JP2011040767A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板および／または基板テーブルの表面からの液体の除去を改善する
【解決手段】投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むように配置された第１のガスナイフ４１０と、前記ガスナイフの一部分に隣接し且つこれに沿って位置付けられた液体除去デバイス４２０と、を備えるリソグラフィ装置であって、前記基板が、前記基板の面上のいずれかの方向であって、前記装置の光軸を通る方向に、少なくとも３６°の弧状４６０に移動する際、前記基板の面に対して垂直な面であって、前記方向を含む面内の前記基板上の液体が、前記ガスナイフ４１０と、前記方向での前記基板のさらなる移動との複合効果によって、前記ガスナイフに沿って前記液体除去デバイス４２０へ移されるように、前記ガスナイフが形成されている
【選択図】図７

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置とデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすために、リソグラフィ投影装置内の基板を比較的高い屈折率を持つ液体、例えば水に浸すことが提案されてきた。この提案のポイントは、露光放射が液体中ではより短い波長を有するので、より小さいフィーチャのイメージングを可能にするということである。（液体の効果も、システムの効果的なＮＡ（開口数）を増やし、また焦点の深さも増やすことと考えられるかもしれない。） 中に固体粒子（例えば石英）が懸濁した水を含む、他の液浸液が提案されてきた。

[0004] しかし、液体の槽に基板または基板および基板テーブルを浸すということは（例えば米国特許第４,５０９,８５２号）、スキャン露光の間に加速されなければならない大量の液体があることを意味する。これは、追加のまたはより強力なモータを必要とし、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果をもたらす可能性がある。

[0005] 提案されている解決方法の一つは、液体供給システムによって、液体閉込めシステムを使って、基板の局所領域上、および投影システムの最終エレメントと基板との間のみに、液体を供給することである（基板は通常、投影システムの最終エレメントよりも大きな表面を有する)。これを可能にするために提案された一つの方法が、ＰＣＴ特許出願国際公開第９９/４９５０４号に開示されている。図２および図３に示されているように、液体は、少なくとも一つの入口ＩＮによって基板上に、望ましくは最終エレメントに対する基板の動きの方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも一つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板がエレメントの下で−Ｘ方向にスキャンされると、液体がエレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧力源に接続された出口ＯＵＴによってエレメントの反対側で取り上げられる配置を概略的に示している。図２では、液体は、最終エレメントに対して基板の動きの方向に沿って供給されるが、これは必ずしもそうである必要はない。最終エレメントの周りに様々な配向と数の入口と出口を配置することが可能であり、両側に出口を有する４組の入口が最終エレメントの周りに規則正しいパターンで設けられている一例が、図３に示されている。

[0006] 局所的液体供給システムを有する他の液浸リソグラフィ解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＬの両側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの放射状に外側に配された複数の離散した出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮと出口ＯＵＴは、中央に穴のあるプレート中に配することができ、この穴を通して投影ビームが投影される。液体は、投影システムＰＬの一方の側にある一つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの反対側にある複数の離散した出口ＯＵＴによって除去され、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄い膜の流れを引き起こす。入口ＩＮと出口ＯＵＴのどの組み合わせを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって左右する（入口ＩＮと出口ＯＵＴの他の組み合わせは作動しない)。

[0007] 欧州特許出願公報第１４２０３００号および米国特許出願公報第２００４-０１３６４９４号はそれぞれ、言及することによりその全体が本明細書に組み込まれるものであり、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第１の位置のテーブルでは、液浸液なしで、レベリング測定が行われ、液浸液のある第２の位置のテーブルでは露光が行われる。あるいは、装置は１つのテーブルのみ有する。

[0008] 基板および／または基板テーブルの表面からの液体の除去を改善することが望ましい。

[0009] 本発明の一態様に従い、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むように配置された第１のガスナイフと、前記ガスナイフの一部分に隣接し且つこれに沿って位置付けられた液体除去デバイスと、を備えるリソグラフィ装置であって、前記基板が、前記基板の面上のいずれかの方向であって、前記装置の光軸を通る方向に、少なくとも３６°の弧状に移動する際、前記基板の面に対して垂直な面であって、前記方向を含む面内の前記基板上の液体が、前記ガスナイフと、前記方向での前記基板のさらなる移動との複合効果によって、前記ガスナイフに沿って前記液体除去デバイスへ移されるように、前記ガスナイフが形成されている、リソグラフィ装置が提供される。

[0010] 発明の一態様に従い、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、前記液体供給システムによって前記基板上に残された液体を収容するように、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むガスナイフと、を備えるリソグラフィ装置であって、面内の前記ガスナイフは、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成されている、リソグラフィ装置が提供される。

[0011] 本発明の一態様に従い、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、前記液体供給システムの下で、且つ前記ガスナイフの下で前記基板が移動する際に、前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体が、前記ガスナイフに沿って液体除去領域まで移されるようにする、サイズ、形状および配向のガスナイフと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0012] 本発明の一態様に従い、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、投影システムと基板との間の空間を少なくとも部分的に囲むとともに、当該空間内の液体を少なくとも部分的に拘束するように構成されたバリア構造と、前記バリア構造から離れて位置付けられたガスナイフと、を備えるリソグラフィ装置であって、前記バリア構造から流出した前記基板上の液体が、前記バリア構造と前記ガスナイフとの間に自由表面（fee surface）を有する、リソグラフィ装置が提供される。

[0013] 本発明の一態様に従い、パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、前記基板の表面から液体を除去するように構成された液体除去デバイスであって、低圧力に接続された複数の抽出管を備え、使用中にその一端部が前記基板に向けられ、それぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられる、液体除去デバイスと、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明の一態様に従い、パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、第１のガスナイフと、低圧力に接続された管を備え、当該管の一端部が、前記ガスナイフに隣接するとともに、前記ガスナイフの平面形状の凹部内に位置付けられる、液体除去デバイスと、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[0015] 本発明の一態様に従い、投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することを有するデバイス製造方法であって、空間を少なくとも部分的に囲んでいるガスナイフによって液体が収容され、且つ面内の前記ガスナイフが、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分がガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成される、デバイス製造方法が提供される。

[0016] 本発明の一態様に従い、投影システムを用いて、液体供給システムによって供給された液体を介して、基板にパターン付き放射ビームを投影することと、前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体を、ガスナイフに沿って液体除去領域に移すこととを有する、デバイス製造方法が提供される。

[0017] 本発明の一態様に従い、投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、ガスナイフを用いて液体を除去する前に、自由表面を有する基板上に液体があるように、液体収容デバイスから、液体を流出させることと、を有するデバイス製造方法が提供される。

[0018] 本発明の一態様に従い、投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、低圧力に接続され、且つ前記基板に向けられた端部を有し、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられた複数の抽出管を用いて、前記基板の表面から液体を除去することと、を有するデバイス製造方法が提供される。

[0020] 図１は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を示している。 [0021] 図２は、リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示している。 [0021] 図３は、リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示している。 [0022] 図４は、リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示している。 [0023] 図５は、本発明の一実施形態にかかる他の液体供給システムを示している。 [0024] 図６は、本発明の一実施形態にかかる液体供給システムを示している。 [0025] 図７は、図６の液体供給システムで使用可能な本発明の第１の実施形態を示している。 [0026] 図８は、図６の液体供給システムで使用可能な第２の実施形態を示している。 [0027] 図９は、図６の液体供給システムで使用可能な第３の実施形態を示している。 [0028] 図１０は、図６の液体供給システムで使用可能な本発明の第４の実施形態を示している。 [0029] 図１１ａは、本発明にかかる液体除去デバイスの第１の実施形態を示す。 [0029] 図１１ｂは、本発明にかかる液体除去デバイスの第１の実施形態を示す。 [0030] 図１２は、本発明にかかる液体除去デバイスの第２の実施形態を示す。 [0031] 図１３は、本発明にかかる液体除去デバイスの第３の実施形態の断面図である。 [0032] 図１４は、本発明の一実施形態を示している。

[0019] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において、同じ参照符号は、対応する部分を示す。

[0033] 図１は、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、以下の構成要素を含む。

[0034] 放射ビームＢ（例えば、紫外線（ＵＶ）または深紫外線（ＤＵＶ））を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。

[0035] パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、且つ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ。

[0036] 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、且つ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ。

[0037] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている、投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳ。

[0038] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他の型の光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまな型の光コンポーネントを含むことができる。

[0039] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0040] 本明細書において使われる「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0041] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、およびAttenuated位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0042] 本明細書において使われる「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0043] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上記に言及したプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0044] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンにおいては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0045] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀灯である場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0046] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0047] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、けがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment mark)として公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0048] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0049] １． ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光領域の最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0050] ２． スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めるとよい。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0051] ３． 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かし、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0052] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0053] 提案されてきた局所的液体供給システムソリューションを有する別の液浸リソグラフィソリューションとは、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア構造を、液体供給システムに設けることである。このようなソリューションは図５に示されている。バリア構造は、ＸＹ面上で投影システムに対してほぼ静止しているが、Ｚ方向(光軸の方向)に多少相対的移動があってもよい。一実施形態では、バリア構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールは、ガスシールなどの非接触シールでよい。

[0054] バリア構造１２（例えば図１のエレメントＩＨとして示される）は、少なくとも部分的に、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に液体を含む。基板表面と投影システムの最終エレメントとの間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板への非接触シール１６を投影システムのイメージフィールドの周りに形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終エレメントの下に位置し、且つ当該最終エレメントを取り囲むバリア構造１２によって、少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムの下方で、且つバリア構造１２内の空間に取り込まれ、液体出口１３によって除去され得る。バリア構造１２は、投影システムの最終エレメントの少し上方に延在してよく、液体レベルは、液体のバッファが提供されるように最終エレメントよりも上に上がる。バリア構造１２は、一実施形態では、その内周の上端が投影システムまたはその最終エレメントの形状に密に一致するような、例えば円形であり得る内周を有する。底部では、内周はイメージフィールドの形状、例えば矩形に密に一致するが、これは必ずしも必要でない。

[0055] 液体は、使用中にバリア構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に収容される。ガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態では、バリア構造１２と基板との間の隙間に入口１５を介して圧力下で供給され、出口１４から排出されるＮ_２または他の不活性ガスによって形成される。ガス入口１５への過圧力、出口１４の真空レベル、および隙間のジオメトリは、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流が生じるようになされる。これらの入口／出口は、空間１１を取り囲む環状溝でよく、ガスの流れ１６は、空間１１内に液体を収容するために効果的である。このようなシステムは、米国特許出願公報第２００４-０２０７８２４号に開示されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0056] 図６は、液体供給システムＬＳＳの一部であるバリア構造１２の一実施形態の断面図である。バリア構造１２は、バリア構造（シール部材という場合もある）の全体的な形状が例えばほぼ環状であるように、投影システムＰＳの最終エレメントの外周の周りに延在する。投影システムＰＳは円形でなくてもよく、バリア構造１２の内縁および／または外縁も円形でなくてもよいため、バリア構造がリング状である必要はなく、中心開口部（投影システムＰＬの最終エレメントから出た投影ビームＰＢが、中心開口部内に収容された液体を通して、この中心開口部を通過し、基板Ｗ上に達する）を有するものであれば他の形状でもよい。

[0057] バリア構造１２の機能は、投影ビームＰＢが液体を通過するように、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に液体を部分的に維持するかまたは閉じ込めることである。

[0058] バリア構造１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間に液体が供給される際に通る複数の入口５０を備える。液体は、突出部６０を越えて流れ出た後、エキストラクタ７０を通して抽出されることができる。この配置により、バリア構造１２の上部を越えて液体が溢れ出ることを実質的に防ぐことができる。液体がバリア構造１２の上部から溢れ出ないように、液体の最上水位はバリア構造１２の存在によって容易に含まれ、空間内の液体の水位が維持される。

[0059] バリア構造１２の底と基板Ｗとの間にシールが設けられる。図６では、シールは非接触シールであり、シールを提供するデバイスは複数のコンポーネントから成っている。バリア構造１２の底部８０に沿って投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に作用する、米国特許出願公報第２００６-００３８９６８号（参照によりその全体が本明細書に組み込まれる）に開示されているもののような単相エキストラクタ（phase extractor）１８０が設けられる。あらゆる種類の液体エキストラクタを使用できる。一実施形態では、液体エキストラクタは、単相液体抽出を可能にするように液体をガスから分離するために使用される多孔性材料で覆われた入口を備える。単相エキストラクタ１８０の半径方向外側には、図７で示される実施様態の場合は鋭角な角部である、メニスカスピンニングフィーチャ（meniscus pinning feature）５００があるが、他のメニスカスピンニングフィーチャを使用してもよいことは明らかである。このメニスカスピンニングフィーチャ５００は、液体５１０のメニスカスをその位置に固定する。しかしながら、液体膜６００はなおも基板Ｗの表面上に残る可能性がある。液体膜６００が拘束されず、且つ自由上面を有するように、バリア構造１２の底面に凹部７００が設けられる。凹部７００の半径方向外側には、ガスナイフと液体エキストラクタアセンブリ４００があり、これらについてはより詳細を以下に説明する。本発明の一実施形態は、ガスナイフと液体エキストラクタアセンブリを対象としており、図２〜図５に示される液体供給システムと、特に基板の局所領域に液体を供給するタイプの液体供給システム（すなわち、基板Ｗの上面領域全体よりも平面内で小さい基板Ｗの上面領域に液体を供給し、且つ基板Ｗがそれに対して移動するところの、液体供給システム）とを含む、あらゆる液体供給システムと共に使用することができる。ガスナイフと液体エキストラクタアセンブリ４００は、図６に示される液体供給システムＬＳＳの一部を形成することができ、または液体供給システムの残り部分から分離することができる。図６の実施形態の単相エキストラクタ１８０とメニスカスピンニングフィーチャ５００は、他のあらゆるタイプの（部分的）シールと置き換えることができる。

[0060] ガスナイフアセンブリ４００は、バリア構造１２の外周全体の周りに延在することによって、空間１１を取り囲むガスナイフ４１０を備える。必ずしもこの通りとは限らず、ガスナイフ４１０が連続していない領域があってもよい。図６の断面においてガスナイフ４１０の半径方向内側にあるのが、液体エキストラクタ４２０である。

[0061] 特に図７〜図１０を参照して説明すると、液体エキストラクタ４２０は、液体が占める空間全体の周りに周方向に位置しているのではなく、離散した位置に位置付けられているのみである。実際に、液体エキストラクタ４２０は、ガスナイフ４１０の（周方向）の長さに沿った複数の位置に配された数個の個別の離散した液体エキストラクタから成る。液体エキストラクタ４２０が位置付けられる場所は、よどみ点（stagnation points）とみなすことができ、このよどみ点とは、装置の光軸（この光軸に沿って投影ビームＰＢが伝播する）から離れるように移動する液体が、ガスナイフ４１０の形状によって集められるポイントである。一実施形態では、液体エキストラクタはガスナイフの０.０５未満に沿って延在する。これについては以下により詳細を説明する。

[0062] 図６で示されるように、ガスナイフの効果は、ガスナイフ４１０のちょうど半径方向内側に液体の集積（build-up）６１０を作ることである。速いガスの噴出は、ガスナイフ４１０によって基板Ｗの上面にほぼ垂直な方向に向けられる。ガスナイフ４１０は、この液体の集積を、移動する基板Ｗと組み合わせて、液体除去デバイス４２０が液体の集積６１０を効率的に除去することができる、いわゆる複数のよどみ点の１つまで移動させるように設計されている。

[0063] 投影システムＰＳおよび／またはバリア構造１２の下で基板Ｗが移動できる最大速度は、液体の集積６１０がガスナイフを突破する速度によって、少なくとも部分的に決定される。よって、この液体の集積は、その圧力によって液体がガスナイフ４１０を通過するようにさせるのに十分になる前に取り除かれなければならない。これは、本発明の一実施形態においては、液体の集積をガスナイフに沿って抽出点まで確実に移動させることによって達成される。これによって、液体エキストラクタ４２０は効率的に機能することができるが、なぜならば、エキストラクタが液体とガスの混合ではなく液体を排他的にまたは実質的に抽出するように、液体の集積が、液体エキストラクタの端部または入口４２２を完全にまたはほぼ完全に覆うからである。ほぼ液体のみが抽出される作業モードでは、エキストラクタの効率が高まる。このことは、図１１ａおよび１１ｂを参照して以下により詳細に説明する。

[0064] 図７〜図１０は、ガスナイフと基板の移動とを組み合わせた効果によって液体除去デバイスに液体を集めるために、ガスナイフ４１０の形状および個々の液体除去デバイス４２０の位置が構成されている４つの実施形態を示している。一般に、本発明の一実施形態は、少なくとも３６°の弧状にあるいずれかの方向で、且つ基板の面上にある方向であり、装置の光軸を通る方向に、基板Ｗが移動する際、基板の面に対して垂直であって、基板が移動する方向を含む、基板上の液体が、ガスナイフと、前記方向での基板のさらなる移動との複合効果によって、ガスナイフに沿って液体除去デバイスへ移されるように、面内のガスナイフを形成することと捉えられる。図７〜図９のそれぞれは、このような弧を示す（図７および図９の場合は、８つの液体除去デバイス４２０があるために弧は４５°であり、図８の場合は、４つの液体除去デバイスしかないので弧は９０°である）。基板Ｗの動きの方向は、線４５０で示され、その線上の液体が最初に、方向４５０の基板の継続的な動きによって、ガスナイフ４１０と会ったときに、液体がガスナイフ４１０に沿って移動することがわかる。なぜならば、液体は、ガスナイフ４１０を通り過ぎることはできないが、それぞれの弧の液体除去デバイスに向かって方向４５０に移動する基板の速度コンポーネントを依然として有しているからである。液体の移動方向は、矢印４６０によって示されている。明らかに当然のことながら、図８および図９の実施形態では、液体が複数の液体除去デバイスのうちの１つのみに移される場所である弧が、実際にはそれぞれ９０°未満および４５°未満である。なぜならば、方向４５０がガスナイフ４１０に垂直である場合は、液体は、ガスナイフ４１０に衝突したときに、液体除去デバイスの左右いずれに向かうコンポーネントを有しないからである。

[0065] さらに当然のことながら、上記はガスナイフの形状の定義にすぎない。基板の面に垂直である平面内にて基板上に位置せず、その平面が方向４５０を含む液体もまた、ガスナイフ４１０に衝突して、複数の液体除去デバイスのうちの１つに向かって移される時に、ガスナイフ４１０に沿って移される。本発明の一実施形態は、液体供給システムおよびガスナイフの下で基板が移動する際に、液体供給システムＬＳＳの下を基板が通過した後に基板上に残された液体が、ガスナイフに沿って液体除去領域に移されるようにする、ガスナイフの大きさ、形状、配向に関連する。液体除去領域では、液体除去領域の液体抽出がより効率的になるように、液体の集積６１０が集結される。

[0066] 図７は、ガスナイフおよび液体エキストラクタアセンブリ４００の平面図である。ガスナイフ４１０の形状は実線で示されており、液体エキストラクタ４２０の位置も示されている。さらに、ガスナイフ４１０の平均半径を示す虚円（imaginary circle）４３０が重ねて示されている（破線）。図に示されるように、ガスナイフは、平均半径からより離れた、投影ビームＰＢに近いガスナイフの領域が存在するように、ガスナイフの平均半径よりも小さい半径を持つ８つのセグメントから構成されている。液体エキストラクタ４２０は、図６に示されているように、ガスナイフのちょうど半径方向内側で最も遠いガスナイフの部分に位置する。当然のことながら、液体が投影ビームの光軸から遠ざかるように移動して、ガスナイフ４１０に衝突する位置では、液体がその方向にさらに移動すると、上記のように、液体はガスナイフによって強制的にガスナイフに沿って液体除去デバイス４２０に向かって移動させられる。一実施形態では、複数のセグメントの１つ以上が平均半径よりも大きい半径を有してもよい。一実施形態では、少なくともいくつかのセグメントが、平均半径の０．９より小さい局所半径または平均半径の１．１よりも大きい局所半径を有する。一実施形態では、局所半径は、平均半径の少なくとも１０倍である。

[0067] 留意すべき点として、液体回収デバイス４２０エキストラクタのすべてが、ガスナイフの平均半径よりも投影ビームＰＢから遠く位置している。

[0068] 図８は、ガスナイフ４１０がそれぞれ真っ直ぐな４つのセグメントから構成される、ガスナイフアセンブリ４００の第２の実施形態を示す。これら４つのセグメントが交わる点のそれぞれに、液体除去デバイス４２０が設けられる。この例では、ガスナイフ４１０の個々の真っ直ぐな部分の半径が無限大であると考えられる。方向の急な変化は、半径がゼロであると考えられる。この場合も、液体が、装置の光軸から離れて、投影ビームＰＢによって示されるように、ｘ方向（ステップ方向）またはｙ方向（スキャン方向）のいずれかに移動する際、その液体は、ガスナイフによって、液体の効率的な除去が可能になる液体除去デバイス４２０が位置している、ガスナイフ４１０の２つの別々の部分間の合流点にある回収点へと導かれる。

[0069] 図９では、ガスナイフ４１０が、それぞれが平均半径よりも小さい半径を有する８つの部分で構成されるが、図７で示されるものとは反対の方向に湾曲している、第３の実施形態が示されている。この場合も、ガスナイフ４１０の形状は、装置の光軸から離れていく液体が、液体除去デバイス４２０が位置するよどみ点に向かって誘導されるようになっている。

[0070] 当然のことながら、ガスナイフは、その長さのかなりの割合を超える半径を有する形状である必要はない。例えば、よどみ点がガスナイフ４１０の長さに沿った位置に形成されるような配置は、平均半径と同じ半径を持つ複数のセグメントを使用することによっても可能である。これは、それらの部分の半径が平均半径と中心軸を共有しないように配置することによって可能である。しかし、ガスナイフの複数の部分は、例えばそれらの個々のセクションが交わる場所では、平均半径に等しくない半径を有することになるであろう。よって、液体の集積６１０をガスナイフ４１０に沿ってよどみ点に向かって移す望ましい効果を提供する多くの形状があることがわかる。

[0071] さらに当然のことながら、ガスナイフの外周の周りに設けられるよどみ点が少なければ少ないほど、よどみ点での液体の集積が大きくなり、よって、抽出システム４２０の効率がより高くなる。一実施形態では、ガスナイフ４１０の外周に沿ったよどみ点が１０未満である（よって３６°の弧である）。一実施形態では、図８に示されるように、ガスナイフ４１０の形状が、主にｙ方向および／またはｘ方向の動きに最適化されている。

[0072] 図１０は、図８の実施形態がｙ（スキャン）方向に細長く、よどみ点がガスナイフ４１０の対称のｘ軸とｙ軸上に設けられる、ガスナイフの形状を示している。図１１と図１２に関して後述するように、スキャン動作（最も速い移動の動作である）の間に液体が集まるよどみ点によって、完全に対称形状であるガスナイフ４１０よりもさらに速い移動が可能になるということは、有利である。これは、図８の形状を細長くすることによって、ガスナイフ４１０の法線角度がｙ方向に減少したコンポーネントを有し、これによって、所定量の液体がガスナイフを突破するスキャン速度を上げることになるからである。

[0073] 図１１ａは、本発明の一実施形態に係る液体エキストラクタ４２０の平面図である。液体は、ガスナイフ４１０に沿って液体エキストラクタ４２０に向かって矢印４０５の方向に移される。液体エキストラクタ４２０は、それぞれが基板Ｗに面する入口４２２を有する複数の管を備える（図６を参照）。各管は、個々に低圧力に接続されている。このようにして、液体の集積６１０が１つの管の入口４２２全体を覆う場合に、この管は１００％の液体を抽出し、これが液体を抽出する最も効率のよい方法である。入口４２２が液体によって覆われていない場合は、集積６１０からの液体と、ガスナイフおよび凹部７００からのガスとの混合物が、管を通して抽出される。この抽出方法は効率が劣る。よって、集積６１０をガスナイフに沿って抽出エリアに移ることによって、１つの管の入口４２２が液体に覆われる可能性が高くなる。このような構成を、多少液体抽出を行うメニスカスピニング（meniscus pinning）のために使用することもできる。管への速いガス流速によって、メニスカスを所定位置に保持しようとする力がメニスカス上に生じる。さらに、液体エキストラクタを個々のエキストラクタ管に分割することによって、１つのエキストラクタの端部または入口４２２が完全に浸される可能性が高くなり、エキストラクタ４２０の総容量が、１本の管の供給量よりも高いが、複数の管と同じ組み合わせ面積の入口を有する１つのエキストラクタの供給量と同じに保たれる。一実施形態では、個々の管のアスペクト比は、２０:１未満、１０:１未満、５:１未満、または３:１未満である。有用な寸法は、０．５ｍｍ×３ｍｍであろう。一実施形態では、入口の最大寸法は５ｍｍ未満であり、最小寸法は少なくとも３ｍｍである。長い側面がバリア構造１２の中心に面している高いアスペクト比を持つ管が、最も効率的かもしれない。なぜならば、液体がその側面にそって除去されるからである。ガス抽出速度は、管の入口の断面積に左右されるため、円形の入口については、所定の液体抽出速度について高いアスペクト比を有するスリットよりも、同じ液体抽出速度についてより高い抽出速度が必要となる。一実施形態では、低いガス抽出速度が望ましい。一実施形態では、ガスナイフからのガスが、基板に向かって直接下方に向かうよりも、液体のメニスカスに衝突するように向けられるよう、誘導されてもよい。

[0074] 別の実施形態では、エキストラクタ４２０は連続的スリットとして形成される。このスリットは環状である。このスリットが機能するためには、空気がスリット内に半径方向内向きに確実に流入して、液体を半径方向内向きに押すように、スリットは細くする必要があるかもしれない。これによって、スリットは液体によって局所的に詰まったりしなくなる。バリア部材１２と約１００μｍの基板Ｗとの間の隙間の高さに対して、１５０μｍ未満のスリットの幅が上記要件を達成することがわかっている。

[0075] 図１２は、図１１aの場合の個々の管に分割された溝とは対照的に、複数の管がそれぞれ別個の入口を有する、エキストラクタの第２の実施形態を示す。図１２で示されるように、液体８００のメニスカスが管と管の間に形成される。メニスカス表面に垂直な速度コンポーネントが所定の値を超えた場合に、メニスカスの破壊が生じる。よって、図１０におけるようにスキャン方向（ｙ）のガスナイフの形状を細長くすることによって、その方向においてメニスカス表面に垂直なスキャン速度のコンポーネントが減少し、よってより速いスキャン速度が可能になることがわかる。一実施形態では、管の直径は０.５ｍｍから２.５ｍｍの間である。しかし、一実施形態では、１本の管のみ設けてもよい。一実施形態では、管と管の間隔は、それらの最大寸法の１０倍未満である。よって、直径１ｍｍの円形出口の管の場合は、管の最大間隔は１０ｍｍである。もちろん、図１２の実施形態の場合でも、管の面内の入口形状が、円形ではなく正方形であり、且つ最大で２０：１のアスペクト比を有し得るが、一実施形態では、１０:１未満、５:１未満、または３:１未満である。

[0076] 図１２の下部に、いくつかのオプションの特徴が破線で示されているが、これらはすべて一緒にまたは個別に、実線で示される装置と組み合わせて使用することができる。ある状況では（特に、例えば約７００ミリ／秒を超える高いスキャン速度の場合、または約５００ミリ／秒を超えるスキャン速度で低い表面張力の液体（例えば、多くの場合低い表面張力を有する高屈折率の液体など）を用いる場合）、図１２の装置は液体の全部を収容することはできない。この状況では、液体は、ガスナイフ４１０のｖノッチの底部に集積し、ｖの端部から垂れて、液体の跡を残す傾向がある。よって、図１２の実施形態では、１つのオプションは、第１のガスナイフ４１０の個別の入口がある側とは反対の側で、第１のガスナイフ４１０の凹部の先端に、追加のエキストラクタ４７０を設けることである。追加のエキストラクタ４７０が低圧力源に接続される場合、ガスナイフ４１０から流出した液体を集めることができる。

[0077] あるいは、またはエキストラクタ４７０に加えて、追加の第２のガスナイフ４７５を、第１のガスナイフ４１０の先端に隣接して設けることができる。ガスナイフ４７５は、第１のガスナイフ４１０の凹部の領域から流出した液体が、追加のエキストラクタ４７６が位置している第２のガスナイフ４７５のｖの中心に誘導されるような、ｖ型でもよい。この場合も、エキストラクタ４７６は、低圧力源に接続されている。２つの追加のエキストラクタ４７０と４７６のうちの１つだけが存在してもよい。

[0078] あるいは、図１２の下部で４８０と符号が付けられているように、第２のガスナイフ４７５は真直なガスナイフとして設けることができる。この例では、ガスナイフ４８０によって受け止められた液体を抽出するために、追加のエキストラクタ４８５がガスナイフの両端に必要である。

[0079] 図１２の実施形態の難しさの一つは、例えば、残っている液体の量が少ないために、液体の最後の一滴を抽出することが困難であり得るということである。この問題を解決する一つの方法は、最後の液体が集まる場所（図１２の実施形態ではｖ型の底部）が、例えば、基板テーブルＷＴの上面のエキストラクタまたはドレインの上に位置するように、該当する表面を乾燥させた後でエキストラクタを操作することである。

[0080] 図１１および図１２の実施形態の難しさの一つは、液体エキストラクタ４２０の低圧力によって生じられる基板テーブルＷＴに向けての吸引が、基板テーブルＷＴを変形し得るということである。この問題を処理する一つの方法は、図１３に示されており、ガスナイフ４１０と液体エキストラクタ４２０との間に追加の開口部４１５を設けるということである。追加の開口部４１５は、周囲圧力Ｐ_ａｍｂに開かれている。これによって、バリア構造１２と基板テーブルＷＴの間に生じる低圧力が制限され、エキストラクタ４２０を介して必要な流量が流れるために十分なガスが利用可能であるようにする。通常、ガスナイフには、約１００リットル／分の空気流がある。５０％のガスが半径方向内向きに移動し、５０％が半径方向外向きに移動する。一方、液体エキストラクタ４２０を介して必要なガスの流量は、７０リットル／分もの高い値になり得るので、３０リットル／分の追加のガスが必要である。図１３の実施形態では、この追加のガスが、追加の開口部４１５によって供給される。追加の開口部４１５は、スリットの形（すなわち連続的な溝の形）でもよいし、または複数の離散した穴でもよい。

[0081] いくつかの例では、バリア部材１２には、使用中は基板Ｗに面している底面に、出口５０に類似した液体出口が設けられる。よって、液体の流れは、基板に向かって下向きとなる。このような液体の流れは、基板Ｗの縁と基板テーブルＷＴとの間の隙間を満たすために有用である。この液体の流れは、バリア部材１２が基板Ｗの縁を通り越すときに、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の隙間からの泡が含まれることを低減するために有用である。この特徴は、２００５年１０月６日出願のＵＳＳＮ１１/２４４,３９０で詳細に説明されている。このような液体の供給が使用される場合、装置の制御が失われた場合の損害を防ぐのに役立つ。措置を講じることなしに、大きな低圧力が液体エキストラクタ４２０に加えられると、バリア部材１２の高さアクチュエータの制御が失われ、結果として、バリア部材１２が基板Ｗまたは基板テーブルＷＴに大きな力で衝突する可能性がある。基板Ｗに向かう方向に液体を供給する上述の液体供給が行われる場合、液体ベアリングを形成し、システムを偶発的な制御喪失から防ぐことができる（少なくともある程度は）。もちろん、上記の液体供給は、基板Ｗの縁のイメージングの間に泡が含まれるのを低減するという主たる機能を果たすこともできる。

[0082] 液体エキストラクタ４２０に加えられる低圧力を制御する一つの方法は、吸引ポンプを制御して所定のガス流速を達成することである。このような制御は始動時には特に適しているが、バリア部材１２が何らかの理由で基板Ｗまたは基板テーブルＷＴに近づいた場合に、液体エキストラクタ４２０によって生じられる低圧力が高まるという欠点がある。これは、制御を失った場合に特に都合が悪い。さらに、バリア部材１２の位置を制御するアクチュエータの性能が、そのような固有の非線形の動作の結果、悪い影響を受けるかもしれない。この問題を回避する一つの方法は、固定圧力の低圧力源に液体除去４２０を接続することである。このようにして、抽出圧力は、バリア部材１２の底部と基板Ｗの上面との間の隙間の大きさにほぼ無関係になるので、機械の安全性の問題は最小限に抑えられる。ハイブリッドシステムでは、液体エキストラクタ４２０に取り付けられたポンプを、所定の流速に達するように始動時に制御することができ、通常の使用では、所定の低圧力を達成するように制御できる。

[0083] さらに別の実施形態では、エキストラクタ４２０は、図７〜図１０で示されるように空間の周縁に沿った離散した場所には設けられない。代わりに、図１１、図１２、または図１３で示されるような基板Ｗに面する出口を有する複数の管が、液体で満たされた空間の周縁全体の周りに設けられる（等間隔をおいて）。個々の管は図１１で示されるようなもの（すなわち、断面が細長い）か、図１２で示されるように断面が円形であり得る。図１３に関して上述したように、複数の追加の開口部４１５が、管出口の半径方向外側にある。また上述のように、追加の開口部４１５の半径方向外側に、ガスナイフ４１０が設けられる。

[0084] 図１４は本発明の別の実施形態を示す。図１４では、基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴが図示されている。液体供給デバイスＬＳＤが設けられ、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴが、静止した液体供給デバイスＬＳＤおよび静止した投影システムＰＳの下で移動する。２つのガスナイフ１１００、１１２０が、液体供給デバイスＬＳＤの両側に設けられるが、液体供給デバイスには取り付けられてはいない。２つのガスナイフ１１００、１１２０は、Ｖの先端が基板Ｗの中心軸１２００に向いたＶ型である。一実施形態では、Ｖの両辺部は４５°未満の鋭角で交わる。

[0085] 図１４に示される実施形態では、ガスナイフ１１００、１１２０は投影システムＰＳに対してｙ（スキャン）軸で静止しているが、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗと同期してｘ方向にステップするように配されている。一実施形態では、ガスナイフ１１００、１１２０は、おそらくリソグラフィ装置のベースフレームに取り付けられることによって、液体供給デバイスＬＳＤから動的に分離される。ベースフレームは、基板テーブルＷＴを支持するが、一方、基準フレームＲＦは投影システムＰＳを支持し、ベースフレームＢＦから動的に分離される。

[0086] 陰影部分１３００は、基板Ｗが液体供給デバイス（スキャン方向に）および投影システムＰＳの下を移動する際に、液体供給システムが残した液体膜を表している。図では、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗがｙ方向に下向きにスキャンされている。他の実施形態のように、液体がガスナイフに衝突すると、液体は、ガスナイフに沿って半径方向外向きに移される。基板テーブルＷＴには、基板Ｗを囲むドレイン１４００が設けられる。よって、ガスナイフ１１００、１１２０と基板テーブルＷＴの動きの組み合わせによって移される液体は、ドレイン１４００に達し、これによって液体を除去できる。

[0087] 留意すべき点として、図１４の実施形態は、液体供給デバイスを取り囲むガスナイフ１１００、１１２０を有しないということである（ただし、一実施形態ではガスナイフを有するかもしれない）。液体供給デバイスを取り囲むガスナイフは不要である。なぜならば、投影システムＰＳの下で基板テーブルＷＴおよび基板Ｗをスキャンする間に、ガスナイフ１１００、１１２０が「フロントガラスワイパー」のように機能し、基板上の液体を取り除くからである。ガスナイフ１１００、１１２０がステップ（ｘ）方向に基板ＷＴと共にステップする実施形態では、ガスナイフは、基板の全直径に沿って延在するように配置されなければならない。さらに、スキャン動作とガスナイフの組み合わせが、ドレイン１４００に向けての液体の移送をもたらすように、ガスナイフはｘ方向に対して角度をなしている（すなわちｘ方向にはない）。もちろん、ガスナイフ１１００、１１２０は、必ずしもＶ型であったり、実際に真っ直ぐであったりする必要はないが、これが効率的な配置である可能性が高い。

[0088] 使用中に、液体供給の後に基板上に残された液体膜が、エアナイフ１１００、１１２０が到達する前に液滴へと壊れてバラバラになるように、液体供給デバイスとガスナイフ１１００、１１２０との間の距離は十分に大きいことが望ましい。このような液滴は、ガスナイフ１１００、１１２０にとって、膜よりも扱いやすい。

[0089] 上記の一つ以上の実施形態では、液体供給システムＬＳＳから離れた液体膜６００は、表面によって拘束されない自由上面を有する。この自由表面によって、ガスナイフはメニスカスから分離される。

[0090] 基板からの液体除去に関連して一つ以上の実施形態を説明してきたが、一つ以上の実施形態が基板テーブルなどの他の領域に適用可能である。

[0091] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、当然のことながら、本明細書記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得る。そのような別の用途においては、本明細書で使われている「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義とみなされ得ると、当業者は理解するであろう。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、積層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0092] 本明細書で使われている「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0093] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折および反射型光コンポーネントを含むさまざまな種類の光コンポーネントのどれか１つまたは組合せを指すことができる。

[0094] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行可能であることが明らかである。例えば、本発明は、前述の開示された方法を記載した機械可読命令の１つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）を採用することもできる。

[0095] 本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が槽の形態で設けられるか、または基板の局所表面領域上のみに設けられるかに拘らず、あらゆる液浸リソグラフィ装置に、特に上述の種類の液浸リソグラフィ装置に（但し限定するものではないが）、適用することができる。本明細書において企図される液体供給システムは、広義に解釈されるべきである。特定の実施形態では、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構であってもよく、またはそのように液体を供給する複数の構造体の組み合わせでもよい。液体を空間に供給する１つ以上の構造体、１つ以上の液体入口、１つ以上のガス入口、１つ以上のガス出口、および／または１つ以上の液体出口の組み合わせを含んでもよい。一実施形態では、空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってよく、または空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、または空間は基板および／または基板テーブルを包囲してもよい。液体供給システムは、オプションとして、液体の位置、量、品質、形状、流速またはその他の特徴を制御するための１つ以上のエレメントをさらに含んでもよい。

[0096] 装置で使用する液浸液は、望ましい特性や使用される露光放射の波長に応じて、異なる組成物を有してもよい。１９３ｎｍの露光波長については、超純水または水ベースの組成物を使用してもよく、このため、液浸液は時として水という場合があり、水関連の用語、例えば「親水性」「疎水性」「湿度」などを使用してよい。

[0097] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

[0097] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
（付記）
（付記１）
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記空間を少なくとも部分的に取り囲むように配置された第１のガスナイフと、
前記ガスナイフの一部分に隣接し且つこれに沿って位置付けられた液体除去デバイスと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記基板が、前記基板の面上のいずれかの方向であって、前記装置の光軸を通る方向に、少なくとも３６°の弧状に移動する際、前記基板の面に対して垂直な面であって、前記方向を含む面内の前記基板上の液体が、前記ガスナイフと、前記方向での前記基板のさらなる移動との複合効果によって、前記ガスナイフに沿って前記液体除去デバイスへ移されるように、前記ガスナイフが形成されている、リソグラフィ装置。
（付記２）
前記液体除去デバイスが、前記ガスナイフの０.０５未満に沿って延在する、付記１に記載の装置。
（付記３）
面内の前記ガスナイフの形状がスキャン方向に細長い、付記１に記載の装置。
（付記４）
前記ガスナイフが前記液体供給システムに対して静止している、付記１に記載の装置。
（付記５）
前記ガスナイフが複数のセグメントを備え、前記液体除去デバイスが、隣接するセグメント同士が一緒になる領域に位置している、付記１に記載の装置。
（付記６）
４つのセグメントを備え、各セグメントがほぼ真っ直ぐである、付記５に記載の装置。
（付記７）
前記光軸に対して前記第１のガスナイフの半径方向外側に位置付けられた第２のガスナイフをさらに備えた、付記１に記載の装置。
（付記８）
前記第２ガスナイフが、前記光軸と前記液体除去デバイスとを通る線と交差するように位置付けられた、付記７に記載の装置。
（付記９）
前記第２のガスナイフからのガスが衝突する液体を除去するための他の液体除去デバイスをさらに備える、付記７に記載の装置。
（付記１０）
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記液体供給システムによって前記基板上に残された液体を収容するように、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
面内の前記ガスナイフは、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成されている、リソグラフィ装置。
（付記１１）
前記ガスナイフの面内の少なくともいくつかの部分が、ほぼ真っ直ぐである、付記１０に記載の装置。
（付記１２）
少なくともいくつかの部分が、平均半径の０.９より小さい局所半径または平均半径の
１.１より大きい局所半径を有する、付記１０に記載の装置。
（付記１３）
前記基板が前記ガスナイフに対して移動された時に液体が集まる前記ガスナイフに沿った位置に位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、付記１０に記載の装置。
（付記１４）
前記液体エキストラクタが前記ガスナイフの外周全体の周りに延在していない、付記１３に記載の装置。
（付記１５）
局所半径が平均半径よりも少なくとも１０倍大きい、付記１０に記載の装置。
（付記１６）
平均半径に描かれる虚円の外に位置する液体エキストラクタをさらに備える、付記１０に記載の装置。
（付記１７）
前記ガスナイフの外周が複数の部分に分割され、液体エキストラクタが、所定の局所半径の隣接する部分同士の間の少なくともいくつかの境界に位置する、付記１０に記載の装置。
（付記１８）
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記液体供給システムの下で、且つ前記ガスナイフの下で前記基板が移動する際に、前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体が、前記ガスナイフに沿って液体除去領域まで移されるようにする、サイズ、形状および配向のガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置。
（付記１９）
前記液体除去領域が、前記基板を保持するように構成された基板テーブル内のドレインである、付記１８に記載の装置。
（付記２０）
前記ドレインが、前記基板を囲むように構成されている、付記１９に記載の装置。
（付記２１）
前記ガスナイフが、前記液体供給システムに取り付けられている、付記１８に記載の装置。
（付記２２）
前記ガスナイフが、前記液体供給システムとは独立して可動である、付記１８に記載の装置。
（付記２３）
前記ガスナイフが、前記基板と一致してステップ方向に動くように実質的に配置される、付記２２に記載の装置。
（付記２４）
前記ガスナイフが、リソグラフィ装置のベースフレームによって支持され、前記投影システム、または液体供給システム、または両方が、前記ベースフレームから動的に隔離されている、付記１８に記載の装置。
（付記２５）
前記ガスナイフが、装置のステップ方向に対して斜めに配置される、付記１８に記載の装置。
（付記２６）
前記ガスナイフが、装置のスキャン方向ではなくステップ方向に前記基板の全幅に沿って延在するように配置され、
前記スキャン方向と前記ステップ方向とがほぼ直交する、付記１８に記載の装置。
（付記２７）
２つのガスナイフを備えており、各ガスナイフが、前記液体供給システムの反対側に位置する、付記１８に記載の装置。
（付記２８）
前記ガスナイフがＶ型であり、Ｖの先端が、装置のスキャン方向で前記基板を半分に分割する対称線にほぼ位置合わせされている、付記１８に記載の装置。
（付記２９）
前記ガスナイフの一部が、液体除去領域の両側に位置している、付記１８に記載の装置。
（付記３０）
前記液体除去領域に向かい、前記液体除去領域の両側のガスナイフの部分に沿って、液体を移すことができる、付記２９に記載の装置。
（付記３１）
前記基板上に残った液体が自由上面を有する、付記１８に記載の装置。
（付記３２）
前記ガスナイフがほぼ真っ直ぐであるか、又は複数のほぼ真っ直ぐな部分から成る、付記１８に記載の装置。
（付記３３）
液体抽出デバイスが、前記ガスナイフの真っ直ぐな部分間の合流点に位置付けられる、付記３２に記載の装置。
（付記３４）
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
投影システムと基板との間の空間を少なくとも部分的に囲むとともに、当該空間内の液体を少なくとも部分的に拘束するように構成されたバリア構造と、
前記バリア構造から離れて位置付けられたガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記バリア構造から流出した前記基板上の液体が、前記バリア構造と前記ガスナイフと
の間に自由表面を有する、リソグラフィ装置。
（付記３５）
パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記基板の表面から液体を除去するように構成された液体除去デバイスであって、低圧力に接続された複数の抽出管を備え、使用中にその一端部が前記基板に向けられ、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
を備える液浸リソグラフィ装置。
（付記３６）
前記管端部の面内のアスペクト比が２０:１未満である、付記３５に記載の装置。
（付記３７）
前記管端部の面内の最大寸法が５ｍｍ未満である、付記３５に記載の装置。
（付記３８）
前記管端部が直線状に並べられている、付記３５に記載の装置。
（付記３９）
前記直線がほぼＶ型である、付記３８に記載の装置。
（付記４０）
前記Ｖの二つの辺部が４５°未満の鋭角で交わる、付記３９に記載の装置。
（付記４１）
前記液体除去デバイスに隣接するように位置付けられたガスナイフをさらに備える、付記３５に記載の装置。
（付記４２）
前記ガスナイフが前記液体除去デバイスを越えて延在している、付記４１に記載の装
置。
（付記４３）
前記抽出管から半径方向外側に位置付けられた少なくとも１つの開口部をさらに備える装置であって、前記開口部が使用中には、前記開口部の外へ、且つ前記複数の抽出管のうちの少なくとも１つに向かってガスが引き出されるように、前記開口部がガス源と流体連通している、付記３５に記載の装置。
（付記４４）
前記複数の抽出管の前記端部が、前記液体が供給される領域の外周全体に平面上に位置している、付記３５に記載の装置。
（付記４５）
パターニングデバイスから液体を通して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
第１のガスナイフと、
低圧力に接続された管を備え、当該管の一端部が、前記ガスナイフに隣接するとともに、前記ガスナイフの平面形状の凹部内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
を備える液浸リソグラフィ装置。
（付記４６）
前記管端部のアスペクト比が５:１未満である、付記４５に記載の装置。
（付記４７）
前記管端部の最大寸法が５ｍｍ以下である、付記４５に記載の装置。
（付記４８）
前記第１のガスナイフの前記液体除去デバイスとは反対側で、且つ前記凹部と隣接して位置付けられた第２のガスナイフをさらに備える、付記４５に記載の装置。
（付記４９）
前記２つのガスナイフの間から液体を抽出するように位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、付記４８に記載の装置。
（付記５０）
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することを有する、デバイス製造方法であって、
空間を少なくとも部分的に囲んでいるガスナイフによって液体が収容され、且つ
面内の前記ガスナイフが、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分がガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成される、
デバイス製造方法。
（付記５１）
投影システムを用いて、液体供給システムによって供給された液体を介して、基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体を、ガスナイフに沿って液体除去領域に移すことと
を有する、デバイス製造方法。
（付記５２）
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
ガスナイフを用いて液体を除去する前に、自由表面を有する基板上に液体があるように、液体収容デバイスから、液体を流出させることと、
を有する、デバイス製造方法。
（付記５３）
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
低圧力に接続され、且つ前記基板に向けられた端部を有し、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられた複数の抽出管を用いて、前記基板の表面から液体を除去することと、
を有する、デバイス製造方法。

Claims (53)

1. パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
   前記投影システムと前記基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
   前記空間を少なくとも部分的に取り囲むように配置された第１のガスナイフと、
   前記ガスナイフの一部分に隣接し且つこれに沿って位置付けられた液体除去デバイスと、
   を備えるリソグラフィ装置であって、
   前記基板が、前記基板の面上のいずれかの方向であって、前記装置の光軸を通る方向に、少なくとも３６°の弧状に移動する際、前記基板の面に対して垂直な面であって、前記方向を含む面内の前記基板上の液体が、前記ガスナイフと、前記方向での前記基板のさらなる移動との複合効果によって、前記ガスナイフに沿って前記液体除去デバイスへ移されるように、前記ガスナイフが形成されている、リソグラフィ装置。
2. 前記液体除去デバイスが、前記ガスナイフの０.０５未満に沿って延在する、請求項１に記載の装置。
3. 面内の前記ガスナイフの形状がスキャン方向に細長い、請求項１に記載の装置。
4. 前記ガスナイフが前記液体供給システムに対して静止している、請求項１に記載の装置。
5. 前記ガスナイフが複数のセグメントを備え、前記液体除去デバイスが、隣接するセグメント同士が一緒になる領域に位置している、請求項１に記載の装置。
6. ４つのセグメントを備え、各セグメントがほぼ真っ直ぐである、請求項５に記載の装置。
7. 前記光軸に対して前記第１のガスナイフの半径方向外側に位置付けられた第２のガスナイフをさらに備えた、請求項１に記載の装置。
8. 前記第２ガスナイフが、前記光軸と前記液体除去デバイスとを通る線と交差するように位置付けられた、請求項７に記載の装置。
9. 前記第２のガスナイフからのガスが衝突する液体を除去するための他の液体除去デバイスをさらに備える、請求項７に記載の装置。
10. パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
    前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
    前記液体供給システムによって前記基板上に残された液体を収容するように、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むガスナイフと、
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    面内の前記ガスナイフは、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成されている、リソグラフィ装置。
11. 前記ガスナイフの面内の少なくともいくつかの部分が、ほぼ真っ直ぐである、請求項１０に記載の装置。
12. 少なくともいくつかの部分が、平均半径の０.９より小さい局所半径または平均半径の１.１より大きい局所半径を有する、請求項１０に記載の装置。
13. 前記基板が前記ガスナイフに対して移動された時に液体が集まる前記ガスナイフに沿った位置に位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
14. 前記液体エキストラクタが前記ガスナイフの外周全体の周りに延在していない、請求項１３に記載の装置。
15. 局所半径が平均半径よりも少なくとも１０倍大きい、請求項１０に記載の装置。
16. 平均半径に描かれる虚円の外に位置する液体エキストラクタをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
17. 前記ガスナイフの外周が複数の部分に分割され、液体エキストラクタが、所定の局所半径の隣接する部分同士の間の少なくともいくつかの境界に位置する、請求項１０に記載の装置。
18. パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
    前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
    前記液体供給システムの下で、且つ前記ガスナイフの下で前記基板が移動する際に、前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体が、前記ガスナイフに沿って液体除去領域まで移されるようにする、サイズ、形状および配向のガスナイフと、
    を備えるリソグラフィ装置。
19. 前記液体除去領域が、前記基板を保持するように構成された基板テーブル内のドレインである、請求項１８に記載の装置。
20. 前記ドレインが、前記基板を囲むように構成されている、請求項１９に記載の装置。
21. 前記ガスナイフが、前記液体供給システムに取り付けられている、請求項１８に記載の装置。
22. 前記ガスナイフが、前記液体供給システムとは独立して可動である、請求項１８に記載の装置。
23. 前記ガスナイフが、前記基板と一致してステップ方向に動くように実質的に配置される、請求項２２に記載の装置。
24. 前記ガスナイフが、リソグラフィ装置のベースフレームによって支持され、前記投影システム、または液体供給システム、または両方が、前記ベースフレームから動的に隔離されている、請求項１８に記載の装置。
25. 前記ガスナイフが、装置のステップ方向に対して斜めに配置される、請求項１８に記載の装置。
26. 前記ガスナイフが、装置のスキャン方向ではなくステップ方向に前記基板の全幅に沿って延在するように配置され、
    前記スキャン方向と前記ステップ方向とがほぼ直交する、請求項１８に記載の装置。
27. ２つのガスナイフを備えており、各ガスナイフが、前記液体供給システムの反対側に位置する、請求項１８に記載の装置。
28. 前記ガスナイフがＶ型であり、Ｖの先端が、装置のスキャン方向で前記基板を半分に分割する対称線にほぼ位置合わせされている、請求項１８に記載の装置。
29. 前記ガスナイフの一部が、液体除去領域の両側に位置している、請求項１８に記載の装置。
30. 前記液体除去領域に向かい、前記液体除去領域の両側のガスナイフの部分に沿って、液体を移すことができる、請求項２９に記載の装置。
31. 前記基板上に残った液体が自由上面を有する、請求項１８に記載の装置。
32. 前記ガスナイフがほぼ真っ直ぐであるか、又は複数のほぼ真っ直ぐな部分から成る、請求項１８に記載の装置。
33. 液体抽出デバイスが、前記ガスナイフの真っ直ぐな部分間の合流点に位置付けられる、請求項３２に記載の装置。
34. パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
    投影システムと基板との間の空間を少なくとも部分的に囲むとともに、当該空間内の液体を少なくとも部分的に拘束するように構成されたバリア構造と、
    前記バリア構造から離れて位置付けられたガスナイフと、
    を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記バリア構造から流出した前記基板上の液体が、前記バリア構造と前記ガスナイフとの間に自由表面を有する、リソグラフィ装置。
35. パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
    前記基板の表面から液体を除去するように構成された液体除去デバイスであって、低圧力に接続された複数の抽出管を備え、使用中にその一端部が前記基板に向けられ、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
    を備える液浸リソグラフィ装置。
36. 前記管端部の面内のアスペクト比が２０:１未満である、請求項３５に記載の装置。
37. 前記管端部の面内の最大寸法が５ｍｍ未満である、請求項３５に記載の装置。
38. 前記管端部が直線状に並べられている、請求項３５に記載の装置。
39. 前記直線がほぼＶ型である、請求項３８に記載の装置。
40. 前記Ｖの二つの辺部が４５°未満の鋭角で交わる、請求項３９に記載の装置。
41. 前記液体除去デバイスに隣接するように位置付けられたガスナイフをさらに備える、請求項３５に記載の装置。
42. 前記ガスナイフが前記液体除去デバイスを越えて延在している、請求項４１に記載の装置。
43. 前記抽出管から半径方向外側に位置付けられた少なくとも１つの開口部をさらに備える装置であって、前記開口部が使用中には、前記開口部の外へ、且つ前記複数の抽出管のうちの少なくとも１つに向かってガスが引き出されるように、前記開口部がガス源と流体連通している、請求項３５に記載の装置。
44. 前記複数の抽出管の前記端部が、前記液体が供給される領域の外周全体に平面上に位置している、請求項３５に記載の装置。
45. パターニングデバイスから液体を通して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
    第１のガスナイフと、
    低圧力に接続された管を備え、当該管の一端部が、前記ガスナイフに隣接するとともに、前記ガスナイフの平面形状の凹部内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
    を備える液浸リソグラフィ装置。
46. 前記管端部のアスペクト比が５:１未満である、請求項４５に記載の装置。
47. 前記管端部の最大寸法が５ｍｍ以下である、請求項４５に記載の装置。
48. 前記第１のガスナイフの前記液体除去デバイスとは反対側で、且つ前記凹部と隣接して位置付けられた第２のガスナイフをさらに備える、請求項４５に記載の装置。
49. 前記２つのガスナイフの間から液体を抽出するように位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、請求項４８に記載の装置。
50. 投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することを有する、デバイス製造方法であって、
    空間を少なくとも部分的に囲んでいるガスナイフによって液体が収容され、且つ
    面内の前記ガスナイフが、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分がガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成される、デバイス製造方法。
51. 投影システムを用いて、液体供給システムによって供給された液体を介して、基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
    前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体を、ガスナイフに沿って液体除去領域に移すことと
    を有する、デバイス製造方法。
52. 投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
    ガスナイフを用いて液体を除去する前に、自由表面を有する基板上に液体があるように、液体収容デバイスから、液体を流出させることと、
    を有する、デバイス製造方法。
53. 投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
    低圧力に接続され、且つ前記基板に向けられた端部を有し、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の１０倍以内に位置付けられた複数の抽出管を用いて、前記基板の表面から液体を除去することと、
    を有する、デバイス製造方法。