JP2011181290A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで製造でき、且つ輝度を大きくすることが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】先ずガラス基板１０上に陽極１１Ａを形成する（Ａ）（Ｂ）。次いで、シクロオレフィンとこれに蛍光材料を分散した絶縁層１１Ｂを形成する（Ｃ）。次いで絶縁層１１Ｂ上の陽極１１Ａと対向する位置に、絶縁層１１Ｂを溶解する溶媒及び表示用組成物を含有するインク２１を塗布する（Ｄ）。次いで、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、陽極１１Ａと電気的接合を持った状態で固化させる（Ｅ）。このとき、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１Ｂは、溶解されずに残り、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄとなる。つまり、この隔壁１１Ｄには、蛍光材料が含有されている。その後、陰極１１Ｅを形成する（Ｆ）。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機材料等の表示組成物を備えた表示装置及びその製造方法に関する。

従来、有機材料等の表示組成物を備えた表示装置が知られている。例えば、特許文献１に記載の有機ＥＬ表示装置では、複数の発光層が隙間を挟んで互いに等ピッチに配列されている。隙間には、色変換層もしくは透明な絶縁層が収容されている。色変換層及び絶縁層は、いずれも上部が上方に膨出した形状とされている。色変換層及び絶縁層の上部によって形成される斜面には、金属部材が形成されている。金属部材のうち色変換層及び絶縁層に接する部分は、光を反射する反射面を形成している。このような構成によって、発光層から横方向に発せられた光は、色変換層もしくは透明な絶縁層を通過し、金属部材の反射面に反射して、利用者が視認することが可能な方向に光を出射することができる。これによって、有機ＥＬ表示装置の輝度が向上している。

特開２００７−２４２３２４号公報

しかしながら、上記の有機ＥＬ表示装置では、輝度を向上させるために、金属部材を配置して反射面を形成する必要がある。つまり、金属部材を配置する製造工程が必要になるため、製造工程数が増える。さらに、金属部材の材料が必要になる。金属部材の材料が必要になり、製造工程数が増えるため、製造コストが大きくなるという問題点があった。また、金属部材を廃止した場合には、輝度が低くなるという問題点があった。

本発明は、低コストで製造でき、且つ輝度を大きくすることが可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第一の態様に係る発明の表示装置は、板状の基板と、前記基板の一の面側に設けられた複数の電極である第一電極と、前記各第一電極における前記基板に対向する面の反対面側に各々設けられ、電圧の印加によって発光する表示用組成物と、前記各表示用組成物の間を絶縁し、前記表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した隔壁と、前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とによって形成される面に接触して設けられ、前記表示用組成物と前記隔壁とに対向する面が、前記蛍光材料と前記表示用組成物とが発する光を反射する光反射面で構成された電極である第二電極とを備えている。

この場合の表示装置では、表示用組成物から発せられた光が表示用組成物から見て光反射面が設けられている方向とは反対方向（以下、第一方向という。）に出射される。また、表示用組成物から隔壁の方向に発せられた光が隔壁に含有された蛍光材料を励起することにより発せられる光は、第一方向に向けて出射される。また、表示用組成物及び蛍光材料が光反射面の方向に向けて出射した光は、光反射面で反射されて、第一方向に向けて出射される。このように、第一方向に出射される光の量が多くなるため、表示装置の輝度を大きくすることができる。また、第二電極の面が光反射面となっているため、第二電極と光反射面とを別々に形成する場合に比べて、低コストで製造できる表示装置を得ることができる。

本発明の第二の態様に係る表示装置は、板状の基板と、前記基板の一の面側に設けられ、前記基板に対向する面の反対面が光を反射する光反射面で構成された電極である第三電極と、前記第三電極の前記光反射面側に設けられ、電圧の印加によって発光する複数の表示用組成物と、前記各表示用組成物の間を絶縁し、前記表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した隔壁と、前記各表示用組成物における前記光反射面に対向する面の反対面にそれぞれ設けられた電極である第四電極とを備えている。

この場合の表示装置では、表示用組成物から発せられた光が表示用組成物から見て光反射面が設けられている方向とは反対方向（第二方向）に光が出射される。また、表示用組成物から隔壁の方向に発せられた光が、隔壁に含有された蛍光材料を励起することよって発せられる光は、第二方向に向けて出射される。また、表示用組成物及び蛍光材料が光反射面の方向に向けて出射した光は、光反射面で反射されて、第二方向に向けて出射される。このように、第二方向に出射される光の量が多くなるため、表示装置の輝度を大きくすることができる。また、第三電極の面が光反射面となっているため、第三電極と光反射面とを別々に形成する場合に比べて、低コストで製造できる表示装置を得ることができる。

前記表示装置において、前記蛍光材料は、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、及びＤＣＪＴＢのうちの少なくとも一種であってもよい。この場合、蛍光材料に応じた色で、隔壁から光を発することができる。

前記表示装置において、前記隔壁は、ＰＶＫ、ポリスチレン、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、及びフッ素樹脂のうちの少なくとも一種と、前記蛍光材料との混合物であってもよい。この場合、蛍光材料が発する光を、効率的に隔壁の外部に向けて出射することができる。

前記表示装置において、前記表示用組成物は、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン化合物、及び燐光物質のうちの少なくとも一種を含有してもよい。この場合、表示用組成物に含有された物質に応じた色の光を発することができる表示装置を製造することができる。

前記表示装置において、前記基板の光の屈折率は、前記第一電極の光の屈折率より大きくてもよい。この場合、第一電極から、基板に入る光の屈折角を小さくすることができる。よって、基板と空気との境目への光の入射角を大きくすることができる。つまり、基板の光の屈折率が第一電極の光の屈折率より小さい場合に比べて、基板と空気との境目の面に対する光の角度がより垂直に近くなり、基板と空気との境目を光が通過しやすくなる。よって、基板内に閉じ込められる光の量が少なくなり、表示装置の輝度がさらに大きくなる。

前記表示装置において、前記基板における前記第一電極と接触する面の反対面に、複数の突起が備えられてもよい。突起が設けられていない場合に基板と空気との境目において全反射される光は、突起が設けられた場合には、突起に入射されることによって、突起の側面から外部に出射される。つまり、基板内に閉じ込められる光の量がさらに少なくなる。このため、表示装置の輝度がさらに大きくなる。

本発明の第三の態様にかかる表示装置の製造方法は、板状の基板の一の面側に複数の電極である第一電極を形成する第一電極形成工程と、電圧の印加によって発光する表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した絶縁層を、前記第一電極形成工程において形成された前記第一電極を覆うように形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第一電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第一電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁と前記表示用組成物とに対向する面が、前記隔壁における前記蛍光材料と前記表示用組成物とが発する光を反射する光反射面として構成された電極である第二電極を、前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とに接するように形成する第二電極形成工程とを備えている。

この製造方法によると、より輝度の大きい表示装置を低コストで製造することができる。

本発明の第四の態様に係る表示装置の製造方法は、板状の基板の一の面側に、前記基板に対向する面の反対側面が光を反射する光反射面で構成された電極である第三電極を形成する第三電極形成工程と、電圧の印加によって発光する表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した絶縁層を、前記第三電極形成工程において形成された前記第三電極を覆うように形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の複数の位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第三電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、前記表示用組成物形成工程において形成された前記表示用組成物と接触するように、電極である第四電極を形成する第四電極形成工程とを備えている。

この製造方法によると、より輝度の大きい表示装置を低コストで製造することができる。

前記表示装置の前記製造方法において、前記蛍光材料は、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、及びＤＣＪＴＢのうちの少なくとも一種であってもよい。この場合、蛍光材料に応じた色で、隔壁から光を発することができる表示装置を製造することができる。

前記表示装置の前記製造方法において、前記絶縁層は、ＰＶＫ、ポリスチレン、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、及びフッ素樹脂のうちの少なくとも一種と、前記蛍光材料との混合物であってもよい。この場合、蛍光材料が発する光を、効率的に隔壁の外部に向けて出射することができる表示装置を製造することができる。

前記表示装置の前記製造方法において、前記表示用組成物は、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン系化合物、及び燐光物質のうちの少なくとも一種を含有してもよい。この場合、表示用組成物に含有された物質に応じた色の光を発することができる表示装置を製造することができる。

前記表示装置の前記製造方法において、前記基板の光の屈折率は、前記第一電極の光の屈折率より大きくてもよい。これによって、基板内に閉じ込められる光の量が少ない、輝度の大きい表示装置を製造することができる。

前記表示装置の前記製造方法において、前記基板における前記第一電極と接触する面の反対面に、複数の突起が備えられていてもよい。これによって、基板内に閉じ込められる光の量がさらに少ない、輝度の大きい表示装置を製造することができる。

有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を示す説明図である。 電流駆動ＴＦＴ１２の構成を示す説明図である。 有機ＥＬ素子１１の製造プロセスを示すフローチャートである。 有機ＥＬ素子１１の製造プロセスを示す説明図である。 インクジェットヘッド３０の構成を示す説明図である。 有機ＥＬ素子１１における光の出射経路を示す図である。 電流密度−輝度特性の一例を示す図である。 有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を示す説明図である。 有機ＥＬ素子５１の製造プロセスを示すフローチャートである。 有機ＥＬ素子５１の製造プロセスを示す説明図である。 有機ＥＬ素子５１における光の出射経路を示す図である。 変形例に係る有機ＥＬ素子１１の構成を示す図である。

（第一実施形態）
以下、本発明に係る表示装置の製造方法の第一実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。

まず、有機ＥＬディスプレイ１の全体構成を図１を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、ガラス基板１０と、そのガラス基板１０上に配置された有機ＥＬ素子１１、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及び封止層１６を備えている。

上記有機ＥＬ素子１１は、ガラス基板１０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１Ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１Ｃを上下から挟むＩＴＯ（酸化インジウムスズ）で形成されている透明な陽極１１Ａと陰極１１Ｅとを備えている。

有機ＥＬ素子１１について、陽極１１Ａと陰極１１Ｅとの間に直流電圧をかけると、陽極１１Ａ（第一電極）から正孔が発光層１１Ｃに供給され、陰極１１Ｅ（第二電極）から電子が発光層１１Ｃに供給される。そして、陽極１１Ａから供給された正孔と、陰極１１Ｅから供給された電子とが発光層１１Ｃで再結合する。この際、発光層１１Ｃは発光し、透明な陽極１１Ａと、ガラス基板１０を透過して、下方（図１における下方）に光を照射する。一方、陽極１１Ａと陰極１１Ｅとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。

上記電流駆動ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１１の個々の画素ごとに１組ずつ設けられており、対応する画素への電流供給を制御するスイッチとして作用する。上記水平駆動回路１３及び上記垂直駆動回路１４は、各画素に対応する電流駆動ＴＦＴ１２を、オン又はオフとすることにより、各画素の独立発光及び消灯制御を行う。上記封止層１６は、有機ＥＬ素子１１、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、Ｐ−ＳｉＴＦＴを上から覆い、保護するものである。

次に、上記電流駆動ＴＦＴ１２について、図１及び図２を用いて説明する。有機ＥＬディスプレイ１には、図１に示す様に、有機ＥＬ素子１１の１画素ごとに、電流駆動ＴＦＴ１２が設けられている。この電流駆動ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ素子１１の個々の画素への電流の供給を制御するスイッチとして機能する。

この電流駆動ＴＦＴ１２の構成を、図２の等価回路を用いて説明する。なお、図２は、６個の画素についての繰り返し図である。電流駆動ＴＦＴ１２は、図２に示す様に、データ線１２Ｆ、走査線１２Ｅ、メモリーＴＦＴ１２Ｂ、コンデンサ１２Ｃ、及び駆動ＴＦＴ１２Ａを備えている。データ線１２Ｆは、垂直駆動回路１４（図１参照）に接続されている。走査線１２Ｅは、水平駆動回路１３（図１参照）に接続されている。メモリーＴＦＴ１２Ｂのゲート電極には、走査信号が走査線１２Ｅを介して供給される。コンデンサ１２Ｃには、メモリーＴＦＴ１２Ｂを介してデータ線１２Ｆから電荷（画像信号）が供給され、保持される。駆動ＴＦＴ１２Ａのゲート電極には、コンデンサ１２Ｃによって保持された画像信号が供給される。有機ＥＬ素子１１の陽極１１Ａには、駆動ＴＦＴ１２Ａを介して電源線１２Ｄから駆動電流が流れ込む。

この電流駆動ＴＦＴ１２では、水平駆動回路１３によって走査線１２Ｅがオンになり、垂直駆動回路１４によってデータ線１２Ｆがオンになると、メモリーＴＦＴ１２Ｂが作動し、コンデンサ１２Ｃに電荷が蓄積される。この電荷に相当する時間だけ駆動ＴＦＴ１２Ａが作動し、電源線１２Ｄから、駆動ＴＦＴ１２Ａ、陽極１１Ａ、発光層１１Ｃを介して、陰極１１Ｅへ電流が流れ、その電流駆動ＴＦＴ１２に対応する画素が発光する。

一方、水平駆動回路１３によって走査線１２Ｅがオフとなるか、垂直駆動回路１４によってデータ線１２Ｆがオフとなった場合には、メモリーＴＦＴ１２Ｂが作動せず、発光層１１Ｃには電流が流れないので、その電流駆動ＴＦＴ１２に対応する画素は消光する。

次に、有機ＥＬディスプレイ１の製造方法を図３及び図４を用いて説明する。なお、図３は、有機ＥＬディスプレイ１のうち、有機ＥＬ素子１１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図４は、図３の各工程における有機ＥＬ素子１１を示した外観図である。ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子１１の製造方法を説明する。

まず、Ｓ１１では、ガラス基板１０上に、ＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し、陽極１１Ａを成膜する（図４（Ａ）参照）。この陽極１１Ａの表面抵抗は５００〜６００μΩ／ｃｍであり、光透過率は８１％であった。

次いで、Ｓ１２では、Ｓ１１で成膜した陽極１１Ａ上に、露光用のレジストをスピンコートにより塗布し、所望の電極パターンをマスク露光する。その後、濃硝酸と濃塩酸の混合液である王水を用いたエッチングにより、露光されていない部分の陽極１１Ａを取り除き、所望の電極パターンを形成する（図４（Ｂ）参照）。その後、不要となったレジストを除去する。

次いで、Ｓ１３では、陽極１１Ａ表面を、中性洗剤洗浄、アセトン洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、及びＵＶオゾン洗浄により順次洗浄する。なお、これらの洗浄の目的は、(ｉ)陽極１１Ａ上の汚れを除去すること、(ｉｉ)陽極１１Ａ表面の酸素欠陥を減らし、正孔注入障壁を低下させること、である。中でも、ＵＶオゾン洗浄は、湿式洗浄ではとれない有機物の汚れを除去することができる。

次いで、Ｓ１４では、ガラス基板１０上の、有機ＥＬ素子１１を形成する部分全体に、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて、シクロオレフィンとこれに蛍光材料を分散した絶縁層１１Ｂを形成する（図４（Ｃ）参照）。絶縁層１１Ｂの厚みは、陽極１１Ａ間の絶縁を保持できる厚みであればよく、薄い方が、インクジェットの液滴径（ドロップ径）を考えると、高分解能、高画質の点で好ましい。また、絶縁層１１Ｂは、後述する工程において溶解させるので、半キュアー状態（完全に硬化していない状態）が望ましい。

また、これに分散する蛍光材料としては、後述するインク２１の発光材料よりも発光波長が長波長な材料が望ましい。

また、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成るインク２１（インク溶液）を予め調製しておく。具体的には、以下の成分を、それぞれ対応する重量比で混合することにより調製する。

ホール輸送性ポリマーである、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物（ＰＶＫ）：１６重量比
電子輸送材料（ＢＮＤ）：４重量比
発光中心形成化合物：１重量比
炭化水素系溶媒（テトラリン）：インク２１において、ＰＶＫ、ＢＮＤ、及び発光中心形成化合物の合計濃度が２ｗｔ％となる重量比

上記インク２１の粘度は、１×１０^−３〜１×１０Ｐａ・ｓとすることができるが、このうち、５×１０^−３〜１．５×１０^−２Ｐａ・ｓの範囲にあることが、インクジェット法を用いてインク２１を吐出する際のドロップ径を制御する上で望ましい。また、上記インク２１の表面張力は、２０〜５０ｍＮ／ｍの範囲にあることが、インクジェット法によるインクの吐出の際の飛行曲がりを抑えることができるので好ましい。

次いで、Ｓ１５では、調製したインク２１を、インクジェットヘッド３０（図５参照）を用い、絶縁層１１Ｂ上において、所望の電極パターンに形成された陽極１１Ａ（第一電極）に対向する位置の、画素を形成するべき１５カ所に、選択的に塗布する（図４（Ｄ）参照）。このインクジェットヘッド３０は、図５に示す様に、圧電素子３０Ａを備えた圧電素子方式のインクジェットヘッドであり、ドライバー３０Ｃからの信号に応じて、インクジェットヘッド本体３０Ｄに形成したオリフィス３０Ｂから、インク２１のドロップを吐出する。吐出の駆動周波数は１ｋＨｚとし、ドロップ１個の液適量を５０μｌとする。インク２１が塗布された場所では、塗布されたインク２１中に含まれる溶媒により、絶縁層１１Ｂが溶解し、インク２１は陽極１１Ａに達する（図４（Ｅ）参照）。

次いで、Ｓ１６では、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることにより、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、陽極１１Ａと電気的接合を持った状態で固化させる。この固化させた表示用組成物を発光層１１Ｃとする。

なお、固化した１５カ所の発光層１１Ｃは、それぞれが、１画素に対応する。この時、図４（Ｅ）に示すように、インク２１により溶解された絶縁層１１Ｂは、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析し、インク２１に含まれていた表示用組成物は、インク２１を滴下した部分の中央において固化する。この理由としては、インク２１に含まれる溶媒に対する溶解度において、表示用組成物の方が、絶縁層１１Ｂよりも大きいことが考えられる。

また、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１Ｂは、溶解されずに残り、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄとなる。

次いで、Ｓ１７では、マスク真空蒸着により、所定のパターンに従って、ＬｉＦ（フッ化リチウム）／Ａｌを形成し、これを陰極１１Ｅとする（図４（Ｆ）参照）。この時、Ａｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、例示として１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。Ｓ１７において形成された陰極１１Ｅの下面（図４における下面）は、発光層１１Ｃと隔壁１１Ｄの蛍光材料とが発する光を反射する光反射面１１１として形成される。なお、ＬｉＦ／Ａｌの代わりに、Ａｌ、ＬｉＦ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／Ａｌ、及びＢａ／Ａｌのいずれかで陰極１１Ｅを形成してもよい。

上記のようにして有機ＥＬ素子１１をガラス基板１０の中心部に形成するとともに、ガラス基板１０の周辺部に、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子１１、水平駆動回路１３及び垂直駆動回路１４を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ１を完成する。

この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面（図１における下面）には、有機ＥＬ素子１１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。

以上、本実施形態の製造方法によれば、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１Ｃの形成と、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄの形成とを、同時に行うことができる。つまり、インク２１を塗布した部分においては、インク２１に含まれる溶媒が絶縁層１１Ｂを溶解し、発光層１１Ｃが形成され、インク２１が塗布されない部分では、絶縁層１１Ｂが残存し、画素間を隔てる隔壁１１Ｄとなる。そのため、従来の有機ＥＬ素子の製造方法のように、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。

また、インクジェットヘッド３０として、圧電素子方式を用いることにより、バブルジェット（登録商標）方式のように、インク吐出のための熱源がないので、インク材料の劣化が起こらないこと、インク２１の溶媒の選択範囲が広いこと、吐出するインク２１の液滴量の制御がしやすいこと、駆動周波数を高くできること、耐久性が高いこと、という利点が得られる。

また、有機ＥＬディスプレイ１の発光層１１Ｃに電圧が印加されると、発光層１１Ｃが発光する。この有機ＥＬディスプレイ１では、発光層１１Ｃから下方向（図６における下方向）に光が出射されることで、利用者は、有機ＥＬディスプレイ１の表示を視認することが可能となる。図６に示すように、この有機ＥＬディスプレイ１において、発光層１１Ｃが発する光の一部である光７１は、下方向に向けて出射されている。発光層１１Ｃから光反射面１１１の方向に発せられた光７２は、光反射面１１１で反射されて、下方向に向けて出射される。また、発光層１１Ｃから隔壁１１Ｄの方向に発せられた光７３は、隔壁１１Ｄに含有された蛍光材料を励起する。これによって、隔壁１１Ｄの蛍光材料が発する光の一部である光７４は、下方向に向けて出射される。また、蛍光材料が光反射面１１１の方向に向けて出射した光７５は、光反射面１１１で反射されて、下方向に向けて出射される。このように、下方向に出射される光の量が多くなるため、有機ＥＬディスプレイ１の輝度を大きくすることができる。

また、本実施形態では、隔壁１１Ｄを形成する際に、マスク、露光、エッチング等の工程が行われない。このため、マスク、露光、エッチング等の工程によって隔壁１１Ｄを形成する場合に比べて、隔壁１１Ｄの上部が発光層１１Ｃの上端よりも上側に突出しにくい。言い換えると、マスク、露光、エッチング等の工程によって隔壁１１Ｄを形成する場合に比べて、隔壁１１Ｄと発光層１１Ｃとの上端によって形成される面がより平面に近くなる。このため、隔壁１１Ｄ及び発光層１１Ｃの上側に形成される光反射面１１１がより平面に近くなる。光反射面１１１が平面に近くなるので、光反射面１１１によって反射された光が、下方向に反射されやすくなる。このため、有機ＥＬディスプレイ１の輝度が大きくなる。

次に、本実施形態によって作成された、一例の有機ＥＬディスプレイ１の電流密度−輝度特性の測定結果を図７に示す。図７では、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有する場合の有機ＥＬディスプレイ１（図中の「蛍光材料有り」で示すグラフ）と、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有しない場合の有機ＥＬディスプレイ（図中の「蛍光材料無し」で示すグラフ）とで、電流密度−輝度特性を比較している。図７において、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有する場合の有機ＥＬディスプレイ１が、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１の一例である。

まず、図７に記載されている２種類の有機ＥＬディスプレイの材料について説明する。隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有する場合の有機ＥＬディスプレイ１においては、シクロオレフィンと赤色蛍光材料であるナイルレッドとを１：０．４の割合で混合し、その混合物の濃度が３．５ｗｔ％となるように、テトラリンに溶解した混合溶液を作成した。そして、この混合溶液を用いて、絶縁層１１Ｂを形成した（図３のＳ１４参照）。また、発光層１１Ｃを形成するための発光中心形成化合物には、緑色発光材料であるクマリンを用いた。そして、このクマリンの濃度が、０．７ｗｔ％となるように、テトラリンに溶解し、インク２１とした。次に、このインク２１を、絶縁層１１Ｂ上に選択的に塗布した（図３のＳ１５参照）。次に、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることによって、発光層１１Ｃを形成した（図３のＳ１６参照）。このとき、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１Ｂは、溶解されずに残り、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄとなる。つまり、この隔壁１１Ｄには、赤色蛍光材料であるナイルレッドが含有されている。

隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有しない場合の有機ＥＬディスプレイにおいては、シクロオレフィンの濃度が３．５ｗｔ％となるように、テトラリンに溶解した混合溶液を作成した。そして、この混合溶液を用いて、絶縁層１１Ｂを形成した（図３のＳ１４参照）。また、インク２１には、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有する場合の有機ＥＬディスプレイ１と同様のインク２１を使用し、発光層１１Ｃ及び隔壁１１Ｄを形成した（図３のＳ１５〜Ｓ１６参照）。つまり、この隔壁１１Ｄには、蛍光材料が含有されていない。

次に、上記の２種類の有機ＥＬディスプレイの電流密度−輝度特性の測定結果について説明する。図７に示すように、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有する有機ＥＬディスプレイ１（つまり、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１）は、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有しない有機ＥＬディスプレイよりも発光輝度が大きくなっている。例えば、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２の場合で比較する。この場合、隔壁１１Ｄが蛍光材料を含有しない有機ＥＬディスプレイにおける発光輝度は、２２０ｃｄ／ｍ^２である。一方、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１における発光輝度は、９７３ｃｄ／ｍ^２である。つまり、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２の場合には、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、蛍光材料を含有しない有機ＥＬディスプレイに比べて、約４．４２倍の発光輝度である。このように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、高い発光輝度で、像を表示することができる。

以上説明したように、本実施形態では、輝度の大きい有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。このため、仮に、隔壁１１Ｄに蛍光材料を含有しない場合と同じ発光輝度で像を表示した場合には、隔壁１１Ｄに蛍光材料を含有しない場合と比べて消費電力を小さくすることができるとともに、有機ＥＬディスプレイ１の使用時間の寿命を延ばすことができる。

また、陰極１１Ｅの面が光反射面１１１となっているため、陰極１１Ｅと光反射面を有する部材とを別々に形成する場合に比べて、製造工程が少なくなる。また、光反射面を構成するための材料を別途使用する必要がない。このため、低コストで有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。つまり、本実施形態における有機ＥＬディスプレイ１は、低コストで製造でき、且つ輝度を大きくすることができる。

また、発光層１１Ｃが発光する色と、隔壁１１Ｄの蛍光材料が蛍光する色とを異なる色にすることで、有機ＥＬディスプレイ１の色を調整することができる。例えば、発光層１１Ｃの材料にＴＰＢなどの青色に発光する材料を使用し、蛍光材料にＤＣＭなどのオレンジ色に蛍光する材料を使用したとする。この場合、発光層１１Ｃが発する青色の光と、隔壁１１Ｄの蛍光材料が発するオレンジ色の光とが合成され、有機ＥＬディスプレイ１は白色に発光する。これによって、青色の発光層とオレンジ色の発光層との２つの発光層を作成して白色に発光させるようにする必要がない。このため、２つの発光層を作成して色を調整する場合に対して、本実施形態では、一つの発光層１１Ｃを作成するのみで色を調整することができるため、製造工程が少なくなり、低コストで有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。

ここで使用する蛍光材料は、発光材料よりも発光波長が長波長な材料が望ましく、例えば、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−ジメチルアミノスチリル−４−ピラン）、ＤＣＪＴＢ（４−ジシアノメチレン−６−シーピージュロリジノスチリル−２−ターシャルブチル−４Ｈ−ピラン）が使用できる。

（第二実施形態）
続いて、本発明に係る表示装置の製造方法の第二実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、表示装置として、第一実施形態と同様に有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明する。なお、第一実施形態では、最初に陽極１１Ａを形成して（図３のＳ１１〜Ｓ１３）、最後に陰極１１Ｅを形成していたが（図３のＳ１７）、本実施形態では、最初に陰極を形成して、最後に陽極を形成する製造方法である。また、第一実施形態における有機ＥＬディスプレイ１の光の出射方向は、下方向であったが、第二実施形態における有機ＥＬディスプレイ１の光の出射方向は、上方向である。以下、第一実施形態と異なる部分を中心に説明する。

まず、有機ＥＬディスプレイ２の全体構成を図８を用いて説明する。なお、第一実施形態と同じ機能を有するものには同じ符号を付している。有機ＥＬディスプレイ２は、ガラス基板１０と、そのガラス基板１０上に配置された有機ＥＬ素子５１（表示素子）、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４、及びガラス板である封止層１６を備えている。なお、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４は、陽極５１Ｅが形成される層と同じ層に形成されるが、図示を省略している。

上記有機ＥＬ素子５１は、ガラス基板１０の中央部に形成されており、碁盤の目状に、１５の画素に分割されている。それぞれの画素は、発光層１１Ｃ（表示用組成物）と、その発光層１１Ｃを上下から挟む陰極５１ＡとＩＴＯで形成されている透明な陽極５１Ｅとを備えている。陰極５１Ａは、１５の画素に共通して使用される１個の電極である。

有機ＥＬ素子５１について、陽極５１Ｅと陰極５１Ａとの間に直流電圧をかけると、陽極５１Ｅ（第四電極）から正孔が発光層１１Ｃに供給され、陰極５１Ａ（第三電極）から電子が発光層１１Ｃに供給される。そして、陽極５１Ｅから供給された正孔と、陰極５１Ａから供給された電子とが発光層１１Ｃで再結合する。この際、発光層１１Ｃは発光し、封止層１６を透過して、上方（図８における上方）に光を照射する。一方、陽極５１Ｅと陰極５１Ａとの間の電圧がＯＦＦの時には消光する。なお、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、垂直駆動回路１４は第一実施形態と同じなので、説明を省略する。

次に、有機ＥＬディスプレイ２の製造方法を図９及び図１０を用いて説明する。なお、図９は、有機ＥＬディスプレイ２のうち、有機ＥＬ素子５１の部分のみの製造工程を示したフローチャートであり、図１０は、図９の各工程における有機ＥＬ素子５１を示した外観図である。したがって、ここでは、特に、要部である有機ＥＬ素子５１の製造方法を説明する。

まず、Ｓ２１では、ガラス基板１０上に、マスク真空蒸着により、所定のパターンに従って、Ａｌ／ＬｉＦ（フッ化リチウム）の層を形成し、これを陰極５１Ａ（第三電極）とする（図１０（Ａ）参照）。この時、Ａｌ層と、ＬｉＦ層の厚みは、それぞれ、例示として１０００Å、１０Åとし、連続的に積層する。Ｓ２１において形成された陰極５１Ａの上面（図１０における上面）は、後述する工程において形成される隔壁１１Ｄの蛍光材料と発光層１１Ｃとが発する光を反射する光反射面５１１として形成される。なお、Ａｌ／ＬｉＦの代わりに、Ａｌ、Ａｌ／Ｃａ、Ａｇ／Ｍｇ、及びＡｌ／Ｂａのいずれかで陰極５１Ａを形成してもよい。

次いで、Ｓ２２では、陰極５１Ａ及びガラス基板１０上の、有機ＥＬ素子５１を形成する部分全体に、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法もしくはインクジェット法を用いて、シクロオレフィンとこれに蛍光材料を分散した絶縁層１１Ｂを形成する（図１０（Ｂ）参照）。絶縁層１１Ｂの厚みは、薄い方が、インクジェットの液滴径（ドロップ径）を考えると、高分解能、高画質の点で好ましい。また、絶縁層１１Ｂは、後述する工程において溶解させるので、半キュアー状態（完全に硬化していない状態）が望ましい。

また、有機ＥＬ膜（表示用組成物）の成分及び炭化水素系溶媒から成る第一実施形態と同じインク２１（インク溶液）を予め調製しておく。

次いで、Ｓ２３では、調製したインク２１を、インクジェットヘッド３０を用い、絶縁層１１Ｂ上において、画素を形成するべき１５カ所に、選択的に塗布する（図１０（Ｃ）参照）。このインクジェットヘッド３０は、図５に示す様に、圧電素子３０Ａを備えた圧電素子方式のインクジェットヘッドであり、ドライバー３０Ｃからの信号に応じて、インクジェットヘッド本体３０Ｄに形成したオリフィス３０Ｂから、インク２１のドロップを吐出する。吐出の駆動周波数は１ｋＨｚとし、ドロップ１個の液適量を５０μｌとする。インク２１が塗布された場所では、塗布されたインク中に含まれる溶媒により、絶縁層１１Ｂが溶解し、インク２１は陰極５１Ａに達する（図１０（Ｄ）参照）。

次いで、Ｓ２４では、５０〜６０℃で３０分間乾燥させることにより、インク２１中の溶媒を蒸発させ、インク２１の不揮発成分である表示用組成物を、陰極５１Ａと電気的接合を持った状態で固化させる。この固化させた表示用組成物を発光層１１Ｃとする。

なお、固化した１５カ所の発光層１１Ｃは、それぞれが、１画素に対応する。この時、図１０（Ｄ）に示すように、インク２１により溶解された絶縁層１１Ｂは、インク２１を滴下した部分の周辺部に偏析し、インク２１に含まれていた表示用組成物は、インク２１を滴下した部分の中央において固化する。この理由としては、インク２１に含まれる溶媒に対する溶解度において、表示用組成物の方が、絶縁層１１Ｂよりも大きいことが考えられる。また、インク２１が塗布されなかった部分の絶縁層１１Ｂは、溶解されずに残り、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄとなる。

次いで、Ｓ２５では、マスク真空蒸着により、所定のパターンに従って発光層１１Ｃと接触するように、ＩＴＯを１５０ｎｍの厚みで蒸着し、陽極５１Ｅ（第四電極）を形成する（図１０（Ｃ）参照）。この陽極５１Ｅの表面抵抗は５００〜６００μΩ／ｃｍであり、光透過率は８１％であった。

上記のようにして有機ＥＬ素子５１をガラス基板１０の中心部に形成するとともに、絶縁層１１Ｂの上側における陽極５１Ｅが形成されていない部分に、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、及び垂直駆動回路１４を形成する。さらには、封止層１６により、有機ＥＬ素子５１、電流駆動ＴＦＴ１２、水平駆動回路１３、及び垂直駆動回路１４を覆うことにより、有機ＥＬディスプレイ２が完成する。

この封止層１６は、ガラス板から成り、その下面には、有機ＥＬ素子５１との間に、０．３〜０．５ｍｍの隙間が生じるように、乾燥剤が取り付けられている。封止層１６を取り付ける際には、その隙間に、窒素ガスを封入する。

以上、本実施形態の表示装置の製造方法によれば、第一実施形態の製造方法と同様に、表示用組成物及び溶媒を含むインク２１を、画素を形成すべき場所に塗布することにより、発光層１１Ｃの形成と、発光層１１Ｃを隔てる隔壁１１Ｄの形成とを、同時に行うことができる。そのため、従来の有機ＥＬ素子の製造方法のように、有機ＥＬ膜間の隔壁を形成するために、露光、エッチング等の独立した工程を行う必要がない。よって、製造工程を短縮することができ、製造コストを低くすることができる。

また、有機ＥＬディスプレイ２の発光層１１Ｃに電圧が印加されると、発光層１１Ｃが発光する。この有機ＥＬディスプレイ２では、発光層１１Ｃから上方向（図１１における上方向）に光が出射されることで、利用者は、有機ＥＬディスプレイ２の表示を視認することが可能となる。図１１に示すように、この有機ＥＬディスプレイ２において、発光層１１Ｃが発する光の一部である光８１は、上方向に向けて出射されている。発光層１１Ｃから光反射面５１１の方向に発せられた光８２は、光反射面５１１で反射されて、上方向に向けて出射される。また、発光層１１Ｃから隔壁１１Ｄの方向に発せられた光８３は、隔壁１１Ｄに含有された蛍光材料を励起する。これによって隔壁１１Ｄの蛍光材料が発する光の一部である光８４は、上方向に向けて出射される。また、蛍光材料が光反射面５１１の方向に向けて出射した光８５は、光反射面５１１で反射されて、上方向に向けて出射される。このように、上方向に出射される光の量が多くなるため、有機ＥＬディスプレイ２の輝度を大きくすることができる。

また、本実施形態では、光反射面５１１が平面に形成される。このため、光反射面５１１によって反射された光が、上方向に反射されやすい。よって、有機ＥＬディスプレイ１の輝度が大きくなる。

以上説明したように、本実施形態では、輝度の大きい有機ＥＬディスプレイ２を製造することができる。このため、仮に、隔壁１１Ｄに蛍光材料を含有しない場合と同じ発光輝度で像を表示した場合には、隔壁１１Ｄに蛍光材料を含有しない場合と比べて消費電力を小さくすることができるとともに、有機ＥＬディスプレイ２の使用時間の寿命を延ばすことができる。

また、陰極５１Ａの面が光反射面５１１となっているため、陰極５１Ａと光反射面を有する部材とを別々に形成する場合に比べて、製造工程が少なくなる。また、光反射面を構成するための材料を別途使用する必要がない。このため、低コストで有機ＥＬディスプレイ２を製造することができる。つまり、本実施形態における有機ＥＬディスプレイ２は、低コストで製造でき、且つ輝度を大きくすることができる。

また、発光層１１Ｃが発光する色と、隔壁１１Ｄの蛍光材料が蛍光する色とを異なる色にすることで、第一実施形態の場合と同様に、有機ＥＬディスプレイ２の色を調整することができる。また、２つの発光層を作成して色を調整する場合に対して、本実施形態では、一つの発光層１１Ｃを形成するのみで色を調整することができるため、製造工程が少なくなり、低コストで有機ＥＬディスプレイ２を製造することができる。

なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、上記第一、第二実施形態における発光中心形成化合物としては、クマリンに限らない。発光中心形成化合物を変更することによって、発光中心形成化合物に応じた色の光を発することができる表示装置を製造することができる。発光中心形成化合物としては、例えば、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン系化合物の蛍光、燐光物質の中から選ばれる１または２以上の物質を使用することができる。低分子材料では、例えば、ペリレン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−ジメチルアミノスチリル−４−ピラン）、ＤＣＪＴＢ（４−ジシアノメチレン−６−シーピージュロリジノスチリル−２−ターシャルブチル−４Ｈ−ピラン）、ＴＰＢ（テトラフェニルブタジエン）、スクアリリウム、アルミニウム錯体（例えばＡｌＱ３）等を用いることができる。また、燐光材料では、例えば、緑色Ｉｒ（ＰＰｙ）３、青色ＦＩｒｐｉｃ、赤色ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を用いることができる。また、塗布化できる高分子材料では、例えば、インク化できる高分子系発光材料を用いることができる。具体的には、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等を用いることができる。

また、インクを構成するポリマーとしては、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（ＰＶＫ）の代わりに、トリフェニルアミン誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（例えばＰＴＰＤＥＳ（含テトラフェニルジアミン−ポリ（アリレンエステルスルフォン））等のホール輸送性ポリマーや、オキサジアゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子（例えばＰＶＭＯＸＤ（ポリビニルメチルオキサジアゾール））等の電子輸送性ポリマーを用いることができる。

また、電子輸送材料としては、ＢＮＤに限られない。例えば、オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリフェニルメタン系、ヒドラゾリン系、アリールアミン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、シロール系の中から選ばれる１又は２以上のホール輸送材料、又は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、アルミニウム錯体、シロール系の中から選ばれる１又は２以上の電子輸送材料を用いることができる。具体的には、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン）、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'ジフェニルベンジジン）、ＴＡＰＣ（１，１−ビス（ジ４トリルアミノフェニル）−シクロヘキサン）、ＰＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（９−フェナントリル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン）、ＴＲＰ、ＮＰＢ（α−ＮＰＤの２量体）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（パラ−ターシャル−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４'−ターシャル−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４''−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＡｌＱ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III））、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）、Ｐ−ＥｔＴＡＺ（３−（４'−ターシャル−ブチルフェニル）−４−（パラエチルフェニル）−５−（４''−ビフェニル）−１，２，４トリアゾール）等を用いることができる。

また、絶縁層には、シクロオレフィンの代わりに、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））、ポリスチレン、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリメタクリル酸メチル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、フッ素樹脂の中から選ばれる１又は２以上の物質を用いることができる。これらの物質は、光透過性が高い。例えば、絶縁層の厚みが１００ｎｍ程度である場合、光透過性は８０％以上である。このため、蛍光材料が発する光を、効率的に隔壁の外部に向けて出射することができる。

また、インク２１を構成する溶媒としては、炭化水素系溶媒の代わりに、ハロゲン炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン、アルデヒド、ドデシルベンゼン、テトラリン、ジクロルエタン、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルの中から選ばれる１又は２以上の物質を用いることができる。

また、基板の材料としては、ガラスの代わりに、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を用いることができる。

また、例えば、図１２に示すように、第一実施形態におけるガラス基板１０の代わりに高屈折率フィルム１０１を使用してもよい。ガラス基板１０を用いた場合には、空気の屈折率Ｎ１と有機ＥＬディスプレイ１のガラス基板１０の屈折率Ｎ２と透明な陽極１１Ａの屈折率Ｎ３との大小関係は、Ｎ１＜Ｎ２＜Ｎ３となっている。このような屈折率の関係の場合、有機ＥＬディスプレイ１の発光層１１Ｃから発せられた光の内の一部は、透明な陽極１１Ａ、ガラス基板１０、または発光層１１Ｃ内に、反射により閉じ込められ、多重反射を繰り返した後、端部から放出されるか減衰して消失する。このため、発光層１１Ｃからの光を外部に透過させる効率（以下、光取出し効率という。）が低下する。

しかし、高屈折率フィルム１０１を用いることによって、ガラス基板１０を用いた場合よりも、光取出し効率を大きくすることができ、有機ＥＬディスプレイ１の輝度をさらに大きくすることができる。

高屈折率フィルム１０１の屈折率Ｎ４は、透明な陽極１１Ａの屈折率Ｎ３、及び有機ＥＬディスプレイ１の外部の空気の屈折率Ｎ１よりも大きくなるように形成されている。これによって、屈折率の大小関係は、Ｎ１＜Ｎ４＞Ｎ３となっている。

屈折率の高い高屈折率フィルム１０１を用いることによって、陽極１１Ａから、高屈折率フィルム１０１に入る光の屈折角を小さくすることができる。これによって、高屈折率フィルム１０１と空気との境目への光の入射角を大きくすることができる。つまり、高屈折率フィルム１０１と空気との境目の面に対する光の角度が、高屈折率フィルム１０１を使用しない場合に比べてより垂直に近くなり、高屈折率フィルム１０１と空気との境目を光が通過しやすくなる。つまり、高屈折率フィルム１０１内に閉じ込められる光の量が少なくなる。このため、光取出し効率が向上し、有機ＥＬディスプレイ１の輝度がさらに大きくなる。

また、この高屈折率フィルム１０１における下面（図１２における下面）であるフィルム下面１０２には、微細な突起１０３が複数形成されている。突起１０３によって、フィルム下面１０２の全体に凹凸が形成される。

突起１０３が設けられていない場合に高屈折率フィルム１０１と空気との境目において全反射されていた光は、突起１０３が設けられた場合には、突起１０３に入射されることによって、突起１０３の側面から外部に出射される。つまり、高屈折率フィルム１０１内に閉じ込められる光の量がさらに少なくなる。このため、光取出し効率が向上し、有機ＥＬディスプレイ１の輝度がさらに大きくなる。なお、突起１０３は、例えば、微細な構造を形成することが可能なナノインプリント用金型（例えば、特開２００９−２２０３２９及び特開２００７−４４８３１に記載）を用いて高屈折率フィルム１０１のフィルム下面１０２に形成される。

なお、上記実施形態において、図３のＳ１１、Ｓ１２の工程が本発明の「第一電極形成工程」に相当し、図３のＳ１７の工程が本発明の「第二電極形成工程」に相当する。図９のＳ２１の工程が本発明の「第三電極形成工程」に相当し、図９のＳ２５の工程が本発明の「第四電極形成工程」に相当する。

１ 有機ＥＬディスプレイ
２ 有機ＥＬディスプレイ
１０ ガラス基板
１１ 有機ＥＬ素子
１１Ａ 陽極
１１Ｂ 絶縁層
１１Ｃ 発光層
１１Ｄ 隔壁
１１Ｅ 陰極
２１ インク
５１ 有機ＥＬ素子
５１Ａ 陰極
５１Ｅ 陽極
１０１ 高屈折率フィルム
１０２ フィルム下面
１０３ 突起
１１１ 光反射面
５１１ 光反射面
Ｎ２ 屈折率
Ｎ３ 屈折率
Ｎ４ 屈折率

Claims (14)

1. 板状の基板と、
   前記基板の一の面側に設けられた複数の電極である第一電極と、
   前記各第一電極における前記基板に対向する面の反対面側に各々設けられ、電圧の印加によって発光する表示用組成物と、
   前記各表示用組成物の間を絶縁し、前記表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した隔壁と、
   前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とによって形成される面に接触して設けられ、前記表示用組成物と前記隔壁とに対向する面が、前記蛍光材料と前記表示用組成物とが発する光を反射する光反射面で構成された電極である第二電極と
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 板状の基板と、
   前記基板の一の面側に設けられ、前記基板に対向する面の反対面が光を反射する光反射面で構成された電極である第三電極と、
   前記第三電極の前記光反射面側に設けられ、電圧の印加によって発光する複数の表示用組成物と、
   前記各表示用組成物の間を絶縁し、前記表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した隔壁と、
   前記各表示用組成物における前記光反射面に対向する面の反対面にそれぞれ設けられた電極である第四電極と
   を備えたことを特徴とする表示装置。
3. 前記蛍光材料は、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、及びＤＣＪＴＢのうちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記隔壁は、ＰＶＫ、ポリスチレン、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、及びフッ素樹脂のうちの少なくとも一種と、前記蛍光材料との混合物であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記表示用組成物は、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン化合物、及び燐光物質のうちの少なくとも一種を含有したことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
6. 前記基板の光の屈折率は、前記第一電極の光の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記基板における前記第一電極と接触する面の反対面に、複数の突起が備えられたことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 板状の基板の一の面側に複数の電極である第一電極を形成する第一電極形成工程と、
   電圧の印加によって発光する表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した絶縁層を、前記第一電極形成工程において形成された前記第一電極を覆うように形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の前記第一電極に対向する位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、
   前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第一電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、
   前記インク溶液によって溶解された後の前記絶縁層である隔壁と前記表示用組成物とに対向する面が、前記隔壁における前記蛍光材料と前記表示用組成物とが発する光を反射する光反射面として構成された電極である第二電極を、前記表示用組成物の表面と前記隔壁の端面とに接するように形成する第二電極形成工程と
   を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法
9. 板状の基板の一の面側に、前記基板に対向する面の反対側面が光を反射する光反射面で構成された電極である第三電極を形成する第三電極形成工程と、
   電圧の印加によって発光する表示用組成物が発する光によって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した絶縁層を、前記第三電極形成工程において形成された前記第三電極を覆うように形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層形成工程において形成された前記絶縁層上の複数の位置に、前記絶縁層を溶解する溶媒及び前記表示用組成物を含有するインク溶液を塗布するインク溶液塗布工程と、
   前記インク溶液塗布工程において塗布された前記インク溶液が前記絶縁層を溶解した後に、前記インク溶液の前記溶媒を蒸発させ、前記第三電極と接触するように前記表示用組成物を形成する表示用組成物形成工程と、
   前記表示用組成物形成工程において形成された前記表示用組成物と接触するように、電極である第四電極を形成する第四電極形成工程と
   を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 前記蛍光材料は、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、及びＤＣＪＴＢのうちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記絶縁層は、ＰＶＫ、ポリスチレン、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリイミド、及びフッ素樹脂のうちの少なくとも一種と、前記蛍光材料との混合物であることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
12. 前記表示用組成物は、ヘテロ芳香族化合物、スチルベン系化合物、及び燐光物質のうちの少なくとも一種を含有したことを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
13. 前記基板の光の屈折率は、前記第一電極の光の屈折率より大きいことを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記基板における前記第一電極と接触する面の反対面に、複数の突起が備えられたことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

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