11的第2表面11B側所對向之狀態下配置於透射被攝體之照射放射線之殼體120的照射面120A側。
控制基板110與驅動基板200藉由電纜220而電連接。又，圖14及圖15中省略記載，但是控制基板110與訊號處理基板300藉由電纜而電連接。
又，控制基板110藉由電源線115與形成在控制基板110之圖像記憶體106或向控制部100等供給電源之電源部108連接。
圖14及圖15所示之放射線圖像撮影裝置1的殼體120內，在射出透射放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片藉由入射放射線難以產生2次放射線，從而具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。另外，薄片116覆蓋至少射出轉換層14的放射線之一側的整體表面，又，覆蓋轉換層14整體為較佳。
又，圖14及圖15所示之放射線圖像撮影裝置1的殼體120內，在入射放射線之一側（照射面120A側）還設置有保護層117。作為保護層117，絕緣性薄片（薄膜）中能夠適用ALPET（註冊商標）的薄片、PARYLENE（註冊商標）膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117具有相對於像素區域35之防濕功能及防靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋入射像素區域35的放射線之一側的整體表面為較佳，覆蓋入射放射線之一側的感測器基板12的整體表面為較佳。
如圖14及圖15所示之例，電源部108及控制基板110的每一個的厚度厚於放射線檢測器10之情況較多。該種情況下，如圖16所示之例子，設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度可以薄於分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分的厚度。另外，如此，在分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度不同之情況下，若在兩個部分的邊界部中產生段差，則存在使與邊界部120B接觸之被檢者感到不舒服等之慮，因此邊界部120B的形態設為具有傾斜之狀態為較佳。
藉此，能夠構成與放射線檢測器10的厚度對應之極薄型便捷式電子匣。
又例如，此時，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分中框體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分可以分開配置。
又，如上述，殼體120係放射線、尤其X射線的吸收率較低且高剛性為較佳，藉由彈性模數充分高之材料構成為較佳，但是關於與殼體120的照射面120A對應之部分，放射線的吸收率較低且高剛性，由彈性模數充分高之材料構成，關於其他部分，亦可以由與對應於照射面120A之部分不同之材料、例如彈性模數低於照射面120A的部分之材料構成。
又，上述各實施形態中，如圖1所示那樣對像素30以矩陣狀二維排列之形態進行了說明，但是並不限定於此，例如亦可以為一維排列，亦可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦並無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，像素區域35的形狀亦並無限定，這是理所當然的。
除此以外，在上述各實施形態中所說明之放射線圖像攝影裝置1及放射線檢測器10等的結構或製造方法等為一例，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，能夠根據狀況而進行變更，這是理所當然的。 2019年7月9日申請的日本專利申請2019-127738號的揭示的其整體被作為參閱而編入本說明書中。 本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術標準，以與具體且個別記載了藉由參閱收入個別文獻、專利申請及技術標準的情況相同程度地，藉由參閱收入本說明書中。
1:放射線圖像撮影裝置 10:放射線檢測器 11:基材 11A:第1表面 11B:第2表面 12:感測器基板 14:轉換層 30:像素 32:TFT（開關元件） 34:感測部 35:像素區域 36:訊號配線 38:掃描配線 39:共用配線 40､57､72:黏著層 42:反射層 44:接著層 46:保護層 48:加強層 49:保護膜 50:加強構件 52:黏著劑 54:抗靜電層 60:端子部 60A:端子區域 60B:端子區域外 62:連接層 62A:導電性粒子 63:積層體 64､65:強化構件 66:黏著劑 67:界面 70:應力中立面調整構件 71:應力中立面 100:控制部 100A:CPU 100B:記憶體 100C:儲存部 102:驅動部 104:訊號處理部 106:圖像記憶體 108:電源部 110:控制基板 112,112A,112B,220:電纜 113:訊號線 115:電源線 116:薄片 117:保護層 120:殼體 120A:照射面 120B:境界部 200:驅動基板 202,302:連接區域 210:驅動IC 300:訊號處理基板 310:訊號處理IC 400:支撐體 402:剝離層 P:積層方向 W:荷重
圖1係示出實施形態的放射線圖像撮影裝置中的電氣系統的主要構成的一例之方塊圖。 圖2係從基材的第1表面側觀察實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖3A係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖3B係圖2所示之放射線檢測器的B-B線剖面圖。 圖4A係用於說明應力中立面調整構件的作用之示意圖。 圖4B係用於說明應力中立面調整構件的作用之示意圖。 圖5係用於說明應力中立面調整構件的作用之示意圖。 圖6A係對實施形態的放射線檢測器之製造方法的一例進行說明之圖。 圖6B係對實施形態的放射線檢測器之製造方法的一例進行說明之圖。 圖6C係對實施形態的放射線檢測器之製造方法的一例進行說明之圖。 圖6D係對實施形態的放射線檢測器之製造方法的一例進行說明之圖。 圖6E係對實施形態的放射線檢測器之製造方法的一例進行說明之圖。 圖7係變形例1的放射線檢測器的B-B線剖面圖。 圖8A係變形例2的放射線檢測器的一例的B-B線剖面圖。 圖8B係變形例2的放射線檢測器的另一例的B-B線剖面圖。 圖9係從基材的第1表面側觀察變形例3的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖10係變形例4的放射線檢測器的一例的A-A線剖面圖。 圖11係變形例5的放射線檢測器的一例的A-A線剖面圖。 圖12係從基材的第1表面側觀察放射線檢測器的另一例之俯視圖。 圖13係放射線檢測器的另一例的A-A線剖面圖。 圖14係收容於殼體之狀態的實施形態的放射線圖像撮影裝置的一例的剖面圖。 圖15係收容於殼體之狀態的實施形態的放射線圖像撮影裝置的另一例的剖面圖。 圖16係收容於殼體之狀態的實施形態的放射線圖像撮影裝置的另一例的剖面圖。
10:放射線檢測器
11:基材
11A:第1表面
11B:第2表面
12:感測器基板
14:轉換層
30:像素
35:像素區域
40:黏著層
42:反射層
44:接著層
46:保護層
50:加強構件
52:黏著劑
54:抗靜電層
60:端子部
60A:端子區域
60B:端子區域外
62:連接層
63:積層體
64、65:強化構件
66:黏著劑
70:應力中立面調整構件
112,112A:電纜
200:驅動基板
202:連接區域
210:驅動IC

Claims (14)

  1. 一種放射線檢測器，其係具備：基板，在可撓性基材的第1表面的像素區域形成蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素並且在前述第1表面的端子區域設置有用於電連接電纜之端子部；轉換層，設置於前述基材的前述第1表面中的前述端子區域外部且將前述放射線轉換成光；加強構件，設置於前述基材的與前述第1表面相反的一側的第2表面且加強前述基材的強度；及應力中立面調整構件，設置於對應於與前述端子部電連接之電纜的前述端子區域內之至少一部分，並且調整對應於積層體之區域中的應力中立面的位置，前述積層體積層有前述加強構件、前述基板的前述端子部及與前述端子部電連接之前述電纜。
  2. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中前述應力中立面調整構件在從前述電纜與前述端子部電連接之界面預定之範圍內對前述應力中立面的前述積層體的積層方向上的位置進行調整。
  3. 如請求項2所述之放射線檢測器，其中在前述預定之範圍內之位置係前述積層體內的位置。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其中前述應力中立面調整構件的彎曲剛性係540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
  5. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其中 前述應力中立面調整構件的彎曲彈性模數係150MPa以上且2500MPa以下。
  6. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其中前述基板上設置有複數個前述端子部，前述應力中立面調整構件設置於至少1個以上的前述端子部上。
  7. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其還具備強化前述電纜與前述端子部的電連接之強化構件，前述應力中立面調整構件設置於由前述強化構件覆蓋之前述電纜中的至少一部分。
  8. 如請求項7所述之放射線檢測器，其中前述強化構件還具有防濕性。
  9. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其中前述應力中立面調整構件還強化前述電纜與前述端子部的電連接。
  10. 如請求項9所述之放射線檢測器，其中前述應力中立面調整構件還具有防濕性。
  11. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其中前述應力中立面調整構件還與前述轉換層的端部接觸。
  12. 如請求項1至請求項3之任一項所述之放射線檢測器，其還具備加強層，其設置於前述轉換層中的與前述基材側的面相反一側的面，並且剛性比前述基材高。
  13. 一種放射線圖像撮影裝置，其具備：請求項1至請求項12之任一項所述之放射線檢測器； 控制部，輸出用於讀取蓄積於前述複數個像素之電荷之控制訊號；驅動部，經由電纜與前述放射線檢測器的端子部電連接，並且依據前述控制訊號，輸出用於從前述複數個像素讀取電荷之驅動訊號；及訊號處理部，經由電纜與前述放射線檢測器的端子部電連接，輸入與從前述複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並且生成與所輸入之前述電訊號對應之圖像資料而輸出。
  14. 如請求項13所述之放射線圖像撮影裝置，其還具備殼體，其具有照射放射線之照射面，在前述放射線檢測器中的感測器基板及轉換層中，前述感測器基板以與前述照射面對向之狀態收容前述放射線檢測器。
TW109123037A 2019-07-09 2020-07-08 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 TWI834890B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-127738 2019-07-09
JP2019127738 2019-07-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202109447A TW202109447A (zh) 2021-03-01
TWI834890B true TWI834890B (zh) 2024-03-11

Family

ID=74114883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109123037A TWI834890B (zh) 2019-07-09 2020-07-08 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11624844B2 (zh)
EP (1) EP3998500A4 (zh)
JP (1) JP7230202B2 (zh)
CN (1) CN114007508A (zh)
TW (1) TWI834890B (zh)
WO (1) WO2021006304A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024106211A1 (ja) * 2022-11-18 2024-05-23 キヤノン電子管デバイス株式会社 光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201830053A (zh) * 2016-12-26 2018-08-16 日商富士軟片股份有限公司 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
TW201831921A (zh) * 2016-12-26 2018-09-01 日商富士軟片股份有限公司 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置
WO2018173894A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324502A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fujifilm Corp デバイスの製造方法
KR101003693B1 (ko) * 2008-10-20 2010-12-23 부산대학교 산학협력단 유연한 엑스선 영상센서
JP2013217769A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Canon Inc 放射線検出装置
JP5815483B2 (ja) 2012-07-27 2015-11-17 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
US9196642B2 (en) * 2012-09-10 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stress release layout and associated methods and devices
JP6092568B2 (ja) * 2012-10-11 2017-03-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
US20140374608A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same
JP2015004550A (ja) * 2013-06-19 2015-01-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置およびその製造方法
EP2857866B1 (en) * 2013-10-02 2019-06-19 Rayence Co., Ltd. X-ray sensor and method of manufacturing the same
JP2018119891A (ja) 2017-01-26 2018-08-02 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP6894854B2 (ja) 2018-01-24 2021-06-30 Ykk Ap株式会社 スライド制限装置
JP2020134274A (ja) * 2019-02-18 2020-08-31 キヤノン株式会社 放射線撮像装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201830053A (zh) * 2016-12-26 2018-08-16 日商富士軟片股份有限公司 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
TW201831921A (zh) * 2016-12-26 2018-09-01 日商富士軟片股份有限公司 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置
WO2018173894A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202109447A (zh) 2021-03-01
JPWO2021006304A1 (zh) 2021-01-14
EP3998500A4 (en) 2022-08-03
JP7230202B2 (ja) 2023-02-28
WO2021006304A1 (ja) 2021-01-14
CN114007508A (zh) 2022-02-01
US11624844B2 (en) 2023-04-11
EP3998500A1 (en) 2022-05-18
US20220113435A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN210465701U (zh) 放射线检测器以及放射线图像拍摄装置
CN209992682U (zh) 放射线检测器以及放射线图像摄影装置
TWI821460B (zh) 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法
US11612366B2 (en) Radiation detector, radiography apparatus, and method of manufacturing radiation detector
JP7451787B2 (ja) 放射線画像撮影装置
TWI834890B (zh) 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
TWI833894B (zh) 放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置
US11766227B2 (en) Radiation detector, radiographic imaging apparatus, and method of manufacturing radiation detector
JP7358615B2 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法
WO2021033663A1 (ja) 放射線検出器の製造方法
US12248109B2 (en) Method of manufacturing radiographic imaging apparatus
JP7303368B2 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法
WO2022065317A1 (ja) 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
TW202212863A (zh) 放射線圖像攝影裝置的製造方法及搬運治具